DE2755151B2 - Flüssigkristall-Bildschirm mit Matrix-Ansteuerung - Google Patents
Flüssigkristall-Bildschirm mit Matrix-AnsteuerungInfo
- Publication number
- DE2755151B2 DE2755151B2 DE2755151A DE2755151A DE2755151B2 DE 2755151 B2 DE2755151 B2 DE 2755151B2 DE 2755151 A DE2755151 A DE 2755151A DE 2755151 A DE2755151 A DE 2755151A DE 2755151 B2 DE2755151 B2 DE 2755151B2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- liquid crystal
- layer
- electrodes
- switching elements
- openings
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims description 30
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 title claims description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 42
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 18
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 9
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 8
- 230000005669 field effect Effects 0.000 claims description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 5
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 3
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 claims 4
- 210000004027 cell Anatomy 0.000 claims 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 claims 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034960 Photophobia Diseases 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 208000013469 light sensitivity Diseases 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 230000006403 short-term memory Effects 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136277—Active matrix addressed cells formed on a semiconductor substrate, e.g. of silicon
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
- G02F2201/123—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode pixel
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2203/00—Function characteristic
- G02F2203/02—Function characteristic reflective
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Description
umgeben sind und daß alle öffnungen von den reflektierenden Elektroden vollständig bedeckt sind.
Bei dem aus der US-PS 38 62 360 bekannten Bildschirm wird eine Platte jedes Speicherkoa^.ensators
in der Halbleiterplatte durch Ionen-Implantation gebildet Die reflektierenden Elektroden bilden zugleich
die oberen Platten der Speicherkondensatoren, während hochdotierte Bereiche in der Halbleiterplatte, von
denen sich jeder unter einer zugeordneten reflektierenden Elektrode befindet, als untere Platten der
Kondensatoren dienen. Es hat sich gezeigt, daß Bildschirme dieser Art für einfallendes Licht im
wesentlichen undurchlässig gemacht werden können, indem die dotierte Schicht an der Oberfläche der
Halbleiterplatte so ausgebildet wird, daß sie die gesamte Halbleiterplatte bedeckt, abgesehen von den Stellen, an
denen die Schah-Transistoren erzeugt werden sollen, und indem jede reflektierende Elektrode vollständig
über eine der Öffnungen ausgedehnt wird, di» in der
dotierten Schicht für die Schalt-Transistoren freigelassen werden. Demgemäß erstreckt sich die dotierte
Schicht über alle diejenigen Stellen, an denen sich Spalte oder Lücken zwischen benachbarten Elektroden befinden,
während die Elektroden alle diejenigen Stellen bedecken, an denen die dotierte Schicht öffnungen oder
Lücken aufweist. Auf diese Weise wird die Lichtempfindlichkeit des Bildschirmes bedeutend verminder: da
diese Lichtempfindlichkeit vornehmlich auf Raumladungsbereiche zurückzuführen ist, die unter jeder
Elektrode in der Halbleiterplatte leicht entstehen können, nachdem an die Elektrode eine Gleichspannung
angelegt wurde. Einfallendes Licht, das die Halbleiterplatte zwischen benachbarten reflektierenden Elektroden
trifft, bewirkt dann die Photogeneration von Elektronen-Loch-Paaren in dem Raumladungsbereich,
welche die Bildung einer Inversionsschicht beschleunigen, die ihrerseits die ordentliche Funktion der
Speicherkondensatoren stört.
Durch die Erfindung wird die Bildung des Raumladungsbereiches unter den reflektierenden Elektroden
durch die stark dotierte Schicht in der Halbleiterplatte verhindert, die sich über alle Bereiche erstreckt, an
denen ein Spalt zwischen benachbarten Elektroden vorhanden ist, sowie durch die Ausdehnung der
reflektierenden Elektroden über die öffnungen in der
dotierten Schicht, wodurch ein Auftreffen von Licht auf solche Abschnitte der Halbleiterplatte verhindert wird,
die nicht durch die stark dotierte Schicht geschützt sind.
Die Erfindung wird im folgenden anhand der in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiele näher
beschrieben und erläutert. Es zeigt
Fig. 1 eine Draufsicht auf die Vorderfläche der hinteren Halbleiterplatte eines Flüssigkristall-Bildschirmes,
bei dem die Erfindung verwirklicht werden kann,
F i g. 2 einen Querschnitt durch den Bildschirm nach Fi g. 1 in vergrößertem Maßstab,
F i g. 3 eine vereinfachte Darstellung des Querschnittes nach Fig. 2 zur Veranschaulichung der Art und
Weise, wie unter den in den Fig. 1 und 2 dargestellten
reflektierenden Elektroden eine Inversionsschicht gebildet wird, wenn an die Elektroden eine Spannung
angelegt ist und auf die Anordnung Licht einfällt,
Fig. 4 die Anordnung nach Fig. 3 jedoch mit einer
sich unterhalb der Elektroden erstreckenden dotierten Schicht, und
Fig. 5 bis 14 schematische Darstellungen in der Draufsicht und im Querschnitt einer bevorzugten
Ausführungsform der Erfindung in aufeinanderfolgenden Stufen während ihrer Herstellung.
Bevor die durch die Erfindung bewirkte Verbesserung beschrieben wird, soll anhand der Fig, 1 und 2 der
Aufbau und die Wirkungsweise eines Flüssigkristall-Bildschii mes erläutert werden, der aus einer Matrix aus
Elementar-Zellen besteht und der beispielsweise mit allen Einzelheiten in der US-PS 38 62 360 beschrieben
ist Wie ersichtlich, umfaßt ein solcher Bildschirm 26 eine dünne Schicht aus Flüssigkristall-Material 28, die
sich zwischen einer Glasplatte 30, die auf einer Seite mit einer transparenten Elektrode 32 versehen ist und einer
hinteren Halbleiterplatte 34 befindet die aus Silicium bestehen kann und auf der eine Matrix reflektierender
Elektroden 36 gebildet worden ist. Die einzelnen Adressierkreise sind den reflektierenden Elektroden
benachbart, die auch als obere Platten von Speicherkondensatoren dienen. Die transparente Elektrode 32 dient
als gemeinsame Elektrode für alle einzelnen Zellen, die in einer Vielzahl von Reihen und Spalten angeordnet
sind. Die in Fig. 1 dargestellte Matrix, die aus 16 χ 16
Elementarzellen besteht, ist um der Deutlichkeit der Darstellung willen auf etwa das 20-fache vergrößert. Bei
tatsächlichen Bildschirmen finden sehr viel mehr Elementarzellen Verwendung, beispielsweise
1000 χ !000 und mehr. Außer dem zwischen den
Elektroden 32 und 36 angeordneten Flüssigkristall-Material
28 ist jeder Elementarzelle ein Feldeffekt-Transistor (FET) 22 und ein Kondensator 24 zugeordnet.
Der Kondensator 24 und der FET 22 bilden einen elementaren Kurzzeitspeicher, dessen Zweck darin
besteht, einen Adressierimpuls, der eine typische Dauer von 30 μβ haben kann, zu strecken, beispielsweise auf
30 ms auszudehnen, um das an dem Flüssigkristall-Material anliegende Potential während der gesamten Zeit
zwischen aufeinanderfolgenden Adressierimpulsen beizubehalten. Der Kondensator 24 umfaßt eine metallische
Elektrode 36, die von einem η+ -dotierten Bereich 15 in der Halbleiterplatte 34 durch eine dielektrische
Schicht 68 getrennt ist. Der η+ -dotierte Bereich 15 ist
normalerweise geerdet und wird vorzugsweise durch Ionen-Implantation erzeugt. Jeder p-Kanal FET umfaßt,
wie aus F i g. 2 ersichtlich, ein Gate 62, eine Drain-Leitung 64, einen Source-Kontakt 60 und Drain- und
Source-Zonen 39 und 41. Die genannten Zonen werden durch p+-Bereiche in der Halbleiterplatte 34 vom n-Typ
gebildet. Die reflektierende Elektrode 36 steht über den Source-Kontakt 60, der von einer Verlängerung der
Elektrode gebildet wird, mit der Source-Zone 41 in Verbindung. Alle Gates der einer gegebenen Zellenreihe
zugeordneten FETs sind mit einer zugeordneten Gate-Leitung verbunden, während die Drain-Zonen
aller FETs, die den in einer Spalte angeordneten Zellen zugeordnet sind, an eine entsprechende Drain-Leitung
64 angeschlossen sind.
Die Wirkung von einfallendem Licht auf die in F i g. 2 dargestellte Anordnung ist in Fig. 3 veranschaulicht.
Zur Vereinfachung sind die durch Ionen-Implantation erzeugten Bereiche 15, die als die unteren Platten der
Kondensatoren 24 dienen, in F i g. 3 fortgelassen, und es sind die reflektierenden Elektroden 36 als ebene Platten
dargestellt, die von der Oberfläche der Halbleiterplatte 34 durch eine dielektrische Schicht 68 gleichförmiger
Dicke getrennt sind. Ebenso fortgelassen sind die FETs 22. Statt dessen wird den Elektroden 36 unmittelbar eine
Betriebsspannung Vg zugeführt, die in Wirklichkeit den
Elektroden über die FETs 22 zugeführt v/erden würde. Das Anlegen der Spannung V^ an die Elektroden 36
führt zur Bildung eines Raumladungsbereiches 71 unter
jeder Elektrode. Außerdem werden in der Umgebung der Source-Zone 41 infolge der von der Elektrode 36
her zugeführten Spannung Verarmungszonen erzeugt. Diese Verarmungszonen vereinigen sich zu einer
Verarmungsschicht.
Wenn ein derart angeregter Bildschirm einfallendem Licht ausgesetzt ist, das durch die Pfeile 73 angedeutet
ist, werden in dem Raumladungsbereich Elektronen-Loch-Paare erzeugt, weil das einfallende Licht durch die
Spalte zwischen den benachbarten Elektroden 36 eindringt und die Raumladungsbereiche 71 trifft. Die
Elektronen fließen dann in die Halbleiterplatte, während die Löcher in Richtung der Elektroden 36
fließen und in der Halbleiterplatte nahe der dielektrischen Schicht 68 eine Inversionsschicht bilden. Die
Ausbildung dieser Inversionsschicht, die an die durch Diffusion erzeugten Source-Elektroden angrenzt, reduziert
die im Kondensator 24 enthaltene Ladung, indem sie eine langsame Entladung des Kondensators auf
einem Weg bewirkt, der von der Source-Zone 41 über die Inversionsschicht zur Halbleiterplatte führt. Die
Leitung zwischen der Inversionsschicht und der Halbleiterplatte erfolgt durch die oben beschriebene
Photogeneration von Elektronen-Loch-Paaren.
Wenn unmittelbar unter der dielektrischen Schicht 68 an der Oberfläche der Halbleiterplatte 34 eine
hochdotierte Schicht 75 angeordnet wird, wie es F i g. 4 zeigt, ist die Bildung von Raumladungsbereichen
verhindert, so daß sich keine Inversionsschichten ausbilden können, wenn der Bildschirm einfallendem
Licht ausgesetzt wird. Es ist zu beachten, daß die bei dem bekannten Bildschirm nach Fig. 2 vorhandenen,
voneinander getrennten, durch Ionen-Implantation dotierten Bereiche 15 eine ungenügende Ausdehnung
haben, um die Bildung von Raumladungs-Bereichen in der Halbleiterplatte zu verhindern. Weiterhin sind, wie
es noch später beschrieben wird, die Elektroden 36 gemäß der Erfindung so gestaltet, daß sie alle öffnungen
überdecken, die in der dotierten Schicht 75 zur Bildung der FETs 22 belassen werden.
Es ist die Kombination der dotierten Schicht 75 mit der von den Elektroden 36 bewirkten Abdeckung,
welche den erfindungsgemäßen Schutz gegen einfallendes Licht bewirkt.
Anhand der Fig. 7 bis 14 wird nun ein nach der Erfindung ausgebildeter Bildschirm beschrieben. Ebenso
wie der Bildschirm nach F i g. 2 (34) weist auch die in den Fig. 8, 10, 12, 14 dargestellte Ausführungsform der
Erfindung eine Halbleiterplatte 77 auf, an deren der Flüssigkristallschicht zugewandten Haupt-Oberfläche
79 eine stark dotierte Schicht 81 erzeugt wird. In dieser Schicht werden öffnungen 83 (siehe Fig. 7) belassen,
die in einer Vielzahl von Reihen und Spalten angeordnet sind, und es wird innerhalb jeder öffnung in der
Haibleiterplatte 77 ein Schaltglied 85 angeordnet, das hier als FET dargestellt ist. Ober der Oberfläche 79 der
Halbleiterpiatte 77 wird eine Matrix von in einer Ebene liegenden reflektierten Elektroden 87 erzeugt, von
denen jede sich vollständig über eine der Öffnungen 83 erstreckt (siehe Fig. 13 und 14). Es sind Einrichtungen
zur elektrischen Verbindung der Schaltglieder 85 mit den sich jeweils über sie erstreckenden Elektroden 87
vorgesehen. Bei der dargestellten bevorzugten Ausführungsform umfassen diese Einrichtungen eine Zwischenelektrode
90, die mit dem Schaltglied 85 und insbesondere mit dessen Source 85s verbunden ist
(Fig. 14). Die Zwischenelektrode 90 erstreckt sich parallel zur Oberfläche 79 der Halbleiterplatte und
bildet mit der dotierten Schicht 81 einen Kondensator.
Im Abstand von den in einer Ebene angeordneten reflektierenden Elektroden 87 befindet sich eine
durchsichtige vordere Elektrode 91, die von einer Glasplatte 92 getragen wird. Zwischen der vorderen
Elektrode 91 und den hinteren, reflektierenden Elektroden 87 ist durch nicht dargestellte, geeignete Abdichtmittel
ein Flüssigkristall-Material 93 eingeschlossen. Endlich ist Sorge dafür getragen, daß eine Steuer- oder
Anregungsspannung zwischen ausgewählte reflektierende Elektroden 87 und die vordere Elektrode 91
mittels der Schaltglieder 85 gelegt werden kann, um eine Bilddarstellung zu erzeugen. Bei der dargestellten
bevorzugten Ausführungsform der Erfindung bestehen diese Schaltgüeder aus MetaUoxid-Ha'bleiter-Feldeffekt-Transistoren
(MOSFET), die eine Source 85s, und ein Drauin 85dumfassen, die von dotierten Bereichen in
der Halbleiterplatte 77 gebildet werden, und ein dazwischen angeordnetes Metall- oder Silicium-Gate
85g. Die Einrichtungen zum Anlegen einer Anregungsspannung an den Bildschirm umfaßt eine Anzahl von im
gleichen Abstand voneinander angeordneter, paralleler Gate-Leitungen 95 (Fig. 11), von denen jede Gate-Leitung
mit allen Gates 85g der in der gleichen Reihe angeordneten Schaltglieder 85 verbunden ist. Außerdem
umfassen die Einrichtungen zum Anlegen von Anregungsspannungen eine Vielzahl von in gleichem
Abstand voneinander angeordneter, paralleler Drain-Leitungen 97, von denen jede mit den Drains 85daller in
der gleichen Spalte angeordneten Schaltglieder 85 verbunden ist.
Wie am besten aus Fig. 11 ersichtlich, begrenzen die
Drain-Leitungen 97 und Gate-Leitungen 95 eine Vielzahl gleich geformter Flächenbereiche 100, die bei
dem dargestellten Ausführungsbeispiel quadratisch sind. Die Öffnungen 83 in der dotierter. Schicht 81 (Fig. 7)
sind jeweils in der Ecke eines dieser quadratischen Flächenbereiche 100 angeordnet, und es befindet sich
jede der Zwischenelektroden 90 (Fig. 11) vollständig innerhalb der Grenzen eines zugeordneten Flächenbereiches.
Dagegen sind die reflektierenden Elektroden 87 gegenüber den Flächenbereichen 100 seitlich ausreichend
weit versetzt, um die Öffnungen 83 vollständig zu überdecken (vgl. Fig. 7, 11 und 13). Infolgedessen ist
jeder Teil der Halbleiterplatte 77 der im Bereich zwischen benachbarten reflektierenden Elektroden 87
dem einfallenden Licht ausgesetzt ist, mit der stark
dotierten Schicht 81 versehen, wo das einfallende Licht keine Inversionsschicht bilden kann.
Es ist beachtenswert daß trotz des Versatzes der reflektierenden Elektroden 87 gegenüber den ihnen
zugeordneten Zwischenelektroden 90 beide Elektroden zusammen keine vollständige Abdeckung der Oberfläche
79 gegen einfallendes Licht bewirken können. Dies liegt daran, daß die beiden Elektroden 87 und 90 in
Spalten und Zeilen angeordnet sind, zwischen denen sich Zwischenräume befinden. Die vollständige Abdekkung,
die für eine maximale Unempfindiichkeit gegen einfallendes Licht erwünscht ist, kann nur im Zusammenwirken
der versetzten reflektierenden Elektroden 87 mit der durchgehend ausgebildeten dotierten Schicht
81 erzielt werden, die lediglich voneinander getrennte öffnungen 83 aufweist
Die wesentlichen Schritte eines Verfahrens, das zur Herstellung eines nach der Erfindung ausgebildeten
Bildschirmes geeignet ist werden nun anhand der F i g. 5 bis 14 beschrieben. Gemäß den F i g. 5 und 6 betrifft der
erste Schritt die Bildung von die Schaltglieder 85
bildenden MOSFETs und umfaßt das Aufbringen und Ätzen einer Oxidschicht 99, die öffnungen 101 und 103
aufweist, welche die Ausdehnung der Diffusionszonen zur Bildung von Drain 85c/ und Source 85s definieren.
Wenn die Halbleiterplatte 77 η-dotiert ist, wie es bei 5 dem oben erwähnten Bildschirm nach der US-PS
38 62 360 der Fall ist, wobei ein spezifischer Widerstand des Substrats von 3 Ohm ■ cm typisch ist, bestehen die
Diffusionszonen für Source 85s und Drain 85c/ aus p-dotierten Bereichen, die durch bekannte Diffusionsverfahren
erzeugt werden können. Die Oxidschicht 99 wird dann entfernt (F i g. 7 und 8). Anschließend wird die
Oberfläche 79 der Halbleiterplatte 77 erneut mit einem Photolack derart maskiert, daß die gesamte Oberfläche
79 freiliegt, abgesehen von den Stellen, an denen die MOSFETs zu erzeugen sind. In die freiliegenden
Abschnitte der Substrat-Oberfläche 79 werden dann Ionen implantiert, wodurch eine stark dotierte Schicht
81 erzeugt wird, die öffnungen 83 aufweist, wie es die F i g. 7 und 8 zeigen.
Die gewünschte Dotierungs-Konzentration kann mit einer Implantationsdosis von 2 χ 1013 Atomen/cm2 mit
einer Energie von 60 keV erzielt werden.
Nach Entfernen der Ionen-Implantations-Maske wird
eine dicke Oxidschicht 105 auf die Oberfläche des Substrats aufgebracht (siehe Fig.9 und 10). Die dicke
Oxidschicht 105 wird dann maskiert und bis hinab zur Silicium-Oberfläche geätzt, um Bereiche zu definieren,
in denen eine dünne Isolierschicht gebildet werden kann. Diese dünne Isolierschicht wird vorzugsweise jo
gebildet, indem man zunächst eine dünne Oxidschicht 107 auf der Substrat-Oberfläche aufwachsen läßt, auf die
dann eine dünne Schicht 109 aus Siliciumnitrid aufgebracht wird. Typische Dicken der Schichten 107
und 109 sind 70 nm bzw. 30 nm. Der Grund für die
Bildung einer Doppelschicht anstatt einer einfachen Oxidschicht besteht vor allem darin, daß hierdurch die
Möglichkeit von Maskierungsfehlern reduziert wird, die zu kleinen Löchern führen, welche sich gänzlich durch
die dünne Oxidschicht erstrecken. Wie am besten durch einen Vergleich der Fig. 9 und 10 mit Fig. 11
erkennbar ist, werden die dünnen Schichten 107 und 109 an den Stellen erzeugt, an denen entweder die
Zwischenelektrode 90 oder die Gate-Elektrode 85geines MOSFET anzubringen ist. Die dicke Oxidschicht
105 dient zur Aufnahme der Gate- und Drainleitungen 95 bzw. 97 und wird relativ dick ausgebildet um die
Gefahr einer Spannungsinversion zu reduzieren, die in der Haibleiterplatte durch das Potential hervorgerufen
werden kann, das von diesen Leitungen geführt wird, und um die Kapazität dieser Leitungen zu vermindern.
Der nächste Schritt des Verfahrens besteht wiederum in einer Maskierung der dargestellten Anordnung,
welche nur diejenigen Bereiche der dünnen Schicht 109 aus Siliciumnitrid frei läßt, an denen ein Kontakt mit den
darunter liegenden Diffusionszonen für Drain 85t/und
Source 85s herzustellen ist. Mit Hilfe eines geebneten Ätzmittels wird dann eine Öffnung in der dünnen
Schicht 109 gebildet, die bis zu der darunter liegenden dünnen Oxidschicht 107 reicht Mittels eines zweiten
selektiven Ätzmittels, das die darunter liegende dünne Oxidschicht 107, nicht aber die dünne Schicht 109 aus
Siliciumnitrid angreift, werden dann die Öffnungen bis hinab zur Oberfläche des Substrats ausgedehnt, so daß
die darunter liegenden Diffusionszonen für Drain 85c/ und Source 85s freigelegt werden, wie es die F i g. 9 und
10 zeigen.
Als nächstes werden die Leitungen 95 und 97 sowie die Zwischenelektroden 90 gebildet. Diese Elemente
werden vorzugsweise aus einem stark bordotierten Polysilicium hergestellt, das in einer Schicht 111 auf die
in den Fig. 9 und 10 dargestellte Anordnung aufgebracht ist. Für die polykristalline Schicht 111 ist eine
Dicke von 500 nm typisch. Ein geeigneter Flächenwiderstand für diese polykristalline Schicht ist 50 Ohm
pro Quadrat. Danach wird die polykristalline Schicht 111 maskiert, um die Grenzen der Gate- und
Drainleitungen 95 bzw. 97 und der Zwischenelektroden 90 festzulegen. Die von der Maske freigelassenen
Bereiche werden dann durch Ätzen entfernt, so daß die polykristalline Schicht 111 mit den aus den F i g. 11 und
12 ersichtlichen Konturen zurückbleibt. Unter Verwendung der geätzten polykristallinen Schicht 111 als
Maske wird die in den Fig. 11 und 12 dargestellte Anordnung erneut einer Ionen-Implantation unterworfen,
um die kleinen Fortsätze 113 der Diffusionszonen für Source 85s und Drain 85c/ zu bilden. Mittels der
Fortsätze 113 werden diese Diffusionszonen auf die Gates 95g ausgerichtet, was für eine optimale Funktion
des Bildschirmes günstig ist. Eine geeignete Implantationsdosis zur Ausbildung der Fortsätze 113 beträgt
etwa 2 χ 10M Atome/cm2 mit einer Energie von etwa
80 keV.
Wie aus den Fig. 13 und 14 ersichtlich, wird als nächstes eine weitere Siliciumdioxid-Schicht 115, deren
Dicke etwa lOOOnm beträgt, auf die polykristalline
Schicht 111 aufgebracht. In die Siüciumdioxid-Schicht
115 werden dann Öffnungen 117 eingeätzt, wonach auf die Siliciumdioxid-Schicht 115 eine Metallschicht 119
aufgebracht wird, die sich durch die Öffnungen 117 hindurch erstreckt und dadurch mit der Zwischenelektrode
90 Kontakt macht. Für die Metallschicht 119 hat sich Chrom als geeignet erwiesen. Die Metallschicht
wird anschließend mit einer Maske versehen, welche diejenigen Teile der Metallschicht 119 gegen ein
selektives Ätzmittel schützt, die später als reflektierende Elektroden 87 dienen sollen.
Durch die vorstehend behandelten Verfahrensschritte ist im wesentlichen der Aufbau der Elemente
abgeschlossen, die sich auf der Halbleiterplatte 77 befinden. Es bleibt jetzt noch das Aufbringen einer
Schicht aus Flüssigkristall-Material 93 auf die Oberfläche der durch die vorher beschriebenen Schritte
geschaffenen Anordnung und einer Glasplatte 92 oder einer Platte aus einem anderen durchsichtigen Material,
welche eine transparente vordere Elektrode 91 trägt auf die Schicht des Flüssigkristall-Materials 93. Durch
hier nicht dargestellte Mittel, die jedoch in der oben genannten US-PS 38 62 360 beschrieben sind, wird die
Glasplatte 93 mit der transparenten Elektrode 91 in einem definierten Abstand von der Halbleiterplatte
gehalten.
Hierzu 6 Blatt Zeichnungen
Claims (7)
1. Flüssigkristall-Bildschirm mit Matrix-Ansteuerung, der eine an der Rückseite einer Flüssigkristallschicht
angeordnete Halbleiterplatte umfaßt, die auf ihrer der Flüssigkristallschicht zugewandten Seite in
dem Halbleitermaterial gebildete, in Form einer Matrix angeordnete Schaltglieder und in einer im
wesentlichen gemeinsamen Ebene angeordnete, reflektierende Elektroden aufweist, die den einzelnen
Schaltgliedern zugeordnet und mit ihnen elektrisch leitend verbunden sind, dadurch
gekennzeichnet, daß sich an der Oberfläche der Halbleiterplatte (77) eine dotierte Schicht (81)
befindet, in der sich eine Vielzahl von öffnungen (83)
befindet, daß alle Schaltglieder (85) in den öffnungen
(83) angeordnet und von der dotierten Schicht (81) umgeben sind und daß alle öffnungen (83) von den
reflektierenden Elektroden (87) vollständig bedeckt sind (F ig. 14).
2. Flüssigkristall-Bildschirm nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß jede öffnung (83) eines
der Schaltglieder (85) enthält.
3. Flüssigkristall-Bildschirm nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß jede öffnung (83)
einzeln von jeweils einer reflektierenden Elektrode (87) bedeckt ist.
4. Flüssigkristall-Bildschirm nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß die elektrisch leitenden Verbindungen zwischen den Schaltgliedern (85) und den ihnen
zugeordneten reflektierenden Elektroden (87) jeweils eine Zwischenelektrode (90) umfassen, die sich
parallel zur Überfläche der Halbleiterplatte (77) erstreckt und mit der dotierten Schicht (81) einen
Kondensator bildet.
5. Flüssigkristall-Bildschirm nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet,
daß die Halbleiterplatte (77) aus n-leitendem Silicium besteht und auch die dotierte Schicht (81)
n-Ieitend, jedoch stärker dotiert ist als der Rest der Halbleiterplatte (77).
6. Flüssigkristall-Bildschirm nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Schaltglieder (85)
MOSFETs sind und daß die Gates (85^aller in einer
Reihe der Matrix angeordneten MOSFETs durch eine von mehreren parallelen Gate-Leitungen (95),
die Drains (854) a"er >n einer Spalte der Matrix
angeordneten MOSFETs durch eine von mehreren parallelen Drain-Leitungen (97) und die Sources
(85s,) aller MOSFETs mit der zugeordneten Zwischenelektrode (90) verbunden sind (F i g. 11,14).
7. Flüssigkristall-Bildschirm nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Drain- und
Gate-Leitungen (97 bzw. 95) eine Vielzahl gleichgeformter Flächenbereiche (100) begrenzen, daß die
öffnungen (83) jeweils in einer der Ecken dieser Flächenbereiche (100) angeordnet sind, daß sich
auch die Zwischenelektroden (90) jeweils innerhalb eines zugeordneten Flächenbereiches (100) befinden
und daß die reflektierenden Elektroden (87) gegenüber den Flächenbereichen (100) seitlich so
weit versetzt sind, daß sie sich vollständig über die öffnungen (83) in den Ecken der Flächenbereiche
(100) erstrecken.
Die Erfindung betrifft einen Flüssigkristall-Bildschirm mit Matrix-Ansteuerung, der einen an der Rückseite
einer Flüssigkristallschicht angeordnete Halbleiterplatte umfaßt, die auf ihrer der Flüssigkristallschicht
". zugewandten Seite in dem Halbleitermaterial gebildete,
in Form einer Matrix angeordnete Schaltglieder und in einer im wesentlichen gemeinsamen Ebene angeordnete,
reflektierende Elektroden aufweist, die den einzelnen Schaltgliedern zugeordnet und mit ihnen elektrisch
Iu leitend verbunden sind.
Bei Bildschirmen hoher Auflösung wird das Bild aus tausenden von einzeln steuerbaren, elementaren Flüssigkristall-Zellen
gebildet, an die einzeln das die Helligkeit des von der Zelle definierten Bildpunktes
ι > bestimmende Potential mit ausreichend hoher Folgegeschwindigkeit
zugeführt werden muß, um ein merkliches Flimmern des erzeugten Bildes zu vermeiden. Zu diesem
Zweck kann eine dünne Schicht eines Flüssigkristall-Materials zwischen einer Glasplatte, die mit einer
transparenten Elektrode versehen ist, und einer Rückplatte angeordnet sein, die mit einer Matrix
reflektierender Elektroden versehen ist, die sich auf einer von der Rückplatte getragenen Halbleiterschicht
oder -platte befindet. Die Halbleiterplatte enthält auch
j) die zur Adressierung der Elektroden erforderliche
Schaltungsanordnung, welche die Schaltglieder, insbesondere Feldeffekt-Transistoren, und elektrische
Speicherglieder (Kondensatoren) umfaßt, die benachbart zu den die einzelnen Flüssigkristall-Zellen definie-
«i renden reflektierenden Elektroden angeordnet sind.
Dabei bildet die reflektierende Elektrode eine Platte des Kondensators. Jeder Feldeffekt-Transistor wird zur
Adressierung eines zugeordneten Elementes der Matrix benutzt, während der zugeordnete Speicherkondensa-
i'i tor des an die Flüssigkristall-Zelle angelegte Potential
hält, bis dieses Potential entsprechend der darzustellenden Information korrigiert wird. Bei typischen Bildschirmen
findet die Korrektur nach jeweils 33 ms statt. Ein solcher Aufbau eines Flüssigkristall-BUdschirmes ist
w beispielsweise in der US-PS 38 62 360 beschrieben.
Flüssigkristall-Bildschirme der gerade beschriebenen Art sind reflektierende Bildschirme und sind daher für
ihren Betrieb auf einfallendes Licht angewiesen. Leider sind jedoch die Feldeffekt-Transistoren, die zur
π Steuerung der Speicherkondensatoren auf der Rückplatte dienen, selbst gegen eine sehr geringe Intensität
von einfallendem Licht äußerst empfindlich. Als Folge davon ist die Fähigkeit der Speicherkondensatoren, das
an die einzelnen Flüssigkristall-Zellen angelegte Poten-
>ii tial bis zur nächsten Korrektur aufrechtzuerhalten, stark
beeinträchtigt. Die abschirmende Wirkung der reflektierenden Elektroden, die sich in einer Ebene zwischen
der Vorderseite des Bildschirmes und den Feldeffekt-Transistoren befinden, ist unzureichend, um einfallendes
'·■'. Licht daran zu hindern, die Speicherkondensatoren zu
entladen, weil ein Spalt oder eine Lücke zwischen den benachbarten Reihen und Spalten der Elektroden
vorhanden sein muß.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde,
■>'i einen Flüssigkristall-Bildschirm der eingangs beschriebenen
Art so auszubilden, daß die die Schallglieder umfassende Schaltungsanordnung im wesentlichen
gegen einfallendes Licht geschützt ist.
Diese Aufgabe wird nach der Erfindung dadurch
·■■■ gelöst, daß sich an der Oberfläche der Halbleiterplatte
eine dotierte Schicht befindet, in der sich eine Vielzahl von öffnungen befindet, daß alle Schaltglieder in den
öffnungen angeordnet und von der dotierten Schicht
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US05/752,037 US4103297A (en) | 1976-12-20 | 1976-12-20 | Light-insensitive matrix addressed liquid crystal display system |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2755151A1 DE2755151A1 (de) | 1978-06-22 |
DE2755151B2 true DE2755151B2 (de) | 1979-09-20 |
DE2755151C3 DE2755151C3 (de) | 1980-06-12 |
Family
ID=25024582
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2755151A Expired DE2755151C3 (de) | 1976-12-20 | 1977-12-10 | Flüssigkristall-Bildschirm mit Matrix-Ansteuerung |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4103297A (de) |
JP (1) | JPS5820434B2 (de) |
DE (1) | DE2755151C3 (de) |
FR (1) | FR2374714A1 (de) |
GB (1) | GB1541374A (de) |
IL (1) | IL53260A (de) |
NL (1) | NL183679C (de) |
Families Citing this family (76)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5848908B2 (ja) * | 1978-01-20 | 1983-10-31 | 松下電器産業株式会社 | 画像表示装置およびその製造方法 |
US4257041A (en) * | 1978-06-19 | 1981-03-17 | Izon Corporation | Electro optical display device |
US4233603A (en) * | 1978-11-16 | 1980-11-11 | General Electric Company | Multiplexed varistor-controlled liquid crystal display |
US4239346A (en) * | 1979-05-23 | 1980-12-16 | Hughes Aircraft Company | Compact liquid crystal display system |
US4223308A (en) * | 1979-07-25 | 1980-09-16 | Northern Telecom Limited | LCDs (Liquid crystal displays) controlled by thin film diode switches |
JPS5694386A (en) * | 1979-12-27 | 1981-07-30 | Suwa Seikosha Kk | Liquiddcrystal display unit |
US4319239A (en) * | 1980-05-27 | 1982-03-09 | Hughes Aircraft Company | CCD Capacitance modulation matrix for liquid crystal displays |
EP0044618A3 (de) * | 1980-06-19 | 1982-06-30 | Itt Industries, Inc. | Flüssigkristall-Anzeigevorrichtungen |
US4409724A (en) * | 1980-11-03 | 1983-10-18 | Texas Instruments Incorporated | Method of fabricating display with semiconductor circuits on monolithic structure and flat panel display produced thereby |
JPS57124785A (en) * | 1981-01-27 | 1982-08-03 | Seiko Instr & Electronics | Semiconductor substrate for display body driving electrode |
JPS582871A (ja) * | 1981-06-29 | 1983-01-08 | 株式会社東芝 | 液晶表示装置 |
JPS5854679U (ja) * | 1981-10-09 | 1983-04-13 | セイコーインスツルメンツ株式会社 | 液晶表示装置 |
JPS58140781A (ja) * | 1982-02-17 | 1983-08-20 | 株式会社日立製作所 | 画像表示装置 |
JPS5949580A (ja) * | 1982-09-14 | 1984-03-22 | 松下電器産業株式会社 | マトリクス表示パネルの製造方法 |
US4704002A (en) * | 1982-06-15 | 1987-11-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Dot matrix display panel with a thin film transistor and method of manufacturing same |
JPS5910988A (ja) * | 1982-07-12 | 1984-01-20 | ホシデン株式会社 | カラ−液晶表示器 |
HU186106B (en) * | 1982-08-19 | 1985-06-28 | Gabor David | Display-hard copy unit cooperating with ancomputer or other information source |
FR2551244B1 (fr) * | 1983-08-26 | 1985-10-11 | Thomson Csf | Procede de fabrication d'un substrat pour dispositif a commande electrique et ecran de visualisation elabore a partir d'un tel substrat |
US4698627A (en) * | 1984-04-25 | 1987-10-06 | Energy Conversion Devices, Inc. | Programmable semiconductor switch for a light influencing display and method for making same |
US4667189A (en) * | 1984-04-25 | 1987-05-19 | Energy Conversion Devices, Inc. | Programmable semiconductor switch for a display matrix or the like and method for making same |
FR2571878B1 (fr) * | 1984-10-12 | 1987-10-16 | Thomson Csf | Dispositif de visualisation d'images |
JPH061313B2 (ja) * | 1985-02-06 | 1994-01-05 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
US4699469A (en) * | 1985-04-17 | 1987-10-13 | International Business Machines Corporation | Liquid crystal display |
JPS62104066A (ja) * | 1985-10-31 | 1987-05-14 | Toshiba Corp | 半導体保護装置 |
US4704559A (en) * | 1986-02-25 | 1987-11-03 | Seiko Instruments & Electronics Ltd. | Matrix type multi-color display device |
US4839707A (en) * | 1987-08-27 | 1989-06-13 | Hughes Aircraft Company | LCMOS displays fabricated with implant treated silicon wafers |
US6288561B1 (en) * | 1988-05-16 | 2001-09-11 | Elm Technology Corporation | Method and apparatus for probing, testing, burn-in, repairing and programming of integrated circuits in a closed environment using a single apparatus |
US5042918A (en) * | 1988-11-15 | 1991-08-27 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Liquid crystal display device |
US5024524A (en) * | 1989-08-11 | 1991-06-18 | Raf Electronics Corp. | Reflective image plane module |
US5022750A (en) * | 1989-08-11 | 1991-06-11 | Raf Electronics Corp. | Active matrix reflective projection system |
JP2604867B2 (ja) * | 1990-01-11 | 1997-04-30 | 松下電器産業株式会社 | 反射型液晶表示デバイス |
JP2875363B2 (ja) | 1990-08-08 | 1999-03-31 | 株式会社日立製作所 | 液晶表示装置 |
KR950013784B1 (ko) | 1990-11-20 | 1995-11-16 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 겐큐쇼 | 반도체 전계효과 트랜지스터 및 그 제조방법과 박막트랜지스터 |
US7115902B1 (en) | 1990-11-20 | 2006-10-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method for manufacturing the same |
US5849601A (en) | 1990-12-25 | 1998-12-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method for manufacturing the same |
US7154147B1 (en) | 1990-11-26 | 2006-12-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and driving method for the same |
US8106867B2 (en) | 1990-11-26 | 2012-01-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and driving method for the same |
KR950001360B1 (ko) * | 1990-11-26 | 1995-02-17 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 겐큐쇼 | 전기 광학장치와 그 구동방법 |
US7576360B2 (en) * | 1990-12-25 | 2009-08-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device which comprises thin film transistors and method for manufacturing the same |
US7098479B1 (en) | 1990-12-25 | 2006-08-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method for manufacturing the same |
EP0499979A3 (en) * | 1991-02-16 | 1993-06-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device |
JP2794499B2 (ja) * | 1991-03-26 | 1998-09-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US6975296B1 (en) | 1991-06-14 | 2005-12-13 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method of driving the same |
US5414442A (en) * | 1991-06-14 | 1995-05-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method of driving the same |
US6778231B1 (en) | 1991-06-14 | 2004-08-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical display device |
JP2845303B2 (ja) | 1991-08-23 | 1999-01-13 | 株式会社 半導体エネルギー研究所 | 半導体装置とその作製方法 |
JP2651972B2 (ja) | 1992-03-04 | 1997-09-10 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶電気光学装置 |
JP2814161B2 (ja) | 1992-04-28 | 1998-10-22 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | アクティブマトリクス表示装置およびその駆動方法 |
US6693681B1 (en) | 1992-04-28 | 2004-02-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method of driving the same |
US6686976B2 (en) | 1992-10-08 | 2004-02-03 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal light valve and projection type display using same |
US5461501A (en) * | 1992-10-08 | 1995-10-24 | Hitachi, Ltd. | Liquid crystal substrate having 3 metal layers with slits offset to block light from reaching the substrate |
GB2274922B (en) * | 1993-01-21 | 1996-10-23 | Sharp Kk | Liquid crystal projector |
US5396261A (en) * | 1993-03-01 | 1995-03-07 | Wah-Iii Technology Corporation | Polysilicon gate bus with interspersed buffers for driving a row of pixels in an active matrix liquid crystal display |
US5365355A (en) * | 1993-03-10 | 1994-11-15 | Wah-Iii Technology Corporation | Light blocking, pixel enhancement and photocurrent reduction in active matrix liquid crystal displays |
US7081938B1 (en) | 1993-12-03 | 2006-07-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electro-optical device and method for manufacturing the same |
JPH07302912A (ja) * | 1994-04-29 | 1995-11-14 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置 |
JP3105408B2 (ja) * | 1994-10-19 | 2000-10-30 | シャープ株式会社 | 液晶表示素子 |
JP2900229B2 (ja) | 1994-12-27 | 1999-06-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置およびその作製方法および電気光学装置 |
US5834327A (en) | 1995-03-18 | 1998-11-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for producing display device |
JP3143592B2 (ja) * | 1995-09-14 | 2001-03-07 | キヤノン株式会社 | 表示装置 |
JP3604106B2 (ja) * | 1995-09-27 | 2004-12-22 | シャープ株式会社 | 液晶表示装置 |
TW439003B (en) * | 1995-11-17 | 2001-06-07 | Semiconductor Energy Lab | Display device |
US6800875B1 (en) | 1995-11-17 | 2004-10-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Active matrix electro-luminescent display device with an organic leveling layer |
US6294799B1 (en) * | 1995-11-27 | 2001-09-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method of fabricating same |
US5940732A (en) * | 1995-11-27 | 1999-08-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., | Method of fabricating semiconductor device |
TW309633B (de) * | 1995-12-14 | 1997-07-01 | Handotai Energy Kenkyusho Kk | |
US6225218B1 (en) | 1995-12-20 | 2001-05-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and its manufacturing method |
JP3725266B2 (ja) | 1996-11-07 | 2005-12-07 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 配線形成方法 |
JP3856901B2 (ja) | 1997-04-15 | 2006-12-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
US6124912A (en) * | 1997-06-09 | 2000-09-26 | National Semiconductor Corporation | Reflectance enhancing thin film stack in which pairs of dielectric layers are on a reflector and liquid crystal is on the dielectric layers |
US6452652B1 (en) | 1998-06-12 | 2002-09-17 | National Semiconductor Corporation | Light absorbing thin film stack in a light valve structure |
US6300241B1 (en) | 1998-08-19 | 2001-10-09 | National Semiconductor Corporation | Silicon interconnect passivation and metallization process optimized to maximize reflectance |
US5982472A (en) * | 1998-12-14 | 1999-11-09 | National Semiconductor Corporation | Self-aligned pixel with support pillars for a liquid crystal light valve |
US6475836B1 (en) | 1999-03-29 | 2002-11-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP4472073B2 (ja) * | 1999-09-03 | 2010-06-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置及びその作製方法 |
TWI612689B (zh) * | 2013-04-15 | 2018-01-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 發光裝置 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS4836598B1 (de) * | 1969-09-05 | 1973-11-06 | ||
US4011653A (en) * | 1971-08-23 | 1977-03-15 | Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing a semiconductor integrated circuit including an insulating gate type semiconductor transistor |
DE2345679A1 (de) * | 1972-09-22 | 1974-04-04 | Philips Nv | Halbleiterkaltkathode |
US3862360A (en) * | 1973-04-18 | 1975-01-21 | Hughes Aircraft Co | Liquid crystal display system with integrated signal storage circuitry |
US3824003A (en) * | 1973-05-07 | 1974-07-16 | Hughes Aircraft Co | Liquid crystal display panel |
US3882531A (en) * | 1973-05-29 | 1975-05-06 | Gen Electric | Apparatus for sensing radiation and providing electrical read out |
DE2553739A1 (de) * | 1974-12-09 | 1976-06-10 | Hughes Aircraft Co | Transistorfeld zum ansteuern eines optischen mediums und verfahren zu dessen herstellung |
US4024626A (en) * | 1974-12-09 | 1977-05-24 | Hughes Aircraft Company | Method of making integrated transistor matrix for flat panel liquid crystal display |
-
1976
- 1976-12-20 US US05/752,037 patent/US4103297A/en not_active Expired - Lifetime
-
1977
- 1977-10-31 IL IL53260A patent/IL53260A/xx unknown
- 1977-11-09 GB GB46663/77A patent/GB1541374A/en not_active Expired
- 1977-12-05 FR FR7736536A patent/FR2374714A1/fr active Granted
- 1977-12-10 DE DE2755151A patent/DE2755151C3/de not_active Expired
- 1977-12-20 JP JP52152493A patent/JPS5820434B2/ja not_active Expired
- 1977-12-20 NL NLAANVRAGE7714154,A patent/NL183679C/xx not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2374714A1 (fr) | 1978-07-13 |
NL7714154A (nl) | 1978-06-22 |
JPS5820434B2 (ja) | 1983-04-22 |
NL183679C (nl) | 1988-12-16 |
JPS5377495A (en) | 1978-07-08 |
NL183679B (nl) | 1988-07-18 |
US4103297A (en) | 1978-07-25 |
IL53260A (en) | 1980-03-31 |
DE2755151C3 (de) | 1980-06-12 |
DE2755151A1 (de) | 1978-06-22 |
FR2374714B1 (de) | 1984-08-10 |
GB1541374A (en) | 1979-02-28 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2755151C3 (de) | Flüssigkristall-Bildschirm mit Matrix-Ansteuerung | |
DE69434235T2 (de) | Aktivmatrixschaltkreisplatine und deren Herstellungsverfahren | |
DE3325134C2 (de) | ||
DE69838468T2 (de) | Herstellungsverfahren für Dünnschichtfeldeffekttransistor mit verminderter Streukapazität | |
DE4241457B4 (de) | P-leitendes floatendes Gate aus Poly-Silizium zur Verwendung bei einem Halbleiterbautransistorelement und daraus hergestelltes Flash-E2PROM | |
DE3130407C2 (de) | ||
DE2653076C2 (de) | Elektrolumineszente Darstellungsplatte | |
DE3816358C2 (de) | ||
DE2419170C3 (de) | Flüssigkristall-Bildschirm mit Matrixansteuerung | |
EP0444720B1 (de) | Sensormatrix | |
DE69720856T2 (de) | Laserkristallisation eines amorphen Siliziumfilms für einen TFT | |
DE19650787C2 (de) | Flüssigkristall-Anzeigevorrichtung mit Dünnfilmtransistor und Verfahren zum Herstellen derselben | |
DE19610283A1 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Flüssigkristallanzeigevorrichtung mit Speicherkondensatoren erhöhter Kapazität und Flüssigkristallvorrichtung | |
DE19605670A1 (de) | Aktivmatrixanzeigegerät | |
DE4227096A1 (de) | Röntgenbilddetektor | |
DE3832991A1 (de) | Zellstruktur fuer matrix-adressierte fluessigkristallanzeigen und verfahren zu deren herstellung | |
DE2716691A1 (de) | Feldeffekttransistor und verfahren zu dessen herstellung | |
DD152875A5 (de) | Verfahren zum herstellen eines hochintegrierten festwertspeichers | |
DE19630334B4 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung | |
DE2708654C3 (de) | Anzeigevorrichtung für die Darstellung von Zeichen, Mustern oder Bildern in einer Ebene | |
DE19620032C2 (de) | Halbleiterbauelement mit Kompensationsimplantation und Herstellverfahren | |
DE3134233C2 (de) | ||
DE3315671A1 (de) | Duennfilmtransistor | |
DE2937952A1 (de) | Nichtfluechtige speicheranordnung | |
DE2837433C2 (de) | Flüssigkristall-Anzeigetafel in Matrixanordnung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OAP | Request for examination filed | ||
OD | Request for examination | ||
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |