DE19629767A1 - Anschlußrahmen für einen Halbleiter-Chip - Google Patents

Anschlußrahmen für einen Halbleiter-Chip

Info

Publication number
DE19629767A1
DE19629767A1 DE19629767A DE19629767A DE19629767A1 DE 19629767 A1 DE19629767 A1 DE 19629767A1 DE 19629767 A DE19629767 A DE 19629767A DE 19629767 A DE19629767 A DE 19629767A DE 19629767 A1 DE19629767 A1 DE 19629767A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
connection frame
frame according
guide surfaces
sides
lead frame
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19629767A
Other languages
English (en)
Other versions
DE19629767C2 (de
Inventor
Jens Pohl
Michael Blumenauer
Ulrich Vidal
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Polaris Innovations Ltd
Original Assignee
Siemens AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens AG filed Critical Siemens AG
Priority to DE19629767A priority Critical patent/DE19629767C2/de
Priority to US08/898,734 priority patent/US6144088A/en
Publication of DE19629767A1 publication Critical patent/DE19629767A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE19629767C2 publication Critical patent/DE19629767C2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49503Lead-frames or other flat leads characterised by the die pad
    • H01L23/4951Chip-on-leads or leads-on-chip techniques, i.e. inner lead fingers being used as die pad
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Description

Die Erfindung betrifft einen Anschlußrahmen (Leadframe) und insbesondere einen Anschlußrahmen, der so ausgestaltet ist, daß er, mit einem Halbleiter-Chip zu einem Halbleiter-Modul verbunden, auf besonders vorteilhafte Weise mit Kunststoff umhüllt werden kann. Der erfindungsgemäße Anschlußrahmen eig­ net sich besonders als Leadframe für DRAM(Dynamic Random Ac­ cess Memory)-Bausteine und insbesondere solche mit einem Ge­ häuse vom Typ TSOP-II (Thin Small Outline Package, Type II). Derartige Gehäuse weisen eine Kunststoffdicke von nur etwa 1 mm auf.
Die DRAM-Bausteine sind typischerweise in LOC(Lead On Chip)- Technik montiert, bei der der Halbleiter-Chip beispielsweise mit Hilfe von Montagetapes (Klebefolie) unter dem Anschluß­ rahmen befestigt ist.
Da die DRAM-Chips mit jeder Shrinkgeneration immer kleiner werden, kommt es häufig vor, daß die Breite des DRAM-Chips deutlich geringer ist als die Gehäusebreite bzw. die Breite des Formhohlraums, mit dessen Hilfe das Gehäuse hergestellt wird. Im Formhohlraum entstehen deshalb auf der Seite des Leadframes, die mit dem Halbleiter-Chip verbunden ist, in den Bereichen um den Halbleiter-Chip herum relativ große Leerräu­ me, in die die Kunststoffmasse ungehindert eindringen kann. Beim Füllen des Formhohlraums mit Kunststoffmasse (Molden) wird deshalb häufig beobachtet, daß sich die Kunststoffmasse in den Leerräumen neben dem Halbleiter-Chip schneller aus­ breitet als in den Bereichen, in denen der Halbleiter-Chip angeordnet ist. An den Randbereichen des Formhohlraums eilt der Kunststoff also voraus und erreicht die Entlüftungsseite eher als die restliche Kunststoff-Front. Die rechts und links des Halbleiter-Chips verlaufenden Kunststoff-Fronten treffen sich am Ende des Formhohlraums, bevor die Kunststoffmasse den mittleren Teil des Gehäuses vollständig ausgefüllt hat, so daß Luft im entlüftungsseitigen Bereich, beispielsweise hin­ ter oder über dem Chip, eingeschlossen wird. Der Luftein­ schluß vermindert Qualität und Zuverlässigkeit des fertigen Bauteils. Der Qualitätsverlust kann so groß sein, daß das Bauteil verworfen werden muß.
Der Lufteinschluß kann durch Komprimieren beim Umhüllungsvor­ gang nicht beseitigt werden. Zur Verhinderung von Luftein­ schlüssen bei der Herstellung von Kunststoffgehäusen wurden bisher üblicherweise drei verschiedene Techniken eingesetzt, die als "Lost Cavity-", "Vacuum Molding-" und "Balanced Package-" Technik bezeichnet werden.
Bei der "Lost Cavity"-Technik wird hinter dem Formhohlraum für das Gehäuse ein weiterer Hohlraum, die sogenannten Lost Cavity angeordnet. Die Lost Cavity dient als Aufnahmeraum für eventuelle Lufteinschlüsse, die mit zusätzlicher Kunststoff­ masse aus dem Gehäusehohlraum herausgedrängt werden. Die in die Lost Cavity gedrückte Kunststoffmasse wird als Abfall verworfen, was unter Kosten- und Umweltschutzgesichtspunkten nachteilig ist. Außerdem sind zusätzliche Verfahrensschritte notwendig, um den Lost Cavity-Kunststoffkörper vom gewünsch­ ten Produkt abzutrennen.
Beim "Vaccum-Molding" wird der Formhohlraum vor dem Einfüllen der Kunststoffmasse mit einer Vakuumvorrichtung evakuiert, so daß der Kunststoffin einen praktisch luftleeren Raum fließt und somit Lufteinschlüsse verhindert werden. Dieses Verfahren erfordert jedoch einen erheblichen zusätzlichen apparatetech­ nischen Aufwand, da beispielsweise eine luftdichte Abdichtung des Formwerkzeugs erreicht werden muß.
Eine grundsätzlich andere Methode besteht darin, den zu um­ hüllenden Halbleiter-Modul so auszugestalten, daß ein gleich­ mäßiger Fluß des Kunststoffes im Formhohlraum gewährleistet ist und der Einschluß von Luft vermieden wird. Derartige Hal­ terleiter-Module, die einen gleichmäßigen Moldfluß gewährlei-
sten, werden generell als "Balanced Packages" bezeichnet. "Balanced Packages" werden beispielsweise durch ein bestimm­ tes Leadframe-Design und eine exakte Abstimmung von Chipdicke und Chiplage erreicht. Im Falle von DRAM-Bausteinen oder all­ gemein Halbleiter-Modulen mit schmalem Chip und breitem Ge­ häuse sind "Balanced Packages" mit konventionellen Designmaß­ nahmen (z. B. flacher Anschlußrahmen ohne Prägungen, Biegungen oder ähnliches) nicht zu erreichen.
Aufgabe der Erfindung war es, einen Anschlußrahmen und insbesondere einen Anschlußrahmen für die LOC-Montagetechnik zu schaffen, der im Verbund mit einem Halblei­ ter-Chip zu einem Halbleiter-Modul führt, der sich auf einfa­ che Art und Weise unter Vermeidung von Lufteinschlüssen mit einem Gehäuse aus Kunststoff umhüllen läßt. Der Anschlußrah­ men sollte zudem einfach herstellbar sein und sich insbeson­ dere zur Verwendung in DRAM-Speicherbausteinen mit Gehäuse von Typ TSOP-II eignen.
Die Lösung der Aufgabe gelingt mit dem Anschlußrahmen gemäß Anspruch 1. Weiterbildungen und vorteilhafte Ausgestaltungen ergeben sich aus den Unteransprüchen.
Unter Anschlußrahmen soll im Sinne der Erfindung eine einzel­ ne Trägereinheit verstanden werden, die zur Aufnahme von in der Regel einem Halbleiter-Chip bestimmt ist. Üblicherweise sind für die Montage mehrere Anschlußrahmen miteinander zu einem Band oder Streifen verbunden. Auch diese Bänder oder Streifen sind Gegenstand der Erfindung. Die Erfindung be­ trifft weiterhin grundsätzlich alle Arten von Anschlußrahmen, also sowohl solche für die Standardmontage-Technik, bei der der Halbleiter-Chip auf einer Insel auf dem Anschlußrahmen befestigt wird, als auch solche für die bereits erwähnte LOC-Technik. Für letztere ist die Erfindung besonders geeignet. Die Erfindung ist vor allem dann von Vorteil, wenn mit dem Anschlußrahmen Halbleiter-Chips verbunden werden sollen, die sehr viel schmaler sind als das Gehäuse selbst.
Der erfindungsgemäße Anschlußrahmen, der vorzugsweise aus Me­ tall besteht und eine Vielzahl von Anschlußfingern aufweist, ist dadurch gekennzeichnet, daß er erhabene Leitflächen auf­ weist, die dafür sorgen, daß der Kunststoff beim Molden gleichmäßig durch den Formhohlraum fließt.
Zweckmäßig sind die Leitflächen so ausgebildet, daß im Rand­ bereich, der an wenigstens eine von zwei sich gegenüberlie­ genden Seiten des Anschlußrahmens angrenzt, wenigstens zwei Leitflächen angeordnet sind, die über die Oberfläche des An­ schlußrahmens vorstehen, die zur Verbindung mit einem Halb­ leiter-Chip bestimmt ist. Die Leitflächen können so angeord­ net sein, daß sie sich aus einem inneren Bereich des An­ schlußrahmens in Richtung auf die beiden anderen Seiten des Anschlußrahmens erstrecken. Es ist jedoch auch möglich, daß die Leitflächen im wesentlichen parallel zu den beiden ande­ ren Seiten des Anschlußrahmens verlaufen.
Die Leitflächen können im Bereich hinter derjenigen Seite des Anschlußrahmens angeordnet sein, die als Injektionsseite (Mold Gate) bei der Herstellung des Kunststoff-Gehäuses vor­ gesehen ist. Vorzugsweise sind die Leitflächen in dem Bereich angeordnet, der an die Seite des Anschlußrahmens angrenzt, die dem Mold Gate gegenüberliegt.
Besonders gute Ergebnisse lassen sich erzielen, wenn die Leitflächen nicht nur im Bereich hinter der Injektionsseite, sondern auch der gegenüberliegenden Seite des Anschlußrahmens angeordnet werden.
Während des Umhüllens mit Kunststoffmasse (Molden) trifft der Kunststoffim Formhohlraum auf die Leitflächen des erfin­ dungsgemäßen Anschlußrahmens, wodurch sein Fluß in diesem Be­ reich gebremst wird. Größe und Lage der Leitflächen werden so gewählt, daß ein gleichmäßiger Kunststofffluß durch den Form­ hohlraum gewährleistet wird. Zweckmäßig sind die Leitflächen so hoch, daß sie in im wesentlichen gleicher Höhe mit der vom Anschlußrahmen abgewandten Oberfläche des montierten Halblei­ ter-Chips abschließen. Die seitliche Ausdehnung der Leitflä­ chen wird so gewählt, daß sie ein ungehindertes Vordringen der Kunststoffmasse entlang der Leerräume des Halbleiter-Chips im Formhohlraum unterbinden und die Kunststoffmasse mit im wesentlichen gleicher Geschwindigkeit über die gesamte Breite des Formhohlraums fließt. Die Leitflächen decken also die seitlichen Bereiche neben dem Halbleiter-Chip ab, während der Zugang der Kunststoffmasse zum Halbleiter-Chip weitgehend frei bleibt. Dadurch trifft die Kunststoffmasse in etwa gleichzeitig auf der Entlüftungsseite des Formhohlraums auf, so daß Lufteinschlüsse vermieden werden können.
Die Erfindung soll nun an einem bevorzugten Ausführungsbei­ spiel unter Bezugnahme auf eine Zeichnung näher erläutert werden. Dabei zeigen
Fig. 1 schematisch eine Draufsicht auf einen erfin­ dungsgemäßen Anschlußrahmen;
Fig. 2 schematisch einen Querschnitt entlang der Li­ nie B-B in Fig. 1 und
Fig. 3 schematisch eine Vorstufe des erfindungsgemä­ ßen Anschlußrahmens gemäß Fig. 1 in Draufsicht.
Fig. 1 zeigt einen erfindungsgemäßen Anschlußrahmen am Bei­ spiel eines Anschlußrahmens 1 für die LOC-Montagetechnik. Wie erwähnt, ist die Erfindung jedoch nicht auf diesen Typ von Anschlußrahmen beschränkt.
Der Anschlußrahmen 1 weist eine Vielzahl von Anschlußfingern 3 auf. Führungsschienen, Verbindungen zu weiteren Anschluß­ rahmen usw., die nach der Montage entfernt werden, sind in den Figuren zur Vereinfachung nicht gezeigt. Die weiteren De­ finitionen beziehen sich auf den fertig montierten Anschluß­ rahmen ohne Führungsschienen usw.
Der in Fig. 1 abgebildete Anschlußrahmen weist vier Leitflä­ chen 6 auf, die in den Bereichen angeordnet sind, die sich an beide Stirnseiten 4, 4′ anschließen. 4′ ist als Injektions­ seite (Mold Gate) beim Umhüllen mit Kunststoff, 4 als Entlüf­ tungsseite vorgesehen, d. h. beim Herstellen des Kunststoff-Gehäuses fließt die Kunststoffmasse von der Seite 4′ in Rich­ tung auf Seite 4. Der Anschlußrahmen weist zudem ein zweites Paar Seiten 5, 5′ auf, die senkrecht zu den Seiten 4 und 4′ stehen.
Die Leitflächen 6 verlaufen aus einem inneren Bereich des An­ schlußrahmens in Richtung auf die Seiten 5 und 5′ nach außen. Dabei wird ein Mittelbereich zwischen den Seiten 5 und 5′ ausgespart, so daß die injizierte Kunststoffmasse ungehindert in Richtung auf den Halbleiter-Chip 2 zulaufen kann, der vor der Herstellung des Kunststoff-Gehäuses mit dem erfindungsge­ mäßen Anschlußrahmen verbunden wird. Das mit 2 bezeichnete Rechteck in Fig. 1 deutet die Lage an, in der der Halbleiter-Chip unter dem erfindungsgemäßen Anschlußrahmen montiert wird.
Während die Kunststoffmasse ungehindert in Richtung auf den Halbleiter-Chip 2 fließen kann, sind die Leitflächen 6 ande­ rerseits so angeordnet, daß sie den Fluß der Kunststoffmasse in die Freiräume rechts und links neben dem Halbleiter-Chip bremsen. Lage, Anzahl und Größe der Leitflächen wird dabei so gewählt, daß ein gleichmäßiger Kunststofffluß über die gesam­ te Breite des Formhohlraums erreicht wird.
Im vorliegenden Fall ist pro Freiraum neben dem Halbleiter-Chip eine Leitfläche 6 vorgesehen. Die Leitflächen sind mit den äußeren, den Seiten 4 und 4′ am nächsten liegenden An­ schlußfingern 3′ verbunden. In der besonders bevorzugten Aus­ führungsform, die in den Figuren gezeigt ist, sind die Leit­ flächen 6 in die äußeren Anschlußfinger (Eckleads) integriert und werden durch Umfalzen von Laschen 7 gebildet, die von den Eckleads 3′ ausgehen. Die Laschen 7 können eine oder mehrere Aussparungen 8 aufweisen, die vorzugsweise im Bereich der Faltkante liegen und so ein Umfalzen der Laschen zur Herstel­ lung der Leitflächen 6 erleichtern. Die Vorstufe des An­ schlußrahmens mit nicht umgefalzten Laschen 7, wie sie in Fig. 3 beispielhaft gezeigt ist, ist ebenfalls Gegenstand der Erfindung.
Die Laschen 7 sind bevorzugt so ausgelegt, daß sie nach dem Umfalzen zu Leitflächen 6 im wesentlichen die gleiche Höhe haben wie der auf dem erfindungsgemäßen Anschlußrahmen mon­ tierte Halbleiter-Chip. Die Unterkanten der Leitflächen und die vom Anschlußrahmen abgewandte Oberfläche des montierten Halbleiter-Chips 2 liegen also im wesentlichen in einer Ebe­ ne. Die Schnittansicht gemäß Fig. 2 gibt dies schematisch wieder, wo­ bei die Lage des Chips 2 nicht dessen tatsächlicher Lage im Halbleiter-Modul entspricht.
Wie erwähnt, zeigen die Figuren eine besonders bevorzugte Ausführungsform der Erfindung. Es sind jedoch zahlreiche an­ dere Ausführungsvarianten möglich, die ebenfalls im Rahmen der Erfindung liegen. Beispielsweise müssen die Leitflächen nicht als Falze ausgebildet sein, sondern sie können auch auf der Oberfläche des Anschlußrahmens, die den Halbleiter-Chip tragen soll, durch Kleben, Löten, Schweißen oder auf sonstige Weise befestigt werden. Es ist auch nicht erforderlich, die Leitflächen im Bereich der Eckleads anzuordnen. Die Leitflä­ chen können vielmehr an jeder geeigneten Stelle des Anschluß­ rahmens angebracht sein. Anzahl, Lage und Form der Leitflä­ chen können variieren und richten sich z. B. nach der Art des Anschlußrahmens, der Größe und Lage des zu montierenden Halb­ leiter-Chips und dem Verfahren, das zur Herstellung des Kunststoff-Gehäuses eingesetzt wird. Hier eignen sich grund­ sätzlich alle bekannten Verfahren zur Herstellung von Kunst­ stoff-Gehäusen, und es können alle gängigen Kunststoffe ver­ wendet werden.
Es ist auch möglich, anstelle einer Leitfläche 6 in Fig. 1 mehrere Leitflächen zu verwenden, die nicht unbedingt an den Eckleads angebracht sein müssen, sondern z. B. über mehrere Anschlußfinger verteilt und hier beispielsweise gestaffelt angeordnet sein können.
Wie erwähnt, können die Leitflächen auch im wesentlichen par­ allel zu den zweiten Seiten des Anschlußrahmens verlaufen. Eine derartige Anordnung kann zum Beispiel zweckmäßig sein, wenn das Mold Gate, die Injektionsstelle für die Kunststoff­ masse, sich im wesentlichen in der Mitte einer der ersten Seiten des Anschlußrahmens befindet. Die Leitflächen werden dann zweckmäßig so rechts und links des Mold Gates angeord­ net, daß sie den Fluß des Kunststoffes nach rechts und links in die Freiräume neben dem Halbleiter-Chip abbremsen.
Es ist auch nicht erforderlich, daß alle Leitflächen die gleiche Höhe und/oder Breite besitzen. Vielmehr ist es mög­ lich, die einzelnen Parameter in Abhängigkeit von den jeweils gegebenen Anforderungen gezielt zu variieren, um einen gleichmäßigen Fluß der Kunststoffmasse bei der Herstellung eines Kunststoff-Gehäuses zu erreichen, und so den Einschluß von Luft im Gehäuse zu verhindern.
Gegenstand der Erfindung sind neben den beschriebenen An­ schlußrahmen auch Halbleiter-Module, die den erfindungsgemä­ ßen Anschlußrahmen und einen mit diesem verbundenen Halblei­ ter-Chip umfassen, sowie die mit Kunststoffmasse umhüllten Halbleiter-Module und hier insbesondere solche vom Typ TSOP-II.

Claims (18)

1. Anschlußrahmen (1) zur Verbindung mit einem Halbleiter­ chip (2), insbesondere metallischer Anschlußrahmen, mit einer Vielzahl von Anschlußfingern (3), dadurch gekennzeichnet, daß er wenigstens zwei erhabene Leitflächen (6) aufweist.
2. Anschlußrahmen gemäß Anspruch 1 mit ersten sich gegenüber­ liegenden Seiten (4, 4′) und zweiten sich gegenüberliegenden Seiten (5, 5′), dadurch gekennzeichnet, daß in einem an wenigstens eine der ersten Seiten (4, 4′) an­ grenzenden Bereich des Anschlußrahmens (1) wenigstens zwei Leitflächen (6) vorgesehen sind, die im wesentlichen parallel zu den zweiten Seiten (5, 5′) verlaufen.
3. Anschlußrahmen gemäß Anspruch 1 mit ersten sich gegenüber­ liegenden Seiten (4, 4′) und zweiten sich gegenüberliegenden Seiten (5, 5′), dadurch gekennzeichnet, daß in einem an wenigstens eine der ersten Seiten (4, 4′) an­ grenzenden Bereich des Anschlußrahmens (1) wenigstens zwei Leitflächen (6) vorgesehen sind, die sich von einem inneren Bereich des Anschlußrahmens (1) in Richtung auf die zweiten Seiten (5, 5′) erstrecken.
4. Anschlußrahmen gemäß einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß jeweils zwei Leitflächen (6) in den Bereichen hinter bei­ den ersten Seiten (4, 4′) angeordnet sind.
5. Anschlußrahmen gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Höhe der Leitflächen (6) im wesentlichen der Höhe ei­ nes auf den Anschlußrahmen (1) montierten Halbleiter-Chips (2) entspricht.
6. Anschlußrahmen gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet , daß die Leitflächen (6) im Bereich hinter derjenigen Seite (4, 4′) vorgesehen sind, die als Injektionsseite für die Zu­ fuhr von Kunststoffmasse beim Herstellen eines Kunststoff-Gehäuses vorgesehen ist.
7. Anschlußrahmen gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet , daß die Leitflächen (6) im Bereich hinter derjenigen Seite (4, 4′) vorgesehen sind, die der Injektionsseite für die Zu­ fuhr von Kunststoffmasse beim Herstellen eines Kunststoff-Gehäuses gegenüberliegt.
8. Anschlußrahmen gemäß einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Leitflächen (6) sich so weit ins Innere des Anschluß­ rahmens (1) erstrecken, daß ein Mittelbereich zwischen den zweiten Seiten (5, 5′) frei bleibt.
9. Anschlußrahmen gemäß einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Leitflächen (6) bezüglich einer Mittelachse zwischen den zweiten Seiten (5, 5′) symmetrisch verlaufen.
10. Anschlußrahmen gemäß einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Leitflächen (6) als Falze im Anschlußrahmen (1) aus­ gebildet sind.
11. Anschlußrahmen gemäß Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Falze durch Umfalzen von am Anschlußrahmen angeordne­ ten Laschen (7) gebildet sind.
12. Anschlußrahmen gemäß Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Laschen (7) an den äußeren Anschlußfingern (3′) ange­ ordnet sind.
13. Anschlußrahmen gemäß Anspruch 11 oder 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Laschen (7), insbesondere im Bereich der Falzkante, wenigstens eine Aussparung (8) aufweisen.
14. Anschlußrahmen gemäß einem der Ansprüche 11 bis 13, worin die Laschen (7) nicht umgefalzt sind.
15. Anschlußrahmen gemäß einem der Ansprüche 1 bis 14, dadurch gekennzeichnet, daß er für die LOC-Montagetechnik und insbesondere zur Her­ stellung eines DRAM-Bausteins ausgestaltet ist.
16. Halbleiter-Modul, insbesondere DRAM-Baustein, welcher ei­ nen Halbleiter-Chip (2) und einen Anschlußrahmen gemäß einem der Ansprüche 1 bis 15 umfaßt.
17. Mit Kunststoff umhüllter Halbleiter-Modul gemäß An­ spruch 16.
18. Halbleiter-Modul gemäß Anspruch 17, mit einem Gehäuse vom Typ TSOP-II.
DE19629767A 1996-07-23 1996-07-23 Anschlußrahmen für Halbleiter-Chips und Halbeiter-Modul Expired - Lifetime DE19629767C2 (de)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19629767A DE19629767C2 (de) 1996-07-23 1996-07-23 Anschlußrahmen für Halbleiter-Chips und Halbeiter-Modul
US08/898,734 US6144088A (en) 1996-07-23 1997-07-23 Leadframe for semiconductor chips and semiconductor module having the lead frame

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19629767A DE19629767C2 (de) 1996-07-23 1996-07-23 Anschlußrahmen für Halbleiter-Chips und Halbeiter-Modul

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE19629767A1 true DE19629767A1 (de) 1998-01-29
DE19629767C2 DE19629767C2 (de) 2003-11-27

Family

ID=7800641

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19629767A Expired - Lifetime DE19629767C2 (de) 1996-07-23 1996-07-23 Anschlußrahmen für Halbleiter-Chips und Halbeiter-Modul

Country Status (2)

Country Link
US (1) US6144088A (de)
DE (1) DE19629767C2 (de)

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6316821B1 (en) * 1998-09-28 2001-11-13 Cypress Semiconductor Corporation High density lead frames and methods for plastic injection molding
US6331728B1 (en) 1999-02-26 2001-12-18 Cypress Semiconductor Corporation High reliability lead frame and packaging technology containing the same
DE10014306B4 (de) * 2000-03-23 2005-12-22 Infineon Technologies Ag Systemträger für einen Halbleiterchip mit einem Leiterrahmen
DE10158770B4 (de) * 2001-11-29 2006-08-03 Infineon Technologies Ag Leiterrahmen und Bauelement mit einem Leiterrahmen
JP2006086069A (ja) * 2004-09-17 2006-03-30 Three M Innovative Properties Co 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR930006868A (ko) * 1991-09-11 1993-04-22 문정환 반도체 패키지
JPH05102373A (ja) * 1991-10-04 1993-04-23 Seiko Epson Corp 半導体装置
JPH05109963A (ja) * 1991-10-18 1993-04-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置
US5197183A (en) * 1991-11-05 1993-03-30 Lsi Logic Corporation Modified lead frame for reducing wire wash in transfer molding of IC packages
KR100276781B1 (ko) * 1992-02-03 2001-01-15 비센트 비. 인그라시아 리드-온-칩 반도체장치 및 그 제조방법
JPH05235233A (ja) * 1992-02-26 1993-09-10 Toshiba Corp リ−ドフレ−ム
KR100552353B1 (ko) * 1992-03-27 2006-06-20 가부시키가이샤 히타치초엘에스아이시스템즈 리이드프레임및그것을사용한반도체집적회로장치와그제조방법
US5479051A (en) * 1992-10-09 1995-12-26 Fujitsu Limited Semiconductor device having a plurality of semiconductor chips
JP2875139B2 (ja) * 1993-07-15 1999-03-24 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US5508231A (en) * 1994-03-07 1996-04-16 National Semiconductor Corporation Apparatus and method for achieving mechanical and thermal isolation of portions of integrated monolithic circuits
JPH088389A (ja) * 1994-04-20 1996-01-12 Fujitsu Ltd 半導体装置及び半導体装置ユニット
US5760471A (en) * 1994-04-20 1998-06-02 Fujitsu Limited Semiconductor device having an inner lead extending over a central portion of a semiconductor device sealed in a plastic package and an outer lead exposed to the outside of a side face of the plastic package
KR950034696A (ko) * 1994-05-16 1995-12-28 김광호 초박형 반도체 패키지 및 그 제조방법
JPH08125097A (ja) * 1994-10-27 1996-05-17 Nec Corp リードフレーム
US5750423A (en) * 1995-08-25 1998-05-12 Dai-Ichi Seiko Co., Ltd. Method for encapsulation of semiconductor devices with resin and leadframe therefor
KR0184076B1 (ko) * 1995-11-28 1999-03-20 김광호 상하 접속 수단이 패키지 내부에 형성되어 있는 3차원 적층형 패키지
JP2842355B2 (ja) * 1996-02-01 1999-01-06 日本電気株式会社 パッケージ
KR100204753B1 (ko) * 1996-03-08 1999-06-15 윤종용 엘오씨 유형의 적층 칩 패키지
KR100214561B1 (ko) * 1997-03-14 1999-08-02 구본준 버틈 리드 패키지

Non-Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP 2-12955 A2. In: Patent Abstracts of Japan, E-907, 23.3.1990, Vol. 14, No. 154 *
JP 5-102373 A2. In: Patent Abstracts of Japan, E-1417, 19.8.1993, Vol. 17, No. 453 *
JP 5-109963 A2. In: Patent Abstracts of Japan, E-1420, 24.8.1993, Vol. 17, No. 463 *
JP 5-23523 A2. In: Patent Abstracts of Japan, E-1478, 16.12.1993, Vol. 17, No. 687 *

Also Published As

Publication number Publication date
US6144088A (en) 2000-11-07
DE19629767C2 (de) 2003-11-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3913221C2 (de) Halbleiteranordnung mit Leiterrahmen und Formharzgehäuse
DE3605491C2 (de)
DE4340108A1 (de) Abschirmelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE4223448C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung teilbarer Zigarettenkartons
DE4244545A1 (de)
DE19629767C2 (de) Anschlußrahmen für Halbleiter-Chips und Halbeiter-Modul
DE2312254C3 (de) Kontaktstreifen für Halbleiterbauelemente und Verfahren zu seiner Herstellung
DE4241409C2 (de) Verfahren sowie Vorrichtung zum Herstellen eines Bauteils durch Spritzen wenigstens zweier Elemente aus Kunststoff und durch Zusammenfügen dieser Elemente nach dem Spritzen
DE3220256C2 (de)
DE3023126A1 (de) Halbleiter-leuchtanzeigevorrichtung
DE1614834C2 (de) Verfahren zum Herstellen einer Halb leiteranordnung
DE19736082C1 (de) Verfahren und Herstellen einer Chipkarte und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
DE2148895A1 (de) Kontaktstreifen und Giessform zur Montage von Halbleiterbauelementen
EP0262622B1 (de) Gehäuse für ein elektrisches Bauelement, insbesondere ein Relais, und Verfahren zur Abdichtung eines solchen
DE102016109227A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum simultanen Verkapseln von Halbleiter-Dies mit geschichteten Leadframe-Streifen
DE2854631C3 (de) Spritzgießform zum Umspritzen eines mit mindestens einer Zuleitung versehenen elektrischen Bauelementes
DE3531802C2 (de) Schalldämmendes Wandelement, insbesondere für Türen
WO1999052149A1 (de) Verwendung der baulichen beschaffenheit eines elektronischen bauteils als referenz bei der positionierung des bauteils
DE4110585A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum aufbringen einer isolationsschicht auf einen durch ein blechpaket gebildeten kern einer elektrischen spule
EP2302987B1 (de) Integration von SMD-Bauteilen in ein IC-Gehäuse
DE1911633B2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Kontaktieren und Umhüllen von Halbleiterbauelementen
DE10153491A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Spritzgießen von Kunststoffartikeln
DE19544274A1 (de) Wetterstreifen
DE10297755T5 (de) Konfektionierung einer Mikrochip-Vorrichtung
DE19918776A1 (de) Formwerkzeug zur Herstellung von mehreren montagegespritzten Bauteilen

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8127 New person/name/address of the applicant

Owner name: INFINEON TECHNOLOGIES AG, 81669 MUENCHEN, DE

8304 Grant after examination procedure
8364 No opposition during term of opposition
8327 Change in the person/name/address of the patent owner

Owner name: QIMONDA AG, 81739 MUENCHEN, DE

R081 Change of applicant/patentee

Owner name: POLARIS INNOVATIONS LTD., IE

Free format text: FORMER OWNER: QIMONDA AG, 81739 MUENCHEN, DE

Owner name: INFINEON TECHNOLOGIES AG, DE

Free format text: FORMER OWNER: QIMONDA AG, 81739 MUENCHEN, DE

R081 Change of applicant/patentee

Owner name: POLARIS INNOVATIONS LTD., IE

Free format text: FORMER OWNER: INFINEON TECHNOLOGIES AG, 85579 NEUBIBERG, DE

R071 Expiry of right