DE3016176C2 - Prüfschaltung für löschbare programmierbare Festwertspeicher - Google Patents

Description

ihre Zuverlässigkeit ernsthaft beeinträchtigt sein. Dabei ist zu beachten, daß die beim Programmieren des Speichertransistors auf dem schwimmenden Gate ausgebildete Elektronenladung in unmittelbarer Beziehung zu der effektiven Lebensdauer der Speicherzelle steht Je größer also die Ladung ist um so dauerhafter ist die Speicherung, und eine voll geladene Speicherzelle kann eine normale Lebensdauer von etwa 100 Jahren haben. Ein Nachteil ist daß programmierte EPROMs verschiedenen Arten von Strahlungen ausgesetzt sein können, welche ermöglichen, daß die Elektronenladung von dem schwimmenden Gate abwandert, und dadurch wird die Speicherdauer und die Zuverlässigkeit des Speichers erheblich beeinträchtigt Wenn Mittel zur Verfugung ständen, um die Elektronenladungen auf den schwimmenden Gates jeder Zelle in einem Speicher zu messen, könnte die voraussichtliche Lebensdauer des Speichers bestimmt werden; bei ungenügenden Werten könnten die Zellen des EPROM dann wiederprogrammiert werden, um die Speicherdauer für einen weiteren vollen Zeitraum zu verlängern.

Die Ladung auf dem schwimmenden Gate eines Speichertransistors und dementsprechend dessen zu erwartende Nutz-Speicherdauer kann dadurch bestimmt werden, daß die Steuergatespannung gemessen wird, welehe erforderlich ist, um den Transistor in den Ein-Zustand zu versetzen. Ein voll programmierter Speichertransistor mit einer Speicher-Lebensdauer von ungefähr 100 Jahren kann einen Steuergate-Spannungsschwellenwert von etwa 10 Volt haben. Wenn die Elektronenladung auf dem schwimmenden Gate aber teilweise abgewandert ist, kann eine freigebende Steuergate-Schwellenwertspannung einen Wert von etwa 4 oder 5 Volt haben. Es ist daher erforderlich, die Lebensdauer der Speicherzelle durch Messung des Steuergate-Spannungsschwellenwerts zu bestimmen, welcher für die Freigabe des Speichertransistors notwendig ist.

Durch DE-OS 28 33 828 ist eine Schaltung zur Prüfung der Beständigkeit eines Halbleiterspeichers mit Feldeffekt-Transistoren bekanntgeworden, bei der eine Gleitspannung durch sukzessive Erhöhung den aktuellen Schwellenwert aufzufinden gestattet. Zu diesem Zweck werden bei einer Links/Rechtsübersteuerungs-Wahlschaltung geeignete Übersteuerungssignale und ihre Komplemente erzeugt. Je nach Wahl wird einer der MNOS FETs einer Speicherzelle zur Abfrage gewählt. Eine Speicherwahlschaltung koppelt die gewählten MNOS FET-Ausgänge an eine bistabile Klinke. Gleichzeitig werden Links-Übersteuerungs- und P.echts-Übersteuerungssignale an eine Bezugsspannungs-Wahlschaltung gegeben, um die Bezugsspannung mit der anderen Seite der bistabilen Klinke zu koppeln. Die Kopplung der Bezugsspannung und des Ausgangs der gewählten MNOS FETs an die entgegengesetzten Seiten der bistabilen Klinke ermöglicht einen Vergleich der beiden Si- ^ gnaie. Eine Änderung der Bezugsspannung in Stufensprüngen erlaubt dann die Bestimmung der Schwellenspannung des gewählten MNOS FETs.

Aufgabe der Erfindung ist, eine wesent'ich einfachere Prüfschaltung zu schaffen, welche eine Prüfung löschbarer programmierbarer Nurlesespeicher durch Messung des Spannungsschwellenwerts des Lesesignals ermöglicht.

Gemäß der Erfindung ist eine Schaltung der eingangs bezeichneten Art gekennzeichnet durch

— einen zweiten Eingang zur Aufnahme einer Prüfspannung mit einem über dem Schwellenwertpegel aller Zellen in der Matrix liegenden Pegel,

— wobei der erste Eingang zur Aufnahme einer meßbaren, extern erzeugten Gleitspannung zwischen Pegeln veränderbar ist, die höher und niedriger als die Spannungsschwellenwerte aller Zellen in der Matrix sind, und

— einen Spannungskontrolltransistor, mit einer ersten Elektrode, welche mit dem ersten Eingang, mit einer zweiten Elektrode, welche F.iit dem zweiten Eingang, und mit einer dritten Elektrode, welche mit jeder der Zeilenfreigabeleitungen in der Matrix derart gekoppelt ist, daß er die meßbare Gleitspannung zu der jeweiligen Zeilenfreigabeleilung weitergibt

Die Prüfschaltung ist eine n-Kaml-MOS-Schaltung auf dem gleichen IC-Plättchen wie der EPROM, und sie ermöglicht, daß der Freigabe-Steuergate-Spannungsschwellenwert in allen oder in bestimmten gewählten Speichertransistoren des EPROM gemessen wird. Die Prüfschaltung besitzt zusätzlich zu einem Signal auf dem üblichen »Verifikationseingang« eine Eingangsklemme für eine Gleitspannung auf dem IC-Plättchen. Der Gleitspannungseingangsklemme wird eine externe Sägezahn- oder Rampen-Gleitspannung zugeführt, welche sich zwischen etwa 2 und 12 Volt Gleichspannung ändert; bei Freigabe durch das Verifikationssignal bringt die Schaltung die Gleitspannung zu den Steuergates aller Speichertransistoren, welche mit der durch den Speicher-X-Leitungsdekoder gewählten X-Leitung verbunden sind. Das Drainelement jedes Speichertransistors in der gewählten -Y-Leitung wird mit einer separaten V-Leitung und mit einem Ausgangspuffer verbunden, so daß bei Abfrage des Puffers der jeweilige Wert der angelegten Gleitspannung die Schwellenspannung des betreffenden gewählten Transistors angibt und dementsprechend ein Maß für die erwartete Speicherdauer und die Zuverlässigkeit der Speicherung erhalten wird. Die Schaltung kann daher auch von besonderem Nutzen sein bei der Kartierung einer vollprogrammierten EPROM-Speichermatrix, ebenso wie zur Bestimmung des Schwellenwertpegels der geladenen bzw. programmierten Zellen.

Eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung wird nachfolgend anhand der Zeichnung, welche eine Schemazeichnung der mit einem kleinen Teil eines EPROM gekoppelten Prüfschaltung zeigt, näher beschrieben.

Die Zeichnung zeigt einen Teil eines EPROM üblicher Bauart mit Speichermatrix 10 aus mehreren Doppelgate-PoIysiliziumtransistoren, bei denen ein schwimmendes Gate zwischen dem η-Kanal und dem Steuergate vorhanden ist. Die die Matrix 10 bildenden EPROM-Transistoren sind in mehreren Reihen und Spalten angeordnet, wobei jede Reihe, z. B. die Reihe mit Transistoren 12, 13 und 14 mit einer X-Zeilenfreigabeleitung 16 einer in üblicher Weise aufgebauten X-Decoderschaltung 18 gekoppelt ist. Die Λ-Leitung 16 ist mit allen Steuergates der dieser Linie zugeordneten EPROM-Transistoren gekoppelt, also der Transistoren 12,13 und 14, und ähnliche A"-Zeilenfreigabeleitungen, wie Leitungen 20 und 22, sind in entsprechender Weise mit den Steuergales von EPROM-Transistoren in den betreffenden Reihen gekoppelt. Die Sourceelektroden aller EHROM-Transistoren sind mit Erd-Bezugspotential verbunden, während die Drainelektroden in jeder Spalte der EPROM-Transistoren in der Matrix 10 mit einer V-Leitung verbunden sind, im vorliegenden Beispiel

Leitungen 24, 26 oder 28. Jede der K-Leitungen ist über einen Y-Leitungswähler mit einem Ausgangs-Lese-Verstärker verbunden, z. B. einem Verstärker 32. Die gewählte K-Leitung wird durch eine Vorladungsschaltung 30 bekannter Bauart geladen.

Zürn Ablesen des EPROM lädt die Vorladungsschaltung 30 eine bestimmte K-Leitung, z. B. die Leitung 24, und es erfolgt dadurch die Freigabe aller mit der Leitung 24 gekoppelten EPROM-Transistoren. Alle X-Zeilenfreigabeleitungen, z. B. Leitungen 16, 20 oder 22, werden normalerweise durch die X-Wahlschaltung 18 auf Erd-Bezugspotential gehalten; wenn jedoch eine bestimmte A"-Leitung gewählt wird, z. B. Leitung 16, wird sie von Erde getrennt, und es wird eine Gatespannung mit einem Pegel angelegt, welcher zwischen den Schwellenpegeln unprogrammierter und programmierter EPROM-Transistoren liegt. Wenn daher die A"-Leitung 16 abzufragen ist, befinden sich alle übrigen A"-Leitungen, z. B. Leitungen 20 und 22, auf Erdpotential, und alle mit der X-Leitung 16 gekoppelten EPROM-Transistoren erhalten an ihren Steuergates eine positive Gatespannung. Da jedoch die V-Leitung 24 die einzige gewählte y-Leitung ist, wird EPROM-Transistor 12 als einzige Zelle in der Matrix 10 gewählt. Das Lesesignal erscheint beim Abfragen auf einer V-Leitung (Lesesignalleitung).

Wie bereits beschrieben, werden die Doppelgate-EPROM-Transistoren durch Anlegen geeigneter Programmierpotentiale an gewählte EPROM-Transistoren programmiert, so daß die schwimmenden Gates geladen werden. Ein programmierter EPROM-Transistor mit einem voll geladenen schwimmenden Gate kann, wie bereits erwähnt, eine effektive Speicher-Lebensdauer von etwa 100 Jahren haben, während ein programmierter Transistor mit einer Ladung, welche durch Strahlungseinfall oder andere Einflüsse herabgesetzt ist einen niedrigeren Schwellenwert hat und u. U. durch die angelegte Gatespannung in den Ein-Zustand versetzt werden kann, so daß eine Fehlausgabe erfolgt. Die der EPROM-Matrix 10 zugeordnete Prüfschaltung ermittelt die Leitungsschwellenspannung jedes gewählten EPROM-Transistors in der Matrix 10. Transistoren mit einem Spannungsschwellenwert von 7,5 bis 8 Volt können ais voll geladen angesehen werden, und sie werden eine lange Speicher-Lebensdauer haben; wenn jedoch der Spannungsschwellenwert auf einen Pegel von etwa 5 Volt fällt, ist dies ein Anzeichen für eine Verschlechterung der Datenspeichereigenschaften, und die Speicher-Lebensdauer wird in diesem Fall in der Größenordnung von nur etwa einem Jahr liegen. Durch Prüfen des Spannungsschwellenwerts jedes programmierten EPROM-Transistors, also derjenigen an das Steuergate angelegten Spannung, bei der eine Ausgabe aus dem Transistor erfolgt, kann die Programm-Lebensdauer und die Zuverlässigkeit der Speicherung festgestellt werden.

Der in der gestrichelten Linie 38 in der Zeichnung dargestellte Schaltungsteil enthält die auf dem Halbleiterplättchen (Chip) untergebrachte Gleitspannungs-Prüfschaltung. Die Prüfschaltung arbeitet nur im Konden Steuergates von Anreicherungstransistoren 45 und 46 verbunden ist; die Source-Elektrode des Transistors 46 ist geerdet. Die Transistoren 45 und 46 befinden sich daher im Normalfall im leitfähigen Zustand, und sie werden nichtleitfähig bei Anlegen des positiven Kontrollsignals an Eingangsklemme 40. Die Source von Transistor 45 ist mit Erd-Bezugspotential, und das Drain ist mit der Source des Transistors 47 verbunden. Das Drain von Transistor 47 ist gekoppelt mit Eingangsklemme 50, an welche eine Prüfgleichspannung angelegt ist, deren Spannung höher als die höchste Schwellenwertspannung eines beliebigen programmierten EPROM-Transistors ist, z. B. etwa 25 Volt. Das Gate des Transistors 47 ist mit seiner Source und mit dem Gate eines Anreicherungstransistors 52 gekoppelt. Bei Anlegen eines positiv gerichteten Kontrollsignals an die Klemme wird daher Transistor 45 nichtleitend, so daß im wesentlichen die gesamte an der Eingangsklemme 50 anliegende Prüfgleichspannung an das Gate des Transistors 52 angelegt wird und diesen voll in den leitfähigen Zustand versetzt. Eine Sägezahn- oder Rampenspannung, welche vorzugsweise zwischen Pegeln veränderbar ist, die größer sind als die Schwellenwertextreme unprogrammierter und programmierter EPROM-Transistoren, beispielsweise zwischen 2 und 12 Volt Gleichspannung, wird extern erzeugt, vorzugsweise durch eine geeignete Rechnerschaltung; zur Vereinfachung der Darstellung ist in der Zeichnung in diesem Zusammenhang ein Potentiometer 54 an der betreffenden Stelle eingetragen.

Die variable Spannung bzw. Gleitspannung wird an die erste Eingangsklemme 56 angelegt, welche mit dem Drain des Transistors 52 verbunden ist Die Source des Transistors 52 ist mit dem Drain von Transistor 46 und den Steuergates von mehreren Anreicherungstransistoren gekoppelt, z. B. 58, 60 und 62, welche mit jeder der X- Leitungen der Matrix 10 zusammenarbeiten. Die Source-Elektroden jedes der Transistoren 5«, 60 und 62 der .Y-Leitungen sind mit ihrer entsprechenden A"-Leitung über Gate-Source-verbundene Verarm ungs-BeIastungstransistoren, z. B. Transistoren 71, 72 und 73 gekoppelt und alle Drain-Elektroden sind miteinander gekoppelt und mit demjenigen Leiter verbunden, welcher die an Klemme 50 angelegte 25-Volt-Prüfspannung führt Falls erforderlich, können die Transistoren 58,60 und 62 der X-Leitungen so geschaltet sein., daß ihre Drain-Elektroden mit der Source von Transistor 52 und ihre Steuergates mit dem Prüfspannungsleiter bzw. Klemme 50 verbunden sind. Bei dieser Art der Schaltung wird die Prüfspannung die Transistoren der X-Le\- tungen voll in den Ein-Zustand versetzen, <;o daß die jeweilige Gleitspannung durch die Belastungswiderstände 71, 72 und 73 zu den betreffenden ^-Leitungen weitergegeben wird.
Wenn die in der gestrichelten Linie 38 dargestellte Schaltung durch Anlegen eines positiv gerichteten Kontrollsignals an Eingangsklemme 40 freigegeben ist, werden das Gate und die Source von Transistor 52 durch Transistor 46 bzw. 45 von dem Erd-Bezugspottential getrennt, und die volle hohe Prüfspannung bewirkt daß

troIl-Programm des Speichers, und das positiv gerichte- 60 Transistor 52 voll in den leitfähigen Zustand versetzt te Kontrollsignal wird an Eingangsklemme 40 angelegt wird. Die an Eingangsklemme 56 angelegte veränderli- und durch einen Inverter mit Transistoren 42 und 44 ehe Spannung wird daher an die Gate-Elemente der umgekehrt Die Klemme 40 ist mit dem Steuergate des Anreicherungstransistoren der ^-Leitung, z. B. 58, 60 Transistors 44 gekoppelt, dessen Source mit Erdpotenti- und 62, angelegt und versetzt sie in den Ein-Zustand. al und dessen Drain mit der Source des Verarmungs- 65 Während eines Schwellenwertpegel-Prüfvorgangs wird transistors 42 gekoppelt ist Das Drain des Transistors das negierte Kontrollsignal, welches auch an die Y-42 äst mit Vccivorzugsweise 5 Volt) gekoppelt, während Wahlschaltung 18 bei Eingangsklemme 64 angelegt ist, das Gate des Transistors 42 mit seinem Drain und mit nur die gewählte X-Leitung von Erde und V«. trennen,

so daß die Gleitspannung über die Anreicherungstransistoren, z. B. 58,60 und 62, und die Belastungswiderstände, z. B. 71,72 und 73, aufgenommen werden kann.

Zur Messung des Schwellenwerts von EPROM-Transistoren, z. B. Transistor 12, wird das wahre Kontrollsignal zunächst an Klemme 40 angelegt, und dann werden X-Leitung 16 und K-Leitung 24 in vorgegebener Reihenfolge gewählt. Der Ausgangsverstärker 32 wird keine Daten feststellen, da X-Leitung 16 gewählt ist und sich noch auf Vorladungspotential befindet. Nun wird die Gleitspannung Vchn an Klemme 56 in der Form einer langsam ansteigenden Rampen- oder Sägezahnspannung angelegt, und der Ausgangsverstärker 32 wird dauernd beobachtet. An dem kritischen Schwellenwertpegel des EPROM-Transistors 12 wird er einschalten, um die K-Leitung 24 zum Erdpotential hin zu entladen, und der Puffer 32 wird diese Entladung feststellen. In diesem Punkt wird die Gleitspannung gemessen, und der Schwellenwert von Transistor 12 wird gleich der gemessenen Gleitspannung abzüglich des Schwellenwertspannungsfalls des Anreicherungstransistors 58 sein.

Die Erfindung ermöglicht also die Herstellung einer auf einem Halbleiterplättchen angeordneten Schaltung zum Messen des Spannungsschwellenwerts und dementsprechend der Zuverlässigkeit der Datenspeicherung von Transistoren mit schwimmendem Gate, die in löschbaren programmierbaren Nurlesespeichern von elektronischen Datenverarbeitungsanlagen verwendet werden. Beim Anlegen eines Programmkontrollsignals wird eine extern einstellbare und geeichte Spannungsrampe bzw. eine Sägezahnspannung durch die Prüfschaltung an jede der Speicher-^f-Leitungen angelegt, weiche mit den Gate-Elementen der Speichertransistoren gekoppelt sind. Der Spannungsschwellenwert eines gewählten Transistors kann dann dadurch bestimmt werden, daß die Rampenspannung bis zu demjenigen Punkt erhöht wird, in dem der Transistor in den Ausgabezustand versetzt wird.

Der Gegenstand der Erfindung kann außer zu den näher beschriebenen Zwecken auch in vorteilhafter Weise zum Kartieren großer Speicheranordnungen verwendet werden. Bei einer solchen Prüfung wird eine feste Spannung mit einem Pegel zwischen dem Spannungsschwellenwert von programmierten und unprogrammierten EPROM-Transistoren an den V-Gleiteingang angelegt, und Prüfspannungen und Kontrollspannungen werden an die Klemmen 50 bzw. 40 angelegt Die X- und V-Wahlschaltungen des Speichers werden dann aktiviert, und der Zustand jedes Transistors wird durch Verstärker 32 abgefühlt, so daß eine Übersicht über den Speicher hergestellt werden kann.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
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Claims (7)

Patentansprüche:

1. Prüfschaltung für löschbare programmierbare Nurlesespeicher (EPROMs) zur Messung des Spannungsschwellenwerts des Lesesignals zum Erzeugen einer Ausgabe einer gewählten EPROM-Matrixspeicherzelle, mit mehreren Lesesignalleitungen (y₀ ...y„ entsprechend 24,26,28) und mehreren Zeilenfreigabeleitungen (xo ■ ■ ■ Xn entsprechend 16, 20, 22), und mit einem ersten Eingang 56) zur Aufnahme einer extern erzeugten variablen Spannung, gekennzeichnet durch

— einer, zweiten Eingang (50) zur Aufnahme einer Prüfspannung mit einem über dem Schwellenwertpegel aller Zellen in der Matrix liegenden Pegel,

— wobei der erste Eingang (56) zur Aufnahme einer meßbaren, extern erzeugten Gleitspannung zwischen Pegeln veränderbar ist, die höher und niedriger als die Spannungsschwellenwerte aller Zeiten in der Matrix sind, und

— einen Spannungskontrolltransistor (52), mit einer ersten Elektrode, welche mit dem ersten Eingang (56), mit einer zweiten Elektrode, welche mit dem zweiten Eingang (50), und mit einer dritten Elektrode, welche mit jeder der Zeilenfreigabeleitungen (16,20,22) in der Matrix derart gekoppelt ist, daß sie die meßbare Gleitspannung zu der jeweiligen Zeilenfreigabeleitung (16,20,22) weitergibt.

2. Schaltung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der EPROM eine integrierte MOS-Schaltung ist und die Prüfschaltung (38) sich auf demselben Chip der integrierten Schaltung wie der EPROM befindet.

3. Schaltung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Spannungskontrolltransistor (52) ein Anreicherungstransistor ist.

4. Schaltung nach einem der Ansprüche 1 —3, dadurch gekennzeichnet, daß die Sourceelektrode des Spannungskontrolltransistors (52) mit den Zeilenfreigabeleitungen (16,20, 22), daß die Drainelektrode mit dem ersten Eingang (56) und die Gateelektrode mit dem zweiten Eingang (50) gekoppelt ist.

5. Schaltung nach einem der Ansprüche 1 —4, gekennzeichnet durch einen dritten Eingang (40) zur Aufnahme eines Prüfschaltungs-Freigabesignals (Kontrollsignal).

6. Schaltung nach einem der Ansprüche 3—5, dadurch gekennzeichnet, daß der Leiter, welcher den Anreicherungstransistor (52) mit dem zweiten Eingang (50) koppelt, einen normalerweise nicht leitfähigen Serienschalttransistor (47) enthält, welcher beim Anlegen des Prüfschaltungs-Freigabesignals in den leitfähigen Zustand versetzt wird.

7. Schaltung nach Anspruch 5 oder 6, dadurch gekennzeichnet, daß der dritte Eingang (40) eine Transistorschallung (42, 44, 45) enthält, welche auf das Anlegen des Prüfschaltungs-Freigabesignals derart anspricht, daß sie das Steuergate des Serienschalttransistors (47) vom Erd-Bezugspotential trennt und das Gate mit dem zweiten Eingang (50) koppelt, so daß der Schalttransistor (47) voll in den leitfähigen Zustand versetzt wird.

Die Erfindung bezieht sich auf eine Prüfschaltung für löschbare programmierbare Nurlesespeicher (EPROMs) zur Messung des Spannungsschwellenwerts des Lesesignals zum Erzeugen einer Ausgabe einer gewählten EPROM-Matrixspeichcrzelle, mit mehreren Freigabeleitungen und mehreren Lesesignalleitungen, und mit einem ersten Eingang zur Aufnahme einer extern erzeugten variablen Spannung.
Digitale Datenverarbeitungsanlagen benutzen im allgemeinen flüchtige Speicher mit wahlfreiem Zugriff für die Speicherung temporärer Daten und nichtflüchtige permanente Nurlesespeicher (ROMs) für die Speicherung von permanenten Daten, welche gleichbleibend und wiederholt zur Verfügung stehen müssen, beispielsweise als spezielles Betriebsprogramm für die Datenverarbeitungsanlage. Bei den Mini- oder Mikrocomputern werden ROMs als integrierte Schaltungen dargestellt, welche im allgemeinen von den Herstellern nach den Spezifikationen der Kunden in großen Mengen programmiert werden, damit sie bestimmte Rechenoperationen ausführen können.

Eine Abart der ROM-Speicher mit ihren vom Hersteller produzierten Programmen ist der programmierbare ROM (PROM), welcher von dem Kunden ohne Programm gekauft und später nach den speziellen Bedürfnissen des Kunden in der gewünschten Weise programmiert werden kann. Diese PROMs sind besonders geeignet für Datenverarbeitungsanlagen, die für spezielle Zwecke vorgesehen sind, um ein festes Programm von Rechenvorgängen mit den jeweiligen Eingangsdaten auszuführen, und sie sind für Anwendungen bei geringen Quantitäten sehr wirtschaftlich. Das Programm des PROM ist permanent und kann bei Fehlprogrammierung oder bei Veralten des Programms nicht korrigiert oder verändert werden.

Um diese Unvollkommenheiten der nicht veränderbaren PROMs zu beheben, wurden löschbare PROMs entwickelt, welche nachfolgend als EPROMs bezeichnet werden. Der EPROM kann im wesentlichen in gleicher Weise wie der ROM oder der PROM programmiert werden; wenn aber beim Programmieren Fehler gemacht werden oder eine Löschung oder Veränderung des Programms erwünscht ist, kann der EPROM durch ultraviolette Strahlung vollständig gelöscht werden.

Im allgemeinen ist jede Speicherzelle eines EPROM ein Siliziumgate-MOS-Transistor, welcher ein zweites erdfreies (»schwimmendes«) Gate-Element aufweist, das zwischen dem η-Kanal und dem leitfähigen Gate-Element ausgebildet und diesen gegenüber isoliert ist.

Zur Programmierung eines Speichertransistors werden Spannungen, welche höher als die normale Betriebsspannung sind, in geeigneter Weise an die Gate- und Source-Elemente angelegt, so daß das schwimmende Gate-Element eine kleine Elektronenladung absorbiert und hält. Diese Ladung des schwimmenden Gate erhöht den Leitfähigkeitsschwellenwert an dem Steuer-Gate des Transistors von etwa 2 Volt auf etwa 10 Volt. Wenn danach der programmierte Speicher gelesen werden soll, muß eine Spannung, welche niedriger als der Schwellenpegel eines programmierten Transistors, aber höher als die Mindest-Schwellenspannung des unprogrammierten EPROM-Transistors ist, an das Steuer-Gate angelegt werden. Bei der Löschung programmierter Transistoren ermöglicht die ultraviolette Bestrahlung die Entladung der Elektronen aus dem schwimmenden Gate.

EPROMs sind unter normalen Bedingungen sehr vielseitig und zuverlässig, jedoch kann in bestimmten Fällen