DE2221703A1 - Verfahren zum Zuechten von Diamanten - Google Patents
Verfahren zum Zuechten von DiamantenInfo
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Description
DIAMOND SQUARES IKDUSSRIES INC. 246/59
Verfahren zum Züchten von Diamanten
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Züchten von Diamanten unter Verwendung von Diamantkristallkeimen, mit dem
synthetische Diamanten, Diamantstaub, Diamantpulver und Diamantsorten für industrielle Anwendungszwecke herstellbar sind.
Es sind verschiedene Verfahren zum synthetischen Herstellen solcher Diamanten bekannt.Aus der US-PS 3 030 187 ist
beispielsweise ein Verfahren zum Züchten von Diamanten unter Verwendung von Diamantkristallkeimen bekannt, bei dem eine j
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der beiden folgenden Reaktionsreihen angewendet wird:
(Diamant) + 2H2
CH4 >C (Graphit) + 2H2
oder
II 2CO >0 (Diamant) + C02
200 >C (Graphit) +002
Die mit I "bezeichneten Reaktionen werden bei atmosphärischem
Unterdruck und bei Temperaturen zwischen 900° und 11000C
durchgeführt. Die mit II bezeichneten Reaktionen erfolgen bei einem Druck von etwa 10 Atmosphären und bei Temperaturen zwischen
900° und 11000C. Beide Verfahren haben jedoch den im Hinblick
auf Wirtschaftlichkeit grundsätzlichen Nachteil, daß gleichzeitig mit dem Diamantkohlenstoff Graphitkohlenstoff erzeugt
wird und dieser Graphitkohlenstoff oder amorphaa Kohlenstoff ebenfalls auf der Oberfläche des Diamantkristallkeims abgelagert
wird. Es ist daher notwendig, daß die Reaktion periodisch unterbrochen
wird und die Diamantkristallkeime ständig gereinigt werden, um den Graphitkohlenstoff zu entfernen, und erst dann kann
die Reaktion fortgesetzt werden, um weitere Mengen von Einkristallkohlenstoff auf die Kristallkeime aufzubringen. In der Patentschrift
ist erwähnt, daß die Reinigungszeit viermal so groß wie die Ablagerungszeit ist, so daß das Verfahren unwirtschaftlich
ist.
Ein geringfügig abgeändertes Verfahren ist in der US-FS
3 371 996 beschrieben, bei dem beim Züchten synthetischer Diamanten die folgende Reaktion abläuft:
200 >C + 002
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Diese Reaktion läuft bei einem Druck von einer Atmosphäre und
bei einer Temperatur von nicht mehr als 120O0C ab. Außerdem erfolgt die Reaktion in Anwesentheit eines oder mehrerer Metalle
aus der die Metalle Platin, Iridium, Osmium,Rhenium, Gold, Paladium, Ruthenium, Rhodium, Silber und Nickel umfassenden Gruppe. Das erwähnte Metall hat dabei im wesentlichen die Aufgabe,
als Katalysator die Bildung von Kohlenstoff aus Kohlenmonoxid ; zu beschleunigen. Es hat sich leider herausgestellt,daß diese ' Reaktion auch zur Bildung von Graphit oder amorphen Kohlenstoff | führt, der auf der Oberfläche des Diamantkristallkeimes abge- j lagert wird und damit den wirksamen Arbeitsablauf stört, weil j wiederum zur Herstellung eines reinen und klaren Diamanten eine ' wiederholte Reinigung des Kristallkeims erforderlich ist· j
bei einer Temperatur von nicht mehr als 120O0C ab. Außerdem erfolgt die Reaktion in Anwesentheit eines oder mehrerer Metalle
aus der die Metalle Platin, Iridium, Osmium,Rhenium, Gold, Paladium, Ruthenium, Rhodium, Silber und Nickel umfassenden Gruppe. Das erwähnte Metall hat dabei im wesentlichen die Aufgabe,
als Katalysator die Bildung von Kohlenstoff aus Kohlenmonoxid ; zu beschleunigen. Es hat sich leider herausgestellt,daß diese ' Reaktion auch zur Bildung von Graphit oder amorphen Kohlenstoff | führt, der auf der Oberfläche des Diamantkristallkeimes abge- j lagert wird und damit den wirksamen Arbeitsablauf stört, weil j wiederum zur Herstellung eines reinen und klaren Diamanten eine ' wiederholte Reinigung des Kristallkeims erforderlich ist· j
In ähnlicher Weise befassen sich auch die US-Patent- j Schriften 3 079 237 und 3 030 188 mit der Bildung von Kohlen- ι
stoff und/oder der Synthese von Elementen unter Verwendung von
Diamantkristallkeimen·
Diamantkristallkeimen·
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren . zu schaffen, >das ohne Unterbrechung ablaufen kann, das eine hohe
Wachstumsgeschwindigkeit bietet und das die Herstellung von , Diamanten mit einem hohen Reinheitsgrad gewährleistet.
Die gestellte Aufgabe wird gemäß der Erfindung dadurch
gelöst, daß die Diamantkristallkeime mit einem Kohlenwasserstoff, der zwischen 1 und etwa 5 Kohlenstoffatome besitzt, in einer
Atmosphäre in Kontakt gebracht werden, die aus wenigstens 95
Volumenprozenten Wasserstoffgas und nicht mehr als 5 Volumen- ! Prozenten des genannten Kohlenwasserstoffs besteht, daß die
Temperatur der Reaktionsatmosphäre im Bereich zwischen etwa 1100, bis etwa 17000C gehalten wird, daß die Kristallkeime mit dem
gelöst, daß die Diamantkristallkeime mit einem Kohlenwasserstoff, der zwischen 1 und etwa 5 Kohlenstoffatome besitzt, in einer
Atmosphäre in Kontakt gebracht werden, die aus wenigstens 95
Volumenprozenten Wasserstoffgas und nicht mehr als 5 Volumen- ! Prozenten des genannten Kohlenwasserstoffs besteht, daß die
Temperatur der Reaktionsatmosphäre im Bereich zwischen etwa 1100, bis etwa 17000C gehalten wird, daß die Kristallkeime mit dem
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Kohlenwasserstoff und dem Wasserstoffgas bei Vorhandensein eines
aus Platin und/oder Paladium bestehenden Katalysators zur Reaktion gebracht werden, wodurch der Kohlenwasserstoff Diamantkohlenstoff
bildet, der sich auf der Oberfläche der Kristallkeime absetzt und wodurch zugleich aus dem Kohlenwasserstoff
weniger stabile Kohlenstofformen gebildet werden, die mit dem Wasserstoffgas in Verbindung mit dem Katalysator und bei den
genannten Temperaturbedingiingen reagieren und dadurch zusätzliche
Kohlenwasserstoffmengen'erzeugen, und daß das Verfahren so lange fortgesetzt wird, bis das gewünschte Diamantwachstum
erreicht worden ist.
Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren können Diamanten mit einem Reinheitsgrad hergestellt werden,der mit den bisher bekannten
Verfahren nicht erreicht werden konnte, und zwar weil
die Ablagerung von elementarem oder amorphem Kohlenstoff vermie- '
den wird. Dadurch entfällt auch das Problem der ständigen Unterbrechung des Wachstumsprozesses zur Reinigung des Kristallkeime
und zur Entfernung des darauf abgelagerten amorphen Kohlenstoffes. Durch die Kontinuität des Verfahrensablaufes erhöht sich
die Wirtschaftlichkeit des Verfahrens außerordentlich. Auch ergibt die Erfindung eine Wachstumsgeschwindigkeit der Diamantkristallkeime,
die mit den bekannten Verfahren bisher nicht erreicht werden konnte. Ferner entfällt die Notwendigkeit für
einen Katalysator, der den Zerfall des Kohlenwasserstoffes zwecks Bildung von Einkristall-Kohlenstoff erleichtert. Vielmehr wird
ein Katalysator nur zum katalysieren der Reaktion zwischen Wasser stoff und dem bei der Zersetzung des Kohlenwasserstoffs gebildeten
Graphit oder elementaren Kohlenstoff verwendet, um zusätzliche Mengen von Kohlenwasserstoff zu bilden und damit eine
ständige Quelle von Einkristall-Kohlenstoff zu schaffen, der auf der
Oberfläche des Diamantkristallkeims abgesetzt wird. Das er- <
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findungsgemäße Verfahren arbeitet mit Temperaturen von einer
Höhe, die bisher bei derartigen Verfahren nicht angewendet wurde. Die mit dein erfindungsgemäßen Verfahren erreichbare Wachs·
tumsrate liegt in der Größenordnung von 0/1 bis etwa 0,25 Mikrometer
pro Minute und Pläohe des Kristallkeims, wodurch die
Größe und das Gewicht des Diamanten rasch wachsen.
Das erfindungsgemäße Verfahren läuft im einzelnen folgendermaßen ab. Zunächst wird ein Diamantkristallkeim, auf dem
das synthetische Wachstum erfolgen soll, in einen Katalysator-Kegelerhitzer gelegt, wobei als Katalysatorerhitzer vorzugsweise
Platin oder Paladium verwendet werden. Dann wird um den im Kegelerhitzer befindlichen Diamantkristallkeim eine Atmosphäre
geschaffen, die aus wenigstens 95 1° Wasserstoffgas und 5 $ oder
weniger Kohlenwasserstoff mit 1 bis 5 Kohlenstoffatomen besteht. Dabei wird atmosphärischer Druck oder ein etwas höherer
Druck aufrechterhalten, und der Kegelerhitzer wird auf eine
Temperatur zwischen 11000O und 17000O aufgeheizt, um das Aufbringen
von Einkristall-Kohlenstoff auf die Oberfläche des Kristallkeimes einzuleiten und fortzusetzen. Unter diesen Arbeitsbedingungen
nimmt die Größe des Kristallkeims mit einer Geschwindigkeit von etwa 0,1 bis 0,25 Mikrometer pro Miaute und
fläche zu, und die Wachstumsgeschwindigkeit bleibt während des gesamten VerfSirensablaufes erhalten, da eine Ablagerung voa
elementarem oder amorphem Kohlenstoff auf der Oberfläche des
Diamantkristallkeims bei dem erfindungsgemäßen Verfahren vermieden wird.
Es ist natürlich unbedingt notwendig und wichtig, daß
die Kristallkeime vollkommen sauber sind,' bevor das Verfahren eingeleitet wird, da die Sauberkeit des .Kristallkeimes Voraus-
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setzung für ein brauchbares epitaxiales Wachstum τοη Diamanten ;
ist. Die vorhandenen Verunreinigungen enthalten neben anderen ! Metallen auch Eisen, und diese Verunreinigungen werden gewöhnlich
durch Reinigung der Kristallkeime in lösungen wie Trichlor-|
äthylen und durch Reinigen in Säuren wie Schwefelsäure und Salpetersäure entfernt· Verfahren zur Reinigung der Kristallkeime
sind beispielsweise in der US-PS 3 030 188 beschrieben.
Im Anschluß an die Reinigung der Diamantkristallkeime mit einer Säure wie Schwefelsäure oder Salpetersäure werden die
Kristallkeime vollständig in Wasser von hoher Reinheit abgespült und sorgfältig getrocknet. Im Anschluß daran wird der ;
Kristallkeim in den Kegelerhitzer gelegt, und der weiter unten noch vollständig beschriebene Reaktor wird dann 10bis 15 Minuten
lang einer oxidierenden Atmosphäre aus Sauerstoff oder trookener,
gefilterter Luft bei einer Temperatur von mehr als 4000O ausgesetzt.
Unter diesen Bedingungen werden die restlichen Verunreinigungen auf der Oberfläche des Kristallkeims in Gase umgewandelt,
so daß eine außerordentlich reine Diamantoberfläche für das epitaxiale Wachstumsverfahren gebildet wird.
Die bei dem erfindungsgemäßen Verfahren verwendeten Kristallkeime
können natürliche oder synthetische Diamanten sein, und es hat sich gezeigt, daß die handelsübliche 0-1 Mikron
Diamantsorte, bei der die Partikel einen durchschnittlichen Durchmesser von 0,1 Mikron aufweisen, als Kristallkeim für das
erfindungsgemäße Verfahren geeignet ist. Es können natürlich auch größere Kristallkeime verwendet werden, obwohl klar ist,
daß ein größerer Gewichtsgewinn bei kleineren Kristallkeimen
erzielt wird, weil die Oberfläche kleinerer Kristalle viel grosser
ist. Das Diamantwachstum ist nämlich eine Punktion der für die Ablagerung von Einkristall-Kohlenstoff verfügbaren Oberflä-
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chengröße, und aus diesem Grunde erreicht man mit kleineren Kristallen, die eine größere Oberfläche haben, einen größeren Gewinn
an Gewicht und Größe. . ;
Es wurde bereits oben erwähnt, daß der Stand der Technik
verschiedene Ausgangsstoffe als Kohlenstoffquelle für ein Ver- j
fahren zum Züchten von Diamanten zeigt. So findet man Kohlen- ;
monoxid als Quelle für Einkristall-Kohlenstoff, und ein Ver- !
fahren unter Verwendung von Kohlenmonoxid ist in der US-PS 3 030 188 beschrieben. Andere, als Kohlenstoffquelle verwendete :
Stoffe sind geradkettige Kohlenwasserstoffe wie Methan, Ithan, ·
Propan, Butan und dergleichen, sowie Methylchlorid, Methyl- j mercaptan und Aceton. Bei den bekannten, mit Kohlenwasserstof- :
fen arbeitenden Verfahren war es jedoch nicht möglich, die Bildung von Graphit oder elementarem Kohlenstoff zu verhindern, ;
und daher mußten dort stets während des Wachstumsprozesses die Kristallkeime gereinigt werden. In Verbindung mit dem erfindungsgemäßen
Verfahren wurde gefunden, daß Kohlenwasserstoffe mit 1 bis 5 Kohlenstoffatomen sehr gut geeignet sind, sofern für
den Wachstumsprozess geeignete Reaktionsbedingungen geschaffen : werden. Daher sollen von der Erfindung als Ausgangsstoffe auch
geradkettige Kohlenwasserstoffe wie Methan, Äthan, Propan, Butan
und Pentan umfaßt werden, d.h. jene Stoffe, die im allgemeinen 1 bis 5 Kohlenstoffatome besitzen, wobei aber als Folge der verwendeten
Reaktionsbedingungen etwa entstehender elementarer oder amorpher Kohlenstoff sofort wieder in Kohlenwasserstoff umgesetzt
wird, so daß eine zusätzliche Quelle für Einkristall-Kohlenstoff geschaffen wird. Das erfindungsgemäße Verfahren macht
daher von dem Mechanismus Gebrauch,^Kohlenstoffatome aus Kohlenwasserstoffverbindungen
oder aus Kohlenstoff enthaltenden Verbindungen, wie z.B. geradkettigen Kohlenwasserstoffen mit 1 bis
5 Kohlenstoffatomen, zu erzeugen, und zwar gemäß der folgenden
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Reaktion.:
η ττ Hitze
ο + H2 (Gas)
Der bei dieser Reaktion gewonnene atomare Kohlenstoff orientiert
sich bei einer Anordnung auf oder in der Nähe der Oberfläche des Kristallkeims selbst in die genaue Konfiguration des Keims und
wird auf diesem abgelagert. Aufgrund der verwendeten Temperaturbedingungen und der den Kristallkeim umgebenden Atmosphäre wird
elementarer oder amorpher Kohlenstoff, der sich bildet und freigesetzt wird, sofort in Kohlenwasserstoff gemäß der folgenden
Reaktion umgesetzt:
ow j. η Katalysator
2 H2 + G Hitze
Die Reaktionsbedingungen, unter denen das Verfahren abläuft, sind für den Erfolg des Verfahrens außerordentlich wichtig.
Daher sind auch alle einzelnen Paktoren, wie das Ausgangsmaterial, die Temperatur, die den Diamantkristallkeim umgebende
Atmosphäre und der verwendete Katalysator-Erhitzer von Bedeutung für die Erzielung eines kontinuierlichen Diamantwachstumsprozesses
und einer verbesserten Wachstumsrate des Kristallkeims« Hinsichtlich der Temperatur sei bemerkt, daß im gesamten Stand
der Technik nur Temperaturen im Bereich zwischen 600° und 11000C
verwendet werden. Dieser Temperaturbereich ist beispielsweise in der US-PS 3 371 996 für ein Diamante-nwachstumsverfahren mit
Kohlenmonoxid als Ausgangsmaterial vorgeschrieben, denn bei einer Temperatur von mehr als 11000C würde Graphit auf der Diamantenoberfläohe
anstatt von Diamantkohlenetoff abgelagert, so daß i
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ein Diamantenwachstum nicht eintrittJ3bsnsoist bei dem Verfahren in|
der US-PS 3 030 188 die Arbeitstemperatur auf etwa 10000G be- S
schränkt, weil bei einer Temperatur von 12000C Ruß abgelagert
wird und kein Diamantenwachstum mehr feststellbar ist. Demgegenüber
wird bei dem erfindungsgemäßen Verfahren eine Temperatur zwischen 110O0O und. 170O0C verwendet, wobei der bevorzugte Bereicht
zwischen 150O0C und 170O0C liegt. Hierdurch wird die !
Bildung und Ablagerung von elementarem Kohlenstoff vermieden, : so daß ein kontunierlicher Verfahrensablauf ermöglicht wird.
Es wurde festgestellt, daß bei einer Temperatur unter HOO0C nicht
das erforderliche Maß von Disassosiation des Kohlenwasserstoffs :
zur Bildung von Kohlenstoff erreichbar ist. Oberhalb von 17000C '
würde das Metall, aus dem der Katalysator-Erhitzer besteht, : schmelzen. Es wurde gefunden, daß bei Anwendung dieses Temperaturbereiches
und als Folge der mit Wasserstoff angereicherten ! Atmosphäre, die den Diamantkristallkeim umgibt, elementarer oder
amorpher Kohlenstoff oder Graphitkohlenstoff, der bei der Zersetzung
des Kohlenwasserstoffes gebildet wird, bei Anwesenheit ι des zugleich als Erhitzer verwendeten Katalysators und bei dem
erwähnten Temperaturbereich eine Verbindung mit dem Wasserstoff | eingeht, so daß ein Kohlenwasserstoff gebildet wird und eine. Ablagerung von amorphen oder Graphitkohlenstoff auf der Oberfläche
des Kristallkeims verhindert wird. Aus diesem Grunde ist es für ! das erfindungsgemäße Verfahren von großer Wichtigkeit, daß eine
Temperatur innerhalb des Bereiches von 11000C und 17000C einge- S
halten wird.
Hinsichtlich der Druokbedingungen wurde gefunden, daß daa
erfindungsgemäße Verfahren weitgehend druckunabhängig ist. Das Verfahren wurde sowohl unter Vakuumbedingungen als auch bei einem
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oberhalb einer Atmosphäre liegenden Druck mit Erfolg durchgeführt,
so daß aus Gründen der Einfachheit und Bequemlichkeit die Durchführung des Verfahrens bei Atmosphärendruck vorzuziehen
ist.
Ein anderer wesentlicher G-esichtspunkt der Erfindung ist I
die den Diamantkristallkeim während des Wachstumsprozesses umgebende Atmosphäre. Es wurde gefunden, daß eine Atmosphäre aus
wenigstens 95 # Wasserstoffgas und höchstens 5 % Kohlenwasserstoff
besonders geeignet ist. Das Verhältnis von Wasserstoffgas
zu Kohlenwasserstoff hängt von dem bei der Reaktion verwendeten Kohlenwasserstoff ab. Wenn beispielsweise ein Kohlenwasserstoff
mit 5 Kohlenstoffatomen, z.B. Pentan, verwendet wird, kann eine geringere Menge an Kohlenwasserstoff verwendet werden, da bei
der Disassoziation und der Zersetzung des Kohlenwasserstoffee pro Kohlenwasserstoffmolekül mehr Kohlenstoff verfügbar ist.
In der Praxis wurde das Verfahren mit Erfolg bei einem Kohlenwasser stoff volumen von nur einem Teil pro Billion durchgeführt.
Wie oben erwähnt wurde, werden vorzugsweise gradkettige Kohlenwasserstoffe mit nicht mehr als 5 Kohlenstoffatomen verwendet,
weil solche Kohlenwasserstoffe beider Zersetzung unter den erwähnten Hitze- und Druckbedingungen stets ein Methylradikal
erzeugen. Andererseits neigen Kohlenwasserstoffe mit verzweigten Ketten bei der Zersetzung zur Erzeugung anderer Radikale und
sind daher weniger geeignet. Außerdem hat ein mehr als 5 Kohlenstoff atome aufweisender Kohlenwasserstoff im gasförmigen Zustand
die Neigung, sich zu verflüssigen, so daß eine Herabsetzung des Druckes erforderlich wird, um eine solche Verflüssigung zu verhindern.
Aus diesem Grunde wird bei dem erfindungsgemäßen Verfahren
von gradkettigen Kohlenwasserstoffen mit 1 bis 5 Kohlen stoffatomen Gebrauch gemacht·
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Ein anderer wichtiger Punkt ist die Verwendung von Was- j
ser stoff gas in der den Diamantkristallkeim umgebenden Atmosphäre.
Wie erwähnt, reagiert das Wasserstoffgas mit elementarem oder \
amorphem Kohlenstoff oder Graphitkohlenstoff, wenn dieser bei der Zersetzung des verwendeten Kohlenwasserstoffes gebildet
wird, so daß weitere Mengen von Kohlenwasserstoff entstehen. In j Anwesenheit des Katalysator-Erhitzers und bei Semperaturbedingungen
zwischen 110O0C und 170O0O ionisiert das Wasserstoffgas
und bildet Wasserstoffionen, die gern mit dem elementaren Kohlenstoff oder Graphitkohlenstoff reagieren, da diese Form des
Kohlenstoffs weniger stabil ist als der Einkristall-Kohlenstoff oder Diamantkohlenstoff, der auf die Oberfläche des Kristallkeims
aufgebracht werden soll. Der zusätzliche Kohlenwasserstoff entsteht dabei nach der folgenden Reaktion:
υ . n Katalysator
H2 + C Hitze' »
Diese Reaktion tritt mit Sicherheit ein, wenn man die Atmosphäre mit Wasserstoffgas wörtlich "überflutet", so daß amorpher Kohlenstoff
oder Graphitkohlenstoff sich auf der Oberfläche des Kristallkeims nicht ablagern kann. Es sei hervorgehoben, daß während
des Wachstumsprozesses zu keiner Zeit die Notwendigkeit besteht, die Reaktion zu unterbrechen,um den Kristallkeim zwecks Reinigung
zu entfernen oder um diese instabile Eorm des Kohlenstoffes von \
der Oberfläche des Keimkristalls zu entfernen. Es ist bekannt, daß dann, wenn amorpher Kohlenstoff oder elementarer oder Gra- j
phitkohlenstoff auf der Oberfläche "des Keimkristalls abgelagert j
worden ist, durch das Vorhandensein dieser KohlenBtofform das I
neue Wachstum schwarz wird, und die Struktur des Diamantenwachs- ;
turne wird bis zu dem Punkt gestört, wo Graphit und amorpher
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Kohlenstoff auf dem Kristallkeim abgelagert worden ist. Das
Diamantenwachstum würde aufhören, weil für die Ablagerung von Kohlenstoff in Form von Graphit und amorphein Kohlenstoff im
Gegensatz zu Einkristall-Kohlenstoff oder Diamantkohlenstoff weniger Energie erforderlich ist. Die Wasserstoffatmosphäre in
Verbindung mit dem Katalysator-Erhitzer,der diese Reaktion katalysiert,
bilden somit in dem erfindungsgemäßen Verfahren außerordentlich wichtige Paktoren·
Die Aufgabe des Katalysators besteht bei dem erfindungsgemäßen Verfahren nicht darin, die Disassoziation oder die Zersetzung
des Kohlenwasserstoffes während des Wachstumsprozesses wie bei den bekannten Verfahren zu katalysieren. Vielmehr besteht
die Aufgabe des Katalysators bei dem erfindungsgemäßen Verfahren darin, die Reaktion zwischen dem Wasserstoffgas und dem
amorphen Kohlenstoff oder Graphitkohlenstoff, der bei der Zersetzung
des Kohlenwasserstoffes entsteht, zu katalysieren, um weitere Mengen von Kohlenwasserstoff zu erzeugen. Die gesamte
Ausrüstung wird dadurch ebenso wie der Kristallkeim von der Ablagerung elementarem Kohlenstoffes freigehalten, so daß das Verfahren
kontinuierlich ablaufen kann, bis die gewünschte Diamantgröße erreicht ist. Vorzugsweise werden als Stoffe für den Katalysator
Fiatin und Faladium verwendet, und es hat sich als zweckmäßig erwiesen, den Erhitzer entweder aus Paladium- oder
Platindraht herzustellen. Hierbei wird der Platin- oder Paladiumdraht nicht nur als Katalysator verwendet sondern auch als
Widerstandserhitzer· Da Diamanten wegen ihrer Durchsichtigkeit durch Strahlungshitze nicht gut erhitzt werden, wird der Platinoder
Paladiumdraht in die Form eines Kegels gewiokelt, und der
Kristallkeim kann dann in den Kegel eingelegt werden, und aufgrund der Tatsache, daß Wasserstoffgas den Diamantkrietallkeim
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umgibt, erfolgt eine Erhitzung durch den Widerstandserhitzer,
der seinerseits den Kristall erhitzt. Natürlich kann die Erhitzung
auch, auf andere Weise erfolgen, beispielsweise mittels
Hochfrequenz oder im Ofen, und dies kann ao lange getan werden, wie das Platin in der Lage ist, seine Punktion als unorthodoxer
Katalysator zur Katalysierung der Reaktion zwischen dem Wasserstoff und dem elementaren Kohlenstoff oder Graphitkohlenstoff |
zu erfüllen. Platin und Paladium sind zwar als Katalysatorstoffe zu bevorzugen, jedoch wurde gefunden, daß auch Nickel- oder
Silber-Katalysatoren verwendet werden können, jedoch sind diese Stoffe weniger wirksam. Es können auch Erhitzer verwendet werden,
die aus einer mit Platin oder Paladium plattierten metallischen Substanz bestehen und dann in eine Kegelform zur Aufnahme
des Kristallkeims gebracht werden.
Voraussetzung für die bei dem erfindungsgemäße Verfahren
verwendeten Stoffe ist, daß diese Stoffe oder die Ausrüstung entweder Temperaturen im Bereich zwischen 11000C und 17000G
standhalten, oder daß diese Stoffe und Teile gegen die Hitze abgeschirmt werden. Handelsübliche horizontale oder vertikale :
Reaktoren sind mit guten Ergebnissen benutzt worden, und im allgemeinen besteht eine solche Ausrüstung lediglich aus einer
Plattform mit positiven und negativen Anschlußklemmen, an die die Enden des Katalysator-Erhitzers angeschlossen werden. Die
den Katalysator-Erhitzer und die Zuleitungen umgebende Atmosphäre wird mit einer geeigneten Vorrichtung umhüllt, beispielsweise mit-j
tels einer Glasglocke oder dergleichen, die mit Gaseinlässen und
einem Grasauslaß versehen ist, damit das Kohlenwasserstoffgas
und das Wasserstoffgas zur ReaktiomsatmoSphäre gelangen kann
und verbrauchte Gase abgeführt werden können«
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Bei einem praktischen Beispiel der Erfindung wurde ein kubischer Diamantkristallkeim verwendet, wobei die Kantenlänge
des Kubus ein Mikrometer betrug. Dabei wurden folgende Reaktionsbedingungen
verwendet:
a) die gasförmige Atmosphäre bestand aus 95 # Wasserstoffgas und 5 i» Methangas bezogen auf
das Volumen;
b) die Temperatur wurde auf etwa 150O0G gehalten;
c) es würde ein Platin-Katalysator-Erhitzer verwendet, der in Form eines Kegels gewickelt
war und zur Aufnahme des Diamantkriatallkeims
diente;
d) in der Reaktionskammer wurde ein atmosphärischer Druck verwendet·
Nach Einschalten der Stromquelle begann die Reaktion und
nach einer Reaktionszeit von 1 Minute war jede Seite des Kubus auf 1,2 Mikrometer angewachsen, was einer berechneten Wachstumsrate von etwa o,1 Mikrometer pro Fläche und Minute bei einer
Wachstueszeit von 20 Minuten entspricht. Das Ursprungsvolumen des Kubus war 1 Kubikmikrometer und nach einer Reaktionszeit
von 1 Minute wurde das Volumen des Kubus mit 1,728 Kubikmikrometer gemessen, was einer metrischen Volumenzunahme von 72,8 #
entspricht· **
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Es wurde ermittelt, daß bei den oben angegebenen Bedingungen
die Wachstumsgeschwindigkeit eines Diamantkristall- ■ keim s zwischen 0,1 bis 0,25 Mikrometer pro I1 Iac he und Minute
beträgt. Beim Vergleich der Wachstumsrate, die mit dem erfindungsgemäßen
Verfahren erzielbar ist, mit bekannten Verfahren wurde mathematisch ermittelt, daß die Wachstumsrate bei der
Erfindung in der Größenordnung zwischen 50 # und 400 $ höher
ist als bei den bekannten Verfahren.
Zusammenfassend bietet also das erfindungsgemäße Verfahren gegenüber den bekannten Verfahren eine unvergleichlich höhere
Wirtschaftlichkeit, weil das Verfahren kontinuierlich durchführbar ist und eine erhöhte Wachstumsgeschwindigkeit erreicht wird.
- Patentansprüche -
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Claims (6)
1. Verfahren zum Züchten von Diamanten unter Verwendung von
Diamantkristallkeimen, dadurch gekennzeichnet, daß die Diamantkristallkeime mit einem Kohlenwasserstoff, der zwischen
1 und etwa 5 Kohlenstoffatomen "oesitzt, in einer Atmosphäre in Kontakt gebracht werden, die aus wenigstens
95 Volumenprozenten Wasserstoffgas und nicht mehr als 5 Volumenprozenten des genannten Kohlenwasserstoffes besteht,
daß die Temperatur der Reaktionsatroosphäre im Bereich
zwischen etwa HOO0C bis etwa 17000C gehalten wird, daß die
Kristallkeime mit dem Kohlenwasserstoff und dem Wasserstoffgas bei Vorhandensein eines aus Platin und/oder Paladium
bestehenden Katalysators zur Reaktion gebracht werden, wodurch der Kohlenwasserstoff Biamantkohlenstoff bildet,
der sich auf der Oberfläche der Kristallkeime absetzt und wodurch zugleich aus dem Kohlenwasserstoff weniger stabile
Kohlenstofformen gebildet werden, die mit dem Wasserstoffgas
in Verbindung mit dem Katalysator und bei den genannten Temperaturbedingungen reagieren und dadurch zusätzliche
Kohlenwasserstoffmengen erzeugen, und daß das Verfahren 30
lange kontinuierlich fortgesetzt wird, bis das gewünschte Diamantenwachstum erreicht worden ist.
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2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die
Kohlenwasserstoffe geradkettige Kohlenwasserstoffe mit 1 Dis 5 Kohlenstoffatomen sind.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als
Katalysator. Platin verwendet wird.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der
Platinkatalysator aus einem Platindraht gebildet wird, dessen mit Kontakten versehenen Enden an eine Stromquelle angeschlossen
werden, die den Platinkatalysator erhitzt.
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die
gasförmige Atmosphäre aus 95 i> Wasserstoffgas und 5 $>
Kohlenwasserstoff besteht, wobei der Kohlenwasserstoff aus geraden Ketten mit 1 bis 5 Kohlenstoffatomen aufgebaut ist.
6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der.
Kohlenwasserstoff ein Methan enthält.
bs/br
209847/1100
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Families Citing this family (21)
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US4104441A (en) * | 1975-07-29 | 1978-08-01 | Institut Sverkhtverdykh Materialov Ssr | Polycrystalline diamond member and method of preparing same |
US4844785A (en) * | 1984-03-27 | 1989-07-04 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for deposition of hard carbon film |
SE453474B (sv) * | 1984-06-27 | 1988-02-08 | Santrade Ltd | Kompoundkropp belagd med skikt av polykristallin diamant |
SE442305B (sv) * | 1984-06-27 | 1985-12-16 | Santrade Ltd | Forfarande for kemisk gasutfellning (cvd) for framstellning av en diamantbelagd sammansatt kropp samt anvendning av kroppen |
DE3546113A1 (de) * | 1985-12-24 | 1987-06-25 | Santrade Ltd | Verbundpulverteilchen, verbundkoerper und verfahren zu deren herstellung |
US4849199A (en) * | 1987-03-30 | 1989-07-18 | Crystallume | Method for suppressing growth of graphite and other non-diamond carbon species during formation of synthetic diamond |
US5015528A (en) * | 1987-03-30 | 1991-05-14 | Crystallume | Fluidized bed diamond particle growth |
WO1993013015A1 (en) * | 1987-10-20 | 1993-07-08 | Kunio Komaki | Composite diamond grains and process for their production |
US5268201A (en) * | 1987-10-20 | 1993-12-07 | Showa Denko Kabushiki Kaisha | Composite diamond grain and method for production thereof |
JP2597497B2 (ja) * | 1988-01-14 | 1997-04-09 | 洋一 広瀬 | 気相法ダイヤモンドの合成法 |
US4981671A (en) * | 1988-02-09 | 1991-01-01 | National Institute For Research In Inorganic Materials | Method for preparing diamond or diamond-like carbon by combustion flame |
WO1992001827A1 (en) * | 1988-06-03 | 1992-02-06 | Massachusetts Institute Of Technology | Oriented diamond crystals |
US4939763A (en) * | 1988-10-03 | 1990-07-03 | Crystallume | Method for preparing diamond X-ray transmissive elements |
US5087434A (en) * | 1989-04-21 | 1992-02-11 | The Pennsylvania Research Corporation | Synthesis of diamond powders in the gas phase |
US5127983A (en) * | 1989-05-22 | 1992-07-07 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method of producing single crystal of high-pressure phase material |
DE69117077T2 (de) * | 1990-03-06 | 1996-06-27 | Sumitomo Electric Industries | Verfahren zum Aufwachsen einer Dünnschicht aus Diamant oder c-BN |
US5704976A (en) * | 1990-07-06 | 1998-01-06 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | High temperature, high rate, epitaxial synthesis of diamond in a laminar plasma |
RU2158037C2 (ru) * | 1996-07-16 | 2000-10-20 | ООО "Высокие технологии" | Способ получения алмазных пленок методом газофазного синтеза |
US6833027B2 (en) * | 2001-09-26 | 2004-12-21 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method of manufacturing high voltage schottky diamond diodes with low boron doping |
US7122837B2 (en) | 2005-01-11 | 2006-10-17 | Apollo Diamond, Inc | Structures formed in diamond |
US9093102B1 (en) * | 2013-03-12 | 2015-07-28 | Western Digital Technologies, Inc. | Systems and methods for tuning seed layer hardness in components of magnetic recording systems |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3030188A (en) * | 1958-07-23 | 1962-04-17 | Union Carbide Corp | Synthesis of diamond |
US3030187A (en) * | 1958-07-23 | 1962-04-17 | Union Carbide Corp | Synthesis of diamond |
US3175885A (en) * | 1960-07-01 | 1965-03-30 | North American Aviation Inc | Method for artificial synthesis of diamonds |
US3371996A (en) * | 1964-01-20 | 1968-03-05 | Henry J. Hibshman | Diamond growth process |
-
1971
- 1971-05-03 US US00139813A patent/US3714334A/en not_active Expired - Lifetime
-
1972
- 1972-04-28 ZA ZA722860A patent/ZA722860B/xx unknown
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ZA722860B (en) | 1973-02-28 |
US3714334A (en) | 1973-01-30 |
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