DE2945854A1

DE2945854A1 - Ionenimplantationsverfahren

Info

Publication number: DE2945854A1
Application number: DE19792945854
Authority: DE
Inventors: Ing.(grad.) Ludwig 7833 Endingen Hiß; Dipl.-Phys. Ulrich 7831 Sexau Waldvogel
Original assignee: Deutsche ITT Industries GmbH
Current assignee: TDK Micronas GmbH
Priority date: 1979-11-13
Filing date: 1979-11-13
Publication date: 1981-05-21
Also published as: DE3067025D1; JPS5685823A; EP0028786A1; EP0028786B1; US4341571A; IE51005B1; IE802356L

Description

L.Hiß et al 1-1 Fl 1026

Go/bk 09. November 1979

Ionenimplantationsverfahren

Die Erfindung betrifft ein Ionenimplantationsverfahren gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs 1,

es
Bei einem solchen Verfahren, wie aus der Zeitschrift "'Solid-state-Electronics" (1972) Band 15, Seiten 165 bis 175 bekannt ist, wird eine oberflächlich in einem HaIb-^ leiterkörper angeordnete Substratzone unter Verwendung einer Oxidmaske, welche mit Hilfe einer Lackmaske photolithographisch hergestellt wurde, durch Implantation von Ionen, welche anschließend in die Substratzone tiefer eindiffundiert werden, hergestellt. Bei diesem Verfahren werden im übrigen zur Begrenzung der Zonenflächen bei der Ionenimplantation ausschließlich Oxidmasken verwendet.

Bei Verfahren,bei denen das Dotierungsmaterial einer Mehrzahl von unterschiedlich dotierten Zonen durch Ionenimplantation aufgebracht wird,ist seitdem die ausschließliche Verveidung von Oxidmasken üblich. Dies ergibt sich beispielsweise aus der Zeitschrift "IEEE Journal of Solid-state Circuits" Band SC 14, Nr. 2 (April 1979), Seiten 312 bis 318.

Die ausschließliche Verwendung von Oxidmasken hat den Nachteil, daß nach jeder Implantation die Neubildung einer Oxidschicht, insbesondere bei einer folgenden Nachdiffusion, erforderlich ist. Die ausschließliche Verwendung von Oxidmasken ist üblich, obwohl an sich aus der DE-AS 23 41 bekanntist, eine Photolackmaske bei der Ionenimplantation zu verwenden. Allerdings wird bei diesem Verfahren die

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PhotriLackmaske ausschließlich auf einer die Substratoberflache bedeckenden Isolierschicht und nicht, auch nicht teilweise, unmittelbar auf die Substratoberfläche aufgebracht .

Man war in der Fachwelt der Ansicht, daß zur Abgrenzung von Zonenflächen bei der Ionenimplantation Photolackmasken, die zumindest teilweise unmittelbar auf die Substratoberfläche aufgebracht werden, wenig geeignet sind, da Photolack, unmittelbar auf die Substratoberfläche aufgebracht, als alleinige Maskierung gegen Implantation, zumal bei höheren Dosen, als nicht brauchbar erschien,

Aufgabe der Erfindung ist die Weiterbildung und Vereinfachung des bekannten Verfahrens gemäß dem Oberbegriff des Anspruchs Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die Kombination der im kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1 angegebenen Maßnahmen gelöst.

Bei der einfachsten und saubersten Ausführungsform des Verfahrens nach der Erfindung werden die Photolackmasken un mittelbar auf die weitgehend von Isolierschichtteilen, beispielsweise Oxidschichtteilen, befreite saubere Substratoberfläche aufgebracht, die höchstens kurzzeitig dem Plasmaoxidationsprozeß zur Entfernung einer bereits verwendeten Photolackmaske ausgesetzt war.

Bei dem Verfahren nach der Erfindung kommt also zur Entfernung der Photolackmaske nach jedem Implantationsschritt ein Plasmaätzschritt zur Anwendung, wobei Ionen eines Oxidationsmittels im Vakuum den Photolack oxidieren und die Oxidationsprodukte mit sonstigen Verunreinigungen abgesaugt werden. Ein solches Reinigungsverfahren ist aus der Zeitschrift "SCP and Solid-State Technology" (Dezember 1967)

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Seiten 33 bis 38 bekannt. Es wurde festgestellt, daß eine auf solche Weise erfolgende Reinigung bei der Entfernung der Lackmasken ohne weiteres reproduzierbare und für die Aufbringung weitere Photolackmasken mit anschließender Implantation ausreichend saubere Oberfläche mit guten Hafteigenschaften hinsichtlich des Photolacks ergibt und die Qualität bereits implantierter Zonen nicht beeinträchtigt.

Das Verfahren der Erfindung findet vorzugsweise seine Anwendung bei der Herstellung von integrierten Schaltungen mit einer Mehrzahl von Schaltungskomponenten, welche unterschiedlich dotierte Zonen aufweisen. Unter unterschiedlich dotierten Zonen werden hier Zonen verstanden, welche in der Dotierungskonzentration und/oder hinsichtlieh des zu erzielenden Leitungstyps unterschiedliche Dotierungen aufweisen.Das Verfahren der Erfindung kann natürlich auch insofern weitergebildet werden, als auch unterschiedlich stark dotierte Bereiche an der Substratoberfläche in gleicher Weise wie pn-übergänge bildende Zone erzeugt werden können.

Das Verfahren nach der Erfindung kann sowohl zur Erzeugung von bipolaren als auch unipolaren Schaltungskomponenten in monolithisch integrierten Festkörperschaltungen herangezogen werden.

Eine bevorzugte Anwendung zur Herstellung eines Paares von komplementären Isolierschicht-Feldeffekttransistoren als Schaltungsteil einer monolithisch integrierten Schaltung, die in der Mehrzahl an einer in die einzelnen integrierten Festkörperschaltungen zu zerteilenden Halbleiterplatte erfolgt, wird im folgenden anhand der Zeichnung erläutert, deren Figuren in üblicher Querschnitts-Schrägansicht die einzelnen das Verfahren der Erfindung

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betreffenden Arbeitsgänge veranschaulichen.

Bei der Herstellung der monolithisch integrierten Schaltung mit Paarehvon komplementären Isolierschicht-Feldeffekttransistoren enthaltenden Schaltungsteilen wird, wie die Figuren 1A und 1B veranschaulichen, von einem plattenförmigen Substrat 2 ausgegangen, in dessen einer Oberflächenseite inseiförmigejje einen sperrenden pn-übergang bildende Planarzonen 5 zur Aufnahme der Isolierschicht-Feldeffekttransistoren des einen Leitungstyps /eingesetzt sind. Zu diesem Zweck wird in bekannter Weise gemäß der Figur 1A die Oxidmaskierungsmaske 6 mit dem Diffusionsfenster 7 auf das Substrat 2 aufgebracht und bei Verwendung eines η-dotierten Substrats p-dotierendes Verunreinigungsmaterial, vorzugsweise Bor, innerhalb des Diffusionsfensters in die Substratoberfläche mit einer solchen Konzentration implantiert, daß eine schwach p-leitende Planarzone 5 nach dem auf den Implantationsprozeß folgende Diffusionsprozeß entsteht. Danach hat sich innerhalb des Diffusionsfensters 7 eine Oxidschicht in einer Dicke weniger als die der Oxidmaskierungsmaske 6 gebildet, wie die Fig. 1A veranschaulicht.

In Anlehnung an das Verfahren nach der Erfindung wird aber die Verwendung einer Photolackmaskierungsmaske mit einem Diffusionsfenster zur Begrenzung der Planarzone 5 vorgezogen, welche in gleicher Weise wie bei dem Verfahren nach der Erfindung unter Anwendung eines Plasmareinigungsprozesses nach dem Einbringen der erforderlichen Dotierungsmaterialmange in die Substratoberfläche entfernt wird. Nach der Diffusion der Planarzone 5 wird ein Reinigungsprozeß der Substratoberfläche durchgeführt, so daß eine ebene Fläche erhalten wird, wie die Fig. 1B veranschaulicht

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Eine solche ebene Oberfläche ist als Grundlage für die nach dem Verfahren der Erfindung aufgebrachte Photolackmaske 1 gemäß der Fig. 2B wesentlich besser geeignet als die gemäß der Fig. 2A teilweise über die Oberflächenseite des Substrats 2 sich erstreckende Isolierschicht der Oxidmaskierungsmaske 6. Die Photolackmaske 1 ist in beiden Fällen A bzw. B derart strukturiert, daß die Flächen der herzustellenden Zonen 11, nämlich die der Source-Zone und die der Drain-Zone des η-Kanal-Feldeffekttransistors, ausschließlich durch die Photolackmaske 1 begrenzt sind.

Nach der Implantation von Phosphoratomen in für die herzustellenden Zonen ausreichender Menge wird anschließend die Substratoberfläche unter Anwendung eines oxidierenden Plasmaätzprozesses freigelegt und sorgfältig gereinigt, so daß lediglich der am Ende des Ätzprozesses entstehende und unvermeidlich durch den Sauerstoffgehalt der Luft bedingte dünne Oxidfilm verbleibt.

Danach wird in beiden Fällen die Photolackmaske 1· unter Verwendung einer Photomaske entsprechend der üblichen photolithographischen Technik mit den beiden für die erforderlichen Zonen 12 benötigten öffnungen, welche die Begrenzung der Zonenflächen ergeben, aufgebracht und die freiliegenden Substratoberfläche durch die Öffnung der Photolackmaske 1' mit p-dotierenden Verunreinigungsionen in einer bestimmten Menge bestrahlt, wobei der außerhalb der Flächen der Zonen liegende Oberflächenteil der Substratoberfläche von der Photolackmaske 1' maskiert ist. Danach sind in die Substratoberfläche an den erforderlichen Stellen die Dotierungen für die Zonen der Isolierschicht-Feldeffekttransistoren unterschiedlichen Leitungstyps eingebracht, wie die Fig. 3 veranschaulicht.

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Durch das wiederholte Aufbringen von unterschiedlich strukturierten Photolackmasken können nach jedem Ionenimplantationsprozeß und danach erfolgender Abtragung des Photlacks durch einen oxidierenden Plasmaätzprozeß, bei S dem eine lacht oxidierte Substratoberfläche mit sehr guten Hafteigenschaften hinsichtlich des Photolacks gewährleistet ist, beliebig viel Zonenstrukturen beliebiger Konzentration und beliebigen Leitungstyps nacheinander insofern vorbereitet werden, als lediglich abschließend ein einziger Diffusionsprozeß bei den relativ hohen zur Diffusion der Dotierungen erforderlichen Temperaturen zur Anwendung kommt. Da erfahrungsgemäß nur bei derartigen Hochtemperatur prozessen . sich kristallschädigende Störungen über das Substrat ausbreiten können, ist eine maximale Ausbeute gewährleistet, die über 90% liegt.

Nach der Diffusion der in Form von Ionen implantierten Verunreinigungsatomen werden monolithisch integrierte Festkörperschaltungen mit Strukturen gemäß der Fig. 4 erhalten.

Anhand der Fig. 5 wird nun eine besonders vorteilhafte Weiterbildung des Ionenimplantationsverfahrens nach der Erfindung beschrieben. Die Substratoberfläche wird nach dem erwähnten letzten Ionenimplantationsprozeß mit einer bei der Temperatur des erforderlichen Diffusionsprozesses beständigen Isolierschicht 3, vorzugsweise aus Siliciumdioxid, bedeckt, die aus der Gasphase abgeschieden wird. Anschließend werden die über den Bereichen der Kanalzonen liegenden Isolierschichtteile entfernt und die Diffusion der Verunreinigungsatome in oxidierender Atmosphäre , beispielsweise in einer mit einem Trägergas verdünnten Wasserdampfatmosphäre durchgeführt. Dabei werden die Prozeßparameter, insbesondere die Zusammensetzung der oxidierenden Atmosphäre derart gewählt, daß während

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der zur Bildung der Zonen erforderlichen Diffusionszeit die Gate-Oxidschichten 4 bzw. 4' in der erforderlichen Dicke zwischen den Zonen der Zonenpaare ausgebildet werden. Anschließend können auf diese Gate-Oxidschichten 4 bzw. 4' die Gate-Elektroden aufgebracht werden.

Obwohl das Verfahren nach der Erfindung vorzugsweise seine Anwendung bei integrierten Festkörperschaltungen mit nebeneinander liegenden Zonenstrukturen seine Anwendung findet, wie es bei Festkörperschaltungen mit Isolierschicht-Feldeffekttransistoren der Fall ist, kommt auch eine Anwendung bei ineinander eingesetzten Zonenstrukturen in Frage, wie es bei monolithisch integrierten Festkörperschaltungen mit bipolaren Transistoren der Fall ist. Wiederum werden in mehreren Ionenimplantationsprozessen mit unterschiedlich strukturierten Photolackmasken die erforderlichen Dotierungsmengen an den erforderlichen Stellen in die Oberfläche des Substrats eingebracht, wobei jeweils vor dem Aufbringen einer neuen Photolackmaske die bereits verwendete durch einen oxidierenden Plasmaätzprozeß entfernt wurde und erst abschließend der eigentliche Diffusionsprozeß für sämtliche Dotierungen zum Herstellen der Zonen durchgeführt wird. Die relativen Einbringtiefen der Zonen können natürlich nicht durch Wahl der Temperatur und der Zeit eingestellt werden, da nur ein einziger Hochtemperaturprozeß zur Anwendung kommt. Durch Wahl der Dotierungselemente und/oder der Ionenstrahlenergie können jedoch die relativen Eindringtiefen der einzelnen Zonenstrukturen in insbesondere für logische Schaltungen ausreichenden Grenzen variiert werden.

Das Verfahren der Erfindung hat den Vorteil eines sehr geringen apparativen Aufwands mit geringen Arbeitszeiten, da erst abschließend der eigentliche Diffusionsprozeß

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durchgeführt wird und davor stets die gleichen Arbeitsgänge des Aufbringens des Photolacks, der Belichtung, des Auslösens des Photolackmaterials innerhalb der Photolackmaskierungsfenster, anschließender Implantation unterschiedlicher Dotierungen und danach erfolgenden Plasmaätzprozeß zur Anwendung kommt.

Da zwischen den einzelnen Dotierungsschritten keine maskierenden Siliciumdioxid-Schichten verwendet werden, wird beim Verfahren der Erfindung in vorteilhafter Weise ein unterschiedliches Höhenniveau über verschiedenen Bereichen des Substrats vermieden. Abgesehen von den Kontaktöffnungen kann eine völlig plane Oberfläche erzielt werden, auf die die Leiterbahnen aufgebracht werden. Dies hat den Vorteil, daß Fehler durch Unterbrechungen von Leiterbahnen an Kanten weitgehend ausgeschlossen sind.

1 Blatt Zeichnung mit 5 Figuren

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Claims

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Patentansprüche

Ionenimplantationsverfahren zum Herstellen von Halbleiterbauelementen mit Zonen unterschiedlicher Dotierung in einem Halbleitersubstrat, in dessen ebener Oberfläche die Zonen eingesetzt sind, bei welchem Verfahren unter Verwendung einer Photolackmaske die außerhalb eines ersten Zonenbereichs liegenden Oberflächenteile der Substratoberflache gegen eine Implantation von Ionen maskiert und weitere Zonen an der Oberfläche des Substrats erzeugt werden, gekennzeichnet - durch die Begrenzung der außerhalb der Flächen der Zonen (11, 12) liegenden Oberflächenteile ausschließlich durch Photolackmasken (1),die auf einer zumindest teilweise über die Oberflächenseite des Substrats (2) sich erstreckende Isolierschicht und/oder unmittelbar auf die Oberfläche des Substrats (2) aufgebracht werden und

- durch die wiederholte Aufbringung von unterschiedlich strukturierten Photolackmasken (1) auf die außerhalb der Flächen der Zonen (11, 12) unterschiedlicher Dotierung liegenden Oberflächenteile der Substratoberfläche, jeweils anschließender Bestrahlung der frei-. liegenden Substratoberfläche durch die öffnungen der betreffenden Photolackmaske (1;1') mit bestimmten Ionen in einer bestimmten Menge und jeweils erfolgenden Abtragung des Photolacks durch einen Plasmaätzprozeß.
2. Ionenimplantationsverfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß nach dem letzten Plasmaätzprozeß die in Form von Ionen implantierten Verunreinigungsatome in das Halbleitersubstrat (2) diffundiert werden.

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3. loneniraplantationsverfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß vor der Diffusion der Verunreinigungsatome die Oberfläche des Substrats mit einer bei der Diffusionstemperatur der Verunreinigungsatome beständigen Isolierschicht (3) bedeckt wird.
4. Ionenimplantationsverfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 3, gekennzeichnet durch die Begrenzung von Zonenpaaren (11, 12) erster Dotierung einer Mehrzahl von Isolierschicht-Feldeffekttransistoren mittels einer ersten Photolackmaske (1), durch eine Begrenzung von Zonenpaaren zweiter Dotierung einer Mehrzahl von weiteren Isolierschicht-Feldeffekttransistoren mittels einer zweiten Photolackmaske (1') nach Entfernung der ersten Photolackmaske (1), durch die Bedeckung der mittels eines Plasmaätzprozeß freigelegten Oberfläche des Substrats (2) mittels einer aus der Gasphase aufgebrachten Isolierschicht (3), durch die Entfernung des zwischen den Zonen der Zonenpaare (11, 12) liegenden I solierschichtteile und durch eine Diffusion der Verunreinigungsatome in oxidierender Atmosphäre derart, daß Gate-Oxidschichten (4, 4') erforderlicher Dicke zwischen den Zonen der Zonenpaare (11, 12) gebildet werden.

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