DE2352697A1 - Elektrolumineszenz-halbleiterbauteil zum erzeugen von licht verschiedener wellenlaengen - Google Patents

Elektrolumineszenz-halbleiterbauteil zum erzeugen von licht verschiedener wellenlaengen

Info

Publication number
DE2352697A1
DE2352697A1 DE19732352697 DE2352697A DE2352697A1 DE 2352697 A1 DE2352697 A1 DE 2352697A1 DE 19732352697 DE19732352697 DE 19732352697 DE 2352697 A DE2352697 A DE 2352697A DE 2352697 A1 DE2352697 A1 DE 2352697A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
contact
components
component according
light
gallium nitride
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19732352697
Other languages
English (en)
Inventor
Jacques Isaac Pankove
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
RCA Corp
Original Assignee
RCA Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by RCA Corp filed Critical RCA Corp
Publication of DE2352697A1 publication Critical patent/DE2352697A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system
    • H01L33/32—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system containing nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/113—Nitrides of boron or aluminum or gallium
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S148/00—Metal treatment
    • Y10S148/15—Silicon on sapphire SOS
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/956—Making multiple wavelength emissive device

Description

Dtpl.-lng. H. Sauenland Dr.-lng. R. König - Dipl.-lng. K. Bergen Patentanwälte · 4ddd Düsseldprf 3D - Cecilienalfee 76 - Tetefon 432732
18. Oktober 1973
28 864 B 2352697
RCA Corporation, 30 Rockefeller Plaza,
New York, M. Y* 10020 (Y. St0A0)
"Elektrolumineszenz-Harbleiterbauteil zum Erzeugen von Licht verschiedener Wellenlängen"
Die Erfindung·betrifft ein Elektrolumineszenz-Halbleiterbauteil zum Erzeugen von Licht mindestens drei verschiedener Wellenlängen,, "
Elektrolumineszenz-Halbleiterbauteile sind im allgemeinen Körper aus einem einkristallinen Halbleitermaterial, das unter dem Einfluß einer Vorspannung aufgrund der Rekombination von Paaren entgegengesetzt geladener Träger Licht entweder im sichtbaren oder im infraroten Bereich emittierte Solche Halbleiter wurden aus Halbleiterverbindungen der Gruppen IH-V des periodischen Systems hergestellt, Z0Bo aus Phosphiden, Arseniden und Antimoniden von Aluminium, Gallium und Indium sowie aus Kombinationen dieser Materialien, da die hohe Bandabstandsenergie' dieser Materialien eine Emission von sichtbarer und nalie infraroter Strahlung ermöglicht. Die besondere Wellen-r länge des emittierten Lichts hängt vom für die Herstellung des Bauteils verwendeten Halbleitermaterial abo Zum Beispiel emittiert Galliumarsenid infrarote Strahlung; Galliumphosphid emittiert entweder rotes oder grünes Licht; Galliumarsenid-Phosphid kann rotes Licht emittieren; Galliumnitrid kann entweder blaues oder grünes Licht emittieren und Gallium-Aluminium-Arsenid kann entweder infrarotes oder gelbes Licht emittieren.
S. fu 403S21/Ö753
ORIGINAL INSPECTED
Eine Vielzahl von Elektrolumineszenz-Halble it erbauteilen kann in einer Anordnung derart zusammenmontiert werden, daß eine flache, elektrolumineszierende Anzeigetafel entsteht. Aufgabe der Erfindung ist es, ein Elektrolumineszenz-Halbleiterbauteil vorzuschlagen, das in der Lage ist, mehr als eine Lichtfarbe zu emittieren, insbesondere die drei Primärfarben rot, blau und grün, und mit dem. außerdem erreicht werden kann, daß ^ede der Farben vom selben Punkt an der Oberfläche des Bauteils emittiert wird.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß gelöst durch einen ersten Körper eines kristallinen Halbleitermaterials, das in der Lage ist, bei angelegter Spannung licht zu emittieren, wobei das emittierte Licht eine bestimmte Wellenlänge besitzt, wenn die Spannung in einer Richtung durch den Körper verläuft, während es eine zweite Wellenlänge besitzt, wenn die Spannung in entgegengesetzter Richtung verläuft, durch einen dem ersten Körper benachbarten zweiten Körper aus Halbleitermaterial, der in der Lage ist, bei angelegter Spannung Licht einer dritten Wellenlänge auszusenden, das durch den ersten Körper wahrgenommen werden kann, und durch elektrische Anschlüsse für jeden KÖrpere
Vorzugsweise bestehen die Anschlüsse aus einem ersten mit dem ersten Körper verbundenen Kontakt, einem zweiten mit dem zweiten Körper verbundenen Kontakt und einem dritten sowohl mit dem ersten als auch mit dem zweiten Körper verbundenen Kontakt, wobei letzterer mit Abstand sowohl zum ersten als auch zum zweiten Kontakt angeordnet ist.
Anhand der beiliegenden Zeichnung, in der bevorzugte Ausführungsformen dargestellt sind, wird die Erfindung näher erläutert. Es zeigen:
40 98 2 1/0-7 55
Fig. 1 eine Ausführungsförm eines erfindungsgemäßen Elektromulineszenz-Halbleiterbauteils, im Querschnitt;
Fig. 2 das in Fig. 1 dargestellte Bauteil, in Draufsicht;
Fig, 3 das in Fig. 1 dargestellte Bauteil, von unten gesehen;
Fig«, 4 eine abgewandelte Ausführungsform des in Fig„ 1 dargestellten Bauteils, in Draufsicht;
Fig. 5 eine Anordnung mehrerer Bauteile gemäß Fig. 4, in perspektivischer Darstellung; und
Fig, 6 eine flache Anzeigetafel, die mehrere Anordnungen
gemäß Fig. 5 aufweist, in perspektivischer Darstellung.
Unter Bezugnahme auf die Fig. 1 Ms 3 wird zunächst eine Ausführungsform des erfindungsgemäßen Elektrolumineszenz-Halbleiterbauteils beschrieben, das insgesamt mit 10 bezeichnet iste Das Bauteil 10 weist ein flaches Substrat 12 aus einem elektrisch isolierenden Material auf, das optisch transparent ist, wie beispielsweise Saphir. Auf einer Oberfläche 14 des Substrats 12 befindet sich ein Körper 16 aus η-leitendem, kristallinem Galliumnitrid, mit einer Leitfähigkeit von ungefähr 10 'Siemens (mho). Auf der Oberfläche des leitenden Galliumnitridkörpers 16 befindet sich ein Körper 18 aus isolierendem, kristallinem Galliumnitrid. Die Galliumnitridkörper 16 und 18 sind epitaktisch auf das Substrat aufgebracht, beispielsweise durch Dampfphasenepitaxie. Während des anfänglichen Schritts des Niederschlagsprozesses werden geringe oder keine Mengen an Akzeptorverunreinigung eingeschlossen, so daß die zunächst niedergeschlagene Galliumnitridmenge leitend ist, um(den leitenden Galliumnitridkörper 16 zu bilden« Sobald ein leitender. Gallium-
409821/0755
nitridkörper 16 mit gewünschter Dicke niedergeschlagen ist, wird eine Akzeptorverunreinigung, wie Zink, Cadmium, Beryllium, Magnesium, Silizium oder Germanium in das niedergeschlagene Material eingeschlossen. In das aufgebrachte Galliumnitrid wird eine hinreichende Menge an Akzeptorverunreinigung eingeführt, um alle inhärent im Galliumnitrid gebildeten natürlich vorkommenden Donatoren vollständig zu kompensieren. Auf diese Weise wird d6r isolierende Galliumnitridkörper 18 gebildete
Eine Schicht 20 aus einem elektrisch isolierenden Material, .wie Siliziumdioxid, Aluminiumoxid oder Siliziumnitrid, bedeckt einen kleinen Bereich des isolierenden Galliumnitridkörpers 18, und zwar an dessen Kante. Eine metallische Anschlußfahne 22 wird über die Isolierschicht 20 gezogen und erstreckt sich über die Kante der Isolierschicht, um den isolierenden Galliumnitridkörper 18 zu berühren,. Eine kleine Kugel 24 aus weichem Metall, wie Indium, ist oberhalb der Isolierschicht 20 auf der Anschlußfahne 22 angebrachtο Wenn es gewünscht ist, können die Isolierschicht 20 und die Anschlußfahne 22 wegfallen und die kleine Kugel 24 in direktem Kontakt mit dem Körper angebracht sein»
Ein Körper 26 aus einkristallinem Halbleitermaterial aus der Gruppe der III-V-Verbindungen und Mischungen davon ist auf der anderen Oberfläche 28 des Substrats 12 befestigt« Der Körper 26 besteht aus einem Halbleitermaterial, das in der Lage ist, Licht auszusenden, und zwar Licht einer Farbe, die unterschiedlich von der des durch den isolierenden Galliumnitridkörper 18 ausgesandten Lichts ist, und zwar besteht der Körper 26 vorzugsweise aus einem Halbleitermaterial, das rotes Licht emittiert, wie Galliumphosphid, Galliumarsenid-Phosphid oder Gallium-Aluminium-Arsenido Der Körper 26 besitzt zwei nebeneinanderliegende Bereiche 30 und 32 entgegenge-
409821/0755
setzten" Leitfähigkeitstypss wodurch zwischen ihnen ein PN-Übergang geschaffen wird. Somit stellt der Körper 26 eine elektrolumineszierende Diode dar. Die Diode 26 kann dadurch hergestellt werden, daß in einen Körper aus Halbleitermaterial einesLeitfähigkeitstyps, entweder p-leitend oder η-leitend, ein Leitfähigkeitsmodifizierer des entgegengesetzten Typs in einen bestimmten Bereich dieses Körpers eindiffundiert wird. Alternativ kann die Diode 26 entsprechend dem in dem US-Patent 3 647 579 beschriebenen Verfahren hergestellt werden. Die Diode 26 wird auf dem Substrat 12 befestigt, wobei der Bereich 30 dem Substrat anliegt, während der Bereich 32 vom Substrat wegweist. Eine Kugel 34 aus weichem Metall, wie . Indium, wird am Bereich 32 der Diode 26 befestigt und dient als ein Kontakt für die Diode.
Ein Streifen 36 aus einem elektrisch leitenden Metall, wie Nickel, erstreckt sich entlang einer Kante des Substrats 12 und überlappt eine Kante des leitenden Galliumnitridkörpers 16 und des Bereichs 30 der Diode 26. Der Metallstreifen ist am Substrat 12, dem leitenden Galliumkörper 16 und der Diode 26 durch eine elektrisch leitende Lötschicht 38 befestigt. Der Metallstreifen 36 dient dazu, die Diode 26 mechanisch am Substrat 12 zu befestigen und außerdem als gemeinsamer elektrischer Kontakt für den leitenden Galliumnitridkörper 16 und den Bereich 30 der Diode 26„
Beim Gebrauch des elektrolumiheszierenden Halbleiterbauteils 10 sind· die Kontakte 22, 34 und 36 über eine Gleichstromquelle verbundene Sobald der Strom den isolierenden Galliumnitridkörper 18 zwischen den Kontakten 22 und 36 passiert, wird vom isolierenden Galliumnitridkörper 18 Licht emittiert, das von der Oberfläche des isolierenden Galliumnitridkörpers 18 gesehen werden kann0 Wenn der Kontakt 22 gegenüber dem Kontakt 36 negativ ist, wird
40982 1/07
blaues Licht vom isolierenden. Galliumnitridkörper 18 emittiert,, Wenn der Kontakt 22 gegenüber dem Kontakt 36 positiv ist, wird vom isolierenden Galliumnitridkörper 18 grünes Licht emittiert«,
Wenn durch die Diode 26 zwischen den Kontakten 34 und ein Strom geleitet wird, so daß der PN-Übergang der Diode in Vorwärtsrichtung vorgespannt ist, emittiert die Diode Licht,vorzugsweise rotes Licht. Da das Substrat 12 optisch transparent ist, und die Galliumnitridkörper 16 und 18 bezüglich rotem Licht ebenfalls transparent sind, wird das von der Diode 26 emittierte rote Licht an der Oberfläche des isolierenden Galliumnitridkörpers 18 wahrgenommen. Durch Anschließen der Kontakte 22, und 36 über geeignete Schalter an die Stromquelle kann das elektrolumineszierende Halbleiterbauteil 10 derart betrieben werden, daß es blaues, grünes oder rotes Licht emittiert, das immer an derselben Oberfläche des Bauteils wahrgenommen wird.
In Fig. 4 ist eine abgewandelte Ausführungsform des erfindungsgemäßen elektroluminesziexenden Halbleiterbauteils dargestellt, das insgesamt mit 100 bezeichnet ist. Das elektrolumineszierende Halbleiterbauteil 100 stimmt in seinem Aufbau mit dem in den Figo 1 bis 3 dargestellten Bauteil 10 überein, bis auf den Unterschied, daß nunmehr zwei mit Abstand zueinander angeordnete Metallkontaktfahnen 122a und 122b auf der freien Oberfläche des isolierenden Galliumnitridkörpers 118 vorgesehen sind. Auf den Kontaktfahnen 122a und 122b befinden sich Metallkugeln 124a bzw«, 124b. Bei Gebrauch dieses Elektrolumineszenzbauteils 100 wird eine der Kontaktfahnen, beispielsweise die Kontaktfahne 122a derart mit einer Stromquelle verbunden, daß sie· gegenüber dem Kontakt negativ ist, während die andere Kontaktfahne 122b so angeschlossen wird, daß sie gegenüber dem Kontakt 136
409821/0755
positiv ist. Dadurch wird das Umschalten des elektrolumineszierenden Halbleiterbauteils 100 auf entweder blaues oder grünes Licht erleichtert.
In Fig. 5 ist eine Anordnung 40 einer Vielzahl elektrolumineszierender Halbleiterbauteile 100 dargestellt. Zur Bildung der Anordnung 40 werden die Bauteile 100 mit Ab-. stand zueinander an einem länglichen Metallstreifen befestigt. Der Metallstreifen 42 dient sowohl als gemeinsamer elektrischer Kontakt zu den isolierenden Galliumnitridkörpern und den Dioden der Bauteile 100 als auch als gemeinsame Elektrode für sämtliche Bauteile. Somit kann bei der Anordnung 40 eine gewünschte Farbe individuell von jedem der Bauteile 100 oder auch von zwei oder mehr Bauteilen gleichzeitig emittiert werden. Obgleich zum Aufbau der Anordnung 40 Bauteile 100 verwendet wurden, kann diese Anordnung selbstverständlich auch durch Bauteile 10 gemäß den Fig. 1-bis 3 gebildet werden,, *
In Fig. 6 ist eine flache Anzeigetafel 44 dargestellt, die aus mehreren Anordnungen 40 gebildet ist«, Die Anzeigetafel 44 besitzt ein Paar flacher Platten 46 und 48 aus einem elektrisch isolierenden Material, wie Plastik oder Glas. Die obere Platte 46 sollte zudem optisch transparent sein. Die Platten 46 und 48 sind mit Abstand zueinander parallel angeordnet. Zwischen den Platten 46 und 48 sind mehrere Anordnungen 40 parallel zueinander vorgesehen, wobei der Abstand zwischen jeweils zwei Anordnungen so gering als möglich gewählt ist. Durch Überziehen der rückwärtigen Oberfläche des Metallstreifens 42 jeder Anordnung 40 mit einem elektrisch isolierenden Material können die Anordnungen mit den elektrolumineszierenden Halbleiterbauteilen 100 derart eingebaut werden, daß die Bauteile 100 jeder Anordnung die isolierende Schicht auf der Rückseite
409821/0755
des Metallstreifens der benachbarten Anordnung berühren. Die Anordnungen 40 werden so eingebaut, daß der isolierende Galliumnitridkörper 118 jedes Bauteils 100 der oberen Platte 46 benachbart ist und die Bauteile 100 benachbarter Anordnungen 40 senkrecht zu den Anordnungen verlaufende Reihen bilden.
Eine erste Gruppe mehrerer mit Abstand und parallel zueinander angeordneter Metallfilmleiter 50 sind auf der inneren Oberfläche der oberen Platte 46 vorgesehen. Jeder Leiter 50 erstreckt sich entlang einer quer verlaufenden Reihe von Bauteilen 100 und liegt den Metallkugeln 124a der Kontaktfahnen 122a der Bauteile 100 der entsprechenden quer verlaufenden Reihe an. Eine zweite Schar mehrerer mit Abstand und parallel zueinander angeordneter Metallfilmleiter 52 ist auf der inneren Oberfläche der oberen Platte 46 vorgesehen« Die zweite Schar von Leitern 52 verläuft parallel zu und alternierend mit der ersten Schar von Leitern 50. Jeder Leiter 52 liegijden Metallkugeln 124b der Kontaktfahnen 122b der Bauteile 100 in der entsprechenden quer verlaufenden Reihe an. Eine dritte Schar von mit Abstand und parallel zueinander angeordneten Metallfilmleitern 54 ist auf der inneren Oberfläche der unteren Platte 48 vorgesehen» Jeder Leiter 54 der dritten Schar erstreckt sich entlang einer quer verlaufenden Reihe von Bauteilen 100 und berührt die Kugelkontakte 134 der Dioden 126 der elektrolumineszierenden Halbleiterbauteile der entsprechenden quer verlaufenden Reihe. Somit sind in jeder quer verlaufenden Reihe von Bauteilen 100 die Kontaktfahnen 122a elektrisch mit einem gemeinsamen Leiter 50, die Kontaktfahnen 122b elektrisch mit einem gemeinsamen Leiter 52 und die Kontakte 134 elektrisch mit einem gemeinsamen Leiter 54 verbunden.
409821/0755
Die Leiter SO, 5% und 34 sowie die Metallstreifen 42 der Anordnungen 40 sind über geeignete Schalter mit einer Gleiohstromiquelle verbunden* Durch Anlegen einer Spannung zwischen einem oder mehreren der Metallstreifen 42 und einem oder mehreren der verschiedenen Leiter 50, 52 und 54 können ein oder mehrere der elektrolumineszierenden Hälbleiterbauteile 100 erregt werden» um Licht, der gewünschten Farbe zu emittieren, das durch die obere Platte 46 der Anzeigetafel 44 gesehen werden kann* Die Bauteile 100 können derart erregt werden, daß das emittierte Licht ein gewünschtes Muster bildete Das emittierte Lichtmuster kann insgesamt aus einer der drei Farben bestehen oder· kann auch bereichsweise jede der drei Farben aufweisen. Somit kann die Anzeigetafel 44 ein Mehrfarbenmuster aus durch die elektrolumineszierenden Halbleiterbauteile emittiertem Licht erzeugen, wobei die Helligkeit jedes Bauteils durch die Intensität des passierenden Stroms geregelt wird.
409821/Q755

Claims (1)

  1. RCA Corporation, 30 Rockefeller Plaza, New,.York. N,Y. 10020 (V,St.A.)
    Patentansprüche:
    f 1 ,) Elektrolumineszenz—Halbleiterbauteil zum Erzeugen von ^^"^ Licht mindestens drei verschiedener Wellenlängen, gekennzeichnet durch einen ersten Körper eines kristallinen Halbleitermaterials, das in der Lage ist, hei angelegter Spannung Licht zu emittieren, wobei das emittierte Licht eine bestimmte Wellenlänge besitzt, wenn die Spannung in einer Richtung durch den Körper verläuft, während es eine zweite Wellenlänge besitzt, wenn die Spannung in entgegengesetzter Richtung verläuft, durch einen dem ersten Körper benachbarten zweiten Körper aus Halbleitermaterial, der in der Lage ist, bei angelegter Spannung Licht einer dritten Wellenlänge auszusenden, das durch den ersten Körper wahrgenommen werden kann, und durch elektrische Anschlüsse für Jeden Körper«
    2« Bauteil nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß der erste Körper aus isolierendem Galliumnitrid besteht,
    3, Bauteil nach Anspruch 1 oder 2, g e k e η η ζ e i c h net du r c h ein flaches Substrat aus elektrisch isolierendem und optisch transparentem Material,' auf dessen einer Seite der erste Körper und auf dessen gegenüberliegender Seite der zweite Körper befestigt ist,
    4. Bauteil nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, gekennzeichnet durch einen
    40982 1/OTSS
    dritten Körper aus elektrisch leitendem Galliumnitrid auf der einen Seite des Substrats, wobei sich der erste Körper auf dem dritten Körper befindet.
    5. Bauteil nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis kt dadurch gekennzeichnet , daß die Anschlüsse aus einem ersten mit dem ersten Körper verbundenen Kontakt, einem zweiten mit dem zweiten Körper verbundenen Kontakt und einem dritten sowohl mit dem ersten als auch mit dem zweiten Körper verbundenen Kontakt bestehen, wobei letzterer mit Abstand sowohl zum ersten als auch zum zweiten Kontakt angeordnet ist.
    6. Bauteil nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet , daß der zweite Körper aus einer Verbindung der Gruppe III-V und Mischungen daraus besteht und nebeneinanderliegende Bereiche entgegengesetzter Leitfähigkeit aufweist, um im Körper einen PN-Übergang zu bilden, und daß der zweite Kontakt mit einem Bereich des zweiten Körpers und der dritte Kontakt mit dem anderen Bereich des zweiten Körpers verbunden ist.
    7. Bauteil nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der dritte Kontakt sich zwischen dem dritten Körper und dem anderen Bereich des zweiten Körpers erstreckt und mit diesen verbunden ist.
    8. Bauteil nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß der dritte Kontakt aus einem Metallstreifen besteht, der sich über eine" Kante des Substrats erstreckt und an einer Kante des dritten Körpers und des anderen Bereichs des zweiten Körpers befestigt
    409821/07 5 5
    235^897
    9. Bauteil nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß sich der erste Kontakt auf der Oberfläche des ersten Körpers befindet und ein vierter Kontakt auf der Oberfläche des ersten Körpers mit Abstand vom ersten Kontakt vorgesehen 1st.
    10» Anordnung mehrerer Bauteile gemäß einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Metallstreifen verlängert ist und die Bauteile daran mit Abstand voneinander befestigt sind.
    11. Anzeigetafel, bestehend aus mehreren Anordnungen gemäß Anspruch 10,- dadurch gekennzeichnet ,-. daß die Anordnungen parallel zueinander zwischen zwei mit Abstand und parallel zueinander vorgesehenen Platten aus elektrisch leitendem Material eingebaut sind, wobei die Bauteile in parallelen Reihen sowohl entlang als auch quer zu den Metallstreifen angeordnet sind, durch mehrere, mit Abstand und parallel zueinander angeordnete Metalleiter auf der inneren Oberfläche jeder Platte, wobei jeder Leiter sich entlang einer entsprechenden quer verlaufenden Reihe der Bauteile erstreckt und jeder Leiter einer der Platten die ersten Kontakte der Bauteile der entsprechenden quer verlaufenden Reihe berührt, während jeder Leiter der anderen Platte den zweiten Kontakten der Bauteile der entsprechenden quer verlaufenden Reihe anliegt.
    12. Anzeigetafel nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet , daß die dem ersten Körper der Bauteile benachbarte Platte optisch transparent ist.
    0 9 8 21/0755 °RIGiNAL
DE19732352697 1972-10-27 1973-10-20 Elektrolumineszenz-halbleiterbauteil zum erzeugen von licht verschiedener wellenlaengen Pending DE2352697A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US30146872A 1972-10-27 1972-10-27

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2352697A1 true DE2352697A1 (de) 1974-05-22

Family

ID=23163508

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19732352697 Pending DE2352697A1 (de) 1972-10-27 1973-10-20 Elektrolumineszenz-halbleiterbauteil zum erzeugen von licht verschiedener wellenlaengen

Country Status (7)

Country Link
US (1) US3783353A (de)
JP (1) JPS5244716B2 (de)
CA (1) CA1008550A (de)
DE (1) DE2352697A1 (de)
FR (1) FR2204935B1 (de)
GB (1) GB1448285A (de)
IT (1) IT995575B (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3842394A1 (de) * 1988-12-16 1990-06-21 Total En Dev & Messerschmitt B Mehrschichtige fluoreszenzvorrichtung

Families Citing this family (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3922703A (en) * 1974-04-03 1975-11-25 Rca Corp Electroluminescent semiconductor device
US4011575A (en) * 1974-07-26 1977-03-08 Litton Systems, Inc. Light emitting diode array having a plurality of conductive paths for each light emitting diode
US3947840A (en) * 1974-08-16 1976-03-30 Monsanto Company Integrated semiconductor light-emitting display array
US4062035A (en) * 1975-02-05 1977-12-06 Siemens Aktiengesellschaft Luminescent diode
DE2738329A1 (de) * 1976-09-06 1978-03-09 Philips Nv Elektrolumineszierende galliumnitridhalbleiteranordnung und verfahren zu deren herstellung
SU773795A1 (ru) * 1977-04-01 1980-10-23 Предприятие П/Я А-1172 Светоизлучающий прибор
JPS575083A (en) * 1980-06-13 1982-01-11 Tokyo Shibaura Electric Co Display unit
FR2514566A1 (fr) * 1982-02-02 1983-04-15 Bagratishvili Givi Dispositif emetteur de lumiere semi-conducteur a base de nitrure de gallium et procede de fabrication dudit dispositif
US4577207A (en) * 1982-12-30 1986-03-18 At&T Bell Laboratories Dual wavelength optical source
US4780643A (en) * 1983-03-30 1988-10-25 Minnesota Mining And Manufacturing Company Semiconductor electrodes having multicolor luminescence
US4857801A (en) * 1983-04-18 1989-08-15 Litton Systems Canada Limited Dense LED matrix for high resolution full color video
US4559116A (en) * 1984-07-09 1985-12-17 Minnesota Mining And Manufacturing Company Process of etching semiconductor electrodes
JPS6140081A (ja) * 1984-07-31 1986-02-26 Sharp Corp 光半導体装置
US5094970A (en) * 1988-11-07 1992-03-10 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of making a light emitting diode array
EP1313153A3 (de) * 1992-07-23 2005-05-04 Toyoda Gosei Co., Ltd. Lichtemittierende Vorrichtung aus einer Verbindung der Galliumnitridgruppe
US5703436A (en) 1994-12-13 1997-12-30 The Trustees Of Princeton University Transparent contacts for organic devices
US6358631B1 (en) 1994-12-13 2002-03-19 The Trustees Of Princeton University Mixed vapor deposited films for electroluminescent devices
US5707745A (en) * 1994-12-13 1998-01-13 The Trustees Of Princeton University Multicolor organic light emitting devices
US6548956B2 (en) 1994-12-13 2003-04-15 The Trustees Of Princeton University Transparent contacts for organic devices
US6057871A (en) * 1998-07-10 2000-05-02 Litton Systems, Inc. Laser marking system and associated microlaser apparatus
JP2001217456A (ja) * 2000-02-03 2001-08-10 Sharp Corp 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
US6525464B1 (en) * 2000-09-08 2003-02-25 Unity Opto Technology Co., Ltd. Stacked light-mixing LED
EP1469516A1 (de) * 2003-04-14 2004-10-20 Epitech Corporation, Ltd. Weisslichtemittierende Halbleitervorrichtung mit mehreren Leuchtdioden-Chips
WO2006049533A2 (fr) * 2004-11-05 2006-05-11 Mikhail Evgenjevich Givargizov Dispositifs rayonnants et procedes de fabrication correspondants
US9178121B2 (en) 2006-12-15 2015-11-03 Cree, Inc. Reflective mounting substrates for light emitting diodes
US8493071B1 (en) * 2009-10-09 2013-07-23 Xilinx, Inc. Shorted test structure
US8802454B1 (en) 2011-12-20 2014-08-12 Xilinx, Inc. Methods of manufacturing a semiconductor structure

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3611069A (en) * 1969-11-12 1971-10-05 Gen Electric Multiple color light emitting diodes
US3683240A (en) * 1971-07-22 1972-08-08 Rca Corp ELECTROLUMINESCENT SEMICONDUCTOR DEVICE OF GaN
US3727115A (en) * 1972-03-24 1973-04-10 Ibm Semiconductor electroluminescent diode comprising a ternary compound of gallium, thallium, and phosphorous

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3842394A1 (de) * 1988-12-16 1990-06-21 Total En Dev & Messerschmitt B Mehrschichtige fluoreszenzvorrichtung

Also Published As

Publication number Publication date
US3783353A (en) 1974-01-01
JPS4977592A (de) 1974-07-26
IT995575B (it) 1975-11-20
CA1008550A (en) 1977-04-12
FR2204935A1 (de) 1974-05-24
FR2204935B1 (de) 1978-02-17
GB1448285A (en) 1976-09-02
JPS5244716B2 (de) 1977-11-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2352697A1 (de) Elektrolumineszenz-halbleiterbauteil zum erzeugen von licht verschiedener wellenlaengen
DE2903336C2 (de) Leuchtdioden-Anzeigeeinrichtung
DE19605670B4 (de) Aktivmatrixanzeigegerät
DE2949332A1 (de) Anzeigefeld
DE19854269A1 (de) Dünnschichtsolarzellenanordnung sowie Verfahren zur Herstellung derselben
DE2234590A1 (de) Elektrolumineszenz-halbleiterbauteil
DE2554398A1 (de) Lichtemissionsdiodenelement und -anordnung
DE2363120B2 (de) Sonnenzellenanordnung
DE2525329B2 (de) Zweirichtungs-Photothyristor
DE3926065A1 (de) Verfahren zur herstellung eines led-feldes
DE1614145A1 (de) Dauerdurchschlagssicherer Feldeffekttransistor mit isolierten Gattern
DE1489894B2 (de) In zwei richtungen schaltbares halbleiterbauelement
DE3819671A1 (de) Solarzelle und verfahren zu ihrer herstellung
DE2262412A1 (de) Abtastbares und lichtemittierendes diodenfeld und verfahren zu dessen herstellung
DE3903837C2 (de)
DE2725265A1 (de) Halbleiter-leuchtanzeigevorrichtung
DE2101290A1 (de) Bildwiedergabegerät
DE2716205A1 (de) Festkoerperanzeigevorrichtung und verfahren zu deren herstellung
DE19823914A1 (de) Anordnung lichtemittierender Dioden
DE2412505A1 (de) Halbleiter-elektrolumineszenz-anzeigeeinheit
DE2629785C2 (de) Halbleiterbauelement
DE2260584B2 (de) Eimerkettenschaltung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE102015114135A1 (de) Photovoltaische Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung einer photovoltaischen Vorrichtung
DE2031444A1 (de) Optoelektronische Anordnung
DE4338187A1 (de) Lichtemittierendes Halbleiterbauelement

Legal Events

Date Code Title Description
OHN Withdrawal