DE2345198A1 - Halbleiterlichtquelle auf der basis eines siliziumkarbidmonokristalls - Google Patents

Halbleiterlichtquelle auf der basis eines siliziumkarbidmonokristalls

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DE2345198A1
DE2345198A1 DE19732345198 DE2345198A DE2345198A1 DE 2345198 A1 DE2345198 A1 DE 2345198A1 DE 19732345198 DE19732345198 DE 19732345198 DE 2345198 A DE2345198 A DE 2345198A DE 2345198 A1 DE2345198 A1 DE 2345198A1
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dor
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DE19732345198
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Wadim Iwanowitsc Pawlitschenko
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PAWLITSCHENKO WADIM IWANOWITSCH
Original Assignee
PAWLITSCHENKO WADIM IWANOWITSCH
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26Materials of the light emitting region
    • H01L33/34Materials of the light emitting region containing only elements of group IV of the periodic system
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/931Silicon carbide semiconductor

Description

± CtIlK /lI-lL/ivi ι ,1,.
Patenta"w At « O / CIQQ
Frankfurt am Main 7U L sj H D I si U
Gartenstraße 123
g wen
G AUF DER BASIS EIIJES
DIo Erflnauae botrifft HaltOoltoiseartlte, aocauor llnmcvltnrl lohtquollop.
Eo lat olno JäalU.oitorllolit<jÄ3llo auf Basis oteoe
üot oloktitÄlsolwn LoiUahl^oit Bit olnoci dor Im olohtbonon Spoktralßoblet oloktrolumlnooBlorool lot, bekannt, oobol obo sgaooxmto SllialiÄfcartld oIdo Kensüntzo* tion von nioht auoßOi;llafaoaGn Ilauptöcamtcaroo von O9SUO18 bis
cn *5 und olno Kocsootasitlon von sootllohoo
boDtandtoilon von ^ 10*? ocT^ aufeolirt. SIo Stn*tur dlooor iiI olorllohtqüollo teotoht aus alnor p-Sotiloht, txOoho nit olooD Akaoptorbootandtoll alt olaar
und einer LüollebJcolt dUooo
A09817/0706 BAD original
S4Ug1.jr»nrbid von ofen 3O010 4- 2U020 oaf3, Xoßiort iart, olnear x^Baalaooiilabt pH ain&r £on&ontratJU» Ton nlabt
Donatoren von Ofö* IO - 5.1Or0 <m ? und
wtaolmi dCLraoo fo^? 1 ^ ^t^^y^^^^t vK o4nor Dloke von 0*05 τ 1^5 /% 41» mU ikUvatoroo dor
lone von Ocnatop· und Akeoptertyp Ua ai ainor
von O^ .10 W5 - 2.1018Oa "^ loßlert 1st uad olnoo opo-Bif1»ohMB fidforctond auftwlot» dor BlBdootoxe um drei OrüOo»- din spottlfiochon tSdoxotand dor TtefrtpBcMnlit Ubor-Dte »-fiaaloeohloht let la don tokannton Ooxetcn nlt ff und Sauerstoff
Xo uQbttrt el no "JFrtrfoiP-tnifTTijtfflij eqtIecq CXolcatLrtlr^iolt dor Paraiaotar in vavooblaAonon Udotarn, lnoteeondoro bol dar
voc Vlftl^l nnnctomctttttoo» «aa
on i Oostttao YOVuxBBebt οοσίο auoli mi holvm fltarty wjil dabei ein hoclwaxtXßoa Aio-
VOrDCmdot ^ird.
der verltngnnflap BrCtofc; 1st dlo
Oar Br£Loduiv; «urdo die i^uf^abo Buipnmdo neXont9 elno n r\\*$**%tmr Vihtyf**11 ** ea sobaüfon« dlo olno otarlco dar (Ualoliartlrfio-t der Iiauptparoootor aufeine «HMPmng dor Auebouto an brauchbare-- Goräton
eoal· die Veraandunc va& 5111:: lurtoirbld In öl·
A09817/0708 BAD original
nea breiteren Bereich der ^oozentratloncn von Haupt« und Ne* benbectandtcilen, iaobeeonder· von i chlelfsllisluti&aztold en ÖLjlicht»
üiecQ Auf abc v.ixti dadurch gelb'stf daß erfi&dun&ejcioäe auf einet; üeeieuonokiietall dee Ciliziuc^urbidö Ton. n-Typ eine cpitaxlale ^lliziu; Jcaxbidaoliicht von demselben 'lyp der
ordnet iett auf deren borfliciic ein , ;ert iet§ wobei der F)iliaiui. kaxbid onokri-β tall eine Konzentrat ion der nicht aua^ejüchenea Aüone der Donatore/w von 5· 10 ^f 5>· 10 ca*^ und eine .ionaeßi.ruUoa der Atoi-.e von Jebcnbectaadteilen bis su 2,10 ou^ aufweist} wilirend dio epi taxi ale ßotiicht eine Konzentration von nicht auegetslichenen Atone der Donatoro* von 0,3,10 <f 3*10 cdi * eine Konaentration der Ato-e dor Jebenbestandteile von 0t4»1017 obT3 r 1#ρ·1Ο17 CtT3 und Dicke von 5 ie 100 χ m boBitzt« Iir. folgenden wird die J.rf ladung durch die Benahrelbung einer vorzuaewelse anzuwendenden Ausführungsfor:.! der J,rfindujQG und boisj el· nitier erläutert»
Die erfindun^sjeiuaO· iialbleiterliohtquelle enthllt einen Baßlßuonokristall von rllialaukarbid, der ein« Koazentralioa der nioat auß^eoliohenen Atou-β der Donalorea von !>.1O ' bis ^»10 du ~3 und «Ine uoneentratioa der AtoL* der Nebonbeetandteile bis su 2*10 ecT^ aufweiet» Her Ba-
Giö.onokrifltall ist uAt titicketoff und Uaueretoff legiert
BAD ORtGINAL A09817/0706
und aolat 41ο LoitfälUßiioit von n-SPyp auf« An dan Baelolot olno ^p^^ftKjVif ftfyM-nfl^ <teß fl* Ii ^ihwft''nr^^ft oben*
falla nlt einer LoltfilUijkoit voa o»ityp außoardnot, dlo öl· no Konjsontxutlon von lAtäxt fttPtqgPEfl aioiwrpw 1 Dan tozutooonvon 0,0,1Cr0 -3,1CT43 OQ ~'# Qioo Konflaulautloc dar Atoco der Itolwnbnatnndtoile τοη 0t4«10^«fIt5#103'^ om *5 und olno Dloko von $ Mo 100 y m boaltct. Auf Hex ObartXtiatao dor
lot oln p-tvUlxirGanß auoseoardoot· Bio nlodor-
p-fiohloht lot alt AXtsoislus und Bor loiilort imd wolot oixin OJUdco von 0,W / q auf·
Machen dar p-öa&Latit und dor D^olilaiit lot olno lioaixoteiißo, alt Scr aktlvtorto Sohloiit aUt Gluer Dloko von 0^1-lt5 /^a ai>ßocasSnot# In der ύΐο SXoktaroXantofiocopg otattflndot·
olnd Bolaplolc ilbf die Ans fUbzunß dor vor»
Srflnduns
oIdoo ^1ί 4 ^-^^Jfe^y nor*
olnoo
SlcAso m 310 ya alt oieor Kanaceitratloa door nloht an·- uQßUebonon ©oaotoratooo (vco Stlcfeatoff und Saueretoff) vco 4,5 . UT^ obT^ and olner Konaentmtleci der auo-/ll«loh«ndei AtOM dor rostUabon Hebontoetandtöllo v«n ^
**· An dlemn CrljotaXX lot olno aonokrlatalllno
4 0 9 8 1 7/0706
BAD ORlGfNAL
Epltrorlnlaohlolit vco »»Tjip onsooxttoot» dlo olno tion von nl&t auogonllohflnfln A tonen der Dom toron (von JtioUaf und Souorotoff) von 1,5»α<**° cn *\ olno trutixtt dor seotllcnon Uoboelwotandtollo von ~ 098«IO^Tobi
und olno Blake vom 25/n auft»oiot, ^oboi die Ote rflaaiioo· oaiiiolit dlaoor EpltaxlaXooIxlaiit ^Io Loltfabi^iolt vqq P^^P nlt olnor BIo^o von 0,2 J* α booitst und alt /JLunJüolua In olnor Konaontjratlooßliaho von 2*VT® ocT3 loßlort lot ι an dor Oterflüohoneohioht Ilcct dlo aktlvlortö UlttaU oo iclit cdt olnor Loltf&blßkolt vco n- Typ und olnor Diako von 094 J*n on# die nlt oicen Dom torbootandtoll (Stiokotoff und Sauorstotf) und Akaoptorbootundtell (Bor) In olxwr Kopcontratlonohrttio von 1,5· 10 oo * 1st·
AIo oba~oolko Kontakte
scKur ^Tl^yilT^l^iin isit oIdod 25$1öQö 2uoats von
und Sltan und Xilolcol jooollo au dor ^Schioiit und
n«»Sohloht· DSo SlcAco dor
(nlt olnea 2$^on Titanauaata) botrößt lf5 M1** Dohiohton -OfO5 Un und der ^oTyoslggMftht*11" m O9S bis 0,3 /n.
DIo ^lohtquoUe imt olno Louslitdlotite dor von 100:200 oO/n2 toi olnor otronftLohto von 0,5 (3troo-10 m4)# Dar Prcfc-ontoatß dor Auebouto an naoii der Fotolunlnesfxms (naoh Dlrrusloc) teruuohbaifKX Krl3talloe
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23A5198
botrue 99jt» "0^ äor frrOBOCtontc dor Auobouto on don
tnaanoliburon i*loht nuoXlon *
DIo auf Boole Λοο »f» ^ Hopfen rMife ixxQjootQllto Lieht»
ontliält οίηαη Auogiocol^oionmntTlotall äoo 9UX» slunicarUläo voa z^X^p alt rt?Tv*r Dloko von 350 A bu dor □It Stiolcotaff und Saucarotoif In olner KooeoDtxatlxm Me au 1,0.1O10 om *' lasiert ist BDd eis» CoD&ontrotlon dor rooUlchnn Döotaadtelle von 0«102' goT^ aufooiut* An die·
23lt olflfetTooloobor ftoltlBhltfrolt und olner Dloko von 45 U ο alt oioor Konsootration von nlciit auacocLkJbonon Dom tor*- (atloftotoff tmd Saooratoff) von 1,0» ICr0 oa"5 und
olaor Konsontrotloa dor Bobonlieotaodtolle von 0,6,10
von p»f7P zalt olnor Dloko von 0,3 /" m aoftrolat und alt
alt olner KoTroontiatioo Ms η 2.1O19 o»~3 lo-
lot| on dieser Saülaht llqßt olno aktivlorto BlttoV oohloht nlt olnor 1OiAfIIMffr^t fe voo »»Typ mit oloor Dloko von 0,6 // m an, dlo alt oineD BonatorteotaDdtolX (Stiok» stoff und Sauerstoff) «ad oinoct Akaoptorbootaudtell (Sor) In gJLnffT ^ongentintlon von β^0»10^ os loßlort lot·
^ colot ftlyy* T^ ^JhVHIffhV* dor
von XCo od/ra2 toi olnor stroodlohto von 0,5 Von2
(Strot»· 10 zaA) tmt*
A09817/0706 BAD
Dor Psrogpotoot» dor Ausbaute ao moU
dor Diffusion) frmualitinroa Xarlatallen I und dor Proßontentc dar AuQbouto an mak l 336X12 braudhtxirtsn Quollen 4OQf**
Daa Vorfahren air ilcaroteXluoa von
des f»
ruht a ί bokanritoti VorfohKCB flur Hog&toUuo*; otallloan Epltojrilalfvrtüjolitaa doa
von
in siXiaiuckartild and u&rd ^1IBPpIi fcoffi afoto Βοίορίιώ 3 und 4 Qftlior erläutert·
bosaeonalor Ur^f1******** vt)c ö-ΙΤΡ» \?oloiiO auf der ι von PoBtfliiWBTflirfiNy^i^ ^^ ^wy^ gfi ^ ^^yrtf^ybldo
stallt aordcrn» norden toi oinar Conporataar von 175O0C in üuüobtot* IHo KoiuKnitaatlofi <knt
ohonon Donatoratcoe (StlakotofiüitGno) botxus baalakriatallon 1,5.10 τ 5^1O18 am m\ uDd öl« tmtlon der (reotllaben) Sobttdootandtello - (3 - 0).
atallon anoocnrdnot ^^r^g tsleoon oIdo K^nacffitxa^Un dor alottt aua^or^lXohoDon DoasatosQtono (von StlcisetofX unä. «3auoroto£f} von If 1,1O10 4 2»2«D0*e oQ *' «Md oIb· y^ffFqptTRttftfn dar rooUiahon Dootandtolle ven 0,6.101^Mg 1,0 · lo17 cn"3 auf.
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Lkrratallxmz oloor ihxLhXijXtaxlXahtg^olle nooli DqI-oplol X auf Baaio doo ipaann&an fluadkrlat&Lls äoa SIUssj alt ^pAtoxinTonhtohfc alrü ftsdnmh veroirklioht.
non ßuorot eine getioontö MffUsioc von Aluminium in diooo Schicht hoX oXimr Tonporotirr von 215O0C lrmcniialL von 5^5 Stursdflott ixa AJEgcamedlura !xsl olaaoo Druck von ^2 ata uril dazm olao QQtroünto MttmSutm von Bor In dlooo Sohl oht hai oJüncr i'onporatur von 1920°C liacriiall) von 3 min Id bei, einon Onaiäc von '-" 2 atm
tö*3 tea SlliEiur?iosMK3x;^ v/urdon in el* nor Meniro wen Q9 3 SS, vmü 1 ,g Ali'cii^ilun im
3^0 Iristall
Naoh äor DuitAAIhrittV ter i^suaoiiton'Siffüslfin «οά dor <äoa p-»J3ö3fQjjCSii«i nloöön 95$ dor Uriatollo alt
dio mlriäeoiKMie im äao ΧΨ5 .- 3fao ο <21o Hol
auf Daolo
atajpdurdisleirteo Karifcstallim her/setotollt tilrd* oobadL bol Xot;;feoron ύαζ- Proeastoat^ <tar Aual«yj;:c απ noch tauuoldKurort Krietollon 5OrSiSf* iotseiärst* Auf
In
c*»ch>o k'ontrikt mit aliaoffi 2^1ipaa Tltamsuo ats waA treu 1#5
des ftiwign>\oglHAai^rigfe3t3-l0 wazuu äuxok AuÄtüubuuß la Valauaa «i&ea «oolaohlohtliieii lifcan» uaä Hioicel- i/borttißoa
Ü09B 1 7/0706
BAD ORIGINAL
QiDox Diofco vco 0,05 t>8ö« Qt2 A η ßefornt· dor iiujCütikubuix; ύοο a1mp1 ni.»no ait oiooß cuantn fcotrHßt 6900C, und mit olnoo UieloalBuoatE 300°C·
lfaoh don Zoroolirjoidon Oor p-o- Diffußioral&oiViüEßo alt Kontakten in Quadrate alt ciuar GarliOo von I^5JtL»5 cn et!»» ocn ö6^i allor Oorato olxic Heoc^jooo tloktrolucilnftosittiB aof, Ooror. Leuchtdichte QO τ 2Oo oO/ a2 boi Qinor
2
von 0#5 V aa (stroo- IO cw) botrur»· BoI dor
von otaodard\oiorton SristaLLao OiDd dor Proßcnteats von Tiuoii £iloktr«lu3lxK»}4X$iis brauaibaron Goröton und dio LouoJbt« diohto der StCDiiluzt; üoroolbon ulndootono an das 1»5 4· obo niedriger als bei den Geraten, dio naoh dom oben Vorfahren honjootollt sind*
rooht bodoutoodor Effc&t ist bei. ton
Ocm Llclitquellou in boauß auf dlo GrUQo des DuröhlaD- Span-
au bootxKJhtan.
iicl üuuotoopexQtiiar und boi oiaom Strom von 10 mA tie· or oluo für ft111 ^H^Y^ir^i ^ mini.rwJl c£&3-i.abo QrOOe voo r 2,5 V(Ii^QOt sehr noho an dor Koatüktdlfforon» der lotontlolo), ooboi bol äon nelston Oorftton dieoo Größo doo I3paii-.Ut^OQt)falXo 2,25 -V 2,35 ν botrüot* Auf diooo Ibiso ilborotol^jt die ütouorusg dor Worto doa folla iiioUt oinoal ^ (in becua auf seinen oinlmlon ftart), nao cunindoot un da3 10 bis lSfaoho niodrißor lot, als boi don Llohtquollon, QH.n auf BqoId von standardiolorton Uono· kriotallon horßootollt nurüon.
/»09817/0706 BAD ORIGINAL
-XJ-
dan aud davaaf vonaeioea, dutf dio .'.orte uoe ^t)Oiuuia.jeabfalle In eirioo uobedeutoadoa Oatte a^teiioen (Die ,u £,2 ~ 2t3i> V - um 2111 j uod auneluaou (bio ^u 2,4 ♦ 2»o V αα 5 ; 2 ) bei dor x^rjübuou d«r -o^eratui· UIq au 7J0C baer« bei de« jJeoktaie dor leoperatur bie au -0^c, d*b· Uio ro-> /aderuoo des ifcuubla^paiWUauOabfaUe «a uonaiinten iet auoii uta das l.i^ 2ΓαβάΘ uioJri^o« ale bei de** uerüten» die auf üuoie der o.aadardVierten Jvrietuilo oi.wJ. i>ie ^ekbatiumtea de» iierateXluoj voa or-
f üidua^o^eaäJien üorüton oiiid im VorgXoicü au don der Uorüte > die uuf ^rioia voa otaudcurdioiortea
des JbiXiaiuuil^urbide fior^eetollt oiiiü, iajofüür uu das
inou j-pit. xialeciilootoi* deo Vota i>-^/p liojroaaler uodlf lkutiaa w<?rdeu aui' £rtai.Xen dos üiXiaiuo&urbide vom i*--/p bei oiuer von lü ■ J°v im
uio it aueoeßli0iiGii0u Douatoreu (-tioiujtüi'futoaoay iu Jeu
> ♦ pi? · Xj ca^, und die
dcir xootliouan jJeetaudteile - ^.X/^ • Xi 'ca v, vvjbei doiva üioice ^>'_2 '^u oucuacüto. .ujl Jioooa ..ijaoki'istalXea eii*d (aoookriütaXXiue üCiiiciitaa mit üer olaktroalccbon iGitiaui^kuit alt j>Acltw· von >> * 1>>^α unu alt eiuor ivauaoutrati ju dor oicat
uunatoratanKi (^ticuctoff aad ^aucrtjtofr) von
409817/0706 ßAD ORIGINAL
- Xk -
if >·1ϋ10 ♦ lff . ΙΟ*"6 o»"^ ami slow AonBeat*flfttoa Ie* I4 bestandteile von #4.υΑ/* 1,2 Vt* mT' angeordnet*
-Lg auauangBiorletall· dienen toQimtivckw ;-.iuuokrietalie des uiiiKarbide, die ι ir ο ie iteretellunc; »ua oUao ülo iupitaxioieooi<mt uiohü :; einer iioLbleiterllmitque
spiel 2 of uaols üee ^eaoui.tGa iduaoiu-istialXe Ueo oiiii».luokorbldo alt inoiiOkrletulliaor ^itaxialaohiebt 'Me υ ids vuia a-'i.'yp nixU üodureb vereLckllcüt, daü iv. no@i?@t aus dar die getrennte uUiuoion voa .l'uUnun oo.l i:ier
poratOL· voa 22jΛ i .uorliaib v^u ν Suaden la
uruck voa -^ 2 ata und Jaun uic» i^etj^aate ü|*i'tteioa bei eiuar Temperatur voa 192J9C iüßiS.Wiaib nan f u.;5 'in bei öioea Uruolt voa — 2 ata durcüi^' ■ ^
dos bilialnmmononyd la «i
dem
X»5 ii wui'ilen /ilutiiialutt uowie ai»& Oeia
, das dig Kx'letullo alt la oretöu Jtodlua dor Getreuaten ulfiTueion, Jer
dom p-Litifueionebarelch dor ^ltoxialocaiatit let ohn&ah» iioutakt aus dea auftioetüutoteu luLvlnliJu mit ϋίι&ια Ti« tooausats (1,51 ) ait einer Dicke voa i jm ai^eoxOnet, aul' welciiöa eine öciiioUt aut\;eetäub*e .ίίς,-kci alt eiauc.1 juiolce
vou -,,^ aui'tiötrüGOi- ist· iJer obaeciie uoataist Uqu Uuölii kristall a wiu'uo duiOii einea sweieoalebti^ea ^itaö- und ,loicel alt eiaer Dicke von J9J1J bae. j,3 ^«α ^eöildot» i;ia diciito dor otraUlun^ der Ualblciterlioatquoilea beirue lJ *
A09817/0706
BAD ORIGINAL
23A5198
ZXi od/*2 bei einer tavonSloute van #!> Λ /oat1 Cüti-ae-l )βΛ). Ue* Proeeateats dor Auebeate «a naeu der Fotolumt«»—η» brauchbar«a KrUtollea betrag 95 ->» Wahrond de* Prozente«*« dor A beute au uaea de* ia«fetroluaLneasena bnu«bb
V9 U.U. 6t ) let ifllndeet·»· ta do· ale bei ϋβη («erätea, die auf iJaei· von etuodardlete«t«B liciookrietaLieo iiertj·· eilt sind· ulo Horefc«U«tse»
ale Ml den bekannten ua das 2 bis
ute il«»et«li»»^elBtteten »on Vl«loX«mcii««alloxitqaDiJLeo( <Jie auf BuBlo von deoeelben Uoelekrletellea berueetellt vordea •Iod» elnd much ta 4um mhrfgßh* aledvi^e*, ale la «alle, «υ die Viel el nweirtencfliräto auf Ooeie von stand ,r^lolorten ti krletollen dee · ilisluakarblde hor^jeetellt verden.
Die ^rwendung de* varli%jettrten Lioütquelie· die auf voa ailizluakarbLd beveeetellt ist, ueatettot oe, e.iu die üoueutdleute de* i* oülun^j voa frühe» bekannten !»lantquellea dareheeunittiieti ua das l,i> ♦ 2fucne au ornuteu, und die fltreuder *erte de# iku-ohlat^- U|>annua<feobCttIie und de* jeueutdleüte
3
de* titrettteits \m um λ#5 ♦ be», dee lo*4£faab· bu vezoiadern«
·ατα«α die "eibetitoeten de* üe*et«U.aa<j 0·* um de« $ bis «tfnebe la Vereiclon au 4eo Lioüt-
queUoA (jeeenkt, die auf üeeie ton etandardUie*ten Moaekrietoiien von ullUluokarbid ^mt^ßmfLlt vurdeu.
A098 17/0706
^AD ORIG/NAL
ι>1· JjIoHtQOeUMi9 UU auf öcale »on LillUlutfcarbld tmr-11% mtumi, verwendet man sowabl mm von lof omallon^ öle auch sav Auf MloiuHtag von lloateapf lndlloten Liatevial«» für dl· &l%ob· tmä Ate^ab· de« la uio Keoüeuüeaü*«,
In digital· leiißerüt· i.
40Ϊ817/0706

Claims (1)

  1. üalbloltevlloij« jjeU· auf ttaeio ·1ι»β kristall· vou rwl/p, der eine α p-a· Jtergaag enthältt *>bel dl· Liloiitquell· «la· eilt Alumlnla· und Bor toglerto p-oouioftt alt «lnor Dleto ?oa ),l-2 yüa, oii»· alBtelQOtinise, alt ütiok-•tolT und üauevDtoff leslert© rt-3ueloeouiont ooele eine nodvmit fiov aK.lficrte üoUlotit alt oiuer Dlofee voa >»i-l»^/e
    dl· »lochen den p- und a^ieüloütea auuearOiMt i0t9 dadurch y«itouaaeloha«tt d^ auf deo iiiioleinouolorietall d·· ülllatuekarblde t-a iwPyp elao l>pltaatl«leelil«M fm öUtaluokixAide voa d«aäelb«a T/t> der AeltTualgkolt ocdatt letf auf dtscn JtMrriAoii· eia p-o-J Ut9 «ob·! d·» Jicui&ffBOcwaarletall d·· ttUlsltnJhtfbld· «la· 4«» Qlatit aus^tglloiMBMl itonatorato·· ναα
    "3 uod «in· äooMuixaflioa d«v Atooe der
    t)ie su 2*1J10 ot"'/ und dl· £ultazlalsculcht oixm
    ton .,ο·
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    MU· voa ^,4.1J17 c·*5 ♦ 1,5JLu17 ca"5 aod β Uw i)loit· voa
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6403975B1 (en) 1996-04-09 2002-06-11 Max-Planck Gesellschaft Zur Forderung Der Wissenschafteneev Semiconductor components, in particular photodetectors, light emitting diodes, optical modulators and waveguides with multilayer structures grown on silicon substrates

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5200805A (en) * 1987-12-28 1993-04-06 Hughes Aircraft Company Silicon carbide:metal carbide alloy semiconductor and method of making the same
US5082695A (en) * 1988-03-08 1992-01-21 501 Fujitsu Limited Method of fabricating an x-ray exposure mask
US5187547A (en) * 1988-05-18 1993-02-16 Sanyo Electric Co., Ltd. Light emitting diode device and method for producing same
US5027168A (en) * 1988-12-14 1991-06-25 Cree Research, Inc. Blue light emitting diode formed in silicon carbide
US4918497A (en) * 1988-12-14 1990-04-17 Cree Research, Inc. Blue light emitting diode formed in silicon carbide
JP2509713B2 (ja) * 1989-10-18 1996-06-26 シャープ株式会社 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
US5313078A (en) * 1991-12-04 1994-05-17 Sharp Kabushiki Kaisha Multi-layer silicon carbide light emitting diode having a PN junction
SE9602993D0 (sv) * 1996-08-16 1996-08-16 Abb Research Ltd A bipolar semiconductor device having semiconductor layers of SiC and a method for producing a semiconductor device of SiC

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3030704A (en) * 1957-08-16 1962-04-24 Gen Electric Method of making non-rectifying contacts to silicon carbide
US2937323A (en) * 1958-05-29 1960-05-17 Westinghouse Electric Corp Fused junctions in silicon carbide
NL230857A (de) * 1958-08-26
US3210624A (en) * 1961-04-24 1965-10-05 Monsanto Co Article having a silicon carbide substrate with an epitaxial layer of boron phosphide
US3517281A (en) * 1967-01-25 1970-06-23 Tyco Laboratories Inc Light emitting silicon carbide semiconductor junction devices
US3577285A (en) * 1968-03-28 1971-05-04 Ibm Method for epitaxially growing silicon carbide onto a crystalline substrate
DE1802350C3 (de) * 1968-10-10 1974-01-24 Tatjana G. Kmita Elektrolumineszente Halbleiterdiode
US3565703A (en) * 1969-07-09 1971-02-23 Norton Research Corp Silicon carbide junction diode

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6403975B1 (en) 1996-04-09 2002-06-11 Max-Planck Gesellschaft Zur Forderung Der Wissenschafteneev Semiconductor components, in particular photodetectors, light emitting diodes, optical modulators and waveguides with multilayer structures grown on silicon substrates

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