DE3204231A1 - Laminataufbau aus matrix-faser-verbundschichten und einer metallschicht - Google Patents
Laminataufbau aus matrix-faser-verbundschichten und einer metallschichtInfo
- Publication number
- DE3204231A1 DE3204231A1 DE19823204231 DE3204231A DE3204231A1 DE 3204231 A1 DE3204231 A1 DE 3204231A1 DE 19823204231 DE19823204231 DE 19823204231 DE 3204231 A DE3204231 A DE 3204231A DE 3204231 A1 DE3204231 A1 DE 3204231A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- composite layer
- matrix
- metal
- laminate structure
- metal matrix
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000002131 composite material Substances 0.000 title claims description 95
- 239000000835 fiber Substances 0.000 title claims description 77
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims description 73
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims description 73
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 54
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 31
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 29
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 29
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims description 7
- 238000010276 construction Methods 0.000 claims description 5
- OLNTVTPDXPETLC-XPWALMASSA-N ezetimibe Chemical compound N1([C@@H]([C@H](C1=O)CC[C@H](O)C=1C=CC(F)=CC=1)C=1C=CC(O)=CC=1)C1=CC=C(F)C=C1 OLNTVTPDXPETLC-XPWALMASSA-N 0.000 claims 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims 1
- 229920000049 Carbon (fiber) Polymers 0.000 description 10
- 239000004917 carbon fiber Substances 0.000 description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 5
- 229910001209 Low-carbon steel Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 239000011889 copper foil Substances 0.000 description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 3
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KGWWEXORQXHJJQ-UHFFFAOYSA-N [Fe].[Co].[Ni] Chemical compound [Fe].[Co].[Ni] KGWWEXORQXHJJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 2
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020220 Pb—Sn Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000002508 compound effect Effects 0.000 description 1
- 238000013329 compounding Methods 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N iron nickel Chemical compound [Fe].[Ni] UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
- 239000002759 woven fabric Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/14—Layered products comprising a layer of metal next to a fibrous or filamentary layer
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B5/00—Layered products characterised by the non- homogeneity or physical structure, i.e. comprising a fibrous, filamentary, particulate or foam layer; Layered products characterised by having a layer differing constitutionally or physically in different parts
- B32B5/02—Layered products characterised by the non- homogeneity or physical structure, i.e. comprising a fibrous, filamentary, particulate or foam layer; Layered products characterised by having a layer differing constitutionally or physically in different parts characterised by structural features of a fibrous or filamentary layer
- B32B5/026—Knitted fabric
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B7/00—Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
- B32B7/02—Physical, chemical or physicochemical properties
- B32B7/027—Thermal properties
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
- C22C—ALLOYS
- C22C49/00—Alloys containing metallic or non-metallic fibres or filaments
- C22C49/14—Alloys containing metallic or non-metallic fibres or filaments characterised by the fibres or filaments
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
- H01L23/373—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon
- H01L23/3733—Cooling facilitated by selection of materials for the device or materials for thermal expansion adaptation, e.g. carbon having a heterogeneous or anisotropic structure, e.g. powder or fibres in a matrix, wire mesh, porous structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/492—Bases or plates or solder therefor
- H01L23/4922—Bases or plates or solder therefor having a heterogeneous or anisotropic structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L24/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
- H01L31/03921—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate including only elements of Group IV of the Periodic System
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2260/00—Layered product comprising an impregnated, embedded, or bonded layer wherein the layer comprises an impregnation, embedding, or binder material
- B32B2260/02—Composition of the impregnated, bonded or embedded layer
- B32B2260/021—Fibrous or filamentary layer
- B32B2260/023—Two or more layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2260/00—Layered product comprising an impregnated, embedded, or bonded layer wherein the layer comprises an impregnation, embedding, or binder material
- B32B2260/04—Impregnation, embedding, or binder material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2305/00—Condition, form or state of the layers or laminate
- B32B2305/10—Fibres of continuous length
- B32B2305/18—Fabrics, textiles
- B32B2305/186—Knitted fabrics
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
- B32B2307/20—Properties of the layers or laminate having particular electrical or magnetic properties, e.g. piezoelectric
- B32B2307/202—Conductive
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2311/00—Metals, their alloys or their compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/29101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/28—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process
- H01L2224/29—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors prior to the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/29001—Core members of the layer connector
- H01L2224/29099—Material
- H01L2224/291—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2224/29101—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of less than 400°C
- H01L2224/29111—Tin [Sn] as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
- H01L2224/321—Disposition
- H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/32225—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/8319—Arrangement of the layer connectors prior to mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
- H01L2224/838—Bonding techniques
- H01L2224/8385—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01014—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01027—Cobalt [Co]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01042—Molybdenum [Mo]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01047—Silver [Ag]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/0105—Tin [Sn]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0132—Binary Alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/0133—Ternary Alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/013—Alloys
- H01L2924/014—Solder alloys
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/06—Polymers
- H01L2924/078—Adhesive characteristics other than chemical
- H01L2924/07802—Adhesive characteristics other than chemical not being an ohmic electrical conductor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1301—Thyristor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/156—Material
- H01L2924/157—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
- H01L2924/15738—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950 C and less than 1550 C
- H01L2924/15747—Copper [Cu] as principal constituent
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12444—Embodying fibers interengaged or between layers [e.g., paper, etc.]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12486—Laterally noncoextensive components [e.g., embedded, etc.]
Description
32042:
HITACHI, LTD., Tokyo, Japan
Laminataufbau aus Matrix-Faser-Verbundschichten und
einer Metallschicht
Die Erfindung bezieht sich auf Verbesserungen bei einem Verbun dnaterialaufbau mit einer Metallmatrix und
in der Matrix eingebetteten Fasern. Dieser Verbundmaterialaufbau, insbesondere derjenige, in welchem die
Fasern so gewählt sind, daß sie einen niedrigeren Wärmeausdehnungskoeffizient als den der Metallmatrix
und vorzugsweise einen dem eines Halbleitermaterials gleichen oder unterlegenen Wärmeausdehnungskoeffizient
haben, wird befriedigend als die Elektrodenplatte einer Halbleiteranordnung verwendet.
Der Verbundmaterialaufbau mit einer Metallmatrix und in dieser eingebetteten Fasern (der in der weiteren
Beschreibung einfach als Matrix-Faser-Verbundschicht bezeichnet wird) ist im einzelnen beispielsweise
in der US-PS 3 969 754, der US-PS 4 083 719 und der US-PS 4 196 442 der Anmelderin beschrieben. Unter
Hinweis auf diese US-Patentschriften sind den Fachleuten
die allgemeinen Aufbaumerkmale, Materialien, Herstellungsweisen, Anwendungsarten, Vorteile usw.
der Matrix-Faser-Verbundschicht geläufig.
Bezüglich des Matrix-Faser-Verbundschichtkörpers zum Einfügen zwischen zwei Bauteilen mit stark voneinander
verschiedenen Wärmeausdehnungskoeffizienten oC ,
z. B. zwei Platten, die aus Kupfer (oC:16,5 χ 10 /0C)
und Silizium (cO3,5 χ 10 /C) bestehen, war nach
dem Stand der Technik eine Anordnung bekannt, in der aie Verteilung der Fasern in der Matrix-Faser-Verbundschicht
nicht homogen ist, sondern die Fasern mehr in der Nähe der Siliziumplatte als in der Nähe
eier Kupferplatte verteilt sind (US-PS 3 969 754, Spalte 3, Zeilen 11-17 und Spalte 4, Zeilen 34-44).
Durch die erwähnte Anordnung wird der Wärmeausdehnungskoeffizient oC zur Verringerung der Wärmedeformation
graduell variiert.
Es ist jedoch schwierig, die Matrix-Faser-Verbundschicht so zu fertigen,daß die Verteilunglder Fasern
graduell variiert wird. Außerdem ist, falls diese Fertigung möglich sein sollte, das Ergebnis so, daß
aer Wärmeausdehnungskoeffizient oC zwischen den Teilen
in der Nähe des Paares der Hauptoberflächen der Matrix-Faser-Verbundschicht
hochgradig verschieden ist. Es wurde
320423
nun gefunden, daß ein Problem auftritt, indem eine Verwerfung oder Deformation in der Matrix-Faser-Verbundschicht
selbst auftritt. Diese Deformation breitet sich bis zu einem Halbleiterplättchen aus, das mit
der Matrix-Faser-Verbundschicht zu verbinden und auf
diesem anzubringen ist, wodurch die Gefahr auftritt, daß sich die elektrischen Eigenschaften der Halbleiteranordnung
verschlechtern.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, einen Matrix-Faser-Verbundschichtaufbau zu entwickeln,
der unterschiedliche Wärmeausdehnungskoeffizienten <·-<• in
der Dickenrichtung bei verringerter Deformation aufweist, und eine hochgradig verläßliche Halbleiteranordnung
zur Verfugung zu stellen, in der der erwähnte Matrix-Faser-Verbundschichtaufbau eingesetzt wird.
Gegenstand der Erfindung, womit diese Aufgabe gelöst
wird, ist zunächst ein Laminataufbau mit einer Verbundschicht aus einer Metallmatrix und darin eingebetteten
Fasern mit niedrigerem Wärmeausdehnungskoeffizient als dem der Metallmatrix, mit dem Kennzeichen,
daß er eine erste Verbundschicht aus einer ersten Metallmatrix und darin eingebetteten ersten Fasern mit
niedrigerem Wärmeausdehnungskoeffizient als dem der
ersten Metallmatrix derart, daß die erste Verbundschicht insgesamt einen ersten niedrigeren Wärmeausdehnungskoeffizient
als den der ersten Metallmatrix hat, eine zweite Verbundschicht aus einer zweiten
Metallmatrix und darin eingebetteten zweiten Fasern mit niedrigerem Wärmeausdehnungskoeffizient als dem
der zweiten Metallmatrix derart, daß die zweite Verbundschicht insgesamt einen zweiten niedrigeren
Wärmeausdehnungskoeffizient als den der zweiten Metallmatrix hat, der vom ersten Wärmeausdehnungskoeffizient
der ersten Verbundschicht verschieden ist, und eine Metallschicht aufweist, die zwischen
der ersten Verbundschicht und der zweiten Verbundschicht angeordnet und damit direkt und starr verbunden
ist.
Der erfindungsgemäße Laminataufbau ist starr integriert, indem man eine Metallschicht zwischen
einer ersten Matrix-Faser-Verbundschicht mit insgesamt einem Wärmeausdehnungskoeffizient --Ό und
einer zweiten Matrix-Faser-Verbundschicht mit insgesamt einem anderen Wärmeausdehnungskoeffizient «*6 als
dem der ersten Matrix-Faser-Verbundschicht einfügt. Die zwischengefügte Metallschicht wirkt als Puffer
für die erste und die zweite Matrix-Faser-Verbundschicht.
Es wurde besttätigt, daß eine Deformation, wenn auch unterschiedlich in Abhängigkeit von den Abweichungen
der Wärmeausdehnungskoeffizienten '^C .,
auftritt, wenn diese Metallschicht ausgelassen wird und man die erste Matrix-Faser-Verbundschicht mit der
zweiten Matrix-Faser-Verbundschicht direkt verbindet. Im Gegensatz dazu tritt beim Aufbau gemäß der
320423
Erfindung im wesentlichen keine Formänderung sogar in
dem Fall auf, wo die Metallschicht von erheblich geringerer Dicke als den Dicken der ersten und zweiten
Matrix-Faser-Verbundschicht gemacht ist.
Gegenstand der Erfindung ist außerdem ein Laminataufbau von geschichteter Form für ein elektrisch leitendes
Bauteil zur Anbringung in einer Halbleiteranordnung, in der der Laminataufbau zwischen wenigstens
einem Halbleiterplättchen und einem Trägerkörper eingefügt wird, mit dem Kennzeichen, daß der Laminataufbau
eine erste Verbundschicht aus einer ersten Metallmatrix und darin eingebetteten ersten Fasern mit
gleichem oder niedrigerem Wärmeausdehnungskoeffizient
wie bzw. als dem des Halbleiters derart, daß die erste Verbundschicht insgesamt einen dem des Halbleiters
nahen Wärmeausdehnungskoeffizient hat, eine
zweite Verbundschicht aus einer zweiten Metallmatrix und darin eingebetteten zweiten Fasern mit
gleichem oder niedrigerem Wärmeausdehnungskoeffizient wie bzw. als dem der zweiten Metallmatrix derart,
daß die zweite Verbundschicht insgesamt einen dem des Trägerkörpers nahen Wärmeausdehnungskoeffizient hat,
und eine Metallschicht aufweist, die zwischen der ersten Verbundschicht und der zweiten Verbundschicht
angeordnet und damit direkt und starr verbunden ist.
Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind in
den Unteransprüchen 3 bis 10 gekennzeichnet.
Die Erfindung wird anhand der in der Zeichnung veranschaulichten Ausführungsbeispiele näher erläutert;
darin zeigen:
Fig. 1 ein Diagramm zur Darstellung der Werte des linearen Wärmeausdehnungskoeffizienten
des Verbundschichtaufbaus aus einer Kupfermatrix und Kohlenstoffasern, der
im Ausführungsbeispiel der Erfindung verwendet wird, in Abhängigkeit vom
Volumen der im Verbundschichtaufbau enthaltenen Kohlenstoffasern;
Fig. 2 einen· Schnitt zur schematischen Veranschaulichung
eines Laminataufbaus nach dem Ausführungsbeispiel der Erfindung;
Fig. 3 einen Schnitt zur schematischen Veranschaulichung sowohl eines Verfahrens
zur Herstellung des Laminataufbaus nach dem Ausführungsbeispiel der Erfindung als auch
einer für das Herstellungsverfahren verwendeten Vorrichtung;
Fig. 4 einen Schnitt zur Veranschaulichung des wesentlichen Teils einer Halbleiteranordnung
des Isoliertyps nach einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung; und
Fig. 5A bis 5C die in einer Metallkapselung eingekapselte Halbleiteranordnung nach einem wei~
teren Ausführungsbeispiel der Erfindung,
* « a ■*
320423
- 11 -
und zwar
Fig. 5A eine Aufsicht bei von der Kapselung entfernter
Kappe;
Fig. 5B einen Schnitt nach der Linie VB-VB1 nach
Fig. 5A; und
Fig. 5C eine vergrößerte Darstellung des wesentlichen
Teils der Fig. 5B.
Im übrigen sind alle diese Figuren nicht genau
maßstäblich gezeichnet.
Es war bekannt, daß der Wärmeausdehnungskoeffizient':-.'^
der Matrix-Faser-Verbundschicht insgesamt durch Einstellen des Gehalts der Fasern variiert wird. Diese
Tatsache ist mit einem Beispiel in Fig. 1 veranschaulicht ,|das den Daten bezüglich der Matrix-Faser-Verbundschicht
der Art en tspricht, bei der die Matrix und die Fasern aus Kupfer bzw. Kohlenstoff bestehen
und Faserbündel in der Matrix so eingebettet sind, daß sie in der Form von Gewebe gewirkt sind.
Die Daten dieses Diagramms wurden in den Ausführungsbeispielen, die noch erläutert werden, verwendet.
Ein Laminataufbau JK) nach einem Ausführungsbeispiel
der Erfindung wird, wie in Fig. 2 veranschaulicht ist, in gestapelter Form hergestellt, indem man
eine erste Matrix-Faser-Verbundschicht 100, eine Metallschicht 120 und eine zweite Matrix-Faser-verbundschicht
- 12 -
in der genannten Reihenfolge starr und direkt miteinander vereinigt oder verbindet. In diesem Ausführungsbeispiel besteht die Matrix aus Kupfer, die Fasern
bestehen aus Kohlenstoff, und die Metallschicht 120 besteht aus Kupfer. Die Dicken der ersten und zweiten
Matrix-Faser-Verbundschicht 1OO und 200 sind üblich etwa 0,5 mm, und die Dicke der Metallschicht 120
ist etwa 0,02 mm (d. h. 20 ,um) und enthält keine Fasern.
Die erste Matrix-Faser-Verbundschicht 100 ist aus einer Kupfermatrix 110 und Bündeln von Kohlenstoff
asern 130 aufgebaut, die in der Kupfermatrix eingebettet sind. Jedes der Faserbündel 130 besteht
aus etwa 3000 Kohlenstoffasern mit einem Durchmesser von etwa 7 ,um, deren jede an der Oberfläche mit
einer Kupferschicht einer Dicke von 1 bis 3 ,um überzogen ist. Bündel 131 und 132 sind in der Form von
Gewebe gewirkt, das den in Fig. 2 erscheinenden Querschnitt hat. Der Kohlenstoffgehalt in der Verbundschicht
100 ist auf etwa 55 Vol. % des Kupfers eingestellt. Diese Einstellung wird durch Justieren
üer Menge des auf die Oberflächen der Kohlenstoffasern aufzubringenden Kupfers erzielt. Wenn das Überzugskupfer allein zu gering für die erforderliche Menge des
Kupfers ist, können dem erwähnten gewebeförmigen Aufbau beim Herstellungsverfahren, das noch beschrieben wird,
Kupferpulver zugesetzt werden.
Die zweite Matrix-Faser-Verbundschicht 200 hat den gleichen Aufbau wie den der ersten Matrix-Faser-Verbundschicht
100 mit der Ausnahme, daß ihr Kohlenstoffgehalt auf 45 Vol. % eingestellt ist. In der
zweiten Verbundschicht 200 sind die Kohlenstoffaserbündel
231 und 232 gröber als in der ersten Verbundschicht 100 gewirkt, so daß ihr Kohlenstoffgehalt
geringer als der der ersten Verbundschicht 100 sein kann. Im übrigen bezeichnet die Bezugsziffer 210
eine der Kupfermatrix 110 gleiche Kupfermatrix, und die Bezugsziffer 230 entspricht der Bezugsziffer 130.
Aus- den Daten der Fig. 1 entnimmt man, daß die erste Matrix-Faser-Verbundschicht 100 einen Wärmeausuehnungskoeff
izient >>O von etwa 4 χ 10 / C
aufweist, da sie 55 Vol. % Kohlenstoff enthält, während die zweite Matrix-Faser-Verbundschicht 200
einen Wärmeausüehungskoeffizient "5^ von etwa 6,2 χ 10" / C
aufweist, da sie 45 Vol. % Kohlenstoff enthält. Da
die Metallschicht 120 eine weit geringere Dicke als die der ersten und zweiten Matrix-Faser-Verbundschicht
100 und 200 hat, übt sie, obwohl ihr Material, d. h. das Kupfer, einen hohen Wärmeausdehnungskoeffizient
oC von 16,5 χ 10 /°C hat, keinen wesentlichen
Einfluß auf den scheinbaren oder Gesamtkoeffizient
du des Laminataufbaus 10 als ganzen aus. Als
Ergebnis weist der scheinbare Koeffizient °C des
Laminataufbaus 1X> einen Zwischenwert zwischen denen der
ersten und der zweiten Matrix-Faser-Verbundschicht 100 bzw.
200 auf. Außerdem hat der Koeffizient uC- des Laminataufbaus
_U) Werte nahe dem der ersten Verbundschicht 100 selbst an der Seite der Hauptoberfläche
der ersten Verbundschicht 100 und nahe dem der zweiten Verbundschicht 200 selbst an der Seite der
Hauptoberfläche 201 der zweiten Verbundschicht 200. Als Ergebnis kann, allgemein gesprochen/ falls Bauteile
aus Materialien mit voneinander verschiedenen Wärmeausdehnungskoeffizienten °C mit den gegenüberliegenden
Hauptoberflächen 101 und 201 verbunden werden, der Lamina tauf bau K). die Wirkung zeigen,
die Wärmedeformation zu verringern, die auf dem Unterschied des Koeffizienten cC zwischen diesen beiden
Bauteilen . basiert. Das in Fig. 2 dargestellte Ausführungsbeispiel ist, wie im einzelnen noch erläutert
wird, im Fall brauchbar, wo ein Siliziumhalbleiterplättchen ( oO:3,5 χ 1O~6/°C) mit der
riauptoberflache 101 verbunden wird, während die
Hauptoberfläche 201 ihrerseits mit einer gesinterten Aluminiumoxidplatte ( σθ: 6,3 χ 10~ /0C ) verbunden
wird.
Ein bevorzugtes Beispiel zur Herstellung des in Fig. 2 gezeigten Laminataufbaus soll nun anhand von
Fig. 3 beschrieben werden. Zunächst wurden die erwähnten Kohlenstoffaserbündel 130 und 230 hergestellt.
Die Oberflächen der einzelnen Fasern wurden mit dem erwähnten Material oder Kupfer durch ein galvanisches
Verfahren beschichtet. Die so beschichteten Kohlenstof faserbündel wurden zur Herstellung zweier Arten von
-.15 -
Geweben gewirkt. Eine Art derselben enthielt die Kohlenstoffasern in einem Anteil von 55 Vol. % der
Gesamtmenge des Kohlenstoffs und des Kupfers, während
die andere Art 45 Vol. % der Kohlenstoffasern enthielt.
Eine Kupferfolie mit einer Dicke von 20 ,um wurde getrennt hergestellt. Diese Kupferfolie wurde zwischen
den erwähnten beiden Gewebearten eingefügt, um dadurch den gewünschten Laminataufbau herzustellen, der sich
aus dem (55 Vol. % Kohlenstoff enthaltenden) Gewebe - der Kupferfolie - und dem£45 Vol. % Kohlenstoff
enthaltenden) Gewebe zusammensetzte.
Dann wurden, wie in Fig. 3 gezeigt ist, die so
hergestellten Laminateinheiten in einem Behälter 30_
aus Graphit angeordnet. Dieser Behälter 3_0 besteht
aus einer Wandung 31 und einem Paar von Endkappenplatten 32 und 35, die am oberen bzw. unteren Ende
der Wandung 31 innerhalb dieser angeordnet sind. So wird die Laminateinheit zwischen dem Paar von Endkappenplatten
32 und 35 eingefügt. Falls eine Mehrzahl solcher Laminateinheiten gleichzeitig gefertigt
werden soll, wie Fig. 3 zeigt, werden außerdem Trennplatten 33, 34 usw. zwischen den einzelnen Laminateinheiten
eingefügt..
Die so angeordneten Laminateinheiten werden zusammen mit dem Behälter 30 erhitzt. Gleichzeitig damit
werden Drücke in den bei Pfeilen A und A1 in Fig.
angedeuteten Richtungen ausgeübt. Die benachbarten
Laminateinheiten werden miteinander starr und direkt verbunden, wie in Fig. 2 gezeigt ist, nachdem sie
in dem erwähnten Zustand für eine bestimmte Zeitdauer gehalten wurden. Während dieser Zwischenzeit
nimmt der Kupferübetzug der Fasern die Form einer Matrix ein. Die Erhitzungstemperatur wird niedriger
als der Schmelzpunkt des die Matrix und die Metallschicht 120 bildenden Kupfers und höher als das
Niveau eingestellt, das mindestens zur starren Verbindung der Laminateinheiten erforderlich ist.
Im einzelnen liegt das Temperaturniveau vorzugsweise bei 6OO bis 1050 °C und insbesondere im
Bereich von 800 bis 1050 0C unter dem Gesichtspunkt,
daß der Verbindungseffekt in einer kurzen Zeitdauer erzielt wird. Das' bevorzugte Druckniveau ist 200 bis
400 bar. Im vorliegenden Ausführungsbeispiel wurde das Verbindungsverfahren bei einer Temperatur von
1000 0C und einem Druck von 250 bar für 30 min durchgeführt. Übrigens wurden die bisher beschriebenen
Behandlungsschritte in einer Wasserstoffatmosphäre durchgeführt. Diese reduzierende Atmosphäre ist zur
Beseitigung einer Anzahl von Oxiden in der oder den Laminateinheiten wirksam, die häufig die Wärmeleitfähigkeit
und die mechanische Festigkeit des Laminataufbaus beeinträchtigen.
Auch wenn der so hergestellte Laminataufbau, wie in Fig. 2 gezeigt, mehreren Wärmezyklen zwischen
-50 und + 150 0C mehrere Zehntausend. Male unterworfen
war, konnte kein Abschälen zwischen der ersten und zweiten Matrix-Faser-Verbundschicht 100 bzw. 200
und der Metallschicht 120 festgestellt werden. Es wurde auch keine wesentliche Deformation beobachtet, auch
wenn der Laminataufbau auf 400 0C erhitzt wurde.
Anwendungsbeispiele der Erfindung werden nun
anhand der Fig. 4 und Fig. 5A, 5B und 5C beschrieben.
Fig.4 zeigt eine Halbleiteranordnung des Isoliertyps.,
in der der in Fig. 2 gezeigte Laminataufbau als eine elektrisch leitende und wärmeabführende
Platte eingesetzt ist. Bei der Anordnung dieser Art sind das Haibleiterplättchen und der äußere Trägerkörper
voneinander isoliert, und es kann sich beispielsweise um eine hybrideantegrierte Schaltung
oder eine Modulanordnung handeln. Mit der Oberfläche
einer äußeren Trägerplatte 4 mit einer Dicke von 3 mm aus Kupfer ist, wie Fig.4 zeigt, mittels eines
Lots 51 eine Isolierplatte 3 verbunden, die aus gesintertem Aluminiumoxid mit einer Dicke von
0,25 mm hergestellt ist und deren beiden Hauptoberflächen
einer Metallisierbehandlung unterworfen wurden. Mit der Isolierplatte 3 ist außerdem
mittels eines Lots 52 eine Wärmeabführplatte 2 verbunden, mit der mit Hilfe von Löten 53 bzw. 54
sowohl ein Haibleiterplättchen 1 aus Silizium als auch ein Anschlußdraht 15 verbunden sind. Das
hier angenommene Haibleiterplättchen 1 ist eine Drei-Anschluß-Anordnung, wie z. B. ein Thyristor,
dessen drei Elektroden 6,11 und 13 mit der Platte bzw. einem Anschlußdaraht 12 bzw. einem Anschlußdraht
verbunden sind. Die Lote 52 und 54 sind solche mit
einer Dicke von 50 ,um aus einer Pb-Sn-Legierung,
und das Lötverfahren wurde 10 min bei einer Temperatur
von 350 0C durchgeführt.
Die verwendete Wärmeabführplatte 2 wurde durch starres und direktes Verbinden von Kupferschichten
und 122 mit den Hauptoberflächen 101 und 201 des in Fig. 2 gezeigten Laminataufbaus hergestellt.
Das Herstellungsverfahren ist das gleiche wie das vorerwähnte mit der Ausnahme, daß der Laminataufbau
Kupferschichten (die beispielsweise eine Dicke von etwa 20 ,um haben) zusätzlich auf den beiden Außen_,-oberflachen
der beiden Verbundschichten 100, 200 aufweist. Diese Kupferschichten 121 und 122 wirken
zur Verbesserung der Benetzbarkeiten der Lote an den Hauptoberflächen des Laminataufbaus. Die so hergestellte
Wärmeabführplatte 2 wird zur Leitung der Wärme, die am Plättchen 1 erzeugt wird^dadurch
zur Trägerplatte 4 . verwendet. Hierzu muß die Platte 2 eine hohe Wärmeleitfähigkeit
aufweisen. Gleichzeitig muß die Platte 2 auch den Unterschied des Wärmeausdehnungskoeffizienten
■ zwischen dieser und dem Halbleiterplättchen 1 verringern. Für dieses letztere Erfordernis
muß die Platte 2 außerdem einen Wärmeausüehnungskoeffizient
aufweisen, der sowohl dem des Siliziums, als auch dem des Aluminiumoxids nahekommt..
Andererseits muß, falls die Platte 2 als elektrisch leitendes Bauteil wie im vorliegenden Ausführungsbeispiel verwendet wird, die elektrische Leitfähigkeit
(zwischen der Elektrode 16 und dem Anschlußdraht 15
+) möglichst befriedigenden
des Plättchens 1) außerdem ausreichend hoch sein. Weiter sollte die Deformation verhindert werden. Nichtsdestoweniger
kann die Wärmeabführplatte 2, die beim vorliegenden Ausführungsbeispiel mit dem in Fig. 2
gezeigten Laminataufbau verwendet wird, alle vorstehend erwähnten Anforderungen erfüllen, und man
fand weder eine Deformation noch Rißbildung in den einzelnen Teilen, nachdem der Laminataufbau fertiggestellt
war.
Insbesondere bei der' hybriden integrierten Schaltung
oder der Modulanordnung, im Unterschied zu einer
Halbleiteranordnung des gesonderten Typs·, wie sie weiter unten noch beschrieben wird, gibt es einen Fall,
in dem eine Vielzahl von Schaltungsbauelementen auf
der Wärmeabführplatte 2 angeordnet ist. Dann muß diese
Platte 2 eine große Fläche und eine große Verbindungsfläche haben, an der sie mit der Isolierplatte 3
verbunden wird. Dabei neigen leicht die Wärmedeformation
aufgrund des Unterschiedes im Koeffizient <,. und das
Ausmaß der Deformation der Platte 2 und/oder der Isolierplatte 3, wie sie beschrieben wurden, leicht
zur Vergrößerung. Daher kann die Erfindung ihre geeigneten Anwendungsfälle für solche Anordnungen finden. Aus
dem gleichen Grund kann außerdem der Laminataufbau gemäß der Erfindung als Material für die äußere Trägerplatte
4 verwendet werden. . "
Um eine Verursachung der Deformation und Rißbildung
320423Ί
aufgrund der Wärmedeformation· zu vermeiden, mußte nach dem ütand der Technik die Isolierplatte 3 dick
gemacht werden, wodurch man die Wärmeleitfähigkeit beeinträchtigte. Erfindungsgemäß kann dagegen die
Isolierplatte 3 so dünn gemacht werden, daß sich die Wärmeleitfähigkeitseigenschaften verbessern lassen
und gleichzeitig das Entstehen von Deformation und Rissen vermieden wird.
Die Halbleiteranordnung des gesonderten Typs nach noch einem weiteren Ausführungsbeispiel der
Erfindung wird nun anhand der Fig. 5A, 5B und 5C beschrieben. Wie die Fig. 5A und 5B zeigen, ist
ein innerer Halter 42 aus Kupfer nach dem Wärmeeinsetzverfahren
an einem äußeren Halter 51 aus Flußstahl befestigt. Mit der Oberseite des inneren
Halters 42 ist mittels eines Lots 55 der Laminataufbau 10 verbunden, der in Fig. 2 gezeigt ist.
In diesem Ausführungsbeispiel enthält jedoch die Matrix-Faser-Verbundschicht 200 an der Seite des
inneren Halters 42 des Laminataufbaus 10 die Kohlenstoffasern in einem Anteil von etwa 35 Vol. %.
Mit der Oberfläche des Laminatauf baus 10 ist das Halbleiterplättchen 1 mittels eines Lots 65 unter
ähnlichen Verbindungsbedingungen wie denen der vorigen Ausführungsbeispiele verbunden. Das hier angenommene
Halbleiterplättchen 1 ist das gleiche wie das nach Fig. 4. Der äußere Halter 41 ist mit
einem Paar von Schraubenlöchern 410 ausgebildet.
Außerdem erstreckt sich ein Paar von Anschlußstiften
16 durch Isolierringe 161 unter Isolierung gegenüber dem äußeren Halter 41. Aus Klarheitsgründen
ist der wesentliche Teil der Fig. 5B in vergrößertem Maßstab in Fig.5Cdargestellt, obwohl der Aufbau des
Halbleiterplättbhens 1. nicht im einzelnen gezeigt ist.
Um die Wärme vom Halbleiterplättchen 1 nach außen durch die Halter wirksamer abzuführen, sind
gemäß diesem Ausführungsbeispiel sowohl der Laminataufbau 10 als auch das Halbleiterplättchen 1 auf
dem inneren Halter 42 angeordnet, der aus Kupfer mit hoher Wärmeleitfähigkeit besteht. Dieser innere
Halter 42 ist an seinem Umfang starr mittels des äußeren Halters 41 aus Flußs tahl befestigt, so daß
der Wärmeausdehnungskoeffizient c\, dem des Flußstahls
stärker angenähert ist als der Eigenkoeffizient cC des Kupfers. Der Laminataufbau 10
dieses Ausführungsbeispiels ist zu einem solchen Quadrat mit Seitenlangen von etwa 7 mm ausgebildet,
daß der Koeffizient cC dem des Siliziums an der
Seite des Halbleiterplättchens 1 und dem des Flußstahls
an der Seite des inneren Halters 42 angenähert ist. Als Ergebnis entstanden in den einzelnen
Teilen weder eine Deformation und Rißbildung noch die Verschlechterungen der Eigenschaften durch die
Hitze, die während der Herstellung oder des Betriebs der Halbleiteranordnung einwirkte.
Die Erfindung wurde bisher beispielsweise anhand mehrerer Ausführungsbeispiele erläutert, ist jedoch
darauf nicht beschränkt. Die Erfindung kann weiter modifiziert werden, wie im folgenden erläutert wird.
Zunächst können die Matrix-Faser-Verbundschichten des Laminataufbaus gemäß der Erfindung und die
dazwischen einzufügende Metallschicht aus einer Vielfalt von Materialien hergestellt werden. Beispielsweise
kann die Matrix aus Silber, Aluminium oder einer Legierung bestehen, die aus wenigstens einem der
ersteren beiden Metalle und Kupfer zusanmengesetzt ist. Andererseits können die Fasern aus Wolfram, Molybdän
oder einer Eisen-Nickel-Kobalt-Legierung bestehen. Die Anordnungen der Fasern in der Matrix können nicht
nur derart gemacht werden, daß die Bündel der Fasern zu einer solchen Gewebe- oder Netzform gewirkt
werden,\daß sie sich in einer Aufsicht unter rechten
Winkeln schneiden, sondern es ist auch möglich,daß die Fasern in einer Richtung in der Matrix so angeordnet
werden,daß eine Mehrzahl dieser Lagen in der einen Richtung in mehreren Schichten in verschiedenen
Richtungen oder in einer Spiralform ubereinandergelegt werden, oder daß relativ kurz geschnittene
Faserstücke in Zufallsverteilung enthalten sind. Die konkreten Beispiele und Herstellungsverfahren für
Matrix-Faser-Verbundschichten sind den Beschreibungen der US-PS 3 969 754, 4 083 719 und 4 196 442 zu entnehmen,
die bereits weiter oben erwähnt wurden. Übrigens
ändert sich der Wärmeausdehnungskoeffizient <J- der
Matrix-Faser-Verbundschichten nicht nur mit dem Volumen der Fasern, sondern auch mit den verschiedenen
Anordnungen der Fasern. Entsprechend diesen Anordnungen wird außerdem der Koeffizient ck.>
in den Hauptoberflächen der Matrix-Faser-Verbundschicht gerichtet, doch wird die nichtgerichtete oder isotrope
Anordnung je nach den Anwendungsfällen bevorzugt. Die Anordnungen der erwähnten Ausführungsbeispiele
sind im wesentlichen nicht gerichtet.
Als das Material für die in der Zwischenlage
des Laminataufbaus angeordnete Metallschicht wird
das gleiche Metall wie das der Matrix vom Gesichtspunkt der gegenseitigen Haftung bevorzugt, doch kann
auch ein anderes Metall als das der Matrix verwendet werden. Beispielsweise kann die Metallschicht aus
einer Eisen-Nickel-, einer Eisen-Nickel-Kobaltoder einer sog. "Invar"-Legierung bestehen. Das
Metall mit einer höheren Steifigkeit als die Matrix wird zur Verringerung der Deformation bevorzugt. Man
stellt die Metallschicht mit einer Dicke von etwa 20 bis 100 ,um kleiner als die der Matrix-Faser-Verbundschicht
im Fall her, daß diese Verbundschicht mit einer Dicke von etwa 0,4 bis 0,5 mm hergestellt wird.
Falls die Dicke der Verbundschicht von dem oben erwähnten
Wert abweichend gemacht wird, ändert man die Dicke der Metallschicht proportional. Insbesondere wird bevorzugt,
daß die Dicke der Metallschicht 1/4 bis 1/25
der Dicke der Verbundschicht ist.
Das erläuterte Herstellungsverfahren des Laminataufbaus
wird bevorzugt, da es ein befriedigendes Ergebnis relativ einfach gewährleistet. Außerdem können
die Walz- und Druckschweißverfahren verwendet werden. Weiter kann auf ein Verfahren zurückgegriffen werden,
nach dem die erste und die zweite.Matrix-Faser-Verbundschicht
100 und 200, die in Fig.2 gezeigt sind, getrennt hergestellt und dann unter Einfügen der
Metallschicht 120 dazwischen miteinander verbunden werden. Welches Verfahren man auch verwendet, ist es
zur Verbesserung der Verbindungsstärke wichtig, daß die die Matrix der Matrix-Faser-Verbundschicht bildenden
Atome und die das Metall der Metallschicht bildenden Atome aurch diese Verbindungsbehandlung ineinander diffundieren.
Diese Bedingung wird durch die Verfahren der vorstehenden Ausführungsbeispiele erfüllt.
Falls erwünscht, kann übrigens die Anordnung des Laminataufbaus derart gemacht werden,daß die erwähnten
drei Schichten so enthalten sind,daß sie abwechselnd über einer anderen Matrix-Faser-Verbundschicht oder
anderen Matrix-Faser-Verbundschichten auf einer anderen Metallschicht oder anderen Metallschichten
liegen.
Zusätzlich zu den Ausführungsbeispielen sind die Pufferelektroden der Leistungshalbleiteranordnungen,
die beispielsweise in der US-PS 3 969 547 offenbart sind, als Anwendungsfall der Erfindung brauchbar.
Leerseite
Claims (10)
- Ansprüche( 1.) Laminataufbau mit einer Verbundschicht aus einer Metallmatrix und darin eingebetteten Fasern mit niedrigerem Wärmeausdehnungskoeffizient als dem der Metallmatrix,dajdurch gekennzeichnet, daß er eine erste Verbundschicht (100) aus einer ersten Metallmatrix (110) und darin eingebetteten ersten Fasern (130) mit niedrigerem Wärmeausdehnungskoeffizient als dem der ersten Metallmatrix (110) derart, daß die erste Verbundschicht (100) insgesamt einen ersten niedrigeren Wärmeausdehnungskoeffizient als den der ersten Metallmatrix (110) hat,eine zweite Verbundschicht (200) aus einer zweiten Metallmatrix (210) und darin eingebetteten zweiten Fasern (230) mit niedrigerem Wärmeausdehnungskoeffizient als dem der zweiten Metallmatrix (210) derart, daß die zweite Verbundschicht (200) insgesamt einen zweiten niedrigeren Wärmeausdehnungskoeffizient als den der zweiten Metallmatrix (210) hat, der vom ersten Wärmeausdehnungskoeffizient der ersten Verbundschicht (100) verschieden ist, undeine Metallschicht (120) aufweist, die zwischen der680-(17 2TQ-H859D-TFersten Verbundschicht (100) und der zweiten Verbundschicht (200) angeordnet und damit direkt und starr verbunden ist.
- 2. Laminataufbau von geschichteter Form für ein elektrisch leitendes Bauteil zur Anbringung in einer Halbleiteranordnung, in der der Laminataufbau zwischen wenigstens einem Halbleiterplättchen und einem Trägerkörper eingefügt wird, dadurch gekennzeichnet, daß der Laminataufbau (2) eine erste Verbundschicht (100) aus einer ersten Metallmatrix (110) und darin eingebetteten ersten Fasern (130) mit gleichem oder niedrigerem Wärmeausdehnungskoeffi .zient wie bzw. als dem des Halbleiters (1) derart, daß die erste Verbundschicht (100) insgesamt einen dem des Halbleiters (1) nahen Wärmeausdehnungskoeffizient hat,eine zweite Verbundschicht (200) aus einer zweiten Metallmatrix (210) und darin eingebetteten zweiten Fasern (230) mit gleichem oder niedrigerem Wärmeausdehnungskoeffizient wie bzw. als dem der zweiten Metallmatrix (210) derart, daß die zweite Verbundschicht (200) insgesamt einen dem des Trägerkörpers (3) nahen Wärmeausdehnungskoeffizient hat, undeine Metallschicht (120) aufweist, die zwischen der ersten Verbundschicht (100)|und der zweiten Verbundschicht (200) angeordnet und damit direkt und starr verbunden ist.Λ ·. * ί320423
- 3. Laminataufbau nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Metallmatrix (110), die zweite Metallmatrix (210) und die Metallschicht (120) aus dem gleichen Metall bestehen.
- 4. Laminataufbau nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die ersten Fasern (130) und die zweiten Fasern (230) in der ersten Metallmatrix (110) und in der zweiten Metallmatrix (210) in einer Form von gewirktem Stoff (131, 132; 231, 232) eingebettet sind.
- 5. Laminataufbau nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallschicht (120) aus einem Metall höherer Steifigkeit als denen der ersten Metallmatrix (110) und der zweiten Metallmatrix (210) besteht.
- 6. Laminataufbau nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Metallschicht (120) dünner als die erste Verbundschicht (100) und die zweite Verbundschicht (200)
- 7. Laminataufbau nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet,' t ψ-A-daß die Dicke der Metallschicht (120) 1/25 bis 1/4 derjenigen der ersten Verbundschicht (100) und der zweiten Verbundschicht (200) beträgt.
- 8. Laminataufbau nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,daß er außerdem eine zusätzliche äußere Metallschicht (121, 122) aufweist, die dünner als die erste Verbundschicht (1O0) und die zweite Verbundschicht (200) gemacht und direkt und starr mit jeder der äußeren Hauptflächen (101, 201) gegenüber den der Metallschicht (120) zugewandten inneren Hauptflächen der ersten Verbundschicht (100) und der zweiten Verbundschicht (200) verbunden ist.
- 9. Laminataufbau nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,daß die erste Metallmatrix (110), die zweite Metallmatrix (210) und die Metallschicht (120) aus Kupfer bestehen und die ersten Fasern (130) und die zweiten Fasern (230) aus Kohlenstoff bestehen.
- 10. Laminataufbau nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet,daß der Trägerkörper (3) aus einem Isolierstoff besteht.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1569581A JPS57130441A (en) | 1981-02-06 | 1981-02-06 | Integrated circuit device |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3204231A1 true DE3204231A1 (de) | 1982-08-12 |
DE3204231C2 DE3204231C2 (de) | 1986-09-18 |
Family
ID=11895900
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3204231A Expired DE3204231C2 (de) | 1981-02-06 | 1982-02-08 | Laminat mit einem Metall-Faser-Verbundmaterial und dessen Verwendung |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4482912A (de) |
JP (1) | JPS57130441A (de) |
DE (1) | DE3204231C2 (de) |
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2546878A1 (fr) * | 1983-05-31 | 1984-12-07 | Slonina Jean Pierre | Plaque support d'un substrat ceramique, leger, a forte conductivite thermique et coefficient de dilatation adapte pour toutes applications dans le domaine electronique |
EP0471552A1 (de) * | 1990-08-14 | 1992-02-19 | Texas Instruments Incorporated | Wärmetransportmodul für Anwendungen ultrahoher Dichte und Silizium auf Siliziumpackungen |
DE4222172A1 (de) * | 1992-07-06 | 1994-01-13 | Siemens Matsushita Components | Elektrisch isolierende Wärmekopplung für zwangsgekühlte elektrische Kondensatoren |
FR2704479A1 (fr) * | 1993-04-30 | 1994-11-04 | Thomson Csf | Plaques composites à fibres de carbonne dans une matrice de cuivre et leurs procédés de fabrication. |
DE4322431A1 (de) * | 1993-07-06 | 1995-01-12 | Mtu Muenchen Gmbh | Kühlstruktur und Verfahren zu ihrer Herstellung |
DE19730865A1 (de) * | 1997-07-18 | 1999-02-18 | Ulrich Dipl Ing Grauvogel | Kühlkörper für elektronische Bauelemente |
Families Citing this family (43)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4954873A (en) * | 1985-07-22 | 1990-09-04 | Digital Equipment Corporation | Electrical connector for surface mounting |
US4888247A (en) * | 1986-08-27 | 1989-12-19 | General Electric Company | Low-thermal-expansion, heat conducting laminates having layers of metal and reinforced polymer matrix composite |
US5130771A (en) * | 1988-10-11 | 1992-07-14 | Amoco Corporation | Diamond composite heat sink for use with semiconductor devices |
US5040588A (en) * | 1988-11-10 | 1991-08-20 | Lanxide Technology Company, Lp | Methods for forming macrocomposite bodies and macrocomposite bodies produced thereby |
CA1316303C (en) * | 1988-12-23 | 1993-04-20 | Thijs Eerkes | Composite structure |
US5151777A (en) * | 1989-03-03 | 1992-09-29 | Delco Electronics Corporation | Interface device for thermally coupling an integrated circuit to a heat sink |
WO1991006782A1 (en) * | 1989-10-25 | 1991-05-16 | Adams Mfg. Corp. | Transparent wall hook |
US5300809A (en) * | 1989-12-12 | 1994-04-05 | Sumitomo Special Metals Co., Ltd. | Heat-conductive composite material |
EP0434264B1 (de) * | 1989-12-22 | 1994-10-12 | Westinghouse Electric Corporation | Gehäuse für Leistungshalbleiterbauelemente |
US5316080A (en) * | 1990-03-30 | 1994-05-31 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics & Space Administration | Heat transfer device |
US5224030A (en) * | 1990-03-30 | 1993-06-29 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Semiconductor cooling apparatus |
WO1991017129A1 (en) * | 1990-05-09 | 1991-11-14 | Lanxide Technology Company, Lp | Macrocomposite bodies and production methods |
US5069978A (en) * | 1990-10-04 | 1991-12-03 | Gte Products Corporation | Brazed composite having interlayer of expanded metal |
US5296310A (en) * | 1992-02-14 | 1994-03-22 | Materials Science Corporation | High conductivity hydrid material for thermal management |
JP3201868B2 (ja) * | 1992-03-20 | 2001-08-27 | アジレント・テクノロジーズ・インク | 導電性熱インターフェース及びその方法 |
US5429879A (en) * | 1993-06-18 | 1995-07-04 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Laminated metal composite formed from low flow stress layers and high flow stress layers using flow constraining elements and making same |
JPH09312361A (ja) * | 1996-05-22 | 1997-12-02 | Hitachi Metals Ltd | 電子部品用複合材料およびその製造方法 |
US6129993A (en) * | 1998-02-13 | 2000-10-10 | Hitachi Metals, Ltd. | Heat spreader and method of making the same |
US6016007A (en) * | 1998-10-16 | 2000-01-18 | Northrop Grumman Corp. | Power electronics cooling apparatus |
US5912805A (en) * | 1998-11-04 | 1999-06-15 | Freuler; Raymond G. | Thermal interface with adhesive |
US6040065A (en) * | 1998-12-21 | 2000-03-21 | Eisan; Andrew | Method for producing a metal matrix for mosaic structures |
US6121680A (en) * | 1999-02-16 | 2000-09-19 | Intel Corporation | Mesh structure to avoid thermal grease pump-out in integrated circuit heat sink attachments |
US6075701A (en) * | 1999-05-14 | 2000-06-13 | Hughes Electronics Corporation | Electronic structure having an embedded pyrolytic graphite heat sink material |
US20040009353A1 (en) * | 1999-06-14 | 2004-01-15 | Knowles Timothy R. | PCM/aligned fiber composite thermal interface |
US6913075B1 (en) | 1999-06-14 | 2005-07-05 | Energy Science Laboratories, Inc. | Dendritic fiber material |
US7132161B2 (en) * | 1999-06-14 | 2006-11-07 | Energy Science Laboratories, Inc. | Fiber adhesive material |
DE19956394B4 (de) * | 1999-11-24 | 2005-02-03 | Airbus Deutschland Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Profiles aus einem Hybridwerkstoff |
US7498077B2 (en) * | 2001-06-15 | 2009-03-03 | Touchstone Research Laboratory, Ltd. | Metal matrix composite structures |
EP1403923A1 (de) * | 2002-09-27 | 2004-03-31 | Abb Research Ltd. | Leistungshalbleitermodul in Druckpackung |
US7042729B2 (en) * | 2003-06-24 | 2006-05-09 | Intel Corporation | Thermal interface apparatus, systems, and fabrication methods |
US20060083927A1 (en) * | 2004-10-15 | 2006-04-20 | Zyvex Corporation | Thermal interface incorporating nanotubes |
TWM268738U (en) * | 2004-12-21 | 2005-06-21 | Cleavage Entpr Co Ltd | Heat dissipation structure for a heat generating device |
US7829793B2 (en) * | 2005-09-09 | 2010-11-09 | Magnecomp Corporation | Additive disk drive suspension manufacturing using tie layers for vias and product thereof |
US8553364B1 (en) | 2005-09-09 | 2013-10-08 | Magnecomp Corporation | Low impedance, high bandwidth disk drive suspension circuit |
DE102006043163B4 (de) * | 2006-09-14 | 2016-03-31 | Infineon Technologies Ag | Halbleiterschaltungsanordnungen |
JP5223677B2 (ja) * | 2006-11-02 | 2013-06-26 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
JP5012577B2 (ja) * | 2007-07-05 | 2012-08-29 | 日本電気株式会社 | 半導体装置 |
JP2010179336A (ja) * | 2009-02-05 | 2010-08-19 | Toyota Central R&D Labs Inc | 接合体、半導体モジュール、及び接合体の製造方法 |
JP5488619B2 (ja) * | 2010-02-05 | 2014-05-14 | 三菱マテリアル株式会社 | パワーモジュール用基板及びパワーモジュール |
US9840338B2 (en) * | 2010-12-03 | 2017-12-12 | The Boeing Company | Electric charge dissipation system for aircraft |
US9802714B2 (en) | 2010-12-03 | 2017-10-31 | The Boeing Company | Electric charge dissipation system for aircraft |
CN104553102B (zh) * | 2015-01-15 | 2017-03-08 | 中国建筑材料科学研究总院 | 超高温梯度隔热材料及其制备方法 |
US11919111B1 (en) | 2020-01-15 | 2024-03-05 | Touchstone Research Laboratory Ltd. | Method for repairing defects in metal structures |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3097329A (en) * | 1960-06-21 | 1963-07-09 | Siemens Ag | Sintered plate with graded concentration of metal to accommodate adjacent metals having unequal expansion coefficients |
US3969754A (en) * | 1973-10-22 | 1976-07-13 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device having supporting electrode composite structure of metal containing fibers |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1514483B2 (de) * | 1965-06-22 | 1971-05-06 | Siemens AG, 1000 Berlin u 8000 München | Druckkontakt halbleiter gleichrichter |
JPS5240568B2 (de) * | 1972-09-15 | 1977-10-13 | ||
US4320412A (en) * | 1977-06-23 | 1982-03-16 | Western Electric Co., Inc. | Composite material for mounting electronic devices |
JPS5478169A (en) * | 1977-12-03 | 1979-06-22 | Kobe Steel Ltd | Method of detecting molten steel level in mold |
JPS5557851A (en) * | 1978-12-26 | 1980-04-30 | Hitachi Metals Ltd | Production of magnetic toner |
-
1981
- 1981-02-06 JP JP1569581A patent/JPS57130441A/ja active Pending
-
1982
- 1982-02-02 US US06/344,976 patent/US4482912A/en not_active Expired - Fee Related
- 1982-02-08 DE DE3204231A patent/DE3204231C2/de not_active Expired
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3097329A (en) * | 1960-06-21 | 1963-07-09 | Siemens Ag | Sintered plate with graded concentration of metal to accommodate adjacent metals having unequal expansion coefficients |
US3969754A (en) * | 1973-10-22 | 1976-07-13 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device having supporting electrode composite structure of metal containing fibers |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2546878A1 (fr) * | 1983-05-31 | 1984-12-07 | Slonina Jean Pierre | Plaque support d'un substrat ceramique, leger, a forte conductivite thermique et coefficient de dilatation adapte pour toutes applications dans le domaine electronique |
EP0471552A1 (de) * | 1990-08-14 | 1992-02-19 | Texas Instruments Incorporated | Wärmetransportmodul für Anwendungen ultrahoher Dichte und Silizium auf Siliziumpackungen |
DE4222172A1 (de) * | 1992-07-06 | 1994-01-13 | Siemens Matsushita Components | Elektrisch isolierende Wärmekopplung für zwangsgekühlte elektrische Kondensatoren |
FR2704479A1 (fr) * | 1993-04-30 | 1994-11-04 | Thomson Csf | Plaques composites à fibres de carbonne dans une matrice de cuivre et leurs procédés de fabrication. |
DE4322431A1 (de) * | 1993-07-06 | 1995-01-12 | Mtu Muenchen Gmbh | Kühlstruktur und Verfahren zu ihrer Herstellung |
DE19730865A1 (de) * | 1997-07-18 | 1999-02-18 | Ulrich Dipl Ing Grauvogel | Kühlkörper für elektronische Bauelemente |
DE19730865C2 (de) * | 1997-07-18 | 2001-12-13 | Ulrich Grauvogel | Anordnung mit einem Kühlkörper aus einem Aluminiumwerkstoff und zu kühlende Elemente |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US4482912A (en) | 1984-11-13 |
DE3204231C2 (de) | 1986-09-18 |
JPS57130441A (en) | 1982-08-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE3204231C2 (de) | Laminat mit einem Metall-Faser-Verbundmaterial und dessen Verwendung | |
DE10066446B4 (de) | Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Bauteils mit zwei Abstrahlungsbauteilen | |
DE19720275B4 (de) | Substrat für eine Halbleiteranordnung, Herstellungsverfahren für dasselbe und eine das Substrat verwendende stapelbare Halbleiteranordnung | |
EP0302274B1 (de) | Elektrisches Vielschichtbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE3924225C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Keramik-Metall-Verbundsubstrats sowie Keramik-Metall-Verbundsubstrat | |
DE3612084C2 (de) | ||
DE2824250C2 (de) | Trägerelektrode eines Halbleiterbauelements | |
DE10256980B4 (de) | Herstellverfahren für einen gestapelten keramischen Körper | |
DE2041497B2 (de) | Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes | |
DE1127000B (de) | ||
DE19927046A1 (de) | Keramik-Metall-Substrat, insbesondere Mehrfachsubstrat | |
DE3414065A1 (de) | Anordnung bestehend aus mindestens einem auf einem substrat befestigten elektronischen bauelement und verfahren zur herstellung einer derartigen anordnung | |
DE3145648C2 (de) | Halbleiteranordnung | |
DE102004002030B4 (de) | Verbundmaterial und Verfahren zu dessen Herstellung | |
DE3221199A1 (de) | Halbleiteranordnung des isolierten typs | |
DE10143919B4 (de) | Elekrisch leitende Paste und Verfahren zur Herstellung eines mehrlagigen keramischen elektronischen Bauteils unter verwendung dieser Paste | |
DE19931914A1 (de) | Keramikelektronikteil | |
DE2937050A1 (de) | Flachpaket zur aufnahme von elektrischen mikroschaltkreisen und verfahren zu seiner herstellung | |
DE2749052A1 (de) | Supraleitendes hohlkabel und verfahren zur herstellung supraleitender hohlkabel | |
DE3833886A1 (de) | Magnetfeldabschirmung mit einem supraleitenden film | |
DE19634424C2 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Strombegrenzers mit einem Hochtemperatursupraleiter | |
DE19835443C2 (de) | Chip-Thermistor und Verfahren zum Einstellen eines Chip-Thermistors | |
DE112007002936B4 (de) | Plattierelement und Verfahren zum Herstellen eines Platierelements | |
DE3428259C2 (de) | ||
WO2022012903A1 (de) | Verbindungselement, verfahren zum herstellen eines verbindungselements, anordnung umfassend ein verbindungselement und zwei damit verbundene bauteile sowie verfahren zum verbinden zweier bauteile mit einem verbindungselement |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |