DE19919944A1 - Anordnung mit lichtemittierenden Dioden mit einem integrierten Schutz vor einer elektrostatischen Entladung - Google Patents
Anordnung mit lichtemittierenden Dioden mit einem integrierten Schutz vor einer elektrostatischen EntladungInfo
- Publication number
- DE19919944A1 DE19919944A1 DE19919944A DE19919944A DE19919944A1 DE 19919944 A1 DE19919944 A1 DE 19919944A1 DE 19919944 A DE19919944 A DE 19919944A DE 19919944 A DE19919944 A DE 19919944A DE 19919944 A1 DE19919944 A1 DE 19919944A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- led
- electrical contact
- voltage
- arrangement
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B45/00—Circuit arrangements for operating light-emitting diodes [LED]
- H05B45/40—Details of LED load circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B47/00—Circuit arrangements for operating light sources in general, i.e. where the type of light source is not relevant
- H05B47/20—Responsive to malfunctions or to light source life; for protection
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
- H01L2224/48137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
- H01L2224/48139—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate with an intermediate bond, e.g. continuous wire daisy chain
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12041—LED
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
- Y02B20/00—Energy efficient lighting technologies, e.g. halogen lamps or gas discharge lamps
- Y02B20/30—Semiconductor lamps, e.g. solid state lamps [SSL] light emitting diodes [LED] or organic LED [OLED]
Abstract
Eine Anordnung mit einer lichtemittierenden Diode umfaßt ein Leistungsnebenschlußelement, das einen elektrischen Überbelastungsschutz für eine lichtemittierende Diode schafft und eine Beschädigung an der LED aufgrund einer elektrostatischen Entladung verhindert. Das Leistungsnebenschlußelement ist parallel zu der LED innerhalb der LED-Anordnung geschaltet und schützt die LED durch Ableiten eines elektrischen Stromes von der LED und durch Begrenzen der Spannung an der LED auf eine Klemmspannung, wenn eine Schwellenspannung an der LED überschritten wird.
Description
Aufgrund ihrer kompakten Größe ersetzen lichtemittierende
Dioden (LEDs) die sehr zuverlässig sind und einen niedrigen
Leistungsverbrauch haben, Glühlampen in einer Vielzahl von
optischen Signalisierungssystemen, wie z. B. Automobilrück
lichtern und Ampeln. Gegenwärtig verfügbare LEDs sind jedoch
anfällig für Beschädigungen aufgrund einer elektrostatischen
Entladung (ESD; ESD = Electrostatic Discharge) wodurch das
Verhalten verschlechtert werden kann, und wodurch die Zuver
lässigkeit der Signalisierungssysteme, in denen die LEDs
verwendet werden, reduziert wird. Um die LEDs vor einer
ESD-Beschädigung zu schützen, werden spezielle Handhabungs
vorkehrungen während des Zusammenbaus der optischen Signali
sierungssysteme getroffen. Diese Handhabungsvorkehrungen er
höhen die Herstellungskosten des Systems, da sie das Erden
von Ausrüstungsgegenständen, wie z. B. Arbeitsplatten, Bo
denbelägen, Bestückungsbefestigungen und Werkzeugen und fer
ner von Personen, die mit den LEDs umgehen, umfassen. Zu
sätzlich sind die Handhabungsvorkehrungen nicht vollständig
wirksam beim Verhindern eines Aufbaus eines elektrostati
schen Potentials, das eine ESD bewirkt, die die LEDs beschä
digt.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, einen
Schutz vor einer elektrostatischen Entladung für eine Anord
nung mit lichtemittierenden Dioden zu schaffen.
Diese Aufgabe wird durch eine Anordnung mit einer lichtemit
tierenden Diode nach Anspruch 1 gelöst.
Gemäß dem bevorzugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden
Erfindung umfaßt eine Anordnung mit einer lichtemittierenden
Diode ein Leistungsnebenschlußelement, das einen
elektrischen Überlastschutz für eine LED schafft, und das
eine Beschädigung der LED aufgrund einer elektrostatischen
Entladung (ESD) verhindert. Das Leistungsnebenschlußelement
ist parallel zu der LED innerhalb der LED-Anordnung geschal
tet und schützt die LED durch Ableiten eines elektrischen
Stroms von der LED und durch Begrenzen der Spannung an der
LED auf eine Klemmspannung, wenn eine Schwellenspannung an
der LED überschritten wird.
Bevorzugte Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung
werden nachfolgend bezugnehmend auf die beiliegenden Zeich
nungen detailliert erläutert. Es zeigen:
Fig. 1 ein Schaltbild einer Anordnung mit einer lichtemit
tierenden Diode, die ein Leistungsnebenschlußelement
umfaßt, und die gemäß dem bevorzugten Ausführungs
beispiel der vorliegenden Erfindung aufgebaut ist;
Fig. 2 einen Querschnitt der Anordnung mit einer lichtemit
tierenden Diode gemäß einem ersten bevorzugten Aus
führungsbeispiel der vorliegenden Erfindung; und
Fig. 3 einen Querschnitt der Anordnung mit einer lichtemit
tierenden Diode gemäß einem zweiten bevorzugten Aus
führungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
Fig. 1 zeigt ein Schaltbild einer Anordnung 10 mit einer
lichtemittierenden Diode, die ein Leistungsnebenschlußele
ment 12 umfaßt, das gemäß dem bevorzugten Ausführungsbei
spiel der vorliegenden Erfindung aufgebaut ist. Das Lei
stungsnebenschlußelement 12 ist parallel zu einer licht
emittierenden Diode (LED) 14 zwischen einem ersten elek
trischen Kontakt 15 und einem zweiten elektrischen Kontakt
17 der LED 14 geschaltet. Wenn eine Spannung V, die zwischen
die elektrischen Kontakte angelegt wird, eine Schwellen
spannung überschreitet, wird die Leistungsdissipation
innerhalb der LED 14 durch das Leistungsnebenschlußelement
12 begrenzt, das die Spannung V auf eine Klemmspannung
klemmt und einen Strom IS von der LED 14 wegleitet. Somit
liefert das Leistungsnebenschlußelement 12 einen Schutz für
die LED 14 gegenüber einer elektrischen Überbelastung, wie
sie beispielsweise durch eine elektrostatische Entladung
(ESD) bewirkt wird, die LEDs beschädigt, wenn kein Lei
stungsnebenschlußelement 12 vorhanden ist.
Das Leistungsnebenschlußelement 12 kann unter Verwendung
einer Vielzahl von Spannungsklemmbauelementen, wie z. B.
einer Rücken-an-Rücken-Konfiguration von Dioden 16a, 16b
implementiert werden. Wenn die Spannungsklemmbauelemente
Zener-Dioden sind, werden die Schwellenspannung und die
Klemmspannung durch die Zener-Spannung der einen der
Zener-Dioden bestimmt, die in Sperrichtung vorgespannt ist, bzw.
durch die Vorwärts-Einschaltspannung der einen der Zener-Dioden,
die in Flußrichtung vorgespannt ist. Wenn als Alter
native die Rücken-an-Rücken-Dioden 16a, 16b Transientenspan
nungsunterdrückungs-Dioden (TVS-Dioden; TVS = Transient
Voltage Suppressor) sind, werden die Schwellenspannung und
die Klemmspannung durch die Stand-Off-Sperrspannung der
TVS-Dioden bestimmt.
Die Schwellenspannung des Leistungsnebenschlußelements 12
wird ausgewählt, um zumindest so groß wie die Spitzenbe
triebsspannung der LED 14 zu sein, die zu schützen ist.
Beispielsweise wird die Schwellenspannung ausgewählt, um
zumindest so groß wie die Flußübergangsspannung der LED 14
zu sein, um einen korrekten Betrieb der LED zu ermöglichen.
Die Klemmspannung wird ausgewählt, um ausreichend klein zu
sein, um die Leistungsdissipation innerhalb der LED 14 zu
begrenzen, wodurch die Zuverlässigkeit der LED sicherge
stellt wird, selbst wenn die angelegte Spannung V die Fluß
übergangsspannung der LED 14 überschreitet.
Fig. 2 zeigt einen Querschnitt einer Anordnung 10a mit einer
lichtemittierenden Diode, die gemäß einem ersten bevorzugten
Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung aufgebaut
ist. Die LED 14 ist an einer ersten Befestigungsstelle 21a
einer ersten Elektrode 22a befestigt, die von einem Gehäuse
23 der LED-Anordnung 10a vorsteht, und zwar unter Verwendung
von Epoxydharz, Lötmittel oder einem anderen Befestigungs
mittel. Das Leistungsnebenschlußelement 12 ist an einer
zweiten Befestigungsstelle 21b der ersten Elektrode 22a an
gebracht. Ein Paar von Bonddrähten 24a, 24b, Netzverbindun
gen, Schweißstellen oder anderen Verbindungsmitteln liefert
eine elektrische Leitung zwischen dem ersten elektrischen
Kontakt 15 der LED 14, dem ersten Anschluß 12a des Lei
stungsnebenschlußelements 12 und einer zweiten Elektrode
22b. Eine elektrische Leitung zwischen einem zweiten elek
trischen Kontakt 17 der LED 14 und einem zweiten Anschluß
12b des Leistungsnebenschlußelements 12 wird durch die erste
Elektrode 22a geschaffen. Das Leistungsnebenschlußelement 12
begrenzt die Spannung V zwischen dem ersten elektrischen
Kontakt 12 und dem zweiten elektrischen Kontakt 17 der LED
14 auf die Klemmspannung und leitet einen Strom IS von der
LED 14 weg, wenn die angelegte Spannung V die Schwellenspan
nung überschreitet.
Fig. 3 zeigt einen Querschnitt einer Anordnung 10b mit einer
lichtemittierenden Diode, die gemäß einem zweiten bevor
zugten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung aufge
baut ist. Bei dem zweiten bevorzugten Ausführungsbeispiel
ist das Leistungsnebenschlußelement 12 an einer Befesti
gungsstelle 21a einer ersten Elektrode 22a befestigt, die
von einem Gehäuse 23 der LED-Anordnung 10b vorsteht. Eine
LED 14 ist an einer oberen Oberfläche des Leistungsneben
schlußelements 12 unter Verwendung einer Flip-Chip-Löttech
nik befestigt, derart, daß ein erster elektrischer Kontakt
15 der LED 14 mit einem ersten Anschluß 12a des Leistungs
nebenschlußelements 12 elektrisch verbunden ist, und daß ein
zweiter elektrischer Kontakt 17 der LED 14 mit einem zweiten
Anschluß 12b des Leistungsnebenschlußelements 12 elektrisch
verbunden ist. Der erste elektrische Kontakt 15 und der
erste Anschluß 12a sind mit der ersten Elektrode 22a unter
Verwendung eines Bonddrahtes 24a oder eines anderen Verbin
dungstyps gekoppelt. Der zweite elektrische Kontakt 17 und
der zweite Anschluß 12b sind mit der zweiten Elektrode 22b
unter Verwendung eines Bonddrahtes 24b oder eines anderen
Verbindungstyps gekoppelt. Das Leistungsnebenschlußelement
12 begrenzt die Spannung V zwischen dem ersten elektrischen
Kontakt 15 und dem zweiten elektrischen Kontakt 17 der LED
14 auf die Klemmspannung und leitet einen Strom IS von der
LED weg, wenn die angelegte Spannung V die Schwellenspannung
überschreitet.
Claims (6)
1. Anordnung (10) mit einer lichtemittierenden Diode, mit
folgenden Merkmalen:
einer lichtemittierenden Diode (14) mit einem ersten elektrischen Kontakt (15) und einem zweiten elektrischen Kontakt (17);
einem Gehäuse (23) mit einer ersten Elektrode (22a), die mit dem ersten elektrischen Kontakt (15) gekoppelt ist, und einer zweiten Elektrode (22b), die mit dem zweiten elektrischen Kontakt (17) gekoppelt ist, wobei die erste Elektrode (22a) und die zweite Elektrode (22b) zum Emp fangen einer angelegten Spannung vorgesehen sind;
einem Leistungsnebenschlußelement (12), das mit dem er sten elektrischen Kontakt (15) und mit dem zweiten elek trischen Kontakt (17) gekoppelt ist, das einen elektri schen Strom (IS) von der lichtemittierenden Diode neben schließt, wenn die angelegte Spannung eine Schwellenspan nung überschreitet.
einer lichtemittierenden Diode (14) mit einem ersten elektrischen Kontakt (15) und einem zweiten elektrischen Kontakt (17);
einem Gehäuse (23) mit einer ersten Elektrode (22a), die mit dem ersten elektrischen Kontakt (15) gekoppelt ist, und einer zweiten Elektrode (22b), die mit dem zweiten elektrischen Kontakt (17) gekoppelt ist, wobei die erste Elektrode (22a) und die zweite Elektrode (22b) zum Emp fangen einer angelegten Spannung vorgesehen sind;
einem Leistungsnebenschlußelement (12), das mit dem er sten elektrischen Kontakt (15) und mit dem zweiten elek trischen Kontakt (17) gekoppelt ist, das einen elektri schen Strom (IS) von der lichtemittierenden Diode neben schließt, wenn die angelegte Spannung eine Schwellenspan nung überschreitet.
2. Anordnung nach Anspruch 1, bei der die erste Elektrode
(15) eine erste Befestigungsstelle (21a), die die licht
emittierende Diode (14) aufnimmt, und eine zweite Befe
stigungsstelle (21b) zum Aufnehmen des Leistungsneben
schlußelements (12) aufweist, wobei die Kopplung zwischen
dem zweiten elektrischen Kontakt (17) und dem Leistungs
nebenschlußelement (12) durch die erste Elektrode (22b)
geschaffen ist.
3. Anordnung (10) nach Anspruch 1, bei der das Leistungs
nebenschlußelement (12) eine untere Oberfläche, die an
der ersten Elektrode (22a) angebracht ist, und eine obere
Oberfläche mit einem ersten Anschluß (12a) und einem
zweiten Anschluß (12b) hat, wobei der erste elektrische
Kontakt (15) der lichtemittierenden Diode (14) mit dem
ersten Anschluß (12a) gekoppelt ist, und wobei der zweite
elektrische Kontakt (17) der lichtemittierenden Diode mit
dem zweiten Anschluß (12b) unter Verwendung einer
Flip-Chip-Löttechnik gekoppelt sind.
4. Anordnung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei
der das Leistungsnebenschlußelement eine Rücken-An-Rücken-Konfiguration
von Spannungsklemmbauelementen um
faßt.
5. Anordnung nach Anspruch 4, bei der die Rücken-An-Rücken-Konfiguration
von Spannungsklemmbauelementen zumindest
eine Zener-Diode umfaßt.
6. Anordnung nach Anspruch 4, bei der die Rücken-An-Rücken-Konfiguration
von Spannungsklemmbauelementen (16a, 16b)
zumindest eine Transientenspannungsunterdrückungsein
richtung umfaßt.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US09/141,389 US5914501A (en) | 1998-08-27 | 1998-08-27 | Light emitting diode assembly having integrated electrostatic discharge protection |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19919944A1 true DE19919944A1 (de) | 2000-03-09 |
Family
ID=22495489
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19919944A Withdrawn DE19919944A1 (de) | 1998-08-27 | 1999-04-30 | Anordnung mit lichtemittierenden Dioden mit einem integrierten Schutz vor einer elektrostatischen Entladung |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5914501A (de) |
JP (1) | JP2000077718A (de) |
KR (1) | KR20000017513A (de) |
DE (1) | DE19919944A1 (de) |
GB (1) | GB2341018A (de) |
TW (1) | TW418548B (de) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10205698A1 (de) * | 2001-02-13 | 2002-10-31 | Agilent Technologies Japan Ltd | Leuchtdiode und Verfahren zur Herstellung Derselben |
DE10221504B4 (de) * | 2001-05-15 | 2012-12-13 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Mehrchip-LED-Halbleiteranordnung und Verfahren zu deren Herstellung |
DE102012101160A1 (de) * | 2012-02-14 | 2013-08-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lichtquellenmodul |
Families Citing this family (75)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6054716A (en) * | 1997-01-10 | 2000-04-25 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device having a protecting device |
US6514782B1 (en) | 1999-12-22 | 2003-02-04 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Method of making a III-nitride light-emitting device with increased light generating capability |
US6486499B1 (en) | 1999-12-22 | 2002-11-26 | Lumileds Lighting U.S., Llc | III-nitride light-emitting device with increased light generating capability |
US6903376B2 (en) * | 1999-12-22 | 2005-06-07 | Lumileds Lighting U.S., Llc | Selective placement of quantum wells in flipchip light emitting diodes for improved light extraction |
US6573537B1 (en) | 1999-12-22 | 2003-06-03 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Highly reflective ohmic contacts to III-nitride flip-chip LEDs |
JP3686569B2 (ja) * | 2000-03-02 | 2005-08-24 | シャープ株式会社 | 半導体発光装置及びそれを用いた表示装置 |
US20030204218A1 (en) * | 2001-04-26 | 2003-10-30 | Vogel Martin J. | Protection apparatus for implantable medical device |
US6551345B2 (en) * | 2001-04-26 | 2003-04-22 | Alfred E. Mann Foundation For Scientific Research | Protection apparatus for implantable medical device |
KR100431760B1 (ko) * | 2001-08-08 | 2004-05-17 | 삼성전기주식회사 | AlGaInN계 반도체 엘이디(LED) 소자 및 그 제조 방법 |
KR100983193B1 (ko) | 2002-03-22 | 2010-09-20 | 니치아 카가쿠 고교 가부시키가이샤 | 질화물 형광체와 그 제조 방법 및 발광 장치 |
US20030227020A1 (en) * | 2002-06-10 | 2003-12-11 | Excellence Optoelectronics Inc. | Light emitting apparatus with current regulation function |
KR100497121B1 (ko) * | 2002-07-18 | 2005-06-28 | 삼성전기주식회사 | 반도체 led 소자 |
WO2004050023A2 (en) * | 2002-11-27 | 2004-06-17 | Dmi Biosciences, Inc. | Treatment of diseases and conditions mediated by increased phosphorylation |
TWI230011B (en) * | 2002-12-16 | 2005-03-21 | Samsung Electro Mech | Television receiving module and display apparatus and television receiving system using the same |
US7038540B2 (en) * | 2003-02-14 | 2006-05-02 | Powerwave Technologies, Inc. | Enhanced efficiency feed forward power amplifier utilizing reduced cancellation bandwidth and small error amplifier |
AU2003303130A1 (en) * | 2002-12-19 | 2004-07-14 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Leds driver |
KR100568269B1 (ko) * | 2003-06-23 | 2006-04-05 | 삼성전기주식회사 | 플립-칩 본딩용 질화갈륨계 발광 다이오드 및 그 제조방법 |
KR100586678B1 (ko) * | 2003-07-30 | 2006-06-07 | 에피밸리 주식회사 | 반도체 엘이디 소자 |
TWI223900B (en) * | 2003-07-31 | 2004-11-11 | United Epitaxy Co Ltd | ESD protection configuration and method for light emitting diodes |
JP5349755B2 (ja) * | 2003-12-09 | 2013-11-20 | ジーイー ライティング ソリューションズ エルエルシー | 表面実装の発光チップパッケージ |
US7332861B2 (en) | 2004-02-05 | 2008-02-19 | Agilight, Inc. | Light-emitting structures |
TWI223890B (en) * | 2004-02-06 | 2004-11-11 | Opto Tech Corp | Light-emitting diode device with multi-lead pins |
US20050269695A1 (en) * | 2004-06-07 | 2005-12-08 | Brogle James J | Surface-mount chip-scale package |
DE102004031391B4 (de) * | 2004-06-29 | 2009-06-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Elektronisches Bauteil mit Gehäuse zum ESD-Schutz |
US7402842B2 (en) | 2004-08-09 | 2008-07-22 | M/A-Com, Inc. | Light emitting diode package |
TWI239666B (en) * | 2004-09-16 | 2005-09-11 | Chen-Lun Hsingchen | LED package with diode protection circuit |
KR100576872B1 (ko) * | 2004-09-17 | 2006-05-10 | 삼성전기주식회사 | 정전기 방전 방지기능을 갖는 질화물 반도체 발광소자 |
US7081667B2 (en) * | 2004-09-24 | 2006-07-25 | Gelcore, Llc | Power LED package |
JP4611721B2 (ja) * | 2004-11-25 | 2011-01-12 | 株式会社小糸製作所 | 発光デバイス及び車両用灯具 |
US20060205170A1 (en) * | 2005-03-09 | 2006-09-14 | Rinne Glenn A | Methods of forming self-healing metal-insulator-metal (MIM) structures and related devices |
US7595453B2 (en) * | 2005-05-24 | 2009-09-29 | M/A-Com Technology Solutions Holdings, Inc. | Surface mount package |
KR100650191B1 (ko) * | 2005-05-31 | 2006-11-27 | 삼성전기주식회사 | 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광다이오드 |
KR100683612B1 (ko) * | 2005-07-07 | 2007-02-20 | 서울반도체 주식회사 | 발광 장치 |
US8163580B2 (en) * | 2005-08-10 | 2012-04-24 | Philips Lumileds Lighting Company Llc | Multiple die LED and lens optical system |
DE102005041064B4 (de) * | 2005-08-30 | 2023-01-19 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Oberflächenmontierbares optoelektronisches Bauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
US7528422B2 (en) * | 2006-01-20 | 2009-05-05 | Hymite A/S | Package for a light emitting element with integrated electrostatic discharge protection |
US8044412B2 (en) | 2006-01-20 | 2011-10-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd | Package for a light emitting element |
US7674701B2 (en) | 2006-02-08 | 2010-03-09 | Amkor Technology, Inc. | Methods of forming metal layers using multi-layer lift-off patterns |
US7932615B2 (en) * | 2006-02-08 | 2011-04-26 | Amkor Technology, Inc. | Electronic devices including solder bumps on compliant dielectric layers |
US7928462B2 (en) | 2006-02-16 | 2011-04-19 | Lg Electronics Inc. | Light emitting device having vertical structure, package thereof and method for manufacturing the same |
US7564666B2 (en) * | 2006-05-02 | 2009-07-21 | Semiconductor Components Industries, L.L.C. | Shunt protection circuit and method therefor |
KR100875128B1 (ko) * | 2007-01-16 | 2008-12-22 | 한국광기술원 | 고내정전압을 갖는 발광다이오드 및 그의 제조방법 |
JP5060172B2 (ja) * | 2007-05-29 | 2012-10-31 | 岩谷産業株式会社 | 半導体発光装置 |
DE102007044198A1 (de) * | 2007-09-17 | 2009-03-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement, Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Modul |
CN101409320B (zh) * | 2007-10-09 | 2010-06-23 | 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司 | 基板制作方法 |
US20090283848A1 (en) * | 2008-05-13 | 2009-11-19 | Jds Uniphase Corporation | Photodiode Assembly With Improved Electrostatic Discharge Damage Threshold |
US8643283B2 (en) * | 2008-11-30 | 2014-02-04 | Cree, Inc. | Electronic device including circuitry comprising open failure-susceptible components, and open failure-actuated anti-fuse pathway |
US9781803B2 (en) * | 2008-11-30 | 2017-10-03 | Cree, Inc. | LED thermal management system and method |
GB2467911B (en) * | 2009-02-16 | 2013-06-05 | Rfmd Uk Ltd | A semiconductor structure and a method of manufacture thereof |
US20110017972A1 (en) * | 2009-07-22 | 2011-01-27 | Rfmd (Uk) Limited | Light emitting structure with integral reverse voltage protection |
US8729809B2 (en) * | 2009-09-08 | 2014-05-20 | Denovo Lighting, Llc | Voltage regulating devices in LED lamps with multiple power sources |
US9041294B2 (en) * | 2010-09-27 | 2015-05-26 | Semiconductor Components Industries, Llc | Semiconductor component and method |
US20120112237A1 (en) * | 2010-11-05 | 2012-05-10 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co. Ltd. | Led package structure |
CN202001867U (zh) * | 2010-11-05 | 2011-10-05 | 富士康(昆山)电脑接插件有限公司 | 指示装置及使用该指示装置的电连接器 |
TWI535331B (zh) * | 2011-01-31 | 2016-05-21 | Midas Wei Trading Co Ltd | Light emitting diode protection circuit |
US9490239B2 (en) | 2011-08-31 | 2016-11-08 | Micron Technology, Inc. | Solid state transducers with state detection, and associated systems and methods |
US8809897B2 (en) | 2011-08-31 | 2014-08-19 | Micron Technology, Inc. | Solid state transducer devices, including devices having integrated electrostatic discharge protection, and associated systems and methods |
CN103296665B (zh) * | 2012-03-05 | 2016-04-27 | 北大方正集团有限公司 | 一种瞬态电压抑制器 |
US8835976B2 (en) | 2012-03-14 | 2014-09-16 | General Electric Company | Method and system for ultra miniaturized packages for transient voltage suppressors |
US9093420B2 (en) | 2012-04-18 | 2015-07-28 | Rf Micro Devices, Inc. | Methods for fabricating high voltage field effect transistor finger terminations |
US9124221B2 (en) | 2012-07-16 | 2015-09-01 | Rf Micro Devices, Inc. | Wide bandwidth radio frequency amplier having dual gate transistors |
US8988097B2 (en) | 2012-08-24 | 2015-03-24 | Rf Micro Devices, Inc. | Method for on-wafer high voltage testing of semiconductor devices |
US9917080B2 (en) | 2012-08-24 | 2018-03-13 | Qorvo US. Inc. | Semiconductor device with electrical overstress (EOS) protection |
US9147632B2 (en) | 2012-08-24 | 2015-09-29 | Rf Micro Devices, Inc. | Semiconductor device having improved heat dissipation |
US9142620B2 (en) | 2012-08-24 | 2015-09-22 | Rf Micro Devices, Inc. | Power device packaging having backmetals couple the plurality of bond pads to the die backside |
US9202874B2 (en) | 2012-08-24 | 2015-12-01 | Rf Micro Devices, Inc. | Gallium nitride (GaN) device with leakage current-based over-voltage protection |
US9070761B2 (en) | 2012-08-27 | 2015-06-30 | Rf Micro Devices, Inc. | Field effect transistor (FET) having fingers with rippled edges |
WO2014035794A1 (en) | 2012-08-27 | 2014-03-06 | Rf Micro Devices, Inc | Lateral semiconductor device with vertical breakdown region |
TWI465736B (zh) | 2012-10-11 | 2014-12-21 | Ind Tech Res Inst | 半導體元件之檢測方法及其檢測系統 |
US9325281B2 (en) | 2012-10-30 | 2016-04-26 | Rf Micro Devices, Inc. | Power amplifier controller |
US9455327B2 (en) | 2014-06-06 | 2016-09-27 | Qorvo Us, Inc. | Schottky gated transistor with interfacial layer |
US9536803B2 (en) | 2014-09-05 | 2017-01-03 | Qorvo Us, Inc. | Integrated power module with improved isolation and thermal conductivity |
US10615158B2 (en) | 2015-02-04 | 2020-04-07 | Qorvo Us, Inc. | Transition frequency multiplier semiconductor device |
US10062684B2 (en) | 2015-02-04 | 2018-08-28 | Qorvo Us, Inc. | Transition frequency multiplier semiconductor device |
CN109690392B (zh) * | 2016-09-13 | 2022-05-03 | 日本电信电话株式会社 | 半导体光调制元件 |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3855606A (en) * | 1971-12-23 | 1974-12-17 | Licentia Gmbh | Semiconductor arrangement |
JPS5261982A (en) * | 1975-11-18 | 1977-05-21 | Toshiba Corp | Semiconductor light emitting device |
US4211955A (en) * | 1978-03-02 | 1980-07-08 | Ray Stephen W | Solid state lamp |
GB8509386D0 (en) * | 1985-04-12 | 1985-05-15 | Ford Motor Co | Ignition spark transducer |
WO1992003867A1 (en) * | 1990-08-17 | 1992-03-05 | Mining And Primary Development Pty. Ltd. | Surge suppressor device |
GB9025837D0 (en) * | 1990-11-28 | 1991-01-09 | De Beers Ind Diamond | Light emitting diamond device |
JPH04365382A (ja) * | 1991-06-13 | 1992-12-17 | Toshiba Corp | 半導体発光装置及びその駆動方法 |
JPH07170654A (ja) * | 1993-12-14 | 1995-07-04 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置の過電圧制限回路 |
FR2734113B1 (fr) * | 1995-05-12 | 1997-07-25 | Sgs Thomson Microelectronics | Composant de protection complet de circuit d'interface de lignes d'abonnes |
US5726535A (en) * | 1996-04-10 | 1998-03-10 | Yan; Ellis | LED retrolift lamp for exit signs |
JPH10108359A (ja) * | 1996-09-27 | 1998-04-24 | Nissan Motor Co Ltd | 入力保護回路 |
JP3764255B2 (ja) * | 1997-07-30 | 2006-04-05 | ローム株式会社 | 半導体発光素子 |
JP3559435B2 (ja) * | 1997-01-10 | 2004-09-02 | ローム株式会社 | 半導体発光素子 |
US6333522B1 (en) * | 1997-01-31 | 2001-12-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light-emitting element, semiconductor light-emitting device, and manufacturing methods therefor |
-
1998
- 1998-08-27 US US09/141,389 patent/US5914501A/en not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-04-03 TW TW088105388A patent/TW418548B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-04-30 DE DE19919944A patent/DE19919944A1/de not_active Withdrawn
- 1999-07-26 GB GB9917515A patent/GB2341018A/en not_active Withdrawn
- 1999-07-30 JP JP21691899A patent/JP2000077718A/ja active Pending
- 1999-08-25 KR KR1019990035336A patent/KR20000017513A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10205698A1 (de) * | 2001-02-13 | 2002-10-31 | Agilent Technologies Japan Ltd | Leuchtdiode und Verfahren zur Herstellung Derselben |
US6940102B2 (en) | 2001-02-13 | 2005-09-06 | Agilent Technologies, Inc. | Light-emitting diode and a method for its manufacture |
DE10221504B4 (de) * | 2001-05-15 | 2012-12-13 | Lumileds Lighting, U.S., Llc | Mehrchip-LED-Halbleiteranordnung und Verfahren zu deren Herstellung |
DE102012101160A1 (de) * | 2012-02-14 | 2013-08-14 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Lichtquellenmodul |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2000077718A (ja) | 2000-03-14 |
TW418548B (en) | 2001-01-11 |
KR20000017513A (ko) | 2000-03-25 |
GB2341018A (en) | 2000-03-01 |
GB9917515D0 (en) | 1999-09-29 |
US5914501A (en) | 1999-06-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE19919944A1 (de) | Anordnung mit lichtemittierenden Dioden mit einem integrierten Schutz vor einer elektrostatischen Entladung | |
US6211554B1 (en) | Protection of an integrated circuit with voltage variable materials | |
KR100650191B1 (ko) | 정전기 방전 충격에 대한 보호 기능이 내장된 고휘도 발광다이오드 | |
DE102008031029B4 (de) | Elektronisches Bauelement mit einer Schutzschaltung für eine lichtemittierende Vorrichtung | |
US7161786B2 (en) | Data surge protection module | |
DE102005053257A1 (de) | Leistungshalbleitervorrichtung | |
JPH0255525A (ja) | 過電圧保護回路 | |
DE202013008967U1 (de) | LED Ansteuerschaltung | |
EP0769815A2 (de) | Schaltungsanordnung mit einem Schutzmittel | |
US5130881A (en) | IC socket having overvoltage protection | |
DE29920935U1 (de) | Überspannungsschutzmagazin | |
DE102019211971A1 (de) | Halbleitermodul | |
US5303116A (en) | Surge protector | |
US4438365A (en) | Spark gap for line transient protection | |
DE102014115226B4 (de) | ESD-Schutzbeschaltung und LED-Leuchte | |
DE102012105630B4 (de) | Beleuchtungsanordnung mit Beleuchtungsvorrichtung und Verfahren zum Betreiben einer Beleuchtungsvorrichtung | |
DE2734571A1 (de) | Gleichrichteranordnung | |
US5001587A (en) | Protection circuit for railroad signaling high voltage surge protection circuit | |
DE102019135206B4 (de) | Überspannungsschutzvorrichtung sowie Netzteil | |
EP1516420B1 (de) | Schaltungsanordnung mit einem spannungszwischenkreisumrichter | |
DE19834232A1 (de) | Halbleiterlaservorrichtung | |
EP1576704A1 (de) | Laserdiodenbarren mit parallel geschalteter diode zur elektrischen überbrückung des laserdiodenbarrens im fehlerfall | |
DE3930539A1 (de) | Antrieb, insbesondere fuer wischanlagen an kraftfahrzeugen | |
EP1744531B1 (de) | Schutzschaltung für eine Einrichtung zur Einkopplung einer Fernspeisespannung | |
EP1746695B1 (de) | Überspannungsableiter-Anordnung zum Einsatz in industriellen Sammelschienen-Verteilersystemen |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: AGILENT TECHNOLOGIES, INC. (N.D.GES.D.STAATES DELA |
|
8127 | New person/name/address of the applicant |
Owner name: LUMILEDS LIGHTING, U.S., LLC, SAN JOSE, CALIF., US |
|
8130 | Withdrawal |