DE19922919C2 - Anlage zur Bearbeitung von Wafern - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine Anlage zur Bearbeitung von Wafern gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1 wie sie beispielsweise aus der DE 196 13 615 A1 bekannt ist.

Derartige Anlagen umfassen eine Vielzahl von Fertigungsein­ heiten, mit welchen unterschiedliche Fertigungsschritte zur Bearbeitung der Wafer durchgeführt werden. Bei diesen Ferti­ gungsschritten handelt es sich insbesondere um Prozesse, bei welchen Schichten auf die Wafer aufgetragen werden. Hierzu gehören beispielsweise Sputter-Prozesse, Gasabscheidungsver­ fahren, sogenannte CVD-Verfahren, und thermische Oxidations­ prozesse. Weitere Fertigungsschritte zur Bearbeitung der Wa­ fer sind beispielsweise Ätzprozesse, Naßchemieverfahren, Dif­ fusionsprozesse sowie diverse Reinigungsverfahren wie zum Beispiel CMP-Verfahren (Chemical Mechanical Polishing). Für jeden der entsprechenden Fertigungsschritte sind eine oder mehrere Fertigungseinheiten vorgesehen. Zudem sind separate Meßeinheiten vorgesehen, in welchen die Güte der. Bearbeitung der Wafer kontrolliert werden kann. Zweckmäßigerweise werden mit derartigen Meßeinheiten sämtliche Fertigungsschritte, welche in den Fertigungseinheiten durchgeführt werden, kon­ trolliert.

Der gesamte Fertigungsprozeß unterliegt strengen Reinheitsan­ forderungen, so daß die Fertigungseinheiten und Meßeinheiten in einem Reinraum oder in einem System von Reinräumen ange­ ordnet sind.

Die Wafer werden in vorbestimmten Losgrößen über ein Trans­ portsystem den einzelnen Fertigungs- und Meßeinheiten zuge­ führt. Hierzu werden die Wafer in Transportbehältern, welche beispielsweise in Form von Kassetten ausgebildet sind, trans­ portiert. Auch der Abtransport nach der Bearbeitung der Wafer in den Fertigungs- und Meßeinheiten erfolgt über das Trans­ portsystem.

Das Transportsystem weist ein Fördersystem auf, welches bei­ spielsweise in Form von Rollenförderern ausgebildet ist. Zu­ dem weist das Transportsystem ein Speichersystem mit mehreren Speichern zur Lagerung von Transportbehältern mit Wafern auf. Zweckmäßigerweise sind die Speicher als Stocker ausgebildet.

Nachteilig hierbei ist der große zeitliche und konstruktive Aufwand zur Kontrolle der Bearbeitungsqualität der Wafer. Nachdem die Wafer in einer Fertigungseinheit bearbeitet wor­ den sind, müssen diese über das Transportsystem der entspre­ chenden Meßeinheit zugeführt werden, wobei oftmals sogar eine Zwischenlagerung der Wafer notwendig ist. Die Meßeinheit selbst weist einen beträchtlichen konstruktiven Aufwand auf. Zunächst müssen an der Meßeinheit Vorrichtungen zur Aufnahme der Wafer vom Transportsystem sowie nach erfolgter Messung zur Abgabe der Wafer an das Transportsystem vorgesehen sein. Zudem weist die Meßeinheit Kontrollvorrichtungen auf, in wel­ chen die Bearbeitungsqualität der Wafer überprüft wird. Wei­ terhin ist nachteilig, daß der Raumbedarf für die Meßeinhei­ ten beträchtlich ist, wodurch der Flächenbedarf für die Anla­ ge entsprechend groß ist. Da Reinräume selbst äußerst kosten­ aufwendig aufgebaut sind bedeutet auch dies einen erheblichen Kostenfaktor bei derartigen Anlagen

Bei derartigen Meßeinheiten ist nachteilig, daß die dort durchgeführten Messungen nur einen indirekten und unvollstän­ digen Rückschluß auf die Güte des in der Fertigungseinheit durchgeführten Fertigungsschritts erlauben. Beispielsweise wird in Meßeinheiten, welche Fertigungseinheiten zum Auftra­ gen von Schichten auf die Wafer zugeordnet sind, typischer­ weise die Schichtdicke der Wafer bestimmt. Um eine hinrei­ chend genaue Schichtdickenmessung zu gewährleisten, ist der apparative Aufwand in der entsprechenden Meßeinheit beträcht­ lich.

Doch selbst wenn die Schichtdicke auf dem Wafer sehr genau bestimmbar ist, ist bei einer Abweichung der gemessenen Schichtdicke von dem vorgegebenen Sollwert die Fehlerquelle im Fertigungsprozeß nur ungenau und unvollständig bestimmbar. Ist die zugeordnete Fertigungseinheit beispielsweise von ei­ ner CVD-Anlage zur Gasphasenabscheidung von Silizium auf dem Wafer ausgebildet, so müssen in der entsprechenden Ferti­ gungseinheit beispielsweise vorgegebene Druckverhältnisse und Temperaturverhältnisse herrschen. Aus einer in der Meßeinheit ermittelten fehlerhaften Schichtdicke läßt sich jedoch nicht eindeutig darauf rückschließen, ob in der Fertigungseinheit die Druck- und/oder Temperaturverhältnisse nicht korrekt ge­ wählt waren.

In der DE 196 13 615 A1 ist eine Vorrichtung und ein Verfahren zum Analysieren eines Halbleiterwafers beschrieben, bei dem nach jedem Herstellungsvorgang einer Fertigungsstraße Defekte an einer Oberfläche des Halbleiterwafers durch eine physikalische (optische) Inspektion der externen Erscheinung des Wafers mittels eines Defektinspektionsapparats nachgewie­ sen wird. Die erhaltenen Defektpositionskoordinaten werden in ein geeignetes Datenformat umgewandelt und für die spätere Weiterverarbeitung gespeichert.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde bei einer Anlage der eingangs genannten Art mit möglichst geringem Aufwand die Be­ arbeitungsqualität der Wafer möglichst genau und vollständig zu erfassen.

Zur Lösung dieser Aufgabe sind die Merkmale des Anspruchs 1 vorgesehen. Vorteilhafte Ausführungsformen und zweckmäßige Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen be­ schrieben.

Erfindungsgemäß werden zur Kontrolle der Bearbeitungsqualität des in einer Fertigungseinheit durchgeführten Fertigungs­ schritts oder gegebenenfalls mehrerer durchgeführter Ferti­ gungsschritte Meßvorrichtungen in der Fertigungseinheit zur Ermittlung von Prozeßparametern eingesetzt.

Die dabei von den Meßvorrichtungen ermittelten Prozeßdaten werden in einer der Fertigungseinheit zugeordneten Rech­ nereinheit erfaßt. Schließlich werden aus diesen Prozeßdaten Kenngrößen zur Beurteilung der Bearbeitungsqualität der Wafer abgeleitet.

Der Grundgedanke der Erfindung besteht somit darin, daß Meß­ vorrichtungen die zur Überwachung der Fertigungsschritte in den einzelnen Fertigungseinheiten üblicherweise bereits vor­ handen sind, gleichzeitig zur Kontrolle der Bearbeitungsqua­ lität der Wafer verwendet werden.

Dabei wird der Umstand ausgenutzt, daß durch die Kontrolle sämtlicher wesentlicher in der Fertigungseinheit anfallender Prozeßdaten mittels der Meßvorrichtungen das Bearbeitungser­ gebnis eines Wafers in der Fertigungseinheit eindeutig be­ stimmbar ist.

Da die Kenngrößen zur Beurteilung der Bearbeitungsqualität unmittelbar aus den mittels der Meßvorrichtungen ermittelten Prozeßdaten der entsprechenden Fertigungseinheit gewonnen werden, läßt sich daraus nicht nur ableiten, ob ein Wafer richtig oder fehlerhaft bearbeitet wurde. Aus den einzelnen Kenngrößen läßt sich zudem im Fehlerfall die Fehlerursache exakt bestimmen. Je nachdem welche der Kenngrößen von einem Sollwert abweicht oder sonstige Unregelmäßigkeiten, wie zum Beispiel eine große Streuung um einen Mittelwert aufweist, kann daraus auf die entsprechenden fehlerhaften Prozeßparame­ ter geschlossen werden. Demzufolge kann durch die erfindungs­ gemäße Ermittlung der Kenngrößen nicht nur die Bearbeitungs­ güte der Wafer festgestellt werden. Vielmehr sind hiermit auch Rückschlüsse auf eventuelle Fehler im Bearbeitungsprozeß der Wafer zuverlässig durchführbar.

Ein wesentlicher Vorteil der erfindungsgemäßen Anlage besteht darin, daß die Bearbeitungsqualität von Fertigungsschritten in einer Fertigungseinheit selbst überprüfbar ist. Demzufolge werden für derartige Fertigungseinheiten keine separaten Meßeinheiten mehr benötigt. Dies führt zu einer beträchtli­ chen Einsparung an apparativem Aufwand und schließlich auch zu einer erheblichen Einsparung von kostenintensiven Rein­ raumflächen. Zudem werden die Durchlaufzeiten der Wafer durch die Anlage erheblich verkürzt, da die Wafer nach Bearbeitung in einer Fertigungseinheit nicht mehr über das Transportsy­ stem einer nachgeordneten Meßeinheit zugeführt werden müssen.

Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung wird im nachstehenden anhand der Zeichnungen erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 Schematische Darstellung einer Anlage zur Bearbei­ tung von Wafern mit mehreren Fertigungseinheiten.

Fig. 2 Schematische Darstellung einer Fertigungseinheit gemäß Fig. 1 mit einer Bedieneinheit und mehreren Meßvorrichtungen.

Fig. 1 zeigt ein Ausführungsbeispiel einer Anlage zur Bear­ beitung von Wafern. Die Anlage umfaßt eine Vielzahl von Fer­ tigungseinheiten 1 zur Durchführung von für die Bearbeitung der Wafer notwendigen Fertigungsschritten. Derartige Ferti­ gungsschritte umfassen insbesondere Bearbeitungsvorgänge bei Fertigungsprozessen zum Auftragen von Schichten auf Wafern, wie zum Beispiel Sputter-Prozessen, Gasabscheidungsverfahren (CVD-Verfahren) und thermischen Oxidationsprozessen. Weiter­ hin werden Fertigungseinheiten 1 zur Durchführung von Ätzpro­ zessen, Naßchemieverfahren, Diffusionsprozessen sowie Reini­ gungsverfahren eingesetzt. Für die unterschiedlichen Ferti­ gungsschritte können jeweils eine oder mehrere Fertigungsein­ heiten 1 vorgesehen sein.

Jeder der Fertigungseinheiten 1 ist eine Bedieneinheit 2 zuge­ ordnet. Die Bedieneinheiten 2 können insbesondere als rech­ nergestützte parallele Arbeitsplätze ausgebildet sein. Über die Bedieneinheiten 2 sind insbesondere die unterschiedlichen Funktionen der jeweils zugeordneten Fertigungseinheit 1 über­ prüfbar.

Die Fertigungseinheiten 1 mit den Bedieneinheiten 2 sind in einem Reinraum 3 angeordnet. Alternativ kann die Anlage über ein System von Reinräumen 3 verteilt sein.

Die Fertigungseinheiten 1 sind über ein Transportsystem mit­ einander verbunden. Das Transportsystem weist ein Fördersy­ stem 4 und ein Speichersystem auf. Das Fördersystem 4 kann beispielsweise von einem System von Rollenförderern gebildet sein. Die Speicher 5 des Speichersystems sind vorzugsweise als Stocker ausgebildet.

Über das Fördersystem 4 werden die Wafer in vorgegebenen Los­ größen in Transportbehältern 6 transportiert. Die Transport­ behälter 6 können in Form von Kassetten oder dergleichen aus­ gebildet sein.

Wie aus Fig. 2 ersichtlich ist, weisen die Fertigungseinhei­ ten 1 für die Zufuhr und den Abtransport der Transportbehäl­ ter 6 mit den Wafern jeweils eine Be- und Entladestation 7 auf. Auch die Speicher 5 weisen eine derartige, nicht darge­ stellte Be- und Entladestation 7 auf.

Fig. 2 zeigt einen typischen Aufbau einer Fertigungseinheit 1 zur Bearbeitung von Wafern. Die Fertigungseinheit 1 ist im vorliegenden Fall von einer Maschine oder Anlage gebildet, welche über Wände 8 vom Rest des Reinraums 3 isoliert ist. In der Fertigungseinheit 1 befindet sich eine Bearbeitungsvor­ richtung 9 zur Durchführung eines oder mehrerer Fertigungs­ schritte. Zudem sind in der Fertigungseinheit 1 mehrere Meß­ vorrichtungen 10 vorgesehen. Mit diesen Meßvorrichtungen 10 werden verschiedene Prozeßparameter erfaßt, welche für die Durchführung der Fertigungsschritte relevant sind. Die Meß­ vorrichtungen 10 sind an eine Rechnereinheit 11 angeschlos­ sen, welche in der Bedieneinheit 2 für die Fertigungseinheit 1 angeordnet ist. Die Bedieneinheit 2 kann insbesondere als personeller Arbeitsplatz für das Bedienpersonal ausgestaltet sein, wobei über ein nicht dargestelltes Terminal die Ferti­ gungseinheit 1 bedienbar ist. Dabei ist die Bedieneinheit 2 vorzugsweise in unmittelbarer Nahe zu der zugeordneten Ferti­ gungseinheit 1 angeordnet. Die Rechnereinheiten 11 der einzelnen Fertigungseinheiten 1 können zudem an eine nicht dar­ gestellte Zentral-Rechnereinheit angeschlossen sein.

Erfindungsgemäß wird die Bearbeitungsqualität von in einer Fertigungseinheit 1 bearbeiteten Wafern dadurch ermittelt, daß die Prozeßparameter der in der Fertigungseinheit 1 durch­ geführten Fertigungsschritte mittels der Meßvorrichtungen 10 überwacht werden. Hierzu werden mit den Meßvorrichtungen 10 fortlaufend die entsprechenden Prozeßdaten bei den jeweiligen Fertigungsschritten erfaßt.

Die von den Meßvorrichtungen 10 generierten Prozeßdaten wer­ den dabei jeweils in die angeschlossene Rechnereinheit 11 eingelesen. In der Rechnereinheit 11 werden aus den Prozeßda­ ten Kenngrößen abgeleitet, die zur Beurteilung der Bearbei­ tungsqualität der Wafer dienen.

Die Wahl der Prozeßparameter und damit auch die Wahl der Meß­ vorrichtungen 10 in einer Fertigungseinheit 1 erfolgt derart, daß die in der Fertigungseinheit 1 durchgeführten Fertigungs­ schritte möglichst vollständig durch die jeweiligen Prozeßpa­ rameter festgelegt sind. Dann kann die Bearbeitungsqualität der Wafer in der Fertigungseinheit 1 durch die Kenngrößen ex­ akt definiert werden.

Wesentliche Prozeßparameter bei der Durchführung von Ferti­ gungsschritten können insbesondere die Temperatur- und Druck­ verhältnisse im Innenraum der Fertigungseinheit 1 sein. Dies ist insbesondere dann von Bedeutung, wenn die Wafer in der Fertigungseinheit 1 offenliegend bearbeitet werden. Falls die Wafer in einer gekapselten Bearbeitungsvorrichtung 9 bearbei­ tet werden, sind die Temperatur- und Druckverhältnisse im In­ nern der Bearbeitungsvorrichtung 9 als relevante Prozeßpara­ meter zu berücksichtigen. Die Meßvorrichtungen 10 weisen in diesem Fall Temperatur- und Drucksensoren auf. Die dadurch ermittelten Temperaturwerte und Druckwerte werden als Prozeß­ daten in die Rechnereinheit 11 eingelesen.

Als weitere Prozeßparameter sind Betriebsstoffe zu berück­ sichtigen, welche den Wafern in der Fertigungseinheit 1 zur Durchführung der Fertigungsschritte zugeführt werden. Zu die­ sen Betriebsstoffen gehört insbesondere Reinstwasser, welches beispielsweise zur Durchführung von Reinigungsprozessen, Ätz­ prozessen und Diffusionsprozessen benötigt wird. Desweiteren werden als Betriebsstoffe Chemikalien in Gasform und in flüs­ siger Form eingesetzt. Beispielsweise werden bei typischen Reinigungsprozessen saure und alkalische Lösungen sowie hei­ ßer Stickstoff zur Trocknung der Wafer eingesetzt.

Wesentliche Prozeßparameter können in diesem Fall die Tempe­ ratur und insbesondere bei gasförmigen Betriebsstoffen der Druck der den Wafern zugeführten Betriebsstoffe sein. Die Meßvorrichtungen 10 weisen dann wiederum Temperatur- und Drucksensoren auf. Desweiteren ist als relevanter Prozeßpara­ meter häufig die den Wafern pro Zeiteinheit zugeführte Menge an Betriebsstoffen zu berücksichtigen. In diesem Fall sind die Meßvorrichtungen 10 von Durchflußmessern, Strömungswäch­ tern und dergleichen gebildet.

Als weiterer wesentlicher Prozeßparameter ist typischerweise der zeitliche Verlauf der Bearbeitung der Wafer in einer Fer­ tigungseinheit 1 zu berücksichtigen. Insbesondere die Bear­ beitungszeit der Wafer in einzelnen Bearbeitungsvorrichtungen 9 ist dabei ein wesentlicher Prozeßparamter.

Beispielsweise ist bei Reinigungsprozessen zu berücksichti­ gen, in welcher zeitlichen Folge die Wafer mit unterschiedli­ chen flüssigen und gasförmigen Chemikalien bearbeitet werden. Dabei sind insbesondere die Zeiten relevant, über welche die einzelnen Chemikalien auf die Wafer einwirken. Ein Beispiel hierfür sind thermische Oxidationsprozesse, bei welchen bei­ spielsweise eine SiO₂-Schicht auf Silizium-Wafern aufgebracht wird. Typischerweise wird bei einem Silzium-Wafer, auf dessen Oberfläche sich bereits eine SiO₂-Schicht befindet, die Dicke dieser SiO₂-Schicht dadurch vergrößert, daß aus einem Gasraum Sauerstoff an die SiO₂-Oberfläche herandiffundiert. Der Sau­ erstoff diffundiert dann durch die SiO₂-Schicht und dringt zur Grenzfläche zwischen der SiO₂-Schicht und der Silizium- Schicht des Wafers. An dieser Grenzfläche reagiert der Sauer­ stoff mit Silizium zu SiO₂, wodurch die Schichtdicke vergrö­ ßert wird.

In diesem Fall sind neben Prozeßparametern wie der Druck und die Temperatur der Sauerstoffatmosphäre insbesondere die Re­ aktionszeit des Sauerstoffs zu berücksichtigen, da die Schichtdicke der SiO₂-Schicht im wesentlichen linear mit der Zeit wächst. Durch Ermittlung der Reaktionszeit läßt sich so­ mit direkt die Schichtdicke der SiO₂-Schicht bestimmen.

Schließlich sind als Prozeßparameter typischerweise auch die physikalischen, elektrischen und/oder mechanischen Parameter von Bearbeitungsvorrichtungen 9 in der Fertigungseinheit 1 zu berücksichtigen. Ein Beispiel hierfür sind Schleuderbeschich­ tungsverfahren zum Aufbringen von Schichten auf Wafern. Der Wafer liegt dabei flach auf einem rotierenden Drehteller auf. Die in einem Lösungsmittel gelöste Schichtsubstanz, bei­ spielsweise ein Photolack, wird auf die Oberfläche des Wafers aufgetropft, wobei der Wafer mittels einer Vakuumabsaugung zentrisch auf dem Drehteller festgehalten wird. Durch die Ro­ tation des Drehtellers wird die Schichtsubstanz auf dem Wafer radial nach außen verteilt. Die Rotation des Drehtellers wird solange fortgesetzt bis das Lösungsmittel aus der verbleibenden Schicht verdampft ist. In diesem Fall ist neben der Umgebung­ stemperatur und der Bearbeitungszeit insbesondere auch der Drehzahlverlauf des Drehtellers als relevanter Prozeßparamter zu berücksichtigen.

Die von den einzelnen Meßvorrichtungen 10 generierten Prozeß­ daten werden in der Rechnereinheit 11 zur Ermittlung der Kenngrößen für die Bearbeitungsqualität der Wafer herangezo­ gen.

Prinzipiell kann hierbei jeweils der komplette zeitliche Ver­ lauf der verschiedenen Prozeßdaten herangezogen werden. Vor­ teilhafterweise werden dabei die Prozeßdaten statistisch aus­ gewertet. Im einfachsten Fall werden dabei die Mittelwerte aus den einzelnen Prozeßdaten sowie die zugehörigen Standar­ dabweichungen gebildet. Diese Mittelwerte und Standardabwei­ chungen bilden dann die einzelnen Kenngrößen.

Eine derartige Auswertung der Prozeßdaten bietet sich bei­ spielsweise bei Gasabscheidungsverfahren zur Schichterzeugung auf Wafern, wie beispielsweise dem CVD-Verfahren an. Bei die­ sem Verfahren werden bestimmte Gase über die aufgeheizte Oberfläche der Wafer geleitet, auf welchen dann die gewünsch­ te Schicht abgeschieden wird. Auf der Oberfläche des Wafers kommt es dann zu der Reaktion der Gase, so daß als Reaktions­ produkt die gewünschte Schicht entsteht. Bei derartigen Pro­ zessen sind als relevante Prozeßparameter die Temperatur der Waferoberfläche sowie Druck und Temperatur der Gasatmosphäre zu berücksichtigen.

Zur Ermittlung der Kenngrößen werden die über die Reaktions­ zeit der Gase ermittelten Druck- und Temperaturwerte jeweils gemittelt. Die dabei errechneten Mittelwerte und Standardab­ weichungen bilden die Kenngrößen zur Beurteilung der Bearbei­ tungsqualität der Wafer.

In manchen Fällen ist eine statistische Auswertung sinnvoll, bei welcher verschiedene Prozeßparameter miteinander korre­ liert werden. Dies ist insbesondere dann vorteilhaft, wenn verschiedene Prozeßparameter voneinander abhängig sind. Zweckmäßigerweise werden aus den Prozeßdaten der voneinander abhängigen Prozeßparameter Kreuzkorrelationsfunktionen gebil­ det, welche die Kenngrößen bilden.

Die Kenngrößen für die einzelnen Fertigungseinheiten 1 können an den jeweils zugeordneten Bedieneinheiten 2 unmittelbar abgefragt werden, so daß durch das Bedienpersonal unmittelbar an der jeweiligen Fertigungseinheit 1 die Bearbeitungsquali­ tät überprüfbar ist. Im Falle einer mangelhaften Bearbei­ tungsqualität kann durch eine geeignete Auswertung der Kenn­ größen der Fehler im Bearbeitungsprozeß der Wafer schnell und zuverlässig lokalisiert werden. Prinzipiell können die Kenn­ größen der einzelnen Fertigungseinheiten 1 aus den einzelnen Rechnereinheiten 11 auch in eine Zentral-Rechnereinheit ein­ gelesen werden, wo eine zentrale Auswertung erfolgt.

Claims (11)

1. Anlage zur Bearbeitung von Wafern in wenigstens einem Reinraum mit
einer Anordnung einer Mehrzahl von Fertigungseinheiten (1) zur Durchführung einzelner Fertigungsschritte des Bearbeitungsvorgangs,
einem Transportsystem (4) zum Zuführen und Wegführen der Wafer zu und von den Fertigungseinheiten (1) und
einer Kontrollanordnung zur Kontrolle der Bearbeitungsqualität der Wafer,
dadurch gekennzeichnet, daß
die Kontrollanordnung in den jeweiligen Fertigungseinheiten (1) angeordnete Meßvorrichtungen (10) zur Kontrolle der Bearbeitungsqualität der dort durchgeführten Fertigungsschritte, sowie den jeweiligen Fertigungseinheiten (1) zugeordnete Rechnereinheiten (11) zur Erfassung der von den Meßvorrichtungen (10) generierten Prozeßdaten umfaßt,
wobei aus diesen Prozeßdaten Kenngrößen zur Beurteilung der Bearbeitungsqualität der Wafer abgeleitet werden.

2. Anlage nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß in der Rechnereinheit (11) zur Ermittlung der Kenngrößen die Prozeßdaten statistisch ausgewertet werden.

3. Anlage nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß in der Rechnereinheit (11) ein Kor­ relator vorgesehen ist, anhand dessen verschiedene Prozeßdaten zur Ermittlung von Kenngrößen korrelierbar sind.

4. Anlage nach einem der Ansprüche 1-3, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Prozeßdaten von dem Luftdruck und der Temperatur innerhalb der Fertigungseinheit (1) gebil­ det sind.

5. Anlage nach einem der Ansprüche 1-4, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Prozeßdaten von den pro Zeiteinheit den Wafern zugeführten Mengen an Betriebsstoffen gebildet sind.

6. Anlage nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Betriebsstoffe von Reinstwasser, Flüssig-Chemikalien und/oder gasförmigen Chemikalien gebildet sind.

7. Anlage nach einem der Ansprüche 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Prozeßdaten jeweils vom Druck und der Temperatur der den Wafern zugeführten Betriebs­ stoffe gebildet sind.

8. Anlage nach einem der Ansprüche 1-7, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Prozeßdaten vom zeitlichen Verlauf einzelner in der Fertigungseinheit (1) durchgeführter Fertigungsschritte gebildet sind.

9. Anlage nach einem der Ansprüche 1-8, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Prozeßdaten von physikali­ schen, elektrischen und/oder mechanischen Parametern von Bearbeitungsvorrichtungen (9) in der Fertigungseinheit (1) gebildet sind.

10. Anlage nach einem der Ansprüche 1-9, dadurch ge­ kennzeichnet, daß den Fertigungseinheiten (1) jeweils eine Bedieneinheit (2) zugeordnet ist, in welcher die Rech­ nereinheit (11) angeordnet ist.

11. Anlage nach einem der Ansprüche 1-10, dadurch ge­ kennzeichnet, daß die Rechnereinheiten (11) der einzel­ nen Fertigungseinheiten (1) an eine Zentral-Rechnereinheit angeschlossen sind, an welche von den Rechnereinheiten (11) die jeweiligen Kenngrößen übertragen werden.