DE19919944A1 - Anordnung mit lichtemittierenden Dioden mit einem integrierten Schutz vor einer elektrostatischen Entladung - Google Patents

Anordnung mit lichtemittierenden Dioden mit einem integrierten Schutz vor einer elektrostatischen Entladung

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Abstract

Eine Anordnung mit einer lichtemittierenden Diode umfaßt ein Leistungsnebenschlußelement, das einen elektrischen Überbelastungsschutz für eine lichtemittierende Diode schafft und eine Beschädigung an der LED aufgrund einer elektrostatischen Entladung verhindert. Das Leistungsnebenschlußelement ist parallel zu der LED innerhalb der LED-Anordnung geschaltet und schützt die LED durch Ableiten eines elektrischen Stromes von der LED und durch Begrenzen der Spannung an der LED auf eine Klemmspannung, wenn eine Schwellenspannung an der LED überschritten wird.

Description

Aufgrund ihrer kompakten Größe ersetzen lichtemittierende Dioden (LEDs) die sehr zuverlässig sind und einen niedrigen Leistungsverbrauch haben, Glühlampen in einer Vielzahl von optischen Signalisierungssystemen, wie z. B. Automobilrück­ lichtern und Ampeln. Gegenwärtig verfügbare LEDs sind jedoch anfällig für Beschädigungen aufgrund einer elektrostatischen Entladung (ESD; ESD = Electrostatic Discharge) wodurch das Verhalten verschlechtert werden kann, und wodurch die Zuver­ lässigkeit der Signalisierungssysteme, in denen die LEDs verwendet werden, reduziert wird. Um die LEDs vor einer ESD-Beschädigung zu schützen, werden spezielle Handhabungs­ vorkehrungen während des Zusammenbaus der optischen Signali­ sierungssysteme getroffen. Diese Handhabungsvorkehrungen er­ höhen die Herstellungskosten des Systems, da sie das Erden von Ausrüstungsgegenständen, wie z. B. Arbeitsplatten, Bo­ denbelägen, Bestückungsbefestigungen und Werkzeugen und fer­ ner von Personen, die mit den LEDs umgehen, umfassen. Zu­ sätzlich sind die Handhabungsvorkehrungen nicht vollständig wirksam beim Verhindern eines Aufbaus eines elektrostati­ schen Potentials, das eine ESD bewirkt, die die LEDs beschä­ digt.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, einen Schutz vor einer elektrostatischen Entladung für eine Anord­ nung mit lichtemittierenden Dioden zu schaffen.
Diese Aufgabe wird durch eine Anordnung mit einer lichtemit­ tierenden Diode nach Anspruch 1 gelöst.
Gemäß dem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung umfaßt eine Anordnung mit einer lichtemittierenden Diode ein Leistungsnebenschlußelement, das einen elektrischen Überlastschutz für eine LED schafft, und das eine Beschädigung der LED aufgrund einer elektrostatischen Entladung (ESD) verhindert. Das Leistungsnebenschlußelement ist parallel zu der LED innerhalb der LED-Anordnung geschal­ tet und schützt die LED durch Ableiten eines elektrischen Stroms von der LED und durch Begrenzen der Spannung an der LED auf eine Klemmspannung, wenn eine Schwellenspannung an der LED überschritten wird.
Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung werden nachfolgend bezugnehmend auf die beiliegenden Zeich­ nungen detailliert erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 ein Schaltbild einer Anordnung mit einer lichtemit­ tierenden Diode, die ein Leistungsnebenschlußelement umfaßt, und die gemäß dem bevorzugten Ausführungs­ beispiel der vorliegenden Erfindung aufgebaut ist;
Fig. 2 einen Querschnitt der Anordnung mit einer lichtemit­ tierenden Diode gemäß einem ersten bevorzugten Aus­ führungsbeispiel der vorliegenden Erfindung; und
Fig. 3 einen Querschnitt der Anordnung mit einer lichtemit­ tierenden Diode gemäß einem zweiten bevorzugten Aus­ führungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
Fig. 1 zeigt ein Schaltbild einer Anordnung 10 mit einer lichtemittierenden Diode, die ein Leistungsnebenschlußele­ ment 12 umfaßt, das gemäß dem bevorzugten Ausführungsbei­ spiel der vorliegenden Erfindung aufgebaut ist. Das Lei­ stungsnebenschlußelement 12 ist parallel zu einer licht­ emittierenden Diode (LED) 14 zwischen einem ersten elek­ trischen Kontakt 15 und einem zweiten elektrischen Kontakt 17 der LED 14 geschaltet. Wenn eine Spannung V, die zwischen die elektrischen Kontakte angelegt wird, eine Schwellen­ spannung überschreitet, wird die Leistungsdissipation innerhalb der LED 14 durch das Leistungsnebenschlußelement 12 begrenzt, das die Spannung V auf eine Klemmspannung klemmt und einen Strom IS von der LED 14 wegleitet. Somit liefert das Leistungsnebenschlußelement 12 einen Schutz für die LED 14 gegenüber einer elektrischen Überbelastung, wie sie beispielsweise durch eine elektrostatische Entladung (ESD) bewirkt wird, die LEDs beschädigt, wenn kein Lei­ stungsnebenschlußelement 12 vorhanden ist.
Das Leistungsnebenschlußelement 12 kann unter Verwendung einer Vielzahl von Spannungsklemmbauelementen, wie z. B. einer Rücken-an-Rücken-Konfiguration von Dioden 16a, 16b implementiert werden. Wenn die Spannungsklemmbauelemente Zener-Dioden sind, werden die Schwellenspannung und die Klemmspannung durch die Zener-Spannung der einen der Zener-Dioden bestimmt, die in Sperrichtung vorgespannt ist, bzw. durch die Vorwärts-Einschaltspannung der einen der Zener-Dioden, die in Flußrichtung vorgespannt ist. Wenn als Alter­ native die Rücken-an-Rücken-Dioden 16a, 16b Transientenspan­ nungsunterdrückungs-Dioden (TVS-Dioden; TVS = Transient Voltage Suppressor) sind, werden die Schwellenspannung und die Klemmspannung durch die Stand-Off-Sperrspannung der TVS-Dioden bestimmt.
Die Schwellenspannung des Leistungsnebenschlußelements 12 wird ausgewählt, um zumindest so groß wie die Spitzenbe­ triebsspannung der LED 14 zu sein, die zu schützen ist. Beispielsweise wird die Schwellenspannung ausgewählt, um zumindest so groß wie die Flußübergangsspannung der LED 14 zu sein, um einen korrekten Betrieb der LED zu ermöglichen. Die Klemmspannung wird ausgewählt, um ausreichend klein zu sein, um die Leistungsdissipation innerhalb der LED 14 zu begrenzen, wodurch die Zuverlässigkeit der LED sicherge­ stellt wird, selbst wenn die angelegte Spannung V die Fluß­ übergangsspannung der LED 14 überschreitet.
Fig. 2 zeigt einen Querschnitt einer Anordnung 10a mit einer lichtemittierenden Diode, die gemäß einem ersten bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung aufgebaut ist. Die LED 14 ist an einer ersten Befestigungsstelle 21a einer ersten Elektrode 22a befestigt, die von einem Gehäuse 23 der LED-Anordnung 10a vorsteht, und zwar unter Verwendung von Epoxydharz, Lötmittel oder einem anderen Befestigungs­ mittel. Das Leistungsnebenschlußelement 12 ist an einer zweiten Befestigungsstelle 21b der ersten Elektrode 22a an­ gebracht. Ein Paar von Bonddrähten 24a, 24b, Netzverbindun­ gen, Schweißstellen oder anderen Verbindungsmitteln liefert eine elektrische Leitung zwischen dem ersten elektrischen Kontakt 15 der LED 14, dem ersten Anschluß 12a des Lei­ stungsnebenschlußelements 12 und einer zweiten Elektrode 22b. Eine elektrische Leitung zwischen einem zweiten elek­ trischen Kontakt 17 der LED 14 und einem zweiten Anschluß 12b des Leistungsnebenschlußelements 12 wird durch die erste Elektrode 22a geschaffen. Das Leistungsnebenschlußelement 12 begrenzt die Spannung V zwischen dem ersten elektrischen Kontakt 12 und dem zweiten elektrischen Kontakt 17 der LED 14 auf die Klemmspannung und leitet einen Strom IS von der LED 14 weg, wenn die angelegte Spannung V die Schwellenspan­ nung überschreitet.
Fig. 3 zeigt einen Querschnitt einer Anordnung 10b mit einer lichtemittierenden Diode, die gemäß einem zweiten bevor­ zugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung aufge­ baut ist. Bei dem zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel ist das Leistungsnebenschlußelement 12 an einer Befesti­ gungsstelle 21a einer ersten Elektrode 22a befestigt, die von einem Gehäuse 23 der LED-Anordnung 10b vorsteht. Eine LED 14 ist an einer oberen Oberfläche des Leistungsneben­ schlußelements 12 unter Verwendung einer Flip-Chip-Löttech­ nik befestigt, derart, daß ein erster elektrischer Kontakt 15 der LED 14 mit einem ersten Anschluß 12a des Leistungs­ nebenschlußelements 12 elektrisch verbunden ist, und daß ein zweiter elektrischer Kontakt 17 der LED 14 mit einem zweiten Anschluß 12b des Leistungsnebenschlußelements 12 elektrisch verbunden ist. Der erste elektrische Kontakt 15 und der erste Anschluß 12a sind mit der ersten Elektrode 22a unter Verwendung eines Bonddrahtes 24a oder eines anderen Verbin­ dungstyps gekoppelt. Der zweite elektrische Kontakt 17 und der zweite Anschluß 12b sind mit der zweiten Elektrode 22b unter Verwendung eines Bonddrahtes 24b oder eines anderen Verbindungstyps gekoppelt. Das Leistungsnebenschlußelement 12 begrenzt die Spannung V zwischen dem ersten elektrischen Kontakt 15 und dem zweiten elektrischen Kontakt 17 der LED 14 auf die Klemmspannung und leitet einen Strom IS von der LED weg, wenn die angelegte Spannung V die Schwellenspannung überschreitet.

Claims (6)

1. Anordnung (10) mit einer lichtemittierenden Diode, mit folgenden Merkmalen:
einer lichtemittierenden Diode (14) mit einem ersten elektrischen Kontakt (15) und einem zweiten elektrischen Kontakt (17);
einem Gehäuse (23) mit einer ersten Elektrode (22a), die mit dem ersten elektrischen Kontakt (15) gekoppelt ist, und einer zweiten Elektrode (22b), die mit dem zweiten elektrischen Kontakt (17) gekoppelt ist, wobei die erste Elektrode (22a) und die zweite Elektrode (22b) zum Emp­ fangen einer angelegten Spannung vorgesehen sind;
einem Leistungsnebenschlußelement (12), das mit dem er­ sten elektrischen Kontakt (15) und mit dem zweiten elek­ trischen Kontakt (17) gekoppelt ist, das einen elektri­ schen Strom (IS) von der lichtemittierenden Diode neben­ schließt, wenn die angelegte Spannung eine Schwellenspan­ nung überschreitet.
2. Anordnung nach Anspruch 1, bei der die erste Elektrode (15) eine erste Befestigungsstelle (21a), die die licht­ emittierende Diode (14) aufnimmt, und eine zweite Befe­ stigungsstelle (21b) zum Aufnehmen des Leistungsneben­ schlußelements (12) aufweist, wobei die Kopplung zwischen dem zweiten elektrischen Kontakt (17) und dem Leistungs­ nebenschlußelement (12) durch die erste Elektrode (22b) geschaffen ist.
3. Anordnung (10) nach Anspruch 1, bei der das Leistungs­ nebenschlußelement (12) eine untere Oberfläche, die an der ersten Elektrode (22a) angebracht ist, und eine obere Oberfläche mit einem ersten Anschluß (12a) und einem zweiten Anschluß (12b) hat, wobei der erste elektrische Kontakt (15) der lichtemittierenden Diode (14) mit dem ersten Anschluß (12a) gekoppelt ist, und wobei der zweite elektrische Kontakt (17) der lichtemittierenden Diode mit dem zweiten Anschluß (12b) unter Verwendung einer Flip-Chip-Löttechnik gekoppelt sind.
4. Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei der das Leistungsnebenschlußelement eine Rücken-An-Rücken-Konfiguration von Spannungsklemmbauelementen um­ faßt.
5. Anordnung nach Anspruch 4, bei der die Rücken-An-Rücken-Konfiguration von Spannungsklemmbauelementen zumindest eine Zener-Diode umfaßt.
6. Anordnung nach Anspruch 4, bei der die Rücken-An-Rücken-Konfiguration von Spannungsklemmbauelementen (16a, 16b) zumindest eine Transientenspannungsunterdrückungsein­ richtung umfaßt.
DE19919944A 1998-08-27 1999-04-30 Anordnung mit lichtemittierenden Dioden mit einem integrierten Schutz vor einer elektrostatischen Entladung Withdrawn DE19919944A1 (de)

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US09/141,389 US5914501A (en) 1998-08-27 1998-08-27 Light emitting diode assembly having integrated electrostatic discharge protection

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DE19919944A1 true DE19919944A1 (de) 2000-03-09

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DE (1) DE19919944A1 (de)
GB (1) GB2341018A (de)
TW (1) TW418548B (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10205698A1 (de) * 2001-02-13 2002-10-31 Agilent Technologies Japan Ltd Leuchtdiode und Verfahren zur Herstellung Derselben
DE10221504B4 (de) * 2001-05-15 2012-12-13 Lumileds Lighting, U.S., Llc Mehrchip-LED-Halbleiteranordnung und Verfahren zu deren Herstellung
DE102012101160A1 (de) * 2012-02-14 2013-08-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtquellenmodul

Families Citing this family (75)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6054716A (en) * 1997-01-10 2000-04-25 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light emitting device having a protecting device
US6514782B1 (en) 1999-12-22 2003-02-04 Lumileds Lighting, U.S., Llc Method of making a III-nitride light-emitting device with increased light generating capability
US6486499B1 (en) 1999-12-22 2002-11-26 Lumileds Lighting U.S., Llc III-nitride light-emitting device with increased light generating capability
US6903376B2 (en) * 1999-12-22 2005-06-07 Lumileds Lighting U.S., Llc Selective placement of quantum wells in flipchip light emitting diodes for improved light extraction
US6573537B1 (en) 1999-12-22 2003-06-03 Lumileds Lighting, U.S., Llc Highly reflective ohmic contacts to III-nitride flip-chip LEDs
JP3686569B2 (ja) * 2000-03-02 2005-08-24 シャープ株式会社 半導体発光装置及びそれを用いた表示装置
US20030204218A1 (en) * 2001-04-26 2003-10-30 Vogel Martin J. Protection apparatus for implantable medical device
US6551345B2 (en) * 2001-04-26 2003-04-22 Alfred E. Mann Foundation For Scientific Research Protection apparatus for implantable medical device
KR100431760B1 (ko) * 2001-08-08 2004-05-17 삼성전기주식회사 AlGaInN계 반도체 엘이디(LED) 소자 및 그 제조 방법
KR100983193B1 (ko) 2002-03-22 2010-09-20 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 질화물 형광체와 그 제조 방법 및 발광 장치
US20030227020A1 (en) * 2002-06-10 2003-12-11 Excellence Optoelectronics Inc. Light emitting apparatus with current regulation function
KR100497121B1 (ko) * 2002-07-18 2005-06-28 삼성전기주식회사 반도체 led 소자
WO2004050023A2 (en) * 2002-11-27 2004-06-17 Dmi Biosciences, Inc. Treatment of diseases and conditions mediated by increased phosphorylation
TWI230011B (en) * 2002-12-16 2005-03-21 Samsung Electro Mech Television receiving module and display apparatus and television receiving system using the same
US7038540B2 (en) * 2003-02-14 2006-05-02 Powerwave Technologies, Inc. Enhanced efficiency feed forward power amplifier utilizing reduced cancellation bandwidth and small error amplifier
AU2003303130A1 (en) * 2002-12-19 2004-07-14 Koninklijke Philips Electronics N.V. Leds driver
KR100568269B1 (ko) * 2003-06-23 2006-04-05 삼성전기주식회사 플립-칩 본딩용 질화갈륨계 발광 다이오드 및 그 제조방법
KR100586678B1 (ko) * 2003-07-30 2006-06-07 에피밸리 주식회사 반도체 엘이디 소자
TWI223900B (en) * 2003-07-31 2004-11-11 United Epitaxy Co Ltd ESD protection configuration and method for light emitting diodes
JP5349755B2 (ja) * 2003-12-09 2013-11-20 ジーイー ライティング ソリューションズ エルエルシー 表面実装の発光チップパッケージ
US7332861B2 (en) 2004-02-05 2008-02-19 Agilight, Inc. Light-emitting structures
TWI223890B (en) * 2004-02-06 2004-11-11 Opto Tech Corp Light-emitting diode device with multi-lead pins
US20050269695A1 (en) * 2004-06-07 2005-12-08 Brogle James J Surface-mount chip-scale package
DE102004031391B4 (de) * 2004-06-29 2009-06-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Elektronisches Bauteil mit Gehäuse zum ESD-Schutz
US7402842B2 (en) 2004-08-09 2008-07-22 M/A-Com, Inc. Light emitting diode package
TWI239666B (en) * 2004-09-16 2005-09-11 Chen-Lun Hsingchen LED package with diode protection circuit
KR100576872B1 (ko) * 2004-09-17 2006-05-10 삼성전기주식회사 정전기 방전 방지기능을 갖는 질화물 반도체 발광소자
US7081667B2 (en) * 2004-09-24 2006-07-25 Gelcore, Llc Power LED package
JP4611721B2 (ja) * 2004-11-25 2011-01-12 株式会社小糸製作所 発光デバイス及び車両用灯具
US20060205170A1 (en) * 2005-03-09 2006-09-14 Rinne Glenn A Methods of forming self-healing metal-insulator-metal (MIM) structures and related devices
US7595453B2 (en) * 2005-05-24 2009-09-29 M/A-Com Technology Solutions Holdings, Inc. Surface mount package
KR100650191B1 (ko) * 2005-05-31 2006-11-27 삼성전기주식회사 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광다이오드
KR100683612B1 (ko) * 2005-07-07 2007-02-20 서울반도체 주식회사 발광 장치
US8163580B2 (en) * 2005-08-10 2012-04-24 Philips Lumileds Lighting Company Llc Multiple die LED and lens optical system
DE102005041064B4 (de) * 2005-08-30 2023-01-19 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
US7528422B2 (en) * 2006-01-20 2009-05-05 Hymite A/S Package for a light emitting element with integrated electrostatic discharge protection
US8044412B2 (en) 2006-01-20 2011-10-25 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd Package for a light emitting element
US7674701B2 (en) 2006-02-08 2010-03-09 Amkor Technology, Inc. Methods of forming metal layers using multi-layer lift-off patterns
US7932615B2 (en) * 2006-02-08 2011-04-26 Amkor Technology, Inc. Electronic devices including solder bumps on compliant dielectric layers
US7928462B2 (en) 2006-02-16 2011-04-19 Lg Electronics Inc. Light emitting device having vertical structure, package thereof and method for manufacturing the same
US7564666B2 (en) * 2006-05-02 2009-07-21 Semiconductor Components Industries, L.L.C. Shunt protection circuit and method therefor
KR100875128B1 (ko) * 2007-01-16 2008-12-22 한국광기술원 고내정전압을 갖는 발광다이오드 및 그의 제조방법
JP5060172B2 (ja) * 2007-05-29 2012-10-31 岩谷産業株式会社 半導体発光装置
DE102007044198A1 (de) * 2007-09-17 2009-03-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement, Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Modul
CN101409320B (zh) * 2007-10-09 2010-06-23 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司 基板制作方法
US20090283848A1 (en) * 2008-05-13 2009-11-19 Jds Uniphase Corporation Photodiode Assembly With Improved Electrostatic Discharge Damage Threshold
US8643283B2 (en) * 2008-11-30 2014-02-04 Cree, Inc. Electronic device including circuitry comprising open failure-susceptible components, and open failure-actuated anti-fuse pathway
US9781803B2 (en) * 2008-11-30 2017-10-03 Cree, Inc. LED thermal management system and method
GB2467911B (en) * 2009-02-16 2013-06-05 Rfmd Uk Ltd A semiconductor structure and a method of manufacture thereof
US20110017972A1 (en) * 2009-07-22 2011-01-27 Rfmd (Uk) Limited Light emitting structure with integral reverse voltage protection
US8729809B2 (en) * 2009-09-08 2014-05-20 Denovo Lighting, Llc Voltage regulating devices in LED lamps with multiple power sources
US9041294B2 (en) * 2010-09-27 2015-05-26 Semiconductor Components Industries, Llc Semiconductor component and method
US20120112237A1 (en) * 2010-11-05 2012-05-10 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co. Ltd. Led package structure
CN202001867U (zh) * 2010-11-05 2011-10-05 富士康(昆山)电脑接插件有限公司 指示装置及使用该指示装置的电连接器
TWI535331B (zh) * 2011-01-31 2016-05-21 Midas Wei Trading Co Ltd Light emitting diode protection circuit
US9490239B2 (en) 2011-08-31 2016-11-08 Micron Technology, Inc. Solid state transducers with state detection, and associated systems and methods
US8809897B2 (en) 2011-08-31 2014-08-19 Micron Technology, Inc. Solid state transducer devices, including devices having integrated electrostatic discharge protection, and associated systems and methods
CN103296665B (zh) * 2012-03-05 2016-04-27 北大方正集团有限公司 一种瞬态电压抑制器
US8835976B2 (en) 2012-03-14 2014-09-16 General Electric Company Method and system for ultra miniaturized packages for transient voltage suppressors
US9093420B2 (en) 2012-04-18 2015-07-28 Rf Micro Devices, Inc. Methods for fabricating high voltage field effect transistor finger terminations
US9124221B2 (en) 2012-07-16 2015-09-01 Rf Micro Devices, Inc. Wide bandwidth radio frequency amplier having dual gate transistors
US8988097B2 (en) 2012-08-24 2015-03-24 Rf Micro Devices, Inc. Method for on-wafer high voltage testing of semiconductor devices
US9917080B2 (en) 2012-08-24 2018-03-13 Qorvo US. Inc. Semiconductor device with electrical overstress (EOS) protection
US9147632B2 (en) 2012-08-24 2015-09-29 Rf Micro Devices, Inc. Semiconductor device having improved heat dissipation
US9142620B2 (en) 2012-08-24 2015-09-22 Rf Micro Devices, Inc. Power device packaging having backmetals couple the plurality of bond pads to the die backside
US9202874B2 (en) 2012-08-24 2015-12-01 Rf Micro Devices, Inc. Gallium nitride (GaN) device with leakage current-based over-voltage protection
US9070761B2 (en) 2012-08-27 2015-06-30 Rf Micro Devices, Inc. Field effect transistor (FET) having fingers with rippled edges
WO2014035794A1 (en) 2012-08-27 2014-03-06 Rf Micro Devices, Inc Lateral semiconductor device with vertical breakdown region
TWI465736B (zh) 2012-10-11 2014-12-21 Ind Tech Res Inst 半導體元件之檢測方法及其檢測系統
US9325281B2 (en) 2012-10-30 2016-04-26 Rf Micro Devices, Inc. Power amplifier controller
US9455327B2 (en) 2014-06-06 2016-09-27 Qorvo Us, Inc. Schottky gated transistor with interfacial layer
US9536803B2 (en) 2014-09-05 2017-01-03 Qorvo Us, Inc. Integrated power module with improved isolation and thermal conductivity
US10615158B2 (en) 2015-02-04 2020-04-07 Qorvo Us, Inc. Transition frequency multiplier semiconductor device
US10062684B2 (en) 2015-02-04 2018-08-28 Qorvo Us, Inc. Transition frequency multiplier semiconductor device
CN109690392B (zh) * 2016-09-13 2022-05-03 日本电信电话株式会社 半导体光调制元件

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3855606A (en) * 1971-12-23 1974-12-17 Licentia Gmbh Semiconductor arrangement
JPS5261982A (en) * 1975-11-18 1977-05-21 Toshiba Corp Semiconductor light emitting device
US4211955A (en) * 1978-03-02 1980-07-08 Ray Stephen W Solid state lamp
GB8509386D0 (en) * 1985-04-12 1985-05-15 Ford Motor Co Ignition spark transducer
WO1992003867A1 (en) * 1990-08-17 1992-03-05 Mining And Primary Development Pty. Ltd. Surge suppressor device
GB9025837D0 (en) * 1990-11-28 1991-01-09 De Beers Ind Diamond Light emitting diamond device
JPH04365382A (ja) * 1991-06-13 1992-12-17 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその駆動方法
JPH07170654A (ja) * 1993-12-14 1995-07-04 Fuji Electric Co Ltd 半導体装置の過電圧制限回路
FR2734113B1 (fr) * 1995-05-12 1997-07-25 Sgs Thomson Microelectronics Composant de protection complet de circuit d'interface de lignes d'abonnes
US5726535A (en) * 1996-04-10 1998-03-10 Yan; Ellis LED retrolift lamp for exit signs
JPH10108359A (ja) * 1996-09-27 1998-04-24 Nissan Motor Co Ltd 入力保護回路
JP3764255B2 (ja) * 1997-07-30 2006-04-05 ローム株式会社 半導体発光素子
JP3559435B2 (ja) * 1997-01-10 2004-09-02 ローム株式会社 半導体発光素子
US6333522B1 (en) * 1997-01-31 2001-12-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light-emitting element, semiconductor light-emitting device, and manufacturing methods therefor

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10205698A1 (de) * 2001-02-13 2002-10-31 Agilent Technologies Japan Ltd Leuchtdiode und Verfahren zur Herstellung Derselben
US6940102B2 (en) 2001-02-13 2005-09-06 Agilent Technologies, Inc. Light-emitting diode and a method for its manufacture
DE10221504B4 (de) * 2001-05-15 2012-12-13 Lumileds Lighting, U.S., Llc Mehrchip-LED-Halbleiteranordnung und Verfahren zu deren Herstellung
DE102012101160A1 (de) * 2012-02-14 2013-08-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtquellenmodul

Also Published As

Publication number Publication date
JP2000077718A (ja) 2000-03-14
TW418548B (en) 2001-01-11
KR20000017513A (ko) 2000-03-25
GB2341018A (en) 2000-03-01
GB9917515D0 (en) 1999-09-29
US5914501A (en) 1999-06-22

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