DE2347652A1 - Schaltstromkreis - Google Patents

Description

Dipl.-lng. H. MITSCHERLICH 8 WCNCHEM 2Ϊ

Dipl.-Ing. K. GUNSCHMANN »λ-*»««* 10

Dr. rer. not. W. KÖRBER . ·ί»ιι>·»««

Dipl.-ing. J. SCHMIDT-EVERS "' ^

Patentanwälte , .21. September 1973

SONY CORPORATION
7-35 Kitashinagawa
6-Chome, Shinagawa-ku
Tokyo / Japan

Paten tanmeldung

Schaltstromkreis

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf das Gebiet der Transistorschaltstromkreise mit minimalem Stromverbrauch und minimalem Signalverlust, wenn der Signalpfad durch die Stromkreise offen sein soll. Insbesondere bezieht sich die Erfindung auf eine verbesserte Farbdifferenz-oder Chrominanzschaltung für Farbfernsehempfänger, welche durch ein FarbkiHersignal gesteuert ist, damit Chrominanzfrequenzsignale nur in der Abwesenheit eines Farbkillersignals durchgelassen werden können.

Transistorschaltstromkreise zur Steuerung des Flusses von Signalstrom sind bisher in verschiedenen Formen hergestellt worden. Bei einer Ausführungsform ist ein Differentialverstärker so angeschlossen, daß einer seiner

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Transistoren ein Verstärker in dem Weg des Signals und der andere Transistor desselben mit dem Schaltsignal verbunden ist. Der erste Transistor verstärkt das Eingangssignal, wenn der zweite Transistor nichtleitend ist, wird aber ausgeschaltet, wenn der zweite Transistor leitend ist. Eine andere Verstärkerstufe ist mit dem ersten Transistor verbunden, um das Signal aus diesem zu empfangen, wenn der zweite Transistor nichrlei-reni ist. Wenn jedoch der zweite Transistor leitend ist, ist es immer noch möglich, daß etwas aus dem Eingangssignal um den ersten Transistor herum durch die Streukapazität leckt. Da die zweite Stufe noch leitend ist, kann sie diesen Steuersignalstrom verstärken und die Arbeitsweise weiterer Schaltungen beeinträchtigen. Die zweite Stufe ist ferner stets leitend, wobei zumindest einer der differentialverbundenen Transistoren stets leitend ist, so daß der Stromverbrauch immer beträchtlich ist. Dies ist bei integrierten Schaltungen unerwünscht, so daß der Schaltkreis dieser Art für derartige Schaltungen ungeeignet ist.

Eine andere Ausführungsform der Schaltungen nach dem Stand der Technik enthält einen Schalttransistor an den Basis-Emitter-Eingangsklemmen einer ersten Verstärkerstufe. Wenn der Schalt transistor nichtleitend ist, so kann die Eingangsstufe normal verstärken. Wenn der Schalttransistor leitend ist, macht er nicht nur die Eingangsstufe nichtleitend, sondern bildet auch einen niederohmigen Weg zur Erde für den Signa Is tr oixi, der sonst durch Streukapazität streuen und die Eingangsstufe umgehen würde. Eine zweite Verstärkerstufe, welche mit dem Ausgang der ersten Verstärkerstufe verbunden ist, verbleibt leitend auch dann, wenn die erste Verstärkerstufe nichtleitend wird, so daß der Stromverbrauch zu groß ist. Diese Schaltung hat jedoch gegenüber der erstgenannten Schaltung den Vorteil, daß bei ihr der Streusignal-

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strom reduziert ist.

Eine weitere Ausfuhrungsform einer Schaltung nach dem Stand der Technik hat einen Schalttransistcr, dessen Emitter-Kollektorsdhaltung in die Emitterschaltung des Endsignalverstärkungstransistors geschaltet ist. Wenn dieser Schalttransistor nichtleitend gemacht wird, ist der Signalverstärkungstransistor, der, normalerweise den meisten Strom führt, auch nichtleitend. Somit hat in dem Zustand, in welchem das angelegte Signal nicht verstärkt werden soll, dieser Strom eine verhältnismässig niedere Stromvergeudung, wobei jedoch immer noch ein unerwünschtes Streusignal um den nichtleitenden Signalverstärkungstransistor herum vorhanden sein kann.

Erfindungsgemäß wird das Signal, welches geschaltet werden soll, auf eine erste Halbleiterverstärkervorrichtung angelegt, welche ein Transistor sein kann. Die Ausgangsschaltung der ersten Halbleiterverstärkervorrichtung ist mit einer zweiten Halbleiterverstärkervorrichtung verbunden, welche das Ausgangssignal aus der ersten Verstärkervorrichtung weiterverstärkt. Beide Halbleiterverstärke rvorrichtungen können Transistoren sein.

Eine Schalthalbleitervorrichtung, welche auch ein Transistor sein kann, ist mit der Ausgangsschaltung der ersten Verstärkervorrichtung in' Reihe geschaltet und durch ein Schaltsignal gesteuert, welches zwei Pegel haben kann, wovon der eine als der OFFENE Pegel und der andere als der GESCHLOSSENE Pegel bezeichnet werden kann. .Die Bezeichnung für diese beiden Pegel erfolgt aufgrund der Tatsachs, daß, wenn sich das Schaltsignal beim GESCHLOSSENEN Pegel befindet, das Informationssignal durch die Verstärkervorrichtungen so durchkommt, wie es durch einen ge-

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schlossenen Schalter tun würde. Wenn die Schaltspannung an dem OFFENEN Pegel liegt, ist sie im Stande, durch die Verstärkervorrichtungen hindurchzukonunen, wobei es untersagt wird, wie es durch einen offenen Schalter geschehen kann. Wenn die auf die Schaltvorrichtung angelegte Schaltspannung den OFFENEN Pegel erreicht, nachdem sie bei dem GESCHLOSSENEN Pegel gelegen war, wird die Ausgangsschaltung der Schaltvorrichtung nichtleitend. Dies hat die Wirkung, daß die Ausgangsschaltung der ersten V er steuervorrichtung von ihrer Arbeitsspannungsquelle getrennt und somit nichtleitend gemacht wird. Während eine solche Wirkung bei einer Transistorverstärkungsvorrichtung erhalten werden könnte, indem die Ausgangsschaltung der Schaltvorrichtung entweder auf der Emitter- oder der Kollektorseite der Emitter-Kollektorausgangsschaltung angeschlossen wird, erfordert die vorliegende Erfindung, daß sich die Schaltvorrichtung auf der Kollektorseite befindet. Allgemeiner ausgedrückt, muß die Ausgangsschaltung der Schaltvorrichtung dann, wenn die Halbleiterverstärkervorrichtung eine Ausgangsschaltung hat, wovon ein Ende der Eingangsschaltung dieses Transistors gemeinsam oder mit ihr verbunden ist, mit dem anderen Ende der Ausgangsschaltung der Verstärkervorrichtung verbunden sein.

Ein Belastungswiderstand für die erste Halbleiterverstärkervorrichtung ist mit der Ausgangsschaltung der Verstärkervorrichtung an dem selben Ende derselben als Ausgangsschaltung der Schaltvorrichtung in Reihe geschaltet. Bei dieser Reihenschaltung kann der Belastungswiderstand zwischen die Ausgangsschaltungen der Verstärkervorrichtung geschaltet sein, oder aber kann die Ausgangsschaltung der Schaltvorrichtung zwischen den Belastungswiderstand und die Verstärkervorrichtung geschaltet sein.

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Eine Eingangselektrode einer zweiten Halbleiterverstärkervorrichtung ist mit einem Punkt in der Reihenschaltung zwischen der Ausgangsschaltung der ersten Verstärkervorrichtung und dem Belastungswiderstand verbunden. Als Ergebnis wird dann, wenn die erste Verstärkervorrichtung und die Schaltvorrichtung in Abhängigkeit von einer Schaltspannung am OFFENEN Pegel nichtleitend wird, auch die zweite Verstärkervorrichtung nichtleitend. Dadurch wird die Vergeudung oder der Verlust des Stromkreises, wenn er sich in einem OFFENEN Zustand befindet, sowie die Übertragung von Steuersxgnalstrom wesentlich herabgesetzt, da etwaiger Streustrom einen Weg über Streukapazitäten um zwei nichtleitende Verstärkervorrichtungen herum finden muß, anstatt um nur eine derartige Vorrichtung.

Bei einer anderen Ausführungsform kann die Schaltung bzw. der Stromkreis verbessert werden, indem eine andere Halbleiterverstärkervorrichtung in Kaskode zwischen der ersten Halbleiterverstärkervorrichtung und der Verbindung zur Eingangselektrode der zweiten Halbleiterverstärkervorrichtung zugegeben wird. Durch die Verbindung einer Steuerelektrode der dritten Halbleiterverstärkervorrichtung mit einer Quelle der Schaltspannung_s so daß die dritte Verstärkervorrichtung durch das Schaltsignal gesteuert wird, kann die dritte Verstärkervorrichtung zusammen mit der ersten und der zweiten Verstärkervorrichtung nichtleitend gemacht werden. Dieser Stromkreis erzeugt einen grosseren Gewinn bzw. Verstärkungsgrad, wenn sämtliche Verstärkervorrichtungen leitend sind und sich der Stromkreis in ; dem geschlossenen Zustand befindet, wobei auch der Streustrom verringert wird, wenn sich der Stromkreis in dem OFFENEN Zustand befindet, in welchem sämtliche Verstärker-

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vorrichtungen nichtleitend sind.

Bei einer anderen Ausführungsform der Erfindung sind zwei Halbleitervorrichtungen, welche zueinander differential verbunden sind, mit demselben Ende der Ausgangsschaltung der ersten Verstärkervorrichtung als Belastungswiderstand verbunden« Eine dieser beiden zusätzlichen Halbleitervorrichtungen hat eine Eingangselektrcce, die nit einer Spannung mit veränderlicher Vorspannung als Lautstärkeoder Volumensteuerung verbunden ist, wobei ihre Ausgangsschaltung zwischen die Ausgangsschaltung der ersten Versiär Ziervorrichtung und den Belastungswiderstand in Reihe geschaltet ist. Die andere, differential verbundene Halbleitervorrichtung hat seine Ausgangsschaltung zwischen die Ausgangsschaltung der ersten Verstärkervorrichtung und der Speisestromklemme in Reihe geschaltet, durch welche der Arbeitsstrom dem Stromkreis zugeführt wird. Die Eingangselektrode der zweiten Halbleiterverstärkervorrichtung ist mit einem Punkt in der Reihenschaltung zwischen der Ausgangsschaltung der ersten zusätzlichen Halbleitervorrichtung und dem Belastungswiderstand verbunden. Wenn die Schaltspannung in den OFFENEN Pegel gelegt wird, so bewirkt dies, daß diese Reihenschaltung nichtleitend wird, indem " die Schaltvorrichtung und folglich die erste zusätzliche Verstärkervorrichtung und die zweite Verstärkervorrichtung nichtleitend gemacht werden. Die andere, differential verbundene, Halbleitervorrichtung wird leitend, wodurch die Ausgangsschaltung der ersten Halbleitervorrichtung zur Speisestromklemme in der Tat kurzgeschlossen wird.

Es handelt sich also um einen Schaltstromkreis, bei welchem der Signalweg zwischen einer Signaleingangs- und einer Signalausgangsklemme zumindest zwei Verstärkerstufen aufweist, wobei der Emitter der ersten Stufe mit einem Be-

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lastungswiderstand und der Emitter-Kollektorschaltung eines Sehalttransistors in Reihe geschaltet ist. Der Schalttransistor ist zwischen einen leitenden und einen nichtleitenden Zustand geschaltet und zwar durch eine Schaltspannung, weiche an seine Basis angelegt wird. Die Basis einer zweiten Verstärkerstufe ist zwischen den Kollektor der ersten Stufe und der Belastung geschaltet, so daß, wenn der Schalttrar.= i=^rzr nichtleitend gemacht wird, indem der Strom daran gehindert wird, in seiner Emitter-Kollektorschaltung zu fliessen, auch die zveite Stufe nichtleitend gemacht wird, indem ihr Basisstrom auf Null verringert wird. Indem die erste Stufe nichtleitend gemacht wird, wird sie daran gehindert, das Signal ^u verstärken, wobei Streustrom erforderlich ist, um die erste Stufe mittels der Streukapazität zu fliessen. Wenn die erste und die zweite Stufe gleichzeitig nicht- , leitend gemacht werden, so wird der Streustrom daran gehindert, verstärkt zu werden, so daß der Streustrom die Ausgangsklemme Null über eine zweite Streukapazität erreichen kann, welche die Amplitude dieses Stromes weiter reduziert. Eine Kaskodestufe kann zwischen die erste und die zweite Stufe geschaltet werden, um zusammen mit ihnen als weiteres Mittel zur Verstärkung des"Signals nichtleitend gemacht zu werden, wenn die Transistoren wirksam sind, und zum Entkoppeln des Signals, wenn dieser Transistor und der erste Verstärkungstransistor nichtleitend sind. Dadurch wird der Strom durch die Schaltung bzw. den Stromkreis auf ein Minimum herabgesetzt, wenn sie sich in einem Zustand befindet, um den Signalstrom daran zu hindern oder ihm zu versagen, durch den Schaltkreis zu fliessen. Zusätzliche Verstärkungstransistoren, wie z.B. der kaskodenverbundene Transistor nach Fig. 6 und der Dxfferentialverstärker nach Fig. 7 können auch nichtleitend

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gemacht werden, wenn der erste Verstärkungstransistor nichtleitend ist. Jeder nichtleitende Transistor in dem Signalweg ergibt zusätzliche Isolierung der Eingangssignalklemme gegenüber der Ausgangssignalklemme, wenn der Stromkreis keinen Signalstrom übertragen soll.

Der in der Anmeldung beschriebene Schaltkreis soll als Teil einer integrierten Schaltung gebaut werden. Dies bedeutet, daß der Gleichstrom durch den Stromkreis so viel wie möglich reduziert werden soll, wenn dieser Stromkreis OFFEN ist. Der OFFENE Zustand des Stromkreises wird als der Zustand beschrieben, in welchem kein Signalstrom durch den SehaltStromkreis fließen kann. Ein anderes wichtiges Ziel der vorliegenden Erfindung ist, den Streuverlust des Signalstromes durch den Stromkreis zu verringern, wenn der Stromkreis OFFEN sein soll.

Wenn der Stromkreis OFFEN ist, wird der Gleichstrom auf ein Minimum herabgesetzt, indem ein Schalttransistor mit dem Belastungswiderstand eines ersten Transistors (oder einer Halbleitervorrichtung) in Reihe geschaltet und der Schalttransistor nichtleitend gemacht wird, wenn der Stromkreis in einem Zustand sein soll, in welchem der Signalstrom daran gehindert wird, durch ihn hindurchzufliessen. Es ist wichtig, daß der Schalttransistor an der Ausgangsseite des Transistors und in Reihe mit dem Belastungswiderstand verbunden ist. Falls er in der Schaltung bzw. in dem Stromkreis zwischen den Eingangselektroden, .beispielsweise in dem Emitterstromkreis, verbunden ist, wird jede Veränderung der Spannung, welche an die Basis des Schalttransistors angelegt ist, während er leitend ist, eine entsprechende Änderung im Signal bewirken, das durch den Verstärkungstransistor hindurchgeht.

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Ein zweiter Verstärkungstransistor ist mit seiner Basis zwischen den Kollektor des ersten Verstärkungstransistors und den Belastungswiderstand geschaltet. Als Ergebnis wird der zweite Verstärkungstransistor automatisch nichtleitend, wenn die Schalttransistoren nichtleitend sind. Statt einer einfachen Kaskodenstufe kann auch eine Differentialverstärkerstufe zwischen die erste und zweite Stufe geschaltet werden, um Mittel zur *"ers~ellung des Verstärkungsgrades der Schaltung zu schaffen.

~ie Erfindung wird nun unter Bezugnahme auf die beigefügten Zeichnungen näher beschrieben; darin zeigen:

Fig. 1 ein Blockschaltbild eines Fernsehempfängers zur Veranschaulichung der Stromkreisumgebung, in welcher der Erfindungsgegenstand Verwendung findet;

Fig. 2 - H schematische Ansichten verschiedener Ausführungsformen der Schalt- bzw. Stromkreise nach dem Stand der Technik;

Fig. 5-7 schematische Ansichten verschiedener erfindungsgemässer Ausführungsformen.

Der Fernsehstromkreis bzw. die Fernsehsehaltung_s die in Fig. 1 dargestellt ist, weist eine Antenne 1 für den Empfang von Fernsehsignalen sowie eine Antennenabsticimeinrichtung zum Auswählen des Kanals für das Fernsehen auf. Der Ausgang der Antennenabstimmeinrichtung 2 ist mit einem ZF-Va?stärker 3 verbunden, der Signale einem Videodetektor zuführt. Ein Ausgang des Videodetektors ist mit dem Videoverstärker in einem Helligkeitskanal 5 und mit aufeinanderfolgenden Chrominanzverstärkern 6 und 7 verbunden. Ein anderei

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Ausgang der Vide ode tektors chaltung 1 ist mit einer Ab lenk- und Synchronxsxersxgnalschaltung 8 verbunden, welche Signale den Klemmen X und Y eines Ablenkbügels zuführt. Die Ablenk- und Synchronisierschaltung 8 liefert auch Torsteueruitgssignale^ an eine Farbsynchronsignaltrennschaltung 9. Die Trennschaltung empfängt Chrominanz— und Farbsynchronsignale aus dem ersten Chromin=nzverstärker 6. Das torgesteuerte Farbsynchronsignal aus der Trennschaltung 9 wird an eine Farbsynchronsignalüberschwingerschaltung 10, welche die intermittierenden Farbsynchronsignale in ein kontinuierlicheres Signal derselben Frequenz umwandelt, weitergegeben. Der Ausgang der Farbsynchronsignalüberschwingerschaltung 10 wird mit einem Farbsynchronsignaldetektor 11 verbunden, der wiederum Signale an einen Gleichstromverstärker 12 liefert. Der Ausgang des Gleichstromverstärkers 12 wird mit einer automatischen Farbsteuerschaltung 13 verbunden, die mit dem Chrominanzverstärker 6 verbunden ist, um den Verstärkungsgrad des ChrominanzVerstärkers zu steuern.

Der Ausgang des Gleichstromverstärkers 12 ist also mit einem Farbkillersignalgeber 14· verbunden, dessen Aufgabe es ist, ein Signal K zu erzeugen, welches zwei Pegel hat. Der Basispegel des Signals K stellt die Ausgangsspannung dar, wenn die Antennenabstimmvorrichtung 2 auf ein Farbsignal genügender Stärke abgestimmt ist, um eine entsprechende Farbwiedergabe zu ergeben. Der obere Pegel des Signals K stellt den Spannungspegel in dem Punkt in dem Stromkreis dar, wenn die Abstimmeinrichtung 2 auf ein Signal abgestimmt ist, das entweder ein Schwarz-Weiß-Signal oder ein derart schwaches Farbsignal ist, daß es unmöglich ist, es richtig in Farbe wiederzugeben. Das Signal K ist sonit kein Impuls in dem üblichen Sinn, sondern eine Darstellung zweier Spannungspegel. Der Ausgang der Farb-

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killerschaltung kann, und gewöhnlich wird, in jedem Pegel so lange verbleiben, als der Empfänger auf eine spezifische Station abgestimmt ist, wobei diese Station einen Typ von Signalen, entweder Färb- oder Schwarz-Weiß-Signale überträgt.

Die Farbsynchronsignalüberschwingersch-lrurig 10 liefert auch Signale an einen Ortsoszillator L=. :er dan Träger speist, um die ChrominanzsignaIe zu dencculieren. Das Ausgangssignal des Oszillators 15 ist mit einem Farbcer.odulator 16 verbunden, der Chrominanzsignale demoduliert und die demodulierten Signale einer Matrixschaltung 17 liefert, in welcher sie mit HelligkeitsSignalen aus dem Helligkeitskanal 5 kombiniert werden, um-die erforderlichen Rot-, Grün- und Blausignale, zu erzeugen, und um die Intensität der Elektronstrahlen in der Fernsehbildröhre 18 zu modulieren.

Die vorliegende Erfindung befaßt sich mit Stromkreisen bzw. Schaltungen in dem zweiten Chrominanzverstärker 7, Die Klemmen 21 und 22 sind Eingangsklemmen zu diesem Verstärker, um das Chrominanzsignal aus dem Verstärker 6 und das Farbkillersignal aus dem Farbkillersignalgeber 14 zu empfangen. Der Ausgang des zweiten Chrominanzverstärkers 7 ist über ein Paar Klemmen 2 3 und 24- mit einer gekoppelten, abgestimmten Schaltung verbunden, welche Ausgangsklemmen 25 und 26 aufweist, die mit dem Farbdemodulator 16 verbunden sind.

Eine Ausführungsform eines Stromkreises nach dem Stand der Technik zur Verwendung bei dem zweiten Chrominanzverstärker 7 ist in Fig. 2 gezeigt. Bei dieser Schaltung bzw. bei diesem Stromkreis wird das Chrominanzsignal C an die Eingangsklemme 21 angelegt, während das Farbkiller-

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K an die Schaltsignaleingangsklemme 22 angelegt wird. Das Signal C ist nicht nur auf ein Chrominanzsignal beschränkt, sondern kann allgemeiner als ein Informationssignal zum Unterschied vom Signal K betrachtet: werden. Das letztgenannte Signal kann als Schaltsignal bezeichnet werden.

~ie Eingangsklemme 21 ist mit der Basis einer ersten Haibleiterverstärkervorrichtung (L verbunden. Bei diesem Stromkreis bzw. bei dieser Schaltung ist die Halbleitervorrichtung Q₁ ein NPN-Transistor, und ist in einer Differentialverstärkerschaltung mit einer zweiten Halbleiterverstärkervorrichtung in Form eines Transistors Q₂ verbunden. Die Basis des Transistors Q₂ ist mit der Schaltsignaleingangsklemme 22 verbunden. Die Emitter der beiden Transistoren Q₁ und Q₂ sind durch einen gemeinsamen Emitterwiderstand" R, mit Erde verbunden. Der Kollektor des Transistors Q₂ ist unmittelbar mit einer Positivstromspeiseklemme 27 und der Kollektor des Transistors Q₁ ist über einen Belastungswiderstand R₂ mit der selben Stromspeiseklemme 27 verbunden. Der Kollektor des Transistors Q₁ ist auch mit der Basis einer dritten Halbleiterverstärkervorrichtung in Form eines Transistors Q₃ verbunden. Der Emitter des Transistors Q_ ist über einen Vorspannungswiderstand R- mit Erde und der Kollektor des Transistors Q₃ ist mit einer der Klemmen der Kupplungsschaltung, insbesondere mit dem Primärteil eines Transformators T₁ verbunden. Die Primär- und Sekundärwicklungen des Transformators werden durch Kondensatoren C₁ und C₂ abgestimmt. Die andere Klemme 23 der Primärwicklung ist unmittelbar mit der Speisestromklemme 27 verbunden.

So lange ein Farbsignal mit einer genügenden Stärke empfangen wird, wird das an die'Klemme 22 angelegte Schaltsignal einen Wert unterhalb des Abschaltpegels des Transistors Q₂

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haben. Als Ergebnis wird der Transistor Q₁ leitend und verstärkt das Informationssignal und legt es an den zweiten Verstärkerstufentransistor Q₃ an.

Wenn das empfangene Signal ein Schwarz-Weiß-Signal ist und daher keine Farbsynchronsignale aufweist, hat jedoch das an die Klemme 22 angelegte Schalrsigr-äl K einen positiveren Wert, der genügend ist, ur z=~ Transistor Q₂ genügend leitend zu machen, um zu bewirken, daß der Transistor Q₁ nichtleitend wird. In diesem Fall wird ζ=s an die Eingangsklemme 21 angelegte Informationssignal gesperrt und kommt theoretisch nicht durch den Transistor Q-, durch, um. durch den Transistor Q₃ verstärkt zu werden. Dieser Zustand kann als OFFENER Zustand bezeichnet werden, während der Spannungspegel des Schaltsignals K, der bewirkt, daß der Stromkreis den OFFENEN Zustand erreicht, als OFFENER Pegel betrachtet werden kann. In diesem Fall kann ein Schaltpegel unterhalb des OFFENEN Pe^Ls als der GESCHLOSSENE Pegel für NPN-Transistoren betrachtet werden. Wie in Fig. 2 gezeigt, würde der OFFENE Pegel positiver als der GESCHLOSSENE Pegel sein, wobei jedoch für PNP-Transistoren das Umgekehrte zutreffen würde. Es ist ferner wünschenswert, daß die Stromkreise bzw. Schaltungen, welche das Schaltsignal K an die Schaltsignaleingangsklemme 22 liefern, im Stande sein sollen, ein Schaltsignal derartiger Amplitude zu erzeugen, daß. ein klarer Unterschied zwischen dem OFFENEN Pegel und dem GESCHLOSSENEN Pegel besteht.

Wenn der Transistor Q₂ leitend und der Transistor Q₁ nichtleitend ist, ist es leider immer noch.möglich, daß die an die Klemme 21 angelegten Informationssxgnale einen Weg um den Transistor Q₁ herum zur Basis des Transistors Qg. finden. Ein derartiger Weg ist durch die Streukapazität

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C, angedeutet, welche gezeigt ist, als sie die Basis-

eingangselektrode des Transistors Q^ mit der Kollektorausgangselektrode dieses Transistors verbindet. Da der Transistor Q, auch ein NPN-Transistorist, ist seine Bas is vorspannung sogar höher, wenn der» Transistor Q^ nichtleitend ist, als wenn er leitend ist. Scrd-t ist der Transistor Q^ imstande, Streusignale zu verstärken, welche durch die Streukapazität aus der Eingangsklemme zur Basis des Transistors Q- kommen, wenn sogar, die Schaltung 7 oder der Stromkreis 7 sich vermutlich in einem OFFENEN Zustand befinden. Der Transistor Q₃ vergeudet ferner Energie in dem OFFENEN Zustand, wobei diese Energie zum Erhitzen der Stromkreiselemente beiträgt. Somit ist dieser Stromkreis zur Konstruktion als ein Teil einer integrierten Schaltung ungeeignet.

Fig. 3 zeigt eine andere Schaltung bzw. einen weiteren Stromkreis nach dem Stand der Technik, bei welchem die Informationssignaleingangsklemme 21 über einen Widerstand R^ mit der Basis eines ersten Verstärkungstransistors Q₁^ verbunden ist. Dieser Transistor hat einen Belastungswiderstand in Form eines Widerstandes R₅ und ist mit einer zweiten Verstärkerstufe verbunden, welche einen Transistor Q₆ aufweist. Der letztere hat einen Vorspannungswiderstand Rg in seiner Emitterschaltung. Das Schalten des Stromkreises 7 nach Fig. 3 zwischen dem OFFENEN und GESCHLOSSENEN Zustand wird mittels eines Schalttransistors Q₅ bewerkstelligt, der unmittelbar mit den Basis-Emittereingangsklemmen des Transistor« Q₁^ parallelge— schaltet ist. Die Basis des Schalttransistors Qg ist mit der Schaltsignaleingangsklemme 22 verbunden.

Wenn ein Farbfernsehsignal einer genügenden Stärke empfan-

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gen wird, so ist der Spannungspegel an der Schaltsignaleingangsklemme 22 kleiner als der Abschaltpegel des Transistors Q₁. · Daher ist der Transistor Q₅ nichtleitend und das an die Informationssignaleingangsklenune 21 angelegte Signal wird durch die beiden Varstärkerstufen verstärkt und an die abgestimmte Ausgangsschaltung angelegt.

rt'enn ein Schwarz-Weiß-Fernsehsignal oder ein Farbfernsehen ungenügender Kraft empfangen wird, so wird das Schaltsignal K an die Eingangsklemme 22 angelegt und ha ζ einen genügend hohen Wert, um zu bewirken, daß der Schalttransistor Q₃ leitend wird. Dies bewirkt, daß die Spannung an der Basis des Verstärkertransistors Q₁^ unter den leitenden Pegel sinkt, wodurch die Amplitude des Signals wesentlich herabgesetzt wird, das an die Basis des zweiten Verstärkertransistors Q₆ angelegt ist. Wie bei dem Stromkreis nach Fig. 2, würde es für einen Teil des an die Eingangsklemme 21 angelegten Signals möglich sein, einen Streuweg in Form der Streukapazität C, von der Basis des Transistors Q₁^ zum Kollektor dieses Transistors zu finden. Der Widerstand R₁^ und die Emitter-Kollektorschaltung des leitenden Schalttransistors Q₅ bilden jedoch eine Spannungstrennschaltung, welche die Amplitude des Informationssignals an der Basis des Transistors Q₁^' weiter reduziert. Als Ergebnis ist sehr wenig vom Signal verblieben, um durch die Streukapazität zum Transistor Qg zu lecken. Der letztere ist jedoch leitend, und zwar sogar in dem vermutlich OFFENEN Zustand der Schaltung .7, so daß diese Schaltung sich zur Konstruktion in einer integrierten Schaltung nicht eignet.

Fig. 4 zeigt eine andere Schaltung bzw. einen anderen Stromkreis nach dem Stand der Technik mit einer unter-

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schiedlichen Schaltanordnung. Die Informationssignaleingangsklemme 21 ist mit der Basis eines Verstärkertransistors Q₇ verbunden, der einen Widerstand 7 hat, der mit seinem Emitter verbunden ist. Die Basis eines Transistors Q₈ ist mit der Schaltsignaleingangsklemme 22 verbunden, während ein Belastungswiderstand R„ vom Kollektor 'des Transistors Q₁ mit der Spei se s tr einklemme 27 verbunden ist. Der Kollektor des Transistors Qg. ist auch mit der Basis eines Transistors Qg verbunden, welcher die zweite Stufe des Sehältstromkreises bildet. Die Emitter-Kollektorschaltung des Transistors Q_g ist zwischen dein Widerstand R- und Erde in Reihe geschaltet. Der Transformator T^. mit abgestimmtem Ausgang ist mit den Ausgangsklemmen 23 bzw. 24 der Schaltung verbunden.

Im Arbeitszustand des Stromkreises bzw. der Schaltung nach Fig. ¹^ wenn sich der Spannungspegel, der an die Schaltsignaleingangsklemme 22 angelegt ist, beim GESCHLOSSENEN Pegel befindet, ist der Transistor Q₈ nichtleitend , während der Transistor Q_g leitend ist. Dies ermöglicht es dem Verstärkertransistor Q₇, auch leitend zu sein und das Informationssignal C zu verstärken, das an die Eingangsklemmen 21 angelegt ist.

Wenn der an die Schaltsignaleingangsklemme 22 angelegte Spannungspegel zunimmt und OFFENER Pegel ist, wird der Transistor Q₈ leitend und bewirkt, daß der Transistor Q₉ nichtleitend wird. Dies hindert den Transistor Q₇ daran, Arbeitsstrom zu empfangen, wodurch auch der Transistor Q₇ nichtleitend gemacht wird.

Diese Arbeitsweise hat den Vorteil, daß der Transistor Q₇, der das verstärkte Informationssignal mit hohem Pegel dem Transformator T- liefert, während des OFFENEN Zustands

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nichtleitend ist, so daß der Stromkreis verhältnismässig wenig Strom während dieser Zeit verbraucht. Der Transistor Q₇ ist jedoch die einzige Komponente zwischen der Eingangsklemme 21 und dem Transformator T₁, so daß es möglich ist, unerwünschten Strcn hoher Streuung um den Transistor Q₇ über die Streukapazität C, zum Fliessen zu bringen. Ein weiteres ur.ervün.sch~es Merkaal dieses Stromkreises besteht c=rir:, ia5> eine Spannungsschwankung, wie z.B. 60 Brummperiocen (cycle hum) in der Stromspeisequelle, die mit der Klemme 27 verbunden ist, durch den Schalttransistor Q_g während der Zeit verstärkt wird, in welcher sich der Stromkreis in seinem geschlossenen Zustand befindet. Dies ergibt eine unerwünschte Veränderung bzw. Schwankung des Ausgangssignals an den Klemmen 25 bzw. 26.

Fig. 5 zeigt eine Grundausführungsform des erfindungsgemässen Stromkreises. Die Informationseingangsklemme 21 ist mit der Eingangsschaltung einer Halbleiterverstärkervorrichtung Q₁₀ verbunden. Bei dieser Ausführungsform ist die Halbleiterverstärkervorrichtung ein NPN-Transistor. Der Belastungswiderstand R_g ist mit der Emitter-Kollektor-Ausgangsschaltung des Transistors Q._ in Reihe geschaltet. Der Transistor Q₁₀ ist als geerdeter Emitterverstärker verbunden. Dies bedeutet, daß der Emitter, welcher sowohl der Basis-Emittereingangsschaltung des Transistors als auch der Emitter-Kollektorausgangsschaltungdss Transistors gemeinsam ist, mit Erde verbunden ist« wobei der Belastungswiderstand mit dem -Kollektor verbunden ist. Die Basiseingangselektrode eines Schaltsignalhalbleiters in Form eines NPN-Transistors Q₁₁ ist mit der SchaltsigräLeingangsklemme 22 verbunden, Die Emitter-Kollektor*- ausgangsschaltung des Transistors Q₁₁ ist zwischen Erde

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und einen Belastungswiderstand R₁₀ geschaltet, dessen anderes Ende mit der Speisestromklemme 27 verbunden ist. Der Kollektor des Transistors Q₁₁ ist auch nit der Basis der Haupthalbleiterschaltvorrichtung verbunden» die hier als ein NPN-Transistor Q₁₂ dargestellt ist. Die Emitter-Kollektorausgangsschaltung des Transistors Q₁₂ ist zwischen die Speisestromklemme 27 und den Belastungswiderstand R_g in Reihe geschaltet.

Die Basiseingangselektrode einer zweiten Halbleiterverstärkervorrichtung in Form eines anderen NPN-Transistors Q₁₃ ist mit einem Punkt in der Reihenschaltung verbunden, welche den Belastungswiderstand R„ und die Emitter-Kollektorausgangsschaltung des Transistors Q₁₀ umfaßt, wobei in der Tat die Basis des Transistors Q₁₃ unmittelbar mit dem Kollektor des Transistors Q₁₀ verbunden ist. Ein Widerstand R₁₁ ist zwischen den Emitter des Transistors Q₁₃ und die Erdklemme der Stromspeisequelle geschaltet. Der Kollektor des zweiten ·Verstärkertransistors Q₁₃ ist über die Ausgangsklemme 24 mit dem abgestimmten Transformator T₁ verbunden.

Im Arbeitszustand der Schaltung bzw. des Stromkreises nach Fig.5, wenn sich die an die Schaltsignaleingangsklemme angelegte Spannung bei dem geschlossenen Pegel befindet, ist der Schalttransistor Q₁₁ nichtleitendj und der zweite Schalttransistor^l2 leitend. Dies ermöglicht, daß Arbeitsstrom durch den Belastungswiderstand R_g und die Emitter-Kollektorausgangsschaltung des Transistors Q₁₀ fließt. Ein Informationssignal C, das an die Informationssignaleingangsklemme 21 angelegt ist, wird in einer Reihenfolge durch die Transistoren Q₁₀ und Q₁ ? verstärkt und an den

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Transformator T₁ angelegt.

Obwohl die Impedanz bzw. der Widerstand der Emitter-Kollektorausgangsschaltung des Schalttransistors Q₁₂ iaaner noch durch Schwankungen der Arbeitsspannung beeinträchtigt werden kann, die an die Klemme 27 angelegt ist, besteht ein Vorteil des Verbindens des Trar.sis-rcrs 0-, ₂ ^a**f der Kcllektorseite des VerstärkertransisTcrs Z*-, darin, daß der Belastungswiderstand R_g genügend grcS gemacht werden kann, so daß derartige Schwankungen keine Wirkung auf die Verstärkung des Informationssignals haben.

Wenn die Schaltspannung K, welche an die Schaltsignaleingangsklemme 22 angelegt ist, aus dem GESCHLOSSENEM Pegel in den OFFENEN Pegel übergeht, wird der Transistor Q₁₁ leitend und reduziert die Spannung an der Basis des Schalttransistors Q₁₂ auf den Punkt, bei welchem der letztere auch nicht mehr leitend ist. Als Ergebnis, ist der Transistor Q₁₂ wirksam Von der Speisestromklemme 27 getrennt, und wird nichtleitend. Gleichzeitig wird auch der Transistor Q^₃ durch die Verschiebung in dem Vorspannungspegel seiner Basis nichtleitend gemacht. Da die beiden Verstärkertransistoren Q₁₀ und Q₁₃ nichtleitend sind, wird etwaiger StreusignaIstrom, welcher die' Ausgangsklemme 24 aus. der Eingangsklemme 21 erreicht hat, durch zwei Streukapazitäten C, bzw. C, fliessen müssen, wovon jede die Amplitude dieses Streustromes reduzieren wird. Wenn die an die Schaltsignaleingangsklemme 22 angelegte Spannung sich im OFFENEN Pegel befindet, so ist ferner der einzige Transistor im Stromkreis 7, der nichtleitend ist, der Transistor 11. Die durch den Stromkreis in dem OFFENEN Zustand vergeudete Hitze ist daher sehr klein, was ein wünschenswerter Faktor ist, falls der Stromkreis in eine integrierte Schaltung eingesetzt werden soll,

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Fig. 6 zeigt eine weitere Ausführungsform der vorliegenden Erfindung mit gewissen Vorteilen gegenüber der in Fig. 5 gezeigten Schaltung. Die meisten Kupplungen nach Fdg. 6 sind dieselben wie jene bei Fig. 5 und dienen ähnlichen Zwecken. Die zusätzlicher. Komponenten umfassen, eine zusätzliche Halbleiterverstärkervorrichtung in Form eines NPN-Transistors Q₁₁₊, deren Emitter-Kollektorschaltung mit der Emitter-Kollektorausgangsschaltung des Transistors Q₁₀ und dem Belastungswiderstand Rg in Reihe geschaltet ist. Die Basis des Transistors Q₁₁, ist über den Widerstand R₁₂ mit dem Obergang des Widerstandes 10 und der Basis des Transistors Q^j verbunden. Eine in einer Richtung leitende Schaltung in Form eines Paares von Dioden D₁ und D„ ist in der Basis des Transistors Q₁^ und der Erdklemme der Speisestromquelle verbunden. Der Obergang zwischen dem Kollektor des Transistors Q₁^ und des Belastungswiderstandes R_g ist unmittelbar mit der Basis einer weiteren Halbleiterverstärkervorrichtung in Form eines anderen NPN-Transistors Q₁C verbunden. Dieser Transistor ist als Emitterfolger mit einem Widerstand R₁₃ zwischen den Emitter des Transistors Q₁₅ und die Erdklemme geschaltet. Die Basis des Verstärkertransistors Q₁₃ ist unmittelbar mit dem Emitter des Emitterfolgetransistors Q₁C verbunden.

Im Arbeitszustand des Stromkreises nach Fig. 6 verstärkt der Transistor Q₁₄ weiter das Informationssignal, das an die Eingangsklemme 21 angelegt ist. Der Transistor Q₁₁, ist ' mit Bezug auf den Transistor Q₁₀ in Kaskode verbunden. Der Transistor Q₁₅ ändert lediglich den Impedanz- und Spannungspegel des Signals, wie an den Verstärkertransistor Q₁₃ angelegt.

Der Zweck des Widerstandes R^₂ und der Dioden D₁ und D„

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ist, als ein stabilisierter Sasisvorspannungsstromkreis für die Transistoren Q₁₂ ^υη·^<^ Q^ ^zu wirken, wenn diese Transistoren leitend sind, d.h. im geschlossenen Zustand des Stromkreises. Der Spannungsabfall an den beiden Dioden D- und D„ hat die richtige Größe» um die richtige Vorspannung für den Transistor Q₁ ^ zu liefern, wobei jedoch eine dritte Diode in Reihe geschaltem werden kann ocer diese Dioden durch einen Widers-=r-f ~'szr Erzielung des richtigen Spannungspegels ersetzt werden können,

"erja der an die Schaltsignaleingangsklemme 22 angelegte Spannungspegel von dem geschlossenen Pegel in den offenen Pegel übergeht, wird der Schalttransistor Q₁₁ leitend und reduziert die Spannung an den Basen der Transistoren Q₁₂ und Q₁^ bis zu einem Punkt, bei welchem sie nicht mehr Strom M ten können. Wie bei Fig. 5, sperrt dies den Durchgang des Informationssignals aus der Klemme 21 zur Klemme 24, indem der Transistor Q₁₀ nichtleitend gemacht wird. Zusätzlich zur Tatsache, daß die Transistoren Q₁- und Q₁₁, nichtleitend gemacht werden, wird diese Basisvorspannung des Transistors Q₁^ auch zu einem Punkt reduziert, bei welchem der Transistor nichtleitend ist. Dadurch wird wiederum die Spannung am Widerstand R₃ reduziert und der Transistor Q₁- nichtleitend gemacht. Infolge der Nichtleitfähigkeit sämtlicher vier Transistoren, durch welche das Informationssignal hindurchgehen muß, und zwar aus der Eingangsklemme 21 zur Ausgangsklemme 24, ist es klar, daß praktisch kein Signalstreustrom die Klemme 24 erreichen kann. 'Da der einzige Transistor im Stromkreis, der leitend verbleibt, wenn sich der Stromkreis in seinem OFFENEN Zustand befindet, der Transistor Q₁₁ ist, findet darüber hinaus sehr wenig Wärmevergeudung in dem OFFENEN Zustand statt, so daß der Stromkreis sich sehr gut eignet, in eine integrierte Schaltung eingebaut zu werden.

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Eine typische Gruppe von Parametern für den Stromkreis nach Fig. 6 ist wie folgt:

1.5 K 6.2 K 100 Ohm 3.9 K 1.5 K 150 pF 39 pF

V 12 Volt

cc

Fig. 7 zeigt eine andere Ausfuhrungsform der vorliegenden Erfindung. Dieser Stromkreis hat auch eine Anzahl Komponenten» welche die selben wie jene nach Fig. sind, so daß nur die neuen Komponenten beschrieben werden. Zwei zusätzliche Halbleiterverstärkervorrichtungen, die hier als NPN-Transistören Q₁₆ und Q₁₇ dargestellt sind, sind mit dem Kollektor des Verstärkertransistors Q₁₀ differential verbunden. In diesem Fall ist der Transistor Q₁₆ sehr ähnlich dem Kaskodentransistor Q₁₄ nach Fig. 6, wobei seine Emitter-Kollektorschaltung zwischen die Emitter-Kollektorschaltung des Transistors Q₁₀ und den Kollektorbelastungswiderstand R_g in Reihe zwischengeschaltet ist. Die Basis des Transistors Q₁₆ ist mit dem Arm eines Potentiometers VR₁ verbunden, während dieser Potentiometer an die Speisestromklemmen angeschlossen ist, so daß die Speisestromspannung V daran angelegt wird. Ein Widerstand R_{1 ft} ist mit dem Widerstand R^₀ in Reihe geschaltet, um als eine Spannungstrennschal-

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tung zu wirken und die Vorspannung zu bestimmen, welche an die Basis des Schalttransistors Q₁₂ angelegt werden soll. Eine andere Spannungstrenneinrichtung, welche
die Widerstände R,g und R₁₇ aufweist, ist an den
Speisestromklemmen· zwischen der Klenure 27 und Erde geschaltet, wobei der Mittelpunkt dieser Spanmmgstrenneinrichtung mit der Basis des Transisrcrs Γ_„ verbunden ist, so daß dann, wenn der Transistor C - r.ichtleitend ist, der Transistor Q₁₇ leitend ist und umgekehrt. Die Emitter-Kollektorausgangsschaltung des Transistors Q₁₇ ist zwischen den Kollektor des Transistors Q₁₀ und die Speisestromklemme 27 unmittelbar geschaltet.

Im Arbeitszustand des Stromkreises nach Fig. 7, wenn
sich die an die Eingangsklemme 22 angelegte Spannung
am GESCHLOSSENEN Pegel befindet, ist der Schalttransistor Q₁₁ nihtleitend, während der Schalttransistor Q₁₂ leitend ist. Die Leitfähigkeit des Transistors Q₁₆ hängt von der Einstellung des Potentiometers VR₁ ab, so daß
dieser Potentiometer als Verstärkungsfaktorsteuerung
für den Stromkreis wirkt. Diese Verstärkungsgradsteuerwirkung dient als Farbsättigungssteuerung, wenn der
Stromkreis 7 nach Fig. 7 bei einem Fernsehempfänger Verwendung findet. Infolge der Differentialarbeitsweise
der Transistoren Q₁₆ bzw. Q₁₇, ist der Transistor Q₁₇ im GESCHLOSSENEN Zustand des Stromkreises nichtleitend.

Wenn das Schaltsignal K, das an die Schaltsignaleingangsklemme 22 angelegt ist, von dem GESCHLOSSENEN Pegel in den OFFENEN Pegel übergeht, schließt der Schalttransistor 11 den Widerstand R₁^ kurz und senkt die Spannung an der Basis des Transistors Q₁₂ auf einen Punkt, bei
welchem der Transistor nicht mehr leiten kann. Als Ergebnis kann kein Strom durch den Transistor Q₁₆ fliessen,

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wobei jedoch infolge der Differentialarbeitsweise Strom durch die Emitter-Kollektorschaltung des Transistors Q₁₇ fliessen kann. Da die Basis des Transistors Q₁₃ mit dem Übergang zwischen dem Kollektor des Transistors Q₁₆ und dem Belastungswiderstand R_g verbunder, ist, wird auch der Transistor Q₁₃ zu dieser Zeit nichtleitend.

2as an die Informationssignaleingangsklemme 21 im OFFENEN Zustand des Stromkreises angelegte Inforraationssignal C kann nicht durch den Transistor Q₁₀ durchgehen, wobei jedoch der Verstärkungsgrad des Transistors, an seinem Kollektor gemessen, im wesentlichen gleich Null ist, da sein Kollektor praktisch auf die Speisestromklemme 27 durch den leitenden Transistor Q₁₇ kurzgeschlossen wird. Dadurch wird die Amplitude eines Informationssignals am Kollektor des Transistors Q₁₀ auf ein Minimum verringert. Der Transistor Q₁₆ ist nichtleitend, so daß verhältnismässig wenig des Signalstromes einen Streuweg durch den Transistor Q₁₆ finden kann. Jeder solcher etwaige Streustrom wird einen anderen Streuweg am nichtleitenden Transistor Q₁₃ vorbeifinden müssen, um die Ausgangsklemme 24 zu erreichen. Somit ergibt dieser Stromkreis, genau wie der in Fig. 6 gezeigte, eine ausgezeichnete Trennung der Eingangssignalklemme 21 von der Ausgangssignalklemme 24.

Da die beiden Transistoren Q₁₀ und Q₁₇ im OFFENEN Zustand des Stromkreises leitend sind, findet etwa mehr Wärmevergeudung im OFFENEN Zustand statt, als im Falle des ■Stromkreises Nach Fig. 6. Der Vorteil einer Verstärkungsgradsteuerung jedoch macht diesen Stromkreis nach Fig. 7 für gewisse Zwecke bevorzugt gegenüber dem in Fig. 6 gezeigten.

Eine typische Gruppe von Parameterwerten für den Stromkreis

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nach Fig. 7 ist wie folgt: ^R

9 ^R

1Q

^R15 ^R16 R₁₇

^Cl ^C2
^Vcc

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3	K	2 K	PF
1.	2 K	6 K	Volt.
3	K	K
11	K	150 pF
620 Ohm	39
8.	12
3.
10

-" Patentansprüche:

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Claims (1)

1. -.26 -

   Paten-tan sprü ehe

   1. Schaltkreis mit einer Informationssignaleingangs— klemmeneinrichtung, einer Informationssignalausgangsklemmeeinrichtung, einer Informationssignalwegeinrichtung, welche die besagte Eingangsklemmeneinrichtung mit der besagten Ausgangsklemmeneinrichtung verbindet und eine erste Halbleiterverstärkervorrichtung aufweist, welche eine Eingangsschaltung enthält, die mit der besagten Informationseingangsklemmeneinrichtung verbunden ist» sowie eine Ausgangsschaltung, die an einem Ende mit der besagten Eingangsschaltung verbunden und durch das Informationssignal gesteuert ist» welches an die besagte Eingangsschaltung angelegt ist, ein Ausgangsbelastungswiderstand, der mit der besagten Ausgangsschaltung am anderen Ende gegenüber dem besagten einen Ende in Reihe geschaltet ist, sowie eine zweite Halbleiterverstärkervorrichtung, welche eine Eingangselektrode aufweist, die mit der besagten Reihenschaltung zwischen der besagten Ausgangsschaltung und dem Belastungswiderstand geschaltet ist, eine Schaltsignaleingangsklennneneinriehtung zum Empfang eines SchaItsignals, um zwischen einem OFFENEN und einem GESCHLOSSENEN Pegel geschaltet zu werden, sowie einer Schalteinrichtung, die mit der . besagten Schaltsignaleingangsklemmeneinrichtung und mit der Informationssignalwegeinrichtung verbunden ist, um den Durchgang des Informationssignals entlang derselben zu hindern, wenn sich das Schaltsignal im OFFENEN Pegel befindet, jedoch nicht dann, wenn sich das Schaltsignal in dem besagten GESCHLOSSENEN Pegel befindet, wobei

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   die besagte Schalteinrichtung eine Schalthalbleitervorrichtung aufweist, welche eine Eingangselektrode und eine dadurch gesteuerte Ausgangsschaltung aufweist, sowie eine Schaitungseinrichtung, welche die besagte Schaltsignaleingangsklemineneinrichirjr.r z±~ der besagten Eingangselektrode der besagten Schalthalbleitervorrichtung verbindet, um die Ausgangsschaltung der besagten Schalterhalbleitervorrichtung zu steuern, um nichtleitend zu sein, wenn sich das Schaltsignal im besagten OFFENEN Pegel befindet, und um leitend zu sein, wenn sich das besagte Schaltsignal im besagten GESCHLOSSENEN Pegel befindet, dadurch gekennzeichnet, daß

   die Ausgangsschaltung der besagten Schalthalbleiter-· Vorrichtung (Q₁₃)"mit dem besagten Ausgangsbelastungswiderstand (Rq) am anderen Ende der besagten Ausgangsschaltung der besagten ersten Halbleiterverstärkervorrichtung (Q-Iq) in Reihe geschaltet ist, damit sowohl' die erste als auch die zweite Halbleiterverstärkervorrichtung (Q-) 0» Q13 ^zw. Qi 0» Qi5^ ^nur dann leitend sein können, wenn die Schalthalbleitervorrichtung (Q₁9 ^ leitend ist.

   Schaltstromkreis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Belastungswiderstand (Rq) zwischen die entsprechenden Ausgangsschaltungen der ersten Halbleiterverstärkervorrichtung CQ₁₀) und der Schalthalbleitervorrichtung (Q₁9) ^ⁿ R^e*-h^e geschaltet ist.

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   3. S ehalt Stromkreis nach Anspruch 1, dadurch, gekennzeichnet, daß die erste und die zweite Speisestronklemme (27, Erde) mit einer Gleichstromquelle verbunden sind, daß die Ausgangsschaltung der Schalthalbleitervorrichtung (Q₁₂^j der Belastungswiderstand (?v_Q) und die Ausgangsschaltung der ersten Halbleiterverstärkervorrichtung (Q₁₀) zwischen die Speisestromklemmen (27, Erde) in Reihe geschaltet sind, daß das besagte eine Ende der Ausgangsschaltung der ersten Halbleiterverstärkervorrichtung (Q_1n) mit der zweiten Speisestromklemme (Erde) verbunden ist, daß die besagte Schaltungs· einrichtung eine zweite Schalthalbleitervorrichtung ((L-.) aufweist, welche eine Eingangselektrode aufweist, die mit der besagten Schaltsignaleingangsklemmeneinrichtung (22) verbunden ist, sowie eine Ausgangsschaltung, die durch das Schaltsignal (K) gesteuert wird, um einen niederohmigen Pfad zwischen der Eingangselektrode der erstgenannten Schalthalbleitervorrichtung (Q₁₂) und der zweiten Speisestromklemme (Erde) zu bilden, wenn das besägte Signal (K) den OFFENEN Pegel erreicht.

   4. Schaltkreis nach Anspruch 3, gekennzeichnet durch eine dritte Halbleiterverstärkervorrichtung (Q₁₄), die zwischen die besagte Ausgangsschaltung der ersten Halbleiterverstärkervorrichtung (Q₁₀) und der besagten Eingangselektrode der zweiten Halbleiterverstärkervorrichtung (Q₁C) in Kaskode geschaltet ist, und durch eine gesonderte Einrichtung (Q₁₁* %2^» welche die dritte Halbleiterverstärkervorrichtung (Q₁U^ "¹^-* der Schaltsignaleingangsklemmeneinrichtung (22) ver-

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   bindet, damit die dritte Halbleiterverstärkervorrichtung (Q₁I,) nichtleitend wird.

   5» Schaltkreis nach Anspruch ¹J-, dactirrr. g"e>:enr:zeichnet, da3 die dritte Halbleiterverstärker-"—! chtung (Q₁^) einen Widerstand bzw. eine Impedanz CH₁O^ aufweist, welche die besagte Eingangselektrode der dritten Halb leiterverstärk er vorrichtung (Q_ilf) mit der besagten Eingangselektrode der Schalthalbleitervorrichtung (Q₁₂^ verbindet, und daß eine in einer Richtung leitende Einrichtung (D₁, D») zwischen die Elektrode der dritten Halbleiterverstärkervorrichtung (Q₁₄) und die zweite Speisestromklemme (Erde) in Reihe geschaltet ist.

   6. Schaltstromkreis nach Anspruch 3, gekennzeichnet durch eine dritte Halbleiterverstärkervorrichtung (Q₁-), welche eine Eingangselektrode aufweist, und durch eine Ausgangsschaltung, die zwischen die Ausgangsschaltung der ersten Halbleiterverstärkervorrichtung (Q₁₀) und dem Belastungswiderstand (Rq) in Reihe geschaltet ist, eine steuerbare Vorspannungseinrichtung (V„ ), die mit der Eingangselektrode der dritten Halbleiter=· Verstärkervorrichtung (Q₁₆) verbunden ist, um den Verstärkungsgrad der Informationssignale dadurch zu steuern, und eine vierte Halbleiterverstärkervorrichtung (Q₁₇), die vorgespannt ist, um normalerweise leitend zu sein, und eine Ausgangsschaltung aufweist, welche zwischen die Ausgangsschaltung der ersten Halbleiterverstärkervorrichtung (Q₁₀) und die besagte Speisestromklemme (27)

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   in Reihe geschaltet ist, wobei die dritte und die vierte Halbleiterverstärkungsvorrichtung (Q-.g bzw. Q.17) einen Differentialverstärker aufweisen.

   7. Schaltkreis nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Halbleiterverstärkervorrxchtmgen (Q-iq» Q-» ₂ > Q₁₃, Q-15) Transistoren desselben Leitfähigkeitstyps sind.

   8. Schaltkreis nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Schalthalbleitervorrichtung (Q₁₂) ein Transistor desselben Leitfähigkeitstyps wie die Halbleiterverstärkervorrichtungen (Q₁₀J Q12» ^13' ^15^

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