DE19738330C2 - Chemische Dampfabscheidungsvorrichtung, Abscheidungsverfahren für Metallorganische Verbindungen und Verwendung des Verfahrens - Google Patents

Chemische Dampfabscheidungsvorrichtung, Abscheidungsverfahren für Metallorganische Verbindungen und Verwendung des Verfahrens

Info

Publication number
DE19738330C2
DE19738330C2 DE19738330A DE19738330A DE19738330C2 DE 19738330 C2 DE19738330 C2 DE 19738330C2 DE 19738330 A DE19738330 A DE 19738330A DE 19738330 A DE19738330 A DE 19738330A DE 19738330 C2 DE19738330 C2 DE 19738330C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
reactants
evaporator
solvent
chemical vapor
vapor deposition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE19738330A
Other languages
English (en)
Other versions
DE19738330A1 (de
Inventor
Yong Sik Yu
Young Jin Park
Yong Ku Baek
Jong Choul Kim
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SK Hynix Inc
Original Assignee
Hyundai Electronics Industries Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hyundai Electronics Industries Co Ltd filed Critical Hyundai Electronics Industries Co Ltd
Publication of DE19738330A1 publication Critical patent/DE19738330A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE19738330C2 publication Critical patent/DE19738330C2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/4481—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by evaporation using carrier gas in contact with the source material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/40—Oxides
    • C23C16/409—Oxides of the type ABO3 with A representing alkali, alkaline earth metal or lead and B representing a refractory metal, nickel, scandium or a lanthanide
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine chemische Dampfabschei­ dungsvorrichtung für metallorganische Verbindungen (auf die nachfolgend als "MOCVD"-Vorrichtung bezug genommen wird) und ein Abscheidungsverfahren sowie die Verwendung des Verfahrens. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung eine MOCVD- Vorrichtung, die dazu einsetzbar ist, eine Dünnschicht hoher Dielektrizitätskonstante bzw. eine dielektrische Dünnschicht auf einem Halbleitersubstrat abzuscheiden, und ein Abscheidungsverfahren unter Verwendung der Vorrichtung sowie die Verwendung des Abscheidungsverfahrens zur Abscheidung von dielektrischen Dünnschichten wie BaSrTiO3- oder SrTiO3- Dünnschichten.
Für die nächste Generation der DRAM (DRAM = dynamischer RAM bzw. dynamischer Direktzugriffspeicher), die eine Speichergröße von zumindest ein Giga-Byte aufweisen, stellen herkömmliche Dünnschichten keine ausreichende Kapazität bereit. Wenn Halbleiterbauelemente bezüglich ihrer Größe reduziert werden, sind dreidimensionale Kondensatorstrukturen, wie etwa solche vom Rippen- oder Zylinder-Typ, deshalb sehr schwierig aufzubauen, weil die Größenreduzierung auf Kosten einer Zellenflächenreduzierung erfolgt.
Die Verringerung der Dicke der Dünnschicht gibt außerdem Anlaß zur Erhöhung des Leckstroms in einem Source/Drain-Bereich, bei dem es sich um einen Fehlstellenbereich eines Halbleiterbau­ elements handelt, und dies führt zu einem sogenannten "soft error", einem Phänomen, bei welchem in einem Kondensator gespeicherte Information durch a-Partikel geändert wird oder verlorengeht. Ein zuverlässiger Kondensator ist auf diese Weise schwierig zu erhalten. Wenn ein Kondensator in eine komplexe dreidimensionale Struktur gebildet wird, sind außerdem nachfol­ gende Prozesse schwierig durchzuführen.
In jüngster Zeit sind aktive Forschungen auf eine Dampfabschei­ dungsvorrichtung für eine dielektrische Dünnschicht gerichtet worden, um dielektrische Materialien, wie etwa BST (BaSrTiO3) und SrTiO3, für die Dünnschicht eines Kondensators anzuwenden bzw. aufzutragen.
Um die dielektrischen Dünnschichten aufzubauen bzw. herzustellen, sind zahlreiche Verfahren verwendet worden, ein­ schließlich dem Zerstäubungsverfahren, dem Sol-Gel-Verfahren, dem Laserablationsverfahren, dem MOCVD-Verfahren und derglei­ chen. Von diesen Verfahren gewährleistet das MOCVD-Verfahren eine gleichmäßige Dünnschicht ebenso wie, daß die Zusammenset­ zung der Dünnschicht problemlos gesteuert werden kann. Die Abscheidungsvorrichtungen für die dielektrische Dünnschicht, die das MOCVD-Verfahren nutzen, werden aktuell untersucht.
S. MATSUNO et al. beschreiben in Appl. Phys. Lett., Vol. 60 (19), 11. Mai 1992, Seiten 2427-2429, eine MOCVD-Vorrichtung zur Abscheidung von supraleitenden Schichten unter Verwendung einer einzigen THF-Lösung als Quelllösung, in der Y, Ba und Cu β- Diketonatchelate gelöst sind.
Um den Hintergrund der Erfindung besser verstehen zu können, erfolgt nachfolgend eine Erläuterung einer herkömmlichen MOCVD- Vorrichtung und ihres Arbeitsablaufs in Zusammenhang mit Fig. 1.
Wie in Fig. 1 gezeigt, weist eine typische MOCVD-Vorrichtung eine Reaktionsteilnehmer-Quellenampulle 10 auf, eine Flüssig­ keitsmikropumpe 20 zum Fördern der Reaktionsteilnehmer, einen Verdampfer 30, einen Reaktor 70, eine Falle 60 und eine Vakuum­ pumpe. Die in der Quellenampulle 10 enthaltenen Reaktionsteil­ nehmer sind in einem Lösungsmittel gelöst. Die Flüssigkeits­ mikropumpe 20 wird verwendet, um die resultierende Flüssigkeit zu dem Verdampfer 30 zu überführen, in welchem die Flüssigkeit mit Hilfe einer weiteren Energiequelle erhitzt oder verdampft wird. Unter Verwendung eines Trägergases, wie etwa Argon oder Stickstoff, wird der Dampf zum Reaktor 70 überführt, und der Dampf wird auf einem Halbleitersubstrat abgeschieden, das in den Reaktor 70 eingetragen ist, um eine Dünnschicht zu bilden. Druckerhöhungsgas, das für die Überführung der Reaktionsteil­ nehmer erforderlich ist, ist vorliegend Argon oder Stickstoff.
Während der Überführung der Reaktionsteilnehmer, die in dem Lösungsmittel enthalten sind, zu dem Reaktor, wird das Lösungs­ mittel, da die Verdampfungstemperatur des Lösungsmittels viel niedriger ist als diejenige der Reaktionsteilnehmer, obwohl an den Verdampfer keine Wärme angelegt ist, schneller abgetrennt als die Reaktionsteilnehmer, wodurch die Reaktionsteilnehmer erneut kondensiert werden. Die erneut kondensierten Reaktions­ teilnehmer blockieren deshalb die Dünnschichtüberführungsstrecke zwischen dem Verdampfer und dem Reaktor und werden dadurch dem Reaktor nicht konstant zugeführt. Infolge davon wird eine abgeschiedene Dünnschicht mit schlechten Eigenschaften gebildet.
Selbst dann, wenn an den Verdampfer Wärme angelegt wird, um die Dampftemperatur der Reaktionsteilnehmer, die für die Dünn­ schichtabscheidung erforderlich sind, konstant zu halten, wird das Lösungsmittel rascher verdampft als die Reaktionsteilnehmer, was zur Zersetzung der Reaktionsteilnehmer führt. Die Reaktionsteilnehmer können dem Reaktor nicht konstant zugeführt werden, weil die zersetzten Reaktionsteilnehmer die Dünn­ schichtüberführungsstrecke zwischen dem Verdampfer und dem Reaktor blockieren. Es ist deshalb schwierig, eine Dünnschicht zuverlässig mit hervorragenden elektrischen Eigenschaften zu bilden.
Eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, die beim Stand der Technik angetroffenen, vorstehend abgehandelten Probleme zu überwinden und eine MOCVD-Vorrichtung bereitzustellen, in welcher die Reaktionsteilnehmer daran gehindert werden, in dem Verdampfer erneut kondensiert und zersetzt zu werden.
Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, ein Verfahren zum Bilden einer hochgradig dielektrischen Dünn­ schicht unter Verwendung dieser Vorrichtung zu bilden.
Gemäß einem Aspekt der Erfindung wird eine chemische Dampf­ abscheidungsvorrichtung für metallorganische Verbindungen zur Ausbildung einer dielektrischen Dünnschicht geschaffen, mit einer Quellenampulle (10), die Reaktionsteilnehmer in einem Lösungsmittel enthält, einer Flüssigkeitsmikropumpe (20) zum Fördern der aufgelösten Reaktionsteilnehmer, einem Verdampfer (30) zum Verdampfen der aufgelösten Reaktionsteilnehmer, die durch die Mikropumpe (20) gefördert werden, und einem Reaktor (70) zum Abscheiden der verdampften Reaktionsteilnehmer auf einem Halbleitersubstrat, das in ihn geladen ist, wobei die verdampften Reaktionsteilnehmer dem Reaktor (70) durch ein Trägergas zugeführt werden, wobei der Verdampfer (30) außerdem mit einer Lösungsmittelzufuhreinrichtung (100) zum Zuführen einer zusätzlichen Menge des Lösungsmittels zu dem Verdampfer (30) versehen ist, um zu verhindern, daß die Reaktionsteilnehmer in dem Verdampfer (30) erneut kondensiert werden und die erneut kondensierten Reaktionsmittel eine Übertragungsleitung zwischen dem Verdampfer (30) und dem Reaktor (70) blockieren.
Gemäß einem weiteren Aspekt der vorliegenden Erfindung wird ein Verfahren zur chemischen Dampfabscheidung von metallorganischen Verbindungen zur Bildung einer dielektrischen Dünnschicht auf einem Halbleitersubstrat bereitgestellt, aufweisend die Schritte: Zuführen von Reaktionsteilnehmern die in einem Lösungsmittel gelöst sind, zu einem Verdampfer, der zusätzlich mit Lösungsmittel über eine getrennte Zufuhreinrichtung versorgt wird, Verdampfen der Reaktionsteilnehmer in dem Verdampfer, und Überführen der verdampften Reaktionsteilnehmer zu einem Reaktor mittels Trägergas, in welchem Reaktor die Reak­ tionsteilnehmer auf dem Halbleitersubstrat abgeschieden werden.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unter­ ansprüchen angegeben.
Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnungen beispiel­ haft näher erläutert; es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Ansicht einer herkömmlichen MOCVD-Vor­ richtung,
Fig. 2 eine schematische Ansicht einer erfindungsgemäßen MOCVD- Vorrichtung, und
Fig. 3 eine Kurvendarstellung, bei welcher die Mengen der Rest­ stoffe gemäß den Lösungsmittelmengen als Funktion der Tempera­ tur des Verdampfers aufgetragen sind.
Fig. 1 wurde bereits einleitend zum Stand der Technik abgehan­ delt.
In Fig. 2 ist ein Konzept für eine erfindungsgemäße MOCVD-Vor­ richtung gezeigt. Demnach ist die erfindungsgemäße MOCVD-Vor­ richtung identisch zu der herkömmlichen (anhand von Fig. 1 abgehandelten), insofern als sie eine Quellenampulle 10 auf­ weist, die Reaktionsteilnehmer in einem Lösungsmittel enthält, eine Flüssigkeitsmikropumpe 20, einen Verdampfer 30 zum Ver­ dampfen der flüssigen Reaktionsteilnehmer, einen Reaktor 70 zum Abscheiden der Reaktionsteilnehmer auf einem Halbleiter­ substrat, eine Falle 60 zum Blockieren schädlichen Gases durch Abkühlen und eine Vakuumpumpe; ein Unterschied besteht darin, daß der Verdampfer 30 außerdem mit einer Lösungsmittelzufuhr­ einrichtung 100 ausgerüstet ist, die eine Lösungsmittelampulle 40 und eine Pumpe 50 aufweist.
Die Vorgehensweise zum Bilden einer dielektrischen Dünnschicht bzw. einer Dünnschicht mit hoher Elektrizitätskonstante wird nachfolgend in Verbindung mit Fig. 1 erläutert.
Als Reaktionsteilnehmer werden Ba(DPM)2, Sr(DPM)2 und Ti(DPM)2 (DPM steht für Dipivaloylmethanat) oder Sr, Ti und O3 enthal­ tende Materialien verwendet. Diese Reaktionsteilnehmer werden in einem Lösungsmittel in der Quellenampulle 10 gelöst und zu dem Verdampfer 30 durch die Flüssigkeitsmikropumpe 20 überführt. Isopropylamin wird in ausreichender Menge dem Verdampfer 30 durch die Lösungsmittelzufuhreinrichtung 100 gleichzeitig mit der Überführung zugeführt und zusammen mit den Reaktions­ teilnehmern verdampft. Der Zweck des Isopropylamins besteht darin, das Wiederkondensieren der Reaktionsteilnehmer in dem Verdampfer 30 und in der Überführungsleitung bzw. -strecke zwi­ schen dem Verdampfer 30 und dem Reaktor 70 zu verhindern. Unter Verwendung von Trägergas, wie etwa Argon oder Stickstoff, werden daraufhin die verdampften Reaktionsteilnehmer durch die Überführungsleitung dem Reaktor 70 zugeführt und daraufhin auf einem Halbleitersubstrat abgeschieden, das in den Reaktor ein­ getragen ist, um eine hochgradig dielektrische Dünnschicht (beispielsweise eine BST- oder SrTiO3-Dünnschicht) zu bilden.
Wie vorstehend angeführt, ist die erneute Kondensation der Reaktionsteilnehmer innerhalb des Verdampfers 30 auf die Tat­ sache zurückzuführen, daß das Lösungsmittel schneller verdampft wird als die Reaktionsteilnehmer, obwohl an den Verdampfer keine Wärme angelegt ist, weil das Lösungsmittel eine niedrigere Verdampfungstemperatur als die Reaktionsteilnehmer aufweist.
Alternativ kann jeder der Reaktionsteilnehmer, beispielsweise Ba(DPM)2, Sr(DPM)2 und Ti(DPM)2 zu dem Verdampfer über individuelle bzw. einzelne Quellenampullen und Flüssigkeitsmikropumpen überführt werden.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung wird nach der Abscheidung der dielektrischen Dünnschicht ausreichend bzw. eine ausreichende Menge an Lösungsmittel erneut dem Verdampfer 30 über die Lösungsmittelzufuhreinrichtung 100 zugeführt, um innerhalb des Verdampfers erneut kondensierte Reaktionsteilnehmer-Reste zu entfernen, um zu verhindern, daß erneut kondensierte Reaktionsteilnehmer-Reste die Überführungsleitung zwischen dem Verdampfer 30 und dem Reaktor 70 blockieren. Weiterhin verbleibende Reaktionsteilnehmer-Reste können durch Spülgas, wie etwa Argon und Stickstoff entfernt werden.
In Fig. 3 sind die Mengen der Reste in Übereinstimmung mit den Lösungsmittelmengen als die Funktion der Temperatur des Ver­ dampfers aufgetragen. Demnach ist der Restanteil (Gew.-%) unterschiedlich abhängig vom Verhältnis von Sr(DPM)2, dem Reak­ tionsteilnehmer, zu Isopropylamin, dem Lösungsmittel, in einem Temperaturbereich von 100-600°C. Je mehr Lösungsmittel vorhanden ist, desto geringer ist der Reaktionsteilnehmer-Rest. Es wurde gefunden, daß dann, wenn das Verhältnis des Reaktionsteilnehmers zu dem Lösungsmittel im Bereich von 1 : 10 bis 1 : 20 liegt, die Reste sehr gering vorhanden waren.
Selbst dann, wenn das Verhältnis des Lösungsmittels zu dem Reaktionsteilnehmer hoch ist, wird das Verhältnis erniedrigt, während das Flüssigkeitsgemisch von der Quellenampulle zu dem Verdampfer überführt wird. Das zusätzliche Zuführen des Lösungsmittels zu dem Verdampfer gemäß der vorliegenden Erfin­ dung gewährleistet die Aufrechterhaltung einer ausreichenden Lösungsmittelmenge. Kleine Restmengen, wie bei der vorliegenden Erfindung, spiegeln demnach die Verringerung der Menge des erneut kondensierten Reaktionsteilnehmers wieder, was bedeutet, daß die Blockierung der Übertragungsleitung weniger häufig auf­ tritt.
Wie vorstehend erläutert, kann eine ausreichende Menge an Lösungsmittel zusätzlich dem Verdampfer zugeführt werden, wenn eine hochgradig dielektrische Dünnschicht unter Verwendung der erfindungsgemäßen MOCVD-Vorrichtung gebildet wird. Die erneute Kondensation des Reaktionsteilnehmers, die der Zersetzung des Lösungsmittels innerhalb des Verdampfers zuzuschreiben ist, kann deshalb minimiert werden, wodurch das Problem überwunden wird, daß die Überführungsleitung blockiert wird.
Nach der Abscheidung der Dünnschicht auf dem Halbleitersubstrat ist es außerdem möglich, die Reaktionsteilnehmer-Reste, die innerhalb des Verdampfers verbleiben, durch Auflösen der Reste in dem Lösungsmittel mittels der zusätzlichen Lösungsmittelzu­ fuhreinrichtung zu entfernen, die dem Verdampfer zugeordnet ist. Eine Verschlechterung der physikalischen Eigenschaften der Dünnschicht aufgrund einer Kontamination des Verdampfers kann dadurch verhindert werden, und die Reproduzierbarkeit der Dünn­ schicht kann gewährleistet werden, weil die Reaktionsteilnehmer dem Reaktor stabil zugeführt werden.

Claims (9)

1. Chemische Dampfabscheidungsvorrichtung für metallorganische Verbindungen zur Ausbildung einer dielektrischen Dünnschicht, mit einer Quellenampulle (10), die Reaktionsteilnehmer in einem Lösungsmittel enthält, einer Flüssigkeitsmikropumpe (20) zum Fördern der aufgelösten Reaktionsteilnehmer, einem Verdampfer (30) zum Verdampfen der aufgelösten Reaktionsteilnehmer, die durch die Mikropumpe (20) gefördert werden, und einem Reaktor (70) zum Abscheiden der verdampften Reaktionsteilnehmer auf einem Halbleitersubstrat, das in ihn geladen ist, wobei die verdampften Reaktionsteilnehmer dem Reaktor (70) durch ein Trägergas zugeführt werden, wobei der Verdampfer (30) außerdem mit einer Lösungsmittelzufuhreinrichtung (100) zum Zuführen einer zusätzlichen Menge des Lösungsmittels zu dem Verdampfer (30) versehen ist, um zu verhindern, daß die Reaktionsteilnehmer in dem Verdampfer (30) erneut kondensiert werden und die erneut kondensierten Reaktionsmittel eine Übertragungsleitung zwischen dem Ver­ dampfer (30) und dem Reaktor (70) blockieren.
2. Chemische Dampfabscheidungsvorrichtung für metallorganische Verbindungen nach Anspruch 1, wobei die Reaktionsmittel Ba- (dipivaloylmethanat)2, Sr(dipivaloylmethanat)2 und Ti- (dipivaloylmethanat)2 aufweisen.
3. Chemische Dampfabscheidungsvorrichtung für metallorganische Verbindungen nach Anspruch 1 oder 2, wobei das zusätzliche Lösungsmittel Isopropylamin ist.
4. Chemische Dampfabscheidungsvorrichtung für metallorganische Verbindungen nach Anspruch 1, 2 oder 3, wobei die Lösungsmittelzufuhreinrichtung (100) eine Lösungsmittel­ ampulle (40) und eine Pumpe (50) aufweist.
5. Verfahren zur chemischen Dampfabscheidung von metall­ organischen Verbindungen zur Bildung einer dielektrischen Dünnschicht auf einem Halbleitersubstrat, aufweisend die Schritte:
Zuführen von Reaktionsteilnehmern, die in einem Lösungs­ mittel gelöst sind, zu einem Verdampfer, der zusätzlich mit Lösungsmittel über eine getrennte Zufuhreinrichtung versorgt wird,
Verdampfen der Reaktionsteilnehmer in dem Verdampfer, und Überführen der verdampften Reaktionsteilnehmer zu einem Reaktor mittels Trägergas, in welchem Reaktor die Reak­ tionsteilnehmer auf dem Halbleitersubstrat abgeschieden werden.
6. Verfahren zur chemischen Dampfabscheidung von metall­ organischen Verbindungen nach Anspruch 5, wobei als Reaktionsmittel Ba(dipivaloylmethanat)2, Sr(dipivaloyl­ methanat)2 und Ti(dipivaloylmethanat)2 verwendet werden.
7. Verfahren zur chemischen Dampfabscheidung von metall­ organischen Verbindungen nach Anspruch 5 oder 6, wobei als zusätzliches Lösungsmittel Isopropylamin verwendet wird.
8. Verfahren zur chemischen Dampfabscheidung von metall­ organischen Verbindungen nach Anspruch 5, 6 oder 7, außerdem aufweisend den Schritt, das Lösungsmittel durch die getrennte Zufuhreinrichtung dem Verdampfer zuzuführen, um die Reste der Reaktionsmittel nach der Bildung der Dünnschicht zu waschen bzw. auszuspülen.
9. Verwendung des chemischen Dampfabscheidungsverfahrens von metallorganischen Verbindungen nach einem der Ansprüche 5 bis 8, zur Abscheidung von BaSrTiO3- oder SrTiO3- Dünnschichten.
DE19738330A 1996-10-02 1997-09-02 Chemische Dampfabscheidungsvorrichtung, Abscheidungsverfahren für Metallorganische Verbindungen und Verwendung des Verfahrens Expired - Fee Related DE19738330C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019960043625A KR100228768B1 (ko) 1996-10-02 1996-10-02 화학 기상증착 장치 및 증착방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE19738330A1 DE19738330A1 (de) 1998-04-09
DE19738330C2 true DE19738330C2 (de) 2001-06-28

Family

ID=19476044

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19738330A Expired - Fee Related DE19738330C2 (de) 1996-10-02 1997-09-02 Chemische Dampfabscheidungsvorrichtung, Abscheidungsverfahren für Metallorganische Verbindungen und Verwendung des Verfahrens

Country Status (7)

Country Link
US (2) US6008143A (de)
JP (1) JP3147832B2 (de)
KR (1) KR100228768B1 (de)
CN (1) CN1160481C (de)
DE (1) DE19738330C2 (de)
GB (1) GB2317901B (de)
TW (1) TW455633B (de)

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3122311B2 (ja) * 1994-06-29 2001-01-09 東京エレクトロン株式会社 成膜処理室への液体材料供給装置及びその使用方法
KR100228768B1 (ko) * 1996-10-02 1999-11-01 김영환 화학 기상증착 장치 및 증착방법
TW565626B (en) * 1996-11-20 2003-12-11 Ebara Corp Liquid feed vaporization system and gas injection device
JP2000249058A (ja) 1999-02-26 2000-09-12 Ebara Corp トラップ装置
JP3582437B2 (ja) 1999-12-24 2004-10-27 株式会社村田製作所 薄膜製造方法及びそれに用いる薄膜製造装置
JP2001247967A (ja) * 1999-12-30 2001-09-14 Applied Materials Inc ジルコン酸チタン酸鉛膜の有機メタル化学気相堆積
US6524867B2 (en) * 2000-12-28 2003-02-25 Micron Technology, Inc. Method for forming platinum-rhodium stack as an oxygen barrier
US20030012875A1 (en) * 2001-07-10 2003-01-16 Shreyas Kher CVD BST film composition and property control with thickness below 200 A for DRAM capacitor application with size at 0.1mum or below
JP2003273030A (ja) * 2002-03-18 2003-09-26 Watanabe Shoko:Kk Ｃｖｄ薄膜堆積の方法
US20030203118A1 (en) * 2002-04-26 2003-10-30 Wickes Roger D. Oscillating dispersion apparatus, system, and method
KR100473806B1 (ko) * 2002-09-28 2005-03-10 한국전자통신연구원 유기물 박막 및 유기물 소자를 위한 대면적 유기물 기상증착 장치 및 제조 방법
JP4192008B2 (ja) * 2003-02-18 2008-12-03 株式会社渡辺商行 気化器及び気化器の洗浄方法並びに気化器を用いた装置
US8512798B2 (en) * 2003-06-05 2013-08-20 Superpower, Inc. Plasma assisted metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) system
US7727588B2 (en) * 2003-09-05 2010-06-01 Yield Engineering Systems, Inc. Apparatus for the efficient coating of substrates
CN1332421C (zh) * 2003-12-26 2007-08-15 南美特科技股份有限公司 半导体制程设备的清洁方法
JP2007227086A (ja) * 2006-02-22 2007-09-06 Tokyo Electron Ltd 成膜装置および発光素子の製造方法
KR100806113B1 (ko) * 2006-12-26 2008-02-21 주식회사 코윈디에스티 박막증착 장치의 원료가스 공급장치 및 잔류가스 처리장치및 그 방법
US7883745B2 (en) * 2007-07-30 2011-02-08 Micron Technology, Inc. Chemical vaporizer for material deposition systems and associated methods
WO2009031434A1 (ja) * 2007-09-03 2009-03-12 Fujifilm Corporation 有機半導体化合物の単結晶薄膜及びその製造方法
KR20110004081A (ko) * 2009-07-07 2011-01-13 삼성모바일디스플레이주식회사 증착 장치용 캐니스터, 이를 이용한 증착 장치 및 증착 방법
JP2011054938A (ja) * 2009-08-07 2011-03-17 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置及び半導体装置の製造方法及び液体流量制御装置の動作確認方法
US8758515B2 (en) 2010-08-09 2014-06-24 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Delivery device and method of use thereof
US8776821B2 (en) 2011-05-24 2014-07-15 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Vapor delivery device, methods of manufacture and methods of use thereof
US8997775B2 (en) 2011-05-24 2015-04-07 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Vapor delivery device, methods of manufacture and methods of use thereof
CN102517632B (zh) * 2012-01-11 2014-10-22 南京大学 一种采用MOCVD制备外延Gd2-xLaxO3栅介质薄膜的方法
CN103484836A (zh) * 2012-06-11 2014-01-01 绿种子材料科技股份有限公司 气相沉积装置
US9243325B2 (en) 2012-07-18 2016-01-26 Rohm And Haas Electronic Materials Llc Vapor delivery device, methods of manufacture and methods of use thereof
US10214817B2 (en) * 2013-10-16 2019-02-26 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Multi-metal films, alternating film multilayers, formation methods and deposition system
PL2930267T3 (pl) 2014-04-09 2018-05-30 Cemex Research Group Ag Sposób umieszczania wałowanego betonu zagęszczonego (RCC) na warstwie dolnej nośnej dla wytworzenia nawierzchni betonowej
CR20160469A (es) 2014-04-09 2016-12-06 Cemex Res Group Ag Método para la colocación de hormigón compactado con rodillo (HCR) en una sub-base para producir un pavimento de hormigón
MX2017005753A (es) 2014-11-07 2018-01-11 Sika Tech Ag Método para producir materiales granulados de composiciones de cemento.
AU2018420085A1 (en) 2018-04-27 2020-11-19 Gcp Applied Technologies Inc. High surface area inducers for cementitious aggregates production

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4954371A (en) * 1986-06-23 1990-09-04 Spectrum Control, Inc. Flash evaporation of monomer fluids
US5456945A (en) * 1988-12-27 1995-10-10 Symetrix Corporation Method and apparatus for material deposition
US5204314A (en) * 1990-07-06 1993-04-20 Advanced Technology Materials, Inc. Method for delivering an involatile reagent in vapor form to a CVD reactor
US5711816A (en) * 1990-07-06 1998-01-27 Advanced Technolgy Materials, Inc. Source reagent liquid delivery apparatus, and chemical vapor deposition system comprising same
US5362328A (en) * 1990-07-06 1994-11-08 Advanced Technology Materials, Inc. Apparatus and method for delivering reagents in vapor form to a CVD reactor, incorporating a cleaning subsystem
US5087485A (en) * 1990-08-14 1992-02-11 Texas Instruments Incorporated Isopropanol catalyst for copper chemical vapor deposition
US5447569A (en) * 1990-12-12 1995-09-05 Hiskes; Ronald MOCVD system for forming superconducting thin films
JPH0795527B2 (ja) * 1991-02-05 1995-10-11 株式会社リンテック 液体原料用気化供給器
JP3156326B2 (ja) * 1992-01-07 2001-04-16 富士通株式会社 半導体成長装置およびそれによる半導体成長方法
DE4304679C2 (de) * 1992-02-17 1996-03-21 Mitsubishi Electric Corp Verfahren zur Herstellung einer dünnen dielektrischen Schicht eines Oxid-Systems unter Verwendung des CVD-Verfahrens
JP2797233B2 (ja) * 1992-07-01 1998-09-17 富士通株式会社 薄膜成長装置
JP2799134B2 (ja) * 1992-09-22 1998-09-17 三菱電機株式会社 チタン酸バリウムストロンチウム系誘電体薄膜用ｃｖｄ原料およびメモリー用キャパシタ
US5393564A (en) * 1993-05-14 1995-02-28 Micron Semiconductor, Inc. High efficiency method for performing a chemical vapor deposition utilizing a nonvolatile precursor
DE4336530C1 (de) * 1993-10-26 1995-04-13 Max Planck Gesellschaft Rekombinante PilC-Proteine, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung
JPH0897147A (ja) * 1994-09-29 1996-04-12 Mitsubishi Electric Corp エピタキシャル結晶成長装置
US5614247A (en) * 1994-09-30 1997-03-25 International Business Machines Corporation Apparatus for chemical vapor deposition of aluminum oxide
US5620524A (en) * 1995-02-27 1997-04-15 Fan; Chiko Apparatus for fluid delivery in chemical vapor deposition systems
KR100228768B1 (ko) * 1996-10-02 1999-11-01 김영환 화학 기상증착 장치 및 증착방법
US6074487A (en) * 1997-02-13 2000-06-13 Shimadzu Corporation Unit for vaporizing liquid materials
US5820678A (en) * 1997-05-30 1998-10-13 The Regents Of The University Of California Solid source MOCVD system
US6216708B1 (en) * 1998-07-23 2001-04-17 Micron Technology, Inc. On-line cleaning method for CVD vaporizers

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Appl. Phys. Lett., Vol.60 (19), 11.May 1992, 2427-29 *
JP 04-74867 A (in Pat. Abstr. of JP, C-955) *

Also Published As

Publication number Publication date
GB2317901B (en) 2000-11-29
US6008143A (en) 1999-12-28
GB2317901A (en) 1998-04-08
DE19738330A1 (de) 1998-04-09
TW455633B (en) 2001-09-21
KR100228768B1 (ko) 1999-11-01
KR19980025502A (ko) 1998-07-15
JPH10189561A (ja) 1998-07-21
CN1160481C (zh) 2004-08-04
US6338759B1 (en) 2002-01-15
CN1184860A (zh) 1998-06-17
GB9718225D0 (en) 1997-11-05
JP3147832B2 (ja) 2001-03-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19738330C2 (de) Chemische Dampfabscheidungsvorrichtung, Abscheidungsverfahren für Metallorganische Verbindungen und Verwendung des Verfahrens
DE60127486T2 (de) Verfahren zur Abscheidung von Oxyden und Nitriden mit Zusammensetzungsgradienten
DE10132882B4 (de) Verfahren zum Ausbilden einer Dünnschicht unter Verwendung einer Atomschichtabscheidung
DE19641058C2 (de) Verfahren zur Bildung eines ferroelektrischen Dünnfilms und Vorrichtung dafür
DE60029856T2 (de) Falle
DE4304679C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer dünnen dielektrischen Schicht eines Oxid-Systems unter Verwendung des CVD-Verfahrens
DE19534082A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitereinrichtung
JP2012001819A (ja) 液体供給ｃｖｄのためのアルカン／ポリアミン溶剤組成物
DE10064178A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Ausbildung einer Dünnschicht
DE3016022A1 (de) Verfahren und einrichtung zur herstellung eines duennen, filmartigen belags durch bedampfung unter verwendung einer umschlossenen plasmaquelle
DE69906501T2 (de) Lewis-base-addukte von wasserfreien mononuklearen tris(beta-diketonat)bismuth-verbindungen zum auftragen von bismuth enthaltenden schichten und verfahren zu ihrer herstellung
DE10238776A1 (de) Flüssiges Material für die Gasphasenabscheidung nach chemischem Verfahren, Verfahren zum Ausbilden eines Films durch Gasphasenabscheidung nach chemischem Verfahren und Vorrichtung für die Gasphasenabscheidung nach chemischem Verfahren
DE19608182C2 (de) Dielektrischer Dünnfilm und Kondensator mit diesem für Halbleitervorrichtung und deren Herstellungsverfahren
US20010004470A1 (en) Alkane and polyamine solvent compositions for liquid delivery chemical vapor deposition
EP0585848A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zur chemischen Gasphasenabscheidung dünner Schichten
DE69932560T2 (de) Aluminiumkomplexderivate zur chemischen Vakuumverdampfung und Verfahren zu deren Herstellung
EP3610050B1 (de) Beschichtungsvorrichtung und verfahren zur reaktiven dampfphasenabscheidung unter vakuum auf einem substrat
DE60035557T2 (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung dünner filme
DE10228798A1 (de) Bilden ferroelektrischer Pb(Zr,Ti)O3-Filme
DE60120254T2 (de) Abscheidung und thermische Behandlung von dünnen Schichten aus Mehrkomponentenoxyden von Typ ZrSnTi und HfSnTi unter Verwendung eines flüssigen lösungsmittelfreien Vorläufergemisch
DE19631622A1 (de) Verfahren zum plasmaunterstützten anisotropen Ätzen von Metallen, Metalloxiden und deren Gemische
DE19613669B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterelements mit einer Platinschicht
WO2019170641A1 (de) Verfahren zum einbringen eines photovoltaisch aktiven materials in ein eine vielzahl von zellen aufweisendes photovoltaisches modul und entsprechendes photovoltaisches modul
EP1422313A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zum Aufdampfen eines Beschichtungsmaterials im Vakuum mit kontinuierlicher Materialnachführung
DE19851824C2 (de) CVD-Reaktor

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee