DE2410205B2

DE2410205B2 - Hystereseschaltung

Info

Publication number: DE2410205B2
Application number: DE19742410205
Authority: DE
Inventors: Minoru Tokio Sasaki
Original assignee: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1973-03-05
Filing date: 1974-03-04
Publication date: 1976-06-16
Also published as: GB1458691A; FR2220934B1; JPS5318308B2; CA1009708A; JPS49115459A; US3882331A; DE2410205A1; DE2410205C3; FR2220934A1

Description

Die Erfindung betrifft eine Hystereschaltung, bestehend aus einem ersten Schaltkreis mit einem ersten Feldeffekt-Transistor zur Erzeugung von Steuersignalen in Abhängigkeit von Eingangsspann-ngs-Pegeln und einem zweiten Schaltkreis mit einem zweiten Feldeffekt-Transistor zum Schalten der Ausgangsspannungs-Pegel in Abhängigkeit von den Steuersignalen sowie mit einem im Stromkreis des ersten Feldeffckt-Tränsistörs liegenden dritten Feldeffekt-Transistor zur Steuerung der Eingangsspannungs-

Pegel in Abhängigkeit von den Ausgangsspannungs-Pegeln, um diese zu schalten.

Aus der US-PS 36 12 90S ist eine Hystereseschaltung bekannt, die MOS-Feldeffekt-Transistoren verwendet, mit einem Eingangskreis, der einen ersten schaltbaion MOS-Transistor zur Erzeugung von Steuersignalen in Abhängigkeit von den Eingangsspannungs-Pegeln enthält, mit einem Ausgangskreis,

der einen 7wpitfn crhnltharpn MOQ-Tro^rjrjQj. Zü~, Schalten von Ausgangsspannungs-Pegeln in Abhängigkeit von den Steuersignalen enthält und ebenso einen dritten, mit dem ersten MOS-Transistor in Reihe geschalteten, schaltbaren MOS-Transistor enthält, um die Eingangsspannungs-Pegeln in Abhängigkeit von Ausgangsspannungs-Pegeln zu steuern. Wenn bei der vorgenannten bekannten Hystereseschaltung, bsi der ein N-Kanal-MOS-Transistor vom Anreicherungstyp verwendet wird, ein Eingangsspannungspegel um die Schweüenspannung des ersten MOS-Transistor über das Drain-Elektrodenpotcntial des dritten MOS-Transistors oder das Source-Elektrodenpotential des ersten MOS-Transistors ansteigt, wird der erste MOS-Transistor durchgeschaltet. Ein dadurch erzeugtes Steuersignal sperrt den zweiten

^{3 l} 4

MOS-Transistor, und folglich wechselt die Ausgangs- nung erreicht, wird der dritte Transistor durchge-

jpannung der Hystereseschaltung von einem ersten schaltet. Ein als Ergebnis davon erzeugtes Sieuer-

_Suf einen zweiten Pegel. Der dritte MOS-Transistor signal schaltet den zweiten Transistor durch, wodurch

wird vom zweiten Ausgangsspannungspegel durchge- die Ausgangsspannung umgeschaltet wird. Durch die

ichaltet, so daß das Source-Elektrodenpotential des 5 Wirkung der Rückkopplung des an die Ausgangs-

ersten MOS-Transistors auf ein Bezugspotential ab- klemme der Hystereseschaltung angeschlossenen

fällt. Der vorgenannte Schaltungszustand bleibt auch Spannungsteilers bleibt der dritte Transistor durch-

dann unverändert, wenn sich der Eingangsspannungs- geschaltet. Wenn der Eingangsspannungspegei unter

pegel erhöltt. Vermindert sich dieser Pegel unter die die Schwellenspannung des ersten Transistor·· :b

Schwellen-vertspannung des ersten MOS-Transistors, io fällt, sperrt der erste Transistor, so daß die Aus-

so wird letzterer gesperrt, wodurch die Ausgangs- gangsspannung geändert wird. Wie erwähnt., kann

spannung umgekehrt vom zweiten auf den treten Pe- bei der erfindungsgemäßen Hystereseschaltung die

gel umgeschaltet wird. Breite bzw. der obere Hysteresegrenzwert durch den

Diese bekannte Hystereseschaltung ist der Ein- Spannungsteiler frei gewählt werden, chne durch die

schränkung unterworfen, daß beim ^r- .rchschalten 15 Schwellenspannung des zweiten Transistors be-

des ersten MOS-Transistors da₃ Dia.apotential des schränkt zu sein.

dritten MOS-Transistors einen niedrigeren Wert be- Besonders zweckmäßige Ausgestaltungen der Ersitzen muß als die Schv--e^lu spannung des zweiten findun» sind in den Ansprüchen 2 bis 8 beschrieben. MOS-Transistors, da s»n«>. ~r.^fails der zweite MOS- Im folgenden wird die Erfindung ;>n Hand von Transistor nicht meh. abschalten würde, wenn dies 20 Ausführungsbeispielen unter Hinweis auf ah Zeichgewünscht wird. Die vorstehend beschriebene be- nungtn näher erläutert. Es zeigt kannte Hystereseschaitung besitzt daher eine Hyste- Fig. 1 ein Schaltbild eine Ausführungsform einer resebreite, die der Größe der Änderung des Drain- Hystereseschaltung mit Merkmalen nach der Erfinpotentials des dritten MOS-Transistors entspricht. dune,

Dies bedeutet, daß die Breite oder der obere Grenz- 35 F i g. 2 ein Kennliniendiagramm zur schematischen

wert der Hysterese durch die Schwellenspannung des Veranschaulichung der Arbeitsweise der Schaltung

zweiten MOS-Transistors beschränkt wird. Wenn ein gemäß Fig. 1,

dem oberen Grenzwert der Hysterese entsprechender F i g. 3 ein Schaltbild einer abgewandelten Aus-Eingangsspannungspegel auf diese V.'eise durch die führungsforrn der Erfindung,

Schwellenspannung des zweiten MOS- oder Aus- 30 F i g. 4 eine graphische Darstellung der Eigen-

gangs-Transistors beschränkt wird, ist es schwierig, schäften der Hystereseschaltung gemäß F i g. 3 und

eine Hystereseschaltung zu konstruieren. F i g. 5 ein Schaltbild einer weiteren abgewandel-

Die der Erfindung zugrunde liegende Aufgabe be- ten Ausführungs form der Erfindung,

steht darin, eine Hystereseschaltung der eingangs de- Gemäß F i g. 1 weist ein erster oder Eingangskreis

finierten Au zu schaffen, deren Hysteresebreite bzw. 35 10 einen schaltbaren MOS-Transistor 11, dessen

deren oberer Hysterese-Grenzwert nicht durch die Gateelektrode an eine Eingangsklemme 21 ange-

Schwellenspannung eines Ausgangs-Transistors be- schlossen ist, und einen MOS-Lasttrans^;stor 12 auf,

einflußt wird. dessen Gate- und Drainelektroden mit einer, ein po-

Ausgehend von der Hystereseschaltung der ein- sitives Potential +- V_no liefernden Sti einquelle ver-

gangs definierten Art wird diese Aufgabe erfindungs 40 bunden sind und dessen Sourceelektrode mit der

gemäß dadurch gelöst, daß ein Spar, ungsteiler ?wi- Drainelektrode des Transistors 11 verbunden ist. Ein

sehen eine Eingangsklemme des ersten Schaltkreises zweiter bzw. Ausgangskreis 13 weist einen schalt-

unri eine A.useangsklemme des zweiten Schaltkreises baren MOS-Transistor 14, dessen Gateelektrode an

eingeschaltet ist und daß der dritte Feideffekt-Tran- die Draineiektrode des Transistors Il und dessen

sistor in Reihe mii dem ersten Feldeffekt-Triivistor 45 Sourceelektrode an einen Bezugspotentialpunkt bzw.

geschaltet ist, um die Fingangsspannungspegel, die Masse angeschlossen ist, sowie einen MOS-Lasttran-

die Ausgangsspannungspegel schalten, in Abhängig- sistor 15 auf, dessen Gate- und Drainelektroden mit

keit von den Ausgangsspannungspegeln des Span- der positiven Stromquelle verbunden sind und dessen

nungsicüerkreises ze steuern. Sourceelektrode an die Drainelektrode des Transi-

Bei der Hystereseschaltung nach der Erfindung ist 50 stors 14 ar geschlossen ist. Die Drainelekirode des die Hysteresebreite einstellbar und kann auch bei- Transistors 14 ist außerdem mi^f einer Ausgangsspielsweise doppelt so breit sein wie bei der bekai.n- klemme 22 verbunden. Die Sourceelektrode des ten Schaltung da die Schwellenspannung des ersten schaltbaren MOS-Transistors 11 des ersten Kreises Feldeffekt-I ransistors und die ät-hwciicn^aimüng IC iit —. die Drainelektrod«* pines schaitbaren MOS-des dritten Feldeffekt 1 rp.nsistors überschritten wer- 55 Transistors 16 angeschlossen, dessen Sourceelektrode den muß, bevor sich die Ausuangsspannung am Aus- mit dem Bezugspotentialpunkt verbunden ist. Zwigangsanschluß ändert. Auch laßt sich bei der Hyste- sehen die Eingangsklemme 21 und die Ausgangsreseschaitufig nach der Lrfsndurig die Breite der Hy- klemme 22 ist ein Spannungsteiler 17 eingeschaltet, sterese in einfacher Weise einstellen. der einen MOS-Transistor 18, dessen Gate- urT.-f

Selbst wenn ein Eingangsspannungspegei die 60 Drainelektroden mit der Eingangsklemme 21 verbun-

Schwellenspannung des ersten Transistors erreicht den sind und einen weiteren lVOS-Transistor 19 auf

und diesen durchschaltet, erreicht die am Spannungs- v/eist, dessen Gateelektrode mit der ein positives Po-

teilerpunkt Urs Spannungsteilers hebende Ausgangs- tential liefernden Stromquelle verbunden ist. war¹

spannung nicht die Schweilenspannung iks dritten rend seine Sourceelektrode an die Ausgangsklemnu

Transistors, woduuh dieser an einem Durchschalten 65 22 und seine Drainelektrode an die Sourceelektrode

gehindert wird Wenn die Ausgangsspannung vom des genannten MOS-Transistors 18 angeschlossen is'

Spannungsteiler die Schwellenspannung des dritten Die Verzweigung bzw. der Spannungsteilerpur.kt 20

Transistors infolge eines Anstichs der Eingangsspan- zwischen der Sourceelektrode des MOS-Tnmsistoi-

18 und der Drainelektrode des MOS-Transistors 19 ist mit der Gateelektrode des Transistors 16 verbunden. Obgleich bei der Hystereseschaltung gemäß Fig. 1 N-Kanal-MOS-Transistoren vom Anreicherungstyp verwendet werden, können auch P-Kanal-MOS-Transistoren vorgesehen sein. In diesem Fall wird jedoch eine ein negatives Potential liefernde .Stromquelle verwendet.

im folgenden wird nunmehr an Hand vontFi g. 1 und 2 die Arbeitsweise der Hystereseschaltung gemäß einer Ausführungsform der Erfindung erläutert. Zunächst sei angenommen, daß die Schwellenspannung der schaltbaren MOS-Transistoren II. 14. 16 und 18 den Wert V₁₁, besitzt, wahrend eine der Eingangsklemme 21 aufgeprägte L-inganp pannung anfänglich Null ist. Dabei sind die Transistoren 11 und 18 gesperrt, während der Transistor 14 durchgeschaltet ist. Infolgedessen besitzt eine an der Ausgangsklemme 22 erscheinende Spannung einen Wert von Null, so daß der Transistor 16 sperrt. Zur Vereinfachung der Beschreibung sei angenommen, daß die schaltbaren MOS-Transistoren 11, 14 und 16 ideale Schalteigenschaften besitzen.

Wenn die Eingangsspannung V_in gemäß F i g. 2 von Null auf die Schwellenspannunp V₁₁, ansteigt, beginnen die Transistoren 11 und 18 d'irdvuschalten. Die Gatespannung VP20 des Transistors 16 ist jedoch um die Schwellenspannung V₁₁, de Transistors 18 niedriger als die Eingangsspannung V_tn( = V,iX d.h., sie ist Null, so daß der Transistor 16 im Sperrzustand gehalten wird. Daher ändert sich der Betrag der Ausgangsspannung FPlO vom Eingangskreis 10 nicht, so daß die Ausgangsspannung K„„, weiterhin Null bleibt. Wenn die Eingangsspannung K_1n über die Schwellenspannung V,_h ansteigt, erhöht sich die Gatespannung VP 20 des Transistors 16 gemäß Fig. 2. Wenn die Gatespannung VP20 die Schwellenspannung V_n, des Transistors 16 erreicht, wird letzterer durchgeschaltet. Infolgedessen fällt die Ausgangsspannung KPlO vom Eingangskreis 10 nach 0 V ab, wodurch der Transistor 14 des Ausgangskreises 13 gesperrt wird und die Ausgangsspannung V₀₁₁₁ auf die Spannung + V_nn der Stromquelle ansteigt. Da die Ausgangsspannung V„_at über den Transistor 19 positiv auf die Gateelektrode des Transistors 16 rückgekoppelt wird, steigt die Gatespannung KP20 gemäß Fig. 2 ebenfalls auf die Stromquellen-Spannung f Vpn an. Zu diesem Zeitpunkt wird der Transistor 18 zum Sperren gebracht.

Da^c Ungehalten der Ausgangsspannung V„„, vom ersten Pegel (OV) auf den zweiten Pegel (+V_0nV) durch Betätigung des Transistors 16 findet nur dann statt, wenn der nachstehenden Bedingung genügt wird:

Wenn nämlich die Eingangsspannung V_in den Wert von V_lh 4- Κ,_Λ(ΚΡ20) erreicht, wird die Ausgangsspannung umgeschaltet. Der Ausdruck V„,( VP 20) bedeutet, daß die Schwellenspannung V₀, des Transistors 18 von der Ausgangsspannung des Transistors 18 bzw. seiner Sourcespannung VP 20 abhängt. Wenn die Schwellenspannung V_th des Transistors iS beispielsweise etwa 5 V beträgt und die Eingangsspannung der Hystereseschaltung etwa 12 V erreicht, wird die Ausgangsspannung V_oul der Hystercseschaltung umgeschaltet.

Wenn die Eingangsspannung V_1n fortschreitend abnimmt, bleibt der Transistor 11 durchgeschaltet, bis die Eingangsspannung V_1n auf den Wert von V_th abfällt, und der Transistor 16 bleibt ebenfalls durchgeschaltet, weil die Ausgangsspannung V_oul positiv auf die Gateelektrode des Transistors 16 rückgekoppelt ist, so daß die Ausgangsspannung V_ollt auf dem zweiten Pegel gehalten wird. Wenn die Eingangsspannung den Wert von V₁₁, erreicht, wird der Tran- sistor 11 in den Sperr zustand versetzt. Infolgedessen steigt die Ausgangsspannung VPJO vom Eingangskreis Ϊ0 an und schaltet den Transistor 14 durch, so daß die Ausgangsspannung K„„, vom zweiten auf den ersten Pegel umgeschaltet v. ird. Bei der Hystercseschaltiing gemäß Fig. 1 belrLgt der obere Grenzwert der Hysterese etwa 12 V, während der untere Grenzwert, wie crw V nt. bei etwa 5 V liect, wodurch eine Hystercscbreiic von etwa 7 V gewährleistet wird.

P der Hystereseschaltung gemäß Fig. 1 vorgesehenen Lasttransistoren 12 und 15 und die Spannungsteilcrtransistoren 18 und 19 können durch gewohnliche Widcrstandselemente ersetzt werden. In diesem Fall kann die Hysteresebreite durch Wahl der Werte der Spinnungsteilerwidcrstände frei bestimmt werden. Wenn nämlich angenommen wird, daß die Werte dc: J..: Transistoren 18 und 19 entsprechenden Widerstände gleicn RA bzw. RB sind, wird der obere Grenzwert der Hy^^rese durch V₀, ■ {RA + RR)¹RB bestimmt. Wird jedoch der Spannungsteilertransistor 18 durch ein Widerstandselement ersetzt, dann fließt ständig Strom durch das Widerstandselement, was zu einer hohen Verlustleistung der Hystereseschaltung führt. Wenn außerdem die Eingangsspannung V_in der Hystereseschaltung reduziert wird, während sich die Ausgangsspannung K₀₀, auf dem zweiten Pegel befindet, verringert sich der Pegel der Ausgangsspannung K„„, allmählich auf unerwünschte Weise. Aus diesem Grund wird vorzugsweise der schaltbare Transi^T 18 verwendet und nicht durch ein Widerstandselement ersetzt.

F i g. 3 zeigt eine abgewandelte Ausführungsform der Schaltung gemäß Fig. 1. Dabei ist ein zusätzlicher Transistor 23 vorgesehen, der mit seiner Drainelektrode mit der Sourceelektrode des Transistors 18, mit seiner Sourceelektrode mi. dem Ausgangspunkt 20 des Spannungsteilers 17 and mit seiner Gateelektrode mit der Stromquelle + K₀₀ verbunden ist. Wenn bei der Hystereseschaltung gemäß F i g. 3 ein am Ausgangspunkt 20 des Spannungsteilers 17 liegendes Potential über die Schwellenspannung V₁₁, des Transistors 16 hinaus ansteigt, dann wird die Ausgangsspannung V_out der Hystercseschaltung ebenfalls vom ersten auf den zweiten Pegel umgeschaltet. Bei der Schallung gemäß Fig. 3 ist das Potential am Ausgangspunkt 20 gleich einem Wert, der dem durch die Transistoren 19 und 23 geteilten Soiircepotential des Transistors 18 entspricht. Die zum Durchschalten des Transistors 16 erforderliche Eingangsbedingung läßt sich daher wie folgt definieren:

{Vi, - V_ih(VP)} RAHR* + RB) ^ V_n,

worin RA und RB die durch die Transistoren 19 und 23 gebildeten Widerslände und VP das Sourcepotential des Transistors 18 entsprechend VP 20 gemäß Fig. 1 bedeuten.

Wenn die Eingangsspannung V_1n den Wert von ViI₁(VP) * V,_h-(RAlRB)IRA erreicht, beginnt der Transistor 16 durchzuschalten, wodurch die Ausgangsspannung V₁₁₁₁, vom ersten nuf den zweiten Pegel geändert wird.

Wenn die Eingangsspannung V_1n der Hystercseschalturig -auf die Schwelienspannung V₁₁, abfällt, beginnt der Transistor 11 zu sperren, so daß die Ausgangsspannung V₁₁₁₁, vom zweiten auf dtn ersten Wert ©der Pegel abfällt Fig. 4 veranschaulicht die Eigenlc'-.aften der Hwercscschaltung gemäß Fig. 3. Wie aus F i p. 4 hervorgeht, können die Breite und der obere Grenzwert der Hysterese durch entsprechende Auswahl der Widcrstandswertc RA und RB der Transistoren 19 und 23 frei bestimmt werden.

Bei der Hysterescschaltung gemäß F i g. 5 ist die Gateelektrode des Transistors 23 an dessen Drainelcktrode angeschlossen. Wie sich an Hand der Hystercseschaltung gemäß F i g. 1 ohne weiteres erkennen laßt, steigt die Ausgangsspannung V₀₁₁, vom ersten auf den zweiten Pegel an, wenn bei der Ausführungsform gemäß Fig. 5 die Eingangsspannung V_1n den Wert von 2 V_n, J- F„,(KP20) erreicht. Bei der Ausführungsform gemäß Fig. 5 können daher die Breite und der obere Grenzwert der Hysterese

ίο gegenüber der Schaltung gemäß F i g. 1 weiter vergrößert werden. Bei der Hyslerescschaltung gemäß Fif. 5 kann ein zusätzlicher Transistor zwischen den Transistor 23 und den Ausgangspunkt 20 des Spannungsteilers eingeschaltet werden, wobei seine Gateclcktrode mil der Stromquelle oder mit seiner eiuenen Drainelektrode verbunden ist.

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

«09525/372

Claims

Patentansprüche:

1. Hystereseschaltung, bestehend aus einem ersten Schaltkreis mit einem ersten Feldeffekt-Transistor zur Erzeugung von Steuersignalen in Abhängigkeit von Eingangsspannungspegeln und einem zweiten Schaltkreis mit einem zweiten FeIdeffekt-Transiitor zum Schalten der Ausgangsspannungspegel in Abhängigkeit von den Steuersignalen sowie mit einem im Stromkreis des ersten Feldeffekt-Transistors liegenden dritten Feldeffekt-Transistor zur Steuerung der Eingangsspannungspegel in Abhängigkeit von den Ausgangsspannungspegeln, um diese zu schalten, dadurch gekennzeichnet, daß ein Spannungsteiler (17) zwischen eine Eingangsklemme (21) des ersten Schaltkreises (10) und eine Ausgangskleir.me (22) des zweiten Schaltkreises (13) eingeschaltet ist und daß der dritte Feldeffekt-Transistor (16) in k :ihe mit dem ersten Feldeffekt-Transistor (II) geschaltet ist, um die Eingangsspannungspegel, die die Ausgangsspannungspegel schalten, in Abhängigkeit von den Ausgangsspannungspegeln des Spannungsteilerkreises zu steuern.

2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die drei Feldeffekt-Transistoren (11, 14. 16) aus Feldeffekt-Transistoren mit isolierter Gateelektrode bestehen.

3. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Spannunesteile- (17) zwei Impedanzeinrichtungen (18, 19) aufweist.

4. Schaltung nach Anspruch 3, aadirch gekennzeichnet, daß die erste Impedanzeinrichtung einen vierten Feldeffekt-Transistor (18) aufweist, der in Abhängigkeit von einem Eingangsspannungspegel durchschaltbar ist.

5. Schaltung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der vierte Feldeffekt-Transistor (18) aus einem Feldeffekt-Transistor mit isolierter Gateelektrode besteht.

6. Schaltung nach Ansprach !, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Schaltkreis (10) einen ersten Feldeffekt-Transistor (11) mit isolierter Gateclektrode, die mit der Eingangsklemme (21) verbunden ist, und einen zweiten Feldeffekt-Transistor (12) aufweist, dessen Drain- und Gateelektroden gemeinsam an eine Stromquelle {Vpß) angeschlossen sind und dessen Sourceelektrode mit der Drainelektrode des ersten Feldeffekt-Transistors verbunden ist, daß der zweite Schaltkreis (13) einen dritten Feldeffekt-Transistor (14). dessen Uateelektrode mit der Verzweigung zwischen der Drainelektrode des ersten Feldeffekt-Transistors und der Suurceelektrode des zweiten Feldeffekt-Transistors verbunden ist und dessen SoüTceelckicude an einen ßezugspotentialpunkt angeschlossen ist, sowie einen vierten Feldeffekt-Transistor (15) aufweist, dessen Gate- und Drainelektroden gemeinsam an die Stromquelle (V_DI)) •naeschlossen sind und dessen Sourceelektrode ■lit der Drainelektrode des dritten Feldeffekt-Transistors sowie mit der Ausgangsklemme (22) verbunden ist, da3 der Spannungsteiler (17) einen fünften Feldeffekt-Transistor (18), dessen Gate- und Drainelektroden gemeinsam an die Eingangs-Memme (21) angeschlossen sind, sowie einen sechsten Feldeffekt-Transistor (19) aufweist, dessen Gateelektrode mit der Stromquelle (V_DD) verbunden ist, während seine Sourceelektrode an die Ausgangsklemme (22) und seine Drainelektrode an die Sourceelektrode des fünften Feldeiickt-Transistors angeschlossen sind, und daß der dritte Feldeffekt-Transistor (16) mit seiner Gateelektrode mit einem Spannungsteilerpunkt (20) zwischen der Sourceelektrode des fünften Transistors und der Drainelektrode des sechsten Transisturs verbunden ist, während seine Drainelektrode mit der Sourceelektrode des ersten Feldeffekt-Transistors und seine Sourceelektrode mit dem Be-7ugspotentialpunki verbunden sind.

7. Schaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennze»"hnet, daß der Spannungsteiler einen achten Feldeffekt-Transistor (23) aufweist, dessen Sourceelektrode mit dem Spannungsteilerpun'-verbunden ist, während seine Drainelektrode an die Sourceelektrode des fünften Feldeffekt-Transistors (18) und seine Gateelektrode an die Potentialquelle angeschlossen sind.

8. Schaltung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Spannungsteiler einen achten Feldeffekt-Transistor (23) aufweist, dessen Sourceelektrode mit dem Spannungste-lerpunkt verbunden ist. währens_ seine Drain- und Gateelektrode gemeinsam mit der Sourceelektrode des fünften Feldeffekt-Transistors (18) vsrbunden sind.