DE2618398B2 - Verfahren zur kontinuierlichen herstellung von siliciumstaeben oder -rohren - Google Patents
Verfahren zur kontinuierlichen herstellung von siliciumstaeben oder -rohrenInfo
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Description
Anhand der schematischen Darstellung wird die Erfindung in allen Einzelheiten näher erläutert:
In einem Reaktor 1 ist ein Metallhohlzylinder 2 aus beispielsweise Silber oder silberplattiertem Stahl
angeordnet. Die Länge dieses Metal 'hohlzylinders entspricht zweckmäßig etwa zwei- bir siebenmal seinem
Außendurchmesser. Der Zylindermantel dieses Metallhohlzylinders 2 ist innen hohl und wird bei der
Durchführung des Verfahrens über den Zulaufstutzen 3 und Ablaßstutzen 4 von einem geeigneten Kühlmedium,
beispielsweise Wasser, durchströmt, um die Abscheidung von Silicium an seiner Innenwand auszuschließen.
Innerhalb oder bevorzugt außerhalb des Reaktors 1 ist eine Rolle 5 angeordnet, auf der ein flexibles Band 6
aufgespult ist. Das flexible Band 6 ist aus einem Material, welches bei der Abscheidetemperatur von ca. 1050 bis
12500C zumindest weitgehend gegenüber Silicium resistent ist, also beispielsweise verpreßte Quarzwolle
oder insbesondere Graphitfolie.
Derartige Graphitfolien sind im Handel erhältlich und werden nach Auskunft der Hersteller aus reinem, gut
geordnetem Graphit hergestellt, wobei durch chemische und thermische Behandlung die Abstände der Schichtebenen im Kristallgitter des Graphits auf ein Vielfaches
des normalen Wertes von 3,35 A aufgeweitet werden. Das resultierende, leichte Schüttgewicht aus wurmförmigen
Einzelteilen wird anschließend auf Kalandern oder Pressen zum Endprodukt verdichtet, wobei die
Schichten des Graphitgitters und die Einzelteilchen des Schüttgutes allein durch Anwendung von mechanischem
Druck wieder fest miteinander verbunden werden.
Das Band aus vorzugsweise Graphitfolie wird zweckmäßig in Stärken von etwa 0,1 bis 2 mm,
vorzugsweise 0,5 bis 1 mm, und in einer Breite entsprechend etwa 0,25 bis 2,5, vorzugsweise 0,5 bis 1,5,
Außendurchmessern des Metallhohlzylinders 2 verwendet.
Zu Beginn des Verfahrens wird das Band von der vorzugsweise außerhalb des Reaktors angeordneten
Rolle durch einen mit einer üblichen Lippendichtung abgedichteten Schlitz in den Reaktor eingeführt und
schraubenförmig unter einem Steigungswinkel von 5 bis 40°, vorzugsweise 25 bis 30°, überlappend um den
Metallhohlzylinder 2 unter der Ausbildung eines Graphitrohres aufgewickelt. Bei Beginn des Verfahrens
wird zweckmäßig ein Graphithohlzylinoer, dessen Außendurchmesser dem Außendurchmesser des Metallhohlzylinders
2 entspricht, und dessen eine Seite gasdicht mit einem Graphitdeckel abgeschlossen ist, mit
der offenen Seite an den Metallhohlzylinder angesetzt und das Graphitband kontinuierlich vom Metallhohlzylinder
2 weiter unter dem gleichen Steigungswinkel überlappend über den Graphithohlzylinder gewickelt
und beispielsweise an seinem unteren Ende mit demselben verklebt. Der Graphithohlzylinder muß
dabei in einer Länge gewählt werden, daß er, nachdem er an den Metallhohlzylinder 2 angesetzt und umwickelt
ist, aus dem Reaktor herausragt.
Anschließend wird die untere Abdeckplatte 7, die eine mit einer Lippendichtung 8 versehene kreisförmige
Ausnehmung aufweist, über das Graphitrohr gezogen und mit dem Reaktor 1 vermittels der Verschraubung 9
gasdicht verbunden.
Als Dichtungsmaterial eignet sich beispielsweise Polytetrafluorethylen oder Silikon. Die Dichtung 8 wird
zweckmäßig mit einem Hitzeschild 10 aus beispielsweise rostfreiem Stahl gegen die von der Heizung 11
erzeugte Wärme geschützt.
Im nächsten Schritt wird beim Einfahren der Anlage der Antrieb, der das ganz oder teilweise mit Silicium
gefüllte Trägerrohr unter einer Drehzugbewegung stetig aus dem Reaktor 1 ziehen soll und im einfachsten
Fall aus einem unter einem bestimmten Winkel, zweckmäßig innerhalb des Bereichs von 5 bis 40°,
vorzugsweise 25 bis 35°, gegenüber der zentralen Achse des Metallhohlzylinders 2 geneigten Saiz von Stahlrollen
12, die durch einen Elektromotor angetrieben werden, angesetzt.
Bevor nun mit der eigentlichen Abscheidung begonnen wird, wird der Reaktor über den Gaszufuhrstutzen
13 mit einem Schutzgas, beispielsweise Argon, beschickt und die enthaltene Luft über den Gasablaßstutzen 14
verdrängt. Die Wahl des Schutzgases ist dabei unproblematisch, da es mit dem eigentlichen Reaktionsraum nicht in Kontakt kommt. Die Funktion des
Schutzgases besteht darin, die rasche Oxidation der mit der Heizvorrichtung 11 auf Abscheidetemperatur
erhitzten Graphitfolie zu verhindern. Zum anderen wird mit dem Schutzgas im Reaktor 1 ein Druck eingestellt,
der in etwa dem Druck in der Abscheidezone innerhalb des kontinuierlich erzeugten Trägerrohres entspricht.
Bei der eigentlichen Abscheidung wird durch das Gaszuleitungsrohr 15, welches durch die Abdeckplatte
16 in das Innere des Metallhohlzylinders 2 führt und aus diesem vorzugsweise in einer Länge entsprechend 0,5
bis 1,5 Außendurchmessern des Metallhohlzylinders 2 in
das aus dem flexiblen Band 6 gewickelte Abscheidungsrohr bzw. bei Beginn des Verfahrens in den entsprechenden
Graphithohlzylinder ragt, ein Abscheidegas unter einem Überdruck von etwa 0,01 bis 1 bar,
vorzugsweise 0,05 bis 0,2 bar, gegenüber dem äußeren Atmosphärendruck eingeleitet. Über den Ablaßstutzen
17 werden Restgase bzw. Reaktionsgase wieder abgezogen.
Als Abscheidegas kann prinzipiell beispielsweise Siliciumwasserstoff, Dichlorsilan, Trichlorsilan oder
Tetrachlorsilan, üblicherweise im Gemisch mit Wirserstoff,
eingesetzt werden, wobei ein Trichlorsilan-Wasserstoff-Gemisch
bevorzugt wird.
Aus dem Abscheidegas scheidet sich auf dem Innenmantel des mit der Heizvorrichtung 11 auf eine
Abscheidetemperatur von ca. 1050 bis 1250° C, vorzugsweise
1120 bis 1180° C, eine nach innen stetig
zuwachsende Schicht Silicium ab. Die austragende Geschwindigkeitskomponente ist dabei maßgebend für
die Herstellung von Vollkörper oder Rohr. Ist die Herstellung von Rohren beabsichtigt, so ist die
Geschwindigkeitskomponente in Austragsrichtung um so größer, je dünner die Wandstärke des herzustellenden
Siliciumrohres sein soll. Über die übereinander angeordneten Schaugläser 18 und 19 aus, Quarzglas in
der Abdeckplatte 16 des Metallhohlzylinders 2 und in der Abdeckplatte 20 des Reaktors 1 kann der
Abscheidevorgang beobachtet und demgemäß die Geschwindigkeit der Antriebswalzen 12 entsprechend
abgeändert werden.
Als Heizung U kann eine einfache Widerstandsheizung verwendet werden, eine gekühlte, beispielsweise
aus Silber gefertigte Induktionsheizspule oder auch eine Strahlungsheizung in Form einer den Graphitträgerkörper
im Reaktor im Anschluß an den Metallhohlzylinder
h) 2 umgebende Quarzwendel mit entsprechend heißer Wolframseele.
Das Verfahren wird bevorzugt zur Herstellung von Siliciumstäben eingesetzt. Der durch die untere
Abdeckplatte 7 des Reaktors 1 ausfahrende Siliciumstab wird je nach gewünschter Länge mit beispielsweise
einer Diamantsäge 21 abgeschnitten.
Bei der Herstellung von Rohren muß an den Reaktor eine Schleuse angeschlossen werden, da beim Abschneiden
des Rohres der Reaktionsraum aufgeschnitten wird. Die Schleuse läßt sich aber auch vermeiden, wenn man,
abhängig von der gewünschten Rohrlänge, vor dem Absägen die Drehzugbewegung jeweils so lange stoppt,
bis das Rohr in der Abscheidezone zugewachsen und der Reaktionsraum damit wieder geschlossen ist. Diese
zugewachsenen Abschnitte werden später von den Rohrstücken abgesägt und können beispielsweise als
Ausgangsmaterial für den Tiegelziehprozeß zur Herstellung von einkristallinem Silicium verwendet werden.
Das Trägerrohr, im bevorzugten Fall aus Graphitfolie, kann durch Ätzen, Abbrennen oder ganz einlach
durch Sandstrahlblasen von dem abgeschiedenen Siliciumstab oder -rohr wieder entfernt werden.
Bei der bevorzugten Herstellung von Vollmaterial, welches beispielsweise als Grundmaterial beim Tiegelziehen
nach Czochralski oder beim tiegelfreien Zonenziehen eingesetzt werden kann, kann während
des Abscheidevorganges durch einfaches Zumischen flüchtiger Dotierstoffverbindungen in das Abscheidegas
eine gegebenenfalls erwünschte Dotierung bewirkt werden. Die nach dem Verfahren quasi gekoppelte
kontinuierliche Herstellung von Siliciumabscheidungskörper und dem sich durch die Drehzugbewegung
ständig von allein nachwickelnden Trägerkörper muß auch dann nicht abgebrochen weiden, wenn bei
außerhalb des Reaktors angebrachter Vorratsrolle 5 das Band 5 völlig abgespult sein sollte, da der Bandeinzug in
der Regel so langsam verläuft, daß in der Zwischenzeit mühelos eine neue Bandrolle eingesetzt und Bandende
der alten Rolle mit dem Bandanfang der neuen Rolle mit einem Kohlefaden vernäht oder einfach verklebt
werden kann.
Der Reaktor 1 wird zweckmäßig so ausgeführt, dai.
im Durchmesser unterschiedliche Metallhohlzylinder ί je nach gewünschter Stab- oder Rohrstärke ausgewech
seit werden können. Die Abdeckplatte 7 wire entsprechend mit einem Satz von ineinander einrasten
den Metallringen versehen, mit denen die kreisförmige Ausnehmung für den Durchtritt des Siliciumstabes odei
-rohres dem jeweiligen Stab- oder Rohrdurchmessei
ίο angepaßt werden kann.
Bei einem Ausführungsbeispiel des erfindungsgemä Ben Verfahrens besteht der Reaktor, der einer
Durchmesser von 50 cm und eine Höhe von 75 crr aufweist, aus einer rostfreien Chrom-Nickel-Stahl-Le
gierung. Ein Band aus Graphitfolie mit einer Stärke vor 0,75 mm und einer Breite von 250 mm wird von einei
außerhalb des Reaktors angebrachten Rolle durch einer mit einer aus Polytetrafluoräthylen bestehenden Lip
pendichtung abgedichteten Schlitz in der Reaktorwanc nach innen kontinuierlich auf den aus silberplattierten
Stahl bestehenden, wassergekühlten Metallhohlzylindei
mit einem Außendurchmesser von 15 cm und einei Länge von 45 cm unter einem Steigungswinkel von 30'
aufgezogen.
Über ein silbernes Gaseinlaßrohr, welches 10 cm au:
dem Metallhohlzylinder in das Graphitträgerrohr ragl wird unter einem Überdruck von 0,1 bar gegenüber den
äußeren Luftdruck ein Gasgemisch, bestehend aus 80°/i Wasserstoff und 20% Trichlorsilan, eingeblasen, wel
ches sich auf dem vermittels einer Widerstandsheizung auf 11500C aufgeheizten Trägerrohr laufend abscheidet
Der Reaktor ist mit Argon unter einem Überdrucl gegenüber dem äußeren Luftdruck von ebenfalls 0,1 bai
gefüllt. Das Stabwachstum des 15 cm dicken unc kontinuierlich aus dem Reaktor wachsenden Silicium
Stabes beträgt in der Stunde ca. 20 mm bei knapp einei Vio Umdrehung um die Längsachse.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
Claims (9)
1. Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung von Siliciumstäben oder -rohren durch Abscheidung von
Silicium aus der Gasphase auf dem Innenmantel eines auf Abscheidetemperatur erhitzten Trägerrohres,
dadurch gekennzeichnet, daß auf einen in einem Reaktor angeordneten, an einer Seite
offenen, gekühlten Metallhohlzylinder, welcher mit einer Gaszuleitung und -ableitung versehen ist, stetig
ein flexibles Band aus einem bei Abscheidetemperatur gegenüber Silicium zumindest weitgehend
resistentem Material überlappend, unter einem Steigungswinkel von 5 bis 40°, zu einem Rohr
aufgewickelt wird, welches durch eine Drehzugbewegung stetig von diesem Metallzylinder abgezogen
und in dem daran anschließenden, noch im Reaktor befindlichen Teil vermittels einer geeigneten Heizung
auf eine Abscheidetemperatur von ca. 1050 bis 12500C aufgeheizt und von innen sukzessive mit
Silicium durch Zersetzung aus einem geeigneten Gasgemisch und einem Überdruck gegenüber dem
äußeren Atmosphärendruck von 0,01 bis 1 bar ganz oder teilweise, bezogen auf den Querschnitt des
Trägerrohres, ausgefüllt und mit einem geeigneten Antrieb stetig durch eine öffnung in der Reaktorwand
aus dem Reaktor ausgefahren wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Trägerrohr, bezogen auf seinen
Hohlquerschnitt, durch Abscheidung von Silicium ganz ausgefüllt wird.
3. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Gaszuführung als
Rohr ausgebildet ist, welches zentral in dem Metallhohlzylinder angeordnet und aus dem offenen
Teil des Metallzylinders in einer Länge entsprechend 0,5 bis 1,5 Durchmessern des Metallhohlzylinders
in den erhitzten Teil des Trägerrohres ragt.
4. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das
flexible Band, aus welchem das Trägerrohr gewickelt wird, aus Graphitfolie besteht.
5. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß das
Band, aus welchem das Trägerrohr gewickelt wird, in einer Breite entsprechend 0,5 bis 1,5 Außendurchmessern
des Metallhohlzylinders verwendet wird.
6. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß das
Band unter einem Steigungswinkel von 25 bis 35° zu einem Rohr aufgewickelt wird.
7. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß das
Silicium aus einem Trichlorsilan-Wasserstoff-Gemisch
abgeschieden wird.
3. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß das
Gasgemisch, aus welchem Silicium abgeschieden wird, unter einem Überdruck gegenüber dem
äußeren Atmosphärendruck von 0,05 bis 0,2 bar in den Metallhohlzylinder eingeleitet wird.
9. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß der
Reaktor aus nichtrostendem Stahl besteht.
Gegenstand der Erfindung ist ein Verfahren zur
kontinuierlichen Herstellung von Siliciumstäben oder -rohren durch Abscheidung von Silicium aus der
Gasphase auf dem Innenmantel eines auf Abscheidetemperatur erhitzten Trägerrohres.
Silicium wird üblicherweise durch Abscheidung aus seinen leichtflüchtigen Verbindungen an einem oder
mehreren dünnen Stäben aus beispielsweise Graphit, Tantal oder insbesondere Silicium gewonnen. Werden
als Trägerkörper Dünnstäbe aus Silicium eingesetzt, so müssen diese aus polykristallinen Siliciumstäben zonengezogen
werden. Für den Abscheidungsprozeß werden die solcher Art erhaltenen Dünnstäbe in einem meist aus
Quarz gefertigten Glockengefäß an eine elektrische Energiequelle angeschlossen, wobei üblicherweise jeweils
zwei Stäbe über eine Brücke zusammengeschlossen und auf die Zersetzungstemperatur der gasförmigen
Siliciumverbindung aufgeheizt werden. Wird beispielsweise Trichlorsilan im Gemisch mit Wasserstoff und
gegebenenfalls weiteren Trägergasen eingeleitet, so scheidet sich auf den auf ca. 1100 bis 1200°C erhitzten
Dünnstäben Silicium in elementarer Form ab. Die in der Zeiteinheit abgeschiedene Siliciummenge ist dabei
anfangs gering, wächst aber mit zunehmender Verdikkung des Abscheidungsträgers und damit erhöhter
Abscheidungsfläche und erreicht in der Schlußphase ein Vielfaches der anfänglichen Menge.
Um eine von Anfang an hohe Abscheidungsrate zu erzielen, wird nach einem Verfahren gemäß der DT-OS
21 60 670 in einem auf Abscheidetemperatur erhitzten Siliciumrohr Silicium aus der Gasphase abgeschieden,
bis das Innere des Rohres vollständig zugewachsen ist. Siliciumrohre, wie sie bei diesem Verfahren als
Trägerkörper eingesetzt werden, sind bislang aber nur nach aufwendigen und kostspieligen Verfahren, wie
beispielsweise durch Abscheidung von Silicium, auf in der Regel nur einmalig verwendbaren Kohleträgerkörpern
herstellbar, so daß dieses Verfahren gegenüber dem eingangs geschilderten Verfahren keinen erkennbaren
Vorteil bringt. Außerdem arbeitet auch dieses Verfahren diskontinuierlich, weshalb mit einem Ansatz
lediglich vergleichsweise bescheidene Mengen an polykristallinen! Silicium hergestellt werden können.
Der Erfindung lag daher die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zu finden, welches die kontinuierliche
Herstellung polykristalliner Siliciumstäbe oder -rohre durch Abscheidung aus der Gasphase in großen
Mengen erlaubt.
Gelöst wird diese Aufgabe dadurch, daß auf einen in einem Reaktor angeordneten, an einer Seite offenen,
gekühlten Metallhohlzylinder, welcher mit einer Gaszuleitung und -ableitung versehen ist, stetig ein flexibles
Band aus einem bei Abscheidetemperatur gegenüber Silicium zumindestens weitgehend resistentem Material
überlappend, unter einem Steigungswinkel von 5 bis 40°, zu einem Rohr aufgewickelt wird, welches durch eine
Drehzugbewegung stetig von diesem Metallhohlzylinder abgezogen und in dem daran anschließenden, noch
im Reaktor befindlichen Teil vermittels einer geeigneten Heizung auf eine Abscheidetemperatur von ca. 1050
bis 125O0C aufgeheizt und von innen sukzessive mit
Silicium durch Zersetzung aus einem geeigneten Gasgemisch unter einem Überdruck gegenüber dem
äußeren Atmosphärendruck von 0,01 bis 1 bar ganz
h5 oder teilweise, bezogen auf den Querschnitt des
Trägerrohres, ausgefüllt und mit einem geeigneten Antrieb stetig durch eine Öffnung in der Reaktorwand
aus dem Reaktor ausgefahren wird.
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