DE19628874A1

DE19628874A1 - Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters und einer Maske, Verfahren zur Belichtung, Vorrichtung dazu und eine Photomasken- und Halbleitervorrichtung, die eine solche verwendet

Info

Publication number: DE19628874A1
Application number: DE19628874A
Authority: DE
Inventors: Keisuke Tsudaka
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1995-07-17
Filing date: 1996-07-17
Publication date: 1997-02-27
Also published as: JPH0934095A; US6249597B1; JP3331822B2; KR970007483A; US6014456A; TW350932B; US6154563A; KR100444558B1

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters, durch das ein Maskenmuster einer zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung etc. verwendeten Photomaske so verformt wird, daß sich ein Übertragungsbild nahe einem gewünschten Designmuster ergibt, eine Korrekturvorrichtung, die nach diesem Korrekturverfahren arbeitet, eine Photomaske, die durch dieses Korrekturverfahren erhalten wird, ein Belichtungsverfahren zur Durchführung einer Belichtung unter Verwendung einer Photomaske mit solch einem korrigierten Maskenmuster, einer Halbleitervorrichtung, die durch Photolithographie unter Verwendung einer Photomaske mit solch einem korrigierten Maskenmuster erzeugt wird und eine Vorrichtung zur Erzeugung einer Photomaske und einer Vorrichtung zur Erzeugung einer Halbleitervorrichtung unter Verwendung dieses Korrekturverfahrens.

Bei der Erzeugung einer Halbleitervorrichtung etc. wird das Verfahren zur Übertragung eines Maskenmusters auf ein Resist(Schutzschicht)-Material auf einem Halbleiterwafer als Photolithographieverfahren bezeichnet.

In den letzten Jahren wurden im Zuge der verstärkten Miniatuarisierung der produzierten Halbleitervorrichtungen die Design-Vorgaben immer enger, und die Lithographie wird in der Nähe der theoretischen Auflösungsgrenze durchgeführt. Diese Tatsache hat die Nachteile einer Verschlechterung der Leistungsfähigkeit der Halbleitervorrichtung aufgrund einer Verformung des Übertragungsmusters und eine Verringerung der Ausbeute aufgrund einer Überbrückung (ungewollten Verbindung) und Unterbrechung der Muster. Dementsprechend wurden die Maskenmuster durch Ausprobieren (trial and error) optimiert, um die gewünschten Resist-Muster zu erhalten. In der Praxis wurden Maskenmuster vorbereitet, zu denen mehrere Abänderungsmuster für ein Designmuster hinzugefügt wurden, die Übertragungsmuster wurden durch Simulation in Übertragungsexperimenten herau 77627 00070 552 001000280000000200012000285917751600040 0002019628874 00004 77508sgefunden und das Modifikationsmuster zu dem Maskenmuster hinzugefügt, das das Übertragungsmuster ergab, das am nächsten an dem Designmuster lag.

In letzter Zeit wurden Lichtannäherungswirkungs-Korrekturtechniken entwickelt, durch die Maskenmuster automatisch durch einen Computer optimiert wurden. Bei der Lichtannäherungswirkungs-Korrektur wurde durch Berechnungen das Maskenmuster herausgefunden, das so verformt wurde, daß es das Übertragungsbild verbessert, um den eingegebenen Designmuster zu gleichen.

Indessen leidet die Technik gemäß dem Stand der Technik unter den folgenden Nachteilen. Bei dem trial and error-Verfahren wird sehr viel Zeit und Arbeit zur Ermittlung des optimalen Maskenmusters benötigt. Daher kann es nur für begrenzte Muster verwendet werden. Dementsprechend kann es nicht für unregelmäßige Muster wie beispielsweise ASICs (anwendungsorientierte integrierte Schaltungen) verwendet werden. Weiterhin ist bei dem trial and error-Verfahren die Anzahl der Maskenmuster, die ausgewertet werden können, begrenzt. Daher besteht die Möglichkeit, daß ein besseres Maskenmuster übersehen wird, und die Genauigkeit der Korrektur des Maskenmusters ist begrenzt.

Daher wurden in den letzten Jahren Techniken zur automatischen Korrektur von Maskenmustern entwickelt. Diese leiden indessen unter den folgenden Nachteilen.

Zuerst verursacht das korrigierte Maskenmuster eine Verschlechterung des Verarbeitungs- Toleranzbereichs, d. h. des Belichtungs-Toleranzbereich und der Schärfentiefe. Daher kann die Korrektur eine Verschlechterung des Wirkungsgrads verursachen, was eine Verwendung für tatsächliche Vorgehensweisen unmöglich macht.

Weiterhin besteht ein Verfahren zur Korrektur in der Ermittlung der Verteilung der Lichtintensität unter Verwendung einer Simulation der Lichtintensität, der Verwendung der Konturlinien, die durch ein Abschneiden durch den gleichen Schwellenwert wie bei dem Übertragungsbild erhalten werden, und der Korrektur dieses optimalen Maskenmusters. Indessen wird gemäß diesem Verfahren der Resist-Vorgang nicht berücksichtigt, so daß die Konturlinien, die durch Abschneiden der Lichtintensitätsverteilung erhalten werden, nicht dem Resist-Bild entsprechen, das durch den tatsächlichen Vorgang erhalten wird, und somit wird das Resist-Bild nicht ausreichend korrigiert.

Weiterhin tritt abhängig von dem Korrekturverfahren aufgrund der übermäßigen Korrektur der Eckbereiche des Musters oder der Endbereiche der Linienmuster etc. eine Verzerrung an anderen Abschnitten auf, eine Überbrückung (Fehlverbindung) des Resist-Musters würde auftreten, wenn der Belichtungswert oder die Fokusposition schwanken oder schwer zu produzierende Maskenmuster würden erzeugt werden.

Es ist Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Einrichtung und ein Verfahren zur Berechnung eines Maskenmusters zu schaffen, so daß ein Resist-Muster nahe dem Designmuster erstellt wird und dadurch eine Hochleistungsbauteil mit hohem Wirkungsgrad erzeugt wird.

Gemäß einem Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters geschaffen, bei dem das Maskenmuster einer bei einem Photolithographie- Schritt verwendeten Photomaske so verformt wird, daß es ein Übertragungsbild nahe einem gewünschten Designmuster ergibt, wobei das Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters aufweist: einen Schritt zur Anordnung eines Auswertepunkts zur Anordnung mehrerer Auswertepunkte längs des äußeren Randbereichs des gewünschten Designmusters, ein Simulationsschritt zur Simulation eines Übertragungsbilds, das bei der Belichtung unter vorbestimmten Übertragungsbedingungen unter Verwendung einer Photomaske eines Designmusters mit Auswertepunkten erhalten wird, einen Vergleichsschritt zum Vergleich des Unterschieds bei jedem Auswertepunkt zwischen dem simulierten Übertragungspunkt und dem Designmuster, und einen Verformungsschritt zur Verformung des Designmusters gemäß den für jeden Auswertepunkt verglichenen Unterschieden, so daß die Unterschiede geringer werden.

Bei dem Auswertepunkt-Anordnungsschritt werden die Auswertepunkte an den Ecken des gewünschten Designmusters angeordnet und die Auswertepunkte an vorbestimmten Intervallen an den Seiten des Musters angeordnet.

Der Auswertepunkt-Anordnungsschritt ordnet alternativ die Auswertepunkte an den Ecken des gewünschten Designmusters an, addiert eine vorbestimmte Anzahl an Auswertepunkten an vorbestimmten kleinen Abständen von den Ecken an den Seiten des Musters und ordnet die Auswertepunkte an vorbestimmten großen Intervallen an den übrigen Abschnitten der Seiten weiter weg von den Ecken an.

Der Auswertepunkt-Anordnungsschritt fügt alternativ keine Auswertepunkte an den kleinen Seiten der Designmuster hinzu, die kleiner sind als eine vorbestimmte Länge, fügt keine Auswertepunkte an den Ecken in der Nähe der kleinen Seiten hinzu und ordnet die Auswertepunkte in vorbestimmten Intervallen an den anderen Ecken und Seiten an.

Der Auswertepunkt-Anordnungsschritt ordnet alternativ die Auswertepunkte an den Ecken des Designmusters nicht an den Grenzlinien vorbestimmter sich wiederholender Bereiche an und ordnet die Auswertepunkte an vorbestimmten Intervallen an den Seiten des Musters nicht an den Grenzlinien vorbestimmter sich wiederholender Bereiche an. (??? vollkommen identisch mit vorherigem Absatz).

Der Auswertepunkt-Anordnungsschritt ordnet alternativ die Auswertepunkte an den Ecken des Designmusters an, fügt die Auswertepunkte im wesentlichen in der Mitte der kurzen Seite des Musters an, die kleiner sind als eine vorbestimmte Breite, und ordnet die Auswertepunkte an vorbestimmten Intervallen an den anderen Seiten des Musters an.

Der Auswertepunkt-Anordnungsschritt ordnet die Auswertepunkte an den Ecken des Designmusters mit Ausnahme der Ecken der Muster an, die an die Seiten angrenzen, die kürzer als eine vorbestimmte Länge sind, fügt die Auswertepunkte in verhältnismäßig großen Abständen an den Enden an, die an die Seiten angrenzen, die kürzer als eine vorbestimmte Seite sind, an Seiten des Musters, die länger als eine vorbestimmte Länge sind, und ordnet die Auswertepunkte an vorbestimmten Intervallen an den Seiten des Musters an, die länger als eine vorbestimmte Länge sind.

Vorzugsweise wird ein in dem Verformungsschritt verformtes Designmuster verwendet, um wenigstens einmal den Vorgang von dem Simulationsschritt bis zu dem Verformungsschritt zu wiederholen.

Vorzugsweise simuliert der Simulationsschritt Übertragungsbilder unter mehreren Übertragungsbedingungen auf Grundlage von Kombinationen mehrerer Belichtungswerte in voreingestellten Belichtungs-Toleranzbereichen und mehreren Fokuspositionen innerhalb eines voreingestellten Bereichs an Schärfentiefen, um mehrere Übertragungsbilder zu erhalten, der Vergleichsschritt vergleicht für jeden Auswertepunkt den Unterschied mit dem Designmuster für jedes der mehreren Transfermuster zur Berechnung mehrerer Unterschiede für jeden Auswertepunkt, und der Verformungsschritt verformt das Designmuster so, daß die mehreren Unterschiede für jeden Auswertepunkt um einen vorbestimmten Wert geringer werden.

Vorzugsweise berechnet der Simulationsschritt eine zweidimensionale Lichtintensität auf einem Substrat auf Grundlage des Designmusters und den Belichtungsbedingungen, berechnet die Auswirkungen der Belichtungsenergie von jeder notierten Position auf der zweidimensionalen Ebene des Substrats durch die Lichtintensität an mehreren Positionen, die jede notierte Position umgeben, auf Grundlage der Lichtintensität an den umgebenden Positionen und im Abstand zwischen der notierten Position und den umgebenen Positionen, um die latente bildformende Intensität an jeder notierten Position zu berechnen, ermittelt die Verteilung der latenten bildformenden Intensität in der zweidimensionalen Ebene des Substrats, legt den Schwellenwert der latenten bildformenden Intensität entsprechend dem Belichtungswert und den Entwicklungsbedingungen fest, ermittelt die Konturlinien des Schwellenwerts für die Verteilung der latenten bildformenden Intensität und berechnet das Muster, das durch die Konturlinien als Übertragungsbild festgelegt wird.

Vorzugsweise bewegt der Verformungsschritt die Grenzlinien des Maskenmusters in der Nähe der Auswertepunkte um genau den Wert des Differenzwerts, der für jeden Auswertepunkt verglichen wird, multipliziert mit einem gewissen Koeffizienten in einer inversen Richtung der Differenz.

Vorzugsweise ist der Koeffizient größer als 0 und kleiner als 1.

Vorzugsweise ordnet der Auswertepunkt-Anordnungsschritt mehrere Auswertepunkte längs des äußeren Randbereichs des gewünschten Designmusters an und setzt Zielpunkte separat zu den Auswertepunkten an vorbestimmten Auswertepunkten, der Vergleichsschritt vergleicht für jeden Auswertepunkt den Unterschied zwischen dem simulierten Übertragungsbild und dem Designmuster an Positionen, wo gerade die Auswertepunkte gesetzt wurden, und vergleicht den Unterschied zwischen den Zielpunkten und den Übertragungsbild an Positionen, wo die Zielpunkte eingestellt wurden, und der Verformungsschritt verformt das Designmuster gemäß dem Unterschied, der für jeden Auswertepunkt verglichen wurde, oder für jeden Zielpunkt, so daß der Unterschied geringer wird.

Vorzugsweise werden die Zielpunkte entsprechend den Auswertepunkten eingestellt, die an den hervorstehenden Ecken oder zurückgenommenen Ecken des Designmusters liegen, wobei die Zielpunkte an der Innenseite der Ecken an den vorstehenden Ecken festgelegt werden und die Zielpunkte an der Außenseite der Ecken bei den zurückgenommenen Ecken festgelegt werden.

Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung wird eine Photomaske mit einem Maskenmuster geschaffen, das durch das oben genannte Maskenmuster-Korrekturverfahren korrigiert wurde.

Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung ist ein Belichtungsverfahren zur zur Durchführung einer Belichtung unter Verwendung einer Photomaske vorgesehen, die ein Maskenmuster aufweist, das unter Verwendung des oben genannten Maskenmuster- Korrekturverfahrens korrigiert wurde.

Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung ist eine Halbleitervorrichtung vorgesehen, die durch eine Photolithographie unter Verwendung einer Photomaske geschaffen wurde, die ein Maskenmuster aufweist, das unter Verwendung des oben genannten Maskenmuster- Korrekturverfahrens korrigiert wurde.

Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung ist eine Vorrichtung zur Korrektur eines Maskenmusters vorgesehen, wobei das Maskenmuster einer in einen Photolithographieschritt verwendeten Photomaske so verformt wird, daß sich ein Übertragungsbild nahe dem gewünschten Designmuster ergibt, wobei die Vorrichtung zur Korrektur eines Maskenmusters eine Einrichtung zur Anordnung von Auswertepunkten zur Anordnung mehrerer Auswertepunkte längs des äußeren Randbereichs des gewünschten Designmusters aufweist, eine Simulationseinrichtung zur Simulation eines Übertragungsbilds, das bei Belichtung unter vorbestimmten Übertragungsbedingungen unter Verwendung einer Photomaske eines Designmusters mit Auswertepunkten erhalten wird, eine Vergleichseinrichtung zum Vergleich des Unterschieds zwischen dem simulierten Übertragungsbild und dem Designmuster bei jedem Auswertepunkt, und eine Verformungseinrichtung zur Verformung des Designmusters gemäß den Unterschieden, die bei jedem Auswertepunkt verglichen wurden, so daß die Unterschiede geringer werden, wobei die Auswertepunkt-Anordnungseinrichtung die Auswertepunkte an den Ecken des gewünschten Designmusters anordnet und die Auswertepunkte an vorbestimmten Intervallen an den Seiten des Musters anordnet, die Auswertepunkte an den Ecken des gewünschten Designmusters anordnet, eine vorbestimmte Anzahl an Auswertepunkten in vorbestimmten kleinen Intervallen von den Ecken an den Seiten des Musters anordnet, und Auswertepunkte in vorbestimmten großen Intervallen an den übrigen Abschnitten der Seiten im Abstand von den Ecken anordnet, keine Auswertepunkte an den kleinen Seiten des Designmusters anordnet, die kleiner als eine vorbestimmte Länge sind, keine Auswertepunkte an den Ecken in der nahe der kleinen Seiten anordnet, und die Auswertepunkte an vorbestimmten Intervallen an den übrigen Ecken und Seiten anordnet, die Auswertepunkte an den Ecken des Designmusters nicht an Grenzlinien vorbestimmter sich wiederholender Bereiche anordnet und die Auswertepunkte an vorbestimmten Intervallen an den Seiten des Musters nicht an den Grenzlinien der vorbestimmten sich wiederholenden Bereiche anordnet, die Auswertepunkte an den Ecken des Designmusters anordnet, die Auswertepunkte im wesentlichen in der Mitte der kurzen Seite des Musters anordnet, die kleiner sich als eine vorbestimmte Breite, und die Auswertepunkte an vorbestimmten Intervallen an den übrigen Seiten des Musters anordnet, oder die Auswertepunkte an den Ecken des Designmusters mit Ausnahme der Ecke des Musters anordnet, die an die Seiten angrenzen, die kleiner sind als eine vorbestimmte Länge, Auswertepunkte in verhältnismäßig großen Abständen an den Enden hinzufügt, die an die Seiten angrenzen, die kürzer als eine vorbestimmte Länge sind, an Seiten des Musters, die länger sind als eine vorbestimmte Länge, und Auswertepunkte in vorbestimmten Abschnitten an den Seiten des Musters anordnet, die länger als eine vorbestimmte Länge sind.

Vorzugsweise wird ein Designmuster, das durch die Verformungseinrichtung verformt wurde, wenigstens zur einmaligen Wiederholung des Vorgangs von dem Simulationsschritt zu dem Verformungsschritt wiederholt.

Vorzugsweise weist die Simulationseinrichtung eine Einrichtung zur Simulation von Übertragungsbildern unter einer Anzahl an Übertragungsbedingungen auf Grundlage von Kombinationen von mehreren Belichtungswerten voreingestellter Belichtungs- Toleranzbereiche und mehrerer Fokus-Positionen innerhalb eines voreingestellten Schärfentiefenbereichs auf, um mehrere Übertragungsbilder zu erhalten die Vergleichseinrichtung weist eine Einrichtung zum Vergleich für jeden Auswertepunkt des Unterschieds mit dem Designmuster für jedes der mehreren Übertragungsmuster auf, um mehrere Unterschiede für jeden Auswertepunkt zu berechnen, und die Verformungseinrichtung weist eine Einrichtung zur Verformung des Designmusters auf, so daß die mehreren Unterschiede für jeden Auswertepunkt um einen vorbestimmten Wert kleiner werden.

Vorzugsweise weist die Simulationseinrichtung eine Einrichtung zur Berechnung einer zweidimensionalen Lichtintensität auf einem Substrat auf Grundlage des Designmusters und der Belichtungsbedingungen auf, eine Einrichtung zur Berechnung und kumulativen Addition der Wirkungen der Belichtungswerte auf jede notierte Position auf der zweidimensionale Ebene des Substrats durch die Lichtintensität an mehreren Positionen, die jede notierte Position umgeben, auf Grundlage der Lichtintensität an den umgebenden Positionen und dem Abstand zwischen der notierten Position und den umgebenden Positionen, um die latente bildformende Intensität an jeder notierten Position zu berechnen, eine Einrichtung zur Ermittlung der Verteilung der latenten bildformenden Intensität in der zweidimensionalen Ebene des Substrats, eine Einrichtung zur Festlegung des Schwellenwerts der latenten bildformenden Intensität entsprechend dem Belichtungswert und den Entwicklungsbedingungen, eine Einrichtung zur Ermittlung der Konturlinien des Schwellenwerts für die Verteilung der latenten bildformenden Intensität und eine Einrichtung zur Berechnung des Musters, das durch die Konturlinien festgelegt ist, als das Übertragungsbild.

Vorzugsweise bewegt die Verformungseinrichtung die Grenzlinien des Maskenmusters in der Nähe der Auswertepunkte um genau den gleichen Wert wie den Unterschiedswert, der für jeden Auswertepunkt verglichen wurde, multipliziert mit einem gewissen Koeffizienten in einer Umkehrrichtung zu dem Unterschied.

Vorzugsweise ist der Koeffizient größer als 0 und kleiner als 1.

Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung ist eine Vorrichtung zur Erzeugung einer Photomaske vorgesehen, die eine Vorrichtung zur Korrektur eines Maskenmusters wie oben ausgeführt aufweist, und eine Zeicheneinrichtung zum Zeichnen einer Photomaske eines Maskenmusters, das durch die Vorrichtung zur Korrektur eines Maskenmusters korrigiert wurde.

Gemäß einem weiteren Aspekt der Erfindung ist eine Vorrichtung zur Erzeugung einer Halbleitervorrichtung vorgesehen, die eine Vorrichtung zur Korrektur eines Maskenmusters wie oben genannt aufweist, und eine Belichtungseinrichtung zur Durchführung einer Belichtung unter Verwendung einer Photomaske eines Maskenmusters, das durch die Vorrichtung zur Korrektur eines Maskenmusters korrigiert wurde.

Diese und weitere Eigenschaften und Merkmale der Erfindung werden aus der folgenden Beschreibung bevorzugter Ausführungsbeispiele bezugnehmend auf die begleitenden Figuren besser ersichtlich. Es zeigen:

Fig. 1 ein schematisches Blockdiagramm einer Vorrichtung zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung,

Fig. 2 ein Flußdiagramm des Verfahrens zur Korrektur eines Maskenmusters unter Verwendung der Vorrichtung zur Korrektur, die in Fig. 1 gezeigt ist,

Fig. 3 ein Flußdiagramm des Vorgangs zur Berechnung (Simulation) eines Übertragungs-Resist-Musters,

Fig. 4A eine schematische Ansicht eines Verfahrens zur Messung der Abweichung einer Resist-Kante für jeden Auswertepunkt, und Fig. 4B eine schematische Ansicht eines Schritts zur Korrektur und Verformung des Maskenmusters,

Fig. 5 eine Ansicht eines Teils des in Fig. 4 gezeigten Vorgangs,

Fig. 6 ein Flußdiagramm eines Beispiels eines Verfahrens zur Ermittlung eines Schwellenwerts Eth und einer Konstanten α, die bei der Berechnung der latenten bildformenden Intensität verwendet werden,

Fig. 7A und 7B schematische Ansichten, die zeigen, daß für den Fall, daß die zweidimensionale Lichtintensitätsverteilung mit dem Schwellenwert abgeschnitten wird, sie nicht immer der tatsächlichen Musterlinienbreite entspricht,

Fig. 8A eine Korrespondenztabelle einer Linienbreite (SEM), die in einem L/S-Übertragungsexperiment mit verschiedenen defokussierten Bedingungen und Belichtungszeiten ermittelt wurde, die Linienbreite (erfindungsgemäßes Verfahren), die unter Verwendung eines Verfahrens zur Simulation gemäß dem Ausführungsbeispiel ermittelt wurde und eine Differenz zwischen der Linienbreite gemäß dem vorliegenden Verfahren und der Linienbreite (SEM), und

Fig. 8B eine Graphik, in der die in Fig. 8 gezeigten Linienbreite gemäß der vorliegenden Erfindung und die Linienbreite (SEM) an der Ordinate dargestellt sind und die Belichtungszeit an der Abszisse dargestellt ist,

Fig. 9A eine Korrespondenz-Tabelle einer Linienbreite (SEM), die in einem L/S-Übertragungsexperiment bei verschiedenen defokussierten Bedingungen und Belichtungszeiten ermittelt wurde, die Linienbreite gemäß dem Verfahren gemaß dem Stand der Technik, die unter Verwendung eines Verfahrens zur Simulation gemäß dem Vergleichsbeispiel ermittelt wurde, und einen Unterschied zwischen der Linienbreite (herkömmliches Verfahren) und der Linienbreite (SEM), und

Fig. 9B eine Graphik, in der die Linienbreite (herkömmliches Verfahren) und die Linienbreite (SEM), die in Fig. 9A gezeigt sind, an der Ordinate dargestellt sind und die Belichtungszeiten an der Abszisse dargestellt ist,

Fig. 10 eine schematische Ansicht eines Verfahrens zur Einstellung eines Zielpunkts gemäß dem Ausführungsbeispiel,

Fig. 11 eine Aufsicht eines Ausgangs-Designmusters,

Fig. 12 eine ebene Aufsicht eines Beispiels des Verfahrens zur Anordnung von Auswertepunkten,

Fig. 13 eine Aufsicht eines Musters, das das Ergebnis einer Simulation unter einem fokussierten Zustand darstellt,

Fig. 14 eine Aufsicht eines Beispiels des Maskenmusters, das durch mehrere wiederholte Korrekturschritte korrigiert wurde,

Fig. 15 eine Aufsicht eines Übertragungsbild, das in einen fokussierten Zustand unter Verwendung des in Fig. 14 gezeigten korrigierten Maskenmusters simuliert wurde,

Fig. 16 eine Aufsicht eines Verfahrens zur Anordnung von Auswertepunkten gemäß dem Vergleichsbeispiel 1,

Fig. 17 eine Aufsicht eines Beispiels des bei Vergleichsbeispiel 1 erhaltenen korrigierten Maskenmusters,

Fit. 18 eine Aufsicht eines Übertragungsbilds, das in einem fokussierten Zustand unter Verwendung des in Fig. 17 gezeigten korrigierten Maskenmusters simuliert wurde,

Fig. 19 eine Aufsicht eines ursprünglich eingestellten Designs gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiels der vorliegenden Erfindung,

Fig. 20 eine Aufsicht eines weiteren Beispiels des Verfahrens zur Anordnung von Auswertepunkten,

Fig. 21 eine Aufsicht des Musters, das das Ergebnis der Simulation in einem fokussierten Zustand zeigt,

Fig. 22 eine Aufsicht eines Beispiels des Maskenmusters, das durch mehrere wiederholte Korrekturschritte korrigiert wurde,

Fig. 23 eine Aufsicht des Übertragungsmusters, das in einem fokussierten Zustand unter Verwendung des in Fig. 22 gezeigten korrigierten Maskenmusters simuliert wurde,

Fig. 24 eine Aufsicht des Verfahrens zur Anordnung von Auswertepunkten gemäß Vergleichsbeispiel 2,

Fig. 25 eine Aufsicht eines Beispiels des korrigierten Maskenmusters, das bei Vergleichsbeispiel 2 erhalten wurde,

Fig. 26 eine Aufsicht des Übertragungsbilds, das in einem fokussierten Zustand unter Verwendung des in Fig. 25 gezeigten korrigierten Maskenmusters erhalten wurde,

Fig. 27 eine vergrößerte Aufsicht der Hauptbestandteile von Fig. 26,

Fig. 28 eine vergrößerte Aufsicht der Hauptbestandteile von Fig. 23,

Fig. 29 eine Aufsicht eines Ausgangs-Designmusters gemaß einem weiteren Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung,

Fig. 30 eine Aufsicht gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel des Verfahrens zur Anordnung der Auswertepunkte,

Fig. 31 eine Aufsicht eines Musters, das das Ergebnis einer Simulation in einem fokussierten Zustand zeigt,

Fig. 32 eine Aufsicht eines Beispiels des Maskenmusters, das durch mehrere wiederholte Korrekturschritte korrigiert wurde,

Fig. 33 eine Aufsicht des Übertragungsbilds, das in einem fokussierten Zustand unter Verwendung des in Fig. 32 gezeigten korrigierten Maskenmusters simuliert wurde,

Fig. 34 eine Aufsicht des Ausgang-Designmusters gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel,

Fig. 35 eine Aufsicht eines Beispiels des Verfahrens zur Anordnung der Auswertepunkte gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel,

Fig. 36 eine Aufsicht des Ergebnisses der Simulation in einem fokussierten Zustand gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel,

Fig. 37 eine Aufsicht des Musters, die das Ergebnis der Simulation in einem nicht fokussierten Zustand gemäß einem weiteren Beispiel zeigt,

Fig. 38 eine Aufsicht eines Beispiels des Maskenmusters, das durch mehrere wiederholte Korrekturschritte gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel erhalten wurde,

Fig. 39 eine Aufsicht des Übertragungsbilds, das in einem fokussierten Zustand unter Verwendung des in Fig. 38 gezeigten korrigierten Maskenmusters simuliert wurde, und

Fig. 40 eine Aufsicht des Übertragungsbilds, das in einem defokussierten Zustand unter Verwendung des in Fig. 38 gezeigten korrigierten Maskenmusters simuliert wurde.

Im folgenden werden Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung erläutert.

Beispiel 1

Ein schematisches Blockschaltbild einer Vorrichtung zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß der vorliegenden Erfindung ist in Fig. 1 gegeben und ein schematisches Flußdiagramm des Korrekturverfahrens davon ist in Fig. 2 gezeigt.

Wie in Fig. 1 gezeigt, weist die Vorrichtung zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß der vorliegenden Erfindung eine Eingabevorrichtung 2, eine Designmuster- Speichervorrichtung 4, eine Übertragungszustands-Speichereinrichtung 6, eine Auswertepunkt-Anordnungseinrichtung 8, eine Simulationseinrichtung 10, eine Vergleichseinrichtung 12, eine Verformungseinrichtung 14, eine Korrekturmuster- Speichereinrichtung 16, eine Wiederholungseinrichtung 18 und eine Ausgabeeinrichtung 20 auf.

Die Eingabeeinrichtung 2 ist nicht sonderlich eingeschränkt, solange sie das Designmuster, die Übertragungszustände, usw. eingeben kann. Eine Tastatur, ein Berührungspult (touch panel), usw. sollen erwähnt sein. Wenn das Designmuster, die Übertragungsbedingungen ect. in der Form elektrischer Signale eingegeben werden, kann die Eingabeeinrichtung 2 ein verkabeltes oder kabelloses Eingabeterminal sein. Weiterhin, wenn Designmuster, Übertragungszustände usw. eingegeben werden, die beispielsweise in einer Floppydisk als Aufzeichnungsträger gespeichert werden, stellt sich die Eingabeeinrichtung 2 als ein Diskettenlaufwerk oder dergleichen dar.

Weiterhin kann als Ausgabeeinrichtung 20 eine Katodenstrahlröhre (CRT), eine Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung oder dergleichen verwendet werden, die wenigstens ein korrigiertes Designmuster auf einem Schirm anzeigen können. Weiterhin kann als Ausgabeeinrichtung 20 ein Drucker oder ein XY-Plotter verwendet werden, der wenigstens das korrigierte Designmuster auf Papier, Film oder anderen Substraten zeichnen kann.

Die weiteren Einrichtungen 4, 6, 10, 12, 14, 16 und 18, die in Fig. 1 gezeigt sind, werden durch eine Programminformation gebildet, die in einer Aufzeichnungseinrichtung, wie beispielsweise einer Betriebsschaltung, einem frei zugreifbaren Speicher (RAM), einem nur-lesbaren-Speicher (ROM), einem optischen Aufzeichnungsträger oder dergleichen gespeichert ist, und durch eine zentrale Verarbeitungseinheit (CPU) eines Computers verarbeitet wird.

Die Betriebsweise der in Fig. 1 gezeigten Vorrichtung wird auf Grundlage des in Fig. 2 gezeigten Flußdiagramms erläutert.

Bei dem in Fig. 2 gezeigten Schritt S10 werden das Designmuster und die Übertragungsbedingungen in der Designmuster-Speichervorrichtung 4 und der Übertragungsbedingungen-Speichereinrichtung 6 der in Fig. 1 gezeigten Korrekturvorrichtung jeweils von der Eingabeeinrichtung 2, die in Fig. 1 gezeigt ist, gespeichert. Ein Beispiel eines Designmusters ist in Fig. 11 gezeigt.

Die Übertragungsbedingungen sind Bedingungen hinsichtlich beispielsweise einer Wellenlänge λ des zur Belichtung verwendeten Lichts, des Blendenwerts NA, der scheinbaren Größe σ (Teilkohärenz) der Lichtquelle oder einer Verteilung der Übertragungsrate der Lichtquelle, der Verteilung einer Phase und die Übertragungsrate einer Austrittspupille und des defokussierten Zustands.

Bei dem in Fig. 2 gezeigten Schritt S11 werden mehrere Auswertepunkte längs eines äußeren Randbereichs des Designmusters vorbereitet. Die Vorbereitung der Auswertepunkte wird durch die Auswertepunkt-Anordnungseinrichtung 8 aufgrund des in der Designmuster-Speichervorrichtung 4, wie in Fig. 1 gezeigt, gespeicherten Designmusters vorbereitet. Beispielsweise werden, wie in Fig. 35 gezeigt, die Auswertepunkte 30 auf Grundlage der folgenden Regeln längs des äußeren Randbereichs des Designmusters 32 verteilt.

Regel 1: Auswertepunkte werden an den Ecken des Designmusters angefügt.

Regel 2: Eine vorbestimmte Anzahl an Auswertepunkten wird an den Seiten an vorbestimmten kleinen Intervallen ausgehend von den Ecken hinzugefügt und dann werden weitere Auswertepunkte an den Seiten in vorbestimmten großen Intervallen hinzugefügt.

Regel 3: Auswertepunkte werden nicht an den Ecken in der Nähe an sehr kleinen Seiten hinzugefügt, und keine Auswertepunkte werden an sehr kleinen Seiten angefügt.

Regel 4: Seiten, die in der Nähe an sich wiederholenden Bereichen liegen, werden nicht als Seiten gewertet.

Regel 5: Auswertepunkte werden in die Mitte von verhältnismäßig kleinen Seiten an Seiten hinzugefügt, an denen Auswertepunkte angefügt werden sollen.

Regel 6: Auswertepunkte werden in verhältnismäßig großen Intervallen an Seiten von Ecken hinzugefügt, die in der Nähe von sehr kleinen Seiten liegen, an denen keine Auswertepunkte hinzugefügt wurden.

Die obigen Regeln, Intervalle der Auswertepunkte, Längen der sehr kleinen Seiten, usw. können frei wählbar gemäß den Design-Anweisungen des Musters, Belichtungsbedingungen, der Musterform usw. gewählt werden.

Bei dem in Fig. 2 gezeigten Schritt S12 wird ein Übertragungs-Resist-Muster (Übertragungsbild) durch die Fig. 1 gezeigte Simulationseinrichtung 10 berechnet. Als Simulationseinrichtung 10 kann beispielsweise ein kommerziell erhältliches Lichtintensitäts-Simulationssystem verwendet werden, das das Übertragungsbild durch Eingabe der Belichtungsbedingungen und des Designmusters simuliert. Ein Teil des sich aus der Simulation ergebenden Übertragungsbilds wird mit dem Bezugszeichen 34 in Fig. 4 bezeichnet.

In dem Schritt S13 von Fig. 2 wird eine Abweichung (Unterschied) der Resist-Kante bezüglich des Designmusters für jeden Auswertepunkt 30 durch die Vergleichseinrichtung 12, die in Fig. 1 gezeigt ist, berechnet. Die Richtung der Messung der Abweichung der Resist-Kantenposition des Designmusters zu diesem Zeitpunkt ist die senkrechte Richtung bezüglich einer Grenzlinie (Kante) des Designmusters 32, wie in Fig. 4A gezeigt, an Stellen, die nicht die Ecken des Musters sind, die Richtung nach außen des Designmusters 32 wird als die positive Richtung und die Richtung nach innen als die negative Richtung festgelegt. Weiterhin wird an den Ecken des Designmusters 32 die Richtung der Messung der Abweichung zu der Richtung der Summe der Richtungsvektoren der beiden Seiten gemacht, die die Ecken bilden, und in gleicher Weise wird die Richtung nach außen des Musters als die positive Richtung festgelegt.

Bei dem in Fig. 2 gezeigten Schritt S14 wird das Designmuster 32 verformt und durch die Verformungseinrichtung 14, die in Fig. 1 gezeigt ist, gemäß den Abweichungen (Unterschieden) korrigiert, die für jeden Auswertepunkt 30 verglichen wurden, so daß die Unterschiede kleiner werden. Eine schematische Ansicht des Verformungs- und Korrekturverfahrens ist in Fig. 4B gezeigt.

Wie in Fig. 4A und 4B gezeigt, werden bei der Verformung und Korrektur des Designmusters 32 die Grenzlinien (einschließlich nicht nur der Auswertepunkte, sondern auch der Grenzlinien in der Nähe von ihnen) des Maskenmusters in der Nähe der Auswertepunkte 30 genau um die Werte verschoben, die durch Multiplizieren des Unterschiedswerts mit einem konstanten Koeffizienten in einer Umkehrrichtung der Abweichungen (Unterschiede) im Vergleich zu jedem Auswertepunkt 30 erhalten wurden. Der Koeffizient ist vorzugsweise größer als 0 und kleiner als 1, und insbesondere zwischen 0, 10 und 0,50. Wenn dieser Koeffizient zu groß ist, treten eine übermäßige Verformung und Korrektur auf, und es ist ersichtlich, daß das Übertragungsbild sich nicht mehr an das Designmuster annähert, sondern umgekehrt weiter von ihm abweicht, selbst wenn, wie später erläutert, die Berechnung wiederholt wird. Es ist anzumerken, daß der Koeffizient für alle Auswertepunkte konstant sein kann oder für spezielle Auswertepunkte abweichen kann. Ein Beispiel eines in dieser Weise korrigierten Designmusters ist in Fig. 14 gezeigt.

Das korrigierte Designmuster wird der in der Fig. 1 gezeigten Korrekturmuster- Speichereinrichtung 16 gespeichert. Wenn ein gutes Korrekturmuster durch den Ablauf an Vorgängen erhalten wurde, wird bei dem in Fig. 2 gezeigten Schritt S15 ein korrigiertes Maskenmuster erhalten. Das korrigierte Maskenmuster wird auf dem Schirm oder den Bogen oder einen Film durch die in Fig. 1 gezeigte Ausgabeeinrichtung 20 ausgegeben.

Es ist anzumerken, daß vorzugsweise bei dem Empfang des Signals der Wiederholungseinrichtung 18, die in Fig. 1 gezeigt ist, die Schritte S12 bis S14, die in Fig. 2 gezeigt sind, wenigstens einmal oder mehrmals unter Verwendung der Simulationseinrichtung 10, der Vergleichseinrichtung 12 und der Verformungseinrichtung 14 auf Grundlage des korrigierten Designmusters, das in der Korrekturmuster- Speichereinrichtung 16 gespeichert ist, wiederholt werden. Zu diesem Zeitpunkt werden die Positionen der Auswertepunkte 30, die als Referenz dienen, nicht verändert. Auf Grundlage des korrigierten Designmusters wird nämlich die Transfer-Eingabe wiederum ermittelt, die Abweichung (Unterschiede) zwischen dem Übertragungsbild und den Referenzpunktwerten ermittelt und das korrigierte Designmuster wird verformt und wiederum auf Grundlage des Unterschieds korrigiert. Durch Wiederholung dieser Vorgänge nähert sich das Übertragungsbild nach und nach an das Ausgangs-Designmuster (Positionen der Auswertepunkte) an.

Bei der Korrekturvorrichtung und dem Korrekturverfahren gemäß dem vorliegenden Beispiel kann das Maskenmuster der Photomaske automatisch verformt werden, um ein Übertragungsbild nahe dem gewünschten Designmuster ohne Bezugnahme auf das Designmuster erhalten werden. Wenn dementsprechend ein photolithographisches Verfahren unter Verwendung einer Photomaske mit einem korrigierten Designmuster ausgeführt wird, das durch das vorliegende Beispiel erhalten wurde, kann ein Resist- Muster, das so nahe wie möglich an dem Ausgangs-Designmuster liegt, erhalten werden, und eine Überbrückung, Unterbrechung oder dergleichen treten nicht auf. Als Ergebnis kann eine Halbleitervorrichtung mit guten elektrischen Eigenschaften mit einem guten Herstellungs-Wirkungsgrad erzeugt werden.

Beispiel 2

In dem vorliegenden Beispiel wird die Korrektur des Designmusters in einer ähnlichen Weise wie bei dem ersten Beispiel ausgeführt, mit der Ausnahme, daß die folgende Einrichtung als Simulationsvorrichtung 10, die in Fig. 1 dargestellt ist, zur Durchführung des Schritts S12 von Fig. 12 verwendet wird.

Die bei dem vorliegenden Beispiel verwendete Simulationseinrichtung 10 ist nicht eine Technik nur zum Ermitteln der zweidimensionalen Lichtintensitäts-Verteilung auf Grundlage der Belichtungsbedingungen und dessen Designmusters und zur Berechnung der Linien der Lichtintensitäts-Verteilung oberhalb eines vorbestimmten Schwellenwerts als Übertragungsbild.

Wie in Fig. 3 gezeigt werden bei dem vorliegenden Beispiel die Informationen betreffend das Designmuster (Schritt S19) und die Übertragungsbedingungen durch die Lichtintensitäts-Simulation (Schritt S20) simuliert. Die zweidimensionale Lichtintensitäts- Verteilung auf dem Substrat, wie beispielsweise einem Halbleiter-Wafer, wird bei einem Schritt S21 ermittelt. Es ist anzumerken, daß es ebenfalls möglich ist, die Lichtintensitäts- Verteilung unter Verwendung einer tatsächlichen Lichtintensitäts-Meßvorrichtung zu ermitteln.

Nachdem die zweidimensionale Lichtintensitäts-Verteilung ermittelt wurde, wird bei dem Schritt S22 die latente bildformende Intensität berechnet. Die latente bildformende Intensitäts-Verteilung wird bei Schritt S23 ermittelt.

Im folgenden folgt eine detaillierte Erläuterung des Vorgangs der Berechnung der latenten bildformenden Intensität.

Bei der Berechnung der latenten bildformenden Intensität wird beispielsweise eine latente bildformende Intensität Mj0 bei einem Punkt j0 auf einer in Fig. 5 gezeigten Waferebene unter Berücksichtigung des Einflusses der Lichtintensitäten an einen Punkt j0 und einen Punkt jn (n ist eine ganze Zahl, wobei 0 n 24) festgelegt, der sich an dem Rand des Punkts j0 befindet. Der Einfluß Mj0jn der Lichtintensität an dem Punkt jn wird durch die folgende Gleichung (1) festgelegt:

M_j0jn =f(rn)_*g(1(jn) (1)

Bei der obigen Gleichung (1) bezeichnet rn einen Abstand zwischen dem Punkt j0 und dem Punkt jn, und f(rn) wird durch die folgende Gleichung (2) bestimmt:

f(rn) = K_*exp(-rn²/α²) (2)

Es ist anzumerken, daß in Gleichung (2) die folgende Gleichung (3) erfüllt wird. Gleichung (2) wird nämlich unter Verwendung einer Gauss-Funktion definiert.

Weiterhin ist in Gleichung (1) g(I(jn)) durch die folgende Gleichung (4) festgelegt:

g(1(jn)) = I(jn) (4)

Der Einfluß Mj0jn der Lichtintensität an dem Punkt jn ist nämlich ein Wert, der durch Multiplizieren des Abstands rn zwischen dem Punkt j0 und dem Punkt jn mit der Lichtintensität I(jn) des Punkts jn erhalten wird.

Bei der Berechnung der latenten bildformenden Intensität, beispielsweise in dem in Fig. 5 gezeigten Fall, wird die latente bildformende Intensität Mj0 durch kumulative Addition des Einflusses Mj0jn der Lichtintensität an den Punkten jn bezüglich der Belichtungsenergie an den Punkten j0 ermittelt.

Zu diesem Zeitpunkt ist beispielsweise die Größe des Wafers in der zweidimensionalen Ausdehnung unendlich. Wenn der Einfluß der Lichtintensität von der unendlichen Anzahl von Punkten jn (- ∞ n ∞), die in einem vorbestimmten Muster angeordnet sind, berücksichtigt wird, wird Mj0 durch die folgende Gleichung (5) ermittelt

Wenn Gleichungen (2) und (4) in die Gleichung (5) eingesetzt werden, ist Mj0 durch die folgende Gleichung (6) festgelegt:

Bei der Berechnung der latenten bildformenden Intensität wird Mj0 an den Punkten, die in einer zweidimensionalen Ebene auf dem Wafer in einem zweidimensionalen Muster angeordnet sind, durch den obigen Vorgang berechnet. Die Verteilung der latenten bildformenden Intensität auf einer zweidimensionalen Ebene wird auf Grundlage des Berechnungsergebnisses ermittelt.

Als nächstes werden die Konturlinien, bei denen die latente bildformende Intensität der Schwellenwert wird, in einem in Fig. 3 gezeigten Schritt S24 in der Verteilung der latenten bildformenden Intensität ermittelt, die durch den obigen Vorgang ermittelt wurde. Das durch die Konturlinien festgelegte Muster wird als das Resist-Muster bei Schritt S25 verwenden. Zu diesem Zeitpunkt wird der Schwellenwert gemäß beispielsweise dem Belichtungswert und den Entwicklungsbedingungen festgelegt.

Ein Beispiel des Optimierungsverfahrens des Schwellenwerts Eth und der Konstanten α, die bei der Simulation verwendet werden, wird als nächstes gezeigt.

Mehrere Resist-Muster werden auf Grundlage verschiedener Belichtungszeiten und defokussierten Zuständen berechnet. Die in Fig. 6 gezeigte Verarbeitung wird unter Verwendung der berechneten Resist-Muster ausgeführt.

In diesem Fall ist die latente bildformende Intensität R(x,y) bei der latenten bildformenden Intensitätsverteilung beispielsweise durch die folgende Gleichung (7) festgelegt. In Gleichung (7) ist α eine Konstante.

Schritt S1: In dem Resist-Muster, das durch das in Fig. 3 gezeigte Simulationsverfahren berechnet wurde, werden die Linienbreiten an mehreren Position ermittelt. Zu diesem Zeitpunkt kann die betreffende Linie einen großen Bereich an Linienbreiten einnehmen.

Schritt S2: Ein Übertragungsexperiment wird unter Verwendung des Maskenmusters und der Belichtungsbedingungen, die die gleichen sind, wie bei den Simulationsverfahren, ausgeführt, und die Linienbreite der Linie, die der betreffenden Linie bei Schritt S1 entspricht, wird ermittelt.

Schritt S3: Der Unterschied der Linienbreiten der mehreren Linien, die bei den Schritten S1 und S2 durch das Berechnungsverfahren des Resist-Musters und das Transferexperiment ermittelt wurden, wird ermittelt.

Schritt S4: Das Quadrat der Differenz, die bei Schritt S3 ermittelt wurde, wird ermittelt. Dieser quadrierte Wert wird kumulativ für mehrere Linien addiert, um einen Kumulationswert zu ermitteln.

Schritt S5: Die Konstante α und der Schwellenwert Eth, die bei Schritt S4 den geringsten Komulationswert ergeben, werden berechnet. Zu diesem Zeitpunkt werden die in Fig. 3 gezeigte Simulation und die Verarbeitung der Schritte S1 bis S4 von Fig. 6 unter Verwendung beispielsweise der vorbestimmten Konstante α und den Schwellenwert Eth als einen Ausgangswert ausgeführt, der Komulationswert von Schnitt S4 in Fig. 6 bei der vorherigen Verarbeitung und der Komulationswert von Schnitt S4 bei der momentanen Verarbeitung werden verglichen und die Konstante α und der Schwellenwert Eth, die für die nächste auszuführende Verarbeitung verwendet werden sollen, werden so festgelegt, daß der Unterschied dieser Komulationswerte geringer wird. Dann werden unter Verwendung dieser Konstanten α und des Schwellenwerts Eth die Simulation von Fig. 3 und die Verarbeitung der Schritte S1 bis S4 von Fig. 6 wiederholt ausgeführt. Dieser Vorgang wird wiederholt, um die Konstante α und den Schwellenwert Eth zu ermitteln, die die Minimaldifferenz der Komulationswerte ergeben.

Schritt S6: Die in Fig. 3 gezeigte zuvor erwähnte Simulation wird unter Verwendung der Gleichung (7) ausgeführt, bei der die Konstante α und der Schwellenwert Eth gleich den in Schritt S5 berechneten Werten sind.

Unter Verwendung des in Fig. 6 gezeigten Verfahrens ist es möglich, die Konstante α und Eth in der obigen Gleichung (7) zur Durchführung der in Fig. 3 gezeigten Simulation in geeigneter Weise einzustellen. Aus diesem Grund kann die Genauigkeit der in Fig. 3 gezeigten Simulation weiter erhöht werden.

Es ist anzumerken, daß bei dem obigen Beispiel 2 es auch möglich ist, die Konstante α und Eth so zu berechnen, daß der Maximalwert der Differenz der Linienbreiten zwischen dem Resist-Muster, das durch die Resist-Muster-Berechnungsmethode ermittelt wurde, und dem Resist-Muster, das durch das Experiment ermittelt wurde, für die Linienbreiten an mehreren entsprechenden Positionen am kleinsten wird.

Weiterhin wurde bei dem vorliegenden Beispiel der Fall der Verwendung einer Gauss- Funktion in den Gleichungen (2) und (3), die bei der Berechnung der latenten bildformenden Intensität (Schritt S22 in Fig. 3) verwendet werden, beispielsweise erläutert, aber diese Funktion ist insoweit nicht beschränkt, da sie maximal werden muß, wenn der Abstand rn 0 ist, und 0 wenn der Abstand rn unendlich groß ist.

Weiterhin wurde bei dem vorliegenden Beispiel bei der Berechnung der latenten bildformenden Intensität bei Schritt S22 in Fig. 3 die latente bildformende Intensität unter Verwendung des Produkts der Lichtintensität und des Abstands ermittelt, aber es ist ebenfalls möglich, die latente lichtbildende Intensität durch das Produkt der Energie der Lichtintensität und des Abstands zu ermitteln.

In diesem Fall wird die latente bildformende Intensität Mj0 beispielsweise durch die folgende Gleichung (8) ermittelt.

Weiterhin wurde bei dem vorliegenden Beispiel der Fall erläutert, daß die Belichtung unter Verwendung von Infrarotstrahlen ausgeführt wurde, aber die vorliegende Erfindung kann ebenfalls bei dem Fall angewendet werden, daß die Musterbildung unter Verwendung beispielsweise von Röntgenstrahlen oder einem Elektronenstrahl (EB) ausgeführt wird.

Bei dem vorliegenden Beispiel wurde die Verteilung der latenten bildformenden Intensität, die zur Ermittlung des Resist-Musters verwendet wurde, unter Berücksichtigung nicht nur der Lichtintensität des entsprechenden Punkts, sondern auch des Einflusses der Lichtintensität der ihn umgebenden Punkte ermittelt, was eine genauere Berechnung des Resist-Musters (Übertragungsbild) ermöglicht.

Als nächstes ist der Fall gezeigt, daß ein Ergebnis nahe dem tatsächlichen Übertragungsbildmuster durch Durchführung der in Fig. 3 gezeigten Simulation erhalten wird.

In diesem Beispiel war die Konstante α in der Gleichung (6) 0, 131 und der Schwellenwerte Eth 197,01.

Weiterhin war bei diesem Beispiel in einem L/S-Übertragungsexperiment die Belichtung tatsächlich für einen i-strahlen-festen-Resist einer Fa. A unter Verwendung von i-Strahlen mit einer Wellenlänge λ von 365 nm und einen Belichtungszustand für einen Blendenwert NA von 0,50 sowie einer scheinbaren Größe σ von 0,68 bei einer Änderung des defokussierten Zustand in der Belichtungszeit ausgeführt.

Fig. 8A ist eine Korrespondenz-Tabelle der Linienbreite (gemessen durch SEM: Elektronen-Rastermikroskop), die bei einem L/S-Übertragungsexperiment bei verschiedenen defokussierten Zuständen und Belichtungszeiten ermittelt wurde, die Linienbreite (vorliegendes Verfahren), die unter Verwendung des Resist-Muster- Berechnungsverfahrens dieses Beispiels ermittelt wurde und der Unterschied zwischen der Linienbreite (vorliegendes Verfahren und der Linienbreite (SEM).

Fig. 8B ist eine Graphik, bei der die Linienbreite (vorliegendes Verfahren) und die Linienbreite (SEM), die in Fig. 8A gezeigt sind, an der Ordinate dargestellt sind und die Belichtungszeit an der Abszisse dargestellt ist.

Aus den in Fig. 8A gezeigten Ergebnissen des Experiments wurde 3σ (Standardabweichung) gleich 0,0153 bei den vorliegenden Beispiel.

Im Gegensatz dazu wurde ein Resist-Muster unter Verwendung des herkömmlichen Resist- Muster-Berechnungsverfahrens ohne Berechnung der latenten bildformenden Intensität vorbereitet. Bei der Ermittlung des Resist-Musters aus der Verteilung der Lichtintensität wurde der Schwellenwert Eth als 193,94 festgelegt.

Weiterhin war bei dem vorliegenden Vergleichsbeispiel bei dem L/S-Übertragungs experiment die Belichtung tatsächlich für einen i-strahlenfesten Resist der Fa. A unter Verwendung von i-Strahlen mit einer Wellenlänge λ von 365 nm und unter Belichtungsbedingungen eines Blendenwerts NA von 0,50 und einer scheinbaren Größe σ von 0,68 unter Änderung der defokussierten Zustände und Belichtungszeiten ausgeführt.

Fig. 9A ist eine Korrespondenz-Tabelle der Linienbreite (SEM), die bei dem L/S-Übertragungsexperiment bei verschiedenen defokussierten Zuständen und Belichtungszeiten ermittelt wurde, der Linienbreite (herkömmliches Verfahren), die unter Verwendung des Resist-Muster-Berechnungsverfahrens des vorliegenden Vergleichsbeispiels ermittelt wurde und des Unterschieds zwischen der Linienbreite (herkömmliches Verfahren) und der Linienbreite SEM.

Fig. 9B ist eine Graphik, bei der die Linienbreite (herkömmliches Verfahren) und die Linienbreite (SEM), die in Fig. 9A gezeigt sind, an der Ordinate dargestellt sind und die Belichtungszeit an der Abszisse dargestellt ist.

Aus den in Fig. 9a gezeigten experimentellen Ergebnissen war 3σ (Standardabweichung) bei dem vorliegenden Vergleichsbeispiel gleich 0,0313.

Bei dem Vergleich der Ergebnisse in Fig. 8A und 8B (vorliegendes Beispiel) und der in Fig. 9A und 9B (Vergleichsbeispiel) gezeigten Ergebnisse wurde bestätigt, daß 3σ (3fache Standardabweichung) gemäß dem vorliegenden Beispiel ungefähr die Hälfte des Vergleichsbeispiels beträgt und die Genauigkeit der in Fig. 3 gezeigten Simulation gut war.

Beispiel 3

Bei dem vorliegenden Beispiel wurde das Designmuster in einer ähnlichen Weise wie bei Beispiel 1 oder 2 korrigiert, mit der Ausnahme, daß Zielpunkte zu den Auswertepunkten bei Schritt S11 in Fig. 2 durch die Fig. 1 gezeigte Auswertepunkt-Anordnungseinrichtung 8 ausgeführt wurden.

Im folgenden werden nur die Teile erläutert, die sie von den zuvor genannten Beispielen unterscheiden.

Wie in Fig. 10 gezeigt, wird bei dem vorliegenden Beispiel ein Zielpunkt 36 entsprechend einem Auswertepunkt 30 gesetzt, der sich in einer vorspringenden Ecke oder einer zurückgenommenen Ecke eines Designabschnitts 32 befindet. Der Zielpunkt 36 wird in das Innere der Ecke (beispielsweise -0,08 µm) für den Fall einer vorstehenden Ecke gesetzt, und der Zielpunkt 36 wird außerhalb des Eckabschnitts (beispielsweise +0,08 µm) für den Fall einer zurückgenommenen Ecke gesetzt.

Bei dem vorliegenden Beispiel wird bei dem Vergleichsschritt von Schritt S13, wie in Fig. 2 gezeigt, der Unterschied a zwischen dem simulierten Übertragungsbild 34 und dem Designmuster 32 für jeden Auswertepunkt 30 an den Stellen verglichen, wo nur die Auswertepunkte 30 besetzt sind, und der Unterschied b zwischen dem Zielpunkt 36 und dem Übertragungsbild 34 wird an den Positionen verglichen, wo die Zielpunkte 36 gesetzt sind. Dann wird bei dem Verformungsschritt von Schritt S14, wie in Fig. 2 gezeigt, das Designmuster 32 entsprechend den Unterschieden a und b verformt, die für jeden Auswertepunkt 30 oder jeden Zielpunkt 36 verglichen wurde, so daß die Unterschiede mit den Auswertepunkten 30 (nie den Zielpunkten) als Referenz geringer werden.

Beispielsweise in dem Fall einer vorstehenden Ecke oder einer zurückgenommenen Ecke des Designmusters 32, wenn sich Auswertepunkte 30 an diesen Ecken befinden und die Korrektur des Maskenmusters ausgeführt wurde, so daß sich das Übertragungsbild an die Auswertepunkte 30 per se annähert, ist ersichtlich, daß das Übertragungsbild sich an den anderen Stellen als den Eckpositionen weiter von dem Designmuster 32 entfernt.

Bei dem Verfahren zur Korrektur des Maskenmusters gemäß dem vorliegenden Beispiel werden beispielsweise, da die Zielpunkte 36 in das Innere der Ecken in den Fall von vorstehenden Ecken gesetzt sind, die Zielpunkte 36 in das Äußere der Ecken in den Fall zurückgenommene Ecken gesetzt werden und das Designmuster 32 so korrigiert wird, daß sich das Übertragungsbild 34 diesen Zielpunkten 36 annähert, kann das Übertragungsbild 34 näher an das Designmuster in ausgezeichneter Weise herangebracht werden. Als Ergebnis können eine Überbrückung, Unterbrechung oder dergleichen zwischen Teilen des Musters wirksam vermieden werden.

Beispiel 4

In dem folgenden Beispiel wurde das Designmuster in einer ähnlichen Weise wie bei Beispiel 1, Beispiel 2 oder Beispiel 3 korrigiert, mit der Ausnahme, daß die Simulation, die bei dem in Schritt S12, wie in Fig. 2 ausgeführt wurde, unter mehreren Übertragungsbedingungen unter Verwendung der Simulationseinrichtung 10, die in Fig. 1 gezeigt ist, ausgeführt wurde.

Im folgenden erfolgt nur eine Beschreibung der Abschnitte, die von denen der zuvor genannten Beispiele verschieden sind.

Bei dem vorliegenden Beispiel werden nämlich bei dem Simulationsschritt Übertragungsbilder unter Verwendung mehrerer Übertragungsbedingungen auf Grundlage der Kombination von mehreren Belichtungswerten eines zuvor eingestellten Belichtungs- Toleranzbereichs und mehrerer Fokuspositionen innerhalb eines zuvor eingestellten Tiefenschärfebereichs simuliert, um mehrere Übertragungsbilder zu erhalten. Dann wird bei dem Übertragungsschritt von Schritt S13, wie in Fig. 2 gezeigt, der Unterschied zwischen dem Designmuster für jeden Auswertepunkt für jedes der mehreren Übertragungsbilder verglichen, um mehrere Unterschiede für jeden Auswertepunkt zu berechnen. Dann wird bei dem Verformungsschritt von Schritt S14, wie in Fig. 2 gezeigt, das Designmuster verformt, so daß mehrere Unterschiede für jeden Auswertepunkt im Vergleich zu einer vorbestimmten Referenz kleiner werden.

Die vorbestimmte Referenz bei dem Verformungsschritt ist beispielsweise eine Referenz, die den kleinsten Mittelwert für mehrere Unterschiede für jeden Auswertepunkt darstellt.

Weiterhin kann als weitere vorbestimmte Referenz eine Referenz genannt werden, die den geringsten Unterschied zwischen dem maximalen Unterschied und den geringsten Unterschied der mehreren Unterschiede für jeden Auswertepunkt ergibt.

Weiterhin kann als weitere vorbestimmte Referenz eine Referenz genannt werden, die den geringsten quadrierten Mittelwert der mehreren Unterschiede für jeden Auswertepunkt ergibt.

Durch das Korrekturverfahren des Maskenmusters gemäß dem vorliegenden Beispiel, da Übertragungsbilder von mehreren Übertragungsbedingungen berücksichtigt werden, die innerhalb des Verarbeitungs-Toleranzbereichs verändert werden (der Verarbeitungs- Toleranzbereich wird berücksichtigt), wird der Verarbeitungs-Toleranzbereich, wie beispielsweise der Belichtungs-Toleranzbereich oder die Schärfentiefe nicht mehr auf Grundlage des korrigierten Maskenmusters verschlechtert. Als Ergebnis, wenn die Photolithographie unter Verwendung der Photomaske dieses Maskenmusters ausgeführt wird, wird der Herstellungs-Wirkungsgrad verbessert.

Beispiel 5

Bei dem vorliegenden Beispiel wird die Erfindung auf den Fall angewendet, daß ein Muster mit einer 0,32 µm-Vorgabe unter den Bedingungen einer Belichtungswellenlänge λ von 365 nm, einem Blendenwert NA von 0,5 und einer scheinbaren Größe σ von 0,68 belichtet wird.

Fig. 11 zeigt das Designmuster, das bei dem vorliegenden Beispiel verwendet wird.

Zuerst werden, wie in Fig. 12 gezeigt, Auswertepunkte an allen Ecken des Designmusters angeordnet. Eine vorbestimmte Anzahl von weiteren Auswertepunkten werden an den Seiten des Musters an vorbestimmten kleinen Intervallen ausgehend von den Ecken angefügt, dann werden weitere Auswertepunkte an den Seiten in vorbestimmten großen Intervallen in den übrigen Bereichen weit weg von den Ecken angeordnet. Das kleine Intervall der Auswertepunkte beträgt ungefähr 0, 16 µm und das große Intervall ungefähr 0,32 µm.

Als nächstes wurde die Verteilung der Lichtintensität herausgefunden, die erhalten wurde, als eine Maske dieses Designmusters so wie sie ist in einem fokussierten Zustand übertragen wurde. Die Konturlinien, die beim Schwellenwert Eth gespalten sind, wurden als das Resist-Bild (Fig. 13) gefunden. Es ist anzumerken, daß der Schwellenwert Eth so eingestellt wird, daß L in Fig. 13 zu 0,32 µm wird.

Im folgenden wurde die Größe der Abweichung der Resist-Kantenposition von dem Auswertungspunkt (bzw. Auswertepunkt) in Bezug auf die Kanten (Ecken und Seiten) des Resist-Bildes bei allen Auswertungspunkten (bzw. Auswertepunkten) herausgefunden. Bei den Auswertungspunkten, die nicht an den Ecken liegen, wie in Fig. 4 gezeigt, wurde als Richtung der Messung der Abweichung der Kantenposition zu dieser Zeit die Orthogonalrichtung bezüglich der Kante angenommen und die Auswärtsrichtung des Musters wurde zur positiven Richtung gemacht. Bei den Eckpunkten wurde sie als Richtung der Summe der Richtungsvektoren der die Ecke bildenden zwei Seiten angenommen, und in ähnlicher Weise wurde die Außenseite des Musters als positive Richtung angenommen.

Es ist anzumerken, daß bei den Eck-Auswertungspunkten der Zielwert der Größe der Abweichung der Kante auf -0,07 µm für die nach außen vorstehenden Ecken und auf +0,07 µm für die nach außen vertieften Ecken gesetzt wurde, um eine exzessive Korrektur des Musters zu einem späteren Zeitpunkt zu vermeiden, und der Unterschied dieser Zielwerte und der Größe der Abweichung der Auswertungspunkte der Eckposition wurde herausgefunden.

Auf diese Weise wurde die Seite des Maskenmusters in der Nachbarschaft jedes Auswertungspunktes in einer umgekehrten Richtung zur erhaltenen Größe der Abweichung der Kante bewegt, um das korrigierte Maskenmuster zu erhalten. Hier wurde die Größe der Bewegung der Seiten des Musters auf eine Größe eingestellt, die durch Multiplizieren der Größe der Abweichung mit 0,25 erhalten wird.

Weiterhin wurden diese Verfahren wiederum durch Aufrechterhaltung der Position des Auswertungspunktes, so wie er ist, und durch Annehmen des korrigierten Maskenmusters als die Muster-Eingabe ausgeführt. Durch viermaliges Wiederholen dieses Verfahrens wurde das Maskenmuster von Fig. 14 erhalten.

Durch diese Korrektur wurde es möglich, die 3σ der Kantenabweichung bei jedem Auswertungspunkt erfolgreich auf 0,034 µm zu verringern, die 0, 101 µm betrug, als die Maske das unveränderte Designmuster war. Das Resist-Muster in einem fokussierten Zustand, das durch die Marke von Fig. 14 erhalten wurde, ist in Fig. 15 gezeigt. Es zeigt, daß ein sehr gutes Resist-Muster im Vergleich zur Fig. 13 vor der Korrektur erhalten wird.

Durch Verwendung der vorliegenden Maske kann eine Halbleitervorrichtung mit guten elektrischen Eigenschaften mit einer hohen Herstellungsausbeute hergestellt werden.

Vergleichsbeispiel 1

Im Vergleichsbeispiel 1 wurde ein Verfahren zur Korrektur des Maskenmusters auf eine ähnliche Weise wie in Beispiel 5 durchgeführt, außer daß in dem Verfahren der Anordnung der Auswertungspunkte des obigen Beispiels 5 die Auswertungspunkte entlang der Kante des Musters in konstanten Abständen von ungefähr 0, 16 µm angeordnet waren.

Fig. 16 zeigt die Auswertungspunkte, die dem Designmuster hinzugefügt wurden; Fig. 17 zeigt das durch die Korrektur erhaltene Maskenmuster und Fig. 18 zeigt das Übertragungs- Resist-Muster.

Wenn man Beispiel 5 und das Vergleichsbeispiel 1 vergleicht, wird ein gleichwertiges Übertragungsbild erhalten, aber die Anzahl der Auswertungspunkte in Beispiel 5 ist geringer und dadurch wird die Berechnungszeit kürzer. Weiterhin ist die Anzahl von in der Maske verwendeten Formen verringert. Auf diese Weise ist es durch Verwendung der in dem Beispiel gezeigten Technik möglich, den Lichtnäheeffekt mit geringen Kosten zu korrigieren.

Beispiel 6

In Beispiel 6 wird die Erfindung auf einen Fall angewandt, in dem ein Muster einer 0,35 µm-Regel unter den Bedingungen einer Belichtungswellenlänge λ von 365 nm, eine numerischen Apertur NA von 0,50 und einer Scheingröße σ von 0,68 belichtet wird.

Fig. 19 zeigt das in dem vorliegenden Beispiel verwendete Designmuster.

Zuerst wurden, wie in Fig. 20 gezeigt die Auswertungspunkte für die Seiten des Designmusters erzeugt. Zu dieser Zeit wurden die Auswertungspunkte 30 jeweils an den Ecken des Musters angeordnet, weitere Auswertungspunkte 30 wurden den sich im wesentlichen in der Mitte befindenden Punkten der kurzen Seiten 32a des Musters hinzugefügt, die kürzer waren als eine vorbestimmte Breite, und weitere Auswertungspunkte 30 wurden in vorbestimmten Abständen an den anderen Seiten des Musters angeordnet. In diesem Fall betrug die vorbestimmte Breite ungefähr 0,53 µm.

Weiterhin wurden zum Zeitpunkt der Anordnung der Auswertungspunkte keine Auswertungspunkte an den Grenzen 32b der Wiederholungsbereiche des Musters angeordnet.

Als nächstes wurde die Verteilung der Lichtintensität herausgefunden, die erhalten wurde, als die Maske dieses Designmusters so wie sie ist in einem fokussierten Zustand übertragen wurde, und die Konturlinien, die bei dem Schwellenwert Eth gespalten sind, wurden als das Resist-Bild (Fig. 21) gefunden. Es ist anzumerken, daß der Schwellenwert Eth so eingestellt ist, daß L in Fig. 21 0,4 µm wird.

Im folgenden wurde die Größe der Abweichung der Resist-Kantenposition von dem Auswertungspunkt in Bezug auf die Kanten (Ecken und Seiten) des Resist-Bildes bei allen Auswertungspunkten herausgefunden. Bei den Auswertungspunkten, die nicht an den Ecken liegen, wurde als Meßrichtung der Abweichung der Kantenposition zu dieser Zeit die Orthogalrichtung bezüglich der Kante genommen und die auswärts gerichtete Richtung des Musters wurde zur positiven Richtung. Bei den Eckpunkten wurde sie die Richtung der Summe der Richtungsvektoren der die Ecke bildenden zwei Seiten, und in ähnlicher Weise wurde die Außenseite des Musters zur positiven Richtung.

Es ist anzumerken, daß bei den Eck-Auswertungspunkten der Zielwert der Größe der Abweichung der Kante auf -0,07 µm für die nach außen vorstehenden Ecken und auf +0,07 µm für die nach außen vertieften Ecken eingestellt wurde, um eine exzessive Korrektur des Musters zu einem späteren Zeitpunkt zu vermeiden, und der Unterschied dieser Zielwerte und der Größe der Abweichung des Auswertungspunktes der Kantenposition wurde herausgefunden.

Auf diese Weise wurde die Seite des Maskenmusters in der Nachbarschaft jedes Auswertungspunktes in einer umgekehrten Richtung zur erhaltenen Größe der Abweichung der Kante bewegt, um das korrigierte Maskenmuster zu erhalten. Hier wurde die Größe der Bewegung der Seiten des Musters auf eine Größe eingestellt, die durch Multiplizieren der Größe der Abweichung mit 0,35 erhalten wurde.

Weiterhin wurden diese Verfahren wiederum durch Aufrechterhaltung der Position des Auswertungspunktes, so wie er ist, und durch Annehmen des korrigierten Maskenmusters als Muster-Eingabe ausgeführt.

Durch 10maliges Wiederholen dieses Verfahrens wurde das Maskenmuster von Fig. 22 erhalten.

Durch diese Korrektur wurde es möglich, die 3σ der Kantenabweichung bei jedem Auswertungspunkt erfolgreich auf 0,009 µm zu verringern, die 0, 104 µm betrug, als die Maske das unveränderte Designmuster war. Das Resist-Muster in einem fokussierten Zustand, daß durch die Maske von Fig. 22 erhalten wurde, ist in Fig. 23 gezeigt. Es zeigt, daß ein sehr gutes Resist-Muster im Vergleich zur Fig. 21 vor der Korrektur erhalten wird.

Vergleichsbeispiel 2

Im Vergleichsbeispiel 2 wurde das Verfahren zur Korrektur des Maskenmusters auf eine ähnliche Weise wie in Beispiel 6 durchgeführt, außer daß Auswertungspunkte an den Ecken und Seiten des Designmusters in vorbestimmten Abständen (z. B. 0,175 µm) angeordnet waren, d. h. die Auswertungspunkte 30 wurden sogar an Abschnitten hinzugefügt, die von den Mittelpunkten der kurzen Seiten 32a des Musters verschieden waren, die kürzer als die vorbestimmte Breite in Beispiel 6 waren.

Fig. 24 zeigt die dem Designmuster hinzugefügten Auswertungspunkte; Fig. 25 zeigt das durch die Korrektur erhaltene Maskenmuster; und Fig. 26 zeigt das Übertragungs-Resist- Muster.

Im Vergleichsbeispiel 2 treten, da die Auswertungspunkte nicht an den Mittelpunkten der Leitungsenden an den Punkten 32a in der Figur angeordnet sind, während die Leitungsbreiten bei den Auswertungspunkten korrigiert sind, Vorsprünge des Musters an den Mittelpunkten der Leitungsenden auf (Bezug auf Fig. 27). Im Gegensatz dazu treten in Beispiel 6, da die Auswertungspunkte an den Mittelpunkten der Leitungsenden angeordnet sind, keine Vorsprünge auf (Bezug auf Fig. 28). Auf diese Weise kann durch Verwendung des Verfahrens des vorliegenden Beispiels die Korrekturpräzision des Musters der Leitungsenden verbessert werden.

Beispiel 7

In Beispiel 7 wird die Erfindung auf einen Fall angewendet, in dem ein Muster einer 0,35 µm-Regel unter den Bedingungen einer Belichtungswellenlänge λ von 365 nm, einer numerischen Apertur NA von 0,50 und einer Scheingröße σ von 0,68 belichtet wird.

Fig. 29 zeigt das in dem vorliegenden Beispiel verwendetet Designmuster.

Zuerst wurden, wie in Fig. 30 gezeigt, die Auswertungspunkte für die Ecken und die Seiten des Designmusters erzeugt. Zu dieser Zeit wurden in dem vorliegenden Beispiel keine Auswertungspunkte an den sehr kleinen Seiten 32c des gewünschten Designmusters hinzugefügt, die kleiner waren als eine vorbestimmte Länge, und gleichzeitig wurden keine Auswertungspunkte an den Ecken 32d hinzugefügt, die den sehr kleinen Seiten am nächsten lagen. Auswertungspunkte wurden an den anderen Ecken bzw. Seiten in vorbestimmten Abständen angeordnet. Die vorbestimmte Länge betrug in dem vorliegenden Beispiel ungefähr 0,3 µm oder weniger. Weiterhin wurde die schräge Seite 32e als Stufenmuster angenommen, und ein Auswertungspunkt wurde pro horizontaler Linie jeder Stufe angeordnet. Weiterhin wurden keine Auswertungspunkte an den Seiten der Grenzen 32b der Wiederholungsbereiche angeordnet.

Als nächstes wurde die Verteilung der Lichtintensität herausgefunden, die erhalten wurde als die Maske dieses Designmusters, so wie sie ist, in einem fokussierten Zustand übertragen wurde, und die Konturlinien, die beim Schwellenwert Eth gespalten sind, wurden als das Resist-Bild (Fig. 31) herausgefunden. Es ist anzumerken, daß der Schwellenwert Eth so eingestellt ist, daß L in Fig. 31 zu 0,35 µm wird.

Im folgenden wurde die Größe der Abweichung der Resist-Kantenposition von dem Auswertungspunkt in Bezug auf die Kanten (Ecken und Seiten) des Resist-Bildes bei allen Auswertungspunkten herausgefunden. Bei den Auswertungspunkten, die nicht an den Ecken liegen, wurde als Meßrichtung der Abweichung der Kantenpositionen zu dieser Zeit die Orthogonalrichtung bezüglich der Kante genommen und die nach außen gerichtete Richtung des Musters wurde zur positiven Richtung. Bei den Eckpunkten wurde sie die Richtung der Summe der Richtungsvektoren der die Ecke bildenden zwei Seiten, und in ähnlicher Weise wurde die Außenseite des Musters zur positiven Richtung gemacht.

Es ist anzumerken, daß bei den Eck-Auswertungspunkten der Zielwert der Größe der Abweichung der Kante auf -0,07 µm für die nach außen vorstehenden Ecken und auf +0,07 µm für die nach vertieften Ecken gesetzt wurde, um eine exzessive Korrektur des Musters zu einem späteren Zeitpunkt zu vermeiden, und die Größe der Abweichung der Auswertungspunkte der Kantenposition wurde herausgefunden.

Auf diese Weise wurde die Seite des Maskenmusters in der Nachbarschaft jedes Auswertungspunktes in umgekehrter Richtung zur erhaltenen Größe der Abweichung der Kante bewegt, um das korrigierte Maskenmuster zu erhalten. Hier wurde die Größe der Bewegung der Seiten des Musters auf einen Betrag eingestellt, der durch Multiplizieren der Größe der Abweichung mit 0,25 erhalten wurde.

Weiterhin wurden diese Verfahren wiederum durch Aufrechterhaltung der Position des Auswertungspunkts, so wie sie ist, und durch Annehmen des korrigierten Musters als die Mustereingabe ausgeführt.

Durch 8maliges Wiederholen dieses Verfahrens wurde das Maskenmuster von Fig. 32 erhalten.

Durch diese Korrektur wurde es möglich, die 3σ der Kantenabweichung bei jedem Auswertungspunkt erfolgreich auf 0,028 µm zu verringern, die 0,079 µm betrug, als die Maske das unveränderte Designmuster war. Das in einem fokussierten Zustand durch die Maske von Fig. 32 erhaltene Resist-Muster ist in Fig. 33 gezeigt. Es zeigt, daß ein sehr gutes Resist-Muster im Vergleich zur Fig. 31 vor der Korrektur erhalten wird.

Durch Verwendung der vorliegenden Maske kann eine Halbleitervorrichtung mit guten elektrischen Eigenschaften mit einer hohen Herstellungsausbeute erzeugt werden.

Beispiel 8

In Beispiel 8 wird die Erfindung auf einen Fall angewandt, in dem ein Muster einer polykristallinen Siliciumschicht einer Speichervorrichtung einer 0,35 µm-Regel auf einem positiven Novolak-Resist unter den Bedingungen einer Belichtungswellenlänge λ von 365 nm, einer numerischen Apertur NA von 0,50, und einer Scheingröße σ von 0,68 belichtet wird.

Fig. 34 zeigt das in dem vorliegenden Beispiel verwendete Designmuster.

Zuerst wurden, wie in Fig. 35 gezeigt, die Auswertungspunkte für die Seiten des Designmusters erzeugt. Zu dieser Zeit wurden in dem vorliegenden Beispiel keine Auswertungspunkte den sehr kleinen Seiten 32c dieses gewünschten Designmusters hinzugefügt, die kürzer waren, als eine vorbestimmte Länge, und gleichzeitig wurden keine Auswertungspunkte den Ecken 32d hinzugefügt, die den sehr kleinen Seiten am nächsten lagen. Auswertungspunkte wurden an den anderen Ecken und Seiten in vorbestimmten Abständen angeordnet. Die vorbestimmte Menge betrug im vorliegenden Beispiel ungefähr 0,3 µm oder weniger. Weiterhin wurde die schräge Seite 32e als Stufenmuster angenommen, und ein Auswertungspunkt wurde pro horizontale Linie jeder Stufe angeordnet. Weiterhin wurden keine Auswertungspunkte an den Seiten der Grenzen 32b der Wiederholungsbereiche angeordnet.

Als nächstes wurde die Verteilung der Lichtintensität herausgefunden, die erhalten wurde als die Maske dieses Designmusters unverändert in einem fokussierten Zustand übertragen wurde. Diese wurde der in Gleichung (6) gezeigten Faltungsintegration unterzogen, und die Konturlinien, die durch Spalten dieser Faltung beim Schwellenwert Eth erhalten wurden, wurden als das Resist-Bild (Fig. 36) herausgefunden. Es ist anzumerken, daß der Schwellenwert Eth so eingestellt ist, daß L in Fig. 35 zu 0,35 µm wird.

Weiterhin wurde die in dem lithographischen Verfahren notwendige Schärfentiefe als ±0,75 µm festgelegt, und die Faltung der Lichtintensitätsverteilung und Gauss-Funktion bei einer 0,75 µm Defokussierung wurden herausgefunden, und die bei obigem Eth gespaltenen Konturlinien wurden herausgefunden (Fig. 37).

Weiterhin wurde der in dem lithographischen Verfahren notwendige Belichtungsbereich auf ±10% eingestellt, die bei der Höhe Eth gespaltenen Konturlinien, die beim Absenken von Eth um 10% in den zwei Faltungen erhalten wurden, wurden als das Resist-Bild herausgefunden, wenn die Belichtungsmenge um +10% erhöht wurde, bzw. die bei der Höhe Eth⁺ gespaltenen Konturlinien, die durch Erhöhen von Eth um 10% erhalten wurden, wurden als das Resist-Bild herausgefunden, als die Belichtungsmenge um 10% verringert wurde. Hierdurch wurde eine Gesamtzahl von 6 Resist-Bildern berechnet, d. h. für den fokussierten Zustand und 0,75 µm Defokussierung in Einheiten des Brennpunktes und für die optimale Belichtungsmenge 10% Überdosis und -10% Unterdosis in Einheiten der Belichtungsmenge.

In der Folge wurden die Größen der Abweichung der Resist-Kantenpositionen von den Auswertungspunkten bei allen Auswertungspunkten für die Kanten der 6 Resist-Bilder herausgefunden. Bei den nicht an den Kanten liegenden Auswertungspunkten würde als Meßrichtung der Abweichung der Kantenposition zu dieser Zeit die Orthogonalrichtung in Bezug auf die Kante angenommen, und die nach außen gerichtete Richtung des Musters wurde zur positiven Richtung gemacht. Bei den Eckpunkten wurde sie die Richtung der Summe der Richtungsvektoren der die Ecke bildenden zwei Seiten, und in ähnlicher Weise wurde die Außenseite des Musters zur positiven Richtung gemacht.

Der Durchschnittswert der Größen der Abweichung der Kanten unter den 6 Bedingungen wurde für jeden auf diese Weise erhaltenen Auswertungspunkt herausgefunden.

Es ist anzumerken, daß bei den Eck-Auswertungspunkten der Zielwert der Größe der Abweichung der Kante auf -0,07 µm für die nach außen vorstehenden Ecken und auf +0,07 µm für die in Auswärtsrichtung Vertiefungen aufweisenden Ecken gesetzt wurde, um eine exzessive Korrektur der Muster zu einem späteren Zeitpunkt zu vermeiden, und der Unterschied dieser Zielpunkte und der Größe der Abweichung des Auswertungspunktes der Rautenposition wurde herausgefunden. Die Durchschnittswerte von ihnen wurden herausgefunden.

Auf diese Weise wurde die Seite des Maskenmusters in der Nachbarschaft jedes Auswertungspunktes in umgekehrter Richtung zur erhaltenen Größe der Abweichung der Kante bewegt, um das korrigierte Maskenmuster zu erhalten. Hier wurde die Größe der Bewegung der Seiten des Musters auf einen Wert eingestellt, der durch Multiplizieren der Größe der Abweichung mit 0,25 erhalten wurde.

Weiterhin wurden diese Verfahren wiederum durch Aufrechterhaltung der Position des Auswertungspunktes, so wie er ist, und durch Annehmen des korrigierten Maskenmusters als Muster-Eingabe durchgeführt.

Durch 4maliges Wiederholen dieses Verfahrens wurde das Maskenmuster von Fig. 38 erhalten.

Durch diese Korrektur war es möglich, die drei σ der Größen der Kantenabweichung in den Resist-Mustern der Kombinationen der zwei Arten von Brennpunkten in dem fokussierten Zustand und bei einer 0,75 µm Defokussierung und der 3 Arten von Belichtungsmengen der optimalen Belichtungsmenge, 10% Überdosis und -10% Unterdosis erfolgreich auf 0,132 µm in dem folgenden Beispiel zu verringern, die 0,291 µm war, als die Maske das unveränderte Designmuster war. Die in einem fokussierten Zustand und einer 0,75 µm Defokussierung erhaltenen Resist-Muster, die durch die Maske von Fig. 38 erhalten wurden, sind in Fig. 39 und Fig. 40 gezeigt. Es ist zu sehen, daß sehr gute Resist-Muster im Vergleich zu den Fig. 36 und 37 vor der Korrektur erhalten wurden.

Durch Verwendung der durch das Verfahren gemäß dem vorliegenden Beispiel erhaltenen Maske kann eine Halbleitervorrichtung mit guten elektrischen Eigenschaften mit einer hohen Herstellungsausbeute hergestellt werden.

Es ist anzumerken, daß die folgende Erfindung nicht auf die obigen Beispiele beschränkt ist. Die Belichtungsbedingungen sind nicht auf die in den Beispielen offenbarten Werte beschränkt. Weiterhin ist der zu verwendende Photo-Resist nicht auf die in den Beispielen beschriebenen beschränkt, und das Maskenmuster ist nicht auf die in den Beispielen beschriebenen beschränkt.

Weiterhin ist es möglich, als Belichtungsverfahren das modifizierte Beleuchtungsverfahren und das Pupillen-Filterverfahren zu verwenden. Weiterhin kann die zu verwendende Maske eine Phasenverschiebungsmaske wie z. B. ein Halbtonsystem oder das Levenson- System sein, und ist nicht auf die vorliegenden Beispiele beschränkt.

Wie oben erklärt wurde, ermöglicht die folgende Erfindung die Berechnung eines Maskenmusters, das die Probleme des Standes der Technik löst und ein Resist-Muster ergibt, das dem Designmuster nahekommt, wobei eine Einrichtung zur Erzeugung eines Hochleistungsdesigns mit einer hohen Herstellungsausbeute zur Verfügung gestellt werden kann.

Claims

1. Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters, wobei das Maskenmuster einer in einem photolithographischen Verfahren verwendeten Photomaske verformt wird, um ein Übertragungsbild zu ergeben, das einem gewünschten Designmuster nahe kommt, wobei das Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters die folgenden Schritte aufweist:
einen Auswertungspunkt-Anordnungsschritt zum Anordnen mehrerer Auswertungspunkte entlang der Außenseite des gewünschten Designmusters;
ein Simulationsschritt zum Simulieren eines Übertragungsbildes, das bei Belichtung unter vorbestimmten Übertragungsbedingungen unter Verwendung einer Photomaske eines Designmusters mit Auswertungspunkten erhalten wurde;
ein Vergleichsschritt zum Vergleichen des Unterschiedes zwischen dem simulierten Übertragungsbild und dem Designmuster für jeden Auswertungspunkt; und
ein Verformungsschritt zum Verformen des Designmusters in Übereinstimmung mit den für jeden Auswertungspunkt verglichenen Unterschieden, so daß die Unterschiede geringer werden,
wobei in dem Auswertungspunkt-Anordnungsschritt die Auswertungspunkte an den Ecken des gewünschten Designmusters angeordnet werden und die Auswertungspunkte in vorbestimmten Abständen an den Seiten des Musters angeordnet werden.

2. Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß Anspruch 1, wobei das in dem Verformungsschritt verformte Designmuster verwendet wird, um das Verfahren vom Simulationsschritt zum Verformungsschritt zumindest einmal zu wiederholen.

3. Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß Anspruch 1 oder 2, wobei in dem Simulationsschritt Übertragungsbilder unter mehreren Übertragungsbedingungen simuliert werden, die auf Kombinationen von mehreren Belichtungsmengen vorgewählter Belichtungsbereiche und mehreren Brennpunkten innerhalb eines vorgewählten Bereiches der Schärfentiefe basieren, um mehrere Übertragungsbilder zu erhalten; in dem Vergleichsschritt der Vergleich für jeden Auswertungspunkt bezüglich des Unterschiedes mit dem Designmuster für jedes der mehreren Übertragungsmuster ausgeführt wird, um mehrere Unterschiede für jeden Auswertungspunkt zu berechnen; und in dem Verformungsschritt die Verformung für das Designmuster so ausgeführt wird, daß die mehreren Unterschiede für jeden Auswertungspunkt um ein vorbestimmtes Kriterium kleiner werden.

4. Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, worin
in dem Simulationsschritt die Berechnung für eine zweidimensionale Lichtintensität auf einem Substrat auf der Basis des Designmusters und von Belichtungsbedingungen ausgeführt wird;
die Berechnung und die kumulative Addition für die Auswirkungen auf die Belichtungsenergie jeder bekannten Position in der zweidimensionalen Ebene des Substrates durch die Lichtintensität bei mehreren Positionen, die jede bekannte Position umgeben, auf der Basis der Lichtintensität bei der umgebenden Position und der Entfernung zwischen der bekannten Position und der umgebenden Position ausgeführt wird, um die latente bildbildende Intensität zu berechnen, die der Menge der Belichtung und den Entwicklungsbedingungen entspricht;
das Auffinden für die Konturen des Schwellenwertes für die Verteilung der latenten bildbildenden Intensität ausgeführt wird; und
die Berechnung für das durch die Konturen definierte Muster als das Übertragungsbild ausgeführt wird.

5. Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, wobei in dem Verformungsschritt die Grenzlinien des Maskenmusters in der Nähe der Auswertungspunkte exakt um die Größe des für jeden Auswertungspunkt verglichenen Unterschiedes multipliziert mit einem bestimmten Koeffizient in umgekehrter Richtung zu dem Unterschied bewegt werden.

6. Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß Anspruch 5, wobei der Koeffizient größer ist als 0 und geringer ist als 1.

7. Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6, wobei in dem Auswertungspunkt-Anordnungsschritt mehrere Auswertungspunkte entlang dem äußeren Rand des gewünschten Designmusters angeordnet werden und Zielpunkte getrennt von den Auswertungspunkten bei vorbestimmten Auswertungspunkten eingestellt werden;
in dem Vergleichsschritt der Vergleich für jeden Auswertungspunkt bezüglich der Differenz zwischen dem simulierten Übertragungsbild und dem Designmuster bei Positionen ausgeführt wird, an denen nur die Auswertungspunkte eingestellt sind, und der Vergleich für den Unterschied zwischen den Zielpunkten und dem Übertragungsbild bei Positionen durchgeführt wird, an denen die Zielpunkte eingestellt sind; und
in dem Verformungsschritt das Designmuster in Übereinstimmung mit dem Unterschied verformt wird, der durch Vergleichen für jeden Auswertungspunkt oder für jeden Zielpunkt herausgefunden wurde, so daß der Unterschied geringer wird.

8. Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß Anspruch 7, wobei die Zielpunkte gemäß den Auswertungspunkten eingestellt werden, die an den vorstehenden Ecken oder zurückgenommenen Ecken des Designmusters angeordnet sind, wobei die Zielpunkte an der Innenseite der Ecken bei den vorstehenden Ecken und an der Außenseite der Ecken bei den zurückgenommenen Ecken bestimmt werden.

9. Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters, wobei das Maskenmuster einer in einem photolithographischen Verfahren verwendeten Photomaske verformt wird, um ein Übertragungsbild zu ergeben, das einem gewünschten Designmuster nahe kommt, wobei die Korrekturvorrichtung für ein Maskenmuster aufweist:
eine Auswertungspunkt-Anordnungseinrichtung zum Anordnen mehrerer Auswertungspunkte entlang dem äußeren Rand des gewünschten Designmusters;
eine Simulationseinrichtung zum Simulieren eines Übertragungsbildes, das durch Belichtung unter vorbestimmten Übertragungsbedingungen unter Verwendung einer Photomaske eines Designmusters mit Auswertungspunkten erhalten wird;
eine Vergleichseinrichtung zum Vergleichen des Unterschiedes zwischen dem simulierten Übertragungsbild und dem Designmuster für jeden Auswertungspunkt; und
eine Verformungseinrichtung zum Verformen des Designmusters in Übereinstimmung mit den für jeden Auswertungspunkt verglichenen Unterschieden, so daß die Unterschiede geringer werden,
wobei die Auswertungspunkt-Anordnungseinrichtung die Auswertungspunkte an den Ecken des gewünschten Designmusters anordnet und die Auswertungspunkte in vorbestimmten Abständen an den Seiten des Musters anordnet.

10. Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß Anspruch 9, wobei das durch die Verformungseinrichtung verformte Designmuster verwendet wird, um das Verfahren von dem Simulationsschritt bis zu dem Verformungsschritt zumindest einmal zu wiederholen.

11. Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß Anspruch 9 oder 10, wobei die Simulationseinrichtung eine Einrichtung zum Simulieren von Übertragungsbildern unter mehreren Übertragungsbedingungen auf der Basis von Kombinationen von mehreren Belichtungsmengen vorgewählter Belichtungsbereiche und mehreren Brennpunkten innerhalb eines vorgewählten Bereiches von Schärfentiefen aufweist, um mehrere Übertragungsbilder zu erhalten;
wobei die Vergleichseinrichtung eine Einrichtung zum Vergleichen, des Unterschiedes mit dem Designmuster für jedes der mehreren Übertragungsmuster, für jeden Auswertungspunkt aufweist, um mehrere Unterschiede für jeden Auswertungspunkt zu berechnen; und
wobei die Verformungseinrichtung eine Einrichtung zum Verformen des Designmusters aufweist, so daß die mehreren Unterschiede für jeden Auswertungspunkt um ein vorbestimmtes Kriterium geringer werden.

12. Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß einem der Ansprüche 9 bis 11, wobei die Simulationseinrichtung aufweist:
eine Einrichtung zum Berechnen einer zweidimensionalen Lichtintensität auf einem Substrat auf der Basis des Designmusters und von Belichtungsbedingungen;
eine Einrichtung zum Berechnen und zur kumulativen Addition der Auswirkungen auf die Belichtungsenergie jeder bekannten Position auf der zweidimensionalen Ebene des Substrates durch die Lichtintensität bei mehreren Positionen, die jede bekannte Position umgeben, auf der Basis der Lichtintensität bei den umgebenden Positionen und der Entfernung zwischen der bekannten Position und den umgebenden Positionen, um die latente bildbildende Intensität bei jeder bekannten Position zu berechnen;
eine Einrichtung zum Herausfinden der Verteilung der latenten bildbildenden Intensität auf der zweidimensionalen Ebene des Substrates;
eine Einrichtung zur Bestimmung des Schwellenwertes der latenten bildbildenden Intensität, der der Belichtungsmenge und den Entwicklungsbedingungen entspricht;
eine Einrichtung zum Herausfinden der Konturen des Schwellenwertes für die Verteilung der latenten bildbildenden Intensität; und
eine Einrichtung zum Berechnen des durch die Konturen definierten Musters als das Übertragungsbild.

13. Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß einem der Ansprüche 9 bis 12, wobei die Verformungseinrichtung die Grenzlinien des Maskenmusters in der Nähe der Auswertungspunkte exakt um die Größe des für jeden Auswertungspunkt verglichenen Unterschiedes multipliziert mit einem bestimmten Koeffizient in einer umgekehrten Richtung zu dem Unterschied bewegt.

14. Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß einem der Ansprüche 9 bis 13, wobei der Koeffizient größer ist als 0 und kleiner ist als 1.

15. Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters, wobei das Maskenmuster einer in einem photolithographischen Verfahren verwendeten Photomaske verformt wird, um ein Übertragungsbild zu ergeben, das einem gewünschten Designmuster nahe kommt,
wobei das Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters die folgenden Schritte aufweist:
einen Auswertungspunkt-Anordnungsschritt zum Anordnen mehrerer Auswertungspunkte entlang des Außenrandes des gewünschten Designmusters;
einen Simulationsschritt zum Simulieren eines Übertragungsbildes, das bei Belichtung unter vorbestimmten Übertragungsbedingungen unter Verwendung einer Photomaske eines Designmusters mit Auswertungspunkten erhalten wird;
einen Vergleichsschritt zum Vergleichen des Unterschiedes zwischen dem simulierten Übertragungsbild und dem Designmuster für jeden Auswertungspunkt; und
einen Verformungsschritt zum Verformen des Designmusters in Übereinstimmung mit den für jeden Auswertungspunkt verglichenen Unterschieden, so daß die Unterschiede geringer werden,
wobei in dem Auswertungspunkt-Anordnungsschritt die Auswertungspunkte an den Ecken des gewünschten Designmusters angeordnet werden, wobei eine vorbestimmte Anzahl von Auswertungspunkten in vorbestimmten engen Abständen von den Ecken an den Seiten des Musters hinzugefügt werden, und die Auswertungspunkte in vorbestimmten weiten Abständen in verbleibenden Abschnitten der Seiten von den Ecken entfernt angeordnet werden.

16. Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß Anspruch 15, wobei das in dem Verformungsschritt verformte Designmuster verwendet wird, um das Verfahren von dem Simulationsschritt bis zu dem Verformungsschritt mindestens einmal zu wiederholen.

17. Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß Anspruch 15 oder 16, wobei in dem Simulationsschritt Übertragungsbilder unter mehreren Übertragungsbedingungen auf der Basis von Kombinationen von mehreren Belichtungsmengen vorbestimmter Belichtungsbereiche und mehreren Punkten innerhalb eines vorgewählten Bereiches der Schärfentiefe simuliert werden, um mehrere Übertragungsbilder zu erhalten; in dem Vergleichsschritt der Vergleich für jeden Auswertungspunkt bezüglich des Unterschiedes mit dem Designmuster für jedes der mehreren Übertragungsmuster ausgeführt wird, um mehrere Unterschiede für jeden Auswertungspunkt zu berechnen; und in dem Verformungsschritt die Verformung für das Designmuster so ausgeführt wird, daß die mehreren Unterschiede für jeden Auswertungspunkt um ein vorbestimmtes Kriterium geringer werden.

18. Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß einem der Ansprüche 15 bis 17, wobei
in dem Simulationsschritt die Berechnung für eine zweidimensionale Lichtintensität auf einem Substrat auf der Basis des Designmusters und von Belichtungsbedingungen ausgeführt wird;
die Berechnung und die kumulative Addition für die Auswirkungen auf die Belichtungsenergie jeder bekannten Position auf der zweidimensionalen Ebene des Substrates durch die Lichtintensität bei mehreren Positionen, die die jeweilige bekannte Position umgeben, auf der Basis der Lichtintensität bei der umgebenden Position und der Entfernung zwischen der bekannten Position und der umgebenden Position durchgeführt werden, um die latente bildbildende Intensität entsprechend der Belichtungsmenge und den Entwicklungsbedingungen zu berechnen;
das Herausfinden für die Konturen des Schwellenwertes für die Verteilung der latenten bildbildenden Intensität ausgeführt wird, und die Berechnung für das durch die Konturen definierte Muster als das Übertragungsbild ausgeführt wird.

19. Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß einem der Ansprüche 15 bis 18, wobei in dem Verformungsschritt die Grenzlinien des Maskenmusters in der Nähe der Auswertungspunkte exakt um die Größe des für jeden Auswertungspunkt verglichenen Unterschiedes multipliziert mit einem bestimmten Koeffizient in einer umgekehrten Richtung zu dem Unterschied bewegt werden.

20. Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß Anspruch 19, wobei der Koeffizient größer ist als 0 und kleiner ist als 1.

21. Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß einem der Ansprüche 15 bis 20, wobei
in dem Auswertungspunkt-Anordnungsschritt mehrere Auswertungspunkte entlang dem Außenrand des gewünschten Designmusters angeordnet werden und Zielpunkte getrennt von den Auswertungspunkten bei vorbestimmten Auswertungspunkten eingestellt werden; in dem Vergleichsschritt der Vergleich für jeden Auswertungspunkt bezüglich des Unterschiedes zwischen dem simulierten Übertragungsbild und dem Designmuster bei Positionen ausgeführt wird, an denen nur die Auswertungspunkte eingestellt sind und
wobei der Vergleich für den Unterschied zwischen den Zielpunkten und dem Übertragungsbild bei Positionen ausgeführt wird, an denen die Zielpunkte eingestellt sind; und
in dem Verformungsschritt das Designmuster in Übereinstimmung mit dem für jeden Auswertungspunkt oder für jeden Zielpunkt verglichenen Unterschied verformt wird, so daß die Unterschiede geringer werden.

22. Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß Anspruch 21, wobei die Zielpunkte entsprechend den Auswertungspunkten eingestellt werden, die an den vorstehenden Ecken oder den zurückgenommenen Ecken des Designmusters angeordnet sind, wobei die Zielpunkte bei den vorstehenden Ecken an der Innenseite der Ecken und bei den zurückgenommenen Ecken an der Außenseite der Ecken bestimmt werden.

23. Vorrichtung zur Korrektur eines Maskenmusters, wobei das Maskenmuster einer in einem photolithographischen Schritt verwendeten Photomaske verformt wird, um ein Übertragungsbild zu ergeben, das einem gewünschten Designmuster nahe kommt,
wobei die Korrekturvorrichtung für ein Maskenmuster aufweist:
eine Auswertungspunkt-Anordnungseinrichtung zum Anordnen mehrerer Auswertungspunkte entlang dem Außenrand des gewünschten Designmusters;
eine Simulationseinrichtung zum Simulieren eines Übertragungsbildes, das bei Belichtung unter vorbestimmten Übertragungsbedingungen unter Verwendung einer Photomaske eines Designmusters mit Auswertungspunkten erhalten wird;
eine Vergleichseinrichtung zum Vergleichen des Unterschiedes zwischen dem simulierten Übertragungsbild und dem Designmuster für jeden Auswertungspunkt; und
eine Verformungseinrichtung zum Verformen des Designmusters in Übereinstimmung mit den für jeden Auswertungspunkt verglichenen Unterschieden, so daß die Unterschiede geringer werden,
wobei die Auswertungspunkt-Anordnungseinrichtung die Auswertungspunkte an den Ecken des gewünschten Designmusters anordnet, eine vorbestimmte Anzahl von Auswertungspunkten in vorbestimmten engen Abständen von den Ecken an den Seiten des Musters hinzufügt und die Auswertungspunkte in vorbestimmten weiten Abständen in verbleibenden Abschnitten der Seiten von den Ecken entfernt anordnet.

24. Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß Anspruch 23, wobei ein durch die Verformungseinrichtung verformtes Designmuster verwendet wird, um das Verfahren von dem Simulationsschritt bis zu dem Verformungsschritt mindestens einmal zu wiederholen.

25. Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß Anspruch 23 oder 24, wobei die Simulationseinrichtung eine Einrichtung zum Simulieren von Übertragungsbildern unter mehreren Übertragungsbedingungen auf der Basis der Kombination mehrerer Belichtungsmengen voreingestellter Belichtungsbereiche und mehrerer Brennpunkte innerhalb eines voreingestellten Bereiches der Schärfentiefe aufweist, um mehrere Übertragungsbilder zu erhalten;
wobei die Vergleichseinrichtung einer Einrichtung zum Vergleichen des Unterschiedes zwischen jedem Auswertungspunkt und dem Designmuster für jedes der mehreren Übertragungsmuster aufweist, um mehrere Unterschiede für jeden Auswertungspunkt zu berechnen; und
wobei die Verformungseinrichtung eine Einrichtung zum Verformen des Designmusters aufweist, so daß die mehreren Unterschiede für jeden Auswertungspunkt um ein vorbestimmtes Kriterium geringer werden.

26. Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß einem der Ansprüche 23 bis 25, wobei die Simulationseinrichtung aufweist:
eine Einrichtung zum Berechnen einer zweidimensionalen Lichtintensität auf einem Substrat auf der Basis des Designmusters und von Belichtungsbedingungen;
eine Einrichtung zum Berechnen und kumulativen Addieren der Auswirkungen auf die Belichtungsenergie jeder bekannten Position auf der zweidimensionalen Ebene des Substrates durch die Lichtintensität bei mehreren Positionen, die jede bekannte Position
umgeben, auf der Basis der Lichtintensität an den umgebenden Positionen und des Abstandes zwischen der bekannten Position und den umgebenden Positionen, um die latente bildbildende Intensität bei jeder bekannten Position zu berechnen;
eine Einrichtung zum Herausfinden der Verteilung der latenten bildbildenden Intensität auf der zweidimensionalen Ebene auf dem Substrat;
eine Einrichtung zum Bestimmen des Schwellenwertes der latenten bildbildenden Intensität entsprechend der Belichtungsmenge und den Entwicklungsbedingungen;
eine Einrichtung zum Herausfinden der Konturen des Schwellenwertes für die Verteilung der latenten bildbildenden Intensität; und eine Einrichtung zum Berechnen des durch die Konturen definierten Musters als Übertragungsbild.

27. Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß einem der Ansprüche 23 bis 26, wobei die Verformungseinrichtung die Grenzlinien des Maskenmusters in der Nähe jedes Auswertungspunktes exakt um die Größe des für jeden Auswertungspunkt verglichenen Unterschiedes multipliziert mit einem bestimmten Koeffizient in einer umgekehrten Richtung zu dem Unterschied bewegt.

28. Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß einem der Ansprüche 23 bis 27, wobei der Koeffizient größer ist als 0 und kleiner ist als 1.

29. Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters, wobei das Maskenmuster einer in einem photolithographischen Verfahren verwendeten Photomaske verformt wird, um ein Übertragungsbild zu ergeben, das einem gewünschten Designmuster nahe kommt, wobei das Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters die folgenden Schritte aufweist: einen Auswertungspunkt-Anordnungsschritt zum Anordnen mehrerer Auswertungspunkte entlang dem Außenrand des gewünschten Designmusters;
einen Simulationsschritt zum Simulieren eines Übertragungsbildes, das bei Belichtung unter vorbestimmten Übertragungsbedingungen unter Verwendung einer Photomaske eines Designmusters mit Auswertungspunkten erhalten wird;
ein Vergleichsschritt zum Vergleichen des Unterschiedes zwischen dem simulierten Übertragungsbild und dem Designmuster für jeden Auswertungspunkt; und
ein Verformungsschritt zum Verformen des Designmusters in Übereinstimmung mit den für jeden Auswertungspunkt verglichenen Unterschieden, so daß die Unterschiede geringer werden,
wobei in dem Auswertungspunkt-Anordnungsschritt keine Auswertungspunkte an den kleinen Seiten des Designmusters hinzugefügt werden, die eine geringere als eine vorbestimmte Länge aufweisen, keine Auswertungspunkte an den Ecken in der Nähe der kleinen Seiten hinzugefügt werden, und Auswertungspunkte in vorbestimmten Abständen an den anderen Ecken und Seiten angeordnet werden.

30. Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß Anspruch 29, wobei das in dem Verformungsschritt verformte Designmuster verwendet wird, um das Verfahren von dem Simulationsschritt bis zu dem Verformungsschritt zumindest einmal zu wiederholen.

31. Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß Anspruch 29 oder 30, wobei in dem Simulationsschritt Übertragungsbilder unter mehreren Übertragungsbedingungen auf der Basis von Kombinationen mehrerer Belichtungsmengen voreingestellter Belichtungsbereiche und mehrerer Brennpunkte innerhalb eines voreingestellten Bereiches der Schärfentiefe simuliert werden, um mehrere Übertragungsbilder zu erhalten;
in dem Vergleichsschritt der Vergleich für jeden Auswertungspunkt bezüglich des Unterschiedes mit dem Designmuster für jedes der mehreren Übertragungsbilder ausgeführt wird, um mehrere Unterschiede für jeden Auswertungspunkt zu berechnen; und in dem Verformungsschritt die Verformung für das Designmuster so ausgeführt wird, daß die mehreren Unterschiede für jeden Auswertungspunkt um ein vorbestimmtes Kriterium kleiner werden.

32. Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß einem der Ansprüche 29 bis 31, wobei in dem Simulationsschritt die Berechnung für eine zweidimensionale Lichtintensität auf einem Substrat auf der Basis des Designmusters und von Belichtungsbedingungen ausgeführt wird;
die Berechnung und die kumulative Addition für die Auswirkungen auf die Belichtungsenergie jeder bekannten Position auf der zweidimensionalen Ebene des Substrates durch die Lichtintensität bei mehreren Positionen, die jede bekannte Position umgeben, auf der Basis der Lichtintensität in der umgebenden Position und des Abstandes zwischen der bekannten Position und der umgebenden Position ausgeführt wird, um die latente bildbildende Intensität entsprechend der Belichtungsmenge und den Entwicklungsbedingungen zu berechnen;
das Herausfinden für die Konturen des Schwellenwertes für die Verteilung der latenten lichtbildenden Intensität ausgeführt wird; und
die Berechnung für das durch die Konturen definierte Muster als das Übertragungsbild ausgeführt wird.

33. Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß einem der Ansprüche 29 bis 32, wobei in dem Verformungsschritt die Grenzlinien des Maskenmusters in der Nähe der Auswertungspunkte exakt um die Größe des für jeden Auswertungspunkt verglichenen Unterschiedes multipliziert mit einem bestimmten Koeffizient in einer umgekehrten Richtung zu dem Unterschied bewegt werden.

34. Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß Anspruch 33, wobei der Koeffizient größer ist als 0 und kleiner ist als 1.

35. Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß einem der Ansprüche 29 bis 34, wobei in dem Auswertungspunkt-Anordnungsschritt mehrere Auswertungspunkte entlang dem Außenrand des gewünschten Designmusters angeordnet werden und Zielpunkte getrennt von den Auswertungspunkten bei vorbestimmten Auswertungspunkten eingestellt werden; in dem Vergleichsschritt der Vergleich für jeden Auswertungspunkt bezüglich der Differenz zwischen dem simulierten Übertragungsbild und dem Designmuster an Positionen ausgeführt wird, an denen nur die Auswertungspunkte eingestellt sind und der Vergleich für den Unterschied zwischen den Zielpunkten und dem Übertragungsbild an Positionen ausgeführt wird, an denen Zielpunkte eingestellt sind; und
in dem Verformungsschritt das Designmuster in Übereinstimmung mit dem für jeden Auswertungspunkt oder für jeden Zielpunkt verglichenen Unterschied verformt wird, so daß der Unterschied geringer wird.

36. Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß Anspruch 35, wobei die Zielpunkte entsprechend den Auswertungspunkten eingestellt werden, die an den vorstehenden Ecken oder zurückgenommenen Ecken des Designmusters angeordnet sind, wobei die Zielpunkte bei den vorstehenden Ecken an der Innenseite der Ecken und bei den zurückgenommenen Ecken an der Außenseite der Ecken bestimmt werden.

37. Vorrichtung zur Korrektur eines Maskenmusters, wobei das Maskenmuster einer in einem photolithographischen Verfahren verwendeten Photomaske verformt wird, um ein Übertragungsbild zu ergeben, das einem gewünschten Designmuster nahe kommt, wobei die Korrekturvorrichtung für ein Maskenmuster aufweist:
eine Auswertungspunkt-Anordnungseinrichtung zum Anordnen mehrerer Auswertungspunkte entlang dem Außenrand des gewünschten Designmusters;
eine Simulationseinrichtung zum Simulieren eines Übertragungsbildes, das bei Belichtung unter vorbestimmten Übertragungsbedingungen unter Verwendung einer Photomaske eines Designmusters mit Auswertungspunkten erhalten wird;
eine Vergleichseinrichtung zum Vergleichen des Unterschiedes zwischen dem simulierten Übertragungsbild und dem Designmuster für jeden Auswertungspunkt; und
eine Verformungseinrichtung zum Verformen des Designmusters in Übereinstimmung mit dem für jeden Auswertungspunkt verglichenen Unterschied, so daß die Unterschiede geringer werden,
wobei die Auswertungspunkt-Anordnungseinrichtung keine Auswertungspunkte an den kleinen Seiten des Designmusters hinzufügt, die eine geringere als eine vorbestimmte Länge aufweisen, keine Auswertungspunkte an den Ecken in der Nähe der kleinen Seiten hinzufügt, und die Auswertungspunkte in vorbestimmten Abständen an den anderen Ecken und Seiten anordnet.

38. Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß Anspruch 37, wobei ein durch die Verformungseinrichtung verformtes Designmuster verwendet wird, um das Verfahren von dem Simulationsschritt bis zu dem Verformungsschritt mindestens einmal zu wiederholen.

39. Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß Anspruch 37 oder 38, wobei die Simulationseinrichtung eine Einrichtung zum Simulieren von Übertragungsbildern unter mehreren Übertragungsbedingungen auf der Basis von Kombinationen von mehreren Belichtungsmengen voreingestellter Belichtungsbereiche und mehrerer Brennpunkte innerhalb eines voreingestellten Bereiches der Schärfentiefe aufweist, um mehrere Übertragungsbilder zu erhalten;
die Vergleichseinrichtung eine Einrichtung zum Vergleichen, des Unterschiedes mit dem Designmuster für jeden Auswertungspunkt, für jedes der mehreren Übertragungsmuster zum Berechnen mehrerer Unterschiede für jeden Auswertungspunkt aufweist; und
die Verformungseinrichtung eine Einrichtung zum Verformen des Designmusters aufweist, so daß die mehreren Unterschiede für jeden Auswertungspunkt um ein vorbestimmtes Kriterium geringer werden.

40. Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß einem der Ansprüche 37 bis 39, wobei die Simulationseinrichtung aufweist:
eine Einrichtung zum Berechnen einer zweidimensionalen Lichtintensität auf einem Substrat auf der Basis des Designmusters und von Belichtungsbedingungen;
eine Einrichtung zum Berechnen und kumulativen Addieren der Auswirkungen auf die Belichtungsenergie jeder bekannten Position auf der zweidimensionalen Ebene des Substrates durch die Lichtintensität an mehreren Positionen, die jede bekannte Position umgeben, auf der Basis der Lichtintensität an den umgebenden Positionen und des Abstandes zwischen der bekannten Position und den umgebenden Positionen, um die latente bildbildende Intensität bei der jeweiligen bekannten Position zu berechnen;
eine Einrichtung zum Herausfinden der Verteilung der latenten bildbildenden Intensität auf der zweidimensionalen Ebene des Substrates;
eine Einrichtung zum Bestimmen des Schwellenwertes der latenten bildbildenden Intensität entsprechend der Belichtungsmenge und den Entwicklungsbedingungen;
eine Einrichtung zum Herausfinden der Konturen des Schwellenwertes für die Verteilung der latenten bildbildenden Intensität; und
eine Einrichtung zum Berechnen des durch die Konturen definierten Musters als das Übertragungsbild.

41. Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß einem der Ansprüche 37 bis 40, wobei die Verformungseinrichtung die Grenzlinien des Maskenmusters in der Nähe der Auswertungspunkte exakt um die Größe des für jeden Auswertungspunkt verglichenen Unterschiedes multipliziert mit einem bestimmten Koeffizient in einer umgekehrten Richtung zu dem Unterschied bewegt.

42. Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß einem der Ansprüche 37 bis 41, wobei der Koeffizient größer ist als 0 und kleiner ist als 1.

43. Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters, wobei das Maskenmuster einer in einem photolithographischen Verfahren verwendeten Photomaske verformt wird, um ein Übertragungsbild zu ergeben, das einem gewünschten Designmuster nahe kommt, wobei das Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters die folgenden Schritte aufweist:
einen Auswertungspunkt-Anordnungsschritt zum Anordnen mehrerer Auswertungspunkte entlang dem Außenrand des gewünschten Designmusters;
einen Simulationsschritt zum Simulieren eines Übertragungsbildes, das bei Belichtung unter vorbestimmten Übertragungsbedingungen unter Verwendung einer Photomaske eines Designmusters mit Auswertungspunkten erhalten wird;
einen Vergleichsschritt zum Vergleichen des Unterschiedes zwischen dem simulierten Übertragungsbild und dem Designmuster für jeden Auswertungspunkt; und
einen Verformungsschritt zum Verformen des Designmusters in Übereinstimmung mit den für jeden Auswertungspunkt verglichenen Unterschieden, so daß die Unterschiede geringer werden,
wobei in dem Auswertungspunkt-Anordnungsschritt die Auswertungspunkte an den Ecken des Designmusters, aber nicht an den Grenzen von vorbestimmten Wiederholungsbereichen angeordnet werden, und die Auswertungspunkte in vorbestimmten Abständen an den Seiten des Musters, aber nicht an den Grenzen von vorbestimmten Wiederholungsbereichen angeordnet werden.

44. Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß Anspruch 43, wobei das in dem Verformungsschritt verformte Designmuster verwendet wird, um das Verfahren von dem Simulationsschritt bis zu dem Verformungsschritt zumindest einmal zu wiederholen.

45. Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß Anspruch 43 oder 44 wobei in dem Simulationsschritt Übertragungsbilder unter mehreren Übertragungsbedingungen auf der Basis von Kombinationen mehrerer Belichtungsmengen voreingestellter Belichtungsbereiche und mehrerer Brennpunkte innerhalb eines voreingestellten Bereiches der Schärfentiefe simuliert werden, um mehrere Übertragungsbilder zu erhalten;
in dem Vergleichsschritt der Vergleich für jeden Auswertungspunkt bezüglich der Differenz mit dem Designmuster für jedes der mehreren Übertragungsmuster ausgeführt wird, um mehrere Unterschiede für jeden Auswertungspunkt zu berechnen; und
in dem Verformungsschritt die Verformung für das Designmuster so ausgeführt wird, daß die mehreren Unterschiede für jeden Auswertungspunkt um ein vorbestimmtes Kriterium geringer werden.

46. Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß einem der Ansprüche 43 bis 45, wobei in dem Simulationsschritt die Berechnung für eine zweidimensionale Lichtintensität auf einem Substrat auf der Basis des Designmusters und von Belichtungsbedingungen ausgeführt wird;
die Berechnung und kumulative Addition für die Auswirkungen auf die Belichtungsenergie jeder bekannten Position auf der zweidimensionalen Ebene des Substrates durch die Lichtintensität an mehreren Positionen, die die jeweilige bekannte Position umgeben, auf der Basis der Lichtintensität an der umgebenden Position und des Abstandes zwischen der bekannten Position und der umgebenden Position ausgeführt werden, um die latente bildbildende Intensität entsprechend der Belichtungsmenge und den Entwicklungsbedingungen zu berechnen;
das Herausfinden für die Konturen des Schwellenwertes für die Verteilung der latenten bildbildenden Intensität ausgeführt wird; und
die Berechnung für das durch die Konturen definierte Muster als das Übertragungsbild ausgeführt wird.

47. Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß einem der Ansprüche 43 bis 46, wobei in dem Verformungsschritt die Grenzlinien des Maskenmusters nahe der Auswertungspunkte exakt um die Größe des für jeden Auswertungspunkt verglichenen Unterschiedes multipliziert mit einem bestimmten Koeffizient in einer umgekehrten Richtung zu der Differenz bewegt werden.

48. Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß Anspruch 47, wobei der Koeffizient größer als 0 und kleiner als 1 ist.

49. Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß einem der Ansprüche 43 bis 48, wobei in dem Auswertungspunkt-Anordnungsschritt mehrere der Auswertungspunkte entlang des äußeren Randes des gewünschten Designmusters angeordnet werden und Zielpunkte getrennt von den Auswertungspunkten an festgelegten Auswertungspunkten eingestellt werden;
in dem Vergleichsschritt der Vergleich für jeden Auswertungspunkt für die Differenz zwischen dem simulierten Übertragungsbild und dem Designmuster an Positionen ausgeführt wird, wo nur die Auswertungspunkte eingestellt sind und der Vergleich für die Differenz zwischen den Zielpunkten und dem Übertragungsbild an Positionen ausgeführt wird, an denen die Zielpunkte eingestellt sind; und
in dem Verformungsschritt das Designmuster in Übereinstimmung mit der Differenz, verglichen für jeden Auswertungspunkt oder für jeden Zielpunkt, verformt wird, so daß diese Differenz kleiner wird.

50. Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß Anspruch 49, wobei die Zielpunkte entsprechend den Auswertungspunkten eingestellt werden, die an den hervorstehenden Ecken oder ausgenommenen Ecken des Designmusters angeordnet sind, wobei die Zielpunkte an der Innenseite der Ecken an den hervorstehenden Ecken bestimmt werden und die Zielpunkte an der Außenseite der Ecken an den ausgenommenen Ecken bestimmt werden.

51. Vorrichtung zur Korrektur eines Maskenmusters, wobei das Maskenmuster einer in einem Photolithographieverfahren verwendeten Photomaske verformt wird, um ein Übertragungsbild zu ergeben, das dem gewünschten Designmusters nahekommt, wobei die Korrektureinrichtung eines Maskenmusters aufweist:
eine Auswertungspunkt-Anordnungseinrichtung zur Anordnung von mehreren Auswertungspunkten entlang der Außenseite des gewünschten Designmusters;
eine Simulationseinrichtung zur Simulation eines Übertragungsbildes, das bei der Belichtung unter festgelegten Übertragungsbedingungen bei Verwendung einer Photomaske eines Designmusters mit Auswertungspunkten erhalten wird;
eine Vergleichseinrichtung zum Vergleich der Differenz zwischen dem simulierten Übertragungsbild und dem Designmuster für jeden Auswertungspunkt; und
eine Verformungseinrichtung zur Verformung des Designmusters in Übereinstimmung mit den verglichenen Differenzen für jeden Auswertungspunkt, so daß die Differenzen kleiner werden,
wobei die Auswertungspunkt-Anordnungseinrichtung die Auswertungspunkte an den Ecken des Designmusters nicht an den Grenzen festgelegter Wiederholbereiche anordnet und die Auswertungspunkte in festgelegten Abständen an den Seiten des Musters nicht an den Grenzen der festgelegten Wiederholbereiche anordnet.

52. Vorrichtung zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß Anspruch 51, wobei ein durch die Verformungseinrichtung verformtes Designmuster zur wenigstens einmaligen Wiederholung des Verfahrens von dem Simulationsschritt bis zu dem Verformungsschritt verwendet wird.

53. Vorrichtung zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß Anspruch 51 oder 52, wobei die Simulationseinrichtung eine Einrichtung zur Simulation von Übertragungsbildern unter mehreren der Übertragungsbedingungen basierend auf Kombinationen von mehreren Belichtungsmengen von festgelegten Belichtungsbereichen und einer Mehrzahl von Brennpunktpositionen innerhalb eines festgelegten Bereiches von Schärfentiefen aufweist, um mehrere Übertragungsbilder zu erhalten;
die Vergleichseinrichtung eine Einrichtung zum Vergleich der Differenz mit dem Designmuster für jeden Auswertungspunkt für jede der mehreren Übertragungsmuster aufweist, um mehrere der Differenzen für jeden Auswertungspunkt zu berechnen; und
wobei die Verformungseinrichtung eine Einrichtung zur Verformung des Designmusters derart aufweist, daß die mehreren Differenzen für jeden Auswertungspunkt um ein festgelegtes Kriterium kleiner werden.

54. Vorrichtung zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß einem der Ansprüche 51 bis 53, wobei die Simulationseinrichtung aufweist:
eine Einrichtung zur Berechnung einer zweidimensionalen Lichtintensität auf einem Substrat basierend auf dem Designmuster und von Belichtungsbedingungen;
eine Einrichtung zur Berechnung und kumulativen Addition der Effekte auf die Bestrahlungsenergie jeder genannten Position auf der zweidimensionalen Ebene auf dem Substrat durch die Lichtintensität an mehreren der Positionen, die jede bekannte Position umgeben basierend auf der Lichtintensität an den umgebenden Positionen und der Entfernung zwischen der bekannten Position und den umgebenden Positionen, um die latente bildbildende Intensität an jeder bekannten Position zu berechnen;
eine Einrichtung zur Auffindung der Verteilung der latenten bildbildenden Intensität in der zweidimensionalen Ebene des Substrates;
eine Einrichtung zur Bestimmung des Grenzwertes der latenten bildbildenden Intensität entsprechend der Belichtungsmenge und der Entwicklungsbedingungen; eine Einrichtung zum Herausfinden der Konturen des Grenzwertes für die Verteilung der latenten bildbildenden Intensität; und
eine Einrichtung zur Berechnung des durch die Konturen als das Übertragungsbild definierten Musters.

55. Vorrichtung zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß einem der Ansprüche 51 bis 54, wobei die Verformungseinrichtung die Grenzlinien des Maskenmusters nahe des Auswertungspunktes um exakt die Größe der für jeden Auswertungspunkt verglichenen Differenz multipliziert mit einem bestimmten Koeffizient in einer umgekehrten Richtung zu der Differenz bewegt.

56. Vorrichtung zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß einem der Ansprüche 51 bis 55, wobei der Koeffizient größer als 0 und kleiner als 1 ist.

57. Vorrichtung zur Korrektur eines Maskenmusters, wobei das Maskenmuster einer in einem Photolithographieverfahren verwendeten Photomaske verformt wird, um ein Übertragungsbild angenähert einem gewünschten Designmuster zu ergeben; wobei das Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters die Schritte aufweist:
einen Auswertungspunkt-Anordnungsschrift zur Anordnung mehrerer Auswertungspunkte entlang dem Außenwand des gewünschten Designmusters;
einen Simulationsschritt zur Simulation eines Übertragungsbildes, das bei der Belichtung unter festgelegten Übertragungsbedingungen unter Verwendung einer Photomaske eines Designmusters mit Auswertungspunkten erhalten wird;
einen Vergleichsschritt zum Vergleich der Differenz zwischen dem simulierten Übertragungsbild und dem Designmuster für jeden Auswertungspunkt; und
einen Verformungsschritt zur Verformung des Designmusters in Übereinstimmung mit den für jeden Auswertungspunkt verglichenen Differenzen, so daß die Differenzen kleiner werden,
wobei in dem Auswertungspunkt-Anordnungsschritt die Auswertungspunkte an den Ecken des Designmusters angeordnet sind, die Auswertungspunkte an den im wesentlichen Mittelpunkten der kurzen Seiten des Musters kleiner als eine festgelegte Breite angeordnet sind, und die Auswertungspunkte mit festgelegten Abständen an den anderen Seiten des Musters angeordnet sind.

58. Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß Anspruch 57, wobei das in dem Verformungsschritt verformte Designmuster verwendet wird, wenigstens einmal das Verfahren von dem Simulationsschritt zu dem Verformungsschritt zu wiederholen.

59. Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß Anspruch 57 oder 58, wobei in dem Simulationsschritt Übertragungsbilder unter verschiedenen Übertragungsbedingungen basierend auf Kombinationen von mehreren Belichtungsmengen festgelegter Belichtungsbereiche und mehrerer Brennpunktpositionen innerhalb eines festgelegten Bereiches von Schärfentiefen berechnet werden, um mehrere Übertragungsbilder zu erhalten;
in dem Vergleichsschritt der Vergleich der Differenz mit dem Designmuster für jeden Auswertungspunkt für jeden der mehreren Übertragungsmuster ausgeführt wird, um mehrere der Differenzen für jeden Auswertungspunkt zu berechnen; und in dem Verformungsschritt die Verformung für das Designmuster so ausgeführt wird, daß mehrere der Differenzen für jeden Auswertungspunkt um ein festgelegtes Kriterium kleiner werden.

60. Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß einem der Ansprüche 57 bis 59, wobei in dem Simulationsschritt die Berechnung für eine zweidimensionale Lichtintensität auf einem Substrat basierend auf dem Designmuster und von Belichtungsbedingungen ausgeführt wird;
die Berechnung und kumulative Addition für die Effekte der Belichtungsenergie jeder festgestellten Position auf der zweidimensionalen Ebene des Substrates durch die Lichtintensität an mehreren Positionen, die diese jede bekannte Position umgibt basierend auf der Lichtintensität an der umgebenden Position und der Entfernung zwischen der bekannten Position und der umgebenden Position ausgeführt wird, um die latente bildbildende Intensität entsprechend der Belichtungsmenge und den Entwicklungsbedingungen zu berechnen;
das Herausfinden für die Konturen des Grenzwertes für die Verteilung der latenten bildbildenden Intensität ausgeführt wird; und
die Berechnung für das durch die Konturen als das Übertragungsbild definierte Muster ausgeführt wird.

61. Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß einem der Ansprüche 57 bis 60, wobei in dem Verformungsschritt die Grenzlinie des Maskenmusters nahe der Auswertungspunkte um exakt die Größe für jeden Auswertungspunkt verglichene Differenz, multipliziert mit einem gewissen Koeffizient in einer umgekehrten Richtung zu der Differenz bewegt wird.

62. Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß Anspruch 61, wobei der Koeffizient größer als 0 und kleiner als 1 ist.

63. Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß einem der Ansprüche 57 bis 61, wobei in dem Auswertungspunkt-Anordnungsschritt mehrere Auswertungspunkte entlang der Außenseite des gewünschten Designmusters angeordnet werden und Zielpunkte getrennt von den Auswertungspunkten an festgelegten Auswertungspunkten festgesetzt werden; in dem Vergleichsschritt der Vergleich ausgeführt wird, der Differenz zwischen dem simulierten Übertragungsbild und dem Designmuster für jeden Auswertungspunkt an Positionen bestimmt wird, wo nur die Auswertungspunkte eingestellt sind und der Vergleich der Differenz zwischen den Zielpunkten und dem Übertragungsbild an Positionen ausgeführt wird, wo die Zielpunkte eingestellt sind; und
in dem Verformungsschritt das Designmuster in Übereinstimmung mit der Differenz, verglichen für jeden Auswertungspunkt oder jeden Zielpunkt, verformt wird, so daß die Differenz kleiner wird.

64. Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß Anspruch 63, wobei die Zielpunkte entsprechend den Auswertungspunkten positioniert an den hervorstehenden Ecken oder ausgenommenen Ecken des Designmusters festgelegt werden, die Zielpunkte an der Innenseite der Ecken der hervorstehenden Ecken bestimmt werden und die Zielpunkte an der Außenseite der Ecken an den ausgenommenen Ecken bestimmt werden.

65. Vorrichtung zur Korrektur eines Maskenmusters, wobei das Maskenmuster einer in einem Photolithographieschritt verwendeten Maske ausgebildet ist, so zu verformen, um ein Übertragungsbild angenähert einem gewünschten Designmuster zu ergeben, wobei die Korrekturvorrichtung aufweist:
eine Auswertungspunkt-Anordnungseinrichtung zur Anordnung von mehreren Auswertungspunkten entlang der Außenseite des gewünschten Designmusters;
eine Simulationseinrichtung zur Simulation eines Übertragungsbildes, das bei der Belichtung unter festgelegten Übertragungsbedingungen unter Verwendung einer Photomaske eines Designmusters mit Auswertungspunkten erhalten wird;
eine Vergleichseinrichtung zum Vergleich der Differenz zwischen dem simulierten Übertragungsbild und dem Designmuster für jeden Auswertungspunkt; und
eine Verformungseinrichtung zur Verformung des Designmusters in Übereinstimmung mit den für jeden Auswertungspunkt verglichene Differenzen, so daß die Differenzen kleiner werden;
wobei die Auswertungspunkt-Anordnungseinrichtung die Auswertungspunkte an den Ecken des Designmusters anordnet, die Auswertungspunkte an im wesentlichen den Mittelpunkten der kurzen Seiten des kleineren Musters als eine festgelegte Breite hinzufügt und die Auswertungspunkte mit festgelegten Abständen an den anderen Seiten des Musters anordnet.

66. Vorrichtung zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß Anspruch 65, wobei ein durch die Verformungseinrichtung verformtes Designmuster zur wenigstens einmaligen Wiederholung des Verfahrens von dem Simulationsschritt bis zu dem Verformungsschritt verwendet wird.

67. Vorrichtung zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß Anspruch 65 oder 66, wobei die Simulationseinrichtung eine Einrichtung zur Simulation von Übertragungsbildern unter mehreren der Übertragungsbedingungen basierend auf Kombinationen von mehreren Belichtungsmengen von festgelegten Belichtungsbereichen und einer Mehrzahl von Brennpunktpositionen innerhalb eines festgelegten Bereiches von Schärfentiefen aufweist, um mehrere Übertragungsbilder zu erhalten;
die Vergleichseinrichtung eine Einrichtung zum Vergleich der Differenz mit dem Designmuster für jeden Auswertungspunkt für jede der mehreren Übertragungsmuster aufweist, um mehrere der Differenzen für jeden Auswertungspunkt zu berechnen; und
wobei die Verformungseinrichtung eine Einrichtung zur Verformung des Designmusters derart aufweist, daß die mehreren Differenzen für jeden Auswertungspunkt um ein festgelegtes Kriterium kleiner werden.

68. Vorrichtung zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß einem der Ansprüche 65 bis 67, wobei die Simulationseinrichtung aufweist:
eine Einrichtung zur Berechnung einer zweidimensionalen Lichtintensität auf einem Substrat basierend auf dem Designmuster und von Belichtungsbedingungen;
eine Einrichtung zur Berechnung und kumulativen Addition der Effekte auf die Bestrahlungsenergie jeder bekannten Position auf der zweidimensionalen Ebene auf dem Substrat durch die Lichtintensität an mehreren der Positionen, die jede bekannte Position umgeben basierend auf der Lichtintensität an den umgebenden Positionen und der Distanz zwischen der genannten Position und den umgebenden Positionen, um die latente bildbildende Intensität an jeder bekannten Position zu berechnen;
eine Einrichtung zur Auffindung der Verteilung der latenten bildbildenden Intensität in der zweidimensionalen Ebene des Substrates;
eine Einrichtung zur Bestimmung des Grenzwertes der latente bildbildenden Intensität entsprechend der Belichtungsmenge und den Entwicklungsbedingungen;
eine Einrichtung zum Herausfinden der Konturen des Grenzwertes für die Verteilung der latenten bildbildenden Intensität; und
eine Einrichtung zur Berechnung des durch die Konturen als das Übertragungsbild definierten Musters.

69. Vorrichtung zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß Anspruch 65, wobei die Verformungseinrichtung die Grenzlinien des Maskenmusters nahe des Auswertungspunktes um exakt die Größe für jeden Auswertungspunkt verglichene der Differenz, multipliziert mit einem bestimmten Koeffizient in einer umgekehrten Richtung zu der Differenz bewegt.

70. Vorrichtung zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß Anspruch 65, wobei der Koeffizient größer als 0 und kleiner als 1 ist.

71. Vorrichtung zur Korrektur eines Maskenmusters, wobei das Maskenmuster einer in einem Photolithographieverfahren verwendeten Photomaske ausgebildet ist, so zu deformieren, um ein Übertragungsbild angenähert einem gewünschten Designmuster zu ergeben;
wobei das Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters die Schritte aufweist:
einen Auswertungspunkt-Anordnungsschritt zur Anordnung mehrerer Auswertungspunkte entlang dem Außenrand des gewünschten Designmusters;
einen Simulationsschritt zur Simulation eines Übertragungsbildes, das bei der Belichtung unter festgelegten Übertragungsbedingungen unter Verwendung einer Photomaske eines Designmusters mit Auswertungspunkten erhalten wird;
einen Vergleichsschritt zum Vergleich der Differenz zwischen dem simulierten Übertragungsbild und dem Designmuster für jeden Auswertungspunkt; und
einen Verformungsschritt zur Verformung des Designmusters in Übereinstimmung mit den für jeden Auswertungspunkt verglichenen Differenzen so daß die Differenzen kleiner werden,
wobei in dem Auswertungspunkt-Anordnungsschritt die Auswertungspunkte an den Ecken des Designmusters angeordnet werden mit Ausnahme von Ecken des Musters benachbart zu Seiten, die kleiner als eine festgelegte Länge sind, die Auswertungspunkte in relativ großen Abständen an den Enden, die kleinen Seiten als eine festgelegte Länge benachbart sind, an Seiten des Musters, die länger als eine festgelegte Länge sind, hinzugefügt werden und die Auswertungspunkte in festgelegten Abständen an den Seiten des Musters, die größer als die festgelegte Länge sind, angeordnet werden.

72. Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß Anspruch 71, wobei das in dem Verformungsschritt verformte Designmuster verwendet wird, wenigstens einmal das Verfahren von dem Simulationsschritt zu dem Verformungsschritt zu wiederholen.

73. Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß Anspruch 71 oder 72, wobei in dem Simulationsschritt Übertragungsbilder unter verschiedenen Übertragungsbedingungen basierend auf Kombinationen von mehreren Belichtungsmengen festgelegter Belichtungsbereiche und mehrerer Brennpunktpositionen innerhalb eines festgelegten Bereiches von Schärfentiefen berechnet werden, um mehrere Übertragungsbilder zu erhalten;
in dem Vergleichsschritt der Vergleich der Differenz mit dem Designmuster für jeden Auswertungspunkt für jedes der mehreren Übertragungsmuster ausgeführt wird, um mehrere der Differenzen für jeden Auswertungspunkt zu berechnen; und
in dem Verformungsschritt die Verformung für das Designmuster so ausgeführt wird, daß mehrere der Differenzen für jeden Auswertungspunkt um ein festgelegtes Kriterium kleiner werden.

74. Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß einem der Ansprüche 71 bis 73, wobei in dem Simulationsschritt die Berechnung für eine zweidimensionale Lichtintensität auf einem Substrat basierend auf dem Designmuster und von Belichtungsbedingungen ausgeführt wird;
die Berechnung und kumulative Addition für die Effekte der Belichtungsenergie jeder bekannten Position auf der zweidimensionalen Ebene des Substrates durch die Lichtintensität an mehreren Positionen, die diese jede festgehaltene Position umgibt basierend auf der Lichtintensität an der umgebenden Position und der Entfernung zwischen der bekannten Position und der umgebenden Position ausgeführt wird, um die latente bildbildende Intensität entsprechend der Belichtungsmenge und den Entwicklungsbedingungen zu berechnen;
das Herausfinden für die Konturen des Grenzwertes für die Verteilung der latenten bildbildenden Intensität ausgeführt wird; und
die Berechnung für das durch die Konturen als das Übertragungsbild definierte Muster ausgeführt wird.

75. Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß einem der Ansprüche 71 bis 74, wobei in dem Verformungsschritt die Grenzlinie des Maskenmusters nahe der Auswertungspunkte um exakt die Größe der für jeden Auswertungspunkt verglichenen Differenz, multipliziert mit einem gewissen Koeffizient in einer umgekehrten Richtung zu der Differenz bewegt wird.

76. Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß Anspruch 75, wobei der Koeffizient größer als 0 und kleiner als 1 ist.

77. Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß einem der Ansprüche 71, wobei in dem Auswertungspunkt-Anordnungsschritt mehrere Auswertungspunkte entlang der Außenseite des gewünschten Designmusters angeordnet werden und Zielpunkte getrennt von den Auswertungspunkten an festgelegten Auswertungspunkten eingestellt werden;
in dem Vergleichsschritt der Vergleich für jeden Auswertungspunkt ausgeführt wird, die Differenz zwischen dem simulierten Übertragungsbild und dem Designmuster an Positionen bestimmt wird, wo nur die Auswertungspunkte eingestellt sind und der Vergleich für die Differenz zwischen den Zielpunkten und dem Übertragungsbild an Positionen ausgeführt wird, wo die Zielpunkte eingestellt sind; und
in dem Verformungsschritt das Designmuster in Übereinstimmung mit der für jeden Auswertungspunkt oder jeden Zielpunkt verglichenen Differenz verformt wird, so daß die Differenz kleiner wird.

78. Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß Anspruch 77, wobei die Zielpunkte entsprechend den Auswertungspunkten positioniert an den hervorstehenden Ecken oder ausgenommenen Ecken des Designmusters eingestellt werden, die Zielpunkte an der Innenseite der Ecken der hervorstehenden Ecken bestimmt werden und die Zielpunkte an der Außenseite der Ecken an den ausgenommenen Ecken bestimmt werden.

79. Vorrichtung zur Korrektur eines Maskenmusters, wobei das Maskenmuster einer in einem Photolithographieschritt verwendeten Maske ausgebildet ist, so zu verformen, um ein Übertragungsbild angenähert einem gewünschten Designmuster zu ergeben, wobei die Korrekturvorrichtung aufweist:
eine Auswertungspunkt-Anordnungseinrichtung zur Anordnung von mehreren Auswertungspunkten entlang der Außenseite des gewünschten Designmusters;
eine Simulationseinrichtung zur Simulation eines Übertragungsbildes, das bei der Belichtung unter festgelegten Übertragungsbedingungen unter Verwendung einer Photomaske eines Designmusters mit Auswertungspunkten erhalten wird;
eine Vergleichseinrichtung zum Vergleich der Differenz zwischen dem simulierten Übertragungsbild und dem Designmuster für jeden Auswertungspunkt; und
eine Verformungseinrichtung zur Verformung des Designmusters in Übereinstimmung mit den für jeden Auswertungspunkt verglichenen Differenzen so daß die Differenzen kleiner werden;
wobei die Auswertungspunkt-Anordnungseinrichtung die Auswertungspunkte an den Ecken des Designmusters mit Ausnahme von Ecken des Musters benachbarter Seiten, die kleiner als eine festgelegte Länge sind, anordnet, die Auswertungspunkte in relativ großen Abständen an den Enden nahe den Seiten, die kleiner als eine festgelegte Länge an Seiten des Musters, die größer als eine festgelegte Länge sind, hinzufügt und Auswertungspunkte in festgelegten Abständen an den Seiten des Musters anordnet, die länger als die festgelegte Länge sind.

80. Vorrichtung zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß Anspruch 79, wobei ein durch die Verformungseinrichtung verformtes Designmuster zur wenigstens einmaligen Wiederholung des Verfahrens von dem Simulationsschritt bis zu dem Verformungsschritt verwendet wird.

81. Vorrichtung zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß Anspruch 79 oder 80, wobei die Simulationseinrichtung eine Einrichtung zur Simulation von Übertragungsbildern unter mehreren der Übertragungsbedingungen basierend auf Kombinationen von mehreren Belichtungsmengen von festgelegten Belichtungsbereichen und einer Mehrzahl von Brennpunktpositionen innerhalb eines festgelegten Bereiches von Schärfentiefen aufweist, um mehrere Übertragungsbilder zu erhalten;
die Vergleichseinrichtung eine Einrichtung zum Vergleich der Differenz mit dem Designmuster für jeden Auswertungspunkt für jede der mehreren Übertragungsmuster aufweist, um mehrere der Differenzen für jeden Auswertungspunkt zu berechnen; und
wobei die Verformungseinrichtung eine Einrichtung zur Verformung des Designmusters derart aufweist, daß die mehreren Differenzen für jeden Auswertungspunkt um ein festgelegtes Kriterium kleiner werden.

82. Vorrichtung zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß einem der Ansprüche 79 bis 81, wobei die Simulationseinrichtung aufweist:
eine Einrichtung zur Berechnung einer zweidimensionalen Lichtintensität auf einem Substrat basierend auf dem Designmuster und Belichtungsbedingungen;
eine Einrichtung zur Berechnung und kumulativen Addition der Effekte auf die Bestrahlungsenergie jeder bekannten Position auf der zweidimensionalen Ebene auf dem Substrat durch die Lichtintensität an mehreren der Positionen, die jede bekannte Position umgeben basierend auf der Lichtintensität an den umgebenden Positionen und der Distanz zwischen der genannten Position und den umgebenden Positionen, um die latente bildbildende Intensität an jeder genannten Position zu berechnen;
eine Einrichtung zur Auffindung der Verteilung der latenten bildbildenden Intensität in der zweidimensionalen Ebene des Substrates;
eine Einrichtung zur Bestimmung des Grenzwertes der latente bildbildenden Intensität entsprechend der Belichtungsmenge und der Entwicklungsbedingungen;
eine Einrichtung zum Herausfinden der Konturen des Grenzwertes für die Verteilung der latenten bildbildenden Intensität; und
eine Einrichtung zur Berechnung des durch die Konturen als das Übertragungsbild definierten Musters.

83. Vorrichtung zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß Anspruch 79, wobei die Verformungseinrichtung die Grenzlinien des Maskenmusters nahe des Auswertungspunktes um exakt die Größe der für jeden Auswertungspunkt verglichenen Differenz, multipliziert mit einem bestimmten Koeffizient in einer umgekehrten Richtung zu der Differenz bewegt.

84. Vorrichtung zur Korrektur eines Maskenmusters gemäß Anspruch 83, wobei der Koeffizient größer als 0 und kleiner als 1 ist.

85. Photomaske aufweisend ein Maskenmuster, das mittels des Verfahrens zur Korrektur eines Maskenmusters korrigiert wurde, wobei das Maskenmuster einer Photomaske, die in einem Lithographieverfahren verwendet wird, ausgebildet ist, so zu verformen, um ein Übertragungsbild angenähert einem gewünschten Designmuster zu ergeben;
wobei das Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters die Schritte aufweist:
einen Auswertungspunkt-Anordnungsschritt zur Anordnung mehrerer Auswertungspunkte entlang der Außenseite des gewünschten Designmusters;
einen Simulationsschritt zur Simulation eines Übertragungsbildes, das bei der Belichtung unter festgelegten Übertragungsbedingungen unter Verwendung einer Photomaske eines Designmusters mit Auswertungspunkten erhalten wird;
einen Vergleichsschritt zum Vergleich der Differenz zwischen dem simulierten Übertragungsbild und dem Designmuster für jeden Auswertungspunkt; und
einen Verformungsschritt zur Verformung des Designmusters in Übereinstimmung mit den für jeden Auswertungspunkt verglichenen Differenzen so daß die Differenzen kleiner werden,
wobei in dem Auswertungspunkt-Anordnungsschritt die Auswertungspunkte an den Ecken des gewünschten Designmusters angeordnet werden und die Auswertungspunkte an festgelegten Abständen an den Seiten des Musters angeordnet werden.

86. Photomaske aufweisend ein Maskenmuster, das mittels des Verfahrens zur Korrektur eines Maskenmusters korrigiert wurde, wobei das Maskenmuster einer Photomaske, die in einem Lithographieverfahren verwendet wird, ausgebildet ist, so zu verformen, um ein Übertragungsbild angenähert einem gewünschten Designmuster zu ergeben;
wobei das Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters die Schritte aufweist:
einen Auswertungspunkt-Anordnungsschritt zur Anordnung mehrerer Auswertungspunkte entlang der Außenseite des gewünschten Designmusters;
einen Simulationsschritt zur Simulation eines Übertragungsbildes, das bei der Belichtung unter festgelegten Übertragungsbedingungen unter Verwendung einer Photomaske eines Designmusters mit Auswertungspunkten erhalten wird;
einen Vergleichsschritt zum Vergleich der Differenz zwischen dem simulierten Übertragungsbild und dem Designmuster für jeden Auswertungspunkt; und
einen Verformungsschritt zur Verformung des Designmusters in Übereinstimmung mit den für jeden Auswertungspunkt verglichenen Differenzen so daß die Differenzen kleiner werden,
wobei in dem Auswertungspunkt-Anordnungsschritt die Auswertungspunkte an den Ecken des gewünschten Designmusters angeordnet werden, eine festgelegte Anzahl von Auswertungspunkten an festgelegten schmalen Abständen von den Ecken an den Seiten des Musters hinzugefügt werden und die Auswertungspunkte in festgelegten breiten Abständen an den verbleibenden Abschnitten der Seiten weg von den Ecken angeordnet werden.

87. Photomaske aufweisend ein Maskenmuster, das mittels des Verfahrens zur Korrektur eines Maskenmusters korrigiert wurde, wobei das Maskenmuster einer Photomaske, die in einem Lithographieverfahren verwendet wird, ausgebildet ist, so zu verformen, um ein Übertragungsbild angenähert einem gewünschten Designmuster zu ergeben;
wobei das Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters die Schritte aufweist:
einen Auswertungspunkt-Anordnungsschritt zur Anordnung mehrerer Auswertungspunkte entlang der Außenseite des gewünschten Designmusters;
einen Simulationsschritt zur Simulation eines Übertragungsbildes, das bei der Belichtung unter festgelegten Übertragungsbedingungen unter Verwendung einer Photomaske eines Designmusters mit Auswertungspunkten erhalten wird;
einen Vergleichsschritt zum Vergleich der Differenz zwischen dem simulierten Übertragungsbild und dem Designmuster für jeden Auswertungspunkt; und
einen Verformungsschritt zur Verformung des Designmusters in Übereinstimmung mit den für jeden Auswertungspunkt verglichenen Differenzen so daß die Differenzen kleiner werden,
wobei in dem Auswertungspunkt-Anordnungsschritt die Auswertungspunkte nicht an den kleinen Seiten des Designmusters, die eine geringere als eine festgelegte Länge aufweisen hinzugefügt werden, die Auswertungspunkte nicht an den Ecken nahe der kleinen Seiten hinzugefügt werden und die Auswertungspunkte in festgelegten Abständen an den anderen Ecken und Seiten angeordnet werden.

88. Photomaske aufweisend ein Maskenmuster, das mittels des Verfahrens zur Korrektur eines Maskenmusters korrigiert wurde, wobei das Maskenmuster einer Photomaske, die in einem Lithographieverfahren verwendet wird, ausgebildet ist, so zu verformen, um ein Übertragungsbild angenähert einem gewünschten Designmuster zu ergeben;
wobei das Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters die Schritte aufweist:
einen Auswertungspunkt-Anordnungsschritt zur Anordnung mehrerer Auswertungspunkte entlang der Außenseite des gewünschten Designmusters;
einen Simulationsschritt zur Simulation eines Übertragungsbildes, das bei der Belichtung unter festgelegten Übertragungsbedingungen unter Verwendung einer Photomaske eines Designmusters mit Auswertungspunkten erhalten wird;
einen Vergleichsschritt zum Vergleich der Differenz zwischen dem simulierten Übertragungsbild und dem Designmuster für jeden Auswertungspunkt; und
einen Verformungsschritt zur Verformung des Designmusters in Übereinstimmung mit den für jeden Auswertungspunkt verglichenen Differenzen so daß die Differenzen kleiner werden,
wobei bei dem Auswertungspunkt-Anordnungsschritt die Auswertungspunkte an den Ecken des Designmusters nicht an den Grenzen von festgelegten Wiederholungsbereichen angeordnet sind und die Auswertungspunkte in festgelegten Abständen an den Seiten des Musters nicht an den Grenzen von festgelegten Wiederholungsbereichen angeordnet werden.

89. Photomaske aufweisend ein Maskenmuster, das mittels des Verfahrens zur Korrektur eines Maskenmusters korrigiert wurde, wobei das Maskenmuster einer Photomaske, die in einem Lithographieverfahren verwendet wird, ausgebildet ist, so zu verformen, um ein Übertragungsbild angenähert einem gewünschten Designmuster zu ergeben;
wobei das Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters die Schritte aufweist:
einen Auswertungspunkt-Anordnungsschritt zur Anordnung mehrerer Auswertungspunkte entlang der Außenseite des gewünschten Designmusters;
einen Simulationsschritt zur Simulation eines Übertragungsbildes, das bei der Belichtung unter festgelegten Übertragungsbedingungen unter Verwendung einer Photomaske eines Designmusters mit Auswertungspunkten erhalten wird;
einen Vergleichsschritt zum Vergleich der Differenz zwischen dem simulierten Übertragungsbild und dem Designmuster für jeden Auswertungspunkt; und
einen Verformungsschritt zur Verformung des Designmusters in Übereinstimmung mit den für jeden Auswertungspunkt verglichenen Differenzen so daß die Differenzen kleiner werden,
wobei in dem Auswertungspunkt-Anordnungsschritt die Auswertungspunkte an den Ecken des Designmusters angeordnet werden, die Auswertungspunkte an den im wesentlichen Mittelpunkten der kurzen Seiten des Muster angeordnet werden, die kleiner als eine festgelegte Breite sind und die Auswertungspunkte in festgelegten Abständen an den anderen Seiten des Musters angeordnet werden.

90. Photomaske aufweisend ein Maskenmuster, das mittels des Verfahrens zur Korrektur eines Maskenmusters korrigiert wurde, wobei das Maskenmuster einer Photomaske, die in einem Lithographieverfahren verwendet wird, ausgebildet ist, so zu verformen, um ein Übertragungsbild angenähert einem gewünschten Designmuster zu ergeben;
wobei das Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters die Schritte aufweist:
einen Auswertungspunkt-Anordnungsschritt zur Anordnung mehrerer Auswertungspunkte entlang der Außenseite des gewünschten Designmusters;
einen Simulationsschritt zur Simulation eines Übertragungsbildes, das bei der Belichtung unter festgelegten Übertragungsbedingungen unter Verwendung einer Photomaske eines Designmusters mit Auswertungspunkten erhalten wird;
einen Vergleichsschritt zum Vergleich der Differenz zwischen dem simulierten Übertragungsbild und dem Designmuster für jeden Auswertungspunkt; und
einen Verformungsschritt zur Verformung des Designmusters in Übereinstimmung mit den für jeden Auswertungspunkt verglichenen Differenzen so daß die Differenzen kleiner werden,
wobei in dem Auswertungspunkt-Anordnungsschritt die Auswertungspunkte an den Ecken des Designmusters angeordnet werden, mit Ausnahme der Ecken des Musters benachbart den Seiten, die kürzer als eine festgelegte Länge sind, die Auswertungspunkte in relativ großen Abständen an den Enden benachbart den Seiten, die kleiner als eine festgelegte Länge sind an Seiten des Musters, die länger als eine festgelegte Länge sind, hinzugefügt werden und die Auswertungspunkte in festgelegten Abständen an den Seiten des Musters, die länger als die festgelegte Länge sind, angeordnet werden.

91. Belichtungsverfahren zur Ausführung einer Belichtung unter Verwendung einer Photomaske mit einem Maskenmuster, das mittels des Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters korrigiert wurde, wobei das Maskenmuster der in einem Photolithographieverfahren verwendeten Photomaske ausgebildet ist, derart zu verformen, um ein Übertragungsbild angenähert einem gewünschten Designmuster zu ergeben;
wobei das Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters die Schritte aufweist:
einen Auswertungspunkt-Anordnungsschritt zur Anordnung mehrerer Auswertungspunkte entlang der Außenseite des gewünschten Designmusters;
einen Simulationsschritt zur Simulation eines Übertragungsbildes, das bei der Belichtung unter festgelegten Übertragungsbedingungen unter Verwendung einer Photomaske eines Designmusters mit Auswertungspunkten erhalten wird;
einen Vergleichsschritt zum Vergleich der Differenz zwischen dem simulierten Übertragungsbild und dem Designmuster für jeden Auswertungspunkt; und
einen Verformungsschritt zur Verformung des Designmusters in Übereinstimmung mit den für jeden Auswertungspunkt verglichenen Differenzen so daß die Differenzen kleiner werden,
wobei in dem Auswertungspunkt-Anordnungsschritt die Auswertungspunkte an den Ecken des gewünschten Designmusters angeordnet sind und die Auswertungspunkte in festgelegten Abständen an den Seiten des Musters angeordnet werden.

92. Belichtungsverfahren zur Ausführung einer Belichtung unter Verwendung einer Photomaske mit einem Maskenmuster, das mittels des Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters korrigiert wurde, wobei das Maskenmuster der in einem Photolithographieverfahren verwendeten Photomaske ausgebildet ist, derart zu verformen, um ein Übertragungsbild angenähert einem gewünschten Designmuster zu ergeben;
wobei das Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters die Schritte aufweist:
einen Auswertungspunkt-Anordnungsschritt zur Anordnung mehrerer Auswertungspunkte entlang der Außenseite des gewünschten Designmusters;
einen Simulationsschritt zur Simulation eines Übertragungsbildes, das bei der Belichtung unter festgelegten Übertragungsbedingungen unter Verwendung einer Photomaske eines Designmusters mit Auswertungspunkten erhalten wird;
einen Vergleichsschritt zum Vergleich der Differenz zwischen dem simulierten Übertragungsbild und dem Designmuster für jeden Auswertungspunkt; und
einen Verformungsschritt zur Verformung des Designmusters in Übereinstimmung mit den für jeden Auswertungspunkt verglichenen Differenzen so daß die Differenzen kleiner werden,
wobei in dem Auswertungspunkt-Anordnungsschritt die Auswertungspunkte an den Ecken des gewünschten Designmusters angeordnet werden, eine festgelegte Anzahl von Auswertungspunkten an festgelegten schmalen Abständen von den Ecken an den Seiten des Musters hinzugefügt werden und die Auswertungspunkte in festgelegten breiten Abständen an den verbleibenden Abschnitten der Seiten weg von den Ecken angeordnet werden.

93. Belichtungsverfahren zur Ausführung einer Belichtung unter Verwendung einer Photomaske mit einem Maskenmuster, das mittels des Verfahrens zur Korrektur eines Maskenmusters korrigiert wurde, wobei das Maskenmuster der in einem Photolithographieverfahren verwendeten Photomaske ausgebildet ist, derart zu verformen, um ein Übertragungsbild angenähert einem gewünschten Designmuster zu ergeben;
wobei das Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters die Schritte aufweist:
einen Auswertungspunkt-Anordnungsschritt zur Anordnung mehrerer Auswertungspunkte entlang der Außenseite des gewünschten Designmusters;
einen Simulationsschritt zur Simulation eines Übertragungsbildes, das bei der Belichtung unter festgelegten Übertragungsbedingungen unter Verwendung einer Photomaske eines Designmusters mit Auswertungspunkten erhalten wird;
einen Vergleichsschritt zum Vergleich der Differenz zwischen dem simulierten Übertragungsbild und dem Designmuster für jeden Auswertungspunkt; und
einen Verformungsschritt zur Verformung des Designmusters in Übereinstimmung mit den für jeden Auswertungspunkt verglichenen Differenzen so daß die Differenzen kleiner werden,
wobei in dem Auswertungspunkt-Anordnungsschritt die Auswertungspunkte nicht an den kleinen Seiten des Designmusters mit geringeren als den festgelegten Längen hinzugefügt werden, die Auswertungspunkte nicht an den Ecken nahe den kleinen Seiten hinzugefügt werden und die Auswertungspunkte in festgelegten Abständen an den anderen Ecken und Seiten angeordnet sind.

94. Belichtungsverfahren zur Ausführung einer Belichtung unter Verwendung einer Photomaske mit einem Maskenmuster, das mittels des Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters korrigiert wurde, wobei das Maskenmuster der in einem Photolithographieverfahren verwendeten Photomaske ausgebildet ist, derart zu verformen, um ein Übertragungsbild angenähert einem gewünschten Designmuster zu ergeben;
wobei das Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters die Schritte aufweist:
einen Auswertungspunkt-Anordnungsschritt zur Anordnung mehrerer Auswertungspunkte entlang der Außenseite des gewünschten Designmusters;
einen Simulationsschritt zur Simulation eines Übertragungsbildes, das bei der Belichtung unter festgelegten Übertragungsbedingungen unter Verwendung einer Photomaske eines Designmusters mit Auswertungspunkten erhalten wird;
einen Vergleichsschritt zum Vergleich der Differenz zwischen dem simulierten Übertragungsbild und dem Designmuster für jeden Auswertungspunkt; und
einen Verformungsschritt zur Verformung des Designmusters in Übereinstimmung mit den für jeden Auswertungspunkt verglichenen Differenzen so daß die Differenzen kleiner werden,
wobei in dem Auswertungspunkt-Anordnungsschritt die Auswertungspunkte an den Ecken des Designmusters nicht an den Grenzen festgelegter Wiederholungsbereiche angeordnet werden und die Auswertungspunkte in festgelegten Abständen an den Seiten des Musters nicht an den Grenzen festgelegter Wiederholungsbereiche angeordnet werden.

95. Belichtungsverfahren zur Ausführung einer Belichtung unter Verwendung einer Photomaske mit einem Maskenmuster, das mittels des Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters korrigiert wurde, wobei das Maskenmuster der in einem Photolithographieverfahren verwendeten Photomaske ausgebildet ist, derart zu verformen, um ein Übertragungsbild angenähert einem gewünschten Designmuster zu ergeben;
wobei das Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters die Schritte aufweist:
einen Auswertungspunkt-Anordnungsschritt zur Anordnung mehrerer Auswertungspunkte entlang der Außenseite des gewünschten Designmusters;
einen Simulationsschritt zur Simulation eines Übertragungsbildes, das bei der Belichtung unter festgelegten Übertragungsbedingungen unter Verwendung einer Photomaske eines Designmusters mit Auswertungspunkten erhalten wird;
einen Vergleichsschritt zum Vergleich der Differenz zwischen dem simulierten Übertragungsbild und dem Designmuster für jeden Auswertungspunkt; und
einen Verformungsschritt zur Verformung des Designmusters in Übereinstimmung mit den für jeden Auswertungspunkt verglichenen Differenzen so daß die Differenzen kleiner werden,
wobei in dem Auswertungspunkt-Anordnungsschritt die Auswertungspunkte an den Ecken des Designmusters angeordnet werden, die Auswertungspunkte an im wesentlichen den Mittelpunkten der kurzen Seiten des Musters angeordnet werden, die kleiner als eine festgelegte Breite sind und die Auswertungspunkte in festgelegten Abständen an den anderen Seiten des Musters angeordnet werden.

96. Belichtungsverfahren zur Ausführung einer Belichtung unter Verwendung einer Photomaske mit einem Maskenmuster, das mittels des Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters korrigiert wurde, wobei das Maskenmuster der in einem Photolithographieverfahren verwendeten Photomaske ausgebildet ist, derart zu verformen, um ein Übertragungsbild angenähert einem gewünschten Designmuster zu ergeben;
wobei das Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters die Schritte aufweist:
einen Auswertungspunkt-Anordnungsschritt zur Anordnung mehrerer Auswertungspunkte entlang der Außenseite des gewünschten Designmusters;
einen Simulationsschritt zur Simulation eines Übertragungsbildes, das bei der Belichtung unter festgelegten Übertragungsbedingungen unter Verwendung einer Photomaske eines Designmusters mit Auswertungspunkten erhalten wird;
einen Vergleichsschritt zum Vergleich der Differenz zwischen dem simulierten Übertragungsbild und dem Designmuster für jeden Auswertungspunkt; und
einen Verformungsschritt zur Verformung des Designmusters in Übereinstimmung mit den für jeden Auswertungspunkt verglichenen Differenzen so daß die Differenzen kleiner werden,
wobei in dem Auswertungspunkt-Anordnungsschritt die Auswertungspunkte an den Ecken des Designmusters angeordnet sind mit Ausnahme von Ecken des Musters benachbart zu Seiten, die kürzer als eine festgelegte Länge sind, die Auswertungspunkte in relativ großen Abständen an den Enden benachbart den Seiten, die kürzer als eine festgelegte Länge sind an Seiten des Musters, die länger als eine festgelegte Länge sind, hinzugefügt werden und die Auswertungspunkte in festgelegten Abständen an den Seiten des Musters angeordnet werden, die länger als die festgelegte Länge sind.

97. Vorrichtung zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung, aufweisend:
eine Vorrichtung zur Korrektur eines Maskenmusters, wobei das Maskenmuster einer in einem Lithographieverfahren verwendeten Photomaske ausgebildet ist, so zu verformen, um ein Übertragungsbild angenähert einem gewünschten Designmuster zu ergeben, wobei die Korrekturvorrichtung aufweist:
eine Auswertungspunkt-Anordnungseinrichtung zur Anordnung von mehreren Auswertungspunkten entlang der Außenseite des gewünschten Designmusters; eine Simulationseinrichtung zur Simulation eines bei Belichtung unter festgelegten Übertragungsbedingungen unter Verwendung einer Photomaske eines Designmusters mit Auswertungspunkten erhaltenen Übertragungsbildes;
eine Vergleichseinrichtung zum Vergleich der Differenz zwischen dem simulierten Übertragungsbild und dem Designmuster für jeden Auswertungspunkt; und
eine Verformungseinrichtung zur Verformung des Designmusters in Übereinstimmung mit den für jeden Auswertungspunkt verglichenen Differenzen, so daß die Differenzen kleiner werden;
wobei die Auswertungspunkt-Anordnungseinrichtung die Auswertungspunkte an den Ecken des gewünschten Designmusters anordnet und die Auswertungspunkte in festgelegten Abständen an den Seiten des Musters anordnet und;
eine Belichtungseinrichtung zur Ausführung einer Belichtung unter Verwendung einer Photomaske des durch die Korrekturvorrichtung korrigierten Maskenmusters.

98. Vorrichtung zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung, aufweisend:
eine Vorrichtung zur Korrektur eines Maskenmusters, wobei das Maskenmuster einer in einem Lithographieverfahren verwendeten Photomaske ausgebildet ist, so zu verformen, um ein Übertragungsbild angenähert einem gewünschten Designmuster zu ergeben, wobei die Korrekturvorrichtung aufweist:
eine Auswertungspunkt-Anordnungseinrichtung zur Anordnung von mehreren Auswertungspunkten entlang der Außenseite des gewünschten Designmuster;
eine Simulationseinrichtung zur Simulation eines bei Belichtung unter festgelegten Übertragungsbedingungen unter Verwendung einer Photomaske eines Designmusters mit Auswertungspunkten erhaltenen Übertragungsbildes;
eine Vergleichseinrichtung zum Vergleich der Differenz zwischen dem simulierten Übertragungsbild und dem Designmuster für jeden Auswertungspunkt; und
eine Verformungseinrichtung zur Verformung des Designmusters in Übereinstimmung mit den für jeden Auswertungspunkt verglichenen Differenzen, so daß die Differenzen kleiner werden;
wobei die Auswertungspunkt-Anordnungseinrichtung die Auswertungspunkte an den Ecken des gewünschten Designmusters anordnet, eine festgelegte Anzahl von Auswertungspunkten in festgelegten schmalen Abständen von den Ecken an den Seiten des Musters addiert und die Auswertungspunkte in festgelegten breiten Abständen an den verbleibenden Abschnitten der Seiten weg von den Ecken anordnet; und
eine Belichtungseinrichtung zur Ausführung einer Belichtung unter Verwendung einer Photomaske des durch die Korrekturvorrichtung korrigierten Maskenmusters.

99. Vorrichtung zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung, aufweisend:
eine Vorrichtung zur Korrektur eines Maskenmusters, wobei das Maskenmuster einer in einem Lithographieverfahren verwendeten Photomaske ausgebildet ist, so zu verformen, um ein Übertragungsbild angenähert einem gewünschten Designmuster zu ergeben, wobei die Korrekturvorrichtung aufweist:
eine Auswertungspunkt-Anordnungseinrichtung zur Anordnung von mehreren Auswertungspunkten entlang der Außenseite des gewünschten Designmusters;
eine Simulationseinrichtung zur Simulation eines bei Belichtung unter festgelegten Übertragungsbedingungen unter Verwendung einer Photomaske eines Designmusters mit Auswertungspunkten erhaltenen Übertragungsbildes;
eine Vergleichseinrichtung zum Vergleich der Differenz zwischen dem simulierten Übertragungsbild und dem Designmuster für jeden Auswertungspunkt; und
eine Verformungseinrichtung zur Verformung des Designmusters in Übereinstimmung mit den für jeden Auswertungspunkt verglichenen Differenzen, so daß die Differenzen kleiner werden;
wobei die Auswertungspunkt-Anordnungseinrichtung nicht Auswertungspunkte an den kleinen Seiten des Designmusters hinzufügt, die weniger als die festgelegte Länge aufweisen, nicht Auswertungspunkte an den Ecken nahe den kleinen Seiten hinzugefügt und die Auswertungspunkte in festgelegten Abständen an den anderen Ecken und Seiten anordnet; und
eine Belichtungseinrichtung zur Ausführung einer Belichtung unter Verwendung einer Photomaske des durch die Korrekturvorrichtung korrigierten Maskenmusters.

100. Vorrichtung zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung, aufweisend:
eine Vorrichtung zur Korrektur eines Maskenmusters, wobei das Maskenmuster einer in einem Lithographieverfahren verwendeten Photomaske ausgebildet ist, so zu verformen, um ein Übertragungsbild angenähert einem gewünschten Designmuster zu ergeben, wobei die Korrekturvorrichtung aufweist:
eine Auswertungspunkt-Anordnungseinrichtung zur Anordnung von mehreren Auswertungspunkten entlang der Außenseite des gewünschten Designmusters;
eine Simulationseinrichtung zur Simulation eines bei Belichtung unter festgelegten Übertragungsbedingungen unter Verwendung einer Photomaske eines Designmusters mit Auswertungspunkten erhaltenen Übertragungsbildes;
eine Vergleichseinrichtung zum Vergleich der Differenz zwischen dem simulierten Übertragungsbild und dem Designmuster für jeden Auswertungspunkt; und
eine Verformungseinrichtung zur Verformung des Designmusters in Übereinstimmung mit den für jeden Auswertungspunkt verglichenen Differenzen, so daß die Differenzen kleiner werden;
wobei die Auswertungspunkt-Anordnungseinrichtung die Auswertungspunkte an den Ecken des Designmusters nicht an den Grenzen festgelegter Wiederholungsbereiche anordnet und die Auswertungspunkte in festgelegten Abständen an den Seiten des Musters nicht an den Grenzen festgelegter Wiederholungsbereiche anordnet; und
eine Belichtungseinrichtung zur Ausführung einer Belichtung unter Verwendung einer Photomaske des durch die Korrekturvorrichtung korrigierten Maskenmusters.

101. Vorrichtung zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung, aufweisend:
eine Vorrichtung zur Korrektur eines Maskenmusters, wobei das Maskenmuster einer in einem Lithographieverfahren verwendeten Photomaske ausgebildet ist, so zu verformen, um ein Übertragungsbild angenähert einem gewünschten Designmuster zu ergeben, wobei die Korrekturvorrichtung aufweist:
eine Auswertungspunkt-Anordnungseinrichtung zur Anordnung von mehreren Auswertungspunkten entlang der Außenseite des gewünschten Designmusters;
eine Simulationseinrichtung zur Simulation eines bei Belichtung unter festgelegten Übertragungsbedingungen unter Verwendung einer Photomaske eines Designmusters mit Auswertungspunkten erhaltenen Übertragungsbildes;
eine Vergleichseinrichtung zum Vergleich der Differenz zwischen dem simulierten Übertragungsbild und dem Designmuster für jeden Auswertungspunkt; und
eine Verformungseinrichtung zur Verformung des Designmusters in Übereinstimmung mit den für jeden Auswertungspunkt verglichenen Differenzen, so daß die Differenzen kleiner werden;
wobei die Auswertungspunkt-Anordnungseinrichtung die Auswertungspunkte an den Ecken des Designmusters anordnet, die Auswertungspunkte an im wesentlichen den Mittelpunkten der kurzen Seiten des Musters, die kleiner als eine festgelegte Breite sind, hinzufügt und die Auswertungspunkte mit festgelegten Abständen an den anderen Seiten des Musters anordnet; und
eine Belichtungseinrichtung zur Ausführung einer Belichtung unter Verwendung einer Photomaske des durch die Korrekturvorrichtung korrigierten Maskenmusters.

102. Vorrichtung zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung, aufweisend:
eine Vorrichtung zur Korrektur eines Maskenmusters, wobei das Maskenmuster einer in einem Lithographieverfahren verwendeten Photomaske ausgebildet ist, so zu verformen, um ein Übertragungsbild angenähert einem gewünschten Designmuster zu ergeben, wobei die Korrekturvorrichtung aufweist:
eine Auswertungspunkt-Anordnungseinrichtung zur Anordnung von mehreren Auswertungspunkten entlang der Außenseite des gewünschten Designmusters;
eine Simulationseinrichtung zur Simulation eines bei Belichtung unter festgelegten Übertragungsbedingungen unter Verwendung einer Photomaske eines Designmusters mit Auswertungspunkten erhaltenen Übertragungsbildes;
eine Vergleichseinrichtung zum Vergleich der Differenz zwischen dem simulierten Übertragungsbild und dem Designmuster für jeden Auswertungspunkt; und
eine Verformungseinrichtung zur Verformung des Designmusters in Übereinstimmung mit den für jeden Auswertungspunkt verglichenen Differenzen, so daß die Differenzen kleiner werden;
wobei die Auswertungspunkt-Anordnungseinrichtung die Auswertungspunkte an den Ecken des Designmusters anordnet mit Ausnahme der Ecken des Musters benachbart zu Seiten, die kurzer als eine festgelegte Länge sind, die Auswertungspunkte mit relativ großen Abständen an den Enden benachbart den Seiten, die kürzer als eine festgelegte Länge sind, an Seiten des Musters, die länger als eine festgelegte Länge sind, hinzufügt, und die Auswertungspunkte in festgelegten Abständen an den Seiten des Musters anordnet, die länger als die festgelegte Länge sind; und
eine Belichtungseinrichtung zur Ausführung einer Belichtung unter Verwendung einer Photomaske des durch die Korrekturvorrichtung korrigierten Maskenmusters.

103. Halbleitervorrichtung hergestellt durch Photolithographie unter Verwendung einer Photomaske mit einem durch das Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters korrigierten Maskenmuster, wobei das Maskenmuster der in dem Photolithographieverfahren verwendeten Photomaske ausgebildet ist, so zu verformen, daß sich ein Übertragungsbild nahe einem gewünschten Designmuster ergibt,
wobei das Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters die Schritte aufweist:
einen Auswertungspunkt-Anordnungsschritt zur Anordnung von mehreren Auswertungspunkten entlang der Außenseite des gewünschten Designmusters; einen Simulationsschritt zur Simulation eines bei der Belichtung unter festgelegten Übertragungsbedingungen unter Verwendung einer Photomaske eines Designmusters mit Auswertungspunkten erhaltenen Übertragungsbildes; einen Vergleichsschritt zum Vergleich der Differenz zwischen dem simulierten Übertragungsbild und dem Designmuster für jeden Auswertungspunkt; und einen Verformungsschritt zur Verformung des Designmusters in Übereinstimmung mit der für jeden Auswertungspunkt verglichenen Differenz, so daß die Differenzen kleiner werden;
wobei in dem Auswertungspunkt-Anordnungsschritt die Auswertungspunkte an den Ecken des gewünschten Designmusters angeordnet werden und die Auswertungspunkte an festgelegten Abständen an den Seiten des Musters angeordnet werden.

104. Halbleitervorrichtung hergestellt durch Photolithographie unter Verwendung einer Photomaske mit einem durch das Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters korrigierten Maskenmuster, wobei das Maskenmuster der in dem Photolithographieverfahren verwendeten Photomaske ausgebildet ist, so zu verformen, daß sich ein Übertragungsbild angenähert einem gewünschten Designmuster ergibt,
wobei das Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters die Schritte aufweist:
einen Auswertungspunkt-Anordnungsschritt zur Anordnung von mehreren Auswertungspunkten entlang der Außenseite des gewünschten Designmusters;
einen Simulationsschritt zur Simulation eines bei der Belichtung unter festgelegten Übertragungsbedingungen unter Verwendung einer Photomaske eines Designmusters mit Auswertungspunkten erhaltenen Übertragungsbildes;
einen Vergleichsschritt zum Vergleich der Differenz zwischen dem simulierten Übertragungsbild und dem Designmuster für jeden Auswertungspunkt; und
einen Verformungsschritt zur Verformung des Designmusters in Übereinstimmung mit der für jeden Auswertungspunkt verglichenen Differenz, so daß die Differenzen kleiner werden;
wobei in dem Auswertungspunkt-Anordnungsschritt die Auswertungspunkte an den Ecken des gewünschten Designmusters angeordnet werden, eine festgelegte Anzahl von Auswertungspunkten an festgelegten schmalen Abständen von den Ecken an den Seiten des Musters hinzufügt werden und die Auswertungspunkte an festgelegten breiten Abständen an den verbleibenden Abschnitten der Seiten weg von den Ecken angeordnet werden.

105. Halbleitervorrichtung hergestellt durch Photolithographie unter Verwendung einer Photomaske mit einem durch das Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters korrigierten Maskenmuster, wobei das Maskenmuster der in dem Photolithographieverfahren verwendeten Photomaske ausgebildet ist, so zu verformen, daß sich ein Übertragungsbild angenähert einem gewünschten Designmuster ergibt,
wobei das Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters die Schritte aufweist:
einen Auswertungspunkt-Anordnungsschritt zur Anordnung von mehreren Auswertungspunkten entlang der Außenseite des gewünschten Designmusters;
einen Simulationsschritt zur Simulation eines bei der Belichtung unter festgelegten Übertragungsbedingungen unter Verwendung einer Photomaske eines Designmusters mit Auswertungspunkten erhaltenen Übertragungsbildes;
einen Vergleichsschritt zum Vergleich der Differenz zwischen dem simulierten Übertragungsbild und dem Designmuster für jeden Auswertungspunkt; und
einen Verformungsschritt zur Verformung des Designmusters in Übereinstimmung mit der für jeden Auswertungspunkt verglichenen Differenz, so daß die Differenzen kleiner werden;
wobei in dem Auswertungspunkt-Anordnungsschritt die Auswertungspunkte nicht an den kleinen Seiten des Designmusters, die eine kleinere als festgelegte Längen haben, hinzugefügt werden, die Auswertungspunkte nicht an den Ecken nahe den kleinen Seiten hinzugefügt werden und die Auswertungspunkte an festgelegten Abständen an den anderen Ecken und Seiten angeordnet werden.

106. Halbleitervorrichtung hergestellt durch Photolithographie unter Verwendung einer Photomaske mit einem durch das Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters korrigierten Maskenmuster, wobei das Maskenmuster der in dem Photolithographieverfahren verwendeten Photomaske ausgebildet ist, so zu verformen, daß sich ein Übertragungsbild angenähert einem gewünschten Designmuster ergibt,
wobei das Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters die Schritte aufweist:
einen Auswertungspunkt-Anordnungsschritt zur Anordnung von mehreren Auswertungspunkten entlang der Außenseite des gewünschten Designmusters;
einen Simulationsschritt zur Simulation eines bei der Belichtung unter festgelegten Übertragungsbedingungen unter Verwendung einer Photomaske eines Designmusters mit Auswertungspunkten erhaltenen Übertragungsbildes;
einen Vergleichsschritt zum Vergleich der Differenz zwischen dem simulierten Übertragungsbild und dem Designmuster für jeden Auswertungspunkt; und
einen Verformungsschritt zur Verformung des Designmusters in Übereinstimmung mit der für jeden Auswertungspunkt verglichenen Differenz, so daß die Differenzen kleiner werden;
wobei in dem Auswertungspunkt-Anordnungsschritt die Auswertungspunkte an den Ecken des Designmusters nicht an den Grenzen festgelegter Wiederholungsbereiche angeordnet werden und die Auswertungspunkte in festgelegten Abständen an den Seiten des Musters nicht an den Grenzen festgelegter Wiederholungsbereiche angeordnet werden.

107. Halbleitervorrichtung hergestellt durch Photolithographie unter Verwendung einer Photomaske mit einem durch das Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters korrigierten Maskenmuster, wobei das Maskenmuster der in dem Photolithographieverfahren verwendeten Photomaske ausgebildet ist, so zu verformen, daß sich ein Übertragungsbild angenähert einem gewünschten Designmuster ergibt,
wobei das Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters die Schritte aufweist:
einen Auswertungspunkt-Anordnungsschritt zur Anordnung von mehreren Auswertungspunkten entlang der Außenseite des gewünschten Designmusters;
einen Simulationsschritt zur Simulation eines bei der Belichtung unter festgelegten Übertragungsbedingungen unter Verwendung einer Photomaske eines Designmusters mit Auswertungspunkten erhaltenen Übertragungsbildes;
einen Vergleichsschritt zum Vergleich der Differenz zwischen dem simulierten Übertragungsbild und dem Designmuster für jeden Auswertungspunkt; und
einen Verformungsschritt zur Verformung des Designmusters in Übereinstimmung mit der für jeden Auswertungspunkt verglichenen Differenz, so daß die Differenzen kleiner werden;
wobei in dem Auswertungspunkt-Anordnungsschritt die Auswertungspunkte an den Ecken des Designmusters angeordnet werden, die Auswertungspunkte an den im wesentlichen Mittelpunkten der kurzen Seiten des Musters, die kürzer als eine festgelegte Breite sind, angeordnet werden und die Auswertungspunkte in festgelegten Abständen an den anderen Seiten des Musters angeordnet werden.

108. Halbleitervorrichtung hergestellt durch Photolithographie unter Verwendung einer Photomaske mit einem durch das Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters korrigierten Maskenmuster, wobei das Maskenmuster der in dem Photolithographieverfahren verwendeten Photomaske ausgebildet ist, so zu verformen, daß sich ein Übertragungsbild angenähert einem gewünschten Designmuster ergibt,
wobei das Verfahren zur Korrektur eines Maskenmusters die Schritte aufweist:
einen Auswertungspunkt-Anordnungsschritt zur Anordnung von mehreren Auswertungspunkten entlang der Außenseite des gewünschten Designmusters; einen Simulationsschritt zur Simulation eines bei der Belichtung unter festgelegten Übertragungsbedingungen unter Verwendung einer Photomaske eines Designmusters mit Auswertungspunkten erhaltenen Übertragungsbildes;
einen Vergleichsschritt zum Vergleich der Differenz zwischen dem simulierten Übertragungsbild und dem Designmuster für jeden Auswertungspunkt; und
einen Verformungsschritt zur Verformung des Designmusters in Übereinstimmung mit der für jeden Auswertungspunkt verglichenen Differenz, so daß die Differenzen kleiner werden;
wobei in dem Auswertungspunkt-Anordnungsschritt die Auswertungspunkte an den Ecken des Designmusters angeordnet sind mit Ausnahme der Ecken des Musters benachbart zu Seiten, die kürzer als eine festgelegte Länge sind, die Auswertungspunkte in relativ großen Abständen an Enden benachbart den Seiten, die kürzer als eine festgelegte Länge sind an Seiten des Musters, die länger als eine festgelegte Länge sind, hinzugefügt werden und die Auswertungspunkte in festgelegten Abständen an den Seiten des Musters, die länger als die festgelegte Länge sind, angeordnet werden.