DE2730358B2 - Verfahren zum aufeinanderfolgenden Abscheiden einkristalliner Schichten auf einem Substrat nach der Flüssigphasen-Schiebeepitaxie - Google Patents
Verfahren zum aufeinanderfolgenden Abscheiden einkristalliner Schichten auf einem Substrat nach der Flüssigphasen-SchiebeepitaxieInfo
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Description
'min j:—
bestimmt ist, wobei Wmaidie größte Dicke der in der
Anordnung vorhandenen Schmelzen (21 —24) und D den jeweiligen Diffusionskoeffizienten des in der
betreffenden Schmelze (21—24) gelösten Materials darstellt.
2. Anwendung eines Verfahrens nach Anspruch 1 zur Herstellung von Heterostruktur-Halbleiterkristallen.
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1.
Aus den Druckschriften US-PS 38 99 371, deren Inhalt dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1 zugrunde
gelegt ist, Journal of Applied Physics, Bd. 47, Nr. 4, Apr. 1976, Seiten 1589 bis 1594, US-PS 37 53 801 und aus
Applied Physics Letters, Bd. 27, Nr. 3, Aug. 1975, Seiten bis 133 sind Einzelheiten zu dem der vorliegenden
Erfindung zugrunde liegenden Flüssigphasen-Schicbeepitaxieverfahren
bekannt. So beschreibt die US-PS 99 371 anhand der dortigen F i g. 2 eine Vorstufe des
eigentlichen Abscheide-Verfahrens, in der mit Hilfe von
zwei verschiedenen Vorsubstraten die Schmelzen mit unterschiedlich dotiertem Halbleitermaterial der Scheiben
gesättigt werden. Im folgerden Verfahrensschritt
der dortigen Fig. 3 werden je ein Substrat unter die
Schmelzen geschoben. Auf der in F i g. 3 rechten Scheibe wird eine erste Schicht aus dsr einen Schmelze
abgeschieden. Auf dieser ersten Schicht wird dann im nächsten Verfahrensschritt der dortigen Fig.4 eine
zweite, anders dotierte Schicht aus der zweiten Schmelze abgeschieden. Damit erhält nan eine
Substratscheibe mit zwei wie gewünscht dotierten Epitaxischichten.
Beim Verfahrensschritt der dortigen F i g. 3 wird auf der linken Substratscheibe, ebenso wie auf der
voranstehend erwähnten rechten Substratscheibe eine erste Schicht aus der dotierten zweiten Schmelze
abgeschieden. Wie dies in der dortigen zugehörigen Beschreibung nähei erläutert ist, dient diese gemäß dem
angestrebten Ergebnis vorgenommene Abscheidung nur einer einzigen Schicht auf dieser linken Substratscheibe
dazu, beim nächstfolgenden Verfahrensschritt der Abscheidung der zweiten Schicht auf dem ersteren,
rechten Substrat von vornherein eine im Gleichgewichtszustand befindliche Schmelze zu haben. Dieses
aus der US-PS bekannte Verfahren dient nach Aufgabe und Lösung dazu, auf nur einer einzigen Scheibe zwei
Schichten ibzuscheiden und nur diese einzige Scheibe praktisch zu verwerten.
Dieser US-PS ist keinerlei Hinweis zu entnehmen, statt der wie vorgesehen nur einen Substratscheibe
beide im Verfahren beschichtete Substratscheiben weiter zu verwenden. In diesem Zusammenhang ist
allerdings auch zu berücksichtigen, daß bereits nicht zu vermeidende Temperaturschwankungen von auch nur
Zehntel Graden zwischen den Verfahrensschritten zu unkontrollierbaren Beeinflussungen der zweiten
Schmelze durch das falsche Voi substrat führen können, die die nach der Zielsetzung dieser US-PS jedoch zu
erreichende Äquilibrierung der ersten Substratscheibe nicht erreichen läßt.
Die beiden genannten Druckschriften Journ. of Appl.
Physics und Appl. Physics Letters betreffen generell das allgemeine Abscheiden einer epitaxialen Schicht. Auf
mehreren Substraten gleichzeitig mehrere Schichten nacheinander abzuscheiden und die damit verbundenen
Probleme, insbesondere der jeweiligen Tetnperaturführung, sind dort nicht erörtert. In Journ. Appl. Physics ist
eine mathematische Ableitung für das Abscheideverhalten des Epitaxie-Prozesses dargelegt, und zwar für zwei
Fälle, nämlich daß die Dicke Wder Schmelze entweder sehr groß oder sehr klein gegenüber der Wurzel aus
dem Produkt D und t ist, worin D der Diffusionskoeffizient des in der betreffenden Schmelze gelösten
Materials und idie Dauer des Aufwachsprozesses sind.
In der US-PS 37 53 801 ist im Hinblick auf die nachfolgend zu beschreibende Erfindung im wesentlichen
das gleiche wie in der US-PS 38 99 371 beschrieben, und es handelt sich auch dort zwar um die
Abscheidung mehrerer epitaxialer Schichten aufeinander,· jedoch ist auch dort das Verfahren auf die
Abscheidung auf nur einem Substrat ausgerichtet.
Für eine rationelle Herstellung solcher Halbleiter-Bauelemente wie LuminesEenzdioden oder Laserdioden,
auf denen mehrere aufeinander abgeschiedene, vorzugsweise unterschiedlich dicke Epitaxie-Schichten
erforderlich sind, bedarf es eines solchen Flüssigphasen-Schiebeepitaxie-Verfahrens,
das nach Art eines
Durchlaufprozesses durchführbar ist. Dies gilt insbesondere für die Herstellung von kohärent und inkohärent
strahlenden Doppelheterostruktur-Dioden, z. B. einer (GaAl)As-GaAs-Diode sowie auch bei Mikrowellen-Halbleiterbauelementen
mit Heterostruktur. Bei diesen r, elektronischen Bauelementen unterscheiden sich die
Schichten wenigstens teilweise auch in ihrer Zusammensetzung,
z. B. bei einer GaHiumarsenid-Galliumaluminiumarsenid-Schichtfolge
im Aluminiumgehalt. Die Abscheidung erfolgt immer durch Aufschieben der κι
Schmelze nit Hilfe eines Schiebers, wobei die Schmelze das abzuscheidende Material enthält und durch leichtes
Abkühlen dieser Schmelze auf der Substratoberfläche, wobei einkristalline Abscheidung erfolgt.
Schichtfolgen, wie sie beispielsweise für Doppelhete- ι;
rostruktur-Laserdioden oder -Lumineszenzdioden benötigt werden, werden üblicherweise mit Schiebeapparaturen
hergestellt, bei denen sich in einem Graphit- »3oot« in geeignet ausgebildeten Vertiefungen die
Substratscheiben befinden und bei denen ein bewegli- 2»
eher Schieber vorhanden ist, der mehrere Kammern für die verschiedenen Schmelzen unterschiedlicher Zusammensetzung
aufweist. Die Substratscheiben sind dabei hintereinander oder konzentrisch im gleichen Abstand
angeordnet, und die Kammern des Schiebers sind >-, ebenfalls hintereinander oder konzentrisch mit dem
entsprechenden Abstand angeordnet. Durch Weiterschieben bzw. Drehen des Schiebers wer Jen die
Schmelzen nacheinander über den jeweiligen isubstratkristall
geschoben, wobei jedesmal durch Abkühlen der iu Schmelze um einen gewissen Temperaturbetrag auf der
Substratscheibe eine einkristalline epitaxiale Schicht aufwächst. Die Dicke der aufgewachsenen Schicht wird
durch die Größe der Temperaturabsenkung der Schmelze und durch die Dicke der Schmelze über dem r.
Substrat und, sofern nicht die der Temperaturabsenkung entsprechende Menge gelöster Substanz zur Gänze auf
dem Substrat abgeschieden wird, auch durch die Abkühlgeschwindigkeit der Schmelze festgelegt. Wenn
auf einem Substrat sehr dünne Schichten abgeschieden w werden sollen, so müssen zum Abscheiden Schmelzen
verwendet werden, die mit dem Material des Substrats gesättigt sind, damit beim Aufschieben der Schmelze
nicht eine unkontrollierte Auflösung des Substratkristalles an seiner Oberfläche und als deren Folge ein 4r>
unkontrolliertes Schichtwachstum auftritt. Eine exakte Sättigung der Schmelzen wird am einfachsten dadurch
bewerkstelligt, daß die jeweils verwendete Schmelze durch genügend langes Verweilen auf einem Vorsubstrat
in ein Lösungsgleichgewicht gebracht wird, bevor w sie auf das eigentliche Substrat aufgeschoben wird. Bei
Apparaturen, bei denen mehrere Substratscheiben gleichzeitig beschichtet werden sollen, muß für jede
abzuscheidende Schicht einer jeden Subsiratscheibe eine gesonderte Kammer in dem Schieber vorgesehen v>
werden. So müßte beispielsweise zur Herstellung einer 4-Schichtstruktur, bei der zur Abscheidung der einzelnen
Schichten jeweils unterschiedliche Abkühlintervalle angewendet werden, ein Schieber eingesetzt werden,
dessen Kammerzahl 4mal so groß ist wie die Zahl der zu bo beschichtenden Substratscheiben. Dies würde bereits
bei einer kleineren Zahl von Substratscheiben zu einer sehr komplizierten Konstruktion des Schiebers bzw. des
»Bootes« führen. Ferner könnte die hohe Kammerzahl bei der Beschickung dieser »Boote« leicht zu Fehlern μ
führen. Schließlich ist wegen der Notwendigkeit von Vorsubstraten bei diesem Verfahren die doppelte
Anzahl von SubstratscheiDen erforderlich, was die Kosten des Verfahrens zusätzlich erhöht.
Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zum Abscheiden einkristalliner Schichten nach der Flüssigphasen-Schiebeepitaxie
anzugeben, mit dem es möglich ist, im Durchlaufverfahren eine Vielzahl von Substratscheiben
gleichzeitig mit mehreren Schichten übereinander zu versehen, wobei die einzelnen Schichten
vorgegeben unterschiedliche Dicken haben können.
Diese Aufgabe wird bei einem wie im Oberbegriff des Patentanspruchs 1 angegebenen Verfahren erfindungsgemäß
nach der im kennzeichnenden Teil des Patentanspruchs 1 angegebenen Weise gelöst.
Eine vorteilhafte Anwendung der Erfindung ist im Unteranspruch angegeben.
Der Vorteil des erfindungsgemäßen Verfahrens besteht einmal darin, daß die einzelnen Schichten auf
den jeweiligen Substratscheiben jeweils aus derselben Schmelze abgeschieden werden, und daß weiterhin die
Temperaturabsenkung für die einzelnen Schmelzen jeweils um den gleichen Betrag erfolgt. Zur Steuerung
der Dicke der jeweils abzuscheidenden Schicht, d. h. zum Erreichen einer jeweils vorgegebenen Schichtdikke,
wird die Dicke der über der Substratscheibe befindlichen Schmelze entsprechend variiert bzw.
eingestellt.
Die jeweilige Schmelze, aus der heraus die betreffende Schicht einkristallin abgeschieden werden soll,
verbleibt solange auf dem Substratkristall, bis sie sich mit diesem im Gleichgewicht befindet. Die zu
beschichtenden Substratscheiben sind in der für die Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens werwendeten
Apparatur hintereinander im gleichen Abstand wie der Abstand der für die Schmelzen
vorgesehenen Kammern des Schiebers angeordnet. Die Substratscheiben bzw. die für die Schmelzen vorgesehenen
Kammern können linear oder auch auf konzentrischen Kreisen angeordnet sein.
Zum Abscheiden der ersten einkristallinen Schichten wird eine erste Schmelze auf ein erstes Substrat
aufgeschoben. Die erste Schmelze kann gegebenenfalls auch über ein Vorsubstrat in das Lösungsgleichgewicht
gebracht worden sein. Nachdem die erste Schmelze auf das erste Substrat aufgeschoben worden ist, wird die
Anordnung um ein bestimmtes Temperaturintervall t, das beispielweise etwa 1°C beträgt, abgekühlt. Dabei
scheidet sich Material, das in der Schmelze gelöst ist, auf der Substratoberfläche epitaktisch ab. Die Schmelze
wird solange auf dem Substrat belassen, bis die Schmelze des bei dieser neuen Temperatur herrschende
Lösungsgleichgewicht erreicht hat, d. h. bis die Schmelze für die Abscheidung erschöpft ist. Man kann davon
ausgehen, daß das Wachstum aus der Schmelze heraus durch die Diffusion des in der Schmelze gelösten Stoffes
bestimmt wird, beispielsweise bei der Abscheidung von GaAs durch die Diffusion des As in der Ga-Schmelze. In
diesem Falle ist die Mindestverweilzeit der Schmelze
auf dem Substrat nach Abschluß der Abkühlung durch die Gleichung
gegeben, wobei Wnmx die größte Dicke der zum
Abscheiden verwendeten Schmelze und D der Diffusio.iskoeffizient
des gelösten Materials in der Schmelze ist. Voraussetzung für die Gültigkeit dieser Formel ist,
daß die Gleichung λ · At < tm„ erfüllt ist, wobei λ die
Abkühlungsgeschwindigkeit, At das Abkühlungsinter-
vall ist. Gilt statt dieser letzten Gleichung die Gleichung
ix ■ Δί> tmm. so kann nach erfolgter Abkühlung die
Mindestverweildauer noch entsprechend niedriger gehalten werden. Wird die Abkühlgeschwindigkeit der
Schmelze hinreichend klein gehalten, so könnte eine Haltezeit der Schmelze auf dem Substrat ohne
gleichzeitige Temperaturabsenkung sogar gänzlich entfallen. Dadurch, daß die Schmelzen, die zum
Abscheiden der jeweiligen Schicht auf die Substrate aufgeschoben werden, unterschiedlich gehallen werden,
können trotz des für alle Schmelzen gleichen Abkühlintervalles dennoch verschieden dicke Schichten auf den
jeweiligen Substratscheiben aufgewachsen werden, da unter den angegebenen Bedingungen die Dicke der
jeweils abgeschiedenen Schicht der Dicke der über der jeweiligen Suhstratscheibe befindlichen Schmelze proportional
ist. Beispielsweise muß bei einem Abkühlintervall At = TC und einer Ausgangstemperatur von
beispielsweise 8000C für eine Abscheidung von GaAs
aus einer Ga-As-Schmelze die Dicke der Schmelze etwa 1 mm betragen, um eine 1 μηι dicke GaAs-Schicht
aufzuwachsen, wobei die Haltezeit nach der Gleichung
hnin
mit D ungefähr gleich 5 ■ lodern see - ' etwa 200 see
betragen muß. Nach dieser Haltezeit wird sodann die erste Schmelze durch Weiterschieben des Schiebers auf
das zweite Substrat geschoben; gleichzeitig wird dann die zweite Schmelze auf das erste Substrat zur
Abscheidung der zweiten Schicht geschoben. Die Anordnung wird sodann wieder um den gleichen
Temperaturbetrag, in dem angegebenen Beispiel also um TC, abgekühlt. Danach wird sodann die erste
Schmelze auf die dritte Substratscheibe, die zweite Schmelze auf die zweite Substratscheibe, und die dritte
Schmelze auf die erste Substratscheibe aufgeschoben, und die gesamte Anordnung wiederum um 1°C
abgekühlt. Diese Verfahrensschritte werden entsprechend der Zahl der Substrate und der abzuscheidenden
Schichten fortgeführt. Sollen beispielsweise zehn Substratscheiben mit einer 4-Schichtstruktur versehen
werden, so sind also vier Kammern für die Schmelzen vorzusehen, und es sind insgesamt fünfzehn Schiebeschritte
erforderlich. Daraus ergibt sich eine Gesamtabkühlung von 150C. wenn bei jedem einzelnen Schiebeschritt
die Abkühlung um 1°C erfolgt. Innerhalb eines Temperaturintervalles von 15°C können die Temperaturabhängigkeiten
der Löslichkeit bzw. der Verteilungskoeffizienten der Komponenten und Dotierstoffe in der
Schmelze vernachlässigt werden, so daß für die Substratscheiben die abgeschiedenen Schichten gleiche
Schichtdicken aufweisen.
Im folgenden wird die Erfindung anhand eines in den Figuren dargestellten Ausführungsbeispieles beschrieben
und näher erläutert.
F i g. 1 zeigt schematisch die für die Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens verwendete Apparatur,
Fig. 2 zeigt schematisch, wie die Temperatur der gesamten Anordnung zur Abscheidung einzelner
Schichten auf den jeweiligen Substratscheiben abgesenkt «erden wird.
Fig. 1 zeigt schematisch den Verfahrensgang zur Herstellung einer 4-Schichtstruktur auf GaAs-Siibsiraten.
In einem »Boot« 1, das beispielsweise aus Graphit besteht, befinden sich die Substratscheiben 11,12,13, 14
und 15. Auf diesem Boot 1 ist ein Schieber 2 aufgesetzt, der vier Kammern enthält, in denen die Schmelzen 21,
22, 23 und 24 enthalten sind. Die Dicke der jeweiligen Schmelzen über den Substraten wird durch die Menge
der eingefüllten Schmelze eingestellt. Mit Stempeln 3 wird verhindert, daß bei kleinen Schmelzdicken sich die
Schmelze aufgrund Oberflächenspannung zu einem Tropfen zusammenzieht. Zum Abscheiden einer
4-Schichtstruktur auf den Substraten wird der Schieber zunächst in eine Position gebracht, bei der sich über dem
Substrat 11 die Schmelze 21 befindet. Dabei wird auf
dem Substrat 11 eine Schicht 111 abgeschieden. Sodann
wird der Schieber in die nächste Position gebracht, so daß die Schmelze 21 sich über dem Substrat 12 befindet.
Die Temperatur der Anordnung wird jetzt wiederum um einen Betrag von etwa 1°C abgesenkt. Dabei
scheidet sich auf dem Substrat 12 eine Schicht 121 einkristallin ab, aus der jetzt über dem Substrat 11
befindlichen Schmelze 22 scheidet sich eine Schicht 112
auf dem Substrat 11 ab. Im nächsten Verfahrensschritt wird der Schieber 2 wiederum in Pfeilrichtung
weitergeschoben, so daß die Schmelze 21 sich jetzt über dem Substrat 13 befindet. Dieser Zustand ist in Fig. I
dargestellt. Die Temperatur der Anordnung wird wiederum um den Betrag At = I0C abgesenkt. Dabei
scheidet sich auf dem Substrat 13 dann die erste epitaxiale Schicht, auf dem Substrat 12 die zweite und
auf dem Substrat 11 die dritte epitaxiale Schicht ab. Danach wird der Schieber 2 wiederum um eine Stellung
weitergeschoben, so daß die Schmelze 21 nun über dem Substrat 14, die Schmelze 24 über dem Substrat 11
vorhanden ist. In entsprechender Weise wird fortgefahren, bis alle Substrate mit einer 4-Schichtstruktur
überzogen sind.
Fig. 2 zeigt den Temperaturverlauf der gesamten
Anordnung. Die Anfangstemperatur f., beträgt beispielsweise 8000C. Entsprechend der vorhandenen
Anzahl von Substraten sowie der Zahl der abzuscheidenden Schichten erfolgt eine schrittweise Temperaturabsenkung
jeweils um einen Betrag At. beispielsweise um 1°C. Die Endtemperatur // liegt bei einem
Verfahren, bei dem zehn Substratscheiben mit einer 4-Schichtstruktur überzogen werden, beispielsweise 15'
tiefer als die Anfangstemperatur.
Hicr/u 1 Blatt Zeichnungen
Claims (1)
1. Verfahren zum aufeinanderfolgenden Abscheiden einkristalliner Schichten auf einem Substrat
(11 — 15) nach der Flüssigphasen-Schiebeepitaxie, bei dem mittles einer Schiebevorrichtung (1, 2)
nacheinander Schmelzen (21—24) auf Substrate (11 — 15) aufgeschoben und nach dem Abscheiden
der jeweiligen Schicht (111) durch Weiterschieben wieder entfernt werden, wobei eine aus zwei Teilen
(1, 2) bestehende Schiebevorrichtung verwendet wird, deren Teil (2) mehr als eine Kammer für die
einzelnen Schmelzen (21—24) des jeweils abzuscheidenden Materials aufweist, und deren zweites Teil
(1) im gleichen Abstand wie die Kammern Aufnahmen für Substratscheiben (11 — 15) hat, von
denen eine Aufnahme für eine mehrfach mit einer Schichtfolge zu beschichtende Substratscheibe vorgesehen
ist, und wobei das Abscheiden der einzelnen Schichten mittels Absenken der Temperatur der
Schmelzen und damit der jeweils über dieser Substratscheibe befindlichen Schmelze erfolgt, g e kennzeichnet
dadurch,
daß zum Abscheiden jeweils mehrerer Schichten der Schichtfolge gleichzeitig auf Substraten (11 — 15)
diese Substrate in entsprechend vielen Aufnahme des zweiten Teils (1) angeordnet sind, wobei alle
Aufnahmen und alle Kammern der Schmelzen (21 —2\) untereinander gleiche Abstände haben,
daß die für alle Schmelzen gemeinsame Temperaturabsenkung schrittweise fortlaufend um den jeweils gleichen Temperaturbetrag (1 ° C) erfolgt,
daß zur Abscheidung von Schichten (111, 112) mit vorgegeben unterschiedlichen Dicken die Dicke der betreffenden Schmelze (21—24) auf jeweils einem der abzuscheidenden Schichtdicke entsprechenden Wertgehalten wird,
daß die für alle Schmelzen gemeinsame Temperaturabsenkung schrittweise fortlaufend um den jeweils gleichen Temperaturbetrag (1 ° C) erfolgt,
daß zur Abscheidung von Schichten (111, 112) mit vorgegeben unterschiedlichen Dicken die Dicke der betreffenden Schmelze (21—24) auf jeweils einem der abzuscheidenden Schichtdicke entsprechenden Wertgehalten wird,
und daß zwischen dem Aufschieben und dem Abschieben der Schmelze eine Mindestverweilzeit
tmitt eingehalten wird, deren Größe nach der Formel
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2730358A DE2730358C3 (de) | 1977-07-05 | 1977-07-05 | Verfahren zum aufeinanderfolgenden Abscheiden einkristalliner Schichten auf einem Substrat nach der Flüssigphasen-Schiebeepitaxie |
EP78100110A EP0000123B1 (de) | 1977-07-05 | 1978-06-07 | Verfahren zum Abscheiden einkristalliner Schichten nach der Flüssigphasen-Schiebeepitaxie. |
US05/914,167 US4149914A (en) | 1977-07-05 | 1978-06-09 | Method for depositing epitaxial monocrystalline semiconductive layers via sliding liquid phase epitaxy |
IT25180/78A IT1096839B (it) | 1977-07-05 | 1978-06-30 | Procedimento per derositare strati monocristallini con il metodo epitassiale a spostamento in fase liquida |
JP8083378A JPS5414669A (en) | 1977-07-05 | 1978-07-03 | Method of growing monocrystal layer by slide liquid phase epitaxy |
CA000306752A CA1116312A (en) | 1977-07-05 | 1978-07-04 | Method for depositing epitaxial monocrystalline semiconductive layers via sliding liquid phase epitaxy |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2730358A DE2730358C3 (de) | 1977-07-05 | 1977-07-05 | Verfahren zum aufeinanderfolgenden Abscheiden einkristalliner Schichten auf einem Substrat nach der Flüssigphasen-Schiebeepitaxie |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2730358A1 DE2730358A1 (de) | 1979-01-11 |
DE2730358B2 true DE2730358B2 (de) | 1981-05-27 |
DE2730358C3 DE2730358C3 (de) | 1982-03-18 |
Family
ID=6013202
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2730358A Expired DE2730358C3 (de) | 1977-07-05 | 1977-07-05 | Verfahren zum aufeinanderfolgenden Abscheiden einkristalliner Schichten auf einem Substrat nach der Flüssigphasen-Schiebeepitaxie |
Country Status (6)
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---|---|
US (1) | US4149914A (de) |
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JP (1) | JPS5414669A (de) |
CA (1) | CA1116312A (de) |
DE (1) | DE2730358C3 (de) |
IT (1) | IT1096839B (de) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL7712315A (nl) * | 1977-11-09 | 1979-05-11 | Philips Nv | Werkwijze voor het epitaxiaal neerslaan van verscheidene lagen. |
DE3036643C2 (de) * | 1980-09-29 | 1984-09-20 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Vorrichtung zur Flüssigphasen-Epitaxie |
US4319937A (en) * | 1980-11-12 | 1982-03-16 | University Of Illinois Foundation | Homogeneous liquid phase epitaxial growth of heterojunction materials |
US4342148A (en) * | 1981-02-04 | 1982-08-03 | Northern Telecom Limited | Contemporaneous fabrication of double heterostructure light emitting diodes and laser diodes using liquid phase epitaxy |
US4547230A (en) * | 1984-07-30 | 1985-10-15 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | LPE Semiconductor material transfer method |
JPH07115987B2 (ja) * | 1986-09-26 | 1995-12-13 | 徳三 助川 | 超構造および多層膜の製作法 |
TW460604B (en) | 1998-10-13 | 2001-10-21 | Winbond Electronics Corp | A one-sided and mass production method of liquid phase deposition |
CN102995115B (zh) * | 2012-12-27 | 2015-07-29 | 中国电子科技集团公司第十一研究所 | 一种用于液相外延生长的石墨舟及液相外延生长方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
USRE28140E (en) * | 1971-11-29 | 1974-08-27 | Bergh ctal | |
BE788374A (fr) * | 1971-12-08 | 1973-01-02 | Rca Corp | Procede de depot d'une couche epitaxiale d'un materiau semi-conducteur sur la surface d'un substrat |
US3933538A (en) * | 1972-01-18 | 1976-01-20 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Method and apparatus for production of liquid phase epitaxial layers of semiconductors |
GB1414060A (en) * | 1972-07-28 | 1975-11-12 | Matsushita Electronics Corp | Semoconductor devices |
JPS5342230B2 (de) * | 1972-10-19 | 1978-11-09 | ||
US3899371A (en) * | 1973-06-25 | 1975-08-12 | Rca Corp | Method of forming PN junctions by liquid phase epitaxy |
US3899137A (en) * | 1974-12-17 | 1975-08-12 | Martin Shenker | Cleaning device for photo-slides |
US4028148A (en) * | 1974-12-20 | 1977-06-07 | Nippon Telegraph And Telephone Public Corporation | Method of epitaxially growing a laminate semiconductor layer in liquid phase |
US4032951A (en) * | 1976-04-13 | 1977-06-28 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Growth of iii-v layers containing arsenic, antimony and phosphorus, and device uses |
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1977
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