DE19746055A1 - Flüssigkristallanzeige und Herstellungsverfahren dafür - Google Patents

Flüssigkristallanzeige und Herstellungsverfahren dafür

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Description

Die Erfindung betrifft eine Flüssigkristallanzeige (LCD, Liquid Crystal Display) und ein Herstellungsverfahren dafür, mit welcher LCD Kurzschlüsse zwischen einander benachbarten Pixel- Elektroden vermieden werden können.
Eine herkömmliche LCD wird mit Hilfe einer aktiven Matrix angesteuert, wobei Dünnschichttransistoren (TFT, Thin Film Transistor), Signalleitungen, Datenleitungen und andere Elemente zum Ansteuern der Pixel verwendet werden. Solche herkömmliche LCDs werden vielfach als Anzeigevorrichtungen in Audio-Video-Systemen (AV-Systemen) und für Büromaschinensysteme verwendet. Herkömmliche LCDs sind dünner, kleiner, leichter und weisen einen geringeren Stromverbrauch als andere Anzeigevorrichtungen, wie Vorrichtungen mit Kathodenstrahlröhren, auf. Ferner weisen herkömmliche LCDs eine gute Ansprechgeschwindigkeit und eine gute Bildqualität bei der Anzeige von sich zeitlich verändernden Bildsignalen auf.
Aus Fig. 1 ist die Struktur einer herkömmlichen Flüssigkristallanzeige mit aktiver Matrix (AMLCD) ersichtlich.
Wie aus Fig. 1 ersichtlich, verläuft auf einem transparenten, isolierenden Substrat (wie nichtalkalischem Glas) eine Mehrzahl von Scan-Leitungen 10 (Gate-Leitungen) in horizontale Richtung, und eine Mehrzahl von Datenleitungen 20 verläuft in vertikale Richtung. Eine Pixel-Elektrode 30 ist in einem Bereich ausgebildet, der durch zwei einander benachbarte Scan-Leitungen 10 und zwei einander benachbarte Datenleitungen 20 definiert ist. Ein TFT 40 ist auf dem Substrat ausgebildet und mit der Pixel-Elektrode 30, der Scan-Leitung 10 und der Datenleitung 20 elektrisch leitend verbunden. Die Pixel-Elektrode 30 überlappt einen Teil derjenigen Scan-Leitung 10 von den zugehörigen beiden Scan-Leitungen 10, die gegenüber dem TFT 40 angeordnet ist. Zwischen der Pixel-Elektrode 30 und den Scan-Leitungen 10 ist eine Isolierungsschicht ausgebildet. Der überlappende Bereich der Pixel-Elektrode 30 und der überlappte Bereich der Scan-Leitung 10 wirken zusammen als Elektroden eines Speicherkondensators 70.
Aus Fig. 2 ist ein Ausschnitt einer herkömmlichen LCD ersichtlich, der einen Speicherkondensator und Pixel-Elektroden zeigt.
Wie aus Fig. 2 ersichtlich, ist ein Metallsegment 50 derart auf einer Gate-Isolierungsschicht (nicht gezeigt) ausgebildet, daß es die Scan-Leitung 10 überdeckt. Das Metallsegment 50 überdeckt einen Bereich der Scan-Leitung 10, wobei es von einer Schutzschicht (nicht gezeigt) überdeckt ist. Das Metallsegment 50 ist durch ein in der Schutzschicht ausgebildetes Verbindungsloch 60 hindurch mit der Pixel-Elektrode 30 elektrisch leitend verbunden. Der überlappende Bereich der Pixel-Elektrode 30, das Metallsegment 50 und der überlappte Bereich der Scan-Leitung 10 wirken zusammen als Elektroden des Speicherkondensators 70.
Aus Fig. 3 ist ein Schnitt entlang der Linie III-III aus Fig. 2 ersichtlich.
Wie aus Fig. 3 ersichtlich, ist die Aluminium (Al) oder Chrom (Cr) aufweisende Scan-Leitung 10 auf dem transparenten isolierenden Substrat 1 ausgebildet. Die Siliziumoxid oder Siliziumnitrid aufweisende Gate-Isolierungsschicht 11 bedeckt die gesamte Oberfläche des Substrates 1 einschließlich der Scan-Leitung 10. Auf der Gate-Isolierungsschicht 11 ist über der Scan-Leitung 10 ein Al oder Cr aufweisendes Metallsegment 50 ausgebildet. Eine Siliziumnitrid aufweisende Schutzisolierschicht (Passivierungsschicht) 17 bedeckt die gesamte Oberfläche der Gate-Isolierungsschicht 11 einschließlich des Metallsegmentes 50. In der Passivierungsschicht 17 ist ein Verbindungsloch 60 derart ausgebildet, daß ein Teil der Oberfläche des Metallsegmentes 50 freiliegt. Auf der Passivierungsschicht 17 ist eine ITO (Indium Tin Oxide, Indiumzinnoxid) aufweisende Pixel-Elektrode 30 ausgebildet. Diese ist mit dem Metallsegment 50 durch das Verbindungsloch 60 hindurch elektrisch leitend verbunden. Bei der herkömmlichen LCD sind jedoch einander benachbarte Pixel-Elektroden sehr nahe aneinander angeordnet, da jede Pixel-Elektrode einen wesentlichen Teil der gegenüber dem dieser Pixel-Elektrode zugeordneten TFT liegenden Scan-Leitung überlappt. Der überlappende Bereich der Pixel-Elektrode ist sehr nahe an der benachbarten Pixel-Elektrode angeordnet. Praktisch beträgt der Abstand zwischen einander benachbarten Pixel-Elektroden in diesem Fall 6 µm. Wenn kein Speicherkondensator ausgebildet ist, oder wenn der Speicherkondensator mittels eines anderen Verfahrens (an einem anderen Ort) ausgebildet ist, ist der Abstand zwischen einander benachbarten Pixel-Elektroden größer als die Breite der Scan-Leitung, nämlich 30 µm.
Da einander benachbarte Pixel-Elektroden so nahe aneinander angeordnet sind, kann beim Anlegen eines von dem TFT gesteuerten Datensignals an eine der Pixel-Elektroden eine zu dieser benachbarte Pixel-Elektrode unbeabsichtigt ebenfalls angesteuert werden, so daß ein Kurzschluß zwischen den beiden benachbarten Pixel-Elektroden entsteht. Aufgrund eines solchen Kurzschlusses zwischen zwei benachbarten Pixel-Elektroden weist die Anzeige Punktdefekte und eine schlechte Farbqualität auf.
Die Erfindung betrifft eine LCD und ein Herstellungsverfahren dafür, mit welcher LCD die oben beschriebenen von Beschränkungen und Nachteilen des Standes der Technik herrührenden Probleme vermieden werden.
Es ist eine Aufgabe der Erfindung, eine LCD bereit zustellen, bei der keine Kurzschlüssen zwischen einander benachbarten Pixel-Elektroden auftreten.
Es ist ferner eine Aufgabe der Erfindung, eine LCD mit hoher Anzeigequalität und ein Herstellungsverfahren für die LCD bereitzustellen.
Um dies zu erreichen, weist die erfindungsgemäße LCD auf: ein transparentes isolierendes Substrat, eine Mehrzahl von Scan-Leitungen und eine Mehrzahl von Datenleitungen, welche Scan-Leitungen und Datenleitungen auf dem Substrat derart ausgebildet sind, daß sie einander jeweils im rechten Winkel kreuzen, eine die Scan-Leitungen überdeckende Isolierungsschicht, ein derart auf der Isolierungsschicht ausgebildetes Metallsegment, daß es einen Teil einer der Scan-Leitungen überlappt, eine mit dem Metallsegment elektrisch leitend verbundene Pixel-Elektrode, die in einem Bereich ausgebildet ist, der von zwei einander benachbarten Scan-Leitungen und zwei einander benachbarten Datenleitungen umrandet ist, und einen mit der Pixel-Elektrode, der Scan-Leitung und der Datenleitung elektrisch leitend verbundenen TFT.
Das Herstellungsverfahren für die erfindungsgemäße LCD weist folgende Schritte auf: Ausbilden einer Scan-Leitung auf einem transparenten isolierenden Substrat, Ausbilden einer Isolierungsschicht auf der Scan-Leitung, Ausbilden eines einen Teil der Scan-Leitung überlappenden Metallsegments, Ausbilden einer Passivierungsschicht auf dem Metallsegment, Ausbilden eines Verbindungslochs in der Passivierungsschicht, das einen Teil der Oberfläche des Metallsegments freiliegen läßt, und Ausbilden einer Pixel-Elektrode, die mit dem Metallsegment durch das Verbindungsloch hindurch elektrisch leitend verbunden ist.
Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung weist jede Pixel-Elektrode wenigstens einen hervorstehenden Bereich auf, der sich zu dem entsprechenden Metallsegment hin erstreckt und diesen überragt, so daß die Pixel-Elektrode in ihrem hervorstehenden Bereich mit dem entsprechenden Metallsegment durch das Verbindungsloch hindurch elektrisch leitend verbindbar ist. Gemäß einer anderen Ausführungsform der Erfindung weist jedes Metallsegment wenigstens einen hervorstehenden Bereich auf, der sich zu der entsprechenden Pixel-Elektrode hin erstreckt und unter diesen hineinragt, so daß die Pixel-Elektrode mit dem Metallsegment in dessen hervorstehendem Bereich durch das Verbindungsloch hindurch elektrisch leitend verbindbar ist.
Im folgenden wird die Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnung detailliert erläutert. In der Zeichnung zeigen:
Fig. 1 eine Draufsicht auf eine herkömmliche LCD;
Fig. 2 eine detaillierte Draufsicht auf einen Speicherkondensator der herkömmlichen LCD;
Fig. 3 einen Schnitt der herkömmlichen LCD entlang der Linie III-III aus Fig. 2;
Fig. 4a und 4b jeweils eine Draufsicht auf eine LCD gemäß einer ersten Ausführungsform der Erfindung;
Fig. 5a-5f Schnitte entlang der Linie V-V aus Fig. 4b zur Erläuterung des Herstellungsverfahrens einer LCD gemäß der ersten Ausführungsform der Erfindung;
Fig. 6a und 6b jeweils eine Draufsicht auf eine LCD gemäß einer zweiten Ausführungsform der Erfindung; und
Fig. 7 einen Schnitt entlang der Linie VII-VII aus Fig. 4b einer LCD gemäß der zweiten Ausführungsform der Erfindung.
Im folgenden wird detailliert auf die bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung eingegangen, die aus der Zeichnung ersichtlich sind.
Aus den Fig. 4a und 4b ist jeweils eine LCD gemäß der ersten Ausführungsform der Erfindung ersichtlich. Wie aus Fig. 4a und 4b ersichtlich, weist eine LCD gemäß der ersten Ausführungsform der Erfindung eine Mehrzahl von Scan-Leitungen 110, eine Mehrzahl von diese im rechten Winkel kreuzende Datenleitungen 120, eine Mehrzahl von den Kreuzungen benachbart angeordneten TFTs und eine Mehrzahl von Pixel-Elektroden 130a, 130b auf, welche Pixel-Elektroden in Bereichen ausgebildet sind, die von zwei einander benachbarten Scan-Leitungen 110 und zwei einander benachbarten Datenleitungen 120 definiert sind.
Über der Scan-Leitung 110 ist ein Metallsegment 150 ausgebildet. Die Pixel-Elektrode 130a ist derart ausgebildet, daß sie die gegenüber dem entsprechenden TFT liegende Scan-Leitung 110 der Scan-Leitungen, die den Pixel-Bereich dieser Pixel-Elektrode 130a definieren, und teilweise auch das Metallsegment 150 überdeckt. Die Pixel-Elektrode 130a ist mit dem Metallsegment 150 durch ein Verbindungsloch 160 hindurch, das in einer zwischen der Pixel-Elektrode 130a und dem Metallsegment 150 ausgebildeten Passivierungsschicht (nicht gezeigt) ausgebildet ist, elektrisch leitend verbunden. Das Metallsegment 150 ist innerhalb des Bereichs der Scan-Leitung 110 ausgebildet, so daß das Öffnungsverhältnis der LCD relativ hoch ist.
Wie aus Fig. 4a ersichtlich, weist die Pixel-Elektrode 130a einen hervorstehenden Bereich auf, der sich zur benachbarten Pixel-Elektrode 130b hin erstreckt und diesen überragt. Der hervorstehende Bereich der Pixel-Elektrode 130a bedeckt den Bereich des Metallsegmentes 150 vollständig, in welchem Bereich in der das Metallsegment 150 bedeckenden Passivierungsschicht (nicht gezeigt) das Verbindungsloch 160 ausgebildet ist. Der hervorstehende Bereich der Pixel-Elektrode 130a ist mit dem Metallsegment 150 durch das Verbindungsloch 160 hindurch verbunden.
Der Abstand (d2) zwischen der benachbarten Pixel-Elektrode 130b und dem hervorstehenden Bereich der Pixel-Elektrode 130a beträgt 12 µm, wobei der Abstand (d1) zwischen der benachbarten Pixel-Elektrode 130b und dem nicht hervorstehenden Bereich der Pixel-Elektrode 130a 20 µm beträgt. Somit ist nur der hervorstehende Bereich der Pixel-Elektrode 130a nahe an der der Pixel-Elektrode 130a benachbarten Pixel-Elektrode 130b angeordnet. Somit werden mit dieser Struktur Kurzschlüsse zwischen den einander benachbarten Pixel-Elektroden 130a und 130b vermieden.
Bei einem anderen, aus Fig. 4b ersichtlichen Beispiel der ersten Ausführungsform weist die Pixel-Elektrode 130a zwei hervorstehende Bereiche auf, die sich beide zu der benachbarten Pixel-Elektrode 130b hin erstrecken. Die beiden hervorstehenden Bereiche der Pixel-Elektrode 130a überdecken jeweils eines der beiden Verbindungslöcher 160. Aufgrund der beiden Verbindungslöcher 160 ist eine stabile elektrisch leitende Verbindung zwischen der Pixel-Elektrode 130a und dem Metallsegment 150 gewährleistet.
Wie z. B. aus den Fig. 4a und 4b ersichtlich, ist die Breite des hervorstehenden Bereichs/der hervorstehenden Bereiche der Pixel-Elektrode 130a erfindungsgemäß viel kleiner als die Hälfte der Gesamtbreite derselben. Ferner überlappt der hervorstehende Bereich der Pixel-Elektrode das Metallsegment 150 vollständig oder fast vollständig, wobei der verbleibende, nichthervorstehende Bereich der Pixel-Elektrode das Metallsegment 150 nicht oder nur wenig überlappt. Es ist bevorzugt, daß der nichthervorstehende Bereich der Pixel-Elektrode nicht mehr als die Hälfte der Breite des Metallsegmentes 150 überlappt. Somit ist der Abstand zwischen den beiden benachbarten Elektroden 130a und 130b dort, wo der nichthervorstehende Bereich der Elektrode 130a ausgebildet ist viel größer als dort, wo deren hervorstehender Bereich ausgebildet ist.
Aus den Fig. 5a-5f sind Schnitte entlang der Linie V-V aus Fig. 4b ersichtlich, die zur Erläuterung des Herstellungsverfahrens einer LCD gemäß der ersten Ausführungsform der Erfindung dienen.
Wie aus Fig. 5a ersichtlich, wird ein Metall, wie Aluminium oder Chrom, auf ein transparentes, isolierendes Substrat 100 aufgebracht. Eine Scan-Leitung 110 und eine Gate-Elektrode 110a werden durch Strukturieren des aufgebrachten Metalls ausgebildet.
Wie aus Fig. 5b ersichtlich, wird auf dem die Scan-Leitung 110 und die Gate-Elektrode 110a aufweisenden Substrat 100 eine Gate-Isolierungsschicht 111 durch Aufbringen von Siliziumnitrid mittels eines PECVD-Verfahrens (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition, Plasma-unterstützte chemische Abscheidung aus der Gasphase) aufgebracht.
Wie aus Fig. 5c ersichtlich werden auf die Gate-Isolierungsschicht 111 nacheinander eine amorphes Silizium aufweisende Halbleiterschicht 113 und eine dotierte Halbleiterschicht 115, die P-dotiertes amorphes Silizium aufweist, mittels eines PECVD-Verfahrens aufgebracht. Die Halbleiterschicht 113 und die dotierte Halbleiterschicht 115 werden dann mit Hilfe eines Fotolithographieverfahrens derart strukturiert, daß sie eine über der Gate-Elektrode 110a liegende Insel bilden.
Wie aus Fig. 5d ersichtlich, wird auf die gesamte, die oben beschriebe Struktur aufweisende Oberfläche des Substrates 100 ein Metall, wie Aluminium oder Chrom, mittels eines Sputter-Verfahrens (Kathodenzerstäubungsverfahren) aufgebracht. Eine eine Source-Elektrode 120a aufweisende Datenleitung 120, eine von der Source-Elektrode 120a räumlich getrennte Drain-Elektrode 120b und ein über der Scan-Leitung 110 liegendes Metallsegment 150 werden durch Strukturieren des Metalls ausgebildet. Der zwischen der Source-Elektrode 120a und der Drain-Elektrode 120b freiliegende Bereich der dotierten Halbleiterschicht 115 wird mittels eines Trockenätzverfahrens vollständig entfernt, so daß die Oberfläche der Halbleiterschicht 113 freigelegt wird.
Wie aus Fig. 5e ersichtlich, wird auf die gesamte, durch die oben beschriebenen Schritte auf dem Substrat 100 ausgebildete Struktur eine Passivierungsschicht 117 aufgebracht, die Siliziumoxid oder Siliziumnitrid aufweist. Ein Drain-Verbindungsloch 162 für einen Zugang zur Drain-Elektrode 120b und ein Verbindungsloch 160 für einen Zugang zum Metallsegment 150 werden in der Passivierungsschicht 117 durch Strukturieren und selektives Abätzen derselben gebildet.
Wie aus Fig. 5f ersichtlich, wird auf der Passivierungsschicht 117 ein transparentes, leitfähiges, ITO aufweisendes Material mittels eines PECVD-Verfahrens aufgebracht. Die Pixel-Elektroden 130a, 130b werden durch selektives Abätzen des transparenten leitfähigen Materials ausgebildet. Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung weist die Pixel-Elektrode 130a einen hervorstehenden Bereich auf, der sich zur benachbarten Pixel-Elektrode 130b hin erstreckt, so daß er mit dem Metallsegment 150 durch das Verbindungsloch 161 hindurch elektrisch leitend verbindbar ist. Der hervorstehende Bereich der Pixel-Elektrode 130a ist mit dem Metallsegment 150 durch das Verbindungsloch 160 hindurch elektrisch leitend verbunden.
Aus den Fig. 6a und 6b sind Beispiele einer LCD gemäß der zweiten Ausführungsform der Erfindung ersichtlich. Bei der zweiten Ausführungsform der Erfindung weist anstatt der Pixel-Elektrode das Metallsegment der LCD wenigstens einen hervorstehenden Bereich auf, der sich zu der entsprechenden Pixel-Elektrode hin erstreckt und unter diese hineinragt.
Wie aus den Fig. 6a und 6b ersichtlich, ist das Metallsegment 150 über der Scan-Leitung ausgebildet, und die Pixel-Elektrode 130a überdeckt teilweise das Metallsegment 150 und die Scan-Leitung 110. Das Metallsegment 150 weist wenigstens einen hervorstehenden Bereich auf, der sich zur Pixel-Elektrode 130a hin erstreckt und unter diese hineinragt, so daß das Metallsegment 150 mit der Pixel-Elektrode 130a elektrisch leitend verbindbar ist. Die Pixel-Elektrode 130a ist mit dem Metallsegment 150 in dessen hervorstehendem Bereich durch das in der zwischen dem Metallsegment 150 und der Pixel-Elektrode 130a ausgebildeten Passivierungsschicht (nicht gezeigt) ausgebildete Verbindungsloch 160 hindurch elektrisch leitend verbunden. Der hervorstehende Bereich des Metallsegmentes 150 ermöglicht einen größeren Abstand (d3) zwischen der Pixel-Elektrode 130a und der benachbarten Pixel-Elektrode 130b als bei der herkömmlichen LCD. Somit werden elektrische Kurzschlüsse zwischen den benachbarten Pixel-Elektroden 130a und 130b vermieden.
Das Herstellungsverfahren für die LCD gemäß der zweiten Ausführungsform der Erfindung ist im wesentlichen gleich dem in Verbindung mit den Fig. 5a-5f beschriebenen Verfahren gemäß der ersten Ausführungsform der Erfindung, abgesehen davon, daß bei der zweiten Ausführungsform der Erfindung das Metallsegment 150 und nicht die Pixel-Elektrode 130a derart ausgebildet wird, daß es einen hervorstehenden Bereich/hervorstehende Bereiche aufweist.
Gemäß den Ausführungsformen der Erfindung weist die Pixel-Elektrode oder das Metallsegment einen hervorstehenden Bereich auf, der eine Verbindung zwischen der Pixel-Elektrode und dem Metallsegment ermöglicht. Erfindungsgemäß ist der Abstand zwischen den benachbarten Pixel-Elektroden im Vergleich mit den herkömmlichen LCDs vergrößert.
Aus Fig. 7 ist ein Schnitt der LCD gemäß der ersten Ausführungsform der Erfindung entlang der Linie VII-VII aus Fig. 4b ersichtlich, welcher Schnitt den vergrößerten Abstand zwischen einander benachbarten Pixel-Elektroden deutlich zeigt.
Wie aus Fig. 7 ersichtlich, sind die Pixel-Elektrode 130a und die Pixel-Elektrode 130b voneinander weiter entfernt als die aus Fig. 3 ersichtlichen Pixel-Elektroden 30 der herkömmlichen LCD. Deshalb treten erfindungsgemäß zwischen einander benachbarten Pixel-Elektroden keine elektrischen Kurzschlüsse auf. Bei der herkömmlichen LCD beträgt der Abstand zwischen einander benachbarten Pixel-Elektroden 6 µm, wenn die Speicherkondensatoren von den die Scan-Leitungen überlappenden Pixel-Elektroden gebildet sind. Gemäß der Ausführungsformen der Erfindung jedoch beträgt der Abstand zwischen einer Pixel-Elektrode und den hervorstehenden Bereichen einer benachbarten Pixel-Elektrode 12 µm, was ausreicht, um Kurzschlüsse zwischen den benachbarten Pixel-Elektroden zu vermeiden.
Die Erfindung führt u. a. zu im folgenden erläuterten Vorteilen.
Bei der Herstellung des Speicherkondensators in einer LCD wird das als eine Kondensatorelektrode dienende Metallsegment über der als andere Kondensatorelektrode dienenden Scan-Leitung ausgebildet. Das Metallsegment oder die Pixel-Elektrode weist erfindungsgemäß einen hervorstehenden Bereich auf, der die Pixel-Elektrode bzw. das Metallsegment überlappt, wobei die Pixel-Elektrode und das Metallsegment in diesem hervorstehenden Bereich durch ein in einer zwischen der Pixel-Elektrode und dem Metallsegment ausgebildeten Passivierungsschicht ausgebildetes Verbindungsloch hindurch verbunden sind. Somit ist es nicht mehr erforderlich, daß die Pixel-Elektrode im wesentlichen das gesamte Metallsegment überdeckt. Deshalb ist der Abstand zwischen einander benachbarter Pixel-Elektroden im Vergleich mit den herkömmlichen LCDs vergrößert. Dies verhindert das Auftreten von Kurzschlüssen zwischen einander benachbarten Pixel-Elektroden und führt zu einer guten Anzeigequalität ohne Punktdefekte.

Claims (17)

1. Herstellungsverfahren für eine Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit einem Speicherkondensator, der eine von einer Signalleitung (110) der Flüssigkristallanzeigevorrichtung gebildete, erste Kondensatorelektrode und eine von einer über der Signalleitung (110) liegenden Metallsegmentschicht (150) gebildete, zweite Kondensatorelektrode aufweist, wobei der Speicherkondensator mit einer Pixel-Elektrode (130a, 130b) der Flüssigkristallanzeige verbunden ist und das Verfahren folgende Schritte aufweist:
Ausbilden der Signalleitung (110) auf einem Substrat (100);
Ausbilden einer ersten Isolierungsschicht (111) auf der Signalleitung (110);
Ausbilden der Metallsegmentschicht (150) auf der ersten Isolierungsschicht (111) über der Signalleitung (110); Ausbilden einer zweiten Isolierungsschicht (117) auf der entstandenden Oberfläche des die Metallsegmentschicht (150) aufweisenden Substrats (100);
Ausbilden der Pixel-Elektrode (130a, 130b) auf der zweiten Isolierungsschicht (117), wobei
die Metallsegmentschicht (150) oder die Pixel-Elektrode (130a, 130b) derart ausgebildet wird, daß sie wenigstens einen hervorstehenden Bereich aufweist, der sich unter die Pixel-Elektrode (130a, 130b) bzw. über die Metallsegmentschicht (150) erstreckt, und die zweite Isolierungsschicht (117) in einem dem hervorstehenden Bereich entsprechenden Bereich mit einem Verbindungsloch (160) ausgebildet wird, durch das hindurch die Metallsegmentschicht (150) und die Pixel-Elektrode (130a, 130b) miteinander elektrisch leitend verbunden werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, wobei die Signalleitung (110) eine Scan-Leitung ist, und während des Schritts des Ausbildens der Signalleitung (110) auch eine Gate-Elektrode (110a) auf dem Substrat (100) ausgebildet wird; die erste Isolierungsschicht (111) auch auf der Gate-Elektrode (110a) ausgebildet wird;
nach dem Schritt des Ausbildens der ersten Isolierungsschicht (111)
eine Halbleiterschicht (113) auf der Isolierungsschicht (111) über der Gate-Elektrode (110a) ausgebildet wird, und
eine dotierte Halbleiterschicht (115) auf der Halbleiterschicht (113) ausgebildet wird;
der Schritt des Ausbildens der Metallsegmentschicht (150) einen Schritt aufweist, in dem eine Datenleitung (120), die eine von dieser hervorstehende Source-Elektrode (120a) aufweist, und eine Drain-Elektrode (120b) auf der dotierten Halbleiterschicht (115) ausgebildet werden;
die zweite Isolierungsschicht (117) auch auf der Datenleitung (120), der Source-Elektrode (120a) und der Drain-Elektrode (120b), der dotierten Halbleiterschicht (115) zwischen der Source-Elektrode (120a) und der Drain-Elektrode (120b) und der ersten Isolierungsschicht (111) ausgebildet wird; und
die zweite Isolierungsschicht (117) auch mit einem Drain-Verbindungsloch (162) über der Drain-Elektrode (120b) ausgebildet wird, durch welches Drain-Verbindungsloch (162) hindurch die Pixel-Elektrode (130a, 130b) und die Drain- Elektrode (120b) miteinander elektrisch leitend verbunden werden.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Pixel-Elektrode (130a, 130b) derart ausgebildet wird, daß sie einen hervorstehenden Bereich aufweist, der sich zur benachbarten Pixel-Elektrode (130a, 130b) hin erstreckt, und der hervorstehende Bereich mit der Metallsegmentschicht (150) durch das Verbindungsloch (160) hindurch elektrisch leitend verbunden wird.
4. Verfahren nach Anspruch 3, wobei der hervorstehende Bereich derart ausgebildet wird, daß er sich über einen mittleren Bereich der Metallsegmentschicht (150) erstreckt.
5. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Pixel-Elektrode (130a, 130b) derart ausgebildet wird, daß sie zwei hervorstehende Bereiche aufweist, die sich zur benachbarten Pixel-Elektrode (130a, 130b) hin erstrecken, wobei jeder der hervorstehenden Bereiche mit der Metallsegmentschicht (150) durch entsprechende Verbindungslöcher (160) hindurch elektrisch leitend verbunden wird.
6. Verfahren nach Anspruch 5, wobei die beiden hervorstehenden Bereiche derart ausgebildet werden, daß sie sich jeweils von einer Ecke der Pixel-Elektrode (130a, 130b) her über die Metallsegmentschicht (150) erstrecken.
7. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Metallsegmentschicht (150) derart ausgebildet wird, daß sie einen hervorstehenden Bereich aufweist, der sich zur Pixel-Elektrode (130a, 130b) hin erstreckt, wobei die Pixel-Elektrode (130a, 130b) mit dem hervorstehenden Bereich der Metallsegmentschicht (150) durch das Verbindungsloch (160) hindurch elektrisch leitend verbunden wird.
8. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, wobei die Metallsegmentschicht (150) derart ausgebildet wird, daß sie zwei hervorstehende Bereiche aufweist, die sich zur Pixel-Elektrode (130a, 130b) hin erstrecken, wobei die Pixel-Elektrode (130a, 130b) mit den hervorstehenden Bereichen der Metallsegmentschicht (150) durch entsprechende Verbindungslöcher (160) hindurch elektrisch leitend verbunden wird.
9. Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit
einer Signalleitung (110) auf einem Substrat (100);
einer ersten Isolierungsschicht (111) auf der Signalleitung (110);
einer Metallsegmentschicht (150) auf der ersten Isolierungsschicht (111) über der Signalleitung (110);
einer zweiten Isolierungsschicht (117) auf der Oberfläche des die Metallsegmentschicht (150) aufweisenden Substrats (100);
einer Pixel-Elektrode (130a, 130b) auf der zweiten Isolierungsschicht (117),
einem Speicherkondensator, der eine von der Signalleitung (110) der Flüssigkristallanzeigevorrichtung gebildete, erste Kondensatorelektrode und eine von der über der Signalleitung (110) liegenden Metallsegmentschicht (150) gebildete, zweite Kondensatorelektrode aufweist, welcher Speicherkondensator mit der Pixel-Elektrode (130a, 130b) der Flüssigkristallanzeige verbunden ist, wobei
die Metallsegmentschicht (150) oder die Pixel-Elektrode (130a, 130b) derart ausgebildet ist, daß sie wenigstens einen hervorstehenden Bereich aufweist, der sich unter die Pixel-Elektrode (130a, 130b) bzw. über die Metallsegmentschicht (150) erstreckt, und die zweite Isolierungsschicht (117) in einem dem hervorstehenden Bereich entsprechenden Bereich mit einem Verbindungsloch (160) ausgebildet ist, durch das hindurch die Metallsegmentschicht (150) und die Pixel-Elektrode (130a, 130b) miteinander elektrisch leitend verbunden sind.
10. Vorrichtung nach Anspruch 9, wobei
die Signalleitung (110) eine Scan-Leitung ist, und eine Gate-Elektrode (110a) auf dem Substrat (100) ausgebildet ist;
die erste Isolierungsschicht (111) auch auf der Gate-Elektrode (110a) ausgebildet ist;
eine Halbleiterschicht (113) auf der Isolierungsschicht (111) über der Gate-Elektrode (110a) ausgebildet ist, und
eine dotierte Halbleiterschicht (115) auf der Halbleiterschicht (113) ausgebildet ist;
eine Datenleitung (120), die eine von dieser hervorstehende Source-Elektrode (120a) aufweist, und eine Drain-Elektrode (120b) auf der dotierten Halbleiterschicht (115) ausgebildet sind;
die zweite Isolierungsschicht (117) auch auf der Datenleitung (120), der Source-Elektrode (120a) und der Drain-Elektrode (120b), der dotierten Halbleiterschicht (115) zwischen der Source-Elektrode (120a) und der Drain-Elektrode (120b) und der ersten Isolierungsschicht (111) ausgebildet ist; und
die zweite Isolierungsschicht (117) auch mit einem Drain-Verbindungsloch (162) über der Drain-Elektrode (120b) ausgebildet ist, durch welches Drain-Verbindungsloch (162) hindurch die Pixel-Elektrode (130a, 130b) und die Drain-Elektrode (120b) miteinander elektrisch leitend verbunden sind.
11. Vorrichtung nach Anspruch 9 oder 10, wobei die Pixel-Elektrode (130a, 130b) derart ausgebildet ist, daß sie einen hervorstehenden Bereich aufweist, der sich zur benachbarten Pixel-Elektrode (130a, 130b) hin erstreckt, und der hervorstehende Bereich mit der Metallsegmentschicht (150) durch das Verbindungsloch (160) hindurch elektrisch leitend verbunden ist.
12. Vorrichtung nach Anspruch 11, wobei der hervorstehende Bereich derart ausgebildet ist, daß er sich über einen mittleren Bereich der Metallsegmentschicht (150) erstreckt.
13. Vorrichtung nach Anspruch 9 oder 10, wobei die Pixel-Elektrode (130a, 130b) derart ausgebildet ist, daß sie zwei hervorstehende Bereiche aufweist, die sich zur benachbarten Pixel-Elektrode (130a, 130b) hin erstrecken, wobei jeder der hervorstehenden Bereiche mit der Metallsegmentschicht (150) durch entsprechende Verbindungslöcher (160) hindurch elektrisch leitend verbunden ist.
14. Vorrichtung nach Anspruch 13, wobei die beiden hervorstehenden Bereiche derart ausgebildet sind, daß sie sich jeweils von einer Ecke der Pixel-Elektrode (130a, 130b) her über die Metallsegmentschicht (150) erstrecken.
15. Vorrichtung nach Anspruch 9 oder 10, wobei die Metallsegmentschicht (150) derart ausgebildet ist, daß sie einen hervorstehenden Bereich aufweist, der sich zur Pixel-Elektrode (130a, 130b) hin erstreckt, wobei die Pixel-Elektrode (130a, 130b) mit dem hervorstehenden Bereich der Metallsegmentschicht (150) durch das Verbindungsloch (160) hindurch elektrisch leitend verbunden ist.
16. Vorrichtung nach Anspruch 9 oder 10, wobei die Metallsegmentschicht (150) derart ausgebildet ist, daß sie zwei hervorstehende Bereiche aufweist, die sich zur Pixel-Elektrode (130a, 130b) hin erstrecken, wobei die Pixel-Elektrode (130a, 130b) mit den hervorstehenden Bereichen der Metallsegmentschicht (150) durch entsprechende Verbindungslöcher (160) hindurch elektrisch leitend verbunden ist.
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