DE19721310A1 - Verfahren zum Reparieren eines Halbleiterspeichers, Elektronenstrahlspeicher-Reparaturvorrichtung und Redundanzspeicherschaltung, auf welche das Verfahren zum Reparieren eines Halbleiterspeichers anwendbar ist - Google Patents

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zum Reparieren eines Halbleiterspeichers durch Abtrennen einer fehlerhaften Speicherzelle und Anschließen einer fehlerhaften Speicherzelle als Ersatz hierfür in dem Halbleiterspeicherchip. Die vorlie­ gende Erfindung betrifft außerdem eine Elektronenstrahlspei­ cher-Reparaturvorrichtung und eine Redundanzschaltung, auf wel­ che das Verfahren zum Reparieren eines Halbleiterspeichers anwendbar ist.

Fig. 1 der beiliegenden Zeichnungen zeigt einen Halbleiterspei­ cher in einem Halbleiterspeicherchip auf einem Halbleiterwafer, der eine Redunanzspeicherschaltung mit einer Redundanzzelle aufweist. Außerdem weist der Halbleiterspeicher normale Spei­ cherzellen 100 auf, die beispielsweise 512 Normaldatenleitungen mit Adressen 0 bis 511 aufweisen, und einen Adressendekoder 101, der Logikgatter 101a aufweist, die jeweilige Ausgangslei­ tungen haben, die jeweils mit den 512 Normaldatenleitungen durch Sicherungen 104a verbunden sind. Ausgangsadressen werden durch Adressenleitungen ₀, A₀, ₁, A₁, . . . gewählt. Die Adressenleitung ₀ stellt eine Inversion der Adressenleitung A₀ dar.

Die Redundanzspeicherschaltung weist einen Dekoder 103 auf, dessen Ausgang mit einer Redundanzspeicherzelle 102 durch eine Redundanzdatenleitung verbunden ist. Die Adressenleitungen ₀, A₀, ₁, A₁, . . . sind durch jeweilige Sicherungen 104b mit den Eingängen des Dekoders 103 verbunden. Die Redundanzspeicher­ schaltung, die aus der Redundanzspeicherzelle 102, der Redun­ danzdatenleitung, dem Dekoder 103 und den Sicherungen 104b auf­ gebaut ist, befindet sich normaler im gesperrten Zustand. Wenn ein Freigabesignal angelegt wird, wird der gesperrte Zustand der Redundanzspeicherschaltung aufgehoben, und ihr Ausgang wird effektiv bzw. wirksam gemacht.

Die Redundanzdatenleitung der Redundanzspeicherzelle 102 in der Redundanzspeicherschaltung entspricht den Normaldatenleitungen der normalen Speicherzellen 100. Wenn die normale Speicher­ zelle, die mit der Normaldatenleitung verbunden ist, die mit dem obersten Logikgatter 101a verbunden ist, beispielsweise fehlerhaft ist, wird die Sicherung 104a, die mit dem Ausgang des Logikgatters 101a verbunden ist, herausgeschnitten, und Sicherungen 104b, die mit dem Eingang des Dekoders 103 verbun­ den sind, werden herausgeschnitten, um die Redundanzdatenlei­ tung zu verwenden, die mit der Redundanzspeicherzelle 102 ver­ bunden ist, anstatt der Normaldatenleitung, die mit der fehler­ haften Speicherzelle verbunden ist. Auf diese Weise wird die Normaldatenleitung, die mit der fehlerhaften Speicherzelle ver­ bunden ist, ineffektiv gemacht, und der gesperrte Zustand der Redundanzspeicherschaltung wird durch ein Freigabesignal aufge­ hoben, welches den Ausgang der Redundanzspeicherzelle wirksam macht, die mit der Redundanzdatenleitung verbunden ist.

Die Sicherungen 104a, 104b werden üblicherweise durch einen Laserstrahl-Sicherungsschneidprozeß herausgeschnitten. Die Prinzipien des Laserstrahl-Sicherungsschneidprozesses sind nachfolgend in bezug auf Fig. 2(a) bis 2(d) der beiliegenden Zeichnungen erläutert.

Wie in Fig. 2(a) bis 2(d) gezeigt, weist ein Halbleiterspei­ chersicherungsbereich ein Si-Substrat 200 auf, eine isolierende Dünnschicht 201 aus SiO₂, die auf dem Si-Substrat 200 angeord­ net ist, eine Sicherungsschicht 202, die auf einer Isolations­ dünnschicht 201 als Zwischenverbindungsschicht aus Aluminium, Polysilicium oder dergleichen angeordnet ist, und eine Isola­ tionsdünnschicht 204 aus SiO₂, die auf der Sicherungsschicht angeordnet ist. Wenn ein Laserimpuls, der in den oberen Berei­ chen von Fig. 2(a) bis 2(d) gezeigt ist, an den Halbleiterspei­ chersicherungsbereich angelegt wird, wird die Energie des ange­ legten Laserimpulses durch die Sicherungsschicht 202 absor­ biert, deren Temperatur zunimmt, wie in Fig. 2(a) gezeigt. Wenn die Temperatur der Sicherungsschicht 202 ansteigt, nimmt die Energieabsorptionsrate der Sicherungsschicht 202 zu, was dazu führt, daß sich in der Sicherungsschicht 202 ein intensiver Druck aufbaut. Der in der Sicherungsschicht 202 aufgebaute intensive Druck veranlaßt die obere Isolationsschicht 201 aus SiO₂ dazu, zu explodieren, was es der Sicherungsschicht 202 ermöglicht, verdampft zu werden, wie in Fig. 2(b) gezeigt. Wenn eine beliebige verbleibende Sicherungsschicht durch die Energie des Endabschnitts des Laserimpulses verdampft wird, erreicht der Laserimpuls die untere Isolationsdünnschicht aus SiO₂ (siehe Fig. 2(c)), die geringfügig verdampft wird (siehe Fig. 2(d)). Die Sicherung wird in der vorstehend erläuterten Weise herausgeschnitten.

Der Laserstrahl-Sicherungsschneidprozeß wird üblicherweise durch einen Mechanismus ausgeführt, der einen Laserstrahl rasch und hochgenau in einer gegebenen Sicherungsposition in einem Halbleiterspeicherchip positioniert und den Laserstrahl anlegt, um die Sicherung in der Sicherungsposition herauszuschneiden. Der Mechanismus schneidet die Sicherung aufgrund einer Wafer­ chip-Reparaturinformation und einer Adresseninformation über eine fehlerhafte Leitung heraus, die durch einen vorläufig durchgeführten Test erhalten wurden, der vor dem Reparaturpro­ zeß ausgeführt wurde.

Hochintegrierte Halbleiterspeicherchips neuester Bauart weisen eine verringerte Baugröße durch Positionieren von Sicherungen in Übereinstimmung mit Konstruktionsregeln auf, die so einge­ setzt werden, daß die Fläche minimiert wird, die in dem Spei­ cherchipbereich durch die Sicherungen eingenommen wird. Es besteht ein hoher Bedarf zum Verringern der Kosten der Halblei­ terspeicherchips. Der herkömmliche Laserstrahlsicherungs­ schneidprozeß weist jedoch die folgenden Nachteile auf:

• 1) Der Laserstrahlsicherungsschneidprozeß ist erforderlich, um ausschließlich erwünschte Sicherungen in einer Weise durch­ zubrennen, daß die Gefahr für umgebende und darunterlie­ gende Siliciumsubstratbereiche minimiert ist. Um dieses Erfordernis zu erfüllen, ist es notwendig, einen Laser­ strahl mit einer Wellenlänge einzusetzen, die gleich oder länger als der Infrarot-Wellenlängenbereich ist. Aufgrund der Wellenlängenbeschränkung kann der Laserstrahlfleck­ durchmesser nicht kleiner als etwa 2,5 µm sein.
• 2) Der Positionierungsfehler des Mechanismus zum Positionieren des Laserstrahls in rascher und hochgenauer Weise in einer gegebenen Sicherungsposition in einem Halbleiterspeicher­ chip wird durch die mechanische Genauigkeit des Mechanismus festgelegt und hat eine praktische Grenze von etwa 0,3 µm.

Angesichts der beiden vorstehend angeführten Nachteile des her­ kömmlichen Laserstrahl-Sicherungsschneidprozesses ist es tech­ nisch schwierig, den Zwischenraum zwischen Sicherungen in einem Halbleiterspeicherchip auf einen Abstand von 2 µm oder weniger zu verringern. Anstrengungen, die Fläche zu minimieren, die durch Sicherungen in Halbleiterspeicherchips eingenommen wird, sind deshalb auf Beschränkungen gestoßen.

In Halbleiterspeichern neuester Bauform sind Sicherungen in derselben Weise wie Metall-Zwischenverbindungen, wie etwa aus Aluminium oder dergleichen, aus den folgenden Gründen gebildet worden:
Halbleiterspeicher weisen mehrere Zwischenverbindungsschichten mit Metall-Zwischenverbindungen in der obersten Schicht und Polysilicium-Zwischenverbindungen in der untersten Schicht auf. Wenn die unterste Zwischenverbindungsschicht als Sicherungs­ schicht verwendet wird, ist es erforderlich, Isolations- und Zwischenverbindungsschichten über der Sicherungsschicht in der Umgebung der Sicherungsbereiche zurück- bzw. wegzuätzen. Auf­ grund von Schwankungen in den Dicken der Isolations- und Zwi­ schenverbindungsschichten und aufgrund von Schwankungen beim Zurückätzprozeß, war es schwierig, eine Isolationsschicht sta­ biler Dicke auf der Sicherungsschicht in der Umgebung der viel­ fachen Zwischenverbindungsschichten zu belassen. Infolge davon werden Sicherungen üblicherweise in der obersten Schicht gebil­ det.

Das Metall der obersten Schicht hat ein sehr hohes Reflexions­ vermögen in bezug auf einen Infrarot-Laserstrahl. Licht, das in die oberste Schicht eingetreten ist, wird durch ihre Oberfläche aufgrund des Skin-Effekts absorbiert und kann einen unteren Abschnitt der obersten Schicht nicht erreichen. Aus diesem Grund muß die Leistung des Laserstrahls erhöht werden, um Sicherungen in der obersten Schicht herauszuschneiden. Aufgrund der erhöhten Laserstrahlleistung neigt die Schicht unterhalb der obersten Schicht dazu, beschädigt zu werden, wenn Sicherun­ gen herausgeschnitten werden. Es war deshalb bislang äußerst schwierig, winzige Sicherungen stabil mit einem Laserstrahl herauszuschneiden.

Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht deshalb darin, ein Verfahren zum Reparieren eines Halbleiterspeichers durch Herausschneiden von Sicherungen zu schaffen, die mit Zwischen­ räumen von 2 µm oder kleiner beabstandet angeordnet werden kön­ nen, ohne eine Beschädigung einer Schicht unter den Sicherungen zu verursachen.

Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine Elektronenstrahlspeicher-Reparaturvorrichtung und eine Redundanzspeicherschaltung bereit zustellen, auf die das vorste­ hend genannte Verfahren zum Reparieren eines Halbleiterspei­ chers anwendbar ist.

Gelöst wird diese Aufgabe hinsichtlich des Verfahrens durch die Merkmale des Anspruchs 1, 2 bzw. 3 hinsichtlich der Vorrichtung durch die Merkmale des Anspruchs 11 und hinsichtlich der Schal­ tung durch die Merkmale des Anspruchs 12.

Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteran­ sprüchen angegeben.

Gemäß einem ersten Aspekt schafft die vorliegende Erfindung demnach ein Verfahren zum Reparieren eines Halbleiterspeichers in einem Halbleiterspeicherchip durch Herausschneiden von Zwi­ schenverbindungen, wenn eine normale Speicherzelle fehlerhaft ist, um dadurch einen Redundanzspeicherzelle in dem Halbleiter­ speicherchip anstelle der normalen Speicherzelle, die fehler­ haft ist, anzuschließen, aufweisend die Schritte: Beschichten einer gesamten Oberfläche des Halbleiterspeicherchips mit einer Resistschicht, Belichten der Resistschicht in Bereichen der Zwischenverbindungen mit einem Energiestrahl, Entwickeln der belichteten Resistschicht zum Bilden eines Resistmusters, und Ätzen des Halbleiterspeicherchips in diesen Bereichen unter Verwenden des Resistmusters als Maske, um dadurch die Zwischen­ verbindungen herauszuschneiden.

Gemäß einem zweiten Aspekt schafft die vorliegende Erfindung ein Verfahren zum Reparieren eines Halbleiterspeichers in einem Halbleiterspeicherchip durch Ausbilden einer Zwischenverbin­ dung, wenn eine normale Speicherzelle fehlerhaft ist, wodurch eine Redundanzspeicherzelle in dem Halbleiterspeicherchip anstelle der normalen Speicherzelle, die fehlerhaft ist, ange­ schlossen wird, aufweisend die Schritte: Beschichten der gesam­ ten Oberfläche des Halbleiterspeicherchips mit einer Resist­ schicht, Belichten der Resistschicht mit einem Energiestrahl in einem Bereich, in welchem die Zwischenverbindung gebildet wer­ den soll, Entwickeln der belichteten Resistschicht, um ein Resistmuster zu bilden, Ätzen des Halbleiterspeicherchips in diesem Bereich unter Verwendung des Resistmusters als Maske, und Abscheiden eines Abscheidungsmaterials in dem Bereich, um dadurch die Zwischenverbindung zu bilden.

Gemäß einem dritten Aspekt schafft die vorliegende Erfindung ein Verfahren zum Reparieren eines Halbleiterspeichers in einem Halbleiterspeicherchip durch Herausschneiden einer Zwischenver­ bindung und Bilden einer Zwischenverbindung, wenn eine normale Speicherzelle fehlerhaft ist, um dadurch eine Redundanzspei­ cherzelle in dem Halbleiterspeicherchip anstelle der normalen Speicherzelle, die fehlerhaft ist, anzuschließen, aufweisend die Schritte: Beschichten der gesamten Oberfläche des Halblei­ terspeicherchips mit einer Resistschicht, Belichten der Resist­ schicht in einem ersten Bereich der Zwischenverbindung mit einem Energiestrahl, Entwickeln der belichteten Resistschicht, um ein erstes Resistmuster zu bilden, Ätzen des Halbleiterspei­ cherchips in diesem ersten Bereich unter Verwenden des ersten Resistmusters als Maske, um dadurch die Zwischenverbindung her­ auszuschneiden, Belichten der Resistschicht in einem zweiten Bereich, in welchem die Zwischenverbindung gebildet werden soll, mit einem Energiestrahl, Entwickeln der freigelegten Resistschicht, um ein zweites Resistmuster zu bilden, Ätzen des Halbleiterspeicherchips in dem zweiten Bereich unter Verwendung des Resistmusters als Maske, und Abscheiden eines Abscheidungs­ materials in dem zweiten Bereich, um dadurch die Zwischenver­ bindung zu bilden.

Bei jedem der vorstehend angeführten Verfahren kann der Ener­ giestrahl einen Elektronenstrahl aufweisen.

Bei den Verfahren gemäß den zweiten und dritten Aspekten kann die Redundanzspeicherzelle durch eine Zwischenverbindung ange­ schlossen sein, die von einer Datenleitung abgezweigt ist, die mit der normalen Speicherzelle verbunden ist, wobei die Zwi­ schenverbindung einen Herausschneidbereich aufweist, und der Schritt zum Freilegen der Resistschicht kann den Schritt auf­ weisen, eine Resistschicht in einem Herausschneidbereich einem Energiestrahl auszusetzen, und den Schritt, ein Abscheidungs­ material abzuscheiden, kann den Schritt aufweisen, das Abschei­ dungsmaterial in dem Herausschneidbereich abzuscheiden, um dadurch die Zwischenverbindung anzuschließen.

Bei den Verfahren gemäß den zweiten und dritten Aspekten kann das Abscheidungsmaterial Polysilicium oder ein Metallmaterial aufweisen.

Gemäß der vorliegenden Erfindung wird außerdem eine Elektronen­ strahlspeicherreparaturvorrichtung geschaffen, auf welche jedes der vorstehend genannten Verfahren anwendbar ist, aufweisend ein Speichertestgerät zum Ermitteln einer fehlerhaften Spei­ cherzelle in einem Halbleiterspeicherchip auf einem Halbleiter­ wafer, einen Reparaturbildmustergenerator, der mit dem Spei­ chergerät verbunden ist, um ein Reparaturbildmuster auf Grund­ lage von Information in bezug auf die fehlerhafte Speicherzelle zu erzeugen, die durch das Speichertestgerät ermittelt wird, und Information in bezug auf Sicherungen und eine Redundanz­ speicherzelle, einen Tisch zum Tragen des Halbleiterwafers, der mit einer Resistschicht auf seiner gesamten Oberfläche beschichtet ist, und zum zweidimensionalen Bewegen des Halblei­ terwafers, ein Elektronenstrahlbelichtungssystem zum Anlegen eines Elektronenstrahls an den Halbleiterwafer, der durch die­ sen Tisch getragen ist, und eine Steuereinheit zum Steuern des Tisches und des Elektronenstrahlbelichtungssystems auf Grund­ lage des Reparturbildmusters, das durch den Reparaturbild­ mustergenerator erzeugt ist, um dadurch ein Belichtungsmuster entsprechend dem Reparaturbildmuster auf der Resistschicht zu bilden.

Gemäß der vorliegenden Erfindung wird außerdem eine Redundanz­ speicherzelle bereitgestellt, auf die das Verfahren gemäß dem zweiten oder dritten Aspekt anwendbar ist, aufweisend eine Redundanzspeicherzelle, die in einem Halbleiterspeicherchip angeordnet und mit einer Zwischenverbindung verbunden ist, die von einer Datenleitung einer normalen Speicherzelle abgezweigt ist, wobei die Zwischenverbindung einen Herausschneidbereich aufweist.

Bei den vorstehend erläuterten Verfahren wird der Halbleiter­ speicherchip unter Verwendung des Resistmusters als Maske selektiv geätzt, um eine Zwischenverbindung herauszuschneiden oder auszubilden. Da die Redundanzspeicherzelle durch Heraus­ schneiden der Zwischenverbindung angeschlossen wird, ist es nicht erforderlich, Sicherungen herkömmlicher Form einzusetzen, die geeignet sind, durch einen Laserstrahl herausgeschnitten zu werden. Da die Zwischenverbindung durch Ätzen oder Abscheiden herausgeschnitten oder ausgebildet wird, wird die unter der Zwischenverbindungsschicht angeordnete Schicht im wesentlichen nicht beschädigt, die herausgeschnitten oder ausgebildet wird.

Die durch einen Bereich (Sicherungsbereich) eingenommene Flä­ che, auf welche die Zwischenverbindung herausgeschnitten oder ausgebildet wird, ist durch den Durchmesser des verwendeten Energiestrahls und die Genauigkeit bestimmt, mit welcher der Halbleiterspeicherchip in bezug auf den Energiestrahl positio­ niert wird. Wenn der Energiestrahl beispielsweise einen Elek­ tronenstrahl aufweist, kann die Resistschicht einer Auflösung im Submikrometerbereich oder darunter ausgesetzt werden, und eine positionsmäßige Ermittlungsgenauigkeit von 0,05 µm oder darunter kann erzielt werden. Deshalb wird die Fläche, die durch den Bereich eingenommen ist, in welcher die Zwischenver­ bindung herausgeschnitten oder ausgebildet ist, kleiner als der Bereich, der durch eine Sicherung bei einem herkömmlichen Pro­ zeß eingenommen wird, dessen positionsmäßige Ermittlungsgenau­ igkeit an der praktischen Grenze von etwa 0,3 µm leidet. Gemäß der vorliegenden Erfindung kann der Zwischenraum (Sicherungszwischenraum), der zwischen Bereichen gebildet ist, in welchem die Zwischenverbindung herausgeschnitten oder ausge­ bildet ist, auf 0,2 µm verringert werden.

Bei der Redundanzspeicherschaltung gemäß der vorliegenden Erfindung ersetzt die Redundanzspeicherzelle die normale Spei­ cherzelle durch Anschließen des Herausschneidbereichs der Zwi­ schenverbindung. Die Redunanzspeicherschaltung benötigt keinen Dekoder, der bislang erforderlich war, um die normale Speicher­ zelle durch eine Redundanzspeicherzelle ausschließlich durch Herausschneiden von Sicherungen zu ersetzen.

Durch die erfindungsgemäßen Verfahren ist es möglich, eine Sicherung (Zwischenverbindung) ohne Beschädigung einer Schicht unter der Sicherung ungeachtet des Materials der Sicherung (Zwischenverbindung), die herausgeschnitten werden soll, her­ auszuschneiden.

Da es nicht erforderlich ist, Sicherungen herkömmlicher Form zu verwenden, die geeignet sind, durch einen Laserstrahl herausge­ schnitten zu werden, und der Zwischenraum (Sicherungszwischenraum) zwischen Sicherungen auf 0,2 µm ver­ ringert werden kann, kann die Fläche, die durch herauszuschnei­ dende Sicherungen (Zwischenverbindungen) eingenommen wird, kleiner sein als die Fläche, die durch Sicherungen im herkömm­ lichen Prozeß eingenommen wird.

Die Elektronenstrahlspeicher-Reparaturvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung bietet die vorstehend genannten Vor­ teile, während auf sie die vorstehend angeführten Verfahren angewendet werden.

Die Redundanzspeicherschaltung gemäß der vorliegenden Erfindung hat einen relativ einfachen Aufbau und kann kostengünstig her­ gestellt werden, da sie kein Dekoder erfordert, der bislang notwendig war, um die normale Speicherzelle durch eine Redun­ danzspeicherzelle ausschließlich durch Herausschneiden von Sicherungen zu ersetzen.

Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnungen beispiel­ haft näher erläutert; es zeigen:

Fig. 1 ein Schaltungsdiagramm, teilweise in Blockform, von einem üblichen Halbleiterspeicher in einem Halbleiterspeicher­ chip auf einem Halbleiterwafer, aufweisend eine Redundanzspei­ cherschaltung mit Redundanzspeicherzellen,

Fig. 2(a) bis 2(d) Querschnittsansichten der Prinzipien des Laserstrahlsicherungsschneidprozesses,

Fig. 3(a) bis 3(d) Querschnittsansichten der Prinzipien eines Elektronenstrahlsicherungsschneidprozesses bei einem Verfahren zum Reparieren eines Halbleiterspeichers gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung,

Fig. 4 ein Blockdiagramm einer Elektronenstrahlspeicher-Repara­ turvorrichtung, auf die das Verfahren zum Reparieren eines Halbleiterspeichers gemäß der ersten Ausführungsform anwendbar ist,

Fig. 5(a) bis 5(e) Querschnittsansichten der Prinzipien des Elektronenstrahlsicherungsanschließprozesses bei einem Verfah­ ren zum Reparieren eines Halbleiterspeichers gemäß einer zwei­ ten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, und

Fig. 6 ein Blockdiagramm einer Redundanzspeicherschaltung, auf welche das Verfahren zum Reparieren eines Halbleiterspeichers gemäß der zweiten Ausführungsform anwendbar ist.

Zunächst wird die erste Ausführungsform erläutert.

Die Fig. 3(a) bis 3(d) zeigen die Prinzipien des Elektronen­ strahlsicherungsschneidprozesses bei einem Verfahren zum Repa­ rieren eines Halbleiterspeichers gemäß einer ersten Ausfüh­ rungsform der vorliegenden Erfindung.

Wie in Fig. 3(a) bis 3(d) gezeigt, weist ein Halbleiterspei­ chersicherungsbereich ein Si-Substrat 1 auf, eine Isolations­ dünnschicht 2 aus SiO₂, die auf dem Si-Substrat 1 angeordnet ist, eine Sicherungsschicht 3, die auf der Isolationsdünn­ schicht 2 als Zwischenverbindungsschicht aus Aluminium, Poly­ silicium oder dergleichen angeordnet ist, und eine Isolations­ dünnschicht 4 aus SiO₂, die auf der Sicherungsschicht 3 ange­ ordnet ist. Die Isolationsdünnschicht 4 aus SiO₂ wird mit einer Resistschicht 5 auf der gesamten Oberfläche des Halbleiterspei­ cherschips abgedeckt, woraufhin ein bestimmter Bereich der Resistschicht 5, der dem Sicherungsbereich entspricht, einem Elektronenstrahl oder mehreren Elektronenstrahlen ausgesetzt wird (siehe Fig. 3(a)), wobei jeder einen Strahlfleck recht­ eckiger, kreisförmiger oder anderer Form aufweist. Daraufhin wird die Resistschicht 5 entwickelt, um ihren Bereich entspre­ chend dem Sicherungsbereich zu entfernen, wodurch eine Resist­ struktur bzw. ein Resistmuster 5′ ausgebildet wird (siehe Fig. 3 (b)). Unter Verwendung des Resistmusters 5′ als Maske wird die Isolationsdünnschicht 4 geätzt. Unter Verwendung des Resist­ musters 5′ und der geätzten Isolationsdünnschicht 4 als Maske wird die Sicherungsschicht 3 geätzt (siehe Fig. 3 (c)) . Darauf­ hin wird das Resistmuster 5′ entfernt (siehe Fig. 3(d)). Die Isolationsdünnschicht 4 und die Sicherungsschicht 3 können in getrennten Schritten durch jeweils unterschiedliche Ätzsysteme oder mit jeweiligen Ätzraten geätzt werden, die abhängig von Ätzzeiten oder unter variierenden Ätzbedingungen durch ein ein­ ziges Ätzsystem gesteuert werden.

Bei einem Verfahren zum Reparieren eines Halbleiterspeichers gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird der Elektronenstrahlsicherungsschneidprozeß, wie in Fig. 3(a) bis 3(d) gezeigt, verwendet, um Sicherungen herauszu­ schneiden, um dadurch eine Redundanzspeicherschaltung in einem Halbleiterspeicherchip anzuschließen. Wenn, wie beispielsweise in Fig. 1 gezeigt, die normale Speicherzelle, die mit der nor­ malen Datenleitung verbunden ist, die an das oberste Logikgat­ ter 101a angeschlossen ist, beispielsweise fehlerhaft ist, wird die Resistschicht 5 einen Elektronenstrahl in den Bereich der Sicherung 104a ausgesetzt, die mit dem Ausgang des Logikgatters 101 verbunden ist, und in den Bereichen, deren Sicherungen 104b mit den Eingängen des Dekoders 103 verbunden sind, die mit den Adressenleitungen verbunden sind, die nicht durch die Eingangs­ leitungen des obersten Logikgatters 101a übereinstimmt bzw. geteilt sind. Die Resistschicht 5 wird daraufhin entwickelt, um das Resistmuster 5′ zu bilden, das rechteckige oder kreisför­ mige Muster entsprechend den belichteten Bereichen aufweist. Unter Verwendung des Resistmusters 5′ als Maske wird der Halb­ leiterspeicherchip geätzt, um diese Sicherungen 104a, 104b in den belichteten Bereichen herauszuschneiden. Die Normaldaten­ leitung, die mit der fehlerhaften Speicherzelle verbunden ist, wird unwirksam und der Ausgang der Redundanzspeicherzelle zu der Redundanzdatenleitung wird wirksam bzw. effektiv.

Der in Fig. 3(a) bis 3(d) gezeigte Elektronenstrahlsicherungs­ schneidprozeß kann durch ein bekanntes Elektronenstrahlbelich­ tungssystem ausgeführt werden. Fig. 4 zeigt in Blockform eine Elektronenstrahlspeicherreparaturvorrichtung, auf welcher das Verfahren zum Reparieren eines Halbleiterspeichers gemäß der ersten Ausführungsform anwendbar ist.

Wie in Fig. 4 gezeigt, sind Halbleiterwafer 32 in einer Kas­ sette 28 in einem automatischen Ladegerät 27 untergebracht und übereinander auf einem zweidimensional beweglichen Tisch 26 in einer Trommel mit einem optischen Elektronenstrahlbelichtungs­ system zur Belichtung untergebracht. Die Trommel 25 mit dem Elektronenstrahlbelichtungssystem ist mit einem Vakuumsystem 23 kombiniert, das einen vorbestimmten Druck in dieser Trommel 25 aufrechterhält. Das Vakuumsystem 23, der Tisch 26 und das auto­ matische Ladegerät 27 werden durch eine Mechanismus-Steuerein­ heit 22 gesteuert.

In der Trommel 25 mit dem optischen Elektronenstrahlsystem sind ein Ausblendmittel 41, ein Formgebungsablenkmittel 42, ein Zusatzablenkmittel 43, eine Fokuskorrekturlinse 44 und ein Hauptablenkmittel 45 untergebracht, die durch eine analoge Ablenkeinheit 31 auf der Grundlage von Signalen von einer Datensteuereinheit 30 gesteuert werden. Die Trommel 25 mit dem optischen Elektronenstrahlsystem nimmt außerdem einen Elektro­ nenreflexionsdetektor 46 und einen Z-Richtungsdetektor 47 auf, die Signale an den Signalprozessor 29 zum Ermitteln einer Posi­ tionsmarkierung auf dem Halbleiterwafer 32 anlegen, der auf dem Tisch 26 angeordnet ist, um den Halbleiterwafer 32 zur Belich­ tung durch einen Elektronenstrahl zu positionieren.

Der Tisch 26 ist mit einer Laserstrahlabstandmeßeinheit 24 zum Ermitteln eines Abstands kombiniert, mit welchem der Halblei­ terwafer 32, der auf dem Tisch 26 angeordnet ist, zweidimensio­ nal bewegt wird. Der ermittelte Abstand für die zweidimensio­ nale Bewegung des Halbleiterwafers 32 wird in eine Steuerein­ heit 20 eingelesen, die den ermittelten Abstand mit der Posi­ tion eines Reparaturbildmusters vergleicht und das Vergleichs­ ergebnis durch die Datensteuereinheit 30 der analogen Ablenk­ einheit 31 zuführt.

Ein Reparaturbildmustergenerator 21 ermittelt, welche fehler­ hafte Speicherzelle durch eine Redundanzspeicherzelle gerettet werden soll, auf der Grundlage einer Information über Siche­ rungskoordinaten relativ zu vorläufigen Datenleitungen (oder Wortleitungen) und Information (Reparaturdaten) über fehler­ hafte Speicherzellen von einem Speichertester 40, und dieser Generator erzeugt ein Reparaturbildmuster, das für einen Siche­ rungsbereich repräsentativ ist, d. h. für einen Belichtungs­ bereich, in welchem Sicherungen herausgeschnitten werden sol­ len, um dadurch die Redundanzspeicherschaltung für die Rettung der Speicherzelle anzuschließen. Bei dem Speichertestgerät 40 handelt es sich um einen bekannten Tester, der im Waferherstel­ lungsprozeß verwendet wird.

Auf der Grundlage des durch den Reparaturbildmustergenerator 21 erzeugten Reparaturbildmusters steuert die Steuereinheit 20 die Mechanismussteuereinheit 22, den Signalprozessor 29 und die Datensteuereinheit 30.

In der in Fig. 4 gezeigten Elektronenstrahlspeicherreparatur­ vorrichtung wird die in Fig. 3(a) gezeigte Resistschicht 5 einem Elektronenstrahl auf Grundlage des Reparaturbildmusters ausgesetzt, um das Resistmuster 5′ zu bilden. Auf Grundlage des Resistmusters 5′ werden Sicherungen herausgeschnitten, um dadurch die Redundanzspeicherschaltung anzuschließen.

Die Elektronenstrahlspeicherreparaturvorrichtung kann eine Musterkonfiguration mit einer Auflösung im Submikrometerbereich oder darunter erzeugen, und sie weist eine positionsmäßige Ermittlungsgenauigkeit bzw. eine Positionsermittlungsgenauig­ keit von 0,05 µm oder darunter auf. Mit dem Verfahren zum Repa­ rieren eines Halbleiterspeichers, das durch die Elektronen­ strahlspeicherreparaturvorrichtung ausgeführt wird, ist es mög­ lich, die Zwischenräume zwischen Sicherungen in dem in Fig. 1 gezeigten Halbleiterwaferchip auf Abstände viel kleiner als beispielsweise 2 µm zu verringern. Deshalb kann die in dem Halbleiterwaferchip durch die Sicherungen eingenommene Fläche verringert werden, und die Kosten für den Halbleiterwaferchip können ebenfalls verringert werden.

Bei der vorstehend angeführten Ausführungsform wird die Redun­ danzspeicherschaltung durch Herausschneiden von Sicherungen in dem Halbleiterwaferchip angeschlossen. Die Sicherungen können jedoch weggelassen sein, und die Redundanzspeicherschaltung wird durch Herausschneiden von Zwischenverbindungen in dem Halbleiterwaferchip angeschlossen.

Nunmehr erfolgt eine Erläuterung der zweiten Ausführungsform.

Bei der ersten Ausführungsform werden Sicherungen herausge­ schnitten, um die Redundanzspeichereinrichtung anzuschließen. Sicherungen, die herausgeschnitten werden, können jedoch in einem Halbleiterwaferchip angeordnet sein und so verbunden sein, daß sie die Redundanzspeicherschaltung anschließen.

Fig. 5(a) bis 5(e) zeigen die Prinzipien eines Elektronen­ strahl-Sicherungsverbindungsprozesses in einem Verfahren zum Reparieren eines Halbleiterspeichers gemäß einer zweiten Aus­ führungsform der vorliegenden Erfindung.

Wie in Fig. 5(a) bis 5(e) gezeigt, weist ein Halbleiterspeicher­ sicherungsbereich ein Si-Substrat 11 auf, eine Isolationsdünn­ schicht 12 aus SiO₂, eine Sicherungsschicht 13, die einen Her­ ausschneidbereich 16 vorbestimmter Breite aufweist, und eine Isolationsdünnschicht 14′ aus SiO₂. Die Isolationsdünnschicht 14′ aus SiO₂ wird mit einer Resistschicht 15 auf der gesamten Oberfläche des Halbleiterspeicherchips abgedeckt, woraufhin ein gegebener Bereich der Resistschicht 15, der dem Herausschneid­ bereich 16 entspricht, einem Elektronenstahl ausgesetzt bzw. durch diesen belichtet wird. Der Elektronenstrahl sollte bevor­ zugt auf eine Fläche angewendet werden, die breiter ist als der Herausschneidbereich 16. Daraufhin wird die Resistschicht 15 entwickelt, um ihren Bereich entsprechend dem Sicherungsbereich zu entwickeln, wodurch ein Resistmuster 15′ gebildet wird (siehe Fig. 5(b)). Unter Verwendung des Resistmusters 15′ als Maske wird die Isolationsdünnschicht 14′ geätzt (siehe Fig. 5(c)). Zu diesem Zeitpunkt ist es bevorzugt, die Isolations­ dünnschicht 14′ bis hinunter auf die Isolationsdünnschicht 12 wieder zu ätzen, um in zuverlässiger Weise eine elektrische Verbindung in dem Herausschneidbereich 16 herzustellen. Darauf­ hin wird das Resistmuster 15′ entfernt und Polysilicium oder ein Metallmaterial, wie etwa Aluminium oder dergleichen (frei wählbar, abhängig von der Konstruktion), wird auf der Ober­ fläche abgeschieden, die bereits durch Sputtern oder CVD gebil­ det ist (siehe Fig. 5(d)). Daraufhin wird der Aufbau rückge­ ätzt, bis die Isolationsschicht 14′ erscheint, mit Ausnahme derjenigen Fläche, wo das Polysilicium oder das Metallmaterial in dem Herausschneidbereich 16 abgeschieden ist (siehe Fig. 5 (e)). Bei dem vorstehend angeführten Prozeß wird die Isola­ tionsschicht 14′ unter Verwendung des Resistmusters 15′ als Maske selektiv entfernt, und das Polysilicium oder das Metall­ material, wie etwa Aluminium oder dergleichen, wird selektiv in der Fläche abgeschieden, von welcher die Isolationsschicht 14′ entfernt wurde. Die Sicherungsschicht 13 ist nunmehr über den Herausschneidbereich 16 elektrisch angeschlossen.

Gemäß der zweiten Ausführungsform sind der vorstehend erläu­ terte Elektronenstrahlsicherungsverbindungsprozeß und der Elek­ tronenstrahlsicherungsschneidprozeß gemäß der ersten Ausfüh­ rungsform miteinander kombiniert, um die in Fig. 6 gezeigte Redundanzspeicherschaltung beispielsweise anzuschließen.

Fig. 6 zeigt einen Halbleiterspeicher in einem Halbleiterspei­ cherchip auf einem Halbleiterwafer. Der Halbleiterspeicher weist normale Speicherzellen 100 und einen Adressendekoder 101 auf, der Logikgatter 101a mit jeweiligen Ausgangsleitungen umfaßt, die jeweils an Normaldatenleitungen durch Sicherungen 104a angeschlossen sind. Der Halbleiterspeicher weist außerdem eine Redundanzspeicherschaltung auf, die eine Redundanzspei­ cherzelle 102 aufweist, die eine Redundanzdatenleitung hat, die durch Sicherungen 104a′ mit Ausgangsleitungen verbunden ist, die mit jeweiligen Normaldatenleitungen verbunden sind, die mit den Logikgattern 101a gekoppelt bzw. verbunden sind. Die Siche­ rungen 104a′ weisen Herausschneidbereiche auf, die jeweils eine Breite haben, die es ermöglicht, daß die Resistschicht 15 auf der Isolationsschicht 14′ abgeschieden wird.

Wenn die normale Speicherzelle, die mit der Normaldatenleitung verbunden ist, die an das oberste Logikgatter 101a angeschlos­ sen ist, beispielsweise fehlerhaft ist, wird die Resistschicht 5 auf dem Halbleiterspeicherchip abgeschieden und einem Elek­ tronenstrahl im Bereich der Sicherung 104a ausgesetzt, die mit dem Ausgang des obersten Logikgatters 101 verbunden ist. Die Resistschicht 5 wird daraufhin entwickelt, um ein Resistmuster 5′ zu bilden, das rechteckige oder kreisförmige Muster entspre­ chend den belichteten Bereichen aufweist. Unter Verwendung des Resistmusters 5′ als Maske wird der Halbleiterspeicherchip geätzt, um die Sicherung 104a im belichteten Bereich herauszu­ schneiden. Die Normaldatenleitung, die mit der fehlerhaften Speicherzelle verbunden ist, wird dadurch ineffektiv bzw. unwirksam. Daraufhin wird das Resistmuster 5′ entfernt. Der vorstehend angeführte Prozeß entspricht dem Elektronenstrahl­ sicherungsschneidprozeß, der in Fig. 3(a) bis 3(d) gezeigt ist.

Daraufhin wird die Resistschicht 15 auf dem Halbleiterspeicher­ chip abgeschieden und einem Elektronenstrahl im Bereich der Sicherung 104a′ ausgesetzt, die mit dem Ausgang des Dekoders 101a verbunden ist, der an die fehlerhafte Speicherzelle ange­ schlossen ist. Die Resistschicht 15 wird daraufhin entwickelt, um das Resistmuster 15′ zu bilden, das ein rechteckiges oder kreisförmiges Muster entsprechend dem belichteten Bereich auf­ weist. Unter Verwendung des Resistmusters 15′ als Maske wird Polysilicium oder ein Metallmaterial, wie etwa Aluminium oder dergleichen, auf der Oberfläche abgeschieden, die bereits durch Sputtern oder CVD gebildet ist, wodurch die Sicherung 104a′ an den belichteten Bereich angeschlossen wird. Auf diese Weise wird der Ausgang der Redundanzspeicherzelle 102 zu der Redun­ danzdatenleitung effektiv bzw. wirksam. Die Sicherung 104a′ kann angeschlossen werden, bevor die Sicherung 104a herausge­ schnitten wird.

Die in Fig. 4 gezeigten Elektronenstrahlspeicherreparaturvor­ richtung kann in dem Verfahren zum Reparieren eines Halbleiter­ speichers gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung eingesetzt werden. Insbesondere erzeugt der Repara­ turbildmustergenerator 21 ein Reparaturbildmuster zum Heraus­ schneiden einer Sicherung und ein Reparaturbildmuster zum Anschließen einer Sicherung, und der Schritt zum Freilegen bzw. Belichten der Resistschicht 5, wie in Fig. 3(a) gezeigt, und der Schritt zum Freilegen bzw. Belichten der Resistschicht 15, wie in Fig. 5(a) gezeigt, werden auf Grundlage dieser Reparatur­ bildmuster ausgeführt, um dadurch die Resistmuster 5′, 15′ zu bilden. Unter Verwendung der Resistmuster 5′, 15′ als Masken werden die Sicherungen herausgeschnitten und angeschlossen, um dadurch die Redundanzspeicherschaltung anzuschließen.

Das Verfahren zum Reparieren eines Halbleiterspeichers gemäß der zweiten Ausführungsform ist auf die in Fig. 6 gezeigte Redundanzspeicherschaltung anwendbar. Da die in Fig. 6 gezeigte Redundanzspeicherschaltung den in Fig. 1 gezeigten Dekoder 103 zum Umschalten der Redundanzspeicherschaltung nicht benötigt, können die Kosten für den Halbleiterspeicherchip niedriger sein als die Kosten für den Halbleiterspeicherchip gemäß der ersten Ausführungsform.

Bei der zweiten Ausführungsform werden der Anschluß einer Sicherung und das Herausschneiden einer Sicherung miteinander zum Anschließen der Redundanzspeicherschaltung kombiniert, wobei die Redundanzspeicherschaltung lediglich durch Anschlie­ ßen einer Sicherung angeschlossen werden kann. Bei einer der­ artigen Modifikation ist die der Halbleiterspeicher jedoch dazu ausgelegt, durch Anschließen der Sicherung die fehlerhafte Speicherzelle ineffektiv bzw. unwirksam zu machen.

Bei der zweiten Ausführungsform wird die Redundanzspeicher­ schaltung durch Anschließen einer Sicherung angeschlossen, die in dem Halbleiterspeicherchip herausgeschnitten ist. Zwischen­ verbindungen mit Herausschneidbereichen können jedoch anstelle von Sicherungen mit Herausschneidbereichen verwendet werden. Darüber hinaus kann die Redundanzdatenleitung, die mit der Redundanzspeicherzelle 102, die in Fig. 6 gezeigt ist, verbun­ den ist, weggelassen werden, und wenn eine fehlerhafte Spei­ cherzelle aufgefunden wird, kann eine Redundanzdatenleitung an die Redundanzspeicherzelle 102 in Übereinstimmung mit dem in dem in Fig. 5(a) bis 5(e) gezeigten Prozeß angeschlossen wer­ den.

Bei jeder der ersten und zweiten Ausführungsformen wird die Resistschicht dem Elektronenstrahl ausgesetzt. Ein Ionenstrahl, ein Laserstrahl mit einem Spektrum in fernen Ultraviolett kur­ zer Wellenlänge zur Belichtung usw. können jedoch beim Verfah­ ren zum Reparieren eines Halbleiterspeichers eingesetzt werden.

Bauelemente, auf die das Verfahren zum Reparieren eines Halb­ leiterspeichers gemäß der vorliegenden Erfindung anwendbar sind, sind nicht auf die dargestellten unabhängigen Halbleiter­ speicher-Bauelemente beschränkt. Das Verfahren zum Reparieren eines Halbleiterspeichers gemäß der vorliegenden Erfindung ist vielmehr auch auf Speicherbauelemente anwendbar, die in Logik­ bauelementen enthalten sind.

Das Verfahren zum Reparieren eines Halbleiterspeichers gemäß der vorliegenden Erfindung ist auch auf verschiedene Redundanz­ schaltungen anwendbar, die sich von den in Fig. 1 und 6 gezeig­ ten Redundanzschaltungen unterscheiden.

Während eine bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfin­ dung unter Verwendung spezieller Begriffe erläutert wurde, wird darauf hingewiesen, daß diese Beschreibung lediglich zu Erläu­ terungszwecken erfolgte, und daß Änderungen und Abwandlungen ausgeführt werden können, ohne vom Umfang der Erfindung abzu­ weichen, die durch die folgenden Ansprüche festgelegt ist.

Claims (12)

1. Verfahren zum Reparieren eines Halbleiterspeichers in einem Halbleiterspeicherchip durch Herausschneiden von Zwischenverbindungen, wenn eine normale Speicherzelle feh­ lerhaft ist, um dadurch einen Redundanzspeicherzelle in dem Halbleiterspeicherchip anstelle der normalen Speicher­ zelle, die fehlerhaft ist, anzuschließen, aufweisend die Schritte:
Beschichten einer gesamten Oberfläche des Halbleiterspei­ cherchips mit einer Resistschicht,
Belichten der Resistschicht in Bereichen der Zwischenver­ bindungen mit einem Energiestrahl,
Entwickeln der belichteten Resistschicht zum Bilden eines Resistmusters, und
Ätzen des Halbleiterspeicherchips in diesen Bereichen unter Verwenden des Resistmusters als Maske, um dadurch die Zwischenverbindungen herauszuschneiden.

2. Verfahren zum Reparieren eines Halbleiterspeichers in einem Halbleiterspeicherchip durch Ausbilden einer Zwi­ schenverbindung, wenn eine normale Speicherzelle fehler­ haft ist, wodurch eine Redundanzspeicherzelle in dem Halb­ leiterspeicherchip anstelle der normalen Speicherzelle, die fehlerhaft ist, angeschlossen wird, aufweisend die Schritte:
Beschichten der gesamten Oberfläche des Halbleiterspei­ cherchips mit einer Resistschicht,
Belichten der Resistschicht mit einem Energiestrahl in einem Bereich, in welchem die Zwischenverbindung gebildet werden soll,
Entwickeln der belichteten Resistschicht, um ein Resist­ muster zu bilden,
Ätzen des Halbleiterspeicherchips in diesem Bereich unter Verwendung des Resistmusters als Maske, und
Abscheiden eines Abscheidungsmaterials in dem Bereich, um dadurch die Zwischenverbindung zu bilden.

3. Verfahren zum Reparieren eines Halbleiterspeichers in einem Halbleiterspeicherchip durch Herausschneiden einer Zwischenverbindung und Bilden einer Zwischenverbindung, wenn eine normale Speicherzelle fehlerhaft ist, um dadurch eine Redundanzspeicherzelle in dem Halbleiterspeicherchip anstelle der normalen Speicherzelle, die fehlerhaft ist, anzuschließen, aufweisend die Schritte:
Beschichten der gesamten Oberfläche des Halbleiterspei­ cherchips mit einer Resistschicht,
Belichten der Resistschicht in einem ersten Bereich der Zwischenverbindung mit einem Energiestrahl,
Entwickeln der belichteten Resistschicht, um ein erstes Resistmuster zu bilden,
Ätzen des Halbleiterspeicherchips in diesem ersten Bereich unter Verwenden des ersten Resistmusters als Maske, um dadurch die Zwischenverbindung herauszuschneiden,
Belichten der Resistschicht in einem zweiten Bereich, in welchem die Zwischenverbindung gebildet werden soll, mit einem Energiestrahl,
Entwickeln der freigelegten Resistschicht, um ein zweites Resistmuster zu bilden,
Ätzen des Halbleiterspeicherchips in dem zweiten Bereich unter Verwendung des Resistmusters als Maske, und
Abscheiden eines Abscheidungsmaterials in dem zweiten Bereich, um dadurch die Zwischenverbindung zu bilden.

4. Verfahren nach Anspruch 1, wobei der Energiestrahl einen Elektronenstrahl aufweist.

5. Verfahren nach Anspruch 2, wobei der Energiestrahl einen Elektronenstrahl aufweist.

6. Verfahren nach Anspruch 3, wobei der Energiestrahl einen Elektronenstrahl aufweist.

7. Verfahren nach Anspruch 2, wobei die Redundanzzelle durch eine Zwischenverbindung, die von einer Datenleitung abge­ zweigt ist, die mit der normalen Speicherzelle verbunden ist, angeschlossen wird, wobei die Zwischenverbindung einen Herausschneidbereich aufweist, und wobei der Schritt zum Belichten der Photoresistschicht den Schritt aufweist, die Photoresistschicht im Herausschneidbereich mit dem Energiestrahl zu belichten, und der Schritt zum Abscheiden eines Abscheidungsmaterials den Schritt aufweist, das Abscheidungsmaterial in dem Herausschneidbereich abzu­ scheiden, um dadurch die Zwischenverbindung anzuschließen.

8. Verfahren nach Anspruch 3, wobei die Redundanzspeicher­ zelle durch eine Zwischenverbindung, die von einer Daten­ leitung abgezweigt ist, die mit der normalen Speicherzelle verbunden ist, angeschlossen wird, wobei die Zwischenver­ bindung einen Herausschneidbereich aufweist, und wobei der Schritt zum Belichten der Resistschicht im zweiten Bereich den Schritt aufweist, die Resistschicht im Herausschneid­ bereich durch den Energiestrahl zu belichten, und wobei der Schritt zum Abscheiden eines Abscheidungsmaterials den Schritt aufweist, das Abscheidungsmaterial in dem Heraus­ schneidbereich abzuscheiden, um dadurch die Zwischenver­ bindung anzuschließen.

9. Verfahren nach Anspruch 2, wobei das Abscheidungsmaterial Polysilicium oder ein Metallmaterial aufweist.

10. Verfahren nach Anspruch 3, wobei das Abscheidungsmaterial Polysilicium oder ein Metallmaterial aufweist.

11. Elektronenstrahlspeicherreparaturvorrichtung, auf welche das Verfahren zum Reparieren eines Halbleiterspeichers gemäß einem der Ansprüche 1 bis 6 anwendbar ist, aufwei­ send:
ein Speichertestgerät zum Ermitteln einer fehlerhaften Speicherzelle in einem Halbleiterspeicherchip auf einem Halbleiterwafer,
einen Reparaturbildmustergenerator, der mit dem Speicher­ gerät verbunden ist, um ein Reparaturbildmuster auf Grund­ lage von Information in bezug auf die fehlerhafte Spei­ cherzelle zu erzeugen, die durch das Speichertestgerät ermittelt wird, und Information in bezug auf Sicherungen und eine Redundanzspeicherzelle,
einen Tisch zum Tragen des Halbleiterwafers, der mit einer Resistschicht auf seiner gesamten Oberfläche beschichtet ist, und zum zweidimensionalen Bewegen des Halbleiter­ wafers,
ein Elektronenstrahlbelichtungssystem zum Anlegen eines Elektronenstrahls an den Halbleiterwafer, der auf diesem Tisch getragen ist, und
eine Steuereinheit zum Steuern des Tisches und des Elek­ tronenstrahlbelichtungssystems auf Grundlage des Repartur­ bildmusters, das durch den Reparaturbildmustergenerator erzeugt ist, um dadurch ein Belichtungsmuster entsprechend dem Reparaturbildmuster auf der Resistschicht zu bilden.

12. Redundanzspeicherschaltung, auf welcher ein Verfahren zum Reparieren eines Halbleiterspeichers gemäß Anspruch 2, 3 oder 5 anwendbar ist, aufweisend:
eine Redundanzspeicherzelle, die in einem Halbleiterspei­ cherchip angeordnet und mit einer Zwischenverbindung ver­ bunden ist, die von einer Datenleitung einer normalen Speicherzelle abgezweigt ist, wobei die Zwischenverbindung einen Herausschneidbereich aufweist.