DE3102174C2 - Plasmareaktor zur Behandlung von Halbleitern - Google Patents
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Abstract
Mit der Erfindung wird eine Plasmareaktionsvorrichtung mit einer zylindrischen Reaktionskammer geschaffen, die mit einem Gasvorrat zur Zufuhr eines Arbeitsgases für die Behandlung eines Werkstücks (22Δ), etwa eines Halbleiterplättchens, verbindbar ist. Um die Außenseite der Reaktionskammer (14Δ) herum ist eine äußere Elektrode (24Δ) montiert, während in ihrem Inneren mit Abstand von ihren Innenflächen eine Innenelektrode (38) angeordnet ist. Über die beiden Elektroden (24Δ, 38) ist eine Hochfrequenz-Spannungsquelle (32Δ) zur Anlegung einer Hochfrequenzspannung an die Elektroden (24Δ, 38) geschaltet, um das Arbeitsgas zur Erzeugung eines Plasmas im Raum zwischen den Elektroden (24;, 38) anzuregen. Die Innenelektrode (38) weist eine Vielzahl von durchgehenden Plasmadiffusions-Bohrungen (40, 42) in solcher Anordnung und mit solchen Abmessungen auf, daß effektiv eine im wesentlichen gleichmäßige Plasmakonzentration auf einer im Inneren der Reaktionskammer (14Δ) freiliegenden, dem Arbeitsgas ausgesetzten Werkstückoberfläche erzielt wird. Die Bohrungen (40, 42) sind insbesondere so angeordnet und bemessen, daß ein Öffnungs-Oberflächen-Verhältnis der Innenelektrode (38) (berechnet durch Dividieren der Gesamtquerschnittsfläche der Bohrungen (40, 42) durch die verbleibende Gesamtoberfläche der Innenelektrode (38), abzüglich der Gesamtquerschnittsfläche der Bohrungen (40, 42), und ausgedrückt als Flächeneinheit der Innenelektrode (38) in ihrem dicht neben der Werkstückoberfläche ......
Description
Die Erfindung bezieht sich auf einen Plasmareaktor nach dem Oberbegriff des Patentanspruches 1.
Plasmareaktionsverfahren werden bei der Behandlung von Halbleitermaterial verbreitet angewandt, z. B.
für das Ätzen, die Ablagerung bzw. Abscheidung und Veredelung an Halbleiterplättchen. Aus Japanese J. of
Appl. Phys. Vol. 18, Nr. 1, Januar 1979, S. 155-163 sind
Plasmareaktoren der eingangs genannten Art mit einer zylindrischen Reaktionskammer bekannt, um die herum
eine äußere Elektrode angeordnet ist und in welcher sich eine zylindrische Innenelektrode mit durchgehenden
Löchern befindet. Bei diesen Plasmareaktoren sind diese Löcher mit jeweils gleicher Querschnittsform und
Querschnittsfläche gleichmäßig über die Oberfläche der Innenelektrode verteilt.
Außerdem ist bei den Plasmareaktoren die Reaktionskammer mit einer Vakuumpumpe verbunden, und
ein Arbeitsgas wird über einen Sockel mit Einlassen in die Reaktionskammer eingeleitet Im Innern der
Reaktionskammer befindet sich eine Bühne zur Aufnahme eines Werkstücks im Raum innerhalb der
Innenelektrode, um eine unbedeckte Oberfläche des Werkstücks mit einem Plasma aus dem Arbeitsgas
behandeln zu können. Das Plasma wird durch Anregung des Arbeitsgases mittels einer von einer Hochfrequenzspannungsquelle
her über die Elektroden angelegten Hochfrequenzspannung erzeugt.
Mit diesen bekannten Plasmareaktoren läßt sich jedoch zumindest über einen größeren Druckbereich
des Arbeitsgases in der Reaktionskammer keine gleichmäßige Plasmakonzentration über die Oberfläche
eines zu behandelnden Werkstücks hinweg erreichen.
Dies beruht auf der Unmöglichkeit einer genauen Steuerung der Plasmagleichförmigkeit in der Reaktionskammer
aufgrund des Plasmadiffusionsmechanismus der in der Innenelektrode vorgesehenen durchgehenden
Löcher.
Als Folge dieses Problems werden zumindest bei höheren Arbeitsgasdrücken beispielsweise keine gleichmäßigen
Reaktionsgeschwindigkeiten oder -grade, keine gleichmäßige Oberflächenbehandlung, etwa
gleichmäßige Ätzgeschwindigkeiten oder -grade, erreicht.
Aus der DE-AS 25 31812 ist ein Plasmareaktor
bekannt, der ebenfalls eine mit Löchern versehene zylindrische Innenelektrode hat Für eii.e gleichmäßige
Behandlung einer Werkstückoberfläche sind die Einzelabmessungen der Löcher einerseits klein genug, um die
Plasmaentladung selbst vom Innern der gelochten Innenelektrode fernzuhalten; sie sind aber andererseits
auch groß genug, damit ausreichend aktive neutrale Radikale durch Diffusion die Werkstückoberfläche
erreichen können.
Mit diesen bekannten Plasmareaktoren ist es aber nicht möglich, auch bei höheren Arbeitsgasdrücken die
Gleichmäßigkeit der Behandlung über der Werkstückoberfläche hinweg sicherzustellen.
Es ist daher Aufgabe der Erfindung, einen Plasmareaktor zu schaffen, bei dem auch bei höheren
Arbeitsgasdrücken — und somit über einen größeren Bereich von Arbeitsgasdriicken — die Gleichmäßigkeit
der Behandlung über die Werkstückoberfläche hinweg gewährleistet ist.
Diese Aufgabe wird bei einem Plasmareaktor nach dem Oberbegriff des Patentanspruches 1 erfindungsgemäß
durch die in dessen kennzeichnenden Teil angegebenen Merkmale gelöst.
Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung ergeben sich aus den Patentansprüchen 2 bis 6.
Bei der Erfindung wird also der Durchmesser der Löcher in der Innenelektrode als Funktion des
Abstandes von der zu behandelnden Werkstückoberfläehe verändert, wodurch auch bei höheren Arbeitsgasdriicken
die angestrebte Gleichmäßigkeit der Behandlung gewährleistet wird. Durch diese gleichmäßige
Behandlung wird auch eine wesentlich höhere Genauigkeit der durch die Behandlung erzeugten Strukturen in
der Werkstückoberfläche erreicht.
Im folgenden sind bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung im Vergleich zum Stand der Technik
anhand der beigefügten Zeichnung näher erläutert. Es zeigt
F i g. 1 eine Schnittansicht eines bekannten Plasmareaktors,
Fig. 2 eine graphische Darstellung von Kennlinien bezüglich des Ätzens von polykristallinem Silizium zur
Erläuterung der Arbeitsweise des Plasmareaktors nach Fig. 1,
F i g. 3 eine Schnittansicht des Plasmareaktors gemäß einer Ausführungsform der Erfindung,
F i g. 4 eine F i g 2 entsprechende graphische Darstellung zur Erläuterung der Arbeitsweise des Plasmareaktors
nach F i g. 3 und
F i g. 5 bis 7 Teilansichten abgewandelter Innenelektroden.
Ein bekannter Plasmareaktor der eingangs genannten ic
Art zum Ätzen von Halbleiter-Plättchen besitzt typischerweise den Aufbau gemäß Fig. 1. Dieser
Piasmarsaktor umfaßt eine Basis bzw. einen Sockel 10 aus einem zweckmäßigen Isoliermaterial und ein
glockenförmiges Gehäuse 12, das unter Herstellung einer luftdichten Abdichtung abnehmbar auf den Sockel
10 aufgesetzt ist und welches aus Quarz besteht und eine im wesentlichen zylindrische, durch den Sockel 10
verschlossene Reaktionskammer 14 festlegt Letztere ist über eine im oberen Mittelbereich des Gehäuses 12
vorgesehene Absaugöffnung 16 mit einer nicht dargestellten Vakuumpumpe verbindbar. Die Reaktionskammer
14 ist zudem mit einem nicht dargestellten Vorrat eines Arbeitsgases, wie CF4-GaS, über im Sockel 10
ausgebildete Einlasse 18 verbindbar. Der Sockel 10 trägt auf seiner Innenfläche eine Werkstück-Bühne 20, auf
welche ein Werkstück 22, etwa ein zu ätzendes Halbleiter-Plättchen, auflegbar ist.
Dieser bekannte Plasmareaktor weist weiterhin zwei konzentrisch angeordnete, hohlzylindrische Elektroden
24 und 26 auf, die an der Außenseite bzw. im Innern der Reaktionskammer 14 angeordnet sind. Die äußere
Elektrode 24 ist an der Außenfläche des Gehäuses 12 so gehaltert, daß die Elektrode 24 die Reaktionskammer 14
an ihrer Außenseite konzentrisch umschließt. Die Innenelektrode 26 ruht auf dem isolierenden Sockel 10
innerhalb der Reaktionskammer 14 mit Einwärtsabstand von den Innenflächen und in konzentrischer
Anordnung zur äußeren Elektrode 24. Die Innenelektrode 26 ist aus noch zu erläuternden Gründen mit einer
Vielzahl von durchgehenden Löchern 30 versehen.
Es ist zu beachten, daß die Löcher 30 im wesentlichen gleichmäßig über die Gesamtoberfläche der Innenelektrode
26 verteilt sind und jeweils gleich große Querschnittsflächen besitzen (typischerweise 5 mm
Durchmesser). Mit anderen Worten: das Öffnungs-Oberflächen-Verhältnis der Innenelektrode 26 (d. h. das
Verhältnis von Gesamtquerschnittsfläche der Löcher und Oberfläche der Innenelektrode, abzüglich der
Lochfläche, ausgedrückt als Flächeneinheit der Elektrode) ist über die gesamte Elektrodenoberfläche hinweg
gleichbleibend.
Bei einem Ätzvorgang wird die Reaktionskammer 14 über die Absaugöffnung 16 mittels der
nicht dargestellten Vakuumpumpe evakuiert, während gleichzeitig ein Ätzgas, wie CF4-GaS, über die
Einiässe 18 in den Ringraum innerhalb der Reaktionskammer 14 eingeleitet wird, wobei das Innere der
Reaktionskammer 14 auf einem vergleichsweise niedrigen Druck gehalten wird. Von einer Hochfrequenz-Stromquelle
32 her wird elektrische Hochfrequenzenergie an die Elektroden 24 und 26 angelegt. Hierbei tritt
eine Hochfrequenzentladung zwischen Innenelektrode 26 und äußerer Elektrode 24 auf, wodurch das
Arbeitsgas angeregt und im Ringraum der Reaktionskammer 14 ein Plasma erzeugt wird. Das auf der Bühne
20 befindliche Werkstück 22 wird dabei durch aktive Radikale in dem Plasma geätzt, die durch die Löcher 30
hindurchdiffundieren und das Werkstück 22 erreichen. Als Ätzreagens wird im wesentlichen die neutrale
aktive Komponente (Radikale) im genannten Plasma betrachtet Es wird angenommen, daß dieses Ätzreagens
zwischen den Elektroden 24 und 26 entsteht und das außerhalb des Entstehungsbereichs befindlich;;
Wei kstück 22 mittels eines Gasdiffusionsmechanismus erreicht der durch die Löcher 30 in der Innenelektrode
26 ermöglicht wird. Die aktive Lebensdauer dieser Radikale ist begrenzt und variiert mit dem Ätzgasdruck.
Bei diesem bekannten Plasmaätzreaktor wurde beispielsweise die Beziehung zwischen der Ätzgeschwindigkeit
oder dem Ätzgrad und dem Ätzgasdruck beim Ätzen einer polykristallinen Siliziumschicht auf
dem Plättchen mit CF4-GaS untersucht. Dabei zeigte es sich, daß zur Erhöhung der Ätzgeschwindigkeit der
Abgasdruck erhöht werden muß, was jedoch zu einer
Verschlechterung der Gleichmäßigkeit des Ätzgrades über das Plättchen hinweg führt, wie dies in F i g. 2
veranschaulicht ist, gemäß welcher die Ätzgrade im Mittelbereich (Kurve 34) und im Randbereich (Kurve
36) des Plättchens beträchtlich voneinander abweichen. Bei hohem Ätzgasdruck ist die mittlere freie Auswanderung
oder Verbreitung der Radikale gering, so daß die Dichte der Radikale im Randbereich des Plättchens
ziemlich groß ist und damit auch der Ätzgrad ansteigt. Infolgedessen wird keine gleichmäßige Ätztiefe über
das Plättchen hinweg erreicht. Zur Vermeidung dieser Schwierigkeit muß daher der Ätzgasdruck genau
geregelt werden.
Im folgenden sind nun spezielle Ausführungsformen der Erfindung anhand der F i g. 3 bis 7 erläutert. Der
Plasmareaktor gemäß der Erfindung umfaßt eine Innenelektrode 38 innerhalb einer Reaktionskammer
14', die durch eine Glocke bzw. ein Gehäuse 12' und einen Sockel 10' festgelegt wird. Ersichtlicherweise
unterscheidet sich die Innenelektrode 38 des erfindungsgemäßen Plasmareaktors von der Innenelektrode 26
gemäß F i g. 1 durch die Gestalt bzw. Abmessungen der durchgehenden Plasmadiffusions-Löcher, während die
anderen Teile dieses Plasmareaktors im wesentlichen den Teilen von Fig. 1 entsprechen und daher mit
denselben Bezugsziffern wie vorher, aber mit angehängtem Indexstrich, bezeichnet sind.
Beim erfindungsgemäßen Plasmareaktor ist die Innenelektrode 38 mit einer Vielzahl von durchgehenden
Plasmadiffusions-Löchern 40 und 42 unterschiedlichen Durchmessers versehen, über welche das im
Ringraum zwischen den Elektroden 24' und 38 sowie in der Reaktionskammer 14' erzeugte Plasma in den
Mittelbereich eintreten kann, in welchem sich das Werkstück 22' befindet. Hierbei besitzen die im
Oberteil, d. h. in dem weiter vom Werkstück 22' auf der Bühne 20' entfernten Teil der Innenelektrode 38
vorgesehenen Löcher 40 einen vergleichsweise großen Durchmesser von 5 mm, während die Löcher 42 im
unteren, dichter am Werkstück 22' liegenden Teil der Innenelektrode 38 einen vergleichsweise kleinen Durchmesser
von 1 mm besitzen. Der Mittenabstend zwischen den Löchern 40 und 42 ist über die gesamte
Innenelektrode 38 hinweg gleichbleibend.
Die Innenelektrode 38 des erfindungsgemäßen Plasmareaktors besitzt somit in einem vom Werkstück
22' auf der Bühne 20' vergleichsweise weiter entfernten Beeich eine vergleichsweise große Plasma-Durchlässigkeit
bzw. ein vergleichsweise großes Öffnungs-Oberflächen-Verhältnis und in einem näher am Werkstück
22' gelegenen Bereich eine vergleichsweise geringe
Plasma-Durchlässigkeit bzw. ein vergleichsweise kleines
Öffnungs-Oberflächen-Verhältnis. Das Größenverhältnis zwischen den größeren und den kleineren
Löchern 40 bzw. 42 ist so zu wählen, daß die Plasmakonzentration auf der Gesamtoberfläche des
Werkstücks im wesentlichen gleichmäßig ist.
Der Grund dafür, weshalb die Plasmakonzentration auf dem Werkstück durch das speziell gewählte
Öffnungs-Oberflächen-Verhältnis der Innenelektrode 38 gleichmäßig gehalten werden kann, wird darin
gesehen, daß, während das im ringförmigen Plasmaentstehungsraum erzeugte Plasma in diesem Raum eine im
wesentlichen gleichmäßige Dichte besitzt, die Dichte der Radikale unmittelbar innerhalb der Innenelektode
38 durch deren sich änderndes Öffnungs-Oberflächen-Verhältnis so gesteuert wird, daß sie im unteren Bereich
vergleichsweise niedrig und im oberen Bereich vergleichsweise hoch ist, und daß die im unteren Bereich
der Innenelektrode 38 in niedrigerer Dichte vorliegenden Radikale das Werkstück wegen der kürzeren
zurückzulegenden Strecke ohne stärkere Verdünnung erreichen, während die im oberen Bereich der
Innenelektrode 38 in höherer Dichte vorliegenden Radikale aufgrund der längeren Bewegungsstrecke und
-zeit das Werkstück 22' erst nach stärkerer Verdünnung erreichen.
F i g. 4 veranschaulicht die Ergebnisse eines Versuchs,
bei dem der erfindungsgemäße Plasmareaktor für das Ätzen einer polykristallinen Siliziumschicht eingesetzt
wurde. Gemäß F i g. 4 ist der Unterschied zwischen dem Ätzgrad im Mittelbereich (Kurve 44) und demjenigen im
Randbereich (Kurve 46) des Plättchens im Vergleich zum Ätzgradunterschied des bekannten Plasmareaktors
gemäß F i g. 2 erheblich verkleinert. Die Kurven 44 und 46 zeigen außerdem, daß die Ätzgrade über einen
ziemlich weiten Druckbereich hinweg annähernd ίο konstant sind.
Die F i g. 5 bis 7 veranschaulichen andere Ausführungsformen der Innenelektrode. Die Innenelektrode 48
gemäß Fig.5 weist eine Vielzahl von rechteckigen Plasmadiffusions-Löchern 50 und 52 auf, von denen die
oberen Löcher 50 einen größeren Querschnitt besitzen als die unteren Löcher 52. Die Innenelektrode 54 gemäß
F i g. 6 besiehi aus einem rvieiallgiuer, das im oberen
Bereich rechteckige öffnungen bzw. Maschen 56 besitzt, die größer sind als die rechteckigen öffnungen
bzw. Maschen 58 im unteren Bereich. Die Innenelektrode 60 gemäß Fig. 7 ist dagegen im oberen Bereich mit
kreisförmigen Löchern 62 versehen, während sie in ihrem unteren Bereich keine Löcher aufweist. Bei dieser
letzteren Ausführungsform kann das Öffnungs-Oberflächen-Verhältnis
im unteren, vergleichsweise dicht am Werkstück gelegenen Teil der Innenelektrode als Null
betragend angesehen werden.
Hierzu 3 Blatt Zeichnungen
Claims (6)
1. Plasmareaktor zur Behandlung eines Werkstücks aus Halbleitermaterial, mit einer zylindrischen
Reaktionskammer zur Aufnahme eines Arbeitsgases, mit einer die Außenfläche der Reaktionskammer umschließenden, zylindrischen äußeren
Elektrode, mit einer im Innern der Reaktionskammer mit Abstand von ihrer Innenfläche koaxial
angeordneten, zylindrischen und mit Löchern versehenen Innenelektrode, mit einer innerhalb der
Innenelektrode angeordneten Werkstiick-Bühne zur Aufnahme des zu behandelnden Werkstücks und mit
einer Hochfrequenz-Spannungsquelle, die an die Elektroden angeschlossen ist, wobei in der Reaktionskammer
zwischen den Elektroden eine Plasmaentladung erzeugt wird, dadurch gekennzeichnet,
daß die Anordnung und die Bemessung der Löcher (40, 42; 50, 52; 56, 58; 62) der Innenelektrode (38; 48; 54; 60) so getroffen sind, daß
das Verhältnis aus der Gesamtquerschnittsfläche der Löcher und dem verbleibenden Rest der Oberfläche
der Innenelektrode in einem näher am Werkstück gelegenen Bereich der Innenelektrode vergleichsweise
klein und in einem weiter von der Werkstückoberfläche entfernten Bereich der Innenelektrode
vergleichsweise groß ist.
2. Plasmareaktor nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Verhältnis aus der Gesamtquerschnittsfläche
der Löcher und dem verbleibenden Rest der Oberfläche der Innenelektrode (60) in
dem der Werkstückoberfläche eng benachbarten Bereich der Innenelektrode gleich Null ist.
3. Plasmareaktor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Löcher (50,52; 56,58) einen
rechteckigen Querschnitt besitzen.
4. Plasmareaktor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Löcher (40, 42; 62) einen
kreisförmigen Querschnitt besitzen.
5. Plasmareaktor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Innenelektrode (54) eine
Gitter- oder Maschendrahtkonstruktion ist.
6. Plasmareaktor nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Arbeitsgas für das zu
ätzende Werkstück (22') ein Ätzgas ist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP55008177A JPS601952B2 (ja) | 1980-01-25 | 1980-01-25 | プラズマエツチング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3102174A1 DE3102174A1 (de) | 1981-12-10 |
DE3102174C2 true DE3102174C2 (de) | 1983-03-31 |
Family
ID=11686027
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3102174A Expired DE3102174C2 (de) | 1980-01-25 | 1981-01-23 | Plasmareaktor zur Behandlung von Halbleitern |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4358686A (de) |
JP (1) | JPS601952B2 (de) |
DE (1) | DE3102174C2 (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3712971A1 (de) * | 1987-04-16 | 1988-11-03 | Plasonic Oberflaechentechnik G | Verfahren und vorrichtung zum erzeugen eines plasmas |
Families Citing this family (47)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS59129872U (ja) * | 1983-02-19 | 1984-08-31 | 日本真空技術株式会社 | プラズマエツチング装置 |
US4508612A (en) * | 1984-03-07 | 1985-04-02 | International Business Machines Corporation | Shield for improved magnetron sputter deposition into surface recesses |
US4657620A (en) * | 1984-10-22 | 1987-04-14 | Texas Instruments Incorporated | Automated single slice powered load lock plasma reactor |
GB8431422D0 (en) * | 1984-12-13 | 1985-01-23 | Standard Telephones Cables Ltd | Plasma reactor vessel |
US4717806A (en) * | 1985-02-05 | 1988-01-05 | Battey James F | Plasma reactor and methods for use |
US4631105A (en) * | 1985-04-22 | 1986-12-23 | Branson International Plasma Corporation | Plasma etching apparatus |
GB8522976D0 (en) * | 1985-09-17 | 1985-10-23 | Atomic Energy Authority Uk | Ion sources |
US4632719A (en) * | 1985-09-18 | 1986-12-30 | Varian Associates, Inc. | Semiconductor etching apparatus with magnetic array and vertical shield |
US4716295A (en) * | 1985-10-01 | 1987-12-29 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Ion beam generator |
US4845041A (en) * | 1985-11-20 | 1989-07-04 | Analyte Corporation | Atomic-absorption sputtering chamber and system |
US5171525A (en) * | 1987-02-25 | 1992-12-15 | Adir Jacob | Process and apparatus for dry sterilization of medical devices and materials |
US4917586A (en) * | 1987-02-25 | 1990-04-17 | Adir Jacob | Process for dry sterilization of medical devices and materials |
US5087418A (en) * | 1987-02-25 | 1992-02-11 | Adir Jacob | Process for dry sterilization of medical devices and materials |
US5200158A (en) * | 1987-02-25 | 1993-04-06 | Adir Jacob | Process and apparatus for dry sterilization of medical devices and materials |
US4931261A (en) * | 1987-02-25 | 1990-06-05 | Adir Jacob | Apparatus for dry sterilization of medical devices and materials |
US4801427A (en) * | 1987-02-25 | 1989-01-31 | Adir Jacob | Process and apparatus for dry sterilization of medical devices and materials |
US4976920A (en) * | 1987-07-14 | 1990-12-11 | Adir Jacob | Process for dry sterilization of medical devices and materials |
US4943417A (en) * | 1987-02-25 | 1990-07-24 | Adir Jacob | Apparatus for dry sterilization of medical devices and materials |
US4859303A (en) * | 1987-10-09 | 1989-08-22 | Northern Telecom Limited | Method and apparatus for removing coating from substrate |
US4836902A (en) * | 1987-10-09 | 1989-06-06 | Northern Telecom Limited | Method and apparatus for removing coating from substrate |
FR2641000A1 (de) * | 1988-12-22 | 1990-06-29 | Centre Nat Rech Scient | |
JP3381916B2 (ja) * | 1990-01-04 | 2003-03-04 | マトソン テクノロジー,インコーポレイテッド | 低周波誘導型高周波プラズマ反応装置 |
JP3115015B2 (ja) * | 1991-02-19 | 2000-12-04 | 東京エレクトロン株式会社 | 縦型バッチ処理装置 |
DE4140158A1 (de) * | 1991-12-05 | 1993-06-09 | Krupp Widia Gmbh, 4300 Essen, De | Verfahren und vorrichtung zur hartstoffbeschichtung von substratkoerpern |
US5286297A (en) * | 1992-06-24 | 1994-02-15 | Texas Instruments Incorporated | Multi-electrode plasma processing apparatus |
KR100333237B1 (ko) * | 1993-10-29 | 2002-09-12 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 플라즈마에칭챔버내에서오염물질을감소시키는장치및방법 |
RU2046322C1 (ru) * | 1993-12-22 | 1995-10-20 | Лев Борисович Шелякин | Устройство для выявления деформированных участков поверхности электропроводящих тел |
US5882468A (en) * | 1996-02-23 | 1999-03-16 | International Business Machines Corporation | Thickness control of semiconductor device layers in reactive ion etch processes |
US6356097B1 (en) | 1997-06-20 | 2002-03-12 | Applied Materials, Inc. | Capacitive probe for in situ measurement of wafer DC bias voltage |
US5942889A (en) * | 1997-06-20 | 1999-08-24 | Applied Materials, Inc. | Capacitive probe for in situ measurement of wafer DC bias voltage |
ATE458261T1 (de) * | 1998-12-11 | 2010-03-15 | Surface Technology Systems Plc | Plasmabehandlungsgerät |
US6409896B2 (en) | 1999-12-01 | 2002-06-25 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for semiconductor wafer process monitoring |
US20020185226A1 (en) * | 2000-08-10 | 2002-12-12 | Lea Leslie Michael | Plasma processing apparatus |
DE10243406A1 (de) * | 2002-09-18 | 2004-04-01 | Leybold Optics Gmbh | Plasmaquelle |
US20040142558A1 (en) * | 2002-12-05 | 2004-07-22 | Granneman Ernst H. A. | Apparatus and method for atomic layer deposition on substrates |
US7232767B2 (en) * | 2003-04-01 | 2007-06-19 | Mattson Technology, Inc. | Slotted electrostatic shield modification for improved etch and CVD process uniformity |
US7537662B2 (en) * | 2003-04-29 | 2009-05-26 | Asm International N.V. | Method and apparatus for depositing thin films on a surface |
US7601223B2 (en) * | 2003-04-29 | 2009-10-13 | Asm International N.V. | Showerhead assembly and ALD methods |
US20070264427A1 (en) * | 2005-12-21 | 2007-11-15 | Asm Japan K.K. | Thin film formation by atomic layer growth and chemical vapor deposition |
JP4722743B2 (ja) * | 2006-03-28 | 2011-07-13 | 本田技研工業株式会社 | ステアリングハンガービーム構造 |
US7789965B2 (en) | 2006-09-19 | 2010-09-07 | Asm Japan K.K. | Method of cleaning UV irradiation chamber |
US8052799B2 (en) * | 2006-10-12 | 2011-11-08 | International Business Machines Corporation | By-product collecting processes for cleaning processes |
US7871937B2 (en) | 2008-05-16 | 2011-01-18 | Asm America, Inc. | Process and apparatus for treating wafers |
TWI449080B (zh) * | 2012-07-25 | 2014-08-11 | Au Optronics Corp | 電漿反應機台 |
CN108321101B (zh) * | 2018-02-24 | 2020-09-11 | 惠科股份有限公司 | 一种电极组件和蚀刻设备 |
CN110684963B (zh) * | 2019-10-21 | 2022-05-20 | 江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司 | 用于镀膜设备的气流导散装置及其应用 |
CN110684962B (zh) * | 2019-10-21 | 2022-03-29 | 江苏菲沃泰纳米科技股份有限公司 | 用于镀膜设备的气流导散装置及其应用 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4362632A (en) * | 1974-08-02 | 1982-12-07 | Lfe Corporation | Gas discharge apparatus |
US4119881A (en) * | 1978-02-27 | 1978-10-10 | Control Data Corporation | Ion beam generator having concentrically arranged frustoconical accelerating grids |
-
1980
- 1980-01-25 JP JP55008177A patent/JPS601952B2/ja not_active Expired
-
1981
- 1981-01-23 US US06/227,675 patent/US4358686A/en not_active Expired - Lifetime
- 1981-01-23 DE DE3102174A patent/DE3102174C2/de not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3712971A1 (de) * | 1987-04-16 | 1988-11-03 | Plasonic Oberflaechentechnik G | Verfahren und vorrichtung zum erzeugen eines plasmas |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE3102174A1 (de) | 1981-12-10 |
JPS56105482A (en) | 1981-08-21 |
JPS601952B2 (ja) | 1985-01-18 |
US4358686A (en) | 1982-11-09 |
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