DE2814021A1 - Transistorschalteinrichtung - Google Patents
TransistorschalteinrichtungInfo
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Description
ECA 71 600
U.S. Serial Uo: 783,221
Piled: March 31, 1977
EGA Corporation
Hew York, N.T., V. St", ν. Α.
Hew York, N.T., V. St", ν. Α.
Transistorschalteinrichtung
Die Erfindung bezieht sich auf elektrische Schalteinrichtungen lind "betrifft insbesondere eine Anordnung, die auf
einen Steuerstrom relativ geringer Stärke ansprechen kann,
um anfänglich in einem ersten Betriebszustand einen verhältnismäßig starken Strom innerhalb eines bis zu einem vorbestimmten
begrenzten Betrag gehenden Bereichs zu leiten und um in einem anderen Betriebszustand einen Strom innerhalb
eines relativ niedrigliegenden Bereichs bei verhältnismässig geringem Spannungsabfall an der Anordnung zu leiten und
um in einem ausgeschalteten Zustand keinen Strom zu leiten.
In einer Darlingtonschaltung spricht ein Ansteuertransistor
(Treibertransistor) auf einen seiner Basiselektrode zugeführten
Strom an, um über seinen Hauptstromweg Strom zur Basiselektrode eines Ausgangstransistors zu leiten. Es wurde
nun erkannt daß ein in Darlingtonschaltung angeordnetes Transistorpaar so eingesetzt werden kann, daß als Antwort
auf einen in die Basis des Oireibertransistors gelieferten
relativ schwachen Steuerstrom ein Strom hohen Betrags über den Hauptstromweg des Ausgangstransistors geleitet wird.
Ferner wurde erkannt, daß wenn man den Betrag des über den
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Hauptstromweg des Ausgangtransistors fließenden Stroms auf einen Wert innerhalb des relativ niedrig liegenden Bereichs
reduziert, der Spannungsabfall an diesem Hauptstromweg in entsprechendem Verhältnis auf einen Wert vermindert wird, der
zur Aufrechterhaltung des Stromflusses durch den Hauptstromweg des Treibertransistors nicht mehr ausreicht. Dies bringt
die Darlingtonschaltung im Effekt zum Sperren und verhindert somit, daß die Schaltung einen relativ schwachen Strom über
den Hauptstromweg des Ausgangtransistors bei relativ niedrigem Spannungsabfall an diesem Weg leitet.
Eine erfindungsgemäß ausgebildete Schalteinrichtung enthält einen ersten und einen zweiten Transistor, die als "angezapfte"
Darlingtonschaltung angeordnet sind. Der erste Transistor reagiert auf ein Steuersignal, um sich einzuschalten
und einen Strom zur Basis des zweiten Transistors zu leiten, wobei die Kombination wie ein Darling tonpaar arbeitet, um
Strom im hohen Bereich bis zu dem begrenzten Betrag zu leiten. Im niedrigen Strombereich wird der erste Transistor ausgeschaltet,
und der zweite Transistor spricht auf das seiner Basiselektrode angelegte Steuersignal an, um die Stromleitung.mit
einem relativ niedrigen Spannungsabfall an seiner lOllektor-Emitter-S.tr ecke fortzusetzen. Eine derartige
Schalteinrichtung kann z.B. gut zum Abschalten eines steuerbaren Siliziumgleichrichters eines Typs verwendet werden,
der sich über seine Steuerelektrode sperren läßt.
Die Erfindung wird nachstehend an Ausführungsbeispielen anhand von Zeichnungen näher erläutert.
Eigur 1 zeigt das Schema einer bekannten Schaltung zum Betreiben
eines steuerbaren Siliziumgleichrichters, der über seine Steuerelektrode abschaltbar ist;
Figur 2 zeigt das Schaltbild einer Ausführungsform der Erfindung
in einer Anordnung zum Betreiben eines steuerbaren über seine Steuerelektrode abschaltbaren Siliziumgleich-
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richters;
Figur 3 zeigt das Schaltbild einer anderen Ausführungsform der Erfindung;
Figur 4 zeigt Strom/Spannungs-Kennlinien für die in Figur
2 dargestellte Ausführungsform der Erfindung.
In Figur 1 ist mit der Bezugszahl 1 ein steuerbarer Siliziumgleichrichter
eines Typs bezeichnet, der sich über seine
Steuerelektrode abschalten läßt. Ein Bauelement dieses Typs wird nachstehend kurz GTO-Gleichriehter oder einfach "GTO"
genannt (von engl.: "gate-turn-off rectifier"). In der Anordnung nach Figur 1 wird der GTO-Gleichrichter 1 dadurch
eingeschaltet, daß ein Schalter 3 betätigt wird, um einen Stromweg zwischen einer Yersorgungsklemme 9 und der Steuerelektrode
des GTO-Gleichrichters zu schließen. Die Klemme liegt an einer Betriebsspannung +V und liefert, sobald der
besagte Stromweg geschlossen ist, Strom über einen Widerstand 11 und den Schalter 3 an die Steuerelektrode des GTO-Gleichrichters
1, um ihn einzuschalten. Wenn der Gleichrichter auf diese Weise eingeschaltet ist, nimmt der relative
Widerstandswert seines Hauptstromwegs zwischen Anode und Kathode wesentlich ab, so daß ein Strom I^ von der Klemme 9
über diesen Hauptstromweg zur Last 13 fließen kann. Wenn ein GTO-Gleichrichter durch Anlegen eines Einschaltsignals
an seine Steuerelektrode einmal eingeschaltet ist, kann das Einschaltsignal fortgenommen werden, ohne daß dadurch die
Stromleitung über den Hauptstromweg unterbrochen wird. Dies ist ein charakteristisches Merkmal von GTO-Gleiehrichtern
und anderen gesteuerten Siliziumgleichrichtern, die zur Familie der sogenannten Thyristoren gehören. Im normalen Betrieb
der Schaltung nach Figur 1 kann also der Schalter 3 nach erfolgter Einschaltung des GTO-Gleichrichters 1 in seine
neutrale Stellung zurückgebra dit werden, bei welcher die
Steuerelektrode des GTO-Gleichrichters ohne Anschluß ist.
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Zum Abschalten des GTO-Gleichriehters 1 wird der Schalter 3
so betätigt, daß er den Stromweg zwischen der Steuerelektrode des Gleichrichters und einem an die Klemme 15 angeschlossenen
Bezugspotential (im dargestellten Beispiel das Massepotential) schließt. In diesem Zustand der Schaltung
wird ein wesentlicher Teil des von der Anode des GTO-Gleichriehters
1 kommenden Stroms von der Kathode weggelenkt und zur Steuerelektrode und dann nach Masse umgeleitet. Der
nach Masse fließende Steuerelektrodenstrom nimmt mit dem
Sperren des GTO-Gleichriehters 1 schnell ab und vermindert sich auf praktisch O, wenn der Gleichrichter gesperrt (abgeschaltet)
ist. Wenn der GTO-Gleichrichter 1 wie beim dargestellten Beispiel eine Kathodenlast 13 aufweist, führt
bei niedrigeren Werten des Steuerelektroden-Äbschaltstroms
die abnehmende Spannung an der Last 13 dazu, daß diese Last wie eine Batterie im Sinne einer Unterstützung der Lieferung
von Abschaltstrom wirkt und den Kathoden-Steuerelektroden-Übergang
des GTO-Gleichriehters 1 in Sperrichtung vorspannt.
Bei den derzeit verfügbaren GTO-Gleichrichtern muß die Steuerelektrode
direkt nach erreichter Abschaltung des Gleichrichters auf einen Spannungswert geklemmt werden, der nahe
(innerhalb von etwa 0,25 Volt) an der Kathodenspannung (im dargestellten Fall das Massepotential) liegt, um die völlige
Abschaltung sicherzustellen, denn ansonsten kann sich der GTO-Gleichrichter wieder einschalten. Ferner sei erwähnt, daß
der von der Steuerelektrode des GTO-Gleichriehters anfänglich fließende Abschaltstrom für eine Dauer von 10 bis 20
Mikrosekunden einen hohen Wert von etwa 80 % des Laststroms
I-j^ annehmen kann. In bestimmten Anwendungsfällen ist es erwünscht,
den Spitzenwert dieses Abschaltstroms zu begrenzen,
um eine Beschädigung des GTO-Gleichriehters zu verhindern. Wie erwähnt nimmt dieser in Sperrichtung fließende Steuerelektrodenstrom
(I__) schnell ab, und bei erfolgter Abschaltung
des GTO-Gleichriehters 1 fließt nur noch ein relativ kleiner Leckstrom von der Anode zur Steuerelektrode nach Hasse.
In der Anordnung nach Figur 2 sind anstelle des Sehalters 3
809841/0905 . 5 „
elektroniselie Schalteinrichtungen 19 und 21 zum Einschalten
bzw. Abschalten des GTO-GIeiehrichters 1 vorgesehen. Durch
Anlegen eines Impulses an eine Einsehaltklemiiie 1? wird die
Einschalteinrichtung 19 betätigt, um auf die Steuerelektrode
des GTO-Sleiehrichters 1 ein Signal zu®. Einschalten dieses
Gleichrichters au geben. Als Einsehalt-Steuer element kann
z.B. ein Transistor 23 dienen« Wenn des? transistor 25 durch
Anlegen einss positiven Impulses an die Klemme 1? eingeschaltet
ists liegt an des der Steuerelektrode des GTO-Gleichrichters
1 abgewandten Ende eines Widerstands 11 die Betriebsspannung
·*-¥. Somit fließt über den Understand 11 Strom zur
Steuerelektrode des GTO-GKLeichrichters 1,womit dieser eingeschaltet
wird und Strom Ij1 zur Last 13 leitet.
In der Anordnung nach figur 2 könnt© man den Transistor 25,
die Diode 27 und den Widerstand 29 fortlassen und nur den
Transistor 31 und den Widerstand 35 sum Abschalten des GTO-Gleichrichters
1 verwendeno Hierzu Braßte Man ein positiv gerichtetes
Ab s ehalt signal an die Klemme 33 legen, um. den
Transistor 31 einzuschalten, so daß die Impedanz zwischen seinem Kollektor und seines Emitter wesentlich vermindert
wird und dadurch die Steuerelektrode des GTO-Gleichrichters 1
effektiv axt Hasse verbunden wird» Wenn der Betrag des Laststroms IT sehr hoch ist und seB, etwa 30 Ampere "beträgt,
dann kann ein negativer Steuerelektrodenstroia von z.B. etwa
12 bis 24· Aapere tob. der Steuerelektrode des GTQ-G-leichrichters
1 in die Stromeingangsklemse 39 und über den Transistor
31 nach Masse fließen« Obwohl dieser relativ hohe negative
SteuerelektrodenstroH wie oben erwähnt schnell absinkt, muß der Transistor 31 einen solchen starken Stromstoß
ohne Beschädigung leiten können, und zwar bei sehr
niedriger Kollektor-Eaitter-Sättigiisgsspamiung. Der Transistor
31 euS außerdem fähig seins die Steuerelektrode auf
etwa 0,2 YoIt zu klemmen, us sicherzustellen, daß der GTO-Gleichrieirfeez?
nicht wöer eingeschaltet wird. Die Terwendung
eines einzigen Transistors stir Abschaltung eines GTO-
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Gleichrichters auf diese Weise gehört zum Stand der !Technik,
o'edoch muß ein solcher Transistor mit einem relativ
hohen Basisstrom angesteuert werden, damit sein Hauptstromweg den anfänglichen starken Strom von der Steuerelektrode
des GTO-Gleichrichters 1 beim Abschalten des Gleichrichters auch wirklich leiten kann. In vielen Anwendungsfällen sind
Signalschaltungen zur Lieferung des anfänglichen relativ hohen Basissteuerstroms an dem Transistor entweder nicht
verfügbar oder unwirtschaftlich. Ein solcher Anwendungsfall wäre z.B. eine von einem Mikroprozessor gesteuerte Zündanlage
für ein Kraftfahrzeug.
Gemäß einer Ausführungsform der Erfindung werden zwei Transistoren
25 und 31 kombiniert, um eine Verbund-Schalteinrichtung 21 zu bilden, wie sie in Figur 2 dargestellt ist. Die
Verbundschaltung 21 kann entweder mit diskreten Bauelementen oder in Form einer integrierten Schaltung hergestellt werden.
Wie zu erkennen ist, sind die Transistoren 25 und 31 ähnlich
einer Darlingtonschaltung angeordnet, wobei der Ausgangstransistor 31 an seiner Basiselektrode eine "Anzapfung" hat,
die über den Widerstand 35 mit der Klemme 33 verbunden ist.
Eine eingefügte Diode 27 sorgt dafür, daß der Transistor 31 über den durch den Widerstand 35 fließenden Strom richtig
vorgespannt wird, indem sie durch ihre Blockierungswirkung verhindert, daß während des noch zu erläuternden umgekehrten
Betriebs des Transistors 25 ("Gegenbetabetrieb") Irgendein Teil des Stroms von diesem Widerstand 35 über die Strekke
zwischen Kollektor und Emitter des Transistors 25 fließt.
In einer alternativen Ausführungsform, die in Figur 3 dargestellt ist, kann eine Diode 37 in den Kollektorkreis des
Transistors 25 eingefügt und die Diode 27 fortgelassen werden. Die Diode 37 erfüllt dann den gleichen Zweck wie die
Diode 27. Gegenwärtig ist die Schaltung 21 leichter in integrierter Bauweise herzustellen als die in Figur 3 gezeigte
Schaltung 21'. Vienn man jedoch die Transistoren 25 und 31 und die Werte der Widerstände 29 und 35 für einen bestimmten
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Betrag des Laststroms It und für einen speziellen G-TO-Gleichrichter
1 sorgfältig auswählt, dann kann die Diode 27 bzw. die Diode 37 unter Umständen fortgelassen werden.
Ein solches Vorgehen eignet sich aber nicht zur Massenfertigung.
Der Vert des TorSpannungswiderstands 29 wird so ausgewählt,
daß bei einem vorbestimmten Wert einer positiven Spannung an der Eingangsklemme 33 der Transistor 25 eingeschaltet
wird und zum Transistor 31 einen Strom leitet, der diesen Transistor veranlaßt, einen relativ hohen Betrag des von der
Klemme 39 kommenden Stroms zu leiten und den Maximalwert des über seinen Hauptstromweg geleiteten Stroms auf einen Wert
"'"MAX zu 1°eSreiizei1· Der Wert des YorSpannungswiderstands 35
wird so gewählt, daß bei einem vorbestimmten Wert einer positiven Spannung an der Eingangsklemme 33 der Transistor
31 einen Leitzustand einnimmt oder weiter beibehält, um Strom innerhalb eines relativ niedrigen Bereichs bei relativ niedrigem
Spannungsabfall an seiner Kollektor-Emitter-Strecke zu leiten.
Alternativ kann die Abschaltung natürlich auch durch zwei simultan geschaltete KonstantStromquellen gesteuert werden,
deren eine anstelle des Widerstands 29 Basisstrom an den Transistor 25 liefert und deren andere anstelle des Widerstands
35 Basisstrom an den Transistor 31 liefert. Diese Stromquellen können z.B. die Kollektor elektroden von ENP-Bipolartransistoren
sein, die so angeordnet sind, daß sie simultan ein- und ausgeschaltet oder selektiv in den Leitzustand
und den Sperrzustand geschaltet werden können.
Die i.n Figur 4 dargestellten Betriebskennlinien für die zusammengesetzte
Schalteinrichtung 21 bzw. 21' nach Figur 2 bzw. 3 offenbaren folgendes: Wenn an die Klemme 39 eine
Stromquelle angeschlossen ist und der Eingangsklemme 33 das
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vorbestimmte Eingangssignal angelegt wird, dann sind für
Stromwerte im Bereich von I. "bis I-wr/vy- beide Transistoren 25
und 31 eingeschaltet so daß die Kombination wie eine Darlingtonschaltung wirkt. In diesem Betriebsbereich hat der über
den Widerstand 35 an die Basis des Transistors 31 gelieferte
Strom praktisch keinen Einfluß auf den Betrieb des Transistors 31 j denn der vom Transistor 25 dorthin gelieferte Strom ist
in seinem Betrag wesentlich größer. Wenn der zur Klemme 39 gelieferte Strom einen höheren Betrag als Ιτνηνγ hat, dann
geht der Transistor 31 aus seiner Sättigung und begrenzt den über seinen Hauptstromweg fließenden Strom auf einen Betrag
"""MAX" ^m B-ie&ciS811 Strombereich von 0 bis Ιλ ist der Transistor
25 gesperrt und der Transistor 31 durch den über den Widerstand 35 kommenden Strom eingeschaltet, um den innerhalb
dieses niedrigen Bereichs liegenden Strom zu leiten, und zwar mit einem Spannungsabfall von etwa 0,2 Volt an seiner Kollektor-Emitter-Strecke.
Bei einem im hohen Bereich liegenden Strom ist der Spannungsabfall Vq-π. ^ an der Kollektor-Emitter-Strecke
des Transistors 31 größer als der zur Aufrechterhaltung der Leitfähigkeit des Transistors 25 notwendige
Spannungsabfall an der Serienschaltung des Hauptstromweges
des Transistors 25 mit der Diode (27 in der Schalteinrichtung 21; 37 in der Schalteinrichtung 21') und der Basis-Emitter-Strecke
des Transistors 31 (dieser Spannungswert ist in Figur 4- als Vg, eingetragen). Wenn der zur Klemme 39 gelieferte
Strom gerade unter I. abfällt, dann ist die Spannung ^CE31 kleiner als Vm1 und der Transistor 25 sperrt. Ohne
Verwendung der Diode 27 bzw. 37 würde sich, wenn der zur Klemme 39 gelieferte Strom unter I^ zum Betrag 0 hin absinkt,
die Polarität der Spannung an der Kollektor-Emitter-Strecke des Transistors 25 umkehren, d.h. positiv am Emitter
und negativ am Kollektor. Der Transistor 25 ginge dann in eine umgekehrte Betriebsart (Gegenbetabetrieb) über, bei
welcher sein Kollektor als Emitter und sein Emitter als Kollektor wirkt, so daß seine Kollektor-Emitter-Strecke einen
Teil des zur Basis des Transistors 31 gelieferten Stroms
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I)" 28UQ21
■von dieser Basis zum Kollektor des Transistors 31 leitet.
Ein solcher Gegenbetabetrieb des Transistors 25 bringt die Vorspannung des Transistors 31 im Niedrigstrombereich durcheinander
und kann z.B. verhindern, daß die Spannung V^-g 31
unter 0,25 Volt absinkt, womit eine notwendige Bedingung zum vollständigen Abschalten eines GTO-GIeichrichters nicht
erfüllt wäre. Mit der Einfügung der Diode 27 bzw. 37 in. die
Schaltung 21 bzw. 21J wird ein solches Abzweigen des Basisstroms
vom Transistor 31 während des Gegenbetabetriebs des Transistors 25 verhindert, denn die Diode 37 bzw. 37' ist zur
betreffenden Zeit in Sperrichtung gespannt.
Die Schalteinrichtung 21 bzw. 21' benötigt beim Betrieb sowohl
im Hochstrombereich als auch im Hiedrigstrombereich nur einen relativ schwachen Eingangsstrom an der Eingangsklemme
33· Im Hochstrombereich arbeiten die Schalteinrichtungen
21 und 21' jeweils wie eine Darlingtonschaltung und benötigen
für den Transistor 25 jeweils einen Basisstrom eines maximalen Werts von IiyrA-v- geteilt durch das Produkt der Stromverstärkungen
(ßpc j ß-z*) ^er Transistoren 25 und 31· Im Hiedrigstrombereich
ist der Maximalwert des an der Klemme 33 zuzuführenden Ansteuerstroms gleich I^ geteilt durch /3 ^. Nimmt
man als Beispiel an, daß/32t- und ß-** jeweils gleich 30 ist
und daß Ij/yyj- etwa 30 Ampere beträgt, dann müssen also der
Basis des Transistors 25 nur etwa 33 Milliampere zugeführt werden, damit der Transistor 31 den 30 Ampere starken Strom
leitet. Im Hochstrombereich wird, wenn der Strom unter Ι^χ
absinkt, entsprechend weniger BasisSteuerstrom am Transistor
25 benötigt. Wenn man für I. einen Betrag von 1 Ampere annimmt, dann brauchen im Hiedrigstrombereich nur etwa 33
Milliampere an die Basis des Transistors 31 geliefert zu werden, und wenn der Strom unter I. nach Mull absinkt, wird
dieser Strombedarf entsprechend geringer. Somit können die gezeigten Transistorschalteinrichtungen 21 und 21' in Systemen
eingesetzt werden, wo die verfügbaren Signalquellen zur Betätigung der Schalteinrichtung nur schwache Ströme senden
können.
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Die Figur 2 zeigt die kombinierte Transistorschalteinriehtung
21 im Einsatz als Abschalteinrichtung für den GTO-Gleichrichter 1. Die Einschaltung des GTO-Gleichrichters 1
erfolgt wie erwähnt durch Anlegen eines Einschaltsignals an die Klemme 17 s womit der Transistor 23 leitend gemacht
wird, um eine positive Spannung an die Steuerelektrode des GTO-Gleichrichters 1 zu legen. Einmal, „eing eschalt et bleibt
der GTO-Gleichrichter 1 auch dann im leitenden Zustand, nachdem
das Einsehaltsignal von der Klemme 17 fortgenommen und
der Transistor 23 somit gesperrt ist. Um den GTO-Gleichrichter
1 abzuschalten, wird an die Klemme 33 der kombinierten Schalteinrichtung 21 ein Abschaltsignal gelegt, welches den
Transistor 25 einschaltet, um Strom zur Basis des Transistors
31 zu liefern. Auf diesen Basisstrom hin schaltet sich der Transistor 31 schnell ein, um einen Strom ziemlich hohen
Betrags von der Steuerelektrode des GTO-Gleichrichters 1 zur Klemme 15 zu leiten, die an ein Bezugspotential (im vorliegenden
3?all Masse) angeschlossen ist. Der Transistor 31 ist zu dieser Zeit so vorgespannt, daß der aus der Steuerelektrode
des GTO-Gleichrichters 1 gezogene Strom auf einen Betrag 1KAX ^>e^ei!XZ^ is-t· w^e ot>en beschrieben, nimmt der anfänglich
relativ starke Stoß des von der Steuerelektrode des GTO-Gleichrichters 1 gezogenen Stroms schnell ab, wenn die Abschaltung
des GTO-Gleichrichters beginnt. Wenn dieser von der Steuerelektrode des GTO-Gleichrichters 1 kommende Abschaltstrom
auf einen Wert unter I^ absinkt, dann nimmt die Spannung
am Hauptstromweg des Transistors 31 auf einen Wert ab, der den Transistor 25 zum Sperren bringt, wie es oben beschrieben
wurde. Zu dieser Zeit fährt der Transistor 31 fort, Strom im Niedrigstrombereich zu leiten, und zwar unter dem Einfluß des
ihm über den Widerstand 35 zugeführten Basisstroms. Wenn der
von der Steuerelektrode des GTO-Gleichrichters 1 gezogene negative Steuerelektrodenstrom (Abschaltstrom) weiter absinkt,
dann sinkt die Spannung an dem diesen Strom leitenden Stromweg des Transistors 31 weiter bis auf einen relativ niedrigen
Wert von etwa 0,2 Volt. Wenn der GTO-Gleichrichter seine Abschaltung zu Ende führt, dann sinkt der über den
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Transistor 31 fließende Steuerelektrodenstrom I des GTO-Gleichrichters
1 auf praktisch den Betrag 0 ab, und der Transistor 31 klemmt die Steuerelektrode des GTO-Gleiehrichters
1 auf etx^a 0,2 Volt, womit sichergestellt wird, daß sich
der GTO-Gleichrichter 1 nicht wieder einschalten kann. Das an die Klemme 33 gelegte Abschaltsignal kann jetzt fortgenommen
werden, da die Abschaltung des GTO-Gleichrichters 1 nun vollführt ist. Die zusammengesetzte Schalteinrichtung 21
(oder 21') kann den GTO-Gleichrichter 1 auch dann abschalten, wenn dessen Kathode direkt mit der Klemme 15 verbunden ist und
die Last 13 an anderer Stelle liegt, z.B. zwischen der Klemme 9 und der Anode des GTO-Gleichrichters 1 .
Die zusammengesetzte Transistorschalteinrichtung 21 oder 21'
nach Figur 2 bzw. 3 kann auch zu anderen Zwecken als zur Abschaltung eines GTO-Gleichrichters verwendet werden. So eignen
sich die Schalteinrichtungen 21 und 21' auch zum Entladen
von Kondensatoren oder Induktivitäten oder in anderen Anwendungsfällen, wo es erforderlich ist, während eines Betriebszustandes
der Schalteinrichtung einen anfänglichen hohen aber in seinem Betrag begrenzten Strom zu leiten und in einem anderen
Betriebszustand einen demgegenüber niedrigeren Strom zu leiten und zwar mit einem zu dieser Zeit niedrigen Spannungsabfall
an der Schalteinrichtung. Auch in solchen Anwendungsfällen benötigt man nur relativ niedrige Beträge an
Signalstrom zum Betätigen der Schalteinrichtungen 21 und 21',
wie es oben erläutert wurde.
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Claims (3)
- 2SH021Patentansprüche[Λ.)Kombination eines steuerbaren Gleichrichters, der über seine Steuerelektrode abschaltbar ist, mit einer Abschalteinrichtung, die einen ersten Transistor enthält, dessen Kollektor mit der Steuerelektrode des steuerbaren Gleichrichters verbunden ist und dessen Emitter mit einem Bezugspotential verbunden ist und an dessen Basis ein Steuersignal zuführbar ist, um den Transistor zu Zeiten, in denen eine Abschaltung des gesteuerten Gleichrichters erfolgen soll, in den
leitfähigen Zustand zu versetzen, wobei der Transistor von einem solchen Leitungstyp ist, daß seine Leitfähigkeit einen Stromfluß über die Steuerelektrode des steuerbaren Gleichrichters in der zu seiner Abschaltung gehörenden Polarität bewirkt, gekennz eichnet durch: einen zweiten Transistor (25) der vom gleichen Leitungstyp wie der erste Transistor (31) ist und dessen Emitter- und Kollektorelektroden mit den entsprechenden Elektroden des ersten Transistors verbunden sind; eine in einer dieser Verbindungen
enthaltene Diode (27 oder 37)j die so gepolt ist, daß sie
einen über die Kollektor-Emitter-Strecke des zweiten Transistors fließenden Strom leiten kann; einen ersten und einen zweiten Widerstand (29 und 35)><üe an eine Klemme (33) angeschlossen sind, wo das Steuersignal zuführbar ist. - 2. Kombination nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Diode (27) in die Verbindung der Emitterelektrode des ersten Transistors (31) zur Emitterelektrode des zweiten Transistors (25) eingefügt ist.
- 3. Kombination nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Diode (37) in- die Verbindung der Kollektor elektrode des
ersten Transistors (29) zur Kollektorelektrode des zweiten Transistors (31) eingefügt ist.809841/0905ORIGINAL INSPECTED
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| US05/783,221 US4117351A (en) | 1977-03-31 | 1977-03-31 | Transistor switching circuit |
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| Publication Number | Publication Date |
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| DE2814021A1 true DE2814021A1 (de) | 1978-10-12 |
| DE2814021B2 DE2814021B2 (de) | 1979-08-02 |
| DE2814021C3 DE2814021C3 (de) | 1980-04-10 |
Family
ID=25128548
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| DE2814021A Expired DE2814021C3 (de) | 1977-03-31 | 1978-03-31 | Schaltungsanordnung für einen steuerbaren Gleichrichter, der über seine Steuerelektrode abschaltbar ist |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4117351A (de) |
| JP (1) | JPS53123061A (de) |
| DE (1) | DE2814021C3 (de) |
| FR (1) | FR2386194A1 (de) |
| GB (1) | GB1599262A (de) |
| IT (1) | IT1093980B (de) |
| SE (1) | SE7803444L (de) |
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- 1978-03-23 GB GB11629/78A patent/GB1599262A/en not_active Expired
- 1978-03-28 SE SE7803444A patent/SE7803444L/xx unknown
- 1978-03-29 IT IT21739/78A patent/IT1093980B/it active
- 1978-03-30 JP JP3743978A patent/JPS53123061A/ja active Pending
- 1978-03-30 FR FR7809369A patent/FR2386194A1/fr active Pending
- 1978-03-31 DE DE2814021A patent/DE2814021C3/de not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB1599262A (en) | 1981-09-30 |
| DE2814021C3 (de) | 1980-04-10 |
| US4117351A (en) | 1978-09-26 |
| FR2386194A1 (fr) | 1978-10-27 |
| SE7803444L (sv) | 1978-10-01 |
| IT1093980B (it) | 1985-07-26 |
| IT7821739A0 (it) | 1978-03-29 |
| DE2814021B2 (de) | 1979-08-02 |
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