DE2247162A1 - Verfahren zur bestimmung der ladungsdichte in einer isolierschicht - Google Patents
Verfahren zur bestimmung der ladungsdichte in einer isolierschichtInfo
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- G01R31/316—Testing of analog circuits
Description
Aktenzeichen der Anmelderin: FI 970 108
Verfahren zur Bestimmung der Ladungsdichte in einer Isolierschicht
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Bestimmung der Ladungsdichte innerhalb einer isolierenden Schicht auf einem
Halbleitersubstrat mit Hilfe eines in diesem Substrat gebildeten Feldeffekttransistors, der mindestens im Bereich zwischen Quellen-
und Senkengebiet von der isolierenden Schicht bedeckt ist.
Infolge des niedrigen Dotierungsgrades der Halbleitersubstrate (z.B. 6 χ 10 Atome/cm ) sind bei Feldeffekttransistoren mit
isolierter Steuerelektrode die Leckströme stark abhängig von der Ladungsdichte in der das Substrat bedeckenden Isolierschicht,
die gewöhnlich aus Quarz oder thermisch aufgewachsenem Siliciumdioxyd
besteht. Es wurden daher bereits verschiedene Versuche unternommen, die Ladungsdichten in solchen Isolierschichten zu
bestimmen. Es wurden hierzu beispielsweise MOS (Metall-Oxyd-Halbleiter)-Kondensatoren
verwendet oder die Stromleitung zwischen gleichartigen Diffusionsgebieten unterhalb der Isolierschicht
ermittelt. Diese Versuche haben jedoch den Nachteil, daß sie entweder langwierige Messungen erfordern oder eine größere Anzahl
von theoretischen Annahmen für die Bestimmung der Ladungsdichte aus den gemessenen Werten benötigen.
Es ist daher die Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfah-
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ren zur Bestimmung der Ladungsdichte in Isolierschichten anzugeben,
mit dem sehr schnell und einfach die gewünschten Werte ermittelt werden können. Diese Aufgabe wird bei dem anfangs genannten
Verfahren erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß bei nicht angeschlossener Steuerelektrode des Feldeffekttransistors zwischen
Quellen- und Senkenelektrode eine feste Spannung und zwischen Substrat und Quellenelektrode eine veränderbare Spannung
gelegt werden, daß eine Erfassung des zwischen Quellen- und Senkengebiet fließenden Stromes stattfindet, daß ein Einstellen
der veränderbaren Spannung auf einen Wert, bei dem der Strom zwischen Quellen- und Senkengebiet einen zu vernachlässigenden
geringen Wert besitzt, erfolgt und daß aus dem eingestellten Wert der veränderbaren Spannung die Ladungsdichte in der isolierenden
Schicht bestimmt wird. Hierbei wird vorzugsweise ein Feldeffekttransistor mit einem ein zentrales Quellengebiet umgebenden,
ringförmigen Senkengebiet gewählt. Durch diese Anordnung werden im wesentlichen die Schwierigkeiten beim Messen vermieden, die
durch den Leckstrom zwischen Quellengebiet und Substrat verursacht werden.
Jeder leitende Kanal zwischen Quellen- und Senkengebiet des ringförmigen Feldeffekttransistors, der bei Anlegen einer Spannung
zwischen Quellen- und Senkenelektrode auftritt, ist abhängig von der Ladungsdichte in der Passivierungsschicht über
dem Substrat und von der Spannung zwischen Quellenelektrode und Substrat bei nicht angeschlossener Steuerelektrode. Die Ladungsdichte
kann mit Hilfe einer noch näher zu definierenden Beziehung aus dem Wert der Spannung zwischen Quellenelektrode
und Substrat, bei dem der Strom zwischen Quellen- und Senkengebiet einen zu vernachlässigenden Wert besitzt, ermittelt werden.
Dabei brauchen keine Annahmen über die Trägerbeweglichkeit im Kanal und über die Geometrie der Inversionsschicht gemacht
zu werden, so wie dies bei früheren Verfahren der Fall war.
Die Erfindung wird im folgenden anhand von in den Figuren dargestellten
Ausführungsbeispielen näher erläutert.
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- 3 Es zeigen:
Fig. 1 ein vereinfachtes Schaltbild einer Schaltungsanordnung,
mit der die Bestimmung der Ladungsdichte in einer Isolierschicht möglich ist und
Fig. 2 ein vereinfachtes Schaltbild einer weiteren
Schaltungsanordnung, mit der eine automatische Einstellung des gewünschten Wertes der Spannung
zwischen Quellenelektrode und Substrat erfolgt.
In Fig. 1 ist mit 1 ein Feldeffekttransistor mit einer durch eine Oxydschicht isolierten Steuerelektrode bezeichnet, der zusammen
mit weiteren Feldeffekttransistoren in einem Halbleiterplättchen hergestellt wurde und der mit der gleichen Passivierungsschicht
wie diese bedeckt ist. Die Ladungsdichte in dieser Passivierungsschicht
soll mit Hilfe der dargestellten Schaltungsanordnung ermittelt werden. Die Feldeffekttransistoren sind in bekannter
Weise aufgebaut und daher nicht näher dargestellt. Vorzugsweise besitzt der Feldeffekttransistor 1 jedoch ein zentrales Quellengebiet,
das vollständig von einem ringförmigen Senkengebiet umgeben ist. Die Steuerelektrode 2 des Feldeffekttransistors 1 besitzt
keinen Anschluß. Eine Spannungsquelle 3 ist zwischen die
Quellen- und Senkenelektrode des Feldeffekttransistors geschaltet. Sie liefert eine Spannung V c von geeigneter Höhe, beispielsweise
etwa 1 Volt. Eine weitere Spannungsquelle 4 ist zwischen das Substrat und die Quellenelektrode des Feldeffekttransistors geschaltet.
Sie liefert eine veränderbare Spannung Vgx. Diese
Spannung wird auf einen Wert eingestellt, bei dem der zwischen dem Quellen- und dem Senkengebiet des Feldeffekttransistors 1
fließende Strom Ic einen zu vernachlässigenden Wert besitzt. Eine
genaue Bestimmung der Ladungsdichte in der Passivierungsschicht ist theoretisch nur möglich, wenn der Wert des Stromes zwischen
Quellen- und Senkengebiet auf 0 reduziert ist. Für die Messung ist es jedoch ausreichend, wenn ein kleiner, praktisch zu vernachlässigender
Strom fließt. Hierdurch sind Messungen mit
Fi 970 108 ' 3 U -. .-■ / Ü 2 8 7
relativ kurzen Einstellzeiten möglich.
Es kann gezeigt werden, daß, wenn keine Verarmung oder Ansammlung des Substrat-Dotierungsmittels an der Zwischenschicht zwischen
dem Halbleitermaterial und der Passivierungsschicht auftritt und kein Unterschied in der Austrittsarbeit zwischen der Oberfläche
der Passivierungsschicht und dem Halbleitersubstrat besteht, die Ladungsdichte Ngs durch die folgende Beziehung gegeben ist:
2e
ss
Hierin bedeuten: e
die Dielektrizitätskonstante des Substratmaterials,
das Fermipotential des Substrats, die Elektronenladung,
die Dotierungskonzentration des Substrats, den Wert der Spannung zwischen Quellenelektrode
und Substrat, bei dem der Strom zwischen Quellen- und Senkengebiet einen zu vernachlässigenden Wert besitzt.
Ein Schaltkreis, mit dem die Spannung zwischen der Quellenelektrode
und dem Substrat des Feldeffekttransistors 1 automatisch auf einen Wert eingestellt wird, bei der der Strom zwischen Quellen-
und Senkengebiet einen zu vernachlässigenden Wert besitzt, ist in Fig. 2 dargestellt. Ein Operationsverstärker 5 erhält ein erstes
Eingangssignal von einer Spannungsquelle 6 und ein zweites Eingangssignal über einen Rückkopplungswiderstand 7. über diesen
wird die an einem Widerstand 8 abfallende Spannung auf den einen Verstärkereingang gegeben. Der über den Widerstand 8 fließende
Strom entspricht dem zwischen dem Quellen- und Senkengebiet des Feldeffekttransistors 1 fließenden Strom. Damit die Substratspannung
einen Sicherheitsbereich nicht überschreiten kann, sind Zenerdioden 9 und 10 vorgesehen. Die am Operationsverstär-
Fi 970 108
3 C : .·. / ü 2 8 7
mm C —
ker 5 anliegende Spannung, die durch ein Voltmeter 11 gemessen
wird, entspricht der Spannung zwischen Quellenelektrode und Substrat des Feldeffekttransistors 1, wenn die am Widerstand 8 abfallende
Spannung gleich der von der Spanungsquelle 6 gelieferten Spannung ist. Der Operationsverstärker 5 liefert eine Ausgangsspannung
zwischen der Substratelektrode 13 und der Quellenelektrode 14, die sich infolge der Rückkopplung über den Widerstand 7
so einstellt, daß die Spannung am Widerstand 8 gleich der Spannung der Spannungsquelle 6 ist. Die Spannungsquelle 6 und der Widerstand
8 werden so eingestellt, daß ein endlicher, jedoch zu vernachlässigender Strom mit einer Stärke von z.B. 0,5 uA zwischen
Quellen- und Senkengebiet des Feldeffekttransistors 1 fließt. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel betragen die Spannung der
Quelle 6 0,665 V und der Wert des Widerstandes 8 1,33 χ 10 Ohm.
Ein geeigneter Wert für die Spannung an der Reihenschaltung des Transistors 1 und des Widerstandes 8, die von der Spannungsquelle
12 geliefert wird, ist 1,165 V. Der Wert Vgxo der Spannung zwischen
Substrat und Quellenelektrode wird durch das Voltmeter 11 angezeigt. Mit Hilfe der genannten Beziehung kann aus diesem Wert
die Ladungsdichte in der Passivierungsschicht des Feldeffekttransistors 1 ermittelt werden.
Fi 970 108 3 0 9 B 2 2 / 0 2 8 7
Claims (1)
- PATENTANSPRÜCHEVerfahren zur Bestimmung der Ladungsdichte innerhalb einer isolierenden Schicht auf einem Halbleitersubstrat mit Hilfe eines in diesem Substrat gebildeten Feldeffekttransistors, der mindestens im Bereich zwischen Quellen- und Senkengebiet von der isolierenden Schicht bedeckt ist, dadurch gekennzeichnet, daß bei nicht angeschlossener Steuerelektrode des Feldeffekttransistors zwischen Quellen- und Senkenelektrode eine feste Spannung und zwischen Substrat und Quellenelektrode eine veränderbare Spannung gelegt werden, daß eine Erfassung des zwischen Quellen- und Senkengebiet fließenden Stromes stattfindet, daß ein Einstellen der veränderbaren Spannung auf einen Wert, bei dem der Strom zwischen Quellen- und Senkengebiet einen zu vernachlässigenden geringen Wert besitzt, erfolgt und daß aus dem eingestellten Wert der veränderbaren Spannung die Ladungsdichte in der isolierenden Schicht bestimmt wird.Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die veränderbare Spannung auf einen Wert eingestellt wird, bei dem der Strom zwischen Quellen- und Senkengebiet eine Stärke von 0,5 uA besitzt.Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß ein Feldeffekttransistor mit einem ein zentrales Quellengebiet umgebenden, ringförmigen Senkengebiet gewählt wird.Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß ein Substrat aus Silicium und eine isolierende Schicht aus Siliciumdioxyd verwendet werden.FI 97° 108
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