DE3205345A1 - "verfahren zur herstellung von fluordotierten lichtleitfasern" - Google Patents

"verfahren zur herstellung von fluordotierten lichtleitfasern"

Info

Publication number
DE3205345A1
DE3205345A1 DE19823205345 DE3205345A DE3205345A1 DE 3205345 A1 DE3205345 A1 DE 3205345A1 DE 19823205345 DE19823205345 DE 19823205345 DE 3205345 A DE3205345 A DE 3205345A DE 3205345 A1 DE3205345 A1 DE 3205345A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
fluorine
production
dopant
fluoredoted
light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19823205345
Other languages
English (en)
Inventor
Peter Dr. 5100 Aachen Bachmann
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Philips Intellectual Property and Standards GmbH
Original Assignee
Philips Patentverwaltung GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=6155758&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=DE3205345(A1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Philips Patentverwaltung GmbH filed Critical Philips Patentverwaltung GmbH
Priority to DE19823205345 priority Critical patent/DE3205345A1/de
Priority to US06/443,006 priority patent/US4468413A/en
Priority to ZA83354A priority patent/ZA83354B/xx
Priority to EP83200191A priority patent/EP0086533B1/de
Priority to DE8383200191T priority patent/DE3360219D1/de
Priority to AT83200191T priority patent/ATE13514T1/de
Priority to CA000421327A priority patent/CA1201629A/en
Priority to JP58020578A priority patent/JPS58145635A/ja
Publication of DE3205345A1 publication Critical patent/DE3205345A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
    • C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
    • C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
    • C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
    • C03B37/018—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD] by glass deposition on a glass substrate, e.g. by inside-, modified-, plasma-, or plasma modified- chemical vapour deposition [ICVD, MCVD, PCVD, PMCVD], i.e. by thin layer coating on the inside or outside of a glass tube or on a glass rod
    • C03B37/01807—Reactant delivery systems, e.g. reactant deposition burners
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
    • C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
    • C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
    • C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
    • C03B37/018—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD] by glass deposition on a glass substrate, e.g. by inside-, modified-, plasma-, or plasma modified- chemical vapour deposition [ICVD, MCVD, PCVD, PMCVD], i.e. by thin layer coating on the inside or outside of a glass tube or on a glass rod
    • C03B37/01807—Reactant delivery systems, e.g. reactant deposition burners
    • C03B37/01815—Reactant deposition burners or deposition heating means
    • C03B37/01823—Plasma deposition burners or heating means
    • C03B37/0183—Plasma deposition burners or heating means for plasma within a tube substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B2201/00—Type of glass produced
    • C03B2201/06—Doped silica-based glasses
    • C03B2201/08—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant
    • C03B2201/12—Doped silica-based glasses doped with boron or fluorine or other refractive index decreasing dopant doped with fluorine
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S65/00—Glass manufacturing
    • Y10S65/15—Nonoxygen containing chalogenides
    • Y10S65/16—Optical filament or fiber treatment with fluorine or incorporating fluorine in final product

Description

PHILIPS PATENTVERWALTUNG GMBH PIlD 82-0Ib
"Vorfahren zur Herstellung von fluordotierten Lichtleitfasern"
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von fluordotierten Lichtloitf as.ern .
Die Verwendung von Fluor als den Brechungsindex erniedrigendes Dotierungsmittel bei der Herstellung von Multimoden-Lichtleitfasern auf Quarzglasbasis ist aus folgenden Druckschriften bekannt:
(1) A. Mühlich, K. Rau, F. Simmat, N. Treber, ist ECOC, IEE, London 1975
(2) K. Abe, 2nd ECOC, IEE, Paris 197^
(3) DE-PS 25 38 313
(k) D. Küppers, J. Koenings, H. Wilson, 3rd ECOC, München 1977
(5) D. Küppers, J. Koenings, H. Wilson, J. Electrochem. Soc. 125 (1978) 1298
(6) A. Mühlich, K. Rau, N. Treber, 3rd ECOC, München 1977
(7) K. Rau, A. Mühlich, N. Treber, Topical Meeting on Fiber Transmission, IEEE, Williamsburg 1977
(8) DE-OS 29 31 O92
(9) B.J. Ainslie, CR. Dciy, P.W. France, K.J.Beales, G.R. Newns, Electron. Lett. I5 (1979) Ίϋ
(10) J.W. Fleming, V.R. Raju, Electron. Lett. 17 (I98I) 867.
Sowohl bei der Herstellung von Quarzglaslichtleitfasern nach dem thermisch aktivierten MCVD-Verfahren (Druckschriften 2, 3) 9) als auch bei plasmaaktxverten Ilerstollungsprozessen (Druckschriften k, 5, b, 7, 10) wird Fluor als Dotierungsmittel eingesetzt. Als Fluor-
■ PIID HLi-OK)
quellen dienen SiF^ (2, h, 5) NF3, SF(> (8), CCl2 K1, (3, 8) oder auch CF/t (2, 9). Mit dem MCVD-Verfahren ist es möglich, durch Fluordotierung Brechungsindexunterschiede von etwa 0,5 zu erzeugen (2, 3.)» wobei, zur Erzielung dieser Werte große Mengen der jeweiligen Fluorverbindung angeboten werden miis.sen. Nach (2) wird ein Brechzahluntersehied von 0,3 % erst bei einem Verhältnis SiF,/SiCl. von 12:1 erreicht, wobei wich der große Überschuß an SiF. nachteilig auf die GaK-phasenabscheidung auswirkt. Fluor wird daher beim MCVD-Prozeß meist nur zusammen mit anderen Dot ierurigs-.mitteln angewandt (9, 10). Die Anwendung dor Plasmaaktivierung unter Normaldruck (6, 8) und bei niederem Druck (k, 5) ermöglicht die Erzeugung von Brechungs-
1S indexunterschieden von 1 % (7) bzw. 1,3 % (5). Bei '■ diesen ausschließlich mit Fluor dotierten Multimoden-Lichtleitfasern wurden optische Dämpfungen von 2,2 dB/km bei IO6O nm realisiert. Monomode-Lichtleitfasern wurden bisher auf diese Weise nicht hergestellt. Auch sind nach
2" wie vor relativ hohe Konzentrationen der jeweiligen
Fluorverbindungen der Gasphase erforderlich.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, den Brechungsindexunterschied zu erhöhen und die Menge an anzuwendender
Fluorverbindung zu erniedrigen.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß als Fluorquelle bei einem CVD-Verfahren Hexafluorethan (C3F^) verwendet wird.
Als CVD-Verfahren wird vorzugsweise das Niederdruck-PCVD-Verfahren angewendet, das an sich in der Arbeit von P. Geittner, D. Küppers und H. Lydtin in Appl. Phys. Lett. 28 (1976) Nr. 11 und in der DE-PS 2k kk 100 beschrieben ist.
PHD 82-016
Diο Erfindung wird anhand diner Zeichnung näher er-1 iiutorl. Kh zeigen
Fig. 1 eine graphische Darstellung der Abhängigkeit der Brechungsindexdifferenz von der Dotierungsmittel-Konzentration in der Gasphase für verschiedene Verfahren und Dotierungsmittel und
'T'ig. 2 eine Michelson-Intorferenz-Mikrographie von einer Monoraoden-Vorform.
In Fig. 1 ist die Brechungsindexdifferenz (in Prozent) über der in der Gasphase anwesend gewesenen Dotiermdttel-
konzentration χ = T3ot aufgetragen, wobei Qn
Q
ges
der Gasfluß des Dotierungsmittels und Q der Gesamt-
ges
Gasfluß bedeuten. Die einzelnen Kurven stellen Werte für folgende Verfahren und Systeme bzw. Dotierungsmittel dar:
1 PCVD-Verfahren, System GeO /SiO0
2 MCVD-Verfahren nach Druckschrift (2)
3 Verfahren nach Druckschrift (8), Dotierungsmittel C Cl2 F3
k Verfahren nach Druckschrift (8), Dotierungsmittel NF
5 Verfahren nach Druckschrift (8), Dotierungsmittel SF,-
b
6 PCVD-Verfahren, System F/SiO mit SiF, als
Fluorquelle, Druckschrift 5
7 Monomoden-Vorform, erfindungsgemäß hergestellt
8 PCVD-Verfahren, System F/SiO2 mit C3F6 als
Fluorquelle.
PHI) tt"-°i()
Fig. 1 zeigt, daß es nach der Erfindung möglich i.si , durch die Verwendung von CF. (llexai'Luorethan ; Freon MO) Brechungsindexunterschiede von mehr als 2 % zu erzirion. Dies bedeutet eine Steigerung von mehr als 50 % gegenüber den bisher erreichton Höchstwerten in Systemen mit reiner Fluordotierung oder reiner Gormaniumdioxiddotierung.
Die Erfindung ermöglicht es auch unter ausschließlicher Verwendung von Fluor als Dotierungstnittel optische Lichtleitfasern mit einer numerischen Apertur von mehr als 0,3 herzustellen. Wie Fig. 1 zu entnehmen ist, besteht ein weiterer Vorteil der vorliegenden Erfindung darin, daß bereits bei sehr geringen Konzentrationen '5 des Dotierungsmittels G F^ in der Gasphase sehr hohe Brechungsindexunterschiede erzielt werden können. Es wird ein Brechungsindexunterschied von 1 % bereits bei einem Verhältnis von C„F/-/SiCli von etwa 0,05 erreicht. Hexafluorethan ist demnach bei der Verwendung gemäß der Erfindung als außerordentlich wirkungsvolle Fluorquelle anzusehen. Bei der erfindungsgemäßen Anwendung von CF/- werden Dämpfungswerte von 1,5 dB/km bei IO5O nm erreicht.
Mit Hilfe des PCVD-Verfahrens und unter Verwendung C2F^ wurden auch.Monomode-Lichtleitfasern bestehend aus einem Mantel aus Quarzglas, einer durch Fluordotierung in ihrem Brechungsindex reduzierten Zwischenschicht sowie einem reinen Quarzkern hergestellt.
Fig. 2 zeigt eine Michelson-Interferenz-Mikrographie einer derartigen Monomode-Lichtleitfaser. Diese Monomadefasern bieten den Vorteil, daß der Kern aus reinem Quarzglas besteht und deshalb eine geringere Rayleighstreuung aufweist als Faserkerne mit Dotierung. Außerdem
PHD 82-016
wird die beim Verarbeiten von innen beschichteten Rohren zu Fasern mit dotiertem Keriunaterial auftretende Berechiingsindexstörung in der Fasermitte völlig vermieden. Diese Störung wird durch Ausdampfen des Dotierungsmittels aus der inneren Oberfläche des beschichteten Rohres hervorgerufen. Da die gemäß der Erfindung hergestellten innen beschichteten Rohre aber mir Quarz an der inneren Oberfläche aufweisen, tritt die beschriebene Störung nicht mehr auf.
Monomodefasern, die erfindungsgemäß hergestellt wurden, weisen daher eine geringere Biegeempfindlichkeit auf als Fasern mit dotiertem Kern, die ebenfalls über ein Innenbeschichtungsverfahren hergestellt wurden.
^ Die Erfindung wird ferner anhand von Ausführungsbeispielen näher erläutert. Die Ausführungsbeispiele entsprechen generell den in den Druckschriften Ct) und (5) beschriebenen Beispielen für das PCVD-Verfahren, wobei als Dotierungsmittel statt SiF. Hexafluorethan C0F, eingesetzt wurde.
Beispiel 1
Durch ein Quarzrohr (Länge I88 cm, Außendurchmesser 1^t, 2 mm,.
Innendurchmesser 11,8 mm) wird etwa 150 Minuten lang ein konstanter SiCl.-Strom von 40 sccm mit etwa 220 secm Sauerstoff und 1 sccm C F^ geleitet, wobei sccm der Gasfluß Q in cmJ Gas pro Minute, reduziert auf Normalbedingungen, also 1 bar bei 0 C, bedeutet. Der Druck innerhalb des Rohres liegt bei etwa 10 bis 1^t mbar. Während dieser Zeit wird die Rohraußenwand auf etwa II50 °C geheizt. Iiin Mikrowellenresonator mit 200 W Leistungsaufnahme bewegt sich mit 355 m/min entlang des Rohres hin und her und induziert die Abscheidung
* ft ·
ff } , PHI) 82-OK)
von fluorhaltigen glasartigen Q.uarzschichton. Zum Schluß werden noch einige SiOrj-Schicli-teri ohne C0F,- Zusatz abgeschieden. Anschließend wird das beschichtete Rohr zur Moaomodefaser verarbeitot.Her Kern dieser Faser besteht wie der Mantel aus reinem Quarz. Die Zwischenschicht hat einen um etwa 0,5 bis 0,0 % verringerten Brechungsindex.
Beispiel 2 10 Mit dem Verfahren analog zu Beispiel 1 und einer Variation der Gasphasenzusammensetzung zwischen
0,05 seem C2F6 + ^tO scctn SiCl^ und
5,7 seem C2F^ + ^O sccm SiClz
wurden Brechungsindexunterschiede zwischen
0,05 % und 2,0 % erzeugt. 20
Leerseite

Claims (3)

  1. Jt pud 8Li-
    PATENTANSPRÜCHE;
    Ii Verfahren zur Herstellung von
    fluordotierten Lichtleitfasern, Γ
    dadurch gekennzeichnet, daß als Fluorquellα bei einem CVD-Verfahren llexafluorcthan (.CgF^) ■ verw'endot wird.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als CVD-Verfahren das Niederdruck-PCVD-Verfahren angewendet wird·,
  3. 3. Anwendung des Verfahrens nach den Ansprüchen 1 und 2 auf die Herstellung von Monomode-Fasern mit einem undotierten Quarzkern, ein oder mehreren fluordotierten Zwischenschichten gleichen oder verschiedenen Dotierungsgrades sowie einem undotierten Quarzmantel.
DE19823205345 1982-02-15 1982-02-15 "verfahren zur herstellung von fluordotierten lichtleitfasern" Withdrawn DE3205345A1 (de)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19823205345 DE3205345A1 (de) 1982-02-15 1982-02-15 "verfahren zur herstellung von fluordotierten lichtleitfasern"
US06/443,006 US4468413A (en) 1982-02-15 1982-11-19 Method of manufacturing fluorine-doped optical fibers
ZA83354A ZA83354B (en) 1982-02-15 1983-01-19 Method of manufacturing fluorine-doped optical fibres
EP83200191A EP0086533B1 (de) 1982-02-15 1983-02-07 Verfahren zur Herstellung von fluordotierten Lichtleitfasern
DE8383200191T DE3360219D1 (en) 1982-02-15 1983-02-07 Method of making fluordoped optical fibres
AT83200191T ATE13514T1 (de) 1982-02-15 1983-02-07 Verfahren zur herstellung von fluordotierten lichtleitfasern.
CA000421327A CA1201629A (en) 1982-02-15 1983-02-10 Method of manufacturing fluorine-doped optical fibres
JP58020578A JPS58145635A (ja) 1982-02-15 1983-02-12 フツ素添加光フアイバの製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19823205345 DE3205345A1 (de) 1982-02-15 1982-02-15 "verfahren zur herstellung von fluordotierten lichtleitfasern"

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE3205345A1 true DE3205345A1 (de) 1983-09-01

Family

ID=6155758

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19823205345 Withdrawn DE3205345A1 (de) 1982-02-15 1982-02-15 "verfahren zur herstellung von fluordotierten lichtleitfasern"
DE8383200191T Expired DE3360219D1 (en) 1982-02-15 1983-02-07 Method of making fluordoped optical fibres

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE8383200191T Expired DE3360219D1 (en) 1982-02-15 1983-02-07 Method of making fluordoped optical fibres

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4468413A (de)
EP (1) EP0086533B1 (de)
JP (1) JPS58145635A (de)
AT (1) ATE13514T1 (de)
CA (1) CA1201629A (de)
DE (2) DE3205345A1 (de)
ZA (1) ZA83354B (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0208086A1 (de) * 1985-05-15 1987-01-14 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Herstellung von mit Fluor dotierten Vorformen aus Quarzglas zum Ziehen von Glasfasern für die optische Nachrichtenübertragung

Families Citing this family (198)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8300650A (nl) * 1983-02-22 1984-09-17 Philips Nv Werkwijze voor het vervaardigen van een massieve voorvorm voor het trekken van optische vezels.
DE3318589A1 (de) * 1983-05-21 1984-11-22 Philips Patentverwaltung Gmbh, 2000 Hamburg Verfahren zur herstellung von optischen wellenleitern
DE3429899A1 (de) * 1983-08-16 1985-03-07 Canon K.K., Tokio/Tokyo Verfahren zur bildung eines abscheidungsfilms
AU569757B2 (en) * 1983-10-19 1988-02-18 Nippon Telegraph & Telephone Corporation Optical fibre preform manufacture
EP0146659B1 (de) * 1983-12-22 1988-03-30 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Verfahren zur Herstellung von synthetischem Quarzglas und seine Verwendung in optischen Fasern
US4663183A (en) * 1984-09-10 1987-05-05 Energy Conversion Devices, Inc. Glow discharge method of applying a carbon coating onto a substrate
US4759947A (en) * 1984-10-08 1988-07-26 Canon Kabushiki Kaisha Method for forming deposition film using Si compound and active species from carbon and halogen compound
DE3500672A1 (de) * 1985-01-11 1986-07-17 Philips Patentverwaltung Lichtleitfaser mit fluordotierung und verfahren zu deren herstellung
US4728528A (en) * 1985-02-18 1988-03-01 Canon Kabushiki Kaisha Process for forming deposited film
US4726963A (en) * 1985-02-19 1988-02-23 Canon Kabushiki Kaisha Process for forming deposited film
US4778692A (en) * 1985-02-20 1988-10-18 Canon Kabushiki Kaisha Process for forming deposited film
US4784874A (en) * 1985-02-20 1988-11-15 Canon Kabushiki Kaisha Process for forming deposited film
US5244698A (en) * 1985-02-21 1993-09-14 Canon Kabushiki Kaisha Process for forming deposited film
US4818563A (en) * 1985-02-21 1989-04-04 Canon Kabushiki Kaisha Process for forming deposited film
US4853251A (en) * 1985-02-22 1989-08-01 Canon Kabushiki Kaisha Process for forming deposited film including carbon as a constituent element
US4801468A (en) * 1985-02-25 1989-01-31 Canon Kabushiki Kaisha Process for forming deposited film
JP2537175B2 (ja) * 1985-03-27 1996-09-25 キヤノン株式会社 機能性堆積膜の製造装置
DE3514094A1 (de) * 1985-04-16 1986-10-23 Schering AG, Berlin und Bergkamen, 1000 Berlin Herstellung metallischer strukturen auf anorganischen nichtleitern
US5188648A (en) * 1985-07-20 1993-02-23 U.S. Philips Corp. Method of manufacturing optical fibres
JPH0647727B2 (ja) * 1985-12-24 1994-06-22 キヤノン株式会社 堆積膜形成法
JPH084071B2 (ja) * 1985-12-28 1996-01-17 キヤノン株式会社 堆積膜形成法
US4874222A (en) * 1986-03-31 1989-10-17 Spectran Corporation Hermetic coatings for non-silica based optical fibers
US4883339A (en) * 1987-07-17 1989-11-28 Spectran Corporation Oxide coatings for fluoride glass
FR2620696B1 (fr) * 1987-09-22 1992-10-09 Comp Generale Electricite Procede de fabrication de fibre optique a coeur de silice entoure de silice fluoree
US4938562A (en) * 1989-07-14 1990-07-03 Spectran Corporation Oxide coatings for fluoride glass
US6127262A (en) * 1996-06-28 2000-10-03 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for depositing an etch stop layer
US6083852A (en) * 1997-05-07 2000-07-04 Applied Materials, Inc. Method for applying films using reduced deposition rates
SG53005A1 (en) * 1996-07-03 1998-09-28 Novellus Systems Inc Method for depositing substituted fluorcarbon polymeric layers
US6136685A (en) * 1997-06-03 2000-10-24 Applied Materials, Inc. High deposition rate recipe for low dielectric constant films
US6121164A (en) * 1997-10-24 2000-09-19 Applied Materials, Inc. Method for forming low compressive stress fluorinated ozone/TEOS oxide film
KR100334820B1 (ko) 1999-07-22 2002-05-02 윤종용 분산제어 광섬유 및 그 대구경 모재의 제조 방법
NL1015405C2 (nl) * 2000-06-09 2001-12-12 Draka Fibre Technology Bv Single mode optische vezel en werkwijze voor het vervaardigen van een single mode optische vezel.
US6335288B1 (en) 2000-08-24 2002-01-01 Applied Materials, Inc. Gas chemistry cycling to achieve high aspect ratio gapfill with HDP-CVD
NL1018951C2 (nl) * 2001-09-13 2003-03-14 Draka Fibre Technology Bv Werkwijze voor het vervaardigen van een staafvormig vormdeel alsmede een werkwijze voor het uit een dergelijk staafvormig vormdeel vervaardigen van optische vezels.
US7081414B2 (en) * 2003-05-23 2006-07-25 Applied Materials, Inc. Deposition-selective etch-deposition process for dielectric film gapfill
US7205240B2 (en) 2003-06-04 2007-04-17 Applied Materials, Inc. HDP-CVD multistep gapfill process
CN1226211C (zh) * 2003-06-27 2005-11-09 长飞光纤光缆有限公司 一种低水峰单模光纤的制造方法
US7752870B1 (en) 2003-10-16 2010-07-13 Baker Hughes Incorporated Hydrogen resistant optical fiber formation technique
US7229931B2 (en) * 2004-06-16 2007-06-12 Applied Materials, Inc. Oxygen plasma treatment for enhanced HDP-CVD gapfill
US7087536B2 (en) * 2004-09-01 2006-08-08 Applied Materials Silicon oxide gapfill deposition using liquid precursors
US20060154494A1 (en) 2005-01-08 2006-07-13 Applied Materials, Inc., A Delaware Corporation High-throughput HDP-CVD processes for advanced gapfill applications
US7329586B2 (en) * 2005-06-24 2008-02-12 Applied Materials, Inc. Gapfill using deposition-etch sequence
US7524750B2 (en) 2006-04-17 2009-04-28 Applied Materials, Inc. Integrated process modulation (IPM) a novel solution for gapfill with HDP-CVD
US7939422B2 (en) * 2006-12-07 2011-05-10 Applied Materials, Inc. Methods of thin film process
US20080142483A1 (en) * 2006-12-07 2008-06-19 Applied Materials, Inc. Multi-step dep-etch-dep high density plasma chemical vapor deposition processes for dielectric gapfills
US8252387B2 (en) * 2007-12-10 2012-08-28 Ofs Fitel, Llc Method of fabricating optical fiber using an isothermal, low pressure plasma deposition technique
US9324576B2 (en) 2010-05-27 2016-04-26 Applied Materials, Inc. Selective etch for silicon films
US8741778B2 (en) 2010-12-14 2014-06-03 Applied Materials, Inc. Uniform dry etch in two stages
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US8771539B2 (en) 2011-02-22 2014-07-08 Applied Materials, Inc. Remotely-excited fluorine and water vapor etch
US9064815B2 (en) 2011-03-14 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Methods for etch of metal and metal-oxide films
US8999856B2 (en) 2011-03-14 2015-04-07 Applied Materials, Inc. Methods for etch of sin films
US8497211B2 (en) 2011-06-24 2013-07-30 Applied Materials, Inc. Integrated process modulation for PSG gapfill
US8771536B2 (en) 2011-08-01 2014-07-08 Applied Materials, Inc. Dry-etch for silicon-and-carbon-containing films
US8679982B2 (en) 2011-08-26 2014-03-25 Applied Materials, Inc. Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and oxygen
US8679983B2 (en) 2011-09-01 2014-03-25 Applied Materials, Inc. Selective suppression of dry-etch rate of materials containing both silicon and nitrogen
US8927390B2 (en) 2011-09-26 2015-01-06 Applied Materials, Inc. Intrench profile
US8808563B2 (en) 2011-10-07 2014-08-19 Applied Materials, Inc. Selective etch of silicon by way of metastable hydrogen termination
WO2013070436A1 (en) 2011-11-08 2013-05-16 Applied Materials, Inc. Methods of reducing substrate dislocation during gapfill processing
US9267739B2 (en) 2012-07-18 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Pedestal with multi-zone temperature control and multiple purge capabilities
US9373517B2 (en) 2012-08-02 2016-06-21 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing with DC assisted RF power for improved control
US9034770B2 (en) 2012-09-17 2015-05-19 Applied Materials, Inc. Differential silicon oxide etch
US9023734B2 (en) 2012-09-18 2015-05-05 Applied Materials, Inc. Radical-component oxide etch
US9390937B2 (en) 2012-09-20 2016-07-12 Applied Materials, Inc. Silicon-carbon-nitride selective etch
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US8765574B2 (en) 2012-11-09 2014-07-01 Applied Materials, Inc. Dry etch process
US8969212B2 (en) 2012-11-20 2015-03-03 Applied Materials, Inc. Dry-etch selectivity
US9064816B2 (en) 2012-11-30 2015-06-23 Applied Materials, Inc. Dry-etch for selective oxidation removal
US8980763B2 (en) 2012-11-30 2015-03-17 Applied Materials, Inc. Dry-etch for selective tungsten removal
US9111877B2 (en) 2012-12-18 2015-08-18 Applied Materials, Inc. Non-local plasma oxide etch
US8921234B2 (en) 2012-12-21 2014-12-30 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride etching
US9018108B2 (en) 2013-01-25 2015-04-28 Applied Materials, Inc. Low shrinkage dielectric films
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
US9362130B2 (en) 2013-03-01 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
US9040422B2 (en) 2013-03-05 2015-05-26 Applied Materials, Inc. Selective titanium nitride removal
US8801952B1 (en) 2013-03-07 2014-08-12 Applied Materials, Inc. Conformal oxide dry etch
US10170282B2 (en) 2013-03-08 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Insulated semiconductor faceplate designs
US20140271097A1 (en) 2013-03-15 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Processing systems and methods for halide scavenging
US8895449B1 (en) 2013-05-16 2014-11-25 Applied Materials, Inc. Delicate dry clean
US9114438B2 (en) 2013-05-21 2015-08-25 Applied Materials, Inc. Copper residue chamber clean
US9493879B2 (en) 2013-07-12 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Selective sputtering for pattern transfer
US9773648B2 (en) 2013-08-30 2017-09-26 Applied Materials, Inc. Dual discharge modes operation for remote plasma
US8956980B1 (en) 2013-09-16 2015-02-17 Applied Materials, Inc. Selective etch of silicon nitride
US8951429B1 (en) 2013-10-29 2015-02-10 Applied Materials, Inc. Tungsten oxide processing
US9236265B2 (en) 2013-11-04 2016-01-12 Applied Materials, Inc. Silicon germanium processing
US9576809B2 (en) 2013-11-04 2017-02-21 Applied Materials, Inc. Etch suppression with germanium
US9520303B2 (en) 2013-11-12 2016-12-13 Applied Materials, Inc. Aluminum selective etch
US9245762B2 (en) 2013-12-02 2016-01-26 Applied Materials, Inc. Procedure for etch rate consistency
US9117855B2 (en) 2013-12-04 2015-08-25 Applied Materials, Inc. Polarity control for remote plasma
US9287095B2 (en) 2013-12-17 2016-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor system assemblies and methods of operation
US9263278B2 (en) 2013-12-17 2016-02-16 Applied Materials, Inc. Dopant etch selectivity control
US9190293B2 (en) 2013-12-18 2015-11-17 Applied Materials, Inc. Even tungsten etch for high aspect ratio trenches
US9287134B2 (en) 2014-01-17 2016-03-15 Applied Materials, Inc. Titanium oxide etch
US9293568B2 (en) 2014-01-27 2016-03-22 Applied Materials, Inc. Method of fin patterning
US9396989B2 (en) 2014-01-27 2016-07-19 Applied Materials, Inc. Air gaps between copper lines
US9385028B2 (en) 2014-02-03 2016-07-05 Applied Materials, Inc. Air gap process
US9499898B2 (en) 2014-03-03 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Layered thin film heater and method of fabrication
US9299575B2 (en) 2014-03-17 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Gas-phase tungsten etch
US9299538B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9299537B2 (en) 2014-03-20 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Radial waveguide systems and methods for post-match control of microwaves
US9136273B1 (en) 2014-03-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Flash gate air gap
US9903020B2 (en) 2014-03-31 2018-02-27 Applied Materials, Inc. Generation of compact alumina passivation layers on aluminum plasma equipment components
US9269590B2 (en) 2014-04-07 2016-02-23 Applied Materials, Inc. Spacer formation
US9309598B2 (en) 2014-05-28 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Oxide and metal removal
US9847289B2 (en) 2014-05-30 2017-12-19 Applied Materials, Inc. Protective via cap for improved interconnect performance
US9378969B2 (en) 2014-06-19 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Low temperature gas-phase carbon removal
US9406523B2 (en) 2014-06-19 2016-08-02 Applied Materials, Inc. Highly selective doped oxide removal method
US9425058B2 (en) 2014-07-24 2016-08-23 Applied Materials, Inc. Simplified litho-etch-litho-etch process
US9159606B1 (en) 2014-07-31 2015-10-13 Applied Materials, Inc. Metal air gap
US9496167B2 (en) 2014-07-31 2016-11-15 Applied Materials, Inc. Integrated bit-line airgap formation and gate stack post clean
US9378978B2 (en) 2014-07-31 2016-06-28 Applied Materials, Inc. Integrated oxide recess and floating gate fin trimming
US9165786B1 (en) 2014-08-05 2015-10-20 Applied Materials, Inc. Integrated oxide and nitride recess for better channel contact in 3D architectures
US9659753B2 (en) 2014-08-07 2017-05-23 Applied Materials, Inc. Grooved insulator to reduce leakage current
US9553102B2 (en) 2014-08-19 2017-01-24 Applied Materials, Inc. Tungsten separation
US9355856B2 (en) 2014-09-12 2016-05-31 Applied Materials, Inc. V trench dry etch
US9478434B2 (en) 2014-09-24 2016-10-25 Applied Materials, Inc. Chlorine-based hardmask removal
US9368364B2 (en) 2014-09-24 2016-06-14 Applied Materials, Inc. Silicon etch process with tunable selectivity to SiO2 and other materials
US9613822B2 (en) 2014-09-25 2017-04-04 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity enhancement
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US9355922B2 (en) 2014-10-14 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US9299583B1 (en) 2014-12-05 2016-03-29 Applied Materials, Inc. Aluminum oxide selective etch
US10573496B2 (en) 2014-12-09 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Direct outlet toroidal plasma source
US10224210B2 (en) 2014-12-09 2019-03-05 Applied Materials, Inc. Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source
US9502258B2 (en) 2014-12-23 2016-11-22 Applied Materials, Inc. Anisotropic gap etch
US9343272B1 (en) 2015-01-08 2016-05-17 Applied Materials, Inc. Self-aligned process
US11257693B2 (en) 2015-01-09 2022-02-22 Applied Materials, Inc. Methods and systems to improve pedestal temperature control
US9373522B1 (en) 2015-01-22 2016-06-21 Applied Mateials, Inc. Titanium nitride removal
US9449846B2 (en) 2015-01-28 2016-09-20 Applied Materials, Inc. Vertical gate separation
US9728437B2 (en) 2015-02-03 2017-08-08 Applied Materials, Inc. High temperature chuck for plasma processing systems
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
US9881805B2 (en) 2015-03-02 2018-01-30 Applied Materials, Inc. Silicon selective removal
US9691645B2 (en) 2015-08-06 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9349605B1 (en) 2015-08-07 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity systems and methods
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10522371B2 (en) 2016-05-19 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US9865484B1 (en) 2016-06-29 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Selective etch using material modification and RF pulsing
US10629473B2 (en) 2016-09-09 2020-04-21 Applied Materials, Inc. Footing removal for nitride spacer
US10062575B2 (en) 2016-09-09 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Poly directional etch by oxidation
US9934942B1 (en) 2016-10-04 2018-04-03 Applied Materials, Inc. Chamber with flow-through source
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US10062585B2 (en) 2016-10-04 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Oxygen compatible plasma source
US9721789B1 (en) 2016-10-04 2017-08-01 Applied Materials, Inc. Saving ion-damaged spacers
US10062579B2 (en) 2016-10-07 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Selective SiN lateral recess
US9947549B1 (en) 2016-10-10 2018-04-17 Applied Materials, Inc. Cobalt-containing material removal
US9768034B1 (en) 2016-11-11 2017-09-19 Applied Materials, Inc. Removal methods for high aspect ratio structures
US10163696B2 (en) 2016-11-11 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Selective cobalt removal for bottom up gapfill
US10026621B2 (en) 2016-11-14 2018-07-17 Applied Materials, Inc. SiN spacer profile patterning
US10242908B2 (en) 2016-11-14 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Airgap formation with damage-free copper
US10566206B2 (en) 2016-12-27 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Systems and methods for anisotropic material breakthrough
US10431429B2 (en) 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10403507B2 (en) 2017-02-03 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Shaped etch profile with oxidation
US10043684B1 (en) 2017-02-06 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Self-limiting atomic thermal etching systems and methods
US10319739B2 (en) 2017-02-08 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Accommodating imperfectly aligned memory holes
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
US10319649B2 (en) 2017-04-11 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US10049891B1 (en) 2017-05-31 2018-08-14 Applied Materials, Inc. Selective in situ cobalt residue removal
US10497579B2 (en) 2017-05-31 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Water-free etching methods
US10920320B2 (en) 2017-06-16 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors
US10541246B2 (en) 2017-06-26 2020-01-21 Applied Materials, Inc. 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling
US10727080B2 (en) 2017-07-07 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Tantalum-containing material removal
US10541184B2 (en) 2017-07-11 2020-01-21 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching
US10354889B2 (en) 2017-07-17 2019-07-16 Applied Materials, Inc. Non-halogen etching of silicon-containing materials
US10170336B1 (en) 2017-08-04 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Methods for anisotropic control of selective silicon removal
US10043674B1 (en) 2017-08-04 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Germanium etching systems and methods
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
US10128086B1 (en) 2017-10-24 2018-11-13 Applied Materials, Inc. Silicon pretreatment for nitride removal
US10283324B1 (en) 2017-10-24 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Oxygen treatment for nitride etching
US10256112B1 (en) 2017-12-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Selective tungsten removal
US10903054B2 (en) 2017-12-19 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US10854426B2 (en) 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
US10679870B2 (en) 2018-02-15 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus
TWI766433B (zh) 2018-02-28 2022-06-01 美商應用材料股份有限公司 形成氣隙的系統及方法
US10593560B2 (en) 2018-03-01 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US10497573B2 (en) 2018-03-13 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Selective atomic layer etching of semiconductor materials
US10573527B2 (en) 2018-04-06 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Gas-phase selective etching systems and methods
US10490406B2 (en) 2018-04-10 2019-11-26 Appled Materials, Inc. Systems and methods for material breakthrough
US10699879B2 (en) 2018-04-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two piece electrode assembly with gap for plasma control
US10886137B2 (en) 2018-04-30 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Selective nitride removal
US10755941B2 (en) 2018-07-06 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Self-limiting selective etching systems and methods
US10872778B2 (en) 2018-07-06 2020-12-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods utilizing solid-phase etchants
US10672642B2 (en) 2018-07-24 2020-06-02 Applied Materials, Inc. Systems and methods for pedestal configuration
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US10892198B2 (en) 2018-09-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved performance in semiconductor processing
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
US11721527B2 (en) 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
US10920319B2 (en) 2019-01-11 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US30635A (en) * 1860-11-13 Improved spring bed-bottom
US4082420A (en) * 1972-11-25 1978-04-04 Sumitomo Electric Industries, Ltd. An optical transmission fiber containing fluorine
DE2538313C3 (de) * 1975-08-28 1981-11-05 Heraeus Quarzschmelze Gmbh, 6450 Hanau Verfahren zur Herstellung eines Vorproduktes für die Erzeugung eines optischen, selbstfokussierenden Lichtleiters
DE2546162B1 (de) * 1975-10-15 1976-09-23 Jenaer Glaswerk Schott & Gen Lichtleitfaser mit Brechungsindexgradient zur Nachrichtenuebertragung
FR2428618A1 (fr) * 1978-06-16 1980-01-11 Telecommunications Sa Procede de fabrication d'une ebauche en vue de la realisation d'un guide de lumiere et ebauche obtenue selon le procede
JPS5510469A (en) * 1978-07-10 1980-01-24 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> Production of glass fiber for light communication
FR2432478B1 (de) * 1978-07-31 1982-03-12 Quartz & Silice
GB2084988B (en) * 1980-10-02 1984-06-06 Post Office Methods of etching materials containing silicon

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0208086A1 (de) * 1985-05-15 1987-01-14 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Herstellung von mit Fluor dotierten Vorformen aus Quarzglas zum Ziehen von Glasfasern für die optische Nachrichtenübertragung

Also Published As

Publication number Publication date
JPS58145635A (ja) 1983-08-30
DE3360219D1 (en) 1985-07-04
EP0086533A1 (de) 1983-08-24
EP0086533B1 (de) 1985-05-29
ATE13514T1 (de) 1985-06-15
CA1201629A (en) 1986-03-11
US4468413A (en) 1984-08-28
ZA83354B (en) 1984-09-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0086533B1 (de) Verfahren zur Herstellung von fluordotierten Lichtleitfasern
DE3040188C2 (de) Optische Übertragungsfaser und Verfahren zu ihrer Herstellung
EP1000909B1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Vorform für eine optische Faser und für die Durchführung des Verfahrens geeignetes Substratrohr
DE2930398C2 (de)
EP0191202B1 (de) Lichtleitfaser mit Fluordotierung und Verfahren zu deren Herstellung
EP0117009B1 (de) Verfahren zum Herstellen einer massiven Vorform zum Ziehen optischer Fasern
DE2358880B2 (de) Lichtleitfaser aus erschmolzenem Siliziumdioxid unter Verwendung von Dotierungsmaterial sowie Verfahren zu ihrer Herstellung
EP1286926A1 (de) Verfahren für die herstellung einer optischen faser
DE102007003889B3 (de) Quarzglasrohr als Halbzeug für die Vorform- und Faserherstellung, dessen Verwendung sowie Verfahren zur Herstellung des Quarzglasrohres
DE19958276C1 (de) Verfahren für die Herstellung einer Quarzglas-Vorform für eine Lichtleitfaser
EP0198118B1 (de) Einwelliger Lichtwellenleiter aus Quarzglas und Verfahren zu dessen Herstellung
DE60200189T2 (de) Verfahren zum Herstellen von optischen Fasern aus Vorformen mittels Regulierung des Partialdrucks des Sauerstoffes während der Dehydratisierung der Vorform
EP0127227B1 (de) Verfahren zur Herstellung von optischen Wellenleitern
EP0100998B1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Glasfaser mit einem radialen Brechzahlprofil
DE19952821B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer Quarzglas-Vorform für Lichtleitfasern
DE3635819C2 (de)
DE10155134C1 (de) Verfahren für die Herstellung einer Vorform für eine optische Faser und Vorform für eine optische Faser
DE3820217A1 (de) Lichtwellenleiter, insbesondere einmodenfaser
WO2012163803A2 (de) Lichtleitfaser
DE10050324C1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Rohres aus dotiertem Quarzglas, rohrförmiges Halbzeug aus porösem Quarzglas, daraus hergestelltes Quarzglasrohr und Verwendung desselben
DE3206177A1 (de) Verfahren zur herstellung einer vorform, aus der optische fasern ziehbar sind
DE3941864A1 (de) Verfahren zum entfernen von verunreinigungen aus einer ausgangsvorform
WO2001040125A1 (de) Quarzglasstab für eine vorform für optische fasern und verfahren zu seiner herstellung
DE2413609A1 (de) Verfahren zur herstellung eines glasaufbaus
DE3941863A1 (de) Verfahren zum herstellen einer vorform fuer lichtwellenleiter

Legal Events

Date Code Title Description
8139 Disposal/non-payment of the annual fee