DE2805473A1 - Einstellbarer abgleichkreis fuer digitalanalogwandler - Google Patents
Einstellbarer abgleichkreis fuer digitalanalogwandlerInfo
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- H03M1/00—Analogue/digital conversion; Digital/analogue conversion
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- H03M1/72—Sequential conversion in series-connected stages
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- H03M1/44—Sequential comparisons in series-connected stages with change in value of analogue signal
- H03M1/447—Sequential comparisons in series-connected stages with change in value of analogue signal using current mode circuits, i.e. circuits in which the information is represented by current values rather than by voltage values
Description
Die Erfindung bezieht sich auf elektronische Schaltkreise insbesondere
auf einen einstellbaren Abgleichkreis, der sich in seiner Verwendung für einen Digitalanalogwandler (DAC) als integrierten
Schaltkreis eignet.
Die meisten integrierten Schaltkreise, wie z.B. DACs werden ursprünglich
mit einer gewissen Fehlertoleranz hergestellt, und ihre Betriebseigenschaften und Charakteristika werden sich im allgemeinen
von der nominellen Spezifikation unterscheiden. Nach der Herstellung werden die Schaltungen hinsichtlich ihrer Genauigkeit
getestet, und ihre Endverwendung dadurch bestimmt, wie dielt ihre tatsächlichen Betriebseigenschaften und -werte bei den gewünschten
Werten und Spezifikationen liegen. Häufig ist es erforderlich, die
gesamte Schaltung zu verwerfen, da sie im erforderlichen Toleranzbereich Ausfälle aufweist.
Aufgrund der Schwierigkeit," die Werte der Bauteile anzupassen, ist
es üblich, zunächst einmal einen Digitalanalogwandler mit hoher Genauigkeit auf eine etwas weniger strenge Toleranz herzustellen
und dann zumindest seine wichtigeren Stufen auf die gewünschte Genauigkeit einzustellen oder zu trimmen. Auf diese Weise werden
die Betriebseigenschaften der Anordnung als Ganze aufbereitet und gesteigert, und einige Schaltungen, die sonst vielleicht verworfen
werden müssten, lassen sich weiter verwerten.
Bei einer bekannten Trimm-Methode wird ein Laserstrahl verwendet, um körperlich Teile der Bitstrom-Bestimmungswiderstände
zu entfernen und dadurch die Werte der Bitströme zu modifizieren.
Bei einer anderen Technik wird ein Satz parallel verbundener Widerstände für jede Stufe zum Trimmen verwendet. Die eine Seite
der Widerstände dieses Satzes ist an eine Spannungsquelle und die andere Seite an die Konverter- oder Wandlerstufe angeschlossen,
so daß der Abgleichstrom, der einen durch den Gesamtwiderstand
des parallelen Widerstandsnetzes bestimmt ist, den Ausgängen der Stufe zugefügt wird. Die Widerstandswerte der einzelnen Widerstände
für jeden Satz sind so gewichtet, daß eine Vielzahl dis-
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kreter Abgleichstufen erreicht werden kann, die,von den Widerständen
abhängt, welche in den Schaltkreis mit einbezogen werden. Zu diesem Zweck ist jeder Widerstand mit einem Schalter in Reihe
geschaltet, mit dem es möglich ist, ihn entweder in den angeschlossenen Abgleichschaltkreis einzubeziehen oder zu entfernen.
Es lassen sich verschiedene Schaltanordnungen zu diesem Zweck verwenden, solange sie unabhängig steuerbar sind. Bei einer Anordnung
werden.Metallverbindungen in Serie mit jedem Widerstand vorgesehen und ein Laser verwendet, um die Verbindungen derjenigen
Widerstände zu unterbrechen, die aus dem Abgleichkreis entfernt werden sollen.
Obwohl die Genauigkeiten der einzelnen Stufen sich in beträchtlichem
Maße unter Verwendung von Wxderstandsabgleich- oder Trimmerkreisen steigern lassen, ist diese Art des Abgleiches nicht ideal für die
Verwendung bei integrierten Schaltkreisen geeignet. Die Widerstände nehmen relativ große Bereiche auf der Oberfläche des Schaltkreischips
ein und sind selbst Herstellungsungenauigkexten unterworfen, die sogar nach dem Abgleich Fehler und Ungenauigkeiten in
das Ausgangssignal der Stufe einführen können. Da man vor der Herstellung nicht weiß, ob eine spezielle Stufe einen positiven
oder negativen Abgleich erfordern wird, muß Vorsorge für beide Polaritäten getroffen werden. Auch die erforderliche Laserausrüstung,
um die oben genannte Technik auszuführen, ist relativ groß und kostspielig.
Auch wenn bereits jetzt Abgleichanordnungen zur Verfügung stehen, mit denen sich die Genauigkeit und Ausbeute von Digitalanalogwandlern
verbessern lässt, bleiben dennoch eine Reihe von zu verbessernden Unzulänglichkeiten übrig.
In Anbetracht der bei den Anordnungen nach dem Stande der Technik auftretenden Problemen ist es Aufgabe der Erfindung, eine neue und
verbesserte Anordnung anzugeben, die ein Signal hoher Genauigkeit mit einstellbarer und vorwählbarer Größe liefert und die sich zum
Abgleichen einer Digitalanalogwandlerstufe eignet.
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Die Erfindung liefert einen derartigen Abgleichschaltkreis, bei dem das Erfordernis eines redundanten Schaltkreises dadurch
beseitigt ist, daß der Abgleichschaltkreis selektiv sowohl positive als auch negative Abgleichsignale zu liefern in der Lage
ist.
Ferner wird gemäß der Erfindung ein Abgleichschaltkreis in Form eines integrierten Schaltkreises angegeben, der der Steuerung
durch Kurzschluß-Zenerdioden-Technologie, die auch gelegentlich als Lawinen-Metallwanderung-Technologie bezeichnet wird, ausgesetzt
und mit dieser kompatibel ist.
Dies wird erreicht unter Verwendung einer einstellbaren Stromquelle
für jede Stufe eines Digitalanalogwandlers, die abgeglichen werden soll, wobei diese Stromquelle eine Vielzahl von Transistoren
aufweisen, die an eine gemeinsame Ausgangsklemme angeschlossen sind. Die physikalischen Abmessungen jedes Transistors sind im Verhältnis
zu den gewünschten Stufen des Stromflußes bemessen. Einstellbare und vorwählbare Schalteinrichtungen, vorzugsweise Kurzschluß-Zenerdioden,
sind entsprechend mit jedem der Transistoren in Reihe geschaltet, um bei Empfang eines Betätigungssignales von einer Betätigungseinrichtung
einen Stromfluß durch ihren jeweils angeschlossenen Transistor zu ermöglichen. Jeder dieser Transistor-Schaltkreise
ist so angepasst, daß er eine ausreichende Spannungsversorgung erhält, um den gewünschten Stromfluß zu liefern, wenn
die Schalteinrichtung betätigt wird, so daß ein gewünschter Pegel des Abgleichausgangsstromes an der gemeinsamen Ausgangsklemme er reicht
wird, indem die Ströme durch jeden der ausgewählten Transistoren akkumuliert werden.
Bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel weisen einige der Stronquellentransistoren
Anordnungen mit abgestufter; oder über- oder untersetzten Emittern (emitter-scaled) mit großen Bereich und
hoher Genauigkeit auf, während die übrigen Transistoren Multikollektoranordnungen
mit relstiv kleinem Bereich aufweisen. Die
Multikollektortransistoren zeichnen sich durch eine fortschreitend
abnehmende Stromaufteilungsgsnauigkeit unter ihren entsprechenden
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Kollektoren aus, wenn das Differential zwischen den Strömen in
jedem Kollektor zunimmt, während einige ihrer Kollektoren nicht mit der gemeinsamen Ausgangsklemme verbunden sind, um eine Stromwichtung
zu erzielen. Durch Abstufung bzw. über- oder Untersetzung der Transistoren mit abgestuftem Emitter zur Erzeugung von relativ
hohen Strömen und durch Abstufung bzw. über- bzw. Untersetzung der Multikollektortransistoren zur Erzeugung von relativ niedrigen
Strömen lässt sich ein optimaler Ausgleich zwischen Chipfläche und Genauigkeit erzielen.
Bei jeder der Abgleichstromquellen wird vorzugsweise ein Referenztransistor
verwendet, um einen gemeinsamen Referenzstrom aufzubauen, während die anderen Transistoren im Schaltkreis einen vorgegebenen
Anteil des Referenzstromes spiegeln. Ein zusätzlicher Schaltkreis ist mit eingebaut, um den Pegel des Referenzstromes
für jede Quelle einzustellen und damit den Ausgangsstrombereich
für jede Quelle vorzugeben. Der Einstellschaltkreis weist einen ersten Transistor, der so angeschlossen ist, daß er einen Hilfsreferenzstrom
liefert, eine Vielzahl von parallel geschalteten Transistoren, die den ersten Transistor in entsprechenden Anteilen
spiegeln, und eine einstellbare Schalteinrichtung auf, die mit mindestens einigen der parallel geschalteten Transistoren
in Serie geschaltet ist. Der Hilfs-Referenzstrom enthält vorzugsweise
den Reststrom der R-2R-Leiter des Digitalanalogwandlers.
Gemäß einem weiteren Merkmal-der Erfindung ist ein Schaltkreis
zur einstellbaren oder vorwählbaren Steuerung der Richtung jedes Gleichstromes relativ zu seiner entsprechenden Digitalanalogwandlerstufe
vorgesehen. Bei diesem Schaltkreis ist eine Zweiwegdifferentialstufe so geschaltet, daß sie den Ausgangsstrom
der Abgleichquelle erhält und einen Steuerkreis für eine Stromsenke bildet, die in betätigtem Zustand Ausgangsstrom von
der Wandlerstufe zur Quelle zieht. Wenn die Senke von der Differentialstufe abgeschaltet wird, so wird der Ausgangsstrom
umgekehrt und von der Quelle zur Digitalanalogwandlerstufe hin abgeleitet.
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Weitere Vorteile und Merkmale der Erfindung sollen im folgenden anhand von Ausführungsbeispielen und anhand der dazugehörigen
Zeichnung näher erläutert werden. Die Zeichnung zeigt in
Fig. 1 ein Blockschaltbild eines Digitalanalogwandlers, bei dem Abgleichquellen in Zusammenhang mit jeder der Digitalanalogwandlers
tufen verwendet werden;
Fig. 2 eine schematische Darstellung einer der Digitalanalogwandlers
tuf en;
Fig. 3 eine schematische Darstellung des erfindungsgemä£en Abgleichschaltkreises
;
Fig. 4 eine schematische Darstellung eines Schaltkreises zum einstellbaren
Erweitern des Bereiches der Abgleichschaltkreise; und in
Fig. 5 eine schematische Darstellung einer weiteren Äusführungsform
eines Abgleichschaltkreises.
Die generelle Anordnung der Schaltung in Verbindung mit einem sechsstufigen Digitalanalogwandler ist in Form eines Blockdiagramms
in Fig. 1 wiedergegeben. Der Digitalanalogwandler verwendet eine Widerstandsleiter der üblichen R-2R-Bauart, wobei
jede Stufe oder jedes Bit einen der gemeinsam vorgespannten Transistoren 2, einen Schalter 4 und einen 2-R-Widerstand 6 mit
einem typischen Wert von 4K aufweist, der in Serie zwischen eine gemeinsame Ausgangsklemme 8 für sämtliche Stufen und eine Versorgungsschiene
10 mit negativer Spannung geschaltet ist, während R-Widerstände 12 mit einem typischen Wert von 2K die verschiedenen
Stufen voneinander trennen. Eei geschlossenen Schaltern 4 stehen die Ströme der Stufen in binärer Beziehung zueinander, wobei die
ganz linke Stufe den größten Strom und jede sich anschließende Stufe nach rechts einen fortschreitend kleineren Strom trägt.
Eine letzte Stufe 14, die nicht mit der gemeinsamen Ausgangsklemme
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verbunden ist, ist am Ende der Transistorvorspannungsleitung angeordnet,
um einen Strom zu liefern, der ebenso groß wie der des Bit mit geringster Bedeutung ist und damit das System ausgleicht.
Codierte digitale Signale werden über die Digitaleingangsstufe den einzelnen Schaltern 4 der Stufen zugeführt, so daß eine geeignete
Kombination von Schaltern geschlossen wird, um ein analoges Ausgangssignal an der gemeinsamen Ausgangsklemme 8 zu erzeugen,
das dem digitalen Eingangssignal entspricht.
Die generelle Anordnung des Abgleichschaltkreises gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel ist im oberen Bereich der Fig. 1
wiedergegeben. Sechs Abgleichschaltkreise, die mit TRIM1 bis
TRIM, bezeichnet sind, liefern entsprechende Korrekturströme für jede der sechs Stufen. Die Abgleichschaltkreise sind an eine
gemeinsame Versorgungsschiene 20 für positive Spannung angeschlossen, die eine ausreichend große Versorgungsspannung von
vorzugsweise 15 Volt aufweist, um die gewünschten Abgleichstrompegel zu liefern. Jeder dieser Abgleichschaltkreise ist an seine
entsprechende Digitalanalogwandlerstufe oder DAC-Stufe über einen Richtungs-Steuerkreis 22 angeschlossen, der selektiv bestimmt,
ob der Abgleichstrom für die Stufe zu dem Stufenausgangssignal addiert oder von diesem subtrahiert wird. Da die für die verschiedenen
Stufen erforderlichen Abgleichstrompegel nicht bekannt sind, bis sie hergestellt worden sind, ist darüber hinaus ein
Stromkreis als Bereichdehner 24 im allgemeinen an jeden der Abgleichschaltkreise
angeschlossen, um den Bereich der zur Verfügung stehenden Abgleichströme in erforderlichem Maße zu vergrößern
oder zu verringern. Wenn sich beispielsweise herausstellt, daß die abgeglichenen Stufen der Digitalanalogwandler relativ genau
sind, so wird der Abgleichbereich zusammengezogen bzw. verkleinert, um sehr präzise Abgleichströme und eine entsprechend hohe Auflösung
zu erhalten. Wenn sich andererseits herausstellt, daß diese Stufen relativ ungenau sind, so wird der Abgleichbereich in ausreichendem
Maße aufgeweitet, um den Digitananalogwandler als Schaltung mit niedriger Genauigkeit, aber als ein immer noch verwendbares Produkt
zu behalten.
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Obwohl in Fig. 1 sechs Stufen wiedergegeben sind, wobei jede Stufe abgeglichen wird, ist die Erfindung weder auf eine sechsstufige
Anordnung noch auf eine solche Anordnung beschränkt, bei der sämtliche Stufe/i abgeglichen werden. Da das Erfordernis der
Genauigkeit mit der Anzahl der Stufen zunimmt, ist es in Wirklichkeit
so, daß die durch die Erfindung gegebene technische Lehre von noch größerer Bedeutung wird, wenn die Anzahl der Stufen zunimmt.
Wenn mehr Stufen abgeglichen werden müssen, können weitere Abgleichschaltkreise 18 hinzugefügt werden. Andererseits ist es so,,
daß in vielen Fällen nur diejenigen Stufen, welche die größten Ausgangsströme
liefern, abgeglichen zu werden brauchen, und für diese Fälle wären nur wenige Abgleichschaltkreise erforderlich. Beispielsweise
kann für die meisten Anwendungsfälle bei einem zwölfstufigen
Digitalanalogwandler eine ausreichende Genauigkeit erreicht werden, indem nur die größenordnungsmässig höchsten sechs
Stufen abgeglichen werden.
Eine typische DAC-Stufe ist in Fig. 2 wiedergegeben; sie ist von Spannungs- und Strompegeln vorgespannt, die sie mit den anderen
ähnlichen Stufen gemeinsam besitzt. Der Schalter 4 weist ein Paar von Differentialstufen auf, wobei die Transistoren 26 und
der ersten Differentialstufe mit einem konstanten Strom von der Versorgungsschiene 20 für positive Spannung über den Stromquellentransistor
36 versorgt sind, wobei der Transistor 36 über einen Transistor 38 und eine Vorspannungs-Stromquelle 39 auf einem
konstanten Vorspannungsstrompegel gehalten wird. Die Emitter der aus den Transistoren 30 und 32 bestehenden zweiten Differentialstufe
sind in Serie mit dem Transistor 2 der Stufe, dem Widerstand 6 der Leiter und der Versorgungsschiene 10 für negative Spannung
geschaltet. Eine konstante Vorspannung V für den Transistor 2 ist ebenfalls in Fig. 2 angedeutet.
Der korrigierende Abgleichstrom wird über die Leitung 40 des Abgleichschaltkreises
geliefert, die an die DAC-Stufe zwischen der zweiten Differentialstufe und dem Transistor 2 angeschlossen ist.
Wenn der Ausgangstransistor 30 aufgemacht hat, so daß die Stufe
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als Ausgang arbeitet, so ist der der gemeinsamen Ausgangsklemme zugeführte Strom gleich der Summe aus dem Strom durch den
Transistor 2 und dem Abgleichstrom. Wenn sich herausstellt, daß der nicht abgeglichene Strom durch die gemeinsame Ausgangsklemme
8 den gewünschten Wert überschreitet, wird der Abgleichstrom dem Kollektor des Transistors 2 zugeführt, um den Ausgangsstrom um einen
entsprechenden Wert zu verringern. Wenn andererseits der nicht abgeglichene Strom an der gemeinsamen Ausgangsklerome 8 nicht ausreichend
groß ist, wird der Abgleichstrom vom Kollektor des Transistors 2 abgeleitet, um den Ausgangsstrom auf einen höheren Pegel als den
des Transistors 2 zu erhöhen.
In Fig. 3 sind Einzelheiten des ersten Abgleichschaltkreises TRIM1, der in Fig. 1 als Block angedeutet ist, wiedergegeben. Der
Schaltkreis weist einen gemeinsamen Referenztransistor T1, einen
Vorspannungstransistor T2," der von einem Strom 41 von dem als
Bereichdehner 24 ausgebildeten Schaltkreis gesteuert ist, um eine genaue Vorspannung an den Referenztransistor T1 zu legen, und eine
Vielzahl von einstellbaren Stromquellentransistoren T, bis T7
auf. Die Basen der zuletzt genannten Transistoren sind untereinander und mit der Basis des Referenztransistors T1 verbunden,
so daß sie in entsprechenden Anteilen den Strom durch den Referenztransistor
T1 und damit den Strom 41 spiegeln. Die Transistoren
T_ bis T7 sind jeweils vom PNP-Typ, wobei ihre Emitter über entsprechende
Zenerdioden Z_ bis Z7 an die positive Versorgungsschiene 20 angeschlossen worden sind. Ihre Kollektoren sind an
eine gemeinsame Ausgangsklemme 42 angeschlossen, die ihrerseits mit dem Richtungs-steuerkreis 22 verbunden ist. Die Transistoren
T., bis T7 sind jeweils so ausgelegt, daß sie individuelle Strompegel
liefern, wenn ein Stromkreis zwischen den Transistoren und der Versorgungsschiene 20 geschlossen ist. Die Strompegel der
verschiedenen Transistoren stehen bei einem bevorzugten Ausführungsbeispiel in einer binären Beziehung zueinander, wobei der
Transistor T_ den größten Strom und T7 den niedrigsten Strom
für die gemeinsame Ausgangsquelle 42 liefern. Beim wiedergegebenen Schaltkreis sind die Emitterdimensionen der Transistoren T3, T. und
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T5 so abgestuft und eingeteilt, daß man die gewünschte binäre Beziehung
erhält. Die Transistoren T, und T7 haben die gleiche
Emittereinteilung oder -abstufung wie der Transistor T5, sind aber jeweils mit aufgeteilten Kollektoren versehen,von denen nur jeweils einer zur Fortsetzung der binären Beziehung an die gemeinsame
Ausgangsklemme 42 angeschlossen ist, während die anderen Kollektoren geerdet sind. Diese Mischung von Emitter- und Kollektoreinteilung oder -abstufung (scaling) stellt einen Vorteil der hier beschriebenen Ausführungsbeispiele dar und ermöglicht es, einen wirksamen Ausgleich zwischen der dem Abgleichschaltkreis zur Verfügung stehenden Chipfläche einerseits und der Genauigkeit der Abgleichsignale
andererseits zu erreichen. Im allgemeinen ist die Emitterabstufung oder -einteilung sehr genau, erfordert aber relativ große Chipflächen, während die Kollektorabstufung oder -einteilung geringere Flächen erfordert, aber durch eine fortschreitend abnehmende Stromaufteilungsgenauigkeit unter den Kollektoren gekennzeichnet ist, wenn das
Differential zwischen den Strömen in den jeweiligen Kollektoren zunimmt. Bei Stromdifferentialen bei mehr als 4 oder 5:1 kann die Genauigkeit der Multikollektor-Transistoren unannehmbar sein. Dementsprechend sind die Transistoren T_, T. und T5 mit abgestuften Emittern so eingeteilt, daß sie höhere Stromstärken liefern, bei denen die Genauigkeit wichtiger ist, während die Kollektoren der Multikollektortransistoren Tfi und T7 so eingeteilt und abgestuft sind, daß sie der gemeinsamen Ausgangsklemme 42 relativ niedrige Stromstärken liefern. Die Kollektoreinteilung oder -abstufung
der Transistoren Tfi und T7 ist in der Fig. 3 der Zeichnung angegeben. Ein größerer Anteil an Multikollektor-Transistoren kann
verwendet werden, wenn eine geringere Abgleichgenauigkeit erforderlich und die Erhaltung von Chipoberfläche vordringlich ist, während anteilig mehr Transistoren mit abgestuften oder eingeteilten Emittern verwendet werden können, wenn die entgegengesetzten Bedingungen gegeben sind.
Emittereinteilung oder -abstufung wie der Transistor T5, sind aber jeweils mit aufgeteilten Kollektoren versehen,von denen nur jeweils einer zur Fortsetzung der binären Beziehung an die gemeinsame
Ausgangsklemme 42 angeschlossen ist, während die anderen Kollektoren geerdet sind. Diese Mischung von Emitter- und Kollektoreinteilung oder -abstufung (scaling) stellt einen Vorteil der hier beschriebenen Ausführungsbeispiele dar und ermöglicht es, einen wirksamen Ausgleich zwischen der dem Abgleichschaltkreis zur Verfügung stehenden Chipfläche einerseits und der Genauigkeit der Abgleichsignale
andererseits zu erreichen. Im allgemeinen ist die Emitterabstufung oder -einteilung sehr genau, erfordert aber relativ große Chipflächen, während die Kollektorabstufung oder -einteilung geringere Flächen erfordert, aber durch eine fortschreitend abnehmende Stromaufteilungsgenauigkeit unter den Kollektoren gekennzeichnet ist, wenn das
Differential zwischen den Strömen in den jeweiligen Kollektoren zunimmt. Bei Stromdifferentialen bei mehr als 4 oder 5:1 kann die Genauigkeit der Multikollektor-Transistoren unannehmbar sein. Dementsprechend sind die Transistoren T_, T. und T5 mit abgestuften Emittern so eingeteilt, daß sie höhere Stromstärken liefern, bei denen die Genauigkeit wichtiger ist, während die Kollektoren der Multikollektortransistoren Tfi und T7 so eingeteilt und abgestuft sind, daß sie der gemeinsamen Ausgangsklemme 42 relativ niedrige Stromstärken liefern. Die Kollektoreinteilung oder -abstufung
der Transistoren Tfi und T7 ist in der Fig. 3 der Zeichnung angegeben. Ein größerer Anteil an Multikollektor-Transistoren kann
verwendet werden, wenn eine geringere Abgleichgenauigkeit erforderlich und die Erhaltung von Chipoberfläche vordringlich ist, während anteilig mehr Transistoren mit abgestuften oder eingeteilten Emittern verwendet werden können, wenn die entgegengesetzten Bedingungen gegeben sind.
Der Stromfluß durch jeden der Transistoren T- bis T- wird durch
die entsprechenden Zenerdioden Z bis Z7 als Schalter verhindert,
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bis die Zener-Durchbruchspannungen überschreitende Spannungsdifferentiale angelegt werden, um permanente Kurzschlußkreise zu
erzeugen. Ein vereinfachter Schaltkreis, um den Durchbruch bei vorgewählten Zenerdioden durch Anlegen von positiver Versorgungsspannung an die Zcnerdioden-Ausgangsklemmen und von negativer
Versorgungspannung an die Zenerdioden-Eingangsklemmen zu erzielen, ist in Fig. 3 wiedergegeben. Die Zenerdioden-Ausgangsklemmen sind,
wie aus Fig. 3 erkennbar, direkt an die positive Versorgungsschiene 20 angeschlossen, während jede der Zenerdioden-Eingangsklemmen
über Schaltkreise, die isolierende Dioden D_ bis D7 und Schalttransistoren
SW_ bis SVi7 enthalten, an die negative Versorgungsschiene 10 angeschlossen ist. Die Schalttransistoren können in
geeigneter Weise durch Torschaltungen gesteuert werden, welche DAC-Leitungsklemmen L_ bis L7, Widerstände R, bis R7 zur Strombegrenzung
und Schwellwertdioden TEL· bis TH7 aufweisen, welche nur dann Steuersignale zu ihren angeschlossenen Schalttransistoren
SW., bis SW7 durchlassen, wenn die Signale an ihren entsprechenden
Leitungsklemmen L_ bis L7 ihre Schwellwertpegel überschreiten.
Diese Leitungsklemmen L3 bis L7 haben eine doppelte Funktion. Sie
übertragen digitale Eingangssignale an die DAC-Stufen bei Spannungen,
die niedriger als die Schwellwerte der Schweilwertdioden TH- bis TK aber größer als die Schwellwertspannungen sind, die
die Schalttransistoren SVi- bis SW7 steuern, um die gewünschten
Abgleichströme zu liefern.
Die gemeinsame Ausgangsklemme 42 der Abgleichschaltung ist an den Richtungs-Steuerkreis 22 angeschlossen, der eine Differentialstufe
mit zwei Transistoren 44 und 46 aufweist. Dei: Transistor 44 wird leitend, wenn der Durchbruch und das permanente Kurzschließen
der Zenerdiode Z0 über einen Schaltkreis erfolgt, der ähnlich wie
die Durchbruchschaltkreise für die Zenerdioden Z, bis Z7 aufgebaut
ist, um die Basis des Transistors 44 mit der Versorgungsschiene 20 für positive Spannung zu verbinden» Der Transistor 46
ist mit einer konstanten Spannung V-,., vorgespannt, die normalerweise
um einen Diodenpegel höher als die Basisspannung des Transistors
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44 ist, die von der Vorspannung Vß2 geliefert wird. Mit dieser
Vorspannungsanordnung wird der Transistor 4 6 abgeschaltet und im wesentlichen der gesamte Abgleichstrom durch den Transistor 44
geleitet. Der Kollektor des Transistors 44 ist mit der zugeordneten DAC-Stufe und auch mit dem Kollektor eines NPN-Transistors 43
verbunden. Der Kollektor des Transistors 44 ist an einen diodenmässig
geschalteten Transistor 50 angeschlossen, dessen Basis mit der Basis des Transistors 48 zusammengeschaltet ist.
Im Betrieb arbeitet der Transistor 48 in aktivem Zustand als Stromsenke,
um Abgleichstrom von der DAC-Stufe über die Leitung 40
abzuziehen, während der Transistor 46 einen Weg zur Umgehung der Stromsenke bildet und Abgleichstrom über die Leitung 40 von dem
Richtungs-Steuerkreis 22 weg und der DAC-Stufe zuleitet. Geht man zunächst einmal davon aus, daß die Zenerdiode Z„ nicht kurzgeschlossen
ist, so wird die Basisspannung des Transistors 44 niedriger als die des Transistors 46 sein. Dies führt dazu, daß der Abgleichstrom
von der gemeinsamen Ausgangsklemme 42 durch die Transistoren 55 und 50 fließt, die Spannung an der Basis und dem
Kollektor des Transistors 50 erhöht und den Transistor 48 aufmacht, der den Stran durch den Transistor 50 spiegelt und einen gleichgroßen
Abgleichstrom über die Leitung 40 von der DAC-Stufe zieht. Nimmt man nun an, daß eine ausreichende Spannung an die Leitungsklenme
Lg gelegt wird, um die Zenerdiode Zp kurzzuschließen, so wird die
Basisspannung des Transistors 44 in ausreichendem M-iße ansteigen,
um sowohl diesen Transistor und den Transistor 50 abzuschalten und dadurch den Transistor 48 als Stroirisenke abzuschalten und den
Transistor 4 6 aufzumachen. Auf diese Weise umgeht der Abgleichstrom
die Stromsenke und wird statt dessen über den Transistor 4 6 und über die Leitung 4 0 der DAC-Stufe zugeleitet* Die Richtung des über
die Leitung 4 0 gelieferten Abgleichetrcmes wird auf diese weiss
durch den Zustand der Sei.er-iiode Sg gesteuert.
Der Strom durch den Refere:;· transistor T. des ersten Äbgleiehschaltkreises
wird gesteuert und zu den Strömen der DAC-Stufe über
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einen als Bereichdehner 24 ausgebildeten Schaltkreis, der im einzelnen in Fig. 4 wiedergegeben ist, in Beziehung gesetzt.
Ein gemeinsamer Referenzstrom für jeden der Abgleichschaltkreise wird von dem Bereichdehner 24 über die Leitung 52 geliefert und
fließt durch einen diodenmässig geschalteten und abgestuften oder eingeteilten Transistor 54 zu Erde. Der Transistor 54 bildet eine
Referenz für den Referenztransistor 1 als Stromspiegel des ersten Abgleichschaltkreises und auch für die entsprechenden Transistoren
Tg bis T12 als Stromspiegel der anderen Abgleichschaltkreise
TRIM„ - TRIM,-. Bei den Transistoren T1 und T0 bis T.,~ handelt es
ZO I ö Ί Z
sich jeweils um NPN-Transistoren, deren Emitter eingeteilt oder abgestuft
(scaled) sind, um die Fehlerkorrekturströme für jede der C-Stufe zu optimieren. Es darf darauf hingewiesen werden, daß die
relative Abstufung oder Einteilung nicht genau eine binäre Beziehung ist, da die DAC-Stufenabweichungen nicht direkt proportional der
Wichtung der Stufen sind. Der gemeinsame Referenzstrom für jeden der Abgleichschaltkreise, der über die Leitung 52 zugeführt wird,
wird von einem Bereichdehnungsschaltkreis geliefert, der gemeinsam vorgespannte PNP-Transistoren 56, 58, 60 und 62 aufweist. Der
Emitter des Transistors 56 ist an die Versorgungsschiene 20 für positive Spannung angeschlossen, und der Transistor ist diodenmäßig
geschaltet, wobei seine Basis und sein Kollektor bei IREM
an die DAC-Stufe für den Reststrom angeschlossen sind, um einen Steuerstrom zu liefern, der ebenso groß wie der Strom der unbedeutendsten
der C-Stufe ist. Der Strom durch den Transistor 56 dient als Hilfs-Referenzstrom, der anteilig von den Transistoren
58, 60 und 62 gespiegelt wird. Die Kollektoren der zuletzt genannten drei Transistoren 58, 6 0 und 62 sind gemeinsam an die
Leitung 52 angeschlossen, während der Emitter des Transistors 58 direkt an die Versorgungsschiene 20 für positive Spannung und
die Emitter der Transistoren 60 und 62 über Zener-Dioden Zg bzw.
Z1n an die Versorgungsschiene 20 für positive Spannung angeschlossen
sind. Die Schaltkreise sind für den Durchbruch und das permanente Kurzschließen der Zenerdioden Zq und Z1n in ähnlicher
Weise wie die Durchbruchschaltkreise der Zener-Dioden Z- bis Z0
J O
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ausgebildet, und zwar unter Verwendung von Leitungsklemmen L
und L.. Q/ welche die Signale zur Betätigung der Durchbruchschaltkreise
empfangen. In Abhängigkeit vom Zustand der Zenerdioden Zg und Z10 wird der Referenzstrom über die Leitung 52 gleich dem
Strom durch den Transistor 50 allein oder gleich der Gesamtheit der Ströme durch den Transistor 58 und eine Kombination der
Transistoren 60 und 62 sein. Mit dem wiedergegebenen Schaltkreis sind somit vier verschiedene gemeinsame Referenzströme möglich,
und es lassen sich selbstverständlich zusätzliche Referenströme
erzielen, indem man zusätzliche Transistor-Schaltkombinationen in den Bereich Dehnungsschaltkreis aufnimmt. Diese Anordnung bietet
insofern einen beträchtlichen Vorteil, als der Digitalanalogwandler hinsichtlich seiner Genauigkeit getestet werden kann,
nachdem die Herstellung beendet ist, und die Größe des Referenzstromes für die Abgleichschaltkreise kann entsprechend vorgegeben
werden. Wenn sich beispielsweise herausstellt, daß der Digitalanalogwandler relativ genau ist, wird man weder die Zenerdiode
Zq noch die Zenerdiode Z1fj betätigen, und der einzige Strom
über die Leitung 52 käme dann vom Transistor 58. Dies reduziert den Abgleichbereich für jeden Abgleichschaltkreis und erhöht dementsprechend
die erzielbare Auflösung. Wenn es sich bei dem Digitalanalogwandler urn eine Anordnung niedriger Genauigkeit
handelt, kann man eine oder beide der Zenerdioden Zg und Z10 betätigen,
um den gemeinsamen Referenzstrom zu erhöhen und damit auch den Abgleichbereich zu vergrößern, wobei jedoch die Auflösung
verringert wird. Das Endergebnis besteht darin, daß eine Produktion mit großem Volumen von Digitalanalogwandlern verwendet werden kann,
um sowohl Märkte mit hoher und niedriger Genauigkeit zu befriedigen,
wobei der Abgleichbereich für jeden einzelnen Digitalanalogwandler nach seiner Herstellung, der gemessenen Genauigkeit entsprechend,
eingestellt wird. Dies bietet die Möglichkeit einer beträchtlichen
Kostenreduzierung gegönüber dem Aufbau von zwei getrennten Produktions
straßen.
Im Betrieb wird der Digitalanalogwandler vollständig hergestellt,
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seine Genauigkeit überprüft und der Ausgang des als Bereichdehner 24 ausgebildeten Schaltkreises entsprechend vorgewählt.
Der Ausgang jedes einzelnen Abgleichschaltkreises wird dann innerhalb des Bereiches in Abhängigkeit von der Genauigkeit jeder
einzelnen DAC-Stufe gewählt und eingestellt. Beim ersten in Fig. wiedergegebenen Abgleichschaltkreis wird beispielsweise die
Kombination der Zenerdioden Z_ bis Z„ betätigt, welche einen
Ausgangs-Abgleichstrom liefert, der am nächsten an der absoluten Stufenabweichung liegt, indem man geeignete Zener-Durchbruchssignale
an die Leitungsklemmen L-, bis L7 legt. Die Richtung des
Abgleichstromes relativ zu dieser Stufe wird dann bestimmt, indem man die Zenerdiode Z~ entweder in ihren Durchbruchbereich bringt
und sie somit kurzschließt oder aber sie intakt lässt und zwar in Abhängigkeit davon, ob der Abgleichstrom dem Strom der Stufe,
der beim korrigierten Ausgang der Stufe ankommt, addiert oder ihn von diesem subtrahiert.
Mit dem Einstellen der Transistoren T1 und T0 bis T10 in der oben
I ο IZ
angegebenen fortschreitend abnehmenden Weise, um fortschreitend kleinere Referenzströme zu liefern, wird die Abstufung oder Einstellung
von jedem der wählbaren Transistoren innerhalb der verschiedenen Abgleichschaltkreise auf den Referenztransistor für
den Schaltkreis bezogen, und zwar in ähnlicher Weise wie die Einstellung oder Abstufung zwischen dem Transistor T1 und den
Transistoren T_. bis T7, wie es in Fig. 3 wiedergegeben ist.
Es besteht jedoch keinerlei Notwendigkeit, daß die verschiedenen Abgleichschaltkreise in ihrer Konstruktion identisch sind. Tatsächlich
ist es so, daß die identische Ausbildung der Abgleichschaltkreise unerwünscht wäre, wenn die erforderlichen Abgleichauflösungen
für die weniger bedeutenden Stufen, bezogen auf ihre entsprechenden Ströme in den Stufen, geringer als bei den weniger
bedeutenden Stufen sind. Dementsprechend ist davon auszugehen, daß die relative Abstufung oder Einstellung zwischen den Referenztransistoren
und den Spiegeltransistoren für jeden Abgleichschaltkreis von der Anordnung nach Fig. 3 abweichend ausgebildet sein
kann, wobei eine entsprechende Abwandlung in der relativen Ein-
- 18 -
809833/0919
stellung oder Abstufung der Transistoren T1 und T„ bis T19
gegenüber der Anordnung nach Fig. 4 erfolgen kann, um für jeden Schaltkreis einen optimalen Abgleichbereich aufrecht zu erhalten.
Eine andere Ausführungsform eines Abgleichschaltkreises ist in
Fig. 5 wiedergegeben; sie verwendet weniger Leitungen, kann aber nicht sogenaue Abgleichströme liefern wie die oben beschriebene
Anordnung. Bei dieser Ausführungsform sind zwei Abgleichschaltkreise
in einer Reihe von einstellbaren oder vorwählbaren Transistoren T11 bis T1f- kombiniert, wobei jeder dieser
Transistoren über seine jeweils angeschlossene Zenerdiode Z11
bis Z1fi an die Versorgungsschiene 20 für positive Spannung angeschlossen
ist. Die Transistoren T11, T12 und T1- sind zu einem
ersten Abgleichschaltkreis und die Transistoren T14, T1 j- und
T16 zu einem zweiten Abgleichschaltkreis zusammengefasst.
Der Transistor T11 besitzt -einen einstellbaren Emitter, während
bei den übrigen Transistoren die Kollektoren einstellbar bzw. abgestuft sind. Der Ausgang jedes Abgleichschaltkreises ist an
einen entsprechenden Richtungs- Steuerkreis 22 und von dort an seine entsprechende DAC-Stufe angeschlossen. Die beiden
Transistoren T1-, und T10 sind zwischen die Abgleichschaltkreise
Λ I Io
und den als Bereichdehner 24 ausgebildeten Schaltkreis geschaltet und liefern einen Referenzstrom, der anteilig von den
Transistoren T11 bis T16 gespiegelt wird. Ferner sind getrennte,
selektiv kurzschließbare Zenerdiodenschaltkrexse vorgesehen, um die Richtungs-Steuerkreise 22 zu steuern. Diese Art der
Anordnung wird normalerweise in Zusammenhang mit solchen DAC-Stufen
verwendet, die einen geringeren Ausgangsstrom führen und dem entsprechend ein relativ geringeres Auflösungsmaß erfordern.
809833/0919
ta
Leerse i fr e
Claims (3)
- München Abholfach 3Precision Monolithics, Inc.
1500 Space Park DriveSanta Clara, Calif. 95050
USAEinstellbarer Abgleichkreis für DigitalanalogwandlerPatentansprüche1J Digitalanalogwandler, mit einer Vielzahl von jeweils angepassten Stufen zur Erzeugung eines vorgegebenen Ausgangssignales innerhalb eines vorgegebenen Toleranzbereiches und mit einer Einrichtung, die auf ein digitales Eingangssignal anspricht, um die Ausgänge von ausgewählten Stufen zu kombinieren und ein Wandler-Ausgangssignal zu liefern, dessen Größe dem binären Eingangssignal entspricht, dadurch gekennzeichnet , daß zumindest einige der Stufen des Digitalanalogwandlers mit einstellbaren Transistorsteuerungen außerhalb der Stufe versehen sind, um ein korrektives Abgleichsignal zu liefern, und daß eine Einrichtung vorgesehen ist, um das Signal der Stufe mit seinem entsprechenden Abgleichsignal zu kombinieren und ein korrigiertes Ausgangssignal der Stufe zu liefern.80 S833/0919— 2. —OiHGlNAL INSPECTED - 2. Digitalanalogwandler nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch eine Einrichtung zur Lieferung eines gemeinsamen Referenzstromes und durch anteilige Stromspiegeleinrichtungen, die an jede der Abgleichsignale liefernde Einrichtungen angeschlossen sind, wobei jede der Stromspiegeleinrichtungen einen Anteil des gemeinsamen Referenzstromes spiegelt, um einen individuellen Referenzstrom für ihre angeschlossene Stufe zu liefern, und wobei der Anteil jeder Abgleichsignale liefernden Einrichtung in Abhängigkeit von der relativen Fehlertoleranz der angeschlossenen Stufe ausgewählt wird.
- 3. Integrierter Digitalanalogwandler-Schaltkreis, mit einer Vielzahl von Stufen, die jeweils an eine Wandler-Ausgangsklemme angeschlossen sind, wobei jede Stufe einen an eine Stromquelle angeschlossenen Transistor und eine in Reihe mit dem Transistor geschaltete Schalteinrichtung aufweist und jeder der Transistoren so ausgelegt ist, daß er eine vorgegebene Stromstärke innerhalb eines vorgegebenen Toleranzbereiches liefert, und wobei jede der Schalteinrichtungen von einem digitalen Eingangssignal gesteuert ist, um ihren entsprechenden Transistor gegenüber der Ausgangsklemme so zu schalten, daß der der Ausgangsklemme von den Stufen gelieferte Gesamtstrom repräsentativ für das digitale Eingangssignal ist, dadurch gekennzeichnet , daß eine Vielzahl von zumindest an einige der Stufen angeschlossenen Abgleichschaltkreisen vorgesehen ist, wobei jeder der Abgleichschaltkreise folgende Baugruppen aufweist:Eine Vielzahl von Transistoren, die an eine gemeinsame Abgleich-Ausgangsklemme angeschlossen sind, wobei die physikalischen Abmessungen von jedem der Transistoren im Verhältnis zu einem gewünschten Strompegel für jeden Transistor eingestellt und abgestuft sind und wobei die Abgleich-Ausgangsklemme so geschaltet ist, daß sie den Abgleichstrom ihrer jeweils angeschlossenen Wandlerstufe zuführt,
einstellbare Schalteinrichtungen, die in Reihe mit jedem der- 3 8 C 9 8 3 3 / 0 9 1 9 ^,-^Transistoren geschaltet sind, um einen Stromfluß durch die ausgewählten Transistoren auszulösen, undeine Einrichtung zur Lieferung von Betätigungssignalen für jede der Schalteinrichtungen,wobei jeder der Transistor- Schaltkreise so angepasst ist, daß er eine ausreichende Versorgungsspannung, erhält, um einen gewünschten Stromfluß durch seinen Transistor zu liefern, wenn seine jeweils angeschlossene Schalteinrichtung betätigt wird, so daß ein vorgegebener Pegel eines korrektiven Abgleichstromes an jeder Abgleich-Ausgangsklemme erzielbar ist, indem die Ströme durch ihre angeschlossenen ausgewählten Transistoren akkumuliert werden.3 3 3/0919 OFtSGlNAL
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