DE19630883A1 - Bauteil mit einem Kondensator - Google Patents
Bauteil mit einem KondensatorInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Bauteil mit einem Kondensator, insbesondere als integrier
tes oder diskretes Bauteil, mit wenigstens einer Substratschicht aus Glas bzw. Al₂O₃,
wenigstens einer Antireaktionsschicht bzw. Planarisierungsschicht, wenigstens zwei
Elektrodenschichten und wenigstens einer Dielektrikumschicht sowie einen solchen
Kondensator.
Des weiteren betrifft die Erfindung jeweils ein Verfahren zur Herstellung eines
gattungsgemäßen Bauteiles mit einem Kondensator mit einem Glassubstrat und einer
Antireaktionsschicht oder mit einem Al₂O₃-Substrat und einer Planarisierungsschicht.
Keramische Vielschichtkondensatoren werden üblicherweise auf pulvertechnologi
schem Wege hergestellt. Dazu werden Pulver mit Mischoxidverfahren bzw. mit
naßchemischen Verfahren wie z. B. Fällung aus wäßrigen Lösungen hergestellt. Die
Pulver gewünschter Zusammensetzung werden mit einem Binder versehen und z. B.
zu Folien verarbeitet. Die Folien werden mit Elektrodenpasten bedruckt und an
schließend übereinander gestapelt. Der Binder wird bei niedrigen Temperaturen
ausgebrannt und die Kondensatoren werden bei Temperaturen von ca.
1250-1300°C, abhängig vom Materialsystem und der Zusammensetzung, zu einem dichten
Produkt gesintert. Die mit Verfahren nach dem Stand der Technik hergestellten
keramischen Kondensatoren weisen Dielektrika mit Dicken von ca. 10-15 µm auf.
Mit Weiterentwicklung der Pulvertechnik können auf diese Weise Kondensatoren mit
dielektrischen Dicken von ca. 3-5 µm erzeugt werden.
Bedingt durch die eingesetzten Folien- und Siebdrucktechnologien sowie die Stape
lung der Folien mit bis zu 70-100 Lagen ist eine Miniaturisierung der äußeren
Abmessungen technologisch sehr aufwendig für Kondensatorabmessungen 0402 und
0201, was 1·0,5 mm² und 0,5·0,25 mm² entspricht. Nach dem Stand der Tech
nik sind Kriechwege in den Kondensatoren von ca. 150-250 µm typisch. Ein Kon
densator mit den lateralen Abmessungen 0402 oder 0201 besitzt daher nur noch
einen kleinen Teil aktiver Kondensatorfläche.
Aus DE 34 14 808 A1 "Verfahren zur Herstellung eines preiswerten Dünnfilmkon
densators und danach hergestellter Kondensators" ist bekannt, daß auf ein Substrat,
vorzugsweise eine Glasplatte, eine Schicht aus einer mit Phosphor angereicherten
Siliziumdioxidgrundierung aufgebracht wird, die ca. 3% Phosphor enthält. Darauf
wird dann eine zu strukturierende Schicht leitenden Materials, vorzugsweise aus
Aluminium oder Nickel, zur Definierung von Elektroden aufgebracht. Auf das
behandelte Substrat wird dann eine Schicht Siliziumdioxid mit einer Dielektrizitäts
konstanten K = 3,97 und einer Dicke von 1,155 µm aufgebracht. Im Dokument DE
34 14 808 A1 werden folglich Dünnschichtkondensatoren beschrieben, die eine sehr
geringe Flächenkapazität aufweisen. Als Substrat wird Glas eingesetzt und als Elek
trodenmaterial dient Aluminium. Unter diesen Bedingungen kann nur eine einfache
oxidische Schicht wie das angegebene SiO₂ als Dielektrikum benutzt werden. Diese
Schichten haben eine sehr niedrige Dielektrizitätskonstante K und liefern damit auch
sehr niedrige Flächenkapazitäten. Mit diesen Dielektrika können nur Kondensatoren
mit 100-500 pF erzeugt werden. Um hohe Kapazitäten zu erreichen, muß ein
Dielektrikum mit K < 50 in Form dünner Schichten auf einem Substrat abgeschieden
werden.
Die Aufgabe der Erfindung ist es daher, kostengünstige, SMD-fähige Kondensatoren
mit hoher Flächenkapazität, geringer Dicke und geringer Toleranz herzustellen.
Die Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß bei einem Bauteil mit einem
Kondensator mit einem Glassubstrat als Material für die Antireaktionsschicht wenig
stens ein Element aus einer Gruppe, bestehend aus TiO₂, ZrO₂, HfO₂, SrTiO₃,
CaTiO₃, BaTiO₃, BaZrxTi1-xO₃ mit x = 0 . . . 1, PbZrxTi1-xO₃ mit x = 0 . . . 1, Ta₂O₅, Nb₂O₅,
MgO, BeO, Al₂O₃, MgAl₂O₄, ZrTiO₄, BaF₂, TiB₂, MgF₂, Y₂O₃, Sc₂O₃, La₂O₃ und
Ln₂O₃, wobei Ln Lanthanide wie z. B. Pr₂O₃ sind, vorgesehen ist. Als Glassubstrat
können dabei neben Quarzglas (SiO₂) insbesondere aus Kostengründe auch Silikat
gläser verwendet werden. Um hohe Kapazitäten in kleinen Abmessungen zu errei
chen, müssen dielektrische Materialien eingesetzt werden, die Dielektrizitätskonstan
ten K < 10 haben, aus denen für ausreichende Kapazitäten mit Dünnschichtprozessen
dünne, dielektrische Schichten hergestellt werden. Um diese Materialien auf einem
kostengünstigen Glassubstrat verwenden zu können, muß eine Antireaktionsschicht
vorgesehen werden, die eine Reaktion des Dielektrikums mit dem Glassubstrat ver
hindert. Weiterhin wird durch diese Antireaktionsschicht auch das Problem einer
Rißbildung durch unterschiedliche thermische Ausdehnungskoeffizienten von Sub
strat und Dielektrikumschicht vermieden. Bei einer Antireaktionsschicht aus einem
der oben angegebenen Stoffe oder einer Kombination aus mehreren Stoffen auf dem
Glassubstrat kann darauf eine dielektrische Schicht aufgebracht werden, mit der eine
ausreichende Kapazität erreicht wird. Als Verfahren eine Antireaktionsschicht abzu
scheiden, ist auch das Aufbringen einer Schichtzusammensetzung geeignet, wie
beispielsweise einer Ti/Pt-Schicht, gefolgt von einer Strukturierung des Pt mittels
reaktivem Ionenätzen und anschließender Oxidation des Ti in Sauerstoffatmosphäre
zu TiO₂.
In einer bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist als Material für die Elek
trodenschichten jeweils wenigstens ein Element aus einer Gruppe, bestehend aus
Ti/Pt, Ta/Pt, Ti/Pd/Pt, Ir, IrOx, IrO₂/Ir, ZrO₂/Pt, Ti/Cu, Ti/Ni, Ti/NiAl, Ti/(Ni,
Al, Cr), Ti/(Ni, Al, Fe), Ti/(Ni, Fe, Cr), Ti/(Ni, Al, Cr, Fe), Ti/(Ni, Fe, Cr, Si),
Ti/(Co, Ni, Fe, Cr), PtxAl1-x/Pt, Pt/IrO₂, TiO₂/Pt, leitenden Oxiden, Hybriden aus
wenigstens einem leitenden Oxid und einem Edelmetall und Hybriden aus wenig
stens einem Edelmetall und einem Nichtedelmetall, vorgesehen. Als Material für
die Elektroden werden Edelmetall- oder Nichtedelmetallschichten eingesetzt, die
beispielsweise mittels lithographischer Prozesse verbunden mit Naß- oder Trocken
ätzschritten zu Elektroden strukturiert werden. Als leitende Oxide können dabei
beispielsweise die Verbindungen RuOx, SrRuO₃ oder andere verwendet werden. Für
hybride Kombinationen aus leitenden Oxiden und Edelmetallen kommen zum Bei
spiel Kombinationen wie RuOx/Pt zur Anwendung. Als Hybridelektroden aus Edel
metall und Nichtedelmetall eignen sich insbesondere die Kombinationen Ti/Cu/Pt,
Ti/Ni/Pt und Ti/(Ni, Cr, Al, Fe)/Pt sowie weitere ähnliche Verbindungen.
In einer vorteilhaften Weiterbildung des Bauteiles ist für die Dielektrikumschicht
eine Schicht aus ferroelektrischem Material mit einer Dicke von 10 nm bis 2 µm
vorgesehen. Da aufgrund der Antireaktionsschichten dünne, ferroelektrische Dielek
trika mit geringem Verlustfaktor auf kostengünstigem Substrat aufgebracht werden
können, ist die Herstellung eines Kondensators mit großer Volumenkapazität in
Dünnschichttechnik möglich, der SMD-fähig und mit großer Präzision fertigbar ist.
Für Dünnschichten von 10 nm bis 2 µm werden vorzugsweise folgende dielektrische
Materialien verwendet:
PbZrxTi1-xO₃ mit x = 0-1, mit oder ohne Bleiüberschuß
Dotiertes PbZrxTi1-xO₃, z. B. mit Nb dotiert
Pb1- α yLyZrxTi1-xO₃ mit x = 0-1, y = 0-0,20 und α = 1,3-1,5, mit oder ohne Bleiüberschuß
Pb1- α yLayTiO₃ mit y = 0-0,28 und α = 1,3-1,5, mit oder ohne Bleiüberschuß
(Pb, Ca)TiO₃
BaTiO₃, mit oder ohne Dotierungen
BaTiO₂ mit Ce-Dotierung
BaTiO₂ mit Nb- und/oder Co-Dotierung
BaZrxTi1-xO₃ mit x = 0-1
Ba1-xSrxTiO₂ mit x = 0-1
SrTiO₃ mit Dotierungen von z. B. La, Nb, Fe, Mn
SrZrxTi1-xO₃ mit x = 0-1 mit oder ohne Mn-Dotierung
CaOxZnOy(Nb₂O₅)z mit x = 0.01-0,05; y = 0,43-0,55; z = 0,44-0,52
(BaTiO₃)0,18-0,27 + (Nd₂O₃)0,316-0,355 + (TiO₂)0,276-0,355 + (Bi₂O₃)0,025-0,081 + ZnO
MgO-TiO₂-CaO-Al₂O₃-SiO₂ mit Dotierung von Nb, Y, La, Pr, Ni
Al₂O₃
Ba₂Ti₉O₂₀
Nb₂O₅
TiO₂
CaTiO₃
CaTiO₃ + CaTiSiO₅
(Sr, Ca)(Ti, Zr)O₃
(Sr, Ca, M)(Ti, Zr)O₃ M=Mg oder Zn
(Sr, Ca, Mg, Zn)(Ti, Zr, Si)O₃
(Sr, Ca, Cu, Mn, Pb)TiO₃ + Bi₂O₃
BaO-SrO-CaO-Nd₂O₃-Gd₂O₃-Nb₂O₅-TiO₂
(Bi₂O₃)x(Nb₂O₅)1-x mit Zugaben von SiO₂, MnO₂, PbO
BaTiO₃ mit Nb₂O₅, CoO, MnO₂, CeO₂, ZnO Dotierungen
BaTiO₃ + CaZrO₃ mit Zugabe von MnO, MgO und Seltenerdoxiden
(Ba, Ca)TiO₃ + Nb₂O₅, Co₂O₃, MnO₂
Zr(Ti, Sn)O₄
BaO-PbO-Nd₂O₃-Pr₂O₃-Bi₂O₃-TiO₂
Ba(Zn, Ta)O₃
Ta₂O₅
CaZrO₃
(Ba, Nd)(Ti, Zr)O₃ + Ce-Dotierung
(Ba, Ca, Sr)(Ti, Zr)O₃ + Li₂O, SiO₂, B₂O₃
PbO-Nb₂O₃-ZrO₂-SnO₂-TiO₂
[Pb(Mg1/3Nb2/3)O₃]x-[PbTiO₃]1-x mit x = 0 . . . 1, mit und ohne Bleiüberschuß, mit und ohne Dotierung
(Pb, Ba, Sr)(Mg1/3Nb2/3)xTiy(Zn1/3Nb2/3)1-x-yO₃
PbZrxTi1-xO₃ mit x = 0-1, mit oder ohne Bleiüberschuß
Dotiertes PbZrxTi1-xO₃, z. B. mit Nb dotiert
Pb1- α yLyZrxTi1-xO₃ mit x = 0-1, y = 0-0,20 und α = 1,3-1,5, mit oder ohne Bleiüberschuß
Pb1- α yLayTiO₃ mit y = 0-0,28 und α = 1,3-1,5, mit oder ohne Bleiüberschuß
(Pb, Ca)TiO₃
BaTiO₃, mit oder ohne Dotierungen
BaTiO₂ mit Ce-Dotierung
BaTiO₂ mit Nb- und/oder Co-Dotierung
BaZrxTi1-xO₃ mit x = 0-1
Ba1-xSrxTiO₂ mit x = 0-1
SrTiO₃ mit Dotierungen von z. B. La, Nb, Fe, Mn
SrZrxTi1-xO₃ mit x = 0-1 mit oder ohne Mn-Dotierung
CaOxZnOy(Nb₂O₅)z mit x = 0.01-0,05; y = 0,43-0,55; z = 0,44-0,52
(BaTiO₃)0,18-0,27 + (Nd₂O₃)0,316-0,355 + (TiO₂)0,276-0,355 + (Bi₂O₃)0,025-0,081 + ZnO
MgO-TiO₂-CaO-Al₂O₃-SiO₂ mit Dotierung von Nb, Y, La, Pr, Ni
Al₂O₃
Ba₂Ti₉O₂₀
Nb₂O₅
TiO₂
CaTiO₃
CaTiO₃ + CaTiSiO₅
(Sr, Ca)(Ti, Zr)O₃
(Sr, Ca, M)(Ti, Zr)O₃ M=Mg oder Zn
(Sr, Ca, Mg, Zn)(Ti, Zr, Si)O₃
(Sr, Ca, Cu, Mn, Pb)TiO₃ + Bi₂O₃
BaO-SrO-CaO-Nd₂O₃-Gd₂O₃-Nb₂O₅-TiO₂
(Bi₂O₃)x(Nb₂O₅)1-x mit Zugaben von SiO₂, MnO₂, PbO
BaTiO₃ mit Nb₂O₅, CoO, MnO₂, CeO₂, ZnO Dotierungen
BaTiO₃ + CaZrO₃ mit Zugabe von MnO, MgO und Seltenerdoxiden
(Ba, Ca)TiO₃ + Nb₂O₅, Co₂O₃, MnO₂
Zr(Ti, Sn)O₄
BaO-PbO-Nd₂O₃-Pr₂O₃-Bi₂O₃-TiO₂
Ba(Zn, Ta)O₃
Ta₂O₅
CaZrO₃
(Ba, Nd)(Ti, Zr)O₃ + Ce-Dotierung
(Ba, Ca, Sr)(Ti, Zr)O₃ + Li₂O, SiO₂, B₂O₃
PbO-Nb₂O₃-ZrO₂-SnO₂-TiO₂
[Pb(Mg1/3Nb2/3)O₃]x-[PbTiO₃]1-x mit x = 0 . . . 1, mit und ohne Bleiüberschuß, mit und ohne Dotierung
(Pb, Ba, Sr)(Mg1/3Nb2/3)xTiy(Zn1/3Nb2/3)1-x-yO₃
- i) Pb(Mg1/2W1/2)O₃
- ii) Pb(Fe1/2Nb1/2)O₃
- iii) Pb(Fe2/3W1/3)O₃
- iv) Pb(Ni1/3Nb2/3)O₃
- v) Pb(Zn1/3Nb2/3)O₃
Kombinationen der Verbindungen i)-v) mit PbTiO₃ und Pb(Mg1/3Nb2/3)O₃
Pb(Sc1/2Ta1/2)O₃.
Pb(Sc1/2Ta1/2)O₃.
Ebenfalls können auch Schichtstrukturen, die aus mehreren einzelnen Schichten der
oben aufgeführten Verbindungen aufgebaut sind, wie beispielsweise eine titanreiche
PZT-Schicht und darauf PLZT-Schichten, verwendet werden, wodurch sich insbe
sondere die elektrischen Eigenschaften der Schicht verbessern.
Die Aufgabe wird erfindungsgemaß ebenfalls dadurch gelöst, daß bei einem Bauteil
mit einem Kondensator mit wenigstens einer Substratschicht aus Al₂O₃ als Material
für die Planarisierungsschicht nicht kristallisierende Gläser mit/ohne Zusatz von
wenigstens einem Element aus einer Gruppe, bestehend aus
TiO₂, ZrO₂, HfO₂, SrTiO₃, CaTiO₃, CaZrO₃, BaTiO₃, BaZrxTi1-xO₃ mit
x = 0 . . . 1, PbZrxTi1-xO₃ mit x = 0 . . . 1, Ta₂O₅, Nb₂O₅, MgO, BeO, Al₂O₃, MgAl₂O₄,
ZrTiO₄, BaF₂, MgF₂,Y₂O₃, Sc₂O₃, La₂O₃ und Ln₂O₃, wobei Ln Lanthanide wie z. B.
Pr₂O₃ sind, vorgesehen sind. Ähnlich wie bei einem erfindungsgemäßen Kondensator
mit einem Glassubstrat und einer Antireaktionsschicht werden dielektrische Materia
lien eingesetzt, die Dielektrizitätskonstanten K < 10 haben, um hohe Kapazitäten in
kleinen Abmessungen zu erreichen. Um diese Materialien auf einem kostengünstigen
Al₂O₃-Substrat verwenden zu können, muß eine Planarisierungsschicht vorgesehen
werden, da neben einer Reaktion des Dielektrikums mit Al₂O₃ auch Kurzschlüsse der
Kondensatoren aufgrund der hohen Oberflächenrauhigkeit verhindert werden müs
sen. Weiterhin wird auch eine Rißbildung der dielektrischen Schicht durch unter
schiedliche thermische Ausdehnungskoeffizienten vermieden. Bei einer Planarisie
rungsschicht aus einem der oben angegebenen Stoffe oder einer Kombination aus
mehreren Stoffen auf dem Al₂O₃-Substrat kann darauf eine dielektrische Schicht
aufgebracht werden, mit der eine ausreichende Kapazität erreicht wird. Im Falle von
sehr oberflächenrauhen Substraten, wie z. B. Al₂O₃-Substraten mit Dickschicht
qualität, werden mehrere Mikrometer dicke Planarisierungsschichten aufgebracht.
Diese Planarisierungsschicht kann z. B. eine Blei-Silikatglasschicht oder auch zur
Erhöhung der Temperaturstabilität eine mit TiO₂, ZrO₂ oder auch PbTiO₃ oder
einem der anderen oben angegebenen Zusätze angereicherte Glasschicht sein. Als
Verfahren zur Abscheidung einiger Mikrometer dicker Schichten können hier z. B.
Dickschichtprozesse, wie z. B. Siebdruckprozesse, eingesetzt werden.
In einer bevorzugten Ausführungsform des erfindungsgemäßen Kondensators mit
Al₂O₃-Substrat ist als Material für die Elektrodenschichten jeweils wenigstens ein
Element aus einer Gruppe, bestehend aus Ti/Pt, Ta/Pt, Ti/Pd/Pt, Ir, IrOx, IrO₂/Ir,
ZrO₂/Pt, Ti/Cu, Ti/Ni, Ti/NiAl, Ti/(Ni, Al, Cr), Ti/(Ni, Al, Fe), Ti/(Ni, Fe, Cr),
Ti/(Ni, Al, Cr, Fe), Ti/(Ni, Fe, Cr, Si), Ti/(Co, Ni, Fe, Cr), PtxAl1-x/Pt, Pt/IrO₂,
TiO₂/Pt, leitenden Oxiden, Hybriden aus wenigstens einem leitenden Oxid und
einem Edelmetall und Hybriden aus wenigstens einem Edelmetall und einem Nicht
edelmetall, vorgesehen. Als leitende Oxide können dabei beispielsweise die Verbin
dungen RuOx, SrRuO₃ oder andere verwendet werden. Für hybride Kombinationen
aus leitenden Oxiden und Edelmetallen kommen zum Beispiel Kombinationen wie
RuOx/Pt zur Anwendung. Als Hybridelektroden aus Edelmetall und Nichtedelmetall
eignen sich insbesondere die Kombinationen Ti/Cu/Pt, Ti/Ni/Pt und Ti/(Ni, Cr, Al,
Fe)/Pt sowie weitere ähnliche Verbindungen.
In einer vorteilhaften Weiterbildung der Erfindung ist für die Dielektrikumschicht
eine Schicht aus ferroelektrischem Material mit einer Dicke von 10 nm bis 2 µm
vorgesehen. Auch hier können mit Hilfe der Planarisierungsschichten dünne, ferro
elektrische Dielektrika mit geringem Verlustfaktor auf kostengünstigem Substrat
aufgebracht werden, die die Herstellung eines Kondensators mit großer Volumenka
pazität in Dünnschichttechnik ermöglichen, der SMD-fähig und mit großer Präzision
fertigbar ist. Als dielektrische Materialien werden vorzugsweise die oben für
Schichtdicken von 10 nm-2 µm auf einem Glassubstrat angegebenen Stoffe
verwendet.
In einer anderen Weiterbildung des Kondensators in Dickschichttechnik ist dagegen
als Material für die Elektrodenschichten jeweils wenigstens ein Metallpulver in
Form einer Paste aus einer Gruppe, bestehend aus AgxPt1-x mit x = 0 . . . 1, AgxPd1-x mit
x = 0 . . . 1, Ag, Cu, Ni und diese Metallpulver jeweils mit Zugabe geringer Mengen
eines Haftglases, vorgesehen.
Neben der Ausführungsform in Dünnschichttechnik auf einem Al₂O₃-Substrat kann
es auch vorteilhaft sein, für die Dielektrikumschicht eine Schicht aus ferroelektri
schem Material mit einer Dicke von 2 µm bis 20 µm vorzusehen. Für Dickschichten
von ca. 2 µm-20 µm werden als dielektrische Materialien vorzugsweise Pasten ver
wendet, die die folgenden Bestandteile in Form von Pulver enthalten:
PbZrxTi1-xO₃ mit x = 0-1, mit und ohne Bleiüberschuß (z. B. PbWO₃)
Dotiertes PbZrxTi1-xO₃ mit Flüssigphase
Pb1- α yLayZrxTi1-xO₃ mit x = 0-1, y = 0-0,20 und α = 1,3-1,5 Pb1- α yLayTiO₃ mit y = 0-0,28 und α = 1,3-1,5
(Pb, Ca)TiO₃
BaTiO₃
BaTiO₃ mit Ce-Dotierung
BaTiO₃ mit Nb- und/oder Co-Dotierung
BaZrxTi1-xO₃ mit x = 0-1
Ba1-xSrxTiO₃ mit x = 0-1
SrTiO₃ mit Dotierungen von z. B. La, Nb, Fe, Mn
SrZrxTi1-xO₃ mit x = 0-1 mit oder ohne Mn-Dotierung
CaOxZnOy(Nb₂O₅)z mit x = 0,01-0,05; y = 0,43-0,55; z = 0,44-0,52
(BaTiO₃)0,18-0,27 + (Nd₂O₃)0,316-0,355 + (TiO₂)0,276-0,355 + (Bi₂O₃)0,025-0,081 + ZnO
CaTiO₃ + CaTiSiO₅
(Sr, Ca)(Ti, Zr)O₃
(Sr, Ca, M)(Ti, Zr)O₃ M=Mg oder Zn
(Sr, Ca, Mg, Zn)(Ti, Zr, Si)O₃
(Sr, Ca, Cu, Mn, Pb)TiO₃ + Bi₂O₃
BaO-SrO-CaO-Nd₂O₃-Gd₂O₃-Nb₂O₅-TiO₂
(Bi₂O₃)x(Nb₂O₅)1-x mit Zugaben von SiO₂, MnO₂, PbO
BaTiO₃ mit Nb₂O₅, CoO, MnO₂, CeO₂, ZnO Dotierungen
BaTiO₃ + CaZrO₃ mit Zugabe von MnO, MgO und Seltenerdoxiden
(Ba, Ca)TiO₃ + Nb₂O₅, Co₂O₃, MnO₂
MgO-TiO₂-CaO-Al₂O₃-SiO₂ mit Dotierung von Nb, Y, La, Pr, Ni
Ba₂Ti₉O₂₀
Zr(Ti, Sn)O₄
BaO-PbO-Nd₂O₃-Pr₂O₃-Bi₂O₃-TiO₂
Ba(Zn, Ta)O₃
(Ba, Nd)(Ti, Zr)O₃ + Ce-Dotierungen
CaZrO₃
(Ba, Ca, Sr)(Ti, Zr)O₃ + Li₂O, SiO₂, B₂O₃
PbO-Nb₂O₃-ZrO₂-SnO₂-TiO₂
[Pb(Mg1/3Nb2/3)O₃]x-[PbTiO₃]1-x + Flüssigphase, mit x = 0 . . . 1
(Pb, Ba, Sr)(Mg1/3Nb2/3)xTiy(Zn1/3Nb2/3)1-x-yO₃
PbZrxTi1-xO₃ mit x = 0-1, mit und ohne Bleiüberschuß (z. B. PbWO₃)
Dotiertes PbZrxTi1-xO₃ mit Flüssigphase
Pb1- α yLayZrxTi1-xO₃ mit x = 0-1, y = 0-0,20 und α = 1,3-1,5 Pb1- α yLayTiO₃ mit y = 0-0,28 und α = 1,3-1,5
(Pb, Ca)TiO₃
BaTiO₃
BaTiO₃ mit Ce-Dotierung
BaTiO₃ mit Nb- und/oder Co-Dotierung
BaZrxTi1-xO₃ mit x = 0-1
Ba1-xSrxTiO₃ mit x = 0-1
SrTiO₃ mit Dotierungen von z. B. La, Nb, Fe, Mn
SrZrxTi1-xO₃ mit x = 0-1 mit oder ohne Mn-Dotierung
CaOxZnOy(Nb₂O₅)z mit x = 0,01-0,05; y = 0,43-0,55; z = 0,44-0,52
(BaTiO₃)0,18-0,27 + (Nd₂O₃)0,316-0,355 + (TiO₂)0,276-0,355 + (Bi₂O₃)0,025-0,081 + ZnO
CaTiO₃ + CaTiSiO₅
(Sr, Ca)(Ti, Zr)O₃
(Sr, Ca, M)(Ti, Zr)O₃ M=Mg oder Zn
(Sr, Ca, Mg, Zn)(Ti, Zr, Si)O₃
(Sr, Ca, Cu, Mn, Pb)TiO₃ + Bi₂O₃
BaO-SrO-CaO-Nd₂O₃-Gd₂O₃-Nb₂O₅-TiO₂
(Bi₂O₃)x(Nb₂O₅)1-x mit Zugaben von SiO₂, MnO₂, PbO
BaTiO₃ mit Nb₂O₅, CoO, MnO₂, CeO₂, ZnO Dotierungen
BaTiO₃ + CaZrO₃ mit Zugabe von MnO, MgO und Seltenerdoxiden
(Ba, Ca)TiO₃ + Nb₂O₅, Co₂O₃, MnO₂
MgO-TiO₂-CaO-Al₂O₃-SiO₂ mit Dotierung von Nb, Y, La, Pr, Ni
Ba₂Ti₉O₂₀
Zr(Ti, Sn)O₄
BaO-PbO-Nd₂O₃-Pr₂O₃-Bi₂O₃-TiO₂
Ba(Zn, Ta)O₃
(Ba, Nd)(Ti, Zr)O₃ + Ce-Dotierungen
CaZrO₃
(Ba, Ca, Sr)(Ti, Zr)O₃ + Li₂O, SiO₂, B₂O₃
PbO-Nb₂O₃-ZrO₂-SnO₂-TiO₂
[Pb(Mg1/3Nb2/3)O₃]x-[PbTiO₃]1-x + Flüssigphase, mit x = 0 . . . 1
(Pb, Ba, Sr)(Mg1/3Nb2/3)xTiy(Zn1/3Nb2/3)1-x-yO₃
- i) Pb(Mg1/2W1/2)O₃
- ii) Pb(Fe1/2Nb1/2)O₃
- iii) Pb(Fe₂₁₃W1/3)O₃
- iv) Pb(Ni1/3Nb2/3)O₃
- v) Pb(Zn1/3Nb2/3)O₃
Kombinationen der Verbindungen i)-v) mit
PbTiO₃ und Pb(Mg1/3Nb2/3)O₃ + Flüssigphase
Pb(Sc1/2Ta1/2)O₃
[Pb(Mg1/3Nb2/3)O₃]x-[PbTiO₃]1-x mit PbWO₃ als Flüssigphase und mit x = 0 . . . 1.
PbTiO₃ und Pb(Mg1/3Nb2/3)O₃ + Flüssigphase
Pb(Sc1/2Ta1/2)O₃
[Pb(Mg1/3Nb2/3)O₃]x-[PbTiO₃]1-x mit PbWO₃ als Flüssigphase und mit x = 0 . . . 1.
Weiterhin eignen sich insbesondere Pasten gut, die die vorstehend genannten Be
standteile in Form von Pulver enthalten und denen zur Erniedrigung der Prozeßtem
peratur Gläser oder ein anorganischer Binder in Form eines Gels beigemischt wird.
Vorteilhafterweise ist bei den Ausführungsformen des Bauteiles wenigstens eine
organische oder anorganische Schutzschicht vorgesehen. Als Materialien für die
Schutzschicht gegen beispielsweise mechanische Beanspruchungen eignen sich
insbesondere polymere Schutzschichten oder anorganische Schutzschichten oder
Kombinationen aus polymeren und anorganischen Schutzschichten, wie z. B. SiO₂ +
Polyimid. Dabei kann das Bauteil mit einem Kondensator auch so ausgeführt sein,
daß auf die anorganische oder polymere Schutzschicht ein weiteres Substrat, bei
spielsweise ein Glassubstrat, aufgeklebt ist.
Weiterhin sind vorzugsweise wenigstens zwei Endkontakte vorgesehen. An den End
kontakten kann das Bauteil mit externen Bauelementen elektrisch gekoppelt werden.
Diese Endkontakte können vorteilhafterweise je nach Anwendung unterschiedlich
ausgeführt sein. Daher sind neben den konventionellen Endkontakten, bei welchen 5
Flächen kontaktiert werden, weitere Gestaltungsformen möglich und für bestimmte
Applikationen oder Arten der Bauteilmontage geeigneter. Beispielsweise können
verwendet werden:
- a) SMD-Endkontakte mit weniger als 5 Kontaktflächen,
- b) Endkontakte, bei denen 3 Flächen U-förmig kontaktiert werden,
- c) Endkontakte, bei denen 2 Flächen L-förmig kontaktiert werden,
- d) SMD-Endkontakte mit 5 oder weniger Kontaktflächen, bei denen sowohl die obere als auch die untere Elektrodenschicht von oben kontaktiert werden.
Die Aufgabe der Erfindung wird weiterhin mit einem Verfahren zur Herstellung
eines Bauteiles mit einem Kondensator mit den Schritten
- - Bereitstellen wenigstens einer Substratschicht aus Glas,
- - Aufbringen wenigstens einer Antireaktionsschicht auf die Substratschicht,
- - Aufbringen wenigstens einer ersten Elektrodenschicht auf die Antireaktionsschicht,
- - Strukturierung der ersten Elektrodenschicht zu wenigstens einer ersten Elektrode,
- - Aufbringen wenigstens einer Dielektrikumschicht auf die erste Elektrode,
- - Aufbringen wenigstens einer zweiten Elektrodenschicht auf die Dielektrikumschicht,
- - Strukturierung der zweiten Elektrodenschicht zu wenigstens einer zweiten Elektrode
gelöst, bei dem als Material für die Antireaktionsschicht wenigstens ein Element aus
einer Gruppe, bestehend aus TiO₂, ZrO₂, HfO₂, SrTiO₃, CaTiO₃, BaTiO₃, BaZrxTi1-xO₃
mit x = 0 . . . 1, PbZrxTi1-xO₃ mit x = 0 . . . 1, Ta₂O₅, Nb₂O₅, MgO, BeO, Al₂O₃,
MgAl₂O₄, ZrTiO₄, BaF₂, MgF₂, Y₂O₃, Sc₂O₃, La₂O₃ und Ln₂O₃, wobei Ln Lantha
nide wie z. B. Pr₂O₃ sind, vorgesehen ist. Zur Herstellung der Dielektrikumschicht
eignen sich als Abscheideverfahren insbesondere Sputtern, Elektronenstrahlverdampfung,
Laser-Ablation, chemische Abscheidung aus der Gasphase oder naßchemische
Verfahren wie das Sol-Gel-Verfahren. Dazu sind als Abscheideverfahren für die
Antireaktionsschicht vorteilhafterweise naßchemische Verfahren, wie zum Beispiel
Schleudern, Tauchen, Sprühen oder Sputtern, die chemische Abscheidung aus der
Gasphase oder Laser Ablation vorgesehen.
Die Aufgabe der Erfindung wird ebenfalls mit einem Verfahren zur Herstellung
eines Bauteiles mit einem Kondensator mit den Schritten
- - Bereitstellen wenigstens einer Substratschicht aus Al₂O₃,
- - Aufbringen wenigstens einer Planarisierungsschicht auf die Substratschicht,
- - Aufbringen wenigstens einer ersten Elektrodenschicht auf die Planarisierungs schicht,
- - Strukturierung der ersten Elektrodenschicht zu wenigstens einer ersten Elektrode,
- - Aufbringen wenigstens einer Dielektrikumschicht auf die erste Elektrode,
- - Aufbringen wenigstens einer zweiten Elektrodenschicht auf die Dielektrikum schicht,
- - Strukturierung der zweiten Elektrodenschicht zu wenigstens einer zweiten Elektrode
gelöst, bei dem als Material für die Planarisierungsschicht nicht kristallisierende
Gläser mit/ohne Zusatz von wenigstens einem Element aus einer Gruppe, bestehend
aus TiO₂, ZrO₂, HfO₂, SrTiO₃, CaTiO₃, BaTiO₃, BaZrxTi1-xO₃ mit x = 0 . . . 1, PbZrxTi1-xO₃
mit x = 0 . . . 1, Ta₂O₅, Nb₂O₅, MgO, BeO, Al₂O₃, MgAl₂O₄, ZrTiO₄, BaF₂,
MgF₂, Y₂O₃, Sc₂O₃, La₂O₃ und Ln₂O₃, wobei Ln Lanthanide wie z. B. Pr₂O₃ sind,
vorgesehen sind. Dabei wird zur Herstellung der Dielektrikumschicht als Abscheide
verfahren vorzugsweise ein Druckverfahren wie Siebdrucken, Flexoprinten, Schleu
dern, Tauchen, Doctor Blade oder Curtain Coating verwendet. Die Planarisierungs
schicht wird dann vorteilhafterweise mit Verfahren wie einem Druckverfahren wie
Siebdrucken, Flexoprinten, Schleudern, Tauchen, Doctor Blade oder Curtain
Coating abgeschieden.
Da es sich bei der Herstellung dieser Produkte in der Regel um Massenprodukte
handelt, die in Consumeranwendungen eingesetzt werden, müssen besonders kosten
günstige Verfahren zum Einsatz kommen. Als sehr kostengünstiges Verfahren zur
Abscheidung dünner, dielektrischer Schichten mit K < 10 wird beispielsweise ein
naßchemisches Dünnschichtverfahren, wie z. B. das Sol-Gel Verfahren eingesetzt.
Hiermit können z. B. PbZrxTi1-xO₃-Schichten in Form keramischer Schichten bei
Temperaturen von ca. 400-700°C erzeugt werden. Die Prozeßtemperaturen liegen
damit 500-600°C niedriger als die entsprechenden Temperaturen zur Herstellung
dichter keramische PbZrxTi1-xO₃-Sinterkörper. Der Einsatz dieser Verfahren, wie
z. B. naßchemischer Verfahren, gestattet die Abscheidung der Schichten bei niedri
gen Temperaturen mit Dicken bis zu 10 nm. Die niedrigen Temperaturen sind not
wendig, um die sehr dünnen Schichten auf kostengünstigen Substraten, wie z. B.
Glassubstraten oder Al₂O₃-Substraten, zu fertigen. Um sehr dünne Kondensatoren
zu erzeugen, werden dünne Substratplatten mit Dicken von ca. 200-500 µm
eingesetzt.
Im folgenden soll die Erfindung anhand einer Figur und von sechs Ausführungsbei
spielen erläutert werden. Dabei zeigt
Fig. 1 den schematischen Aufbau des erfindungsgemäßen Bauteiles im
Querschnitt.
In dem Bauteil in Fig. 1 bezeichnet 1 eine Substratschicht, beispielsweise Glas oder
Al₂O₃, 2 eine Antireaktions- bzw. Planarisierungsschicht, 3 eine erste Elektrode, 4
eine Dielektrikumschicht, 5 eine zweite Elektrode, 6 eine Schutzschicht und 7 zwei
auf beiden Seiten angebrachten Endkontakte. Neben den konventionellen Endkontak
ten, bei denen fünf Flächen des Bauteiles kontaktiert werden, sind auch andere
Ausführungsformen denkbar.
Im folgenden werden Ausführungsformen der Erfindung erläutert, die beispielhafte
Realisierungsmöglichkeiten darstellen. Wie für den Fachmann leicht ersichtlich ist,
sind durch einfache Abweichungen weitere Ausführungsformen denkbar, ohne den
Rahmen des Patentanspruchs zu verlassen.
Auf ein Glassubstrat 1 (Corning 7059) wird durch ein Sputterverfahren eine dünne
Ti-Schicht 2 aufgebracht und anschließend oxidiert. Im Anschluß daran wird eine
Ti/Pt-Schicht 3 aufgesputtert. Zur Strukturierung wird diese Elektrodenschicht
durch eine mechanische Maske gesputtert. Auf dieses Substrat wird eine
PbZr0,35Ti0,65O₃-Schicht 4 aufgebracht. Die Abscheidung der PbZr0,35T0,65O₃-Schicht
4 erfolgt durch Einsatz einer Lösung, bei welcher Bleiacetat-tri-hydrat in
60 g Ethylenglykolmonomethylether aufgelöst wurde. Zu dieser Lösung wurden
8,62 g Titan-tetra-n-butylat und 7,51 g Zirkon-tetra-n-butylat gegeben. Die Lösung
wurde durch ein Celluloseacetatfilter mit einer Porenweite von 0,2 µm filtriert. Zur
Abscheidung einer PZT-Schicht 4 wird ein Glassubstrat 1 mit strukturierter
Pt-Elektrode 3 eingesetzt. Auf dieses Substrat werden ca. 1 ml der Pb-Ti-Zr-Lösung
aufgebracht und damit mit einem Schleuderverfahren mit 2500 Umdrehungen pro
Minute beschichtet. Die Schicht wird mit 100°C/sec auf 550°C unter Sauerstoff
atmosphäre aufgeheizt und anschließend bei dieser Temperatur gesintert. Dieser
Vorgang wird mehrmals wiederholt, um eine Schicht mit einer Schichtdicke von ca.
0,3-1 µm zu erzeugen. Auf diese PZT Schicht 4 wird durch eine mechanische
Maske eine zweite Pt-Elektrode 5 aufgesputtert. Nach Abscheidung einer 0,5 µm
dicken SiO₂-Schicht und einer organischen Schutzschicht 6 werden die Substrate in
Streifen geteilt und anschließend mit Endkontakten 7 versehen.
Auf ein Glassubstrat 1 (Schott AF45) wird durch ein Sputterverfahren eine dünne
Ti-Schicht 2 aufgebracht und thermisch oxidiert. Anschließend wird eine Ti/Pt
Schicht 3 aufgesputtert. Zur Strukturierung wird diese Elektrode durch reaktives
Ionenätzen behandelt. Auf dieses Substrat wird eine PbZr0,35Ti0,65O₃ Schicht 4
aufgebracht. Die Abscheidung einer PbZr0,35Ti0,65O₃ Schicht 4 erfolgt durch Einsatz
einer Lösung, bei welcher Bleiacetat-tri-hydrat in 60 g Ethylenglykolmonomethyl
ether aufgelöst wurde. Zu dieser Lösung wurden 8,62 g Titan-tetra-n-butylat und
7,51 g Zirkon-tetra-n-butylat gegeben. Die Lösung wurde durch ein Celluloseacetat
filter mit einer Porenweite von 0,2 µm filtriert. Zur Abscheidung einer PZT Schicht
4 wird das Glassubstrat 1 mit strukturierter Pt Elektrode 3 eingesetzt. Auf dieses
Substrat werden ca. 1 ml der Pb-Ti-Zr-Lösung aufgebracht und mit einem Schleu
derverfahren mit 2500 Umdrehungen pro Minute beschichtet. Die Schicht wird mit
100°C/sec auf 550°C unter Sauerstoffatmosphäre aufgeheizt und anschließend bei
dieser Temperatur gesintert. Dieser Vorgang wird mehrmals wiederholt, um eine
Schicht von ca. 0,2-1 µm zu erzeugen. Auf diese PZT Schicht 4 wird eine
Pt-Elektrode 5 aufgesputtert und durch reaktives Ionenätzen strukturiert. Die weitere Ver
arbeitung zu einem Kondensatorbauteil erfolgt entsprechend Ausführungsbeispiel 1.
Auf ein Glassubstrat 1 (Corning 1737) wird durch ein Sputterverfahren eine dünne
Ti und Ti/Pt Schicht 2 und 3 entsprechend dem Ausführungsbeispiel 2 aufgesputtert
und strukturiert. Auf dieses Substrat wird eine PbZr0,35Ti0,65O₃ Schicht 4 aufge
bracht. Die Abscheidung einer PbZr0,35Ti0,65O₃ Schicht 4 erfolgt durch Einsatz einer
Lösung, bei welcher Bleiacetat-tri-hydrat in 60 g Ethylenglykolmonomethylether
aufgelöst wurde. Zu dieser Lösung wurden 8,62 g Titan-tetra-n-butylat und 7,51 g
Zirkon-tetra-n-butylat gegeben. Die Lösung wurde durch ein Celluloseacetatfilter mit
einer Porenweite von 0,2 µm filtriert. Zur Abscheidung einer PZT Schicht 4 wird
das Glassubstrat 1 mit strukturierter Pt Elektrode 3 eingesetzt. Auf dieses Substrat
werden ca. 1 ml der Pb-Ti-Zr-Lösung aufgebracht und mit einem Schleuderverfah
ren mit 2500 Umdrehungen pro Minute beschichtet. Die Schicht wird mit 300°C/min
auf 600°C unter Sauerstoffatmosphäre aufgeheizt und anschließend bei
dieser Temperatur gesintert.
Auf diese Schicht wird eine zweite Schicht der Zusammensetzung PbZr0,53Ti0,47O₃
aufgebracht. Dazu wird Bleiacetat in Methoxyethanol gelöst. 4,204 g Titan-tetra-n
butylat und 5,076 g Zirkontetra-n-butylat werden in Methoxyethanol gelöst. Die
Titan und Zirkon enthaltende Lösung wird zur Bleiacetatlösung unter Rühren
zugefügt. Weiterhin wird eine Hydrolisierlösung aus Wasser und konz. HNO₃ und
Methoxyethanol hergestellt. Diese Hydrolisierlösung wird zu der Blei, Titan und
Zirkon enthaltenden Lösung zugefügt. Auf das oben beschichtete Substrat werden
ca. 1 ml dieser Pb-Ti-Zr-Lösung aufgebracht und mit einem Schleuderverfahren mit
2500 Umdrehungen pro Minute beschichtet. Die Schicht wird mit 300°C/min auf
600 °C unter Sauerstoffatmosphäre aufgeheizt und anschließend bei dieser Tempera
tur gesintert. Dieser Vorgang wird mehrmals wiederholt. Bei der letzten Beschich
tung wird eine Heiztemperatur von 650°C eingesetzt. Auf diese PZT Schicht 4
wird eine Pt Elektrode 5 aufgesputtert und durch reaktives Ionenätzen strukturiert.
Die weitere Verarbeitung zu einem Kondensatorbauteil erfolgt entsprechend Ausfüh
rungsbeispiel 1.
Auf ein Glassubstrat 1 (entsprechend Ausführungsbeispiel 1, 2 oder 3) wird durch
ein Sputterverfahren eine dünne Ti/Pt Schicht 2 und 3 mit 10 nm Ti und 140 nm Pt
aufgesputtert. Zur Strukturierung wird die kontinuierliche Pt Elektrode 3 durch
einen reaktiven Ionenätzprozeß strukturiert. Anschließend wird eine aus TiO₂ beste
hende Antireaktionsschicht 2 auf dem Substrat 1 erzeugt, indem die kontinuierliche
Ti Schicht durch eine thermische Behandlung bei 450°C im Sauerstoffstrom in eine
dichte TiO₂ Schicht 2 umgewandelt wird. Auf dieses Substrat wird eine
PbZr0,35Ti0,65O₃ Schicht und eine PbZr0,53Ti0,47O₃ Schicht 4, welche mit La dotiert ist,
aufgebracht. Die Herstellung einer Pb-La-Ti-Zr-Lösung erfolgt in ähnlicher Weise
wie die Herstellung der in Ausführungsbeispiel 1, 2, 3 beschriebenen Lösungen. Zur
Abscheidung der Pb-Ti-Zr und Pb-La-Zr-Ti Schicht 4 wird das, wie oben mit einer
Antireaktionsschicht 2 versehene Glassubstrat 1, eingesetzt. Die Abscheidung der
Schichtstrukturen erfolgt wie in Ausführungsbeispiel 3. Auf diese PZT Schicht 4
wird durch ein Sputterverfahren eine Pt Schicht aufgebracht. Durch reaktives Ionen
ätzen wird diese Oberelektrode 5 strukturiert. Anschließend wird eine Schutzschicht
6 bestehend aus 0,5 µm SiO₂ durch chemische Abscheidung aufgebracht und struktu
riert. Auf die SiO₂ Schicht wird eine 10 µm dicke Polymerschicht in Form von
Polyimid aufgebracht und strukturiert. Das Glassubstrat wird in Streifen getrennt.
NiCr Endkontakte 7 werden aufgesputtert und NiPbSn Endkontakte 7 werden in
einem galvanischen Bad aufgewachsen.
Auf ein Glassubstrat 1 (Schott AF45) werden durch ein Druckverfahren auf der
Unterseite des Substrats 1 Endkontakte aufgedruckt. Anschließend wird durch ein
Schleuderverfahren eine dünne ZrO₂ Schicht als Antireaktionsschicht 2 auf das
Glassubstrat aufgebracht. Auf diese Antireaktionsschicht 2 wird mittels Lift-off-
Verfahren eine dünne Ti/Pt Schicht 2 und 3 mit 10 nm Ti und 140 nm Pt struktu
riert aufgebracht. Auf dieses Substrat wird eine Schichtstruktur 4 aus einer
PbZr0,35Ti0,65O₃ Schicht und einer PbZr0,53Ti0,47O₃ Schicht, welche mit La dotiert ist,
aufgebracht. Die Beschichtung erfolgt wie in Ausführungsbeispiel 4 beschrieben.
Zur Herstellung des Kondensators wird auf die PLZT Schicht 4 eine Pt Schicht 5
aufgebracht. Durch ein Lift-Off-Verfahren wird diese Oberelektrode 5 strukturiert.
Anschließend wird eine Schutzschicht 6 bestehend aus 0,5 µm Si₃N₄ mittels PECVD
abgeschieden. Nach der Strukturierung der Si₃N₄ Schicht wird eine etwa 10 µm
dicke Polyimidschicht aufgebracht und strukturiert. Nach einer Separation in Streifen
werden NiCr Endkontakte 7 aufgesputtert. Nach der vollständigen Separation in
Einzelprodukte werden NiPbSn Endkontakte 7 in einem galvanischen Bad aufge
wachsen.
Auf ein Al₂O₃-Substrat 1 (Dickschichtqualität) werden durch ein Druckverfahren auf
der Unterseite des Substrats Endkontakte aufgedruckt. Anschließend wird durch
einen weiteren Druckprozeß eine Bleisilikatschicht als Planarisierungsschicht 2
aufgedruckt. Dazu wird ein Bleisilikatpulver in Isopropanol dispergiert. Grobe
Partikel werden entfernt durch Sedimenation. Die verbleibende Slurry wird auf das
Al₂O₃ Substrat 1 mittels eines Doktorbladeverfahrens aufgebracht. Das Substrat wird
getrocknet und anschließend bei 900°C gesintert. Auf dieses planarisierte Substrat 1
und 2 wird mittels Lift-off-Verfahren eine dünne Ti/Pt Schicht 2 und 3 mit 10 nm
Ti und 140 nm Pt aufgesputtert und strukturiert. Auf dieses Substrat wird eine
PbZr0,53Ti0,47O₃ Schicht 4, welche mit La dotiert ist, aufgebracht. Die Beschichtung
erfolgt wie in Ausführungsbeispiel 4 beschrieben. Zur Herstellung des Kondensators
wird auf die PLZT Schicht 4 eine Pt Schicht 5 aufgebracht. Durch einen Druckpro
zeß und ein Lift-off-Verfahren wird diese Oberelektrode 5 strukturiert. Anschließend
wird eine niedrig sinternde Glasschicht als Schutzschicht 6 aufgedruckt. Nach einer
Separation in Streifen werden NiCr Endkontakte 7 aufgesputtert. Nach der vollstän
digen Separation in Einzelprodukte werden NiPbSn Endkontakte 7 in einem galvani
schen Bad aufgewachsen.
Claims (20)
1. Bauteil mit einem Kondensator mit
- - wenigstens einer Substratschicht (1) aus Glas,
- - wenigstens einer Antireaktionsschicht (2),
- - wenigstens zwei Elektrodenschichten (3, 5) und
- - wenigstens einer Dielektrikumschicht (4),
dadurch gekennzeichnet,
daß als Material für die Antireaktionsschicht (2) wenigstens ein Element aus einer Gruppe, bestehend aus TiO₂, ZrO₂, HfO₂, SrTiO₃, CaTiO₃, BaTiO₃, BaZrxTi1-xO₃ mit x = 0 . . . 1, PbZrxTi1-xO₃ mit x = 0 . . . 1, Ta₂O₅, Nb₂O₅, MgO, BeO, Al₂O₃, MgAl₂O₄, ZrTiO₄, BaF₂, TiB₂, MgF₂, Y₂O₃, Sc₂O₃, La₂O₃ und Ln₂O₃, wobei Ln Lanthanide wie z. B. Pr₂O₃ sind, vorgesehen ist.
daß als Material für die Antireaktionsschicht (2) wenigstens ein Element aus einer Gruppe, bestehend aus TiO₂, ZrO₂, HfO₂, SrTiO₃, CaTiO₃, BaTiO₃, BaZrxTi1-xO₃ mit x = 0 . . . 1, PbZrxTi1-xO₃ mit x = 0 . . . 1, Ta₂O₅, Nb₂O₅, MgO, BeO, Al₂O₃, MgAl₂O₄, ZrTiO₄, BaF₂, TiB₂, MgF₂, Y₂O₃, Sc₂O₃, La₂O₃ und Ln₂O₃, wobei Ln Lanthanide wie z. B. Pr₂O₃ sind, vorgesehen ist.
2. Bauteil nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß als Material für die Elektrodenschichten (3, 5) jeweils wenigstens ein Element
aus einer Gruppe, bestehend aus Ti/Pt, Ta/Pt, Ti/Pd/Pt, Ir, IrOx, IrO₂/Ir, ZrO₂/Pt,
Ti/Cu, Ti/Ni, Ti/NiAl, Ti/(Ni, Al, Cr), Ti/(Ni, Al, Fe), Ti/(Ni, Fe, Cr), Ti/(Ni,
Al, Cr, Fe), Ti/(Ni, Fe, Cr, S), Ti/(Co, Ni, Fe, Cr), PtxAl1-x/Pt, Pt/IrO₂, TiO₂/Pt,
leitenden Oxiden, Hybriden aus wenigstens einem leitenden Oxid und einem Edel
metall und Hybriden aus wenigstens einem Edelmetall und einem Nichtedelmetall,
vorgesehen ist.
3. Bauteil nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß für die Dielektrikumschicht (4) eine Schicht aus ferroelektrischem Material mit
einer Dicke von 10 nm bis 2 µm vorgesehen ist.
4. Bauteil mit einem Kondensator mit
- - wenigstens einer Substratschicht (1) aus Al₂O₃,
- - wenigstens einer Planarisierungsschicht (2),
- - wenigstens zwei Elektrodenschichten (3, 5) und
- - wenigstens einer Dielektrikumschicht (4),
dadurch gekennzeichnet,
daß als Material für die Planarisierungsschicht (2) nicht kristallisierende Gläser
mit/ohne Zusatz von wenigstens einem Element aus einer Gruppe, bestehend aus
TiO₂, ZrO₂, HfO₂, SrTiO₃, CaTiO₃, CaZrO₃, BaTiO₃, BaZrxTi1-xO₃ mit
x = 0 . . . 1, PbZrxTi1-xO₃ mit x = 0 . . . 1, Ta₂O₅, Nb₂O₅, MgO, BeO, Al₂O₃, MgAl₂O₄,
ZrTiO₄, BaF₂, MgF₂,Y₂O₃, Sc₂O₃, La₂O₃ und Ln₂O₃, wobei Ln Lanthanide wie z. B.
Pr₂O₃ sind, vorgesehen sind.
5. Bauteil nach Anspruch 4,
dadurch gekennzeichnet,
daß als Material für die Elektrodenschichten (3, 5) jeweils wenigstens ein Element
aus einer Gruppe, bestehend aus Ti/Pt, Ta/Pt, Ti/Pd/Pt, Ir, IrOx, IrO₂/Ir, ZrO₂/Pt,
Ti/Cu, Ti/Ni, Ti/NiAl, Ti/(Ni, Al, Cr), Ti/(Ni, Al, Fe), Ti/(Ni, Fe, Cr), Ti/(Ni,
Al, Cr, Fe), Ti/(Ni, Fe, Cr, S), Ti/(Co, Ni, Fe, Cr), PtxAl1-x/Pt, Pt/IrO₂, TiO₂/Pt,
leitenden Oxiden, Hybriden aus wenigstens einem leitenden Oxid und einem Edel
metall und Hybriden aus wenigstens einem Edelmetall und einem Nichtedelmetall,
vorgesehen ist.
6. Bauteil nach Anspruch 4 oder 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß für die Dielektrikumschicht (4) eine Schicht aus ferroelektrischem Material mit
einer Dicke von 10 nm bis 2 µm vorgesehen ist.
7. Bauteil nach Anspruch 4,
dadurch gekennzeichnet,
daß als Material für die Elektrodenschichten (3, 5) jeweils wenigstens ein Metall
pulver in Form einer Paste aus einer Gruppe, bestehend aus AgxPt1-x mit x = 0 . . . 1,
AgxPd1-x mit x = 0 . . . 1, Ag, Cu, Ni und diese Metallpulver jeweils mit Zugabe gerin
ger Mengen eines Haftglases, vorgesehen ist.
8. Bauteil nach Anspruch 4 oder 7,
dadurch gekennzeichnet,
daß für die Dielektrikumschicht (4) eine Schicht aus ferroelektrischem Material mit
einer Dicke von 2 µm bis 20 µm vorgesehen ist.
9. Bauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 8,
dadurch gekennzeichnet,
daß wenigstens eine organische oder anorganische Schutzschicht (6) vorgesehen ist.
10. Bauteil nach einem der Ansprüche 1 bis 9,
dadurch gekennzeichnet,
daß wenigstens zwei Endkontakte (7) vorgesehen sind.
11. Kondensator mit
- - wenigstens einer Substratschicht (1) aus Glas,
- - wenigstens einer Antireaktionsschicht (2),
- - wenigstens zwei Elektrodenschichten (3, 5) und
- - wenigstens einer Dielektrikumschicht (4),
dadurch gekennzeichnet,
daß als Material für die Antireaktionsschicht (2) wenigstens ein Element aus einer Gruppe, bestehend aus TiO₂, ZrO₂, HfO₂, SrTiO₃, CaTiO₃, BaTiO₃, BaZrxTi1-xO₃ mit x = 0 . . . 1, PbZrxTi1-xO₃ mit x = 0 . . . 1, Ta₂O₅, Nb₂O₅, MgO, BeO, Al₂O₃, MgAl₂O₄, ZrTiO₄, BaF₂, TiB₂, MgF₂, Y₂O₃, Sc₂O₃, La₂O₃ und Ln₂O₃, wobei Ln Lanthanide wie z. B. Pr₂O₃ sind, vorgesehen ist.
daß als Material für die Antireaktionsschicht (2) wenigstens ein Element aus einer Gruppe, bestehend aus TiO₂, ZrO₂, HfO₂, SrTiO₃, CaTiO₃, BaTiO₃, BaZrxTi1-xO₃ mit x = 0 . . . 1, PbZrxTi1-xO₃ mit x = 0 . . . 1, Ta₂O₅, Nb₂O₅, MgO, BeO, Al₂O₃, MgAl₂O₄, ZrTiO₄, BaF₂, TiB₂, MgF₂, Y₂O₃, Sc₂O₃, La₂O₃ und Ln₂O₃, wobei Ln Lanthanide wie z. B. Pr₂O₃ sind, vorgesehen ist.
12. Kondensator mit
- - wenigstens einer Substratschicht (1) aus Al₂O₃,
- - wenigstens einer Planarisierungsschicht (2),
- - wenigstens zwei Elektrodenschichten (3, 5) und
- - wenigstens einer Dielektrikumschicht (4),
dadurch gekennzeichnet,
daß als Material für die Planarisierungsschicht (2) nicht kristallisierende Gläser
mit/ohne Zusatz von wenigstens einem Element aus einer Gruppe, bestehend aus
TiO₂, ZrO₂, HfO₂, SrTiO₃, CaTiO₃, CaZrO₃, BaTiO₃, BaZrxTi1-xO₃ mit
x = 0 . . . 1, PbZrxTi1-xO₃ mit x = 0 . . . 1, Ta₂O₅, Nb₂O₅, MgO, BeO, Al₂O₃, MgAl₂O₄,
ZrTiO₄, BaF₂, MgF₂,Y₂O₃, Sc₂O₃, La₂O₃ und Ln₂O₃, wobei Ln Lanthanide wie z. B.
Pr₂O₃ sind, vorgesehen sind.
13. Verfahren zur Herstellung eines Bauteiles mit einem Kondensator mit den
Schritten
- - Bereitstellen wenigstens einer Substratschicht (1) aus Glas,
- - Aufbringen wenigstens einer Antireaktionsschicht (2) auf die Substratschicht (1),
- - Aufbringen wenigstens einer ersten Elektrodenschicht (3) auf die Antireak tionsschicht (2),
- - Strukturierung der ersten Elektrodenschicht (3) zu wenigstens einer ersten Elektrode (3),
- - Aufbringen wenigstens einer Dielektrikumschicht (4) auf die erste Elektrode (3),
- - Aufbringen wenigstens einer zweiten Elektrodenschicht (5) auf die Dielektri kumschicht (4),
- - Strukturierung der zweiten Elektrodenschicht (5) zu wenigstens einer zweiten Elektrode (5),
dadurch gekennzeichnet,
daß als Material für die Antireaktionsschicht (2) wenigstens ein Element aus einer
Gruppe, bestehend aus TiO₂, ZrO₂, HfO₂, SrTiO₃, CaTiO₃, BaTiO₃, BaZrxTi1-xO₃
mit x = 0 . . . 1, PbZrxTi1-xO₃ mit x = 0 . . . 1, Ta₂O₅, Nb₂O₅, MgO, BeO, Al₂O₃,
MgAl₂O₄, ZrTiO₄, BaF₂, MgF₂, Y₂O₃, Sc₂O₃, La₂O₃ und Ln₂O₃, wobei Ln Lanthani
de wie z. B. Pr₂O₃ sind, vorgesehen ist.
14. Verfahren zur Herstellung eines Bauteiles mit einem Kondensator mit den
Schritten
- - Bereitstellen wenigstens einer Substratschicht (1) aus Al₂O₃,
- - Aufbringen wenigstens einer Planarisierungsschicht (2) auf die Substratschicht (1),
- - Aufbringen wenigstens einer ersten Elektrodenschicht (3) auf die Planarisierungsschicht (2),
- - Strukturierung der ersten Elektrodenschicht (3) zu wenigstens einer ersten Elektrode (3),
- - Aufbringen wenigstens einer Dielektrikumschicht (4) auf die erste Elektrode (3),
- - Aufbringen wenigstens einer zweiten Elektrodenschicht (5) auf die Dielektrikumschicht (4),
- - Strukturierung der zweiten Elektrodenschicht (5) zu wenigstens einer zweiten Elektrode (5),
dadurch gekennzeichnet,
daß als Material für die Planarisierungsschicht (2) nicht kristallisierende Gläser
mit/ohne Zusatz von wenigstens einem Element aus einer Gruppe, bestehend aus
TiO₂, ZrO₂, HfO₂, SrTiO₃, CaTiO₃, BaTiO₃, BaZrxTi1-xO₃ mit x = 0 . . . 1, PbZrxTi1-xO₃
mit x = 0 . . . 1, Ta₂O₅, Nb₂O₅, MgO, BeO, Al₂O₃, MgAl₂O₄, ZrTiO₄, BaF₂,
MgF₂,Y₂O₃, Sc₂O₃, La₂O₃ und Ln₂O₃, wobei Ln Lanthanide wie z. B. Pr₂O₃ sind,
vorgesehen sind.
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6985349B2 (en) * | 2001-12-13 | 2006-01-10 | Harris Corporation | Electronic module including a low temperature co-fired ceramic (LTCC) substrate with a capacitive structure embedded therein and related methods |
| US20190237121A1 (en) * | 2017-06-14 | 2019-08-01 | Nustorage Technology Co., Ltd. | Ferroelectric memory and capacitor structure thereof |
| CN112661509A (zh) * | 2020-12-24 | 2021-04-16 | 电子科技大学 | 一种高Q值MgZrNb2O8基微波介质陶瓷材料及其制备方法 |
| EP3417540B1 (de) * | 2016-04-12 | 2021-11-10 | Siemens Energy Global GmbH & Co. KG | Elektrischer kondensator |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0996958A2 (de) * | 1998-04-20 | 2000-05-03 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Dünnfilmkondensator |
| JPH11340075A (ja) * | 1998-05-27 | 1999-12-10 | Philips Japan Ltd | 誘電体磁器組成物 |
| JP2002524867A (ja) * | 1998-09-02 | 2002-08-06 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | 薄膜キャパシタ |
| JP3423232B2 (ja) * | 1998-11-30 | 2003-07-07 | 三洋電機株式会社 | アクティブ型ｅｌ表示装置 |
| DE19902029A1 (de) * | 1999-01-20 | 2000-07-27 | Philips Corp Intellectual Pty | Spannungsfester Dünnschichtkondensator mit Interdigitalstruktur |
| DE19931297A1 (de) * | 1999-07-07 | 2001-01-11 | Philips Corp Intellectual Pty | Volumenwellen-Filter |
| WO2001054200A1 (en) * | 2000-01-19 | 2001-07-26 | North Carolina State University | Lanthanum oxide-based gate dielectrics for integrated circuit field effect transistors and methods of fabricating same |
| US6400072B1 (en) * | 2000-03-08 | 2002-06-04 | Motorola, Inc. | Viewing screen for a display device |
| US6411492B1 (en) * | 2000-05-24 | 2002-06-25 | Conexant Systems, Inc. | Structure and method for fabrication of an improved capacitor |
| US6801104B2 (en) * | 2000-08-22 | 2004-10-05 | Paratek Microwave, Inc. | Electronically tunable combline filters tuned by tunable dielectric capacitors |
| JP4218350B2 (ja) * | 2002-02-01 | 2009-02-04 | パナソニック株式会社 | 強誘電体薄膜素子およびその製造方法、これを用いた薄膜コンデンサ並びに圧電アクチュエータ |
| US6917509B1 (en) * | 2002-11-21 | 2005-07-12 | Daniel F. Devoe | Single layer capacitor with dissimilar metallizations |
| US6716692B1 (en) * | 2003-05-20 | 2004-04-06 | Via Technologies, Inc. | Fabrication process and structure of laminated capacitor |
| US7290315B2 (en) * | 2004-10-21 | 2007-11-06 | Intel Corporation | Method for making a passive device structure |
| US7375412B1 (en) * | 2005-03-31 | 2008-05-20 | Intel Corporation | iTFC with optimized C(T) |
| US20060220177A1 (en) * | 2005-03-31 | 2006-10-05 | Palanduz Cengiz A | Reduced porosity high-k thin film mixed grains for thin film capacitor applications |
| US7629269B2 (en) * | 2005-03-31 | 2009-12-08 | Intel Corporation | High-k thin film grain size control |
| US7453144B2 (en) * | 2005-06-29 | 2008-11-18 | Intel Corporation | Thin film capacitors and methods of making the same |
| JP5910317B2 (ja) * | 2012-05-28 | 2016-04-27 | Tdk株式会社 | 誘電体磁器組成物および電子部品 |
| JP5772808B2 (ja) * | 2012-12-25 | 2015-09-02 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミック電子部品 |
| US9370103B2 (en) * | 2013-09-06 | 2016-06-14 | Qualcomm Incorported | Low package parasitic inductance using a thru-substrate interposer |
| CN104628378B (zh) * | 2015-02-05 | 2017-02-22 | 汕头高新区松田实业有限公司 | 一种可用于铜电极陶瓷电容器的介质及其制备方法 |
| US11037728B2 (en) | 2017-12-22 | 2021-06-15 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Dielectric and capacitor and electronic device |
Family Cites Families (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3566204A (en) * | 1969-04-04 | 1971-02-23 | Mallory & Co Inc P R | Ceramic chip capacitor having coplanar surfaces |
| JPS56140614A (en) * | 1980-04-03 | 1981-11-04 | Murata Manufacturing Co | Capacitor and method of manufacturing same |
| US4453199A (en) * | 1983-06-17 | 1984-06-05 | Avx Corporation | Low cost thin film capacitor |
| US4654095A (en) * | 1985-03-25 | 1987-03-31 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Dielectric composition |
| US4772985A (en) * | 1986-09-24 | 1988-09-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Thick film capacitor |
| US4766027A (en) * | 1987-01-13 | 1988-08-23 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Method for making a ceramic multilayer structure having internal copper conductors |
| US4855266A (en) * | 1987-01-13 | 1989-08-08 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | High K dielectric composition for use in multilayer ceramic capacitors having copper internal electrodes |
| US4835656A (en) * | 1987-04-04 | 1989-05-30 | Mitsubishi Mining And Cement Co., Ltd. | Multi-layered ceramic capacitor |
| JPH0648666B2 (ja) * | 1987-09-29 | 1994-06-22 | 三菱マテリアル株式会社 | 積層セラミックコンデンサ及びその製法 |
| US5046043A (en) * | 1987-10-08 | 1991-09-03 | National Semiconductor Corporation | Ferroelectric capacitor and memory cell including barrier and isolation layers |
| US5258335A (en) * | 1988-10-14 | 1993-11-02 | Ferro Corporation | Low dielectric, low temperature fired glass ceramics |
| US5005102A (en) * | 1989-06-20 | 1991-04-02 | Ramtron Corporation | Multilayer electrodes for integrated circuit capacitors |
| FI84869C (fi) * | 1990-06-11 | 1992-01-27 | Planar Int Oy | Matrisfilmstruktur i synnerhet foer elektroluminecens displayenhet. |
| WO1992019564A1 (en) * | 1991-05-01 | 1992-11-12 | The Regents Of The University Of California | Amorphous ferroelectric materials |
| US5624707A (en) * | 1991-12-13 | 1997-04-29 | Symetrix Corporation | Method of forming ABO3 films with excess B-site modifiers |
| US5723361A (en) * | 1991-12-13 | 1998-03-03 | Symetrix Corporation | Thin films of ABO3 with excess A-site and B-site modifiers and method of fabricating integrated circuits with same |
| JPH05326315A (ja) * | 1992-05-25 | 1993-12-10 | Itochu Fine Chem Kk | 薄膜コンデンサおよびその製造装置 |
| JPH0714993A (ja) * | 1993-06-18 | 1995-01-17 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| US5504041A (en) * | 1994-08-01 | 1996-04-02 | Texas Instruments Incorporated | Conductive exotic-nitride barrier layer for high-dielectric-constant materials |
| US5489548A (en) * | 1994-08-01 | 1996-02-06 | Texas Instruments Incorporated | Method of forming high-dielectric-constant material electrodes comprising sidewall spacers |
| US6331325B1 (en) * | 1994-09-30 | 2001-12-18 | Texas Instruments Incorporated | Barium strontium titanate (BST) thin films using boron |
| US5822175A (en) * | 1995-04-13 | 1998-10-13 | Matsushita Electronics Corporation | Encapsulated capacitor structure having a dielectric interlayer |
| US5612560A (en) * | 1995-10-31 | 1997-03-18 | Northern Telecom Limited | Electrode structure for ferroelectric capacitors for integrated circuits |
| JPH09298127A (ja) * | 1996-05-09 | 1997-11-18 | Murata Mfg Co Ltd | 積層コンデンサ |
| JP3180681B2 (ja) * | 1996-07-19 | 2001-06-25 | 株式会社村田製作所 | 積層セラミックコンデンサ |
| JPH113834A (ja) * | 1996-07-25 | 1999-01-06 | Murata Mfg Co Ltd | 積層セラミックコンデンサおよびその製造方法 |
| US5790366A (en) * | 1996-12-06 | 1998-08-04 | Sharp Kabushiki Kaisha | High temperature electrode-barriers for ferroelectric and other capacitor structures |
-
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6985349B2 (en) * | 2001-12-13 | 2006-01-10 | Harris Corporation | Electronic module including a low temperature co-fired ceramic (LTCC) substrate with a capacitive structure embedded therein and related methods |
| EP3417540B1 (de) * | 2016-04-12 | 2021-11-10 | Siemens Energy Global GmbH & Co. KG | Elektrischer kondensator |
| US20190237121A1 (en) * | 2017-06-14 | 2019-08-01 | Nustorage Technology Co., Ltd. | Ferroelectric memory and capacitor structure thereof |
| US10586582B2 (en) * | 2017-06-14 | 2020-03-10 | Nustorage Technology Co., Ltd. | Ferroelectric memory and capacitor structure thereof |
| CN112661509A (zh) * | 2020-12-24 | 2021-04-16 | 电子科技大学 | 一种高Q值MgZrNb2O8基微波介质陶瓷材料及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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