DE3110138A1 - Verfahren zur darstellung logischer zustandsaenderungen mehrerer benachbarter schaltungsknoten in integrierten schaltungen in einem logikbild mittels einer gepulsten elektronensonde - Google Patents

Verfahren zur darstellung logischer zustandsaenderungen mehrerer benachbarter schaltungsknoten in integrierten schaltungen in einem logikbild mittels einer gepulsten elektronensonde

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DE3110138A1 DE19813110138 DE3110138A DE3110138A1 DE 3110138 A1 DE3110138 A1 DE 3110138A1 DE 19813110138 DE19813110138 DE 19813110138 DE 3110138 A DE3110138 A DE 3110138A DE 3110138 A1 DE3110138 A1 DE 3110138A1
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Peter Dipl.-Ing. Fazekas
Hans-Peter Dipl.-Phys. Dr. Feuerbaum
Ulrich Dipl.-Phys. 8000 München Knauer
Johann Ing.(grad.) 8170 Bad Tölz Otto
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    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/302—Contactless testing
    • G01R31/305—Contactless testing using electron beams
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y15/00—Nanotechnology for interacting, sensing or actuating, e.g. quantum dots as markers in protein assays or molecular motors

Description

SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT 2 Unser Zeichen Berlin und München VPA 81 P 7 0 2 0 DE
Verfahren zur Darstellung logischer Zustandsänderungen mehrerer benachbarter Schaltungsknoten in integrierten Schaltungen in einem Logikbild mittels einer gepulsten Elektronensonde.
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Darstellung logischer Zustandsänderungen mehrerer benachbarter Schaltungsknoten in integrierten Schaltungen in einem Logikbild mittels einer gepulsten Elektronensonde.
Für die Schaltungsanalyse während der Entwicklungsphase von Mikroprozessoren und Mikrocomputern mit immer größer werdenden Datenbreiten ist eine neue Meßtechnik erforderlich. Die Erfindung beschreibt ein Verfahren, mit dem eine Abbildung logischer Zustandsänderungen an benachbarten Leitbahnen möglich ist, sofern die interessierenden Meßpunkte auf einer Geraden liegen.
Bekannt sind die miteinander verwandten Verfahren "Stroboscopic Voltage Coding" (H. P. Feuerbaum "Beiträge zu Fortschritten in der Elektronenstrahlmeßtechnik", Beiträge elektronenmikroskopischer Direktabbildung Ob ei*· flächen 11, 67-71 (1978)) und "Logic State Happing" (G. Crichton et al: Electron Beam Testing of Microprocessors, Digest of papers 1980 IEEE Test Conference, pp. 444-449, (198O) und P. Fazekas in"Elektronenstrahl prüft elektrische Potentiale in integrierten Schaltungen, Technisches Messen, 48 (1981) 1, S. 29-35). Diese bekannten Verfahren ermöglichen eine Abbildung logischer Zustandsänderungen an längeren parallel verlaufenden Leitbahnen gleichzeitig. An kurzen Leitbahnstücken sind die beiden genannten Verfahren jedoch nicht anwendbar.
My 1 Plr/13.3.1981
- * - VPA 81 P 7 0 2 0 OE
Zustandsänderungen an kurzen Leitbahnen können entweder mit mechanischen Meßspitzen oder mit der Elektronensonde Leitbahn für Leitbahn einzeln gemessen werden. Eine gleichzeitige Messung von Zustandsänderungen an kurzen Leitbahnen ist jedoch mit mechanischen Meßspitzen schwer möglich.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Darstellung logischer Zustandsänderungen mehrerer benachbarter Schaltungsknoten in integrierten Schaltungen in einem Logikbild mittels einer gepulsten Elektronensonde in einem Rasterelektronenmikroskop anzugeben, welches auch an kurzen Leitbahnstücken anwendbar ist.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die gepulste Elektronensonde auf der integrierten Schaltung stets dieselbe Strecke in x-Richtung abtastet, während der Elektronenstrahl am Bildschirm des Raster-Elektronenmikroskops diesen Bildschirm Zeile für Zeile abtastet, wobei gleichzeitig mit dem Zeilenvorschub am Bildschirm in y-Richtung die Phase der Elektronenpulse kontinuierlich verschoben wird.
Um den im Logikbild abzubildenden Zeitbereich zu bestimmen, wird der Phasenbereich eines Bilddurchlaufes frei gewählt.
Um eine Zuordnung zwischen Logikbild und Prüfling zu erhalten, ist es möglich, bis zur Aufnahmelinie die Probe abzubilden und erst bei dieser Linie die y-Ablenkung der gepulsten Elektronensonde festzuhalten. Das Bild auf dem Bildschirm des Raster-Elektronenmikroskops zeigt dann im oberen Teil einen Ausschnitt der integrierten Schaltung und im daran anschließenden unteren Teil des Bildschirms des Raster-Elektronenmikroskops eine Balkendarstellung der logischen Zustände der zuletzt abgebildeten Zeile dieser integrierten Schaltung, welche
H
-S- VPA 8J ρ 7 0 2 0 QE
bei der Darstellung logischer Zustandsänderungen mehrerer benachbarter Schaltungsknoten in dieser integrierten Schaltung in einem Logikbild mittels einer gepulsten Elektronensonde als Aufnahmelinie dient.
Der Informationsgehalt der in einem Logikbild dargestellten logischen Zustandsänderungen mehrerer benachbarter Schaltungsknoten in integrierten Schaltungen entspricht dem eines konventionellen Logikanalysator, wie er zur Prüfung von Mikrocomputern und Rechnern verwendet wird (J. McLeod, Logic analyzers - sharp faultfinders getting sharper, Electronic Design, 28 (1980) 7 S. 48-56).
Die Erfindung ist in der Zeichnung dargestellt und wird im folgenden näher beschrieben.
Die Figur zeigt eine erfindungsgemäße Bewegung der gepulsten Elektronensonde bei der Erzeugung des Logikbildes.
Die hier beschriebene Technik des Logikbildes baut auf den zum Stand der Technik zitierten Arbeiten auf. Im folgenden wird das Meßprinzip zur Erstellung eines Logikbildes beschrieben. Die experimentellen Untersuchungen wurden an einem unpassivierten 8085 Mikroprozessor durchgeführt, der in einer geschrumpften Version bei Siemens entwickelt und hergestellt wurde.
Das Meßprinzip zur Erstellung eines Logikbildes beruht auf dem Samplingprinzip (L. BaIk et al, "Quantitative Voltage Contrast at High Frequencies in the SEM", SEM/1976 pp. 615-624). Das bedeutet in der Elektronenstrahlmeßtechnik, daß die Elektronensonde mit der Frequenz der Programmschleife gepulst, und die Phase über die gesamte Schleife oder Teile davon geschoben wird. Die Programmschleifen sollen dabei so kurz wie möglich sein, da das Puls-Pauseverhältnis bei den Sampling-
- 4 - VPA 81 ρ .7 0 2 0 OE
techniken mit der Elektronensonde nicht zu klein sein darf (A. Gopinath, "Estimate of minimum measurable voltage in the SEM", J. Phys. E: Sei. instrum., Vol. 10, pp. 911-913, (1977)).
In der Figur ist schematisch gezeigt, wie ein Logikbild entsteht. Die gepulste Elektronensonde tastet die Leitbahnen langsam in x-Richtung ab, von denen im Bild nur zwei gezeigt sind. Ist sie am Zeilenende E angelangt, springt sie zum Zeilenanfang A zurück und der Vorgang beginnt von neuem ("line scan").
Während die gepulste Elektronensonde auf der integrierten Schaltung stets dieselbe Strecke in x-Richtung abtastet, rastert der Elektronenstrahl am Bildschirm des Raster-Ei ektronenmikroskopes diesen Bildschirm Zeile für Zeile ab, so daß ein flächenhaftes Bild auf diesem Bildschirm entsteht. Gleichzeitig mit dem Zeilenvorschub in y-Richtung am Bildschirm wird die Phase der Elektronenpulse, welche die Leitbahnen langsam in x-Richtung abtasten, kontinuierlich verschoben. Durch den frei wählbaren Phasenbereich während eines Bilddurchlaufes können entweder die gesamte Programmschleife oder beliebige Teile davon im Logikbild dargestellt werden. Die Abbildung der logischen Zustände erfolgt dabei durch den Potentialkontrast: logisch "0" erscheint hell und logisch "1" erscheint dunkel (A. Gopinath et al, "Voltage Contrast: A Review", SEM/1978 pp. 375-380 und H.-P. Feuerbaum et al, "Qualitative and quantitative voltage measurement on integrated circuits", Beiträge elektronenmikroskopischer Direktabbildung Oberfläche, vol. 8 pp. 469-480, 1975).
Die Messung mit einem erfindungsgemäßen Verfahren an einem unpassivierten 8085 Mikroprozessor ergibt die eingegebene Programmschleife exakt wieder.
-*- VPA 81 P 70 2 0OE
Die Bedeutung des Logikanalysators für die Prüfling von Rechnersystemen mit großer Datenbreite ist unbestritten. Nun ist es auch innerhalb integrierter Schaltungen möglich, sogar an kurzen Leitbahnstücken Logikbilder mit Hilfe einer gepulsten Elektronensonde zu erhalten. Schwächen und Fehler in Mikroprozessoren und Mikrocomputern, die mit anderen Mitteln nicht zu erfassen waren, konnten bereits erfolgreich aufgeklärt werden. Mit PE ist die gepulste Elektronensonde und mit SE sind die Sekundärelektronen bezeichnet.
3 Patentansprüche
1 Figur

Claims (3)

VPA st ρ 7 0 2 0 OE Patentansprüche.
1. Verfahren zur Darstellung logischer Zustandsänderungen mehrerer "benachbarter Schaltungsknoten in integrierten Schaltungen in einem Logikbild mittels einer gepulsten Elektronensonde in einem Raster-Elektronenmikroskop, dadurch g ekennzeichnet, daß die gepulste Elektronensonde auf der integrierten Schaltung stets dieselbe Strecke in x-Richtung abtastet, während der Elektronenstrahl am Bildschirm des Raster-Elektronenmikroskops diesen Bildschirm Zeile für Zeile abtastet, ■wobei gleichzeitig mit dem Zeilenvorschub am Bildschirm in y-Richtung die Phase der Elektronenpulse kontinuierlich verschoben wird.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet , daß der Phasenbereich entsprechend dem im Logikbild abzubildenden Zeitbereich gewählt wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet , daß bis zur Aufnahmelinie die Probe abgebildet wird und erst bei dieser Aufnahmelinie die y-Ablenkung der gepulsten Elektronensonde festgehalten wird.
DE19813110138 1981-03-16 1981-03-16 Verfahren zur darstellung logischer zustandsaenderungen mehrerer benachbarter schaltungsknoten in integrierten schaltungen in einem logikbild mittels einer gepulsten elektronensonde Withdrawn DE3110138A1 (de)

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US06/341,106 US4471302A (en) 1981-03-16 1982-01-20 Method for representing logical status changes of a plurality of adjacent circuit nodes in an integrated circuit in a logic image employing a pulsed electron probe
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Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3334494A1 (de) * 1983-09-23 1985-04-11 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zum messen niederfrequenter signalverlaeufe innerhalb integrierter schaltungen mit der elektronensonde
DE3579380D1 (de) * 1984-06-01 1990-10-04 Siemens Ag Verfahren zur elektrischen pruefung von mikroverdrahtungen mit hilfe von korpuskularsonden.
FR2592958B1 (fr) * 1986-01-14 1988-05-13 Matra Procede et dispositif d'analyse de composants electroniques en contraste de potentiel.
US4749947A (en) * 1986-03-10 1988-06-07 Cross-Check Systems, Inc. Grid-based, "cross-check" test structure for testing integrated circuits
NL8700933A (nl) * 1987-04-21 1988-11-16 Philips Nv Testmethode voor lcd-elementen.
US4902963A (en) * 1988-01-28 1990-02-20 Brust Hans D Method and arrangement for recording periodic signals with a laser probe
US5065090A (en) * 1988-07-13 1991-11-12 Cross-Check Technology, Inc. Method for testing integrated circuits having a grid-based, "cross-check" te
DE58907956D1 (de) * 1989-04-11 1994-07-28 Siemens Ag Verfahren zur Aufzeichnung oder Abbildung zeitabhängiger Potentiale in Bauelementen der Mikroelektronik.

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2814049A1 (de) * 1978-03-31 1979-10-18 Siemens Ag Verfahren zur beruehrungslosen messung des potentialverlaufs in einem elektronischen bauelement und anordnung zur durchfuehrung des verfahrens
DE2813947C2 (de) * 1978-03-31 1986-09-04 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur berührungslosen Messung des Potentialverlaufs in einem elektronischen Bauelement und Anordnung zur Durchführung des Verfahrens
DE2813948A1 (de) * 1978-03-31 1979-10-11 Siemens Ag Verfahren zur elektronischen abbildung der potentialverteilung in einem elektronischen bauelement
DE2903077C2 (de) * 1979-01-26 1986-07-17 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur berührungslosen Potentialmessung an einem elektronischen Bauelement und Anordnung zur Durchführung des Verfahrens

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
US-Z: IEEE Transactions on Electron Devices, Vol. ED-26, No.4, April 1979, S.549-559 *

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DE3170325D1 (en) 1985-06-05
US4471302A (en) 1984-09-11
EP0062097A1 (de) 1982-10-13

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