DE19957758C2 - Vorrichtung und Verfahren zum Ausrichten von scheibenförmigen Substraten - Google Patents
Vorrichtung und Verfahren zum Ausrichten von scheibenförmigen SubstratenInfo
- Publication number
- DE19957758C2 DE19957758C2 DE19957758A DE19957758A DE19957758C2 DE 19957758 C2 DE19957758 C2 DE 19957758C2 DE 19957758 A DE19957758 A DE 19957758A DE 19957758 A DE19957758 A DE 19957758A DE 19957758 C2 DE19957758 C2 DE 19957758C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- substrate
- support
- stop
- support elements
- diameter
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/68—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for positioning, orientation or alignment
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
- H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
- H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
- H01L21/68764—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a movable susceptor, stage or support, others than those only rotating on their own vertical axis, e.g. susceptors on a rotating caroussel
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S414/00—Material or article handling
- Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
- Y10S414/136—Associated with semiconductor wafer handling including wafer orienting means
Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung und ein Verfahren
zum Ausrichten von scheibenförmigen Substraten, insbesondere Halbleiter
wafern, mit einer Ausrichtungs-Erfassungseinheit.
In der Halbleiterindustrie werden zur Herstellung von Halbleiterelementen in
der Regel aus einem Einkristall bestehende Halbleiterscheiben, auch Wafer
genannt, unterschiedlichen Bearbeitungsprozessen unterzogen. Diese Bear
beitungsprozesse sind stark automatisiert und zwischen den Bearbeitungs
prozessen werden die Halbleiterscheiben mit Handhabungsvorrichtungen, die
in der Regel Auflageteller aufweisen, transportiert. Dabei ist ein zentriertes
Auflegen der Scheiben auf den Auflagetellern wichtig, um eine ordnungsge
mäße Positionierung der Scheiben in den unterschiedlichen Bearbeitungsvor
richtungen zu gewährleisten. Außerdem müssen die Scheiben gemäß den
Achsen ihres Kristallgitters ausgerichtet werden. Sowohl die Zentrierung als
auch die Ausrichtung der Scheiben wird von Ausrichtvorrichtungen, die auch
als Aligner bezeichnet werden, übernommen.
Bei einem bekannten Aligner, der beispielsweise in den Fig. 11a-d ge
zeigt ist, wird eine Halbleiterscheibe 1 von einer Handhabungsvorrichtung 2
auf Auflagestiften 3 des Aligners abgelegt. Anschließend wird die Handha
bungsvorrichtung aus dem Bereich unterhalb des Wafers herausbewegt und
die Stifte 3 werden abgesenkt, wodurch die Scheibe auf einem als Chuck be
zeichneten Drehteller 4 positioniert wird. Der Drehteller 4 weist eine Unter
druck-Ansaugvorrichtung auf, um die Scheibe fest daran zu halten. Wenn die
Scheibe 1 angesaugt ist, wird der Drehteller 4 um seine Drehachse gedreht.
Während dieser Drehung wird ein seitlicher Versatz der Scheibe bezüglich der
Drehachse mit einer Kamera 5 gemessen. Danach werden die Stifte 3 wieder
angehoben, um die Halbleiterscheibe 1 vom Drehteller 4 abzuheben und die
Stifte werden in Abhängigkeit vom gemessenen Versatz in horizontaler Rich
tung bewegt, um die Scheibe zum Drehteller 4 zu zentrieren. Anschließend
wird die Scheibe wieder auf dem Drehteller 4 abgesetzt, um den obigen Meß
vorgang zu wiederholen und sicherzustellen, daß die Scheibe 1 nunmehr zum
Drehteller 4 zentriert ist. Dieser Vorgang wird so lange wiederholt, bis eine
vollständige Zentrierung erreicht ist.
Neben der Messung des seitlichen Versatzes ist die Kamera 5 in der Lage,
eine Markierung in der Form einer Aussparung, die auch als Notch bekannt
ist, oder einer Abflachung des Randes der Scheibe 1, die auch als Flat be
kannt ist, zu erkennen die die Kristallrichtung der Scheibe angibt. Nach der
oben beschriebenen Zentrierung wird der Drehteller 4 in eine gewünschte
Richtung gedreht, um die Markierung in eine vorbestimmte Position zu brin
gen. Die Positionierung wird über die Kamera überwacht, die dann auch
gleichzeitig die in die Halbleiterscheibe eingearbeitete ID-Nummer, die bei
spielsweise die Form eines Strichkodes oder einer Zahlenfolge besitzt, ab
liest.
Das oben beschriebene Ausrichtverfahren ist sehr aufwendig, und da es meh
rere sich wiederholende Schritte umfaßt, ist es auch sehr zeitintensiv, wo
durch sich ein geringer Durchsatz ergibt. Darüber hinaus ist eine umfangrei
che Software zur Steuerung der unterschiedlichen Elemente sowie eine An
saugvorrichtung zum Halten der Scheibe auf dem Drehteller notwendig, was
die Kosten für die Vorrichtung unnötig erhöht.
Durch mechanische Bewegungen von Motoren oder anderen Teilen der Anla
ge kann es zu Vibrationen erzeugenden Resonanzeffekten kommen, durch die
eine auf den Stiften aufliegende Scheibe verschoben, und somit die Zentrie
rung beeinflußt werden kann. Ein weiteres Problem ergibt sich durch das An
saugen des Wafers an den Drehteller, da hierdurch in der Umgebung befindli
che Staubpartikel angesogen werden, die sich großflächig im Bereich der An
saugöffnungen auf der Waferoberfläche ansammeln, wie in den Fig. 12a
und 12b gezeigt ist. Verunreinigungen dieser Art können die Brauchbarkeit
der Halbleiterscheibe jedoch stark beeinträchtigen.
Fig. 12a zeigt die Unterseite einer Halbleiterscheibe 1, bevor sie auf einem
Drehteller angesaugt wurde, und Fig. 12b zeigt die Oberfläche des Wafers
nach dem Ansaugen auf den Drehteller. Wie in Fig. 12a zu erkennen ist, be
findet sich eine geringe, über die gesamte Oberfläche verteilte Anzahl von
Verunreinigungen auf der Unterseite des Wafers. Wie jedoch in Fig. 12b zu
erkennen ist, sammeln sich durch das Ansaugen der Halbleiterscheibe eine
große Anzahl von Partikeln auf der Unterseite an, und zwar insbesondere in
dem Bereich, in dem die Ansaugvorrichtung des Drehtellers die Scheibe 1 an
saugt.
Aus der DE-A-35 06 782 ist eine Vorrichtung zum Ausrichten der Kanten eines
Wafers bekannt, bei der der Wafer wiederum auf einem Drehteller positioniert
wird. Der Drehteller weist eine Unterdruck-Ansaugvorrichtung auf, um die
Scheibe fest daran zu halten. Während die Scheibe angesaugt ist, wird der
Drehteller um seine Drehachse gedreht, und ein seitlicher Versatz der Schei
be bezüglich der Drehachse wird mit Hilfe einer Photodetektorreihe gemes
sen, um zur nachfolgenden Zentrierung des Wafers verwendet zu werden.
Die US-A-3,982,627 beschreibt eine Vorrichtung zum automatischen Aus
richten eines Wafers, bei der der Wafer auf einer Schrägen Auflage abgelegt
wird. Aufgrund der Schräge rutscht der Wafer gegen einen drehbaren An
schlag. Zum Ausrichten des Wafers wird der drehbare Anschlag und somit der
Wafer gedreht, bis er eine gewünschte Position erreicht. Während der Dre
hung des Wafers wird er über ein Luftkissen von der Auflage beabstandet ge
halten.
Ausgehend von der zuvor beschriebenen Vorrichtung liegt der vorliegenden
Erfindung die Aufgabe zugrunde, eine Vorrichtung und ein Verfahren zum
Ausrichten von scheibenförmigen Substraten, insbesondere Halbleiterwafern,
mit einer Ausrichtungs-Erfassungseinheit anzugeben, welche auf einfache
und kostengünstige Weise eine Ausrichtung des Substrats ermöglicht und ei
ne einfache Integration in bestehende Wafer-Behandlungsanlagen erlaubt.
Dabei beinhaltet eine Ausrichtung nicht nur eine räumliche Anordnung son
dern auch eine bestimmte Drehanordnung des Substrates.
Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe bei einer Vorrichtung der Eingangs ge
nannten Art durch wenigstens eine bewegbare erste Auflage zum Aufnehmen
des Substrats, die eine Auflageebene bildet, eine Einrichtung zum Kippen der
ersten Auflage bezüglich der Horizontalen, um die Auflageebene in eine zur
Horizontalen schräge Position zu bringen, einen Anschlag, gegen den das
Substrat aufgrund der Schräge bewegbar ist und eine Drehvorrichtung zum
Drehen des Substrats gelöst. Die bewegbare erste Auflage ermöglicht ein
Ablegen und ein Entnehmen des Substrats in einer im wesentlichen horizon
talen Position, wodurch die Vorrichtung auf einfache Weise in bisher beste
hende Systeme, in denen Handhabungsvorrichtungen die Substrate in der
Regel in horizontalen Positionen halten, integriert werden kann. Eine Ände
rung der bisher verwendeten Handhabungsvorrichtungen ist dabei nicht erfor
derlich. Durch die schräge Auflage wird das Substrat automatisch in eine
räumlich festgelegte Position gegen den Anschlag bewegt. Durch die Drehvor
richtung läßt sich nunmehr das Substrat in eine vorgegebene Drehposition
bewegen, welche durch die Ausrichtungs-Erfassungseinheit erfaßt wird. Die
Positionierung und Ausrichtung erfolgt in einem einzigen Schritt und erfordert
keine aufwendige Steuerung von unterschiedlichen Elementen. Darüber hin
aus ist ein Ansaugen des Substrats nicht erforderlich, da ein seitliches Verrut
schen während der Drehung durch die Schräglage und den Anschlag nicht
möglich ist. Dadurch entfallen die mit der Ansaugvorrichtung anfallenden Ko
sten und Probleme.
Vorzugsweise weist die erste Auflage wenigstens zwei die Ebene bildende
erste Auflageelemente auf, welche eine möglichst freie Bewegung der Hand
habungsvorrichtung zum Be- und Entladen des Substrats ermöglichen. Dabei
sind vorzugsweise drei erste Auflageelemente, welche eine Dreipunktauflage
bilden, vorgesehen. Um bei einer Relativbewegung zwischen den Auflagee
lementen und dem Substrat eine Beschädigung des Substrats und die Erzeu
gung von Partikeln zu vermeiden, weisen die Auflageelemente wenigstens im
Auflagebereich ein Material mit geringer Reibung, insbesondere Teflon, auf.
Eine Beschädigung des Substrats bei einer Relativbewegung zwischen den
Auflageelementen und dem Substrat kann vorzugsweise auch dadurch ver
mieden werden, daß der Auflagebereich der Auflageelemente abgerundet ist.
Für eine gute Führung und zur Vermeidung einer Relativbewegung zwischen
dem Substrat und dem Anschlag beim Kippen der ersten Auflage, ist der An
schlag vorzugsweise ebenfalls kippbar. Vorzugsweise weist der Anschlag we
nigstens zwei voneinander beabstandete Anschlagstifte auf, um das Substrat
zumindest teilweise dazwischen aufzunehmen und eine feste räumliche Posi
tionierung des Substrats zu gewährleisten.
Bei einer besonders bevorzugten Ausführungsform der Erfindung ist wenig
stens einer der Anschlagstifte drehbar, wodurch auf besonders einfache und
kostengünstige Art und Weise das daran anliegende Substrat gedreht werden
kann. Für eine gute und gleichmäßige Drehung des Substrats und zur Ver
meidung von Relativbewegungen zwischen den Anschlagstiften und dem
Substrat sind die Anschlagstifte vorzugsweise synchron zueinander drehbar.
Dies wird vorzugsweise über ein gemeinsames Antriebselement, wie z. B. ei
nen mit den Anschlagstiften in Eingriff stehenden gemeinsamen Antriebsrie
men erreicht.
Um eine genaue Ausrichtung insbesondere einer Kristallrichtung des Sub
strats zu ermöglichen, ist die Drehvorrichtung in Abhängigkeit von einer durch
die Erfassungseinheit ermittelten Ausrichtung des Substrats steuerbar.
Bei einer besonders bevorzugten Ausführungsform der Erfindung sind die
Auflageelemente und/oder die Anschlagstifte auf einer gemeinsamen Platte
angeordnet, die vorzugsweise kippbar ist.
Gemäß einer weiteren Ausführungsform der Erfindung weist die Vorrichtung
eine zweite, eine im wesentlichen horizontale Ebene bildende Auflage zum
Aufnehmen des Substrats auf. Dabei sind die erste und die zweite Auflage
vorzugsweise relativ zueinander bewegbar, um das Substrat von einer Aufla
ge auf die andere zu übergeben und das Substrat insbesondere aus einer ho
rizontalen Stellung in eine schräge Stellung zu bringen. Vorzugsweise weist
die zweite Auflage wenigstens zwei die horizontale Ebene bildende zweite
Auflageelemente auf, die vorzugsweise abgerundete Auflageflächen aufwei
sen, um bei einer Relativbewegung zwischen Substrat und Auflageelement
eine Beschädigung des Substrats an Kanten der Auflageelemente zu vermei
den.
Bei einer einfachen Ausführungsform der Erfindung sind die zweiten Auflage
elemente stationär ausgebildet. Dabei erstrecken sich die zweiten Auflagee
lemente vorzugsweise durch Öffnungen in der Platte, an der die ersten Aufla
geelemente und/oder die Anschlagstifte angebracht sind.
Gemäß einer alternativen Ausführungsform sind die zweiten Auflageelemente
mit der Platte und relativ zu ihr bewegbar, um beim Verkippen der Platte eine
Übergabe des Substrats von den zweiten Auflageelementen zu den ersten
Auflageelementen und umgekehrt mit einem möglichst geringen Grad an Re
lativbewegung zwischen dem Substrat und den zweiten Auflageelementen zu
ermöglichen. Ferner läßt sich hierdurch erreichen, daß sich die Auflageflä
chen der zweiten Auflageelemente immer im wesentlichen parallel zu einer
Auflagefläche des Substrats erstrecken. Dabei sind die Auflageelemente vor
zugsweise in eine vom Substrat wegweisende Richtung vorgespannt.
Um eine automatische Anpassung der Ausrichtvorrichtung an Substrate mit
unterschiedlichen Durchmessern zu ermöglichen, weist die Vorrichtung vor
zugsweise eine Einrichtung zum Messen des Substratdurchmessers auf. Vor
zugsweise ist der Abstand zwischen den Anschlagstiften in Abhängigkeit vom
Substratdurchmesser einstellbar, um hierdurch eine genaue und für Substrate
mit unterschiedlichen Durchmessern gleichbleibende Positionierung des Sub
stratmittelpunkts zu erreichen.
Um eine Drehung des Substrats vorzusehen, sind die ersten Auflageelemente
bei einer Ausführungsform der Erfindung um einen gemeinsamen Mittelpunkt
drehbar, der vorzugsweise mit dem Mittelpunkt des Wafers zusammenfällt.
Durch eine Drehung der ersten Auflageelemente wird eine Relativbewegung
zwischen dem Substrat und den Auflageelementen während der Drehung
vermieden, wodurch die Gefahr einer Beschädigung des Substrats verringert
wird. Dabei sind die ersten Auflageelemente vorzugsweise auf einem drehba
ren Element angeordnet.
Bei Substraten mit unterschiedlichen Substratdurchmessern wird der Mittel
punkt der Substrate bei der Ausrichtung in unterschiedlichen Stellen positio
niert, sofern nicht eine gleichmäßige Positionierung des Mittelpunkts über eine
vom Substratdurchmesser abhängige Einstellung der Anschlagstifte erfolgt.
Um daher eine zentrierte Aufnahme des Substrats auf einer Substrat-
Handhabungsvorrichtung nach der Ausrichtung zu gewährleisten, wird die
Bewegung der Handhabungsvorrichtung gemäß einer Ausführungsform der
Erfindung in Abhängigkeit vom Substratdurchmesser gesteuert.
Bei einer weiteren Ausführungsform der Erfindung wird eine Zentrierung zwi
schen Substrat und Handhabungsvorrichtung durch eine Einrichtung zum
synchronen Bewegen der ersten oder zweiten Auflage abhängig vom Sub
stratdurchmesser erreicht. Hierdurch wird nach dem Zurückkippen der ersten
Auflage eine genaue, und für Substrate mit unterschiedlichen Durchmessern
gleichbleibende Positionierung des Substratmittelpunkts erreicht, sodaß eine
besondere Steuerung der Handhabungsvorrichtung entfällt.
Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe wird auch durch ein Verfahren
zum Ausrichten von scheibenförmigen Substraten, insbesondere Halbleiter
wafern, gelöst, indem das Substrat auf einer Ausrichtvorrichtung abgelegt
wird, eine bewegbare erste Auflage der Ausrichtvorrichtung in eine zur Hori
zontalen schräge Stellung bewegt, insbesondere gekippt wird, um das Sub
strat in eine zur Horizontalen schräge Stellung und aufgrund der Schräge ge
gen wenigstens einen Anschlag zu bringen, und das Substrat in eine vorgegebene
Drehposition, die mit einer Erfassungseinheit überwacht wird, gedreht
wird. Hierdurch ergeben sich die schon unter Bezug auf die Vorrichtung ge
nannten Vorteile, und zwar insbesondere eine einfache und kostengünstige
Ausrichtung von Substraten, die zeitsparend in einer einzelnen Abfolge von
Schritten erfolgt. Durch Bewegen, insbesondere Kippen der Auflage kann
das Substrat zunächst in einer im wesentlichen horizontalen Position auf der
Ausrichtvorrichtung abgelegt werden, wie es bei bisherigen Vorrichtungen der
Fall war. Hierdurch ergibt sich eine gute Kompatibilität des erfindungsgemä
ßen Verfahrens mit bestehenden Substrat-Handhabungsvorrichtungen zum
Transport des Substrats.
Um eine gute Führung des Substrats sicherzustellen und eine Relativbewe
gung zwischen dem Substrat und anderen Elementen zu reduzieren, werden
die Auflage und der Anschlag vorzugsweise gemeinsam bewegt.
Für eine einfache Drehung des Substrats wird es vorzugsweise durch Drehen
wenigstens eines Anschlagelementes des Anschlags gedreht. Dabei werden
für eine möglichst gleichmäßige Drehung vorzugsweise zwei beabstandete
Anschlagelemente gedreht.
Vorzugsweise wird die Drehung des Substrats in Abhängigkeit von einer
durch die Erfassungseinheit ermittelten Ausrichtung des Substrats gesteuert,
um eine ordnungsgemäße und genaue Positionierung des Substrats in Dreh
richtung zu gewährleisten.
Vorteilhafterweise wird der Durchmesser des Substrats ermittelt und bei einer
bevorzugten Ausführungsform der Erfindung wird der Abstand zwischen den
Anschlagelementen in Abhängigkeit vom Durchmesser des Substrats einge
stellt. Hierdurch wird eine genaue und gleichbleibende Positionierung eines
Mittelpunkts des Substrats unabhängig von seinem Durchmesser ermöglicht.
Um eine Relativbewegung zwischen dem Substrat und der Auflage zu vermei
den, wird das Substrat vorzugsweise durch eine Drehung der Auflage gedreht.
Bei einer Ausführungsform der Erfindung wird die Bewegung einer Substrat-
Handhabungsvorrichtung in Abhängigkeit vom Durchmesser des Substrats
gesteuert, um eine zentrierte Aufnahme des Substrats zu gewährleisten. Bei
einer weiteren Ausführungsform wird die zentrierte Aufnahme dadurch er
reicht, daß die Auflageelemente der ersten oder der zweiten Auflage nach
dem Zurückkippen der ersten Auflage abhängig vom Substratdurchmesser
synchron in eine Richtung bewegt werden
Weitere Merkmale, Vorteile und Einzelheiten der Erfindung werden nachfol
gend anhand bevorzugter Ausführungsbeispiele unter Bezugnahme auf die
Figuren erläutert. Es zeigen:
Fig. 1a und b eine schematische Seitenansicht sowie eine Draufsicht auf
eine Vorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung;
Fig. 2a und b eine schematische Seitenansicht sowie eine Draufsicht
ähnlich zu Fig. 1, mit einem auf der Vorrichtung abgelegten
Halbleiterwafer;
Fig. 3 eine schematische Seitenansicht der Vorrichtung gemäß
Fig. 2a in einer Ausgangsposition;
Fig. 4 eine schematische Seitenansicht der Vorrichtung gemäß
Fig. 3 in einer zweiten, gekippten Position;
Fig. 5 eine Draufsicht auf die Vorrichtung in ihrer gekippten Posi
tion;
Fig. 6 eine schematische Darstellung von Halbleitersubstraten mit
unterschiedlichen Durchmessern, wie sie an einem nicht
beweglichen Anschlag der erfindungsgemäßen Vorrichtung
anliegen;
Fig. 7 eine schematische Darstellung von Halbleiterwafern mit
unterschiedlichen Durchmessern, wie sie an einem beweg
lichen Anschlag gemäß der erfindungsgemäßen Vorrich
tung anliegen;
Fig. 8 eine vergrößerte Darstellung einer erfindungsgemäßen
Vorrichtung gemäß Fig. 1;
Fig. 9 eine schematische Seitenansicht einer alternativen Ausfüh
rungsform einer Ausrichtvorrichtung gemäß der vorliegen
den Erfindung;
Fig. 10 eine schematische Seitenansicht einer Vorrichtung gemäß
Fig. 9 in einer gekippten Stellung;
Fig. 11a-d schematische Seitenansichten einer herkömmlichen Aus
richtvorrichtung, die den Arbeitsablauf der Vorrichtung dar
stellen;
Fig. 12 das Ergebnis einer Oberflächenabtastung vor und nach
einem Ausrichtvorgang auf der herkömmlichen Ausrich
tungsvorrichtung.
Die Fig. 1a und b zeigen eine schematische Seitenansicht bzw. eine
Draufsicht auf eine Vorrichtung 10 zum Ausrichten von scheibenförmigen
Halbleiterwafern 12 (siehe Fig. 2). Die Vorrichtung 10 weist eine Platte 14 auf,
die, wie nachfolgend noch beschrieben wird, kippbar ist. Die Platte 14 weist
drei sich von unten nach oben durch die Platte 14 erstreckende ovale Öffnun
gen 16 auf. Drei Auflagestifte 18 erstrecken sich durch die Öffnungen 16 in
der Platte 14 und sind an einer nicht näher dargestellten Grundplatte befe
stigt. Die Auflagestifte 18 bilden eine Dreipunktauflage mit einer im wesentli
chen horizontalen Auflageebene zur Aufnahme des Halbleiterwafers 12, wie
am besten in Fig. 2a zu erkennen ist. Auf einer Oberseite 20 der Platte 14 be
finden sich drei Teflonscheiben 22, die, wie nachfolgend noch beschrieben
wird, als Auflageelemente für den Halbleiterwafer 12 dienen, wenn die Platte
14 bezüglich der Horizontalen gekippt wird. Statt der drei Stifte 18 und der
drei Scheiben 22 ist es auch möglich, jeweils zwei langgestreckte Elemente
vorzusehen, die eine Auflageebene bilden und einen sicheren Halt des Wa
fers erlauben.
An der Platte 14 sind ferner zwei drehbare Anschlagstifte 24 vorgesehen. Die
Anschlagstifte 24 sind über einen nicht näher dargestellten Antriebsmecha
nismus drehbar, wobei die zwei Stifte über einen gemeinsamen Antriebsrie
men miteinander verbunden sind, um eine synchrone Drehung der beiden
Stifte zu erreichen.
Fig. 3 zeigt eine schematische Seitenansicht der Vorrichtung 10 mit einem
darauf abgelegten Wafer 12 in einer Ausgangsstellung. Der Wafer 12 ruht auf
den Auflagestiften 18, und die Platte 14 befindet sich in einer horizontalen
Ausrichtung.
Fig. 4 zeigt die Vorrichtung 10 in einer anderen Position. Die Platte 14 ist zur
Horizontalen gekippt, so daß der Wafer 12 nicht mehr auf den stationären
Auflagestiften 18, sondern auf den Teflonscheiben 22 aufliegt und sich daher
ebenfalls in einer schrägen Stellung befindet. Durch die Schräge und dadurch,
daß Teflon einen geringen Reibungswiderstand besitzt, rutscht der Wafer 12
gegen die Anschlagstifte 24 und wird dazwischen zentriert, wie am besten in
der Draufsicht gemäß Fig. 5 zu sehen ist. In dieser Stellung werden die Anschlagstifte
24 gedreht, um den Wafer 12 um seine Mittelachse zu drehen,
wie ebenfalls am besten in der Draufsicht gemäß Fig. 5 zu sehen ist.
Es ist bekannt, daß Halbleiterwafer in der Regel eine Kerbe, die auch als
Notch bezeichnet wird, oder eine Abflachung, die auch als Flat bekannt ist,
aufweisen, anhand derer die Kristallrichtung des Wafers bestimmt werden
kann. Die Vorrichtung 10 weist eine nicht näher dargestellte Sensoreinrich
tung, wie beispielsweise eine Kamera oder eine CCD-Zeile auf, die in der La
ge ist, die Markierung des Wafers zu erkennen und dessen Position während
der oben genannten Drehung des Wafers um seine Mittelachse zu bestim
men. Um eine gewünschte Kristallausrichtung des Wafers 12 zu erreichen,
wird seine Drehung so gesteuert, daß die Markierung des Wafers in eine vor
bestimmte Position, die von der Sensoreinrichtung erkannt wird, gedreht wird.
Die Drehung wird daher anhand der vom Sensor ermittelten Position der Mar
kierung gesteuert.
Wenn sich die Markierung in der vorbestimmten Position befindet, ist der
Halbleiterwafer sowohl räumlich als auch bezüglich seiner Kristallrichtung
ausgerichtet. Nun wird die Platte 14 zurückgekippt, wodurch der Wafer 12
wieder auf den Auflagestiften 18 abgelegt wird. Der Wafer 12 befindet sich
nun in einer genau bestimmten räumlichen sowie bezüglich seiner Kristall
richtung ausgerichteten Position auf den Auflagestiften 18. Zum Entnehmen
des Substrats 12 wird eine Substrat-Handhabungsvorrichtung derart unter den
Wafer 12 bewegt, daß sie ihn zentriert aufnimmt und zur weiteren Verarbei
tung abtransportiert.
Bei dem zuvor beschriebenen Ausführungsbeispiel sind die Anschlagstifte 24
örtlich auf der Platte 14 fixiert. Wenn Halbleiterwafer mit unterschiedlichen
Durchmessern auf der Vorrichtung 10 abgelegt und anschließend ausgerichtet
werden, liegt der Mittelpunkt der jeweiligen Wafer an unterschiedlichen Stel
len, wie in Fig. 6 zu erkennen ist. Bei Wafern mit geringeren Durchmessern
rückt der Mittelpunkt der Wafer näher an eine durch die Anschlagstifte 24 ge
hende Gerade A heran.
Um den Durchmesser des Wafers und somit dessen Mittelpunkt nach der Aus
richtung genau zu bestimmen, ist ein Sensor zum Messen des Waferdurch
messers vorgesehen. Diese Funktion wird durch den Ausrichtungssensor, d. h.
beispielsweise durch eine Kamera oder CCD-Zeile ausgeführt. Eine Län
genskala auf der Platte 14 wird durch die Kamera oder CCD-Zeile abgelesen,
wodurch der Waferdurchmesser bekannt ist. Die Bewegung der Handha
bungsvorrichtung zum Entnehmen des Halbleiterwafers wird in Abhängigkeit
vom so ermittelten Waferdurchmesser gesteuert, so daß sie den Wafer immer
genau zentriert aufnimmt. Natürlich sind auch andere Arten der Ermittlung des
Waferdurchmessers möglich.
Fig. 7 zeigt schematisch eine alternative Ausführungsform der Erfindung, bei
der im wesentlichen die selben Bauteile wie bei dem ersten Ausführungsbei
spiel vorgesehen sind. Statt ein Paar seitlich fixierter Anschlagstifte 24 vorzu
sehen, sind die Anschlagstifte 24 seitlich bewegbar auf der Platte 14 ange
bracht. Durch eine seitliche Bewegung der Anschlagelemente 24 aus einer in
Fig. 7 gezeigten ersten Position, die durch einen ausgefüllten Punkt darge
stellt ist, zu einer zweiten Position, die durch einen Kreis dargestellt ist, ist es
möglich, Halbleiterwafer mit unterschiedlichen Durchmessern so aufzuneh
men, daß deren Mittelpunkt immer auf der selben Position liegt. Hierzu ist es
wiederum notwendig, den Durchmesser des Wafers zu ermitteln und an
schließend die Anschlagstifte seitlich zu bewegen, so daß der Mittelpunkt des
Substrats auf einem vorbestimmten Punkt liegt. Hierdurch ergibt sich der
Vorteil, daß die Substrat-Handhabungsvorrichtung unabhängig vom Wafer
durchmesser immer in die selbe Position fahren kann, um den Wafer zentriert
aufzunehmen. Darüber hinaus wird hierdurch eine Zentrierung des Wafers
bezüglich der Teflonauflagen 22 unabhängig vom Waferdurchmesser ermög
licht. In diesem Zusammenhang ist es möglich, die Teflonauflagen 22 derart
anzuordnen, daß sie auf einem Kreis liegen, dessen Mittelpunkt mit den Mit
telpunkten der Wafer zusammenfällt. Indem man die Teflonauflagen auf einem
drehbaren Element, wie z. B. einem Drehteller oder einem drehbaren Kreis
ring anordnet, kann die Drehung des Wafers, und somit die Ausrichtung des
Wafers bezüglich Notch oder Flat, über die Teflonscheiben erfolgen. Hier
durch wird insbesondere eine Reibung zwischen den Teflonscheiben und dem
Wafer vermieden, da es während der Drehung zu keiner Relativbewegung
zwischen dem Wafer und den Aufschlagscheiben kommt.
Für eine Zentrierung des Wafers bezüglich einer Handhabungsvorrichtung
unabhängig von seinem Durchmesser ist es auch möglich, die Auflagestifte 18
oder die Teflonscheiben 22 bzw. die Kippplatte linear zu bewegen.
Bei einer weiteren Ausführungsform wird die zentrierte Aufnahme dadurch
erreicht, daß die Auflageelemente der ersten oder der zweiten Auflage nach
dem Zurückkippen der ersten Auflage abhängig vom Substratdurchmesser
synchron in eine Richtung bewegt werden
Fig. 8 zeigt, wie die Platte 14 der Vorrichtung 1 gemäß Fig. 1 nach einem
Ausrichtvorgang zurückgekippt wird. Bei der in Fig. 8 gezeigten Stellung ist
der Wafer 12 teilweise auf einem der Auflagestifte 18 und teilweise auf einer
der Teflonscheiben 22 aufgenommen. Dabei kommt es bei der Kippbewegung
der Platte 14 zu einer Relativbewegung zwischen der eingekreisten Kante des
Auflagestifts 18 sowie der eingekreisten Kante der Teflonscheibe 22, da der
Wafer von den Anschlagstiften 24 nach rechts gedrückt wird. Dies kann zu
unerwünschter Partikelbildung sowie zu Kratzern auf der Waferoberfläche füh
ren.
Daher sind bei einer nicht näher dargestellten bevorzugten Ausführungsform
der Erfindung die Kanten der Auflagestifte 18 sowie der Teflonscheiben 22
bzw. deren gesamten Auflagefläche abgerundet, wodurch ein Abrollen des
Wafers auf den Stiften bzw. Scheiben erreicht wird. Insbesondere werden
Kratzer durch Kanten der Auflagestifte bzw. der Teflonscheiben vermieden.
Die Fig. 9 und 10 zeigen eine alternative Vorrichtung 30 zum Ausrichten
von Halbleiterwafern 32. Die Vorrichtung 30 weist eine Basisplatte 34 und eine
Kippplatte 36 auf, die über eine Gelenkverbindung 37 schwenkbar mitein
ander verbunden sind.
An der Kippplatte 36 sind wie beim ersten Ausführungsbeispiel drehbare An
schlagstifte 38 angebracht, die über eine nicht näher dargestellte Vorrichtung
um ihre Mittelachse drehbar sind. An der Kippplatte 36 sind ferner erste Auf
lagestifte 40 sowie zweite Auflagestifte 42 angeordnet. Es sind jeweils drei
erste und zweite Auflagestifte 40, 42 vorgesehen, die jeweils eine Drei
punktauflage für den Halbleiterwafer 32 bilden.
Die Auflagestifte 40 erstrecken sich durch die Kippplatte 36 hindurch und sind
relativ zur Kippplatte 36 bewegbar. Die Bewegung der Auflagestifte 40 relativ
zur Kippplatte 36 wird durch eine obere und eine untere Begrenzungsscheibe
44, 46 begrenzt, die oberhalb bzw. unterhalb der Kippplatte 36 angeordnet
sind. Zwischen der unteren Begrenzungsscheibe 46 und einer Unterseite der
Kippplatte 36 ist eine Feder 48 angeordnet, die den Auflage 40 nach
unten, d. h. vom Halbleiterwafer 32 weg, vorspannt. Der Auflagestift 40 besitzt
einen Fuß 50, der in einer ersten Position der Kippplatte 36, wie sie in Fig. 9
gezeigt ist, mit einer Oberseite der Basisplatte 34 in Kontakt steht und den
Auflagestift 40 entgegen der Federvorspannung nach oben durch die Platte
36 hindurchdrückt. In dieser ersten, in Fig. 9 dargestellten Position, bilden die
Auflagestifte 40 eine im wesentlichen horizontale Auflageebene, die über ei
ner durch die Auflagestifte 42 gebildete Auflageebene liegt.
Wenn die Kippplatte 36 bezüglich der Basisplatte 34 gekippt wird, entfernen
sich die Füße 50 der Auflagestifte 40 von der Oberseite der Basisplatte 34
und die Auflagestifte 40 bewegen sich durch die Federvorspannung vom Sub
strat 32 weg. Diese Bewegung wird durch die obere Begrenzungsscheibe 44
begrenzt, wie in Fig. 10 zu erkennen ist. In dieser Stellung liegt die durch die
Auflagestifte 40 gebildete Auflageebene unterhalb der von den Auflagestiften
42 gebildeten Auflageebene, so daß das Substrat nunmehr auf den Auflage
stiften 42 ruht. In dieser Stellung rutscht der Wafer 32 gegen die Anschlagstifte
38 und wird wie bei dem ersten Ausführungsbeispiel dazwischen zen
triert und wie zuvor beschrieben ausgerichtet.
Nach der Ausrichtung wird die Platte 36 zurückgekippt, wodurch die Füße 50
der Auflagestifte 40 mit der Basisplatte 34 in Eingriff kommen und die Stifte
entgegen ihrer Federvorspannung in Richtung des Halbleiterwafers 32 drüc
ken. Die Füße 50 der Auflagestifte 40 sind abgerundet, um sich beim Zurück
kippen auf der Grundplatte abzurollen und ein Verkanten der Stifte innerhalb
der Kippplatte 36 zu vermeiden. Da die Auflagestifte 40 mit der Kippplatte 36
gekippt werden, sind deren Auflageflächen stets parallel zur Waferoberfläche,
wodurch ein Aufsetzen des Wafers auf nur einer Stiftkante sowie eine Relativ
bewegung zwischen den Auflagestiften 40 und dem Wafer 32 beim Zurückkip
pen im wesentlichen ausgeschlossen wird.
Obwohl die Erfindung anhand bevorzugter Ausführungsbeispiele beschrieben
wurde, ist die vorliegende Erfindung nicht darauf beschränkt. Insbesondere ist
es möglich, die Auflagestifte 18 und 40 gemäß den Ausführungsbeispielen
wegzulassen, wodurch die Halbleiterwafer direkt auf den Teflonscheiben 22
bzw. den Auflagestiften 42 abgelegt würden. Auch ist es zwingend nicht not
wendig, eine kippbare Platte vorzusehen. Eine schräge Auflageebene läßt
sich auch durch eine Relativbewegung in Vertikalrichtung zwischen den Auf
lageelementen erreichen. Ferner ist es auch möglich, die Halbleiterwafer auf
einer stationären, eine zur Horizontalen schräge Ebene bildende Auflagevor
richtung abzulegen. Für diesen Fall wäre es notwendig, eine Wafer-
Handhabungsvorrichtung vorzusehen, die die Wafer in die schräge Position
bringt und auf der Auflagevorrichtung ablegt. Das Problem einer Partikelan
sammlung auf dem Wafer läßt sich dadurch vermindern, daß eine Partikel-
Absaugvorrichtung vorgesehen wird, die insbesondere im gekippten Zustand
der Platte auf dem Wafer befindliche Partikel nach unten absaugt.
Claims (34)
1. Vorrichtung (10; 30) zum Ausrichten von scheibenförmigen Substraten
(12; 32), insbesondere Halbleiterwafern, mit einer Ausrichtungs-
Erfassungseinheit, gekennzeichnet durch
wenigstens eine bewegbare erste Auflage (22; 42) zum Aufnehmen des Substrats (12; 32), die eine Auflageebene bildet;
eine Einrichtung (14; 36) zum Kippen der ersten Auflage (22, 42) bezüg lich der Horizontalen, um die Auflageebene in eine zur Horizontalen schräge Position zu bringen;
einen Anschlag (24; 38), gegen den das Substrat aufgrund der Schräge bewegbar ist; und
eine Drehvorrichtung (24; 38) zum Drehen des Substrats.
wenigstens eine bewegbare erste Auflage (22; 42) zum Aufnehmen des Substrats (12; 32), die eine Auflageebene bildet;
eine Einrichtung (14; 36) zum Kippen der ersten Auflage (22, 42) bezüg lich der Horizontalen, um die Auflageebene in eine zur Horizontalen schräge Position zu bringen;
einen Anschlag (24; 38), gegen den das Substrat aufgrund der Schräge bewegbar ist; und
eine Drehvorrichtung (24; 38) zum Drehen des Substrats.
2. Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die erste
Auflage (22; 42) wenigstens zwei, die Ebene bildende erste Auflageele
mente (22; 42) aufweist.
3. Vorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten
Auflageelemente (22; 42) wenigstens im Auflagebereich ein Material mit
geringer Reibung, insbesondere Teflon, aufweisen.
4. Vorrichtung nach Anspruch 2 oder 3, dadurch gekennzeichnet, daß der
Auflagebereich der Auflageelemente abgerundet ist.
5. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge
kennzeichnet, daß der Anschlag (24; 38) kippbar ist.
6. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge
kennzeichnet, daß der Anschlag (24; 38) wenigstens zwei voneinander
beabstandete Anschlagstifte (24; 38) aufweist.
7. Vorrichtung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens
einer der Anschlagstifte (24; 38) drehbar ist.
8. Vorrichtung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die An
schlagstifte (24; 38) synchron zueinander drehbar sind.
9. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Drehvorrichtung (24; 38) in Abhängigkeit von einer
durch die Erfassungseinheit ermittelten Ausrichtung des Substrats (12;
32) steuerbar ist.
10. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Auflageelemente (22; 42) und/oder die Anschlag
stifte (24; 38) auf einer gemeinsamen Platte (14; 36) angeordnet sind.
11. Vorrichtung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Platte
(14; 36) kippbar ist.
12. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet
durch eine zweite, eine im wesentlichen horizontale Ebene bildende
Auflage (18; 40) zum Aufnehmen des Substrats.
13. Vorrichtung nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die erste
(22; 42) und die zweite Auflage (18; 40) relativ zueinander bewegbar
sind.
14. Vorrichtung nach Anspruch 12 oder 13, dadurch gekennzeichnet, daß die
zweite Auflage (18; 40) wenigstens zwei die horizontale Ebene bildende
zweite Auflageelemente (18; 40) aufweist.
15. Vorrichtung nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß die zweiten
Auflageelemente (18; 40) stationär ausgebildet sind.
16. Vorrichtung nach Anspruch 14 oder 15, dadurch gekennzeichnet, daß
sich die zweiten Auflageelemente (18; 40) durch Öffnungen in der Platte
(14; 36) erstrecken.
17. Vorrichtung nach Anspruch 14 oder 16, dadurch gekennzeichnet, daß die
zweiten Auflageelemente (40) mit der Platte (36) und relativ zu Ihr be
wegbar sind.
18. Vorrichtung nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß die zweiten
Auflageelemente (40) in eine vom Substrat (32) weg weisende Richtung
vorgespannt sind.
19. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet
durch eine Einrichtung zum Messen des Substratdurchmessers.
20. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge
kennzeichnet, daß der Abstand zwischen den Anschlagstiften (24; 38) in
Abhängigkeit vom Substratdurchmesser einstellbar ist.
21. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge
kennzeichnet, daß die ersten Auflageelemente (22; 42) um einen ge
meinsamen Mittelpunkt drehbar sind.
22. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge
kennzeichnet, daß die ersten Auflageelemente (22; 42) auf einem dreh
baren Element angeordnet sind.
23. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, gekennzeichnet
durch eine Substrat-Handhabungsvorrichtung zum Transport des Sub
strats (12; 32), wobei die Bewegung der Handhabungsvorrichtung in Ab
hängigkeit vom Substratdurchmesser steuerbar ist.
24. Vorrichtung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch ge
kennzeichnet, daß die ersten (22; 42) und/oder die zweiten Auflageele
mente (18; 40) in Abhängigkeit vom Substratdurchmesser synchron in
eine Richtung bewegbar sind.
25. Verfahren zum Ausrichten von scheibenförmigen Substraten, insbeson
dere Halbleiterwafern, mit den folgenden Verfahrensschritten:
Ablegen des Substrats auf einer Ausrichtvorrichtung;
Bewegen, insbesondere Kippen einer bewegbaren ersten Auflage der Ausrichtvorrichtung in eine zur Horizontalen schräge Stellung, zum Be wegen des Substrats in eine zur Horizontalen schräge Stellung, in der das Substrat aufgrund der Schräge gegen wenigstens einen Anschlag anliegt;
Drehen des Substrats in eine vorgegebene Drehposition; und
Überwachen der Drehposition mit einer Erfassungseinheit.
Ablegen des Substrats auf einer Ausrichtvorrichtung;
Bewegen, insbesondere Kippen einer bewegbaren ersten Auflage der Ausrichtvorrichtung in eine zur Horizontalen schräge Stellung, zum Be wegen des Substrats in eine zur Horizontalen schräge Stellung, in der das Substrat aufgrund der Schräge gegen wenigstens einen Anschlag anliegt;
Drehen des Substrats in eine vorgegebene Drehposition; und
Überwachen der Drehposition mit einer Erfassungseinheit.
26. Verfahren nach Anspruch 25, dadurch gekennzeichnet, daß die Auflage
und der Anschlag gemeinsam bewegt werden.
27. Verfahren nach einem der Ansprüche 25 oder 26, dadurch gekennzeich
net, daß das Substrat durch Drehen wenigstens eines Anschlagelements
des Anschlags gedreht wird.
28. Verfahren nach Anspruch 27, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens
zwei beabstandete Anschlagelemente gedreht werden.
29. Verfahren nach einem der Ansprüche 25 bis 28, dadurch gekennzeich
net, daß die Drehung des Substrats in Abhängigkeit von einer durch die
Erfassungseinheit ermittelten Ausrichtung des Substrats gesteuert wird.
30. Verfahren nach einem der Ansprüche 25 bis 29, dadurch gekennzeich
net, daß der Durchmesser des Substrats ermittelt wird.
31. Verfahren nach Anspruch 30, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand
zwischen den Anschlagelementen in Abhängigkeit vom Durchmesser des
Substrats eingestellt wird.
32. Verfahren nach einem der Ansprüche 25 bis 31, dadurch gekennzeich
net, daß das Substrat durch eine Drehung der Auflage gedreht wird.
33. Verfahren nach Anspruch 30, dadurch gekennzeichnet, daß die Bewe
gung einer Substrat-Handhabungsvorrichtung in Abhängigkeit vom
Durchmesser des Substrats gesteuert wird.
34. Verfahren nach Anspruch 30, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten
und/oder die zweiten Auflageelemente in Abhängigkeit vom Substrat
durchmesser synchron in eine Richtung bewegt werden.
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19957758A DE19957758C2 (de) | 1999-12-01 | 1999-12-01 | Vorrichtung und Verfahren zum Ausrichten von scheibenförmigen Substraten |
EP00981319A EP1238410A1 (de) | 1999-12-01 | 2000-11-29 | Vorrichtung und verfahren zum ausrichten von scheibenförmigen substraten |
US10/148,656 US7004716B2 (en) | 1999-12-01 | 2000-11-29 | Device and method for aligning disk-shaped substrates |
JP2001542368A JP2003515947A (ja) | 1999-12-01 | 2000-11-29 | 板状の基板を位置合わせするための装置および方法 |
KR1020027007017A KR100730428B1 (ko) | 1999-12-01 | 2000-11-29 | 디스크형 기판을 정렬하기 위한 장치 및 방법 |
PCT/EP2000/011955 WO2001041193A1 (de) | 1999-12-01 | 2000-11-29 | Vorrichtung und verfahren zum ausrichten von scheibenförmigen substraten |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19957758A DE19957758C2 (de) | 1999-12-01 | 1999-12-01 | Vorrichtung und Verfahren zum Ausrichten von scheibenförmigen Substraten |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE19957758A1 DE19957758A1 (de) | 2001-06-13 |
DE19957758C2 true DE19957758C2 (de) | 2001-10-25 |
Family
ID=7930957
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19957758A Expired - Fee Related DE19957758C2 (de) | 1999-12-01 | 1999-12-01 | Vorrichtung und Verfahren zum Ausrichten von scheibenförmigen Substraten |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7004716B2 (de) |
EP (1) | EP1238410A1 (de) |
JP (1) | JP2003515947A (de) |
KR (1) | KR100730428B1 (de) |
DE (1) | DE19957758C2 (de) |
WO (1) | WO2001041193A1 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10157932A1 (de) * | 2001-11-26 | 2003-06-12 | Siemens Ag | Verfahren zum Positionieren von Substraten und Positioniereinrichtung |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6935830B2 (en) * | 2001-07-13 | 2005-08-30 | Tru-Si Technologies, Inc. | Alignment of semiconductor wafers and other articles |
WO2003050514A2 (en) * | 2001-12-12 | 2003-06-19 | Therma-Wave, Inc. | Position-dependent optical metrology calibration |
KR100596050B1 (ko) * | 2002-10-31 | 2006-07-03 | 삼성코닝정밀유리 주식회사 | 유리기판의 이송시스템 |
US6844929B2 (en) * | 2003-04-09 | 2005-01-18 | Phase Shift Technology | Apparatus and method for holding and transporting thin opaque plates |
US9317922B2 (en) * | 2003-05-16 | 2016-04-19 | Board Of Regents The University Of Texas System | Image and part recognition technology |
DE10322772A1 (de) * | 2003-05-19 | 2004-08-19 | Infineon Technologies Ag | Halte- und Positioniervorrichtung sowie Verfahren zum Bearbeiten eines scheibenförmigen Gegenstands |
US7654596B2 (en) * | 2003-06-27 | 2010-02-02 | Mattson Technology, Inc. | Endeffectors for handling semiconductor wafers |
TWI241976B (en) * | 2004-05-27 | 2005-10-21 | Quanta Display Inc | Substrate transporting apparatus |
DE102004039443B4 (de) * | 2004-08-13 | 2023-05-25 | Beijing E-Town Semiconductor Technology, Co., Ltd. | Verfahren zum thermischen Behandeln von scheibenförmigen Substraten |
JP4963469B2 (ja) * | 2005-06-24 | 2012-06-27 | 株式会社アルバック | 位置修正装置、位置修正方法 |
JP4961895B2 (ja) * | 2006-08-25 | 2012-06-27 | 東京エレクトロン株式会社 | ウェハ搬送装置、ウェハ搬送方法及び記憶媒体 |
US20090181553A1 (en) | 2008-01-11 | 2009-07-16 | Blake Koelmel | Apparatus and method of aligning and positioning a cold substrate on a hot surface |
US8461022B2 (en) * | 2009-04-20 | 2013-06-11 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for aligning a substrate in a process chamber |
US20140219764A1 (en) * | 2013-02-04 | 2014-08-07 | Spintrac Systems, Inc. | Centering guide for wafers of different sizes |
JP6559986B2 (ja) * | 2015-03-20 | 2019-08-14 | リンテック株式会社 | 搬送装置および搬送方法 |
KR102099110B1 (ko) * | 2017-10-12 | 2020-05-15 | 세메스 주식회사 | 기판 정렬 장치, 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
JP7145648B2 (ja) * | 2018-05-22 | 2022-10-03 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法及び基板処理装置 |
CN110576351A (zh) * | 2019-09-24 | 2019-12-17 | 成都零柒叁科技有限公司 | 磨刀机刀具进出组件 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3982627A (en) * | 1974-03-13 | 1976-09-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Automatic wafer orienting apparatus |
US3993018A (en) * | 1975-11-12 | 1976-11-23 | International Business Machines Corporation | Centrifugal support for workpieces |
US5183378A (en) * | 1990-03-20 | 1993-02-02 | Tokyo Electron Sagami Limited | Wafer counter having device for aligning wafers |
DE3506782C2 (de) * | 1984-03-30 | 1994-10-27 | Svg Lithography Systems Inc | Vorjustiergerät für Wafer |
US5848670A (en) * | 1996-12-04 | 1998-12-15 | Applied Materials, Inc. | Lift pin guidance apparatus |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6057948A (ja) * | 1983-09-09 | 1985-04-03 | Sharp Corp | ウエハ−の搬送装置 |
US4887904A (en) * | 1985-08-23 | 1989-12-19 | Canon Kabushiki Kaisha | Device for positioning a semi-conductor wafer |
JPS6245143A (ja) * | 1985-08-23 | 1987-02-27 | Canon Inc | 円板物体の位置決め装置 |
JPS6245144A (ja) * | 1985-08-23 | 1987-02-27 | Canon Inc | 円板物体の位置決め装置 |
JPH04157752A (ja) * | 1990-10-19 | 1992-05-29 | Shinko Electric Co Ltd | 縦型半導体製造装置におけるキャリアステージ装置 |
US6116848A (en) * | 1997-11-26 | 2000-09-12 | Brooks Automation, Inc. | Apparatus and method for high-speed transfer and centering of wafer substrates |
JPH11214486A (ja) * | 1998-01-27 | 1999-08-06 | Komatsu Ltd | 基板処理装置 |
KR20190000990A (ko) * | 2017-06-26 | 2019-01-04 | 정재하 | 운전석 수동식 음료거치대 |
-
1999
- 1999-12-01 DE DE19957758A patent/DE19957758C2/de not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-11-29 KR KR1020027007017A patent/KR100730428B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-11-29 US US10/148,656 patent/US7004716B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-11-29 WO PCT/EP2000/011955 patent/WO2001041193A1/de not_active Application Discontinuation
- 2000-11-29 EP EP00981319A patent/EP1238410A1/de not_active Withdrawn
- 2000-11-29 JP JP2001542368A patent/JP2003515947A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3982627A (en) * | 1974-03-13 | 1976-09-28 | Canon Kabushiki Kaisha | Automatic wafer orienting apparatus |
US3993018A (en) * | 1975-11-12 | 1976-11-23 | International Business Machines Corporation | Centrifugal support for workpieces |
DE3506782C2 (de) * | 1984-03-30 | 1994-10-27 | Svg Lithography Systems Inc | Vorjustiergerät für Wafer |
US5183378A (en) * | 1990-03-20 | 1993-02-02 | Tokyo Electron Sagami Limited | Wafer counter having device for aligning wafers |
US5848670A (en) * | 1996-12-04 | 1998-12-15 | Applied Materials, Inc. | Lift pin guidance apparatus |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE10157932A1 (de) * | 2001-11-26 | 2003-06-12 | Siemens Ag | Verfahren zum Positionieren von Substraten und Positioniereinrichtung |
DE10157932B4 (de) * | 2001-11-26 | 2004-01-08 | Siemens Ag | Verfahren zum Positionieren von Substraten und Positioniereinrichtung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2001041193A1 (de) | 2001-06-07 |
EP1238410A1 (de) | 2002-09-11 |
KR100730428B1 (ko) | 2007-06-19 |
KR20020059832A (ko) | 2002-07-13 |
DE19957758A1 (de) | 2001-06-13 |
US20020172585A1 (en) | 2002-11-21 |
JP2003515947A (ja) | 2003-05-07 |
US7004716B2 (en) | 2006-02-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE19957758C2 (de) | Vorrichtung und Verfahren zum Ausrichten von scheibenförmigen Substraten | |
AT405775B (de) | Verfahren und vorrichtung zum ausgerichteten zusammenführen von scheibenförmigen halbleitersubstraten | |
DE19906805B4 (de) | Vorrichtung und Verfahren zum Transportieren von zu bearbeitenden Substraten | |
DE69910376T2 (de) | Lageveränderungs-vorrichtung und -verfahren für eine halbleiterscheibe | |
EP0144717B1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zur Positionierung von Bauteilen auf einem Werkstück | |
EP1678744B1 (de) | Positionierungsvorrichtung und verfahren für die übertragung elektronischer bauteile | |
DE2423999B2 (de) | Einrichtung zum Ausrichten eines scheibenförmigen Werkstückes in eine vorgegebene Winkellage | |
EP3685429A1 (de) | Vorrichtung zur ausrichtung und optischen inspektion eines halbleiterbauteils | |
DE2834836A1 (de) | Vorrichtung zum aufbringen elektronischer bauelemente auf einen hybrid- leitertraeger | |
DE102004043282B4 (de) | Verfahren für die Justierung des Bondkopfs eines Die-Bonders | |
DE69934408T2 (de) | Scheibenträger und verfahren zur beförderung von scheiben mit minimalem kontakt | |
DE102020204746A1 (de) | Überprüfvorrichtung und bearbeitungsvorrichtung mit derselben | |
DE102020204896A1 (de) | Bearbeitungsvorrichtung und werkstückbearbeitungsverfahren | |
DE10228441B4 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum automatischen Beladen einer Doppelseiten-Poliermaschine mit Halbleiterscheiben | |
DE102017124093A1 (de) | Wafer-Platte mit dynamischen Trägerstiften | |
DE4205595C2 (de) | Transportsystem und Verfahren zum Transport | |
EP1952437B1 (de) | Transportvorrichtung für scheibenförmige werkstücke | |
EP3443587B1 (de) | Vorrichtung, system und verfahren zum ausrichten elektronischer bauteile | |
DE19620234A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Positionieren eines Substrats | |
EP1941536B1 (de) | Verfahren und vorrichtung zum ablegen von elektronischen bauteilen, insbesondere halbleiterchips, auf einem substrat | |
DE102007026323B3 (de) | Vorrichtung und Verfahren zum Befestigen von elektrischen, auch vorkonfektionierten Anschlussteilen wie Lötfahnen, Lötkontakte, Steckverbinder oder dergleichen Elemente | |
DE10121578C2 (de) | Verfahren und Bestückungssystem zum Bestücken eines Substrats mit elektronischen Bauteilen | |
DE19510230C2 (de) | Transfervorrichtung für elektrische Bauelemente, insbesondere Chips | |
DE112011100388T5 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Überführen von Chips aus einem Wafer | |
DE10033817B4 (de) | Waferauflageplatte |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |