DE19628131C2 - Gatespannungsbegrenzung für eine Schaltungsanordnung - Google Patents
Gatespannungsbegrenzung für eine SchaltungsanordnungInfo
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Description
Die Erfindung beschreibt eine Schaltungsanordnung der Leistungsklasse nach den Merkmalen
des Oberbegriffes des Anspruchs 1. Solche Schaltungen sind firmeninterner Stand der Technik (vgl. Fig. 2) und mehrfach aus der Literatur durch
Beschreibung ihrer Anordnungen bekannt, vgl. z. B. die Firmenschriften A: "IGBT-Module Anwendung und Ansteuerung. Application news,"
11/89 und B: "SEMITRANS - MOSFET- und IGBT-Module. Application news," 11/89 der Firma
Semikron. Der Schrift A kann die Ansteuerung von IGBTs über getrennte Gatewiderstände für
jeweils das Ein- und Ausschalten entnommen werden. Die Schrift B zeigt die Verwendung von
getrennten Hilfsemitterwiderständen für jeden der parallel geschalteten Leistungsschalter zur
Erzielung einer kurzschlusssicheren Arbeitsweise. Mit dem Summenpunkt der parallel
geschalteten Hilfsemitterwiderstände ist der Masseanschluss der Treiberschaltung verbunden. Die Erhöhung der Leistungsdichte und der immer
weiter greifende, hybride Aufbau von Schaltungsanordnungen der Leistungsklasse erbringt und
erzwingt immer weitergehende Problemlösungen, um parasitäre Einflüsse zu dämpfen, zu
reduzieren oder gar zu eliminieren und damit die Zuverlässigkeit der Schaltungen zu erhöhen.
Insbesondere wird in verstärktem Maße versucht, verbesserte Schaltungsvarianten zur
Erhöhung der Kurzschlußfestigkeit zu finden.
In DE 41 05 155 C2 wird eine Optimierung der Kommutierungskreise einer Stromrichter-
Schaltungsanordnung der Leistungsklasse vorgestellt. Diese Erfindung ist dadurch
gekennzeichnet, daß das schaltbare Bauelement des entsprechenden Kommutierungskreises
eng benachbart zu dem schaltenden Halbleiterbauelement angeordnet ist. Dadurch werden
parasitäre Induktivitäten zumindest reduziert. Das Minimieren der parasitären Induktivitäten
reduziert die Überspannungen im Schaltprozeß und ermöglicht so eine bessere Belastbarkeit
der Schaltungsanordnung.
In DE 42 40 501 A1 wird eine Leistungshalbleiterschaltungsanordnung vorgestellt, deren positive
und negative Stromzuführungen geteilt werden, um deren Induktivitäten zu reduzieren. Die
Erkenntnisse einer bestimmten Symmetrie der Schaltungsanordnung im Gleichstromzweig
werden weiter ausgebaut. Der Gewinn an Leistungsdichte in den Schaltungsanordnungen wird
bei Erhöhung der Packungsdichte in immer stärkerem Maß von der Ansteuerung in allen
Schaltungselementen beeinflußt.
Bei eng gestapelten Hauptstrom- und Ansteuerverbindungen in Schaltungsanordnungen hoher
Packungsdichte, insbesondere bei Leistungsschaltern mit hoher Schaltgeschwindigkeit und
großen Werten von di/dt (schnelle Schalter) beeinflußt das Magnetfeld der
Hauptstromführungen, das jede einzelne Leistungsschiene bei Betrieb aufbaut, jeden in
unmittelbarer Nähe liegenden Ansteuerkreis. Hier können Rückwirkungen und gegenseitige
Beeinflussungen auftreten, was bereits in EP 0 427 143 B1 erwähnt wird, ohne daß hier die
physikalischen Vorgänge der transformatorischen Einkopplung beschrieben werden. Eine
eigene, frühere Anmeldung (P 195 38 328.1-32) hatte sich die Aufgabe gestellt, eine
rückwirkungsfreie Ansteuerung von Leistungshalbleiterbauelementen ohne
Transformatoreffekt in Leistungsschaltungen durch magnetische Entkoppelung von
Ansteuerkreis und Hauptstromkreis vorzustellen. Die Aufgabe wird dort durch genaue
Vorschriften für die geometrische Anordnung der elektrischen Zuleitungen für den
Ansteuerkreis gelöst.
DE 44 10 978 A1 beschreibt ein Verfahren und eine dazugehörige Schaltung zur Verbesserung
der Kurzschlußfestigkeit eines bipolaren IGBT. Diese Erfindung ist dadurch gekennzeichnet,
daß die Schaltung einen MOS-Transistor zur Verringerung der an der Gate-Elektrode des
IGBT angelegten Spannung während eines Kurzschlußzustandes derart aufweist, daß der
Kurzschlußstrom, der durch den IGBT fließt, verringert wird. Die in dieser
Schaltungsanordnung zur Realisierung der Gate-Spannungsfestigkeit eingesetzten Zener-
Dioden begrenzen die Spannung zwischen dem MOSFET und der Gate-Elektrode des IGBT.
Aus einer Studienarbeit "Weiterentwicklung und Erprobung einer zweistufigen
Ansteuerschaltung für IGBT", P. Nagengast, Universität Erlangen, Lehrstuhl für elektrische
Antriebe vom 12.11.1992, ist eine solche kurzschlußgesicherte Treiberschaltung bekannt, die
mit einem geringen Bauelementeaufwand arbeitet.
Mit DE 43 20 021 A1 und US 4 719 531 sind zwei Schaltungsanordnungen bekannt, die UCE-
Überwachungen von Einzelschaltern in Schaltungsanordnungen beschreiben. Ein beschränkter
Kurzschlußschutz kann mit solchen Schaltungsanordnungen erreicht werden; für parallel
geschaltete Leistungsschalter sind solche Kurzschluß-Überwachungen ungeeignet. Durch die
Temperaturabhängigkeit der UCE-Überwachung wird die Abschaltüberspannung in nicht
erwünschter Weise erhöht.
Im Rahmen des 24. Kolloquiums für Halbleiter-Leistungsbauelemente, 13.11.95 in Freiburg,
wurde von S. Konrad ein "Schutzkonzept für spannungsgesteuerte Leistungshalbleiter"
vorgestellt. Hier wird die Gate-Emitter-Spannung eines IGBT-Schalters durch den Einbau
eines MOSFET auf einen bestimmten Wert begrenzt.
Die vorliegende Erfindung hat sich die Aufgabe gestellt, eine einfache Gate-Ansteuerung von
Schalterbauelementen bei deren Anwendung in parallelgeschalteten Halbbrücken unter
Berücksichtigung einer Gate-Spannungsbegrenzung zur Erreichung der
Kurzschlußbeständigkeit vorzustellen. Die Aufgabe wird bei Brückenschaltungen der
dargestellten Art durch die Maßnahmen des kennzeichnenden Teiles des Anspruches 1. gelöst;
bevorzugte Weiterbildungen werden in den Unteransprüchen gekennzeichnet.
Jede Schaltungsanordnung besteht aus Ansteuerungs- und Hauptstromkreisen. Beide Arten
von Stromkreisen sind an den Stellen der Schalter (Grundlage sind hier beispielhaft IGBT oder
MOSFET) räumlich am dichtesten gepackt. Die räumliche Gestaltung dieser Engpunkte ist bei
hoher Packungsdichte von ausschlaggebender Bedeutung für die Leistungsfähigkeit der
gesamten Schaltungsanordnung, da die Beeinflussung des Ansteuerkreises durch den
Hauptstromkreis minimiert werden muß. Zur Lösung der hierdurch bedingten Probleme trägt
die vorliegende Erfindung bei.
Bei den modernen Hochleistungs-Schalttransistoren beträgt die Leistungsaufnahme der
Ansteuerung nur einen äußerst geringen Bruchteil der Leistungen, die im entsprechenden
Hauptstromkreis geschaltet werden, und die Schaltfrequenzen wie auch die
Schaltgeschwindigkeiten nehmen bei Neukonstruktionen weiter zu.
Auf der Grundlage der nachfolgenden Erläuterungen von Ausschnitten beispielhaft
ausgewählter Schaltungsanordnungen wird die erfinderische Gate-Ansteuerung anhand der
Fig. 8 näher erklärt, während die Fig. 1-3, 5 und 6
den Stand der Technik zeigen.
Fig. 1 zeigt einen Ausschnitt einer Schaltungsanordnung mit einem Einzelschalter
ohne Begrenzungselemente für die Gate-Ansteuerung.
Fig. 2 stellt den Ausschnitt der TOP-Ansteuerung analog Fig. 1 bei drei parallel geschalteten
Leistungsschaltern dar. In dem Detail Fig. 2a und 2b wird das Verhalten einer
unsymmetrisch angesteuerten Halbbrücke erläutert.
Fig. 3 skizziert einen Ausschnitt einer vergleichbaren Anordnung mit Transistoreinsatz.
Fig. 4 skizziert eine Gate-Spannungsbegrenzung mittels einer Schottky-Diode für eine
Halbbrücke ohne Parallelschaltung
Fig. 5 zeigt eine Gate-Spannungsbegrenzung mittels Schottky-Dioden und Kondensatoren.
Fig. 6 stellt eine Gate-Ansteuerung für parallelgeschaltete Halbbrücken analog Fig. 5 dar.
Fig. 7 stellt eine weitere Schaltungsanordnung mit einer Referenzdiode dar.
Fig. 8 zeigt einen Schaltungsausschnitt mit Hilfsemitter-Widerständen und Schottky-Dioden.
Fig. 1 zeigt einen Ausschnitt einer Schaltungsanordnung mit einem Einzelschalter nach dem
Stand der Technik ohne Begrenzungselemente für die Gate-Ansteuerung. Es wird eine übliche
Halbbrückenschaltung mit den IGBT T1 und T2 dargestellt. Von den dazugehörigen
Treiberschaltungen sind jeweils nur die Endstufen T3/T4 der TOP-Ansteuerung bzw. T5/T6 der
BOTTOM-Ansteuerung mit der dazugehörigen Ausgangsschaltung dargestellt. Zur
Verdeutlichung sind die sogenannten Miller-Kapazitäten C1 und C2 als externe Kapazitäten
gezeichnet, obwohl sie, dem Stand der Technik entsprechend, in der Struktur des IGBT-
Schalters integriert sind.
Der IGBT T1 bzw. T2 wird eingeschaltet, indem das jeweilige Gate über den oberen MOSFET
T3 bzw. T5 der jeweiligen Treiberendstufe und dem Gate-Widerstand R1 bzw. R2 auf +15 V der
Treiber-Betriebsspannungsquelle aufgeladen wird, während der in Reihe geschaltete MOSFET
T4 bzw. T6 sperrt.
Der IGBT T1 bzw. T2 wird ausgeschaltet, indem der MOSFET T3 bzw. T5 gesperrt wird
und über den entsprechenden, in Reihe geschalteten MOSFET T4 bzw. T6 und die Widerstände
R3 bzw. R4 das Gate auf -8 V entladen wird. Das Ein- und Ausschalten wird
hier wie bei jedem MOS-gesteuerten Schalter durch das Laden und Entladen der Gate-
Emitterkapazität bewirkt, wobei wegen des Spannungshubes zwischen Kollektor und Emitter
immer auch die Miller-Kapazität C1 bzw. C2 des IGBT T1 bzw. T2 mit umgeladen werden
muß.
Entsteht nun im Stromkreis des leitenden IGBT ein Kurzschluß, so stellt dieser IGBT das
wesentliche, strombegrenzende Element in diesem Stromkreis dar. Die Amplitude des
Kurzschlußstromes wird durch die endliche Verstärkung und der in dem Moment anstehenden
Gate-Emitter-Spannung des IGBT bestimmt. Der wegen des ansteigenden Kurzschlußstromes
stark positive Spannungshub dUCE/dt an der Kollektor-Emitter-Strecke des IGBT T1 bzw.
T2 bewirkt eine Umladung der Miller-Kapazität C1 bzw. C2.
Der Umlade-Stromimpuls durch die Miller-Kapazität C1 bzw. C2 erhöht jedoch die Gate-
Emitter-Spannung des IGBT T1 bzw. T2, da sein Gate durch den Widerstand R1 bzw. R2
gegenüber der Treiberendstufe entkoppelt ist, so daß der Kurzschlußstrom noch weiter
ansteigen kann. Dies kann zu Kurzschluß-Stromimpulsen führen, deren Amplitude weit über
der durch die Treiberspannung von +15 V vorgegebenen Gate-Emitter-Spannung liegen kann.
Die Gefahr eines dadurch bedingten Ausfalls des Schalters IGBT ist um so größer, je
ungünstiger sein Verhältnis zwischen Gate-Emitter-Kapazität und Miller-Kapazität ist. Nach
dem Stand der Technik werden zur Gate-Spannungsbegrenzung Suppressordioden eingesetzt,
wie sie beispielhaft aus der genannten Studienarbeit "Weiterentwicklung bei IGBT" bekannt
sind.
Nachteilig wirkt sich in dieser Schaltung die Temperaturabhängigkeit und die Toleranz der
Suppressordioden aus. Bei modernen IGBT-Schaltern neuester Generation kann mit einer
solchen Schaltungsanordnung nicht mehr eine ausreichende Kurzschlußfestigkeit erreicht
werden.
Fig. 2 stellt den Ausschnitt der TOP-Ansteuerung analog Fig. 1 bei drei parallelgeschalteten
Leistungsschaltern dar. Wie aus dem Schaltbild erkennbar ist, werden sowohl die Hauptemitter
als auch die Hilfsemitter parallelgeschaltet. Wenn auf die Parallelschaltung der Hilfsemitter
verzichtet wird und nur ein Hilfsemitteranschluß vorgesehen wird, können Schwingungen in
den Leistungsschaltern, insbesondere im Kurzschlußfall, auftreten. Das Gate ist dann über die
Ansteuerschaltung nicht mehr bei jedem Modul dem eigenen Emitter zugeordnet. Durch die
Parallelschaltung der Hilfsemitter wird diese Zuordnungsproblematik umgangen.
Allerdings sind jetzt Kreisströme über den Kreis: Hilfsemitter - Hauptemitter möglich. Um
diese Kreisströme in ihren Amplituden zu begrenzen, werden Hilfsemitter-Widerstände (Re)
von vorzugsweise je 0,5 Ohm eingesetzt. Die Spannungsreferenz für die Ansteuerschaltung ist
dann die mittlere Emitterspannung. Durch die Kreisströme über diese Widerstände können
allerdings wiederum Gate-Spannungsbeeinflussungen auftreten. Dies tritt insbesondere bei
Unsymmetrien in der Strombelastung der Module auf.
Wenn, wie hier beispielhaft gezeigt wird, bereits zwei Module während eines
Kommutierungsvorgangs den Strom ausgeschaltet haben und nur noch ein Modul den Strom
führt, dann tritt die Situation von Fig. 2a und b ein: Im linken Teil der Fig. 2a sind die drei
Modulströme während des Abschaltvorganges dargestellt. Diese zeigen, daß das di/dt des
Stromes 1 wesentlich niedriger wird, nachdem die Ströme 2 und 3 bereits zu Null geworden
sind. Es tritt dabei die im mittleren Kurvenverlauf dargestellte Situation ein. Die Induktivitäten
zum Minusanschluß des Zwischenkreises sind für die Ströme 2 und 3 nicht mehr wirksam, weil
dort keine großen Ströme fließen; sie können somit im Ersatzschaltbild vernachlässigt werden.
Die Induktivität 1 ist immer noch wirksam.
Diese Induktivität, die normalerweise außerhalb des Gate-Ansteuerkreises liegt, wird jetzt
plötzlich wirksam, und zwar durch die Konfiguration der Hilfsemitter-Widerstände, in diesem
Beispiel mit 2/3 seines Wertes. Die Emittergegenkopplung des langsamsten IGBT wird dadurch
noch einmal verstärkt, und der IGBT-Schalttransistor wird noch langsamer. Diese Effekte
können in Prinzip bei jedem Modul in einer Halbbrücke mit Parallelschaltung auftreten.
Eine wesentliche Reduzierung dieses Effektes ist dadurch möglich, daß der Ohm'sche
Spannungsteiler der Hilfsemitter-Widerstände während der Abschaltphase nicht wirksam wird.
Am einfachsten ist dies durch Dioden parallel zu den Hilfsemitter-Widerständen zu erreichen (vgl. Fig. 8).
Hierbei ist zu berücksichtigen, daß die Spannung an der verbleibenden Induktivität an der Seite
zum Zwischenkreis hin während des Abschaltvorgangs positiv ist. Damit also die Diode
wirksam ist, muß ihre Kathode, wie in Fig. 2b gezeichnet, mit dem Emitter des IGBT verbun
den werden. Hiermit ist dann der starke Einfluß der Induktivität außerhalb des Gate-Ansteuer
kreises eliminiert. Diese Dioden müssen bei jedem IGBT vorgesehen werden, damit alle mög
lichen Stromunsymmetrien durch diese Maßnahme erfaßt werden. Vorzugsweise werden für
die Dioden Schottky-Dioden verwendet, weil diese geringere Durchlaßspannungen aufweisen.
Fig. 3 skizziert einen Ausschnitt einer vergleichbaren Anordnung mit Transistoreinsatz; sie
stellt eine zweite Möglichkeit der Gate-Spannungsbegrenzung nach dem Stand der Technik
dar, wie sie bereits 1993 in genannter Studienarbeit publiziert wurde. Tritt in einem
Kurzschlußfall die Gate-Emitter-Spannung von T1 wegen der Wirkung der Miller-
Kapazitäten über den Sollwert der Treiber-Betriebsspannung von +15 V plus dem Wert der
Basis-Emitter-Stecke der pnp-Transistoren T7, dann steuert der Transistor T7 durch und
übernimmt den Umladestromimpuls der Miller-Kapazität. Die Gate-Emitterspannung von T1
wird somit begrenzt.
Diese Lösung kann folglich nicht bei einer Parallelschaltung von IGBT eingesetzt werden, weil
die Betriebsspannung als Spannungsreferenz nicht mehr eindeutig den Emittern jedes einzelnen
IGBT zuordenbar ist, sondern sich auf den Mittelwert aller Emitterpotentiale bezieht. Für
parallelgeschaltete IGBT müssen andere Lösungsvarianten gefunden werden.
Fig. 4 skizziert eine Gate-Spannungsbegrenzung beispielhaft mittels einer Schottky-Diode
(D3) für eine Halbbrücke ohne Parallelschaltung. Dargestellt ist eine Begrenzungsschaltung mit
nur einem zusätzlichen Bauteil pro IGBT-Schalter. Eine schnelle Diode D3 überbrückt hier bei
einem Kurzschluß im eingeschalteten Zustand den Widerstand R1 und leitet den
Umladestromimpuls der entsprechenden Miller-Kapazität über die im MOSFET T3 integrierte,
antiparallele Diode zur Treiber-Versorgungsspannungsquelle ab.
Die Wirksamkeit dieser Schaltung wird jedoch durch die parasitären Induktivitäten der
Verbindungsleitungen zwischen Treiberendstufe und den Gate- und Emitter-Anschlüssen des
IBGT nachteilig beeinflußt. Ein Nachteil, der nicht in allen Aufbauvarianten von
Schaltungsanordnungen auftritt. Die in Reihe geschalteten Dioden D3 und die im Transistor T3
integrierte wirken als Begrenzungsdioden.
Fig. 5 zeigt als Stand der Technik eine Gate-Emitter-Spannungsbegrenzung mit Hilfe einer
zusätzlichen Schottky-Diode D3 und einem Kondensator C3 in unmittelbarer Nähe der Gate-
Emitter-Anschlüsse der IGBT T1. Dargestellt ist hier wiederum die Skizze eines
Schaltungsausschnittes der Treiberentstufe der TOP-Ansteuerung.
Der Kondensator C3 wird über den Widerstand R5 (mit einem typischen Wert von ca. 10 Ohm)
auf die Ursprungsspannung des Treibers von +15 V aufgeladen. Eine ausreichende Gate-
Emitter-Spannungsbegrenzung wird erreicht, wenn die Kapazität C3 deutlich größer als die
Gate-Emitter-Kapazität des betreffenden IGBT ist. Der Kondensator C3 kann dann nämlich
im Kurzschlußfall den Umlade-Stromimpuls durch die Miller-Kapazität ohne nennenswerten
Spannungsanstieg aufnehmen.
Fig. 6 stellt eine Gate-Ansteuerung für parallelgeschaltete Halbbrücken analog Fig. 5 dar.
Diese Schaltung ist jedoch für eine Parallelschaltung weniger gut geeignet, weil die
Emitterinduktivitäten insbesondere bei unsymmetrischen Stromaufteilungen mit den
Kondensatoren Wechselwirkungen in Form von Schwingungen verursachen können.
Fig. 7 stellt eine weitere Variante einer Schaltungsanordnung, wiederum dargestellt als
Ausschnitt der TOP-Ansteuerung, mit einer Referenzdiode dar. Durch Einsatz einer
temperaturstabilisierten Spannungs-Referenzdiode D7 in Kombination mit einem pnp-
Transistor T7 ist eine dem Stand der Technik nach Fig. 3 analoge Lösung realisierbar.
Nachteilig wirkt sich bei einer solchen Schaltungsvariante jedoch aus, daß die Basis-Emitter-
Strecke des pnp-Transistors T7 bei abgeschaltetem IGBT T1 bei ca. 8 V sperren muß. Dieses
Problem ist durch Reduzieren der negativen Versorgungsspannung des Treibers von -8 V auf
-5 V zu minimieren, was in den meisten praktischen Fällen keine Einschränkung bedeutet.
Fig. 8 zeigt einen analog zu den vorhergehenden Fig. 2 bis 7 skizzierten Schaltungsaus
schnitt mit Hilfsemitter-Widerständen und Schottky-Dioden. Diese erfinderische Schaltungs
anordnung zeigt eine Problemlösung auf, die bei den gegebenen, schaltungsbedingten
Toleranzen und Temperaturschwankungen eine einwandfreie und kurzschlußfeste Arbeitsweise
garantiert und im Gegensatz zu den Schaltungsvarianten der Fig. 3 bis 5 und 7 ausgezeichnet
für den Parallelbetrieb mehrerer IGBT-Schalter geeignet ist. Ausführliche Messungen an
parallelgeschalteten Modulen bei unterschiedlichsten Betriebsbedingungen haben gezeigt, daß
bei der Ansteuerung sowohl Maßnahmen im Gate-Kreis als auch bei den Hilfsemitter-
Anschlüssen erforderlich waren; sie sind in der Fig. 8 zusammengefaßt; die Begründung für die
erfinderischen Schaltungsaufbauten im Hilfsemitterkreis wurde bei der Beschreibung zu den
Fig. 2a und b gegeben.
Bei ungleichen Stromschleifen, jeweils bezogen auf eine DCB-Keramik (direct cupper
bonding) bzw. ein Modul, sind auch die parasitären Induktivitäten pro DCB-Keramik
verschieden. Hierdurch treten insbesondere bei Kurzschluß unterschiedlich hohe Ströme auf.
Die DCB mit der kleinsten Induktivität hat den höchsten Kurzschlußstrom. Dies wirkt sich
auch auf die Emitterspannungen aus. Hierdurch sind die Emitterspannungen unterschiedlich.
Ohne die Schottky-Dioden wird die mittlere Emitterspannung als Referenz für den Treiber
benutzt. Hierdurch kann eine DCB-Keramik eine zu hohe oder zu niedrige Gatespannung
erhalten.
Die Differenzen in den Gatespannungen hängen von den Differenzen in den Emitterspannungen
ab und können sehr beachtliche Werte annehmen. Zu hohe Gatespannungen sind aber zu
vermeiden, da sehr hohe Gatespannungen zu hohe Kurzschlußströme erlauben. Mit niedrigeren
Gatespannungen tritt eine Kurzschlußstrom-Begrenzung bei niedrigeren Werten auf. Die
Epitaxial- und Schottky-Dioden in Fig. 8 bewirken, daß an keinem Modul die Gatespannung
über +15 V plus ca. 0,5 bis 1 Volt als Summe der beiden Diodenschwellen ansteigen kann.
Messungen an parallelgeschalteten Modulen haben gezeigt, daß eine nicht unwesentliche,
gegenseitige Beeinflussung der Gatepotentiale möglich ist. Es kommt bedingt durch die
parasitäre Emitterinduktivitäten, insbesondere bei Ungleichmässigkeiten in der
Stromaufteilung, zu Ungleichmässigkeiten in den Emitterspannungen. Diese wirken über die
interne Gate-Emitter-Kapazitäten der IGBT auf das Gatepotential zurück. Hierbei kann es
insbesondere bei Kurzschlüssen zu unerwünschten Schwingungen zwischen den
Gateanschlüssen kommen. Die Widerstände zwischen den Gateanschlüssen müssen so
hochohmig wie möglich sein, damit Ausgleichsvorgänge zwischen diesen Anschlüssen so weit
wie möglich reduziert bzw. vermieden werden. Durch folgende Maßnahmen wird dies
erfindungsgemäß erreicht:
- 1. Jedes IGBT-Modul wird mit eigenen Gatewiderständen versehen.
- 2. Die Gatewiderstände Ron zum Einschalten der IGBT und Roff zum Ausschalten der IGBT werden unterschieden. Bei Messungen hat sich als Ergebnis gezeigt, daß die Gatewiderstände Roff zum Ausschalten der IGBT wesentlich hochohmiger dimensioniert werden können als die Gatewiderstände Ron zum Einschalten der IGBT.
- 3. In Reihe mit den niederohmigen Gatewiderständen Ron zum Einschalten der IGBT verschaltete Dioden verhindern einen Ausgleich zwischen den Gateanschlüssen über diese Widerstände. Als Dioden im Gate-Kreis sollten wegen ihrer geringen, parasitären Kapazitäten vorzugsweise schnelle Epitaxialdioden eingesetzt werden.
- 4. Es werden zusätzlich Ableitdioden gegen die Versorgungsspannung für jedes Modul vorgesehen, damit aufgrund von IGBT-internen, kapazitiven Rückwirkungen keine Gate- Spannungserhöhung höher als die Versorgungsspannung der Treiberstufe auftritt. Eine zu hohe Gatespannung kann im Falle eines Kurzschlusses zu hohen Kurzschlußströmen und damit zur Zerstörung der Schaltungsanordnung führen.
- 5. In Reihe mit den höherohmigen Roff-Widerständen sind keine Entkoppeldioden erforderlich.
- 6. Während jeder Schaltphase muß immer eine definierte Spannung an den Gatekontakten anliegen.
Hervorragend geeignet ist die Begrenzungsschaltung insbesondere bei Parallelschaltung von
mehreren IGBT, wie sie in Fig. 8 dargestellt ist.
Claims (4)
1. Schaltungsanordnung mit Leistungshalbleiterbauelementen als Schalttransistoren,
vorzugsweise IGBT, mit für eine Parallelschaltung geeigneter Gateansteuerung mittels einer Treiberschaltung, mit getrennten
Gatewiderständen für das Einschalten (Ron) und Ausschalten (Roff) und getrennten
Hilfsemitterwiderständen (Re) für jeden Leistungsschalter zur Erzielung einer
kurzschlußsicheren Arbeitsweise, wobei der Masseanschluß für die Treiberschaltung am
Summenpunkt der Hilfsemitterwiderstände angeschlossen ist,
dadurch gekennzeichnet, daß jeweils
in Reihe mit dem Gatewiderstand (Ron) eine Diode mit der Kathode zum Gatewiderstand (Ron),
parallel zu den Widerständen (Re) je eine Clamping-Diode mit Kathode zum Emitter und
am Gate eine Ableitdiode mit der Kathode zu der Gateversorgungsspannung geschaltet sind.
in Reihe mit dem Gatewiderstand (Ron) eine Diode mit der Kathode zum Gatewiderstand (Ron),
parallel zu den Widerständen (Re) je eine Clamping-Diode mit Kathode zum Emitter und
am Gate eine Ableitdiode mit der Kathode zu der Gateversorgungsspannung geschaltet sind.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
der Gatewiderstand (Ron) relativ niederohmig und der Gatewiderstand (Roff) dazu relativ
hochohmig dimensioniert sind.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die Dioden schnelle Epitaxialdioden mit niedrigen, differentiellen Innenwiderständen und
niedrigen Sperrschichtkapazitäten sind.
4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
die Clamping-Dioden, die parallel zum Widerstand (Re) geschaltet sind, Schottky-Dioden sind.
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