DE3204231A1 - Laminataufbau aus matrix-faser-verbundschichten und einer metallschicht - Google Patents

Laminataufbau aus matrix-faser-verbundschichten und einer metallschicht

Info

Publication number
DE3204231A1
DE3204231A1 DE19823204231 DE3204231A DE3204231A1 DE 3204231 A1 DE3204231 A1 DE 3204231A1 DE 19823204231 DE19823204231 DE 19823204231 DE 3204231 A DE3204231 A DE 3204231A DE 3204231 A1 DE3204231 A1 DE 3204231A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
composite layer
matrix
metal
laminate structure
metal matrix
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19823204231
Other languages
English (en)
Other versions
DE3204231C2 (de
Inventor
Akio Chiba
Keiichi Kuniya
Jin Hitachi Ibaraki Onuki
Seiki Shimizu
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Publication of DE3204231A1 publication Critical patent/DE3204231A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3204231C2 publication Critical patent/DE3204231C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B15/00Layered products comprising a layer of metal
    • B32B15/14Layered products comprising a layer of metal next to a fibrous or filamentary layer
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B5/00Layered products characterised by the non- homogeneity or physical structure, i.e. comprising a fibrous, filamentary, particulate or foam layer; Layered products characterised by having a layer differing constitutionally or physically in different parts
    • B32B5/02Layered products characterised by the non- homogeneity or physical structure, i.e. comprising a fibrous, filamentary, particulate or foam layer; Layered products characterised by having a layer differing constitutionally or physically in different parts characterised by structural features of a fibrous or filamentary layer
    • B32B5/026Knitted fabric
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/02Physical, chemical or physicochemical properties
    • B32B7/027Thermal properties
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C49/00Alloys containing metallic or non-metallic fibres or filaments
    • C22C49/14Alloys containing metallic or non-metallic fibres or filaments characterised by the fibres or filaments
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/373Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
    • H01L23/3733Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon having a heterogeneous or anisotropic structure, e.g. powder or fibres in a matrix, wire mesh, porous structures
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/492Bases or plates or solder therefor
    • H01L23/4922Bases or plates or solder therefor having a heterogeneous or anisotropic structure
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L24/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0392Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
    • H01L31/03921Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including only elements of Group IV of the Periodic System
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2260/00Layered product comprising an impregnated, embedded, or bonded layer wherein the layer comprises an impregnation, embedding, or binder material
    • B32B2260/02Composition of the impregnated, bonded or embedded layer
    • B32B2260/021Fibrous or filamentary layer
    • B32B2260/023Two or more layers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2260/00Layered product comprising an impregnated, embedded, or bonded layer wherein the layer comprises an impregnation, embedding, or binder material
    • B32B2260/04Impregnation, embedding, or binder material
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2305/00Condition, form or state of the layers or laminate
    • B32B2305/10Fibres of continuous length
    • B32B2305/18Fabrics, textiles
    • B32B2305/186Knitted fabrics
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/20Properties of the layers or laminate having particular electrical or magnetic properties, e.g. piezoelectric
    • B32B2307/202Conductive
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2311/00Metals, their alloys or their compounds
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/291Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/291Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29101Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/28Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/29Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/29001Core members of the layer connector
    • H01L2224/29099Material
    • H01L2224/291Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/29101Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
    • H01L2224/29111Tin [Sn] as principal constituent
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8319Arrangement of the layer connectors prior to mounting
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838Bonding techniques
    • H01L2224/8385Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01006Carbon [C]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01013Aluminum [Al]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01014Silicon [Si]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01027Cobalt [Co]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01033Arsenic [As]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01042Molybdenum [Mo]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01047Silver [Ag]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/0105Tin [Sn]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01078Platinum [Pt]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01082Lead [Pb]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/0132Binary Alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/0133Ternary Alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013Alloys
    • H01L2924/014Solder alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/06Polymers
    • H01L2924/078Adhesive characteristics other than chemical
    • H01L2924/07802Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/13Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1301Thyristor
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151Die mounting substrate
    • H01L2924/156Material
    • H01L2924/157Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2924/15738Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
    • H01L2924/15747Copper [Cu] as principal constituent
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12444Embodying fibers interengaged or between layers [e.g., paper, etc.]
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12486Laterally noncoextensive components [e.g., embedded, etc.]

Description

32042:
HITACHI, LTD., Tokyo, Japan
Laminataufbau aus Matrix-Faser-Verbundschichten und
einer Metallschicht
Die Erfindung bezieht sich auf Verbesserungen bei einem Verbun dnaterialaufbau mit einer Metallmatrix und in der Matrix eingebetteten Fasern. Dieser Verbundmaterialaufbau, insbesondere derjenige, in welchem die Fasern so gewählt sind, daß sie einen niedrigeren Wärmeausdehnungskoeffizient als den der Metallmatrix und vorzugsweise einen dem eines Halbleitermaterials gleichen oder unterlegenen Wärmeausdehnungskoeffizient haben, wird befriedigend als die Elektrodenplatte einer Halbleiteranordnung verwendet.
Der Verbundmaterialaufbau mit einer Metallmatrix und in dieser eingebetteten Fasern (der in der weiteren Beschreibung einfach als Matrix-Faser-Verbundschicht bezeichnet wird) ist im einzelnen beispielsweise
in der US-PS 3 969 754, der US-PS 4 083 719 und der US-PS 4 196 442 der Anmelderin beschrieben. Unter Hinweis auf diese US-Patentschriften sind den Fachleuten die allgemeinen Aufbaumerkmale, Materialien, Herstellungsweisen, Anwendungsarten, Vorteile usw. der Matrix-Faser-Verbundschicht geläufig.
Bezüglich des Matrix-Faser-Verbundschichtkörpers zum Einfügen zwischen zwei Bauteilen mit stark voneinander verschiedenen Wärmeausdehnungskoeffizienten oC , z. B. zwei Platten, die aus Kupfer (oC:16,5 χ 10 /0C) und Silizium (cO3,5 χ 10 /C) bestehen, war nach dem Stand der Technik eine Anordnung bekannt, in der aie Verteilung der Fasern in der Matrix-Faser-Verbundschicht nicht homogen ist, sondern die Fasern mehr in der Nähe der Siliziumplatte als in der Nähe eier Kupferplatte verteilt sind (US-PS 3 969 754, Spalte 3, Zeilen 11-17 und Spalte 4, Zeilen 34-44). Durch die erwähnte Anordnung wird der Wärmeausdehnungskoeffizient oC zur Verringerung der Wärmedeformation graduell variiert.
Es ist jedoch schwierig, die Matrix-Faser-Verbundschicht so zu fertigen,daß die Verteilunglder Fasern graduell variiert wird. Außerdem ist, falls diese Fertigung möglich sein sollte, das Ergebnis so, daß aer Wärmeausdehnungskoeffizient oC zwischen den Teilen in der Nähe des Paares der Hauptoberflächen der Matrix-Faser-Verbundschicht hochgradig verschieden ist. Es wurde
320423
nun gefunden, daß ein Problem auftritt, indem eine Verwerfung oder Deformation in der Matrix-Faser-Verbundschicht selbst auftritt. Diese Deformation breitet sich bis zu einem Halbleiterplättchen aus, das mit der Matrix-Faser-Verbundschicht zu verbinden und auf diesem anzubringen ist, wodurch die Gefahr auftritt, daß sich die elektrischen Eigenschaften der Halbleiteranordnung verschlechtern.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, einen Matrix-Faser-Verbundschichtaufbau zu entwickeln, der unterschiedliche Wärmeausdehnungskoeffizienten <·-<• in der Dickenrichtung bei verringerter Deformation aufweist, und eine hochgradig verläßliche Halbleiteranordnung zur Verfugung zu stellen, in der der erwähnte Matrix-Faser-Verbundschichtaufbau eingesetzt wird.
Gegenstand der Erfindung, womit diese Aufgabe gelöst wird, ist zunächst ein Laminataufbau mit einer Verbundschicht aus einer Metallmatrix und darin eingebetteten Fasern mit niedrigerem Wärmeausdehnungskoeffizient als dem der Metallmatrix, mit dem Kennzeichen, daß er eine erste Verbundschicht aus einer ersten Metallmatrix und darin eingebetteten ersten Fasern mit niedrigerem Wärmeausdehnungskoeffizient als dem der ersten Metallmatrix derart, daß die erste Verbundschicht insgesamt einen ersten niedrigeren Wärmeausdehnungskoeffizient als den der ersten Metallmatrix hat, eine zweite Verbundschicht aus einer zweiten
Metallmatrix und darin eingebetteten zweiten Fasern mit niedrigerem Wärmeausdehnungskoeffizient als dem der zweiten Metallmatrix derart, daß die zweite Verbundschicht insgesamt einen zweiten niedrigeren Wärmeausdehnungskoeffizient als den der zweiten Metallmatrix hat, der vom ersten Wärmeausdehnungskoeffizient der ersten Verbundschicht verschieden ist, und eine Metallschicht aufweist, die zwischen der ersten Verbundschicht und der zweiten Verbundschicht angeordnet und damit direkt und starr verbunden ist.
Der erfindungsgemäße Laminataufbau ist starr integriert, indem man eine Metallschicht zwischen einer ersten Matrix-Faser-Verbundschicht mit insgesamt einem Wärmeausdehnungskoeffizient --Ό und einer zweiten Matrix-Faser-Verbundschicht mit insgesamt einem anderen Wärmeausdehnungskoeffizient «*6 als dem der ersten Matrix-Faser-Verbundschicht einfügt. Die zwischengefügte Metallschicht wirkt als Puffer für die erste und die zweite Matrix-Faser-Verbundschicht.
Es wurde besttätigt, daß eine Deformation, wenn auch unterschiedlich in Abhängigkeit von den Abweichungen der Wärmeausdehnungskoeffizienten '^C ., auftritt, wenn diese Metallschicht ausgelassen wird und man die erste Matrix-Faser-Verbundschicht mit der zweiten Matrix-Faser-Verbundschicht direkt verbindet. Im Gegensatz dazu tritt beim Aufbau gemäß der
320423
Erfindung im wesentlichen keine Formänderung sogar in dem Fall auf, wo die Metallschicht von erheblich geringerer Dicke als den Dicken der ersten und zweiten Matrix-Faser-Verbundschicht gemacht ist.
Gegenstand der Erfindung ist außerdem ein Laminataufbau von geschichteter Form für ein elektrisch leitendes Bauteil zur Anbringung in einer Halbleiteranordnung, in der der Laminataufbau zwischen wenigstens einem Halbleiterplättchen und einem Trägerkörper eingefügt wird, mit dem Kennzeichen, daß der Laminataufbau eine erste Verbundschicht aus einer ersten Metallmatrix und darin eingebetteten ersten Fasern mit gleichem oder niedrigerem Wärmeausdehnungskoeffizient wie bzw. als dem des Halbleiters derart, daß die erste Verbundschicht insgesamt einen dem des Halbleiters nahen Wärmeausdehnungskoeffizient hat, eine
zweite Verbundschicht aus einer zweiten Metallmatrix und darin eingebetteten zweiten Fasern mit gleichem oder niedrigerem Wärmeausdehnungskoeffizient wie bzw. als dem der zweiten Metallmatrix derart, daß die zweite Verbundschicht insgesamt einen dem des Trägerkörpers nahen Wärmeausdehnungskoeffizient hat, und eine Metallschicht aufweist, die zwischen der ersten Verbundschicht und der zweiten Verbundschicht angeordnet und damit direkt und starr verbunden ist.
Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen 3 bis 10 gekennzeichnet.
Die Erfindung wird anhand der in der Zeichnung veranschaulichten Ausführungsbeispiele näher erläutert; darin zeigen:
Fig. 1 ein Diagramm zur Darstellung der Werte des linearen Wärmeausdehnungskoeffizienten des Verbundschichtaufbaus aus einer Kupfermatrix und Kohlenstoffasern, der im Ausführungsbeispiel der Erfindung verwendet wird, in Abhängigkeit vom Volumen der im Verbundschichtaufbau enthaltenen Kohlenstoffasern;
Fig. 2 einen· Schnitt zur schematischen Veranschaulichung eines Laminataufbaus nach dem Ausführungsbeispiel der Erfindung;
Fig. 3 einen Schnitt zur schematischen Veranschaulichung sowohl eines Verfahrens zur Herstellung des Laminataufbaus nach dem Ausführungsbeispiel der Erfindung als auch einer für das Herstellungsverfahren verwendeten Vorrichtung;
Fig. 4 einen Schnitt zur Veranschaulichung des wesentlichen Teils einer Halbleiteranordnung des Isoliertyps nach einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung; und
Fig. 5A bis 5C die in einer Metallkapselung eingekapselte Halbleiteranordnung nach einem wei~ teren Ausführungsbeispiel der Erfindung,
* « a ■*
320423
- 11 -
und zwar
Fig. 5A eine Aufsicht bei von der Kapselung entfernter Kappe;
Fig. 5B einen Schnitt nach der Linie VB-VB1 nach Fig. 5A; und
Fig. 5C eine vergrößerte Darstellung des wesentlichen Teils der Fig. 5B.
Im übrigen sind alle diese Figuren nicht genau maßstäblich gezeichnet.
Es war bekannt, daß der Wärmeausdehnungskoeffizient':-.'^ der Matrix-Faser-Verbundschicht insgesamt durch Einstellen des Gehalts der Fasern variiert wird. Diese Tatsache ist mit einem Beispiel in Fig. 1 veranschaulicht ,|das den Daten bezüglich der Matrix-Faser-Verbundschicht der Art en tspricht, bei der die Matrix und die Fasern aus Kupfer bzw. Kohlenstoff bestehen und Faserbündel in der Matrix so eingebettet sind, daß sie in der Form von Gewebe gewirkt sind. Die Daten dieses Diagramms wurden in den Ausführungsbeispielen, die noch erläutert werden, verwendet.
Ein Laminataufbau JK) nach einem Ausführungsbeispiel der Erfindung wird, wie in Fig. 2 veranschaulicht ist, in gestapelter Form hergestellt, indem man eine erste Matrix-Faser-Verbundschicht 100, eine Metallschicht 120 und eine zweite Matrix-Faser-verbundschicht
- 12 -
in der genannten Reihenfolge starr und direkt miteinander vereinigt oder verbindet. In diesem Ausführungsbeispiel besteht die Matrix aus Kupfer, die Fasern bestehen aus Kohlenstoff, und die Metallschicht 120 besteht aus Kupfer. Die Dicken der ersten und zweiten Matrix-Faser-Verbundschicht 1OO und 200 sind üblich etwa 0,5 mm, und die Dicke der Metallschicht 120 ist etwa 0,02 mm (d. h. 20 ,um) und enthält keine Fasern.
Die erste Matrix-Faser-Verbundschicht 100 ist aus einer Kupfermatrix 110 und Bündeln von Kohlenstoff asern 130 aufgebaut, die in der Kupfermatrix eingebettet sind. Jedes der Faserbündel 130 besteht aus etwa 3000 Kohlenstoffasern mit einem Durchmesser von etwa 7 ,um, deren jede an der Oberfläche mit einer Kupferschicht einer Dicke von 1 bis 3 ,um überzogen ist. Bündel 131 und 132 sind in der Form von Gewebe gewirkt, das den in Fig. 2 erscheinenden Querschnitt hat. Der Kohlenstoffgehalt in der Verbundschicht 100 ist auf etwa 55 Vol. % des Kupfers eingestellt. Diese Einstellung wird durch Justieren üer Menge des auf die Oberflächen der Kohlenstoffasern aufzubringenden Kupfers erzielt. Wenn das Überzugskupfer allein zu gering für die erforderliche Menge des Kupfers ist, können dem erwähnten gewebeförmigen Aufbau beim Herstellungsverfahren, das noch beschrieben wird, Kupferpulver zugesetzt werden.
Die zweite Matrix-Faser-Verbundschicht 200 hat den gleichen Aufbau wie den der ersten Matrix-Faser-Verbundschicht 100 mit der Ausnahme, daß ihr Kohlenstoffgehalt auf 45 Vol. % eingestellt ist. In der zweiten Verbundschicht 200 sind die Kohlenstoffaserbündel 231 und 232 gröber als in der ersten Verbundschicht 100 gewirkt, so daß ihr Kohlenstoffgehalt geringer als der der ersten Verbundschicht 100 sein kann. Im übrigen bezeichnet die Bezugsziffer 210 eine der Kupfermatrix 110 gleiche Kupfermatrix, und die Bezugsziffer 230 entspricht der Bezugsziffer 130.
Aus- den Daten der Fig. 1 entnimmt man, daß die erste Matrix-Faser-Verbundschicht 100 einen Wärmeausuehnungskoeff izient >>O von etwa 4 χ 10 / C aufweist, da sie 55 Vol. % Kohlenstoff enthält, während die zweite Matrix-Faser-Verbundschicht 200 einen Wärmeausüehungskoeffizient "5^ von etwa 6,2 χ 10" / C aufweist, da sie 45 Vol. % Kohlenstoff enthält. Da die Metallschicht 120 eine weit geringere Dicke als die der ersten und zweiten Matrix-Faser-Verbundschicht 100 und 200 hat, übt sie, obwohl ihr Material, d. h. das Kupfer, einen hohen Wärmeausdehnungskoeffizient oC von 16,5 χ 10 /°C hat, keinen wesentlichen Einfluß auf den scheinbaren oder Gesamtkoeffizient du des Laminataufbaus 10 als ganzen aus. Als Ergebnis weist der scheinbare Koeffizient °C des Laminataufbaus 1X> einen Zwischenwert zwischen denen der ersten und der zweiten Matrix-Faser-Verbundschicht 100 bzw.
200 auf. Außerdem hat der Koeffizient uC- des Laminataufbaus _U) Werte nahe dem der ersten Verbundschicht 100 selbst an der Seite der Hauptoberfläche der ersten Verbundschicht 100 und nahe dem der zweiten Verbundschicht 200 selbst an der Seite der Hauptoberfläche 201 der zweiten Verbundschicht 200. Als Ergebnis kann, allgemein gesprochen/ falls Bauteile aus Materialien mit voneinander verschiedenen Wärmeausdehnungskoeffizienten °C mit den gegenüberliegenden Hauptoberflächen 101 und 201 verbunden werden, der Lamina tauf bau K). die Wirkung zeigen, die Wärmedeformation zu verringern, die auf dem Unterschied des Koeffizienten cC zwischen diesen beiden Bauteilen . basiert. Das in Fig. 2 dargestellte Ausführungsbeispiel ist, wie im einzelnen noch erläutert wird, im Fall brauchbar, wo ein Siliziumhalbleiterplättchen ( oO:3,5 χ 1O~6/°C) mit der riauptoberflache 101 verbunden wird, während die Hauptoberfläche 201 ihrerseits mit einer gesinterten Aluminiumoxidplatte ( σθ: 6,3 χ 10~ /0C ) verbunden wird.
Ein bevorzugtes Beispiel zur Herstellung des in Fig. 2 gezeigten Laminataufbaus soll nun anhand von Fig. 3 beschrieben werden. Zunächst wurden die erwähnten Kohlenstoffaserbündel 130 und 230 hergestellt. Die Oberflächen der einzelnen Fasern wurden mit dem erwähnten Material oder Kupfer durch ein galvanisches Verfahren beschichtet. Die so beschichteten Kohlenstof faserbündel wurden zur Herstellung zweier Arten von
-.15 -
Geweben gewirkt. Eine Art derselben enthielt die Kohlenstoffasern in einem Anteil von 55 Vol. % der Gesamtmenge des Kohlenstoffs und des Kupfers, während die andere Art 45 Vol. % der Kohlenstoffasern enthielt. Eine Kupferfolie mit einer Dicke von 20 ,um wurde getrennt hergestellt. Diese Kupferfolie wurde zwischen den erwähnten beiden Gewebearten eingefügt, um dadurch den gewünschten Laminataufbau herzustellen, der sich aus dem (55 Vol. % Kohlenstoff enthaltenden) Gewebe - der Kupferfolie - und dem£45 Vol. % Kohlenstoff enthaltenden) Gewebe zusammensetzte.
Dann wurden, wie in Fig. 3 gezeigt ist, die so hergestellten Laminateinheiten in einem Behälter 30_ aus Graphit angeordnet. Dieser Behälter 3_0 besteht aus einer Wandung 31 und einem Paar von Endkappenplatten 32 und 35, die am oberen bzw. unteren Ende der Wandung 31 innerhalb dieser angeordnet sind. So wird die Laminateinheit zwischen dem Paar von Endkappenplatten 32 und 35 eingefügt. Falls eine Mehrzahl solcher Laminateinheiten gleichzeitig gefertigt werden soll, wie Fig. 3 zeigt, werden außerdem Trennplatten 33, 34 usw. zwischen den einzelnen Laminateinheiten eingefügt..
Die so angeordneten Laminateinheiten werden zusammen mit dem Behälter 30 erhitzt. Gleichzeitig damit werden Drücke in den bei Pfeilen A und A1 in Fig. angedeuteten Richtungen ausgeübt. Die benachbarten
Laminateinheiten werden miteinander starr und direkt verbunden, wie in Fig. 2 gezeigt ist, nachdem sie in dem erwähnten Zustand für eine bestimmte Zeitdauer gehalten wurden. Während dieser Zwischenzeit nimmt der Kupferübetzug der Fasern die Form einer Matrix ein. Die Erhitzungstemperatur wird niedriger als der Schmelzpunkt des die Matrix und die Metallschicht 120 bildenden Kupfers und höher als das Niveau eingestellt, das mindestens zur starren Verbindung der Laminateinheiten erforderlich ist. Im einzelnen liegt das Temperaturniveau vorzugsweise bei 6OO bis 1050 °C und insbesondere im Bereich von 800 bis 1050 0C unter dem Gesichtspunkt, daß der Verbindungseffekt in einer kurzen Zeitdauer erzielt wird. Das' bevorzugte Druckniveau ist 200 bis 400 bar. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel wurde das Verbindungsverfahren bei einer Temperatur von 1000 0C und einem Druck von 250 bar für 30 min durchgeführt. Übrigens wurden die bisher beschriebenen Behandlungsschritte in einer Wasserstoffatmosphäre durchgeführt. Diese reduzierende Atmosphäre ist zur Beseitigung einer Anzahl von Oxiden in der oder den Laminateinheiten wirksam, die häufig die Wärmeleitfähigkeit und die mechanische Festigkeit des Laminataufbaus beeinträchtigen.
Auch wenn der so hergestellte Laminataufbau, wie in Fig. 2 gezeigt, mehreren Wärmezyklen zwischen -50 und + 150 0C mehrere Zehntausend. Male unterworfen war, konnte kein Abschälen zwischen der ersten und zweiten Matrix-Faser-Verbundschicht 100 bzw. 200 und der Metallschicht 120 festgestellt werden. Es wurde auch keine wesentliche Deformation beobachtet, auch wenn der Laminataufbau auf 400 0C erhitzt wurde.
Anwendungsbeispiele der Erfindung werden nun anhand der Fig. 4 und Fig. 5A, 5B und 5C beschrieben.
Fig.4 zeigt eine Halbleiteranordnung des Isoliertyps., in der der in Fig. 2 gezeigte Laminataufbau als eine elektrisch leitende und wärmeabführende Platte eingesetzt ist. Bei der Anordnung dieser Art sind das Haibleiterplättchen und der äußere Trägerkörper voneinander isoliert, und es kann sich beispielsweise um eine hybrideantegrierte Schaltung oder eine Modulanordnung handeln. Mit der Oberfläche einer äußeren Trägerplatte 4 mit einer Dicke von 3 mm aus Kupfer ist, wie Fig.4 zeigt, mittels eines Lots 51 eine Isolierplatte 3 verbunden, die aus gesintertem Aluminiumoxid mit einer Dicke von 0,25 mm hergestellt ist und deren beiden Hauptoberflächen einer Metallisierbehandlung unterworfen wurden. Mit der Isolierplatte 3 ist außerdem mittels eines Lots 52 eine Wärmeabführplatte 2 verbunden, mit der mit Hilfe von Löten 53 bzw. 54 sowohl ein Haibleiterplättchen 1 aus Silizium als auch ein Anschlußdraht 15 verbunden sind. Das hier angenommene Haibleiterplättchen 1 ist eine Drei-Anschluß-Anordnung, wie z. B. ein Thyristor, dessen drei Elektroden 6,11 und 13 mit der Platte bzw. einem Anschlußdaraht 12 bzw. einem Anschlußdraht verbunden sind. Die Lote 52 und 54 sind solche mit einer Dicke von 50 ,um aus einer Pb-Sn-Legierung, und das Lötverfahren wurde 10 min bei einer Temperatur
von 350 0C durchgeführt.
Die verwendete Wärmeabführplatte 2 wurde durch starres und direktes Verbinden von Kupferschichten und 122 mit den Hauptoberflächen 101 und 201 des in Fig. 2 gezeigten Laminataufbaus hergestellt. Das Herstellungsverfahren ist das gleiche wie das vorerwähnte mit der Ausnahme, daß der Laminataufbau Kupferschichten (die beispielsweise eine Dicke von etwa 20 ,um haben) zusätzlich auf den beiden Außen_,-oberflachen der beiden Verbundschichten 100, 200 aufweist. Diese Kupferschichten 121 und 122 wirken zur Verbesserung der Benetzbarkeiten der Lote an den Hauptoberflächen des Laminataufbaus. Die so hergestellte Wärmeabführplatte 2 wird zur Leitung der Wärme, die am Plättchen 1 erzeugt wird^dadurch zur Trägerplatte 4 . verwendet. Hierzu muß die Platte 2 eine hohe Wärmeleitfähigkeit aufweisen. Gleichzeitig muß die Platte 2 auch den Unterschied des Wärmeausdehnungskoeffizienten ■ zwischen dieser und dem Halbleiterplättchen 1 verringern. Für dieses letztere Erfordernis muß die Platte 2 außerdem einen Wärmeausüehnungskoeffizient aufweisen, der sowohl dem des Siliziums, als auch dem des Aluminiumoxids nahekommt.. Andererseits muß, falls die Platte 2 als elektrisch leitendes Bauteil wie im vorliegenden Ausführungsbeispiel verwendet wird, die elektrische Leitfähigkeit (zwischen der Elektrode 16 und dem Anschlußdraht 15
+) möglichst befriedigenden
des Plättchens 1) außerdem ausreichend hoch sein. Weiter sollte die Deformation verhindert werden. Nichtsdestoweniger kann die Wärmeabführplatte 2, die beim vorliegenden Ausführungsbeispiel mit dem in Fig. 2 gezeigten Laminataufbau verwendet wird, alle vorstehend erwähnten Anforderungen erfüllen, und man fand weder eine Deformation noch Rißbildung in den einzelnen Teilen, nachdem der Laminataufbau fertiggestellt war.
Insbesondere bei der' hybriden integrierten Schaltung oder der Modulanordnung, im Unterschied zu einer Halbleiteranordnung des gesonderten Typs·, wie sie weiter unten noch beschrieben wird, gibt es einen Fall, in dem eine Vielzahl von Schaltungsbauelementen auf der Wärmeabführplatte 2 angeordnet ist. Dann muß diese Platte 2 eine große Fläche und eine große Verbindungsfläche haben, an der sie mit der Isolierplatte 3 verbunden wird. Dabei neigen leicht die Wärmedeformation aufgrund des Unterschiedes im Koeffizient <,. und das Ausmaß der Deformation der Platte 2 und/oder der Isolierplatte 3, wie sie beschrieben wurden, leicht zur Vergrößerung. Daher kann die Erfindung ihre geeigneten Anwendungsfälle für solche Anordnungen finden. Aus dem gleichen Grund kann außerdem der Laminataufbau gemäß der Erfindung als Material für die äußere Trägerplatte 4 verwendet werden. . "
Um eine Verursachung der Deformation und Rißbildung
320423Ί
aufgrund der Wärmedeformation· zu vermeiden, mußte nach dem ütand der Technik die Isolierplatte 3 dick gemacht werden, wodurch man die Wärmeleitfähigkeit beeinträchtigte. Erfindungsgemäß kann dagegen die Isolierplatte 3 so dünn gemacht werden, daß sich die Wärmeleitfähigkeitseigenschaften verbessern lassen und gleichzeitig das Entstehen von Deformation und Rissen vermieden wird.
Die Halbleiteranordnung des gesonderten Typs nach noch einem weiteren Ausführungsbeispiel der Erfindung wird nun anhand der Fig. 5A, 5B und 5C beschrieben. Wie die Fig. 5A und 5B zeigen, ist ein innerer Halter 42 aus Kupfer nach dem Wärmeeinsetzverfahren an einem äußeren Halter 51 aus Flußstahl befestigt. Mit der Oberseite des inneren Halters 42 ist mittels eines Lots 55 der Laminataufbau 10 verbunden, der in Fig. 2 gezeigt ist. In diesem Ausführungsbeispiel enthält jedoch die Matrix-Faser-Verbundschicht 200 an der Seite des inneren Halters 42 des Laminataufbaus 10 die Kohlenstoffasern in einem Anteil von etwa 35 Vol. %. Mit der Oberfläche des Laminatauf baus 10 ist das Halbleiterplättchen 1 mittels eines Lots 65 unter ähnlichen Verbindungsbedingungen wie denen der vorigen Ausführungsbeispiele verbunden. Das hier angenommene Halbleiterplättchen 1 ist das gleiche wie das nach Fig. 4. Der äußere Halter 41 ist mit einem Paar von Schraubenlöchern 410 ausgebildet.
Außerdem erstreckt sich ein Paar von Anschlußstiften 16 durch Isolierringe 161 unter Isolierung gegenüber dem äußeren Halter 41. Aus Klarheitsgründen ist der wesentliche Teil der Fig. 5B in vergrößertem Maßstab in Fig.5Cdargestellt, obwohl der Aufbau des Halbleiterplättbhens 1. nicht im einzelnen gezeigt ist.
Um die Wärme vom Halbleiterplättchen 1 nach außen durch die Halter wirksamer abzuführen, sind gemäß diesem Ausführungsbeispiel sowohl der Laminataufbau 10 als auch das Halbleiterplättchen 1 auf dem inneren Halter 42 angeordnet, der aus Kupfer mit hoher Wärmeleitfähigkeit besteht. Dieser innere Halter 42 ist an seinem Umfang starr mittels des äußeren Halters 41 aus Flußs tahl befestigt, so daß der Wärmeausdehnungskoeffizient c\, dem des Flußstahls stärker angenähert ist als der Eigenkoeffizient cC des Kupfers. Der Laminataufbau 10 dieses Ausführungsbeispiels ist zu einem solchen Quadrat mit Seitenlangen von etwa 7 mm ausgebildet, daß der Koeffizient cC dem des Siliziums an der Seite des Halbleiterplättchens 1 und dem des Flußstahls an der Seite des inneren Halters 42 angenähert ist. Als Ergebnis entstanden in den einzelnen Teilen weder eine Deformation und Rißbildung noch die Verschlechterungen der Eigenschaften durch die Hitze, die während der Herstellung oder des Betriebs der Halbleiteranordnung einwirkte.
Die Erfindung wurde bisher beispielsweise anhand mehrerer Ausführungsbeispiele erläutert, ist jedoch darauf nicht beschränkt. Die Erfindung kann weiter modifiziert werden, wie im folgenden erläutert wird.
Zunächst können die Matrix-Faser-Verbundschichten des Laminataufbaus gemäß der Erfindung und die dazwischen einzufügende Metallschicht aus einer Vielfalt von Materialien hergestellt werden. Beispielsweise kann die Matrix aus Silber, Aluminium oder einer Legierung bestehen, die aus wenigstens einem der ersteren beiden Metalle und Kupfer zusanmengesetzt ist. Andererseits können die Fasern aus Wolfram, Molybdän oder einer Eisen-Nickel-Kobalt-Legierung bestehen. Die Anordnungen der Fasern in der Matrix können nicht nur derart gemacht werden, daß die Bündel der Fasern zu einer solchen Gewebe- oder Netzform gewirkt werden,\daß sie sich in einer Aufsicht unter rechten Winkeln schneiden, sondern es ist auch möglich,daß die Fasern in einer Richtung in der Matrix so angeordnet werden,daß eine Mehrzahl dieser Lagen in der einen Richtung in mehreren Schichten in verschiedenen Richtungen oder in einer Spiralform ubereinandergelegt werden, oder daß relativ kurz geschnittene Faserstücke in Zufallsverteilung enthalten sind. Die konkreten Beispiele und Herstellungsverfahren für Matrix-Faser-Verbundschichten sind den Beschreibungen der US-PS 3 969 754, 4 083 719 und 4 196 442 zu entnehmen, die bereits weiter oben erwähnt wurden. Übrigens
ändert sich der Wärmeausdehnungskoeffizient <J- der Matrix-Faser-Verbundschichten nicht nur mit dem Volumen der Fasern, sondern auch mit den verschiedenen Anordnungen der Fasern. Entsprechend diesen Anordnungen wird außerdem der Koeffizient ck.> in den Hauptoberflächen der Matrix-Faser-Verbundschicht gerichtet, doch wird die nichtgerichtete oder isotrope Anordnung je nach den Anwendungsfällen bevorzugt. Die Anordnungen der erwähnten Ausführungsbeispiele sind im wesentlichen nicht gerichtet.
Als das Material für die in der Zwischenlage des Laminataufbaus angeordnete Metallschicht wird das gleiche Metall wie das der Matrix vom Gesichtspunkt der gegenseitigen Haftung bevorzugt, doch kann auch ein anderes Metall als das der Matrix verwendet werden. Beispielsweise kann die Metallschicht aus einer Eisen-Nickel-, einer Eisen-Nickel-Kobaltoder einer sog. "Invar"-Legierung bestehen. Das Metall mit einer höheren Steifigkeit als die Matrix wird zur Verringerung der Deformation bevorzugt. Man stellt die Metallschicht mit einer Dicke von etwa 20 bis 100 ,um kleiner als die der Matrix-Faser-Verbundschicht im Fall her, daß diese Verbundschicht mit einer Dicke von etwa 0,4 bis 0,5 mm hergestellt wird. Falls die Dicke der Verbundschicht von dem oben erwähnten Wert abweichend gemacht wird, ändert man die Dicke der Metallschicht proportional. Insbesondere wird bevorzugt, daß die Dicke der Metallschicht 1/4 bis 1/25
der Dicke der Verbundschicht ist.
Das erläuterte Herstellungsverfahren des Laminataufbaus wird bevorzugt, da es ein befriedigendes Ergebnis relativ einfach gewährleistet. Außerdem können die Walz- und Druckschweißverfahren verwendet werden. Weiter kann auf ein Verfahren zurückgegriffen werden, nach dem die erste und die zweite.Matrix-Faser-Verbundschicht 100 und 200, die in Fig.2 gezeigt sind, getrennt hergestellt und dann unter Einfügen der Metallschicht 120 dazwischen miteinander verbunden werden. Welches Verfahren man auch verwendet, ist es zur Verbesserung der Verbindungsstärke wichtig, daß die die Matrix der Matrix-Faser-Verbundschicht bildenden Atome und die das Metall der Metallschicht bildenden Atome aurch diese Verbindungsbehandlung ineinander diffundieren. Diese Bedingung wird durch die Verfahren der vorstehenden Ausführungsbeispiele erfüllt.
Falls erwünscht, kann übrigens die Anordnung des Laminataufbaus derart gemacht werden,daß die erwähnten drei Schichten so enthalten sind,daß sie abwechselnd über einer anderen Matrix-Faser-Verbundschicht oder anderen Matrix-Faser-Verbundschichten auf einer anderen Metallschicht oder anderen Metallschichten liegen.
Zusätzlich zu den Ausführungsbeispielen sind die Pufferelektroden der Leistungshalbleiteranordnungen, die beispielsweise in der US-PS 3 969 547 offenbart sind, als Anwendungsfall der Erfindung brauchbar.
Leerseite

Claims (10)

  1. Ansprüche
    ( 1.) Laminataufbau mit einer Verbundschicht aus einer Metallmatrix und darin eingebetteten Fasern mit niedrigerem Wärmeausdehnungskoeffizient als dem der Metallmatrix,
    dajdurch gekennzeichnet, daß er eine erste Verbundschicht (100) aus einer ersten Metallmatrix (110) und darin eingebetteten ersten Fasern (130) mit niedrigerem Wärmeausdehnungskoeffizient als dem der ersten Metallmatrix (110) derart, daß die erste Verbundschicht (100) insgesamt einen ersten niedrigeren Wärmeausdehnungskoeffizient als den der ersten Metallmatrix (110) hat,
    eine zweite Verbundschicht (200) aus einer zweiten Metallmatrix (210) und darin eingebetteten zweiten Fasern (230) mit niedrigerem Wärmeausdehnungskoeffizient als dem der zweiten Metallmatrix (210) derart, daß die zweite Verbundschicht (200) insgesamt einen zweiten niedrigeren Wärmeausdehnungskoeffizient als den der zweiten Metallmatrix (210) hat, der vom ersten Wärmeausdehnungskoeffizient der ersten Verbundschicht (100) verschieden ist, und
    eine Metallschicht (120) aufweist, die zwischen der
    680-(17 2TQ-H859D-TF
    ersten Verbundschicht (100) und der zweiten Verbundschicht (200) angeordnet und damit direkt und starr verbunden ist.
  2. 2. Laminataufbau von geschichteter Form für ein elektrisch leitendes Bauteil zur Anbringung in einer Halbleiteranordnung, in der der Laminataufbau zwischen wenigstens einem Halbleiterplättchen und einem Trägerkörper eingefügt wird, dadurch gekennzeichnet, daß der Laminataufbau (2) eine erste Verbundschicht (100) aus einer ersten Metallmatrix (110) und darin eingebetteten ersten Fasern (130) mit gleichem oder niedrigerem Wärmeausdehnungskoeffi .zient wie bzw. als dem des Halbleiters (1) derart, daß die erste Verbundschicht (100) insgesamt einen dem des Halbleiters (1) nahen Wärmeausdehnungskoeffizient hat,
    eine zweite Verbundschicht (200) aus einer zweiten Metallmatrix (210) und darin eingebetteten zweiten Fasern (230) mit gleichem oder niedrigerem Wärmeausdehnungskoeffizient wie bzw. als dem der zweiten Metallmatrix (210) derart, daß die zweite Verbundschicht (200) insgesamt einen dem des Trägerkörpers (3) nahen Wärmeausdehnungskoeffizient hat, und
    eine Metallschicht (120) aufweist, die zwischen der ersten Verbundschicht (100)|und der zweiten Verbundschicht (200) angeordnet und damit direkt und starr verbunden ist.
    Λ ·. * ί
    320423
  3. 3. Laminataufbau nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Metallmatrix (110), die zweite Metallmatrix (210) und die Metallschicht (120) aus dem gleichen Metall bestehen.
  4. 4. Laminataufbau nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten Fasern (130) und die zweiten Fasern (230) in der ersten Metallmatrix (110) und in der zweiten Metallmatrix (210) in einer Form von gewirktem Stoff (131, 132; 231, 232) eingebettet sind.
  5. 5. Laminataufbau nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallschicht (120) aus einem Metall höherer Steifigkeit als denen der ersten Metallmatrix (110) und der zweiten Metallmatrix (210) besteht.
  6. 6. Laminataufbau nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallschicht (120) dünner als die erste Verbundschicht (100) und die zweite Verbundschicht (200)
  7. 7. Laminataufbau nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet,
    ' t ψ
    -A-
    daß die Dicke der Metallschicht (120) 1/25 bis 1/4 derjenigen der ersten Verbundschicht (100) und der zweiten Verbundschicht (200) beträgt.
  8. 8. Laminataufbau nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
    daß er außerdem eine zusätzliche äußere Metallschicht (121, 122) aufweist, die dünner als die erste Verbundschicht (1O0) und die zweite Verbundschicht (200) gemacht und direkt und starr mit jeder der äußeren Hauptflächen (101, 201) gegenüber den der Metallschicht (120) zugewandten inneren Hauptflächen der ersten Verbundschicht (100) und der zweiten Verbundschicht (200) verbunden ist.
  9. 9. Laminataufbau nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
    daß die erste Metallmatrix (110), die zweite Metallmatrix (210) und die Metallschicht (120) aus Kupfer bestehen und die ersten Fasern (130) und die zweiten Fasern (230) aus Kohlenstoff bestehen.
  10. 10. Laminataufbau nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,
    daß der Trägerkörper (3) aus einem Isolierstoff besteht.
DE3204231A 1981-02-06 1982-02-08 Laminat mit einem Metall-Faser-Verbundmaterial und dessen Verwendung Expired DE3204231C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1569581A JPS57130441A (en) 1981-02-06 1981-02-06 Integrated circuit device

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3204231A1 true DE3204231A1 (de) 1982-08-12
DE3204231C2 DE3204231C2 (de) 1986-09-18

Family

ID=11895900

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE3204231A Expired DE3204231C2 (de) 1981-02-06 1982-02-08 Laminat mit einem Metall-Faser-Verbundmaterial und dessen Verwendung

Country Status (3)

Country Link
US (1) US4482912A (de)
JP (1) JPS57130441A (de)
DE (1) DE3204231C2 (de)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2546878A1 (fr) * 1983-05-31 1984-12-07 Slonina Jean Pierre Plaque support d'un substrat ceramique, leger, a forte conductivite thermique et coefficient de dilatation adapte pour toutes applications dans le domaine electronique
EP0471552A1 (de) * 1990-08-14 1992-02-19 Texas Instruments Incorporated Wärmetransportmodul für Anwendungen ultrahoher Dichte und Silizium auf Siliziumpackungen
DE4222172A1 (de) * 1992-07-06 1994-01-13 Siemens Matsushita Components Elektrisch isolierende Wärmekopplung für zwangsgekühlte elektrische Kondensatoren
FR2704479A1 (fr) * 1993-04-30 1994-11-04 Thomson Csf Plaques composites à fibres de carbonne dans une matrice de cuivre et leurs procédés de fabrication.
DE4322431A1 (de) * 1993-07-06 1995-01-12 Mtu Muenchen Gmbh Kühlstruktur und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE19730865A1 (de) * 1997-07-18 1999-02-18 Ulrich Dipl Ing Grauvogel Kühlkörper für elektronische Bauelemente

Families Citing this family (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4954873A (en) * 1985-07-22 1990-09-04 Digital Equipment Corporation Electrical connector for surface mounting
US4888247A (en) * 1986-08-27 1989-12-19 General Electric Company Low-thermal-expansion, heat conducting laminates having layers of metal and reinforced polymer matrix composite
US5130771A (en) * 1988-10-11 1992-07-14 Amoco Corporation Diamond composite heat sink for use with semiconductor devices
US5040588A (en) * 1988-11-10 1991-08-20 Lanxide Technology Company, Lp Methods for forming macrocomposite bodies and macrocomposite bodies produced thereby
CA1316303C (en) * 1988-12-23 1993-04-20 Thijs Eerkes Composite structure
US5151777A (en) * 1989-03-03 1992-09-29 Delco Electronics Corporation Interface device for thermally coupling an integrated circuit to a heat sink
WO1991006782A1 (en) * 1989-10-25 1991-05-16 Adams Mfg. Corp. Transparent wall hook
US5300809A (en) * 1989-12-12 1994-04-05 Sumitomo Special Metals Co., Ltd. Heat-conductive composite material
EP0434264B1 (de) * 1989-12-22 1994-10-12 Westinghouse Electric Corporation Gehäuse für Leistungshalbleiterbauelemente
US5316080A (en) * 1990-03-30 1994-05-31 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics & Space Administration Heat transfer device
US5224030A (en) * 1990-03-30 1993-06-29 The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration Semiconductor cooling apparatus
WO1991017129A1 (en) * 1990-05-09 1991-11-14 Lanxide Technology Company, Lp Macrocomposite bodies and production methods
US5069978A (en) * 1990-10-04 1991-12-03 Gte Products Corporation Brazed composite having interlayer of expanded metal
US5296310A (en) * 1992-02-14 1994-03-22 Materials Science Corporation High conductivity hydrid material for thermal management
JP3201868B2 (ja) * 1992-03-20 2001-08-27 アジレント・テクノロジーズ・インク 導電性熱インターフェース及びその方法
US5429879A (en) * 1993-06-18 1995-07-04 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Laminated metal composite formed from low flow stress layers and high flow stress layers using flow constraining elements and making same
JPH09312361A (ja) * 1996-05-22 1997-12-02 Hitachi Metals Ltd 電子部品用複合材料およびその製造方法
US6129993A (en) * 1998-02-13 2000-10-10 Hitachi Metals, Ltd. Heat spreader and method of making the same
US6016007A (en) * 1998-10-16 2000-01-18 Northrop Grumman Corp. Power electronics cooling apparatus
US5912805A (en) * 1998-11-04 1999-06-15 Freuler; Raymond G. Thermal interface with adhesive
US6040065A (en) * 1998-12-21 2000-03-21 Eisan; Andrew Method for producing a metal matrix for mosaic structures
US6121680A (en) * 1999-02-16 2000-09-19 Intel Corporation Mesh structure to avoid thermal grease pump-out in integrated circuit heat sink attachments
US6075701A (en) * 1999-05-14 2000-06-13 Hughes Electronics Corporation Electronic structure having an embedded pyrolytic graphite heat sink material
US20040009353A1 (en) * 1999-06-14 2004-01-15 Knowles Timothy R. PCM/aligned fiber composite thermal interface
US6913075B1 (en) 1999-06-14 2005-07-05 Energy Science Laboratories, Inc. Dendritic fiber material
US7132161B2 (en) * 1999-06-14 2006-11-07 Energy Science Laboratories, Inc. Fiber adhesive material
DE19956394B4 (de) * 1999-11-24 2005-02-03 Airbus Deutschland Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Profiles aus einem Hybridwerkstoff
US7498077B2 (en) * 2001-06-15 2009-03-03 Touchstone Research Laboratory, Ltd. Metal matrix composite structures
EP1403923A1 (de) * 2002-09-27 2004-03-31 Abb Research Ltd. Leistungshalbleitermodul in Druckpackung
US7042729B2 (en) * 2003-06-24 2006-05-09 Intel Corporation Thermal interface apparatus, systems, and fabrication methods
US20060083927A1 (en) * 2004-10-15 2006-04-20 Zyvex Corporation Thermal interface incorporating nanotubes
TWM268738U (en) * 2004-12-21 2005-06-21 Cleavage Entpr Co Ltd Heat dissipation structure for a heat generating device
US7829793B2 (en) * 2005-09-09 2010-11-09 Magnecomp Corporation Additive disk drive suspension manufacturing using tie layers for vias and product thereof
US8553364B1 (en) 2005-09-09 2013-10-08 Magnecomp Corporation Low impedance, high bandwidth disk drive suspension circuit
DE102006043163B4 (de) * 2006-09-14 2016-03-31 Infineon Technologies Ag Halbleiterschaltungsanordnungen
JP5223677B2 (ja) * 2006-11-02 2013-06-26 日本電気株式会社 半導体装置
JP5012577B2 (ja) * 2007-07-05 2012-08-29 日本電気株式会社 半導体装置
JP2010179336A (ja) * 2009-02-05 2010-08-19 Toyota Central R&D Labs Inc 接合体、半導体モジュール、及び接合体の製造方法
JP5488619B2 (ja) * 2010-02-05 2014-05-14 三菱マテリアル株式会社 パワーモジュール用基板及びパワーモジュール
US9840338B2 (en) * 2010-12-03 2017-12-12 The Boeing Company Electric charge dissipation system for aircraft
US9802714B2 (en) 2010-12-03 2017-10-31 The Boeing Company Electric charge dissipation system for aircraft
CN104553102B (zh) * 2015-01-15 2017-03-08 中国建筑材料科学研究总院 超高温梯度隔热材料及其制备方法
US11919111B1 (en) 2020-01-15 2024-03-05 Touchstone Research Laboratory Ltd. Method for repairing defects in metal structures

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3097329A (en) * 1960-06-21 1963-07-09 Siemens Ag Sintered plate with graded concentration of metal to accommodate adjacent metals having unequal expansion coefficients
US3969754A (en) * 1973-10-22 1976-07-13 Hitachi, Ltd. Semiconductor device having supporting electrode composite structure of metal containing fibers

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1514483B2 (de) * 1965-06-22 1971-05-06 Siemens AG, 1000 Berlin u 8000 München Druckkontakt halbleiter gleichrichter
JPS5240568B2 (de) * 1972-09-15 1977-10-13
US4320412A (en) * 1977-06-23 1982-03-16 Western Electric Co., Inc. Composite material for mounting electronic devices
JPS5478169A (en) * 1977-12-03 1979-06-22 Kobe Steel Ltd Method of detecting molten steel level in mold
JPS5557851A (en) * 1978-12-26 1980-04-30 Hitachi Metals Ltd Production of magnetic toner

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3097329A (en) * 1960-06-21 1963-07-09 Siemens Ag Sintered plate with graded concentration of metal to accommodate adjacent metals having unequal expansion coefficients
US3969754A (en) * 1973-10-22 1976-07-13 Hitachi, Ltd. Semiconductor device having supporting electrode composite structure of metal containing fibers

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2546878A1 (fr) * 1983-05-31 1984-12-07 Slonina Jean Pierre Plaque support d'un substrat ceramique, leger, a forte conductivite thermique et coefficient de dilatation adapte pour toutes applications dans le domaine electronique
EP0471552A1 (de) * 1990-08-14 1992-02-19 Texas Instruments Incorporated Wärmetransportmodul für Anwendungen ultrahoher Dichte und Silizium auf Siliziumpackungen
DE4222172A1 (de) * 1992-07-06 1994-01-13 Siemens Matsushita Components Elektrisch isolierende Wärmekopplung für zwangsgekühlte elektrische Kondensatoren
FR2704479A1 (fr) * 1993-04-30 1994-11-04 Thomson Csf Plaques composites à fibres de carbonne dans une matrice de cuivre et leurs procédés de fabrication.
DE4322431A1 (de) * 1993-07-06 1995-01-12 Mtu Muenchen Gmbh Kühlstruktur und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE19730865A1 (de) * 1997-07-18 1999-02-18 Ulrich Dipl Ing Grauvogel Kühlkörper für elektronische Bauelemente
DE19730865C2 (de) * 1997-07-18 2001-12-13 Ulrich Grauvogel Anordnung mit einem Kühlkörper aus einem Aluminiumwerkstoff und zu kühlende Elemente

Also Published As

Publication number Publication date
US4482912A (en) 1984-11-13
DE3204231C2 (de) 1986-09-18
JPS57130441A (en) 1982-08-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3204231C2 (de) Laminat mit einem Metall-Faser-Verbundmaterial und dessen Verwendung
DE10066446B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils mit zwei Abstrahlungsbauteilen
DE19720275B4 (de) Substrat für eine Halbleiteranordnung, Herstellungsverfahren für dasselbe und eine das Substrat verwendende stapelbare Halbleiteranordnung
EP0302274B1 (de) Elektrisches Vielschichtbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
DE3924225C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Keramik-Metall-Verbundsubstrats sowie Keramik-Metall-Verbundsubstrat
DE3612084C2 (de)
DE2824250C2 (de) Trägerelektrode eines Halbleiterbauelements
DE10256980B4 (de) Herstellverfahren für einen gestapelten keramischen Körper
DE2041497B2 (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes
DE1127000B (de)
DE19927046A1 (de) Keramik-Metall-Substrat, insbesondere Mehrfachsubstrat
DE3414065A1 (de) Anordnung bestehend aus mindestens einem auf einem substrat befestigten elektronischen bauelement und verfahren zur herstellung einer derartigen anordnung
DE3145648C2 (de) Halbleiteranordnung
DE102004002030B4 (de) Verbundmaterial und Verfahren zu dessen Herstellung
DE3221199A1 (de) Halbleiteranordnung des isolierten typs
DE10143919B4 (de) Elekrisch leitende Paste und Verfahren zur Herstellung eines mehrlagigen keramischen elektronischen Bauteils unter verwendung dieser Paste
DE19931914A1 (de) Keramikelektronikteil
DE2937050A1 (de) Flachpaket zur aufnahme von elektrischen mikroschaltkreisen und verfahren zu seiner herstellung
DE2749052A1 (de) Supraleitendes hohlkabel und verfahren zur herstellung supraleitender hohlkabel
DE3833886A1 (de) Magnetfeldabschirmung mit einem supraleitenden film
DE19634424C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Strombegrenzers mit einem Hochtemperatursupraleiter
DE19835443C2 (de) Chip-Thermistor und Verfahren zum Einstellen eines Chip-Thermistors
DE112007002936B4 (de) Plattierelement und Verfahren zum Herstellen eines Platierelements
DE3428259C2 (de)
WO2022012903A1 (de) Verbindungselement, verfahren zum herstellen eines verbindungselements, anordnung umfassend ein verbindungselement und zwei damit verbundene bauteile sowie verfahren zum verbinden zweier bauteile mit einem verbindungselement

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee