DE3247985A1 - Keramischer traeger - Google Patents
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Description
Hanau, 23. Dezember 1902 ZPL-Kk/ha
. ■ t W. C. He.raeus GmbH, Hanau
Patentanmeldung
"Koramischer Träger"
Die Erfindung betrifft einen keramischen Träger mit hoher thermischer Leitfähigkeit für Halbleiterbauelemente oder
elektronische Schaltungen..
Bei Trägern für elektronische Schaltungen treten Probleme bei der Wärmeableitung auf, die mit wachsender Integrationsdichte
immer größer werden. Für Hochleistungsanwendungen werden bereits Träger aus Berylliumoxid eingesetzt, die eine
fast achtfache bessere Wärmeleitfähigkeit gegenüber den herkömmlichen
Aluminiumoxidträger aufweisen, aber wesentlich
teurer sin.d als die herkömmlichen Träger aus reinem Aluminiumoxid.
Als besonderes Problem wird die extreme Toxizität von Bery lliutiiox idstäuben empfunden, die eine Nachbearbeitung
(z.B. Schleifen oder Polieren) des.Anwenders -ausschließt.
Die Bearbeitung mui3 in überwachten SpezialWerkstätten erfolgen.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Träger zu schaffen, der eine bessere Leitfähigkeit als Aluminium
oxidträger aufweist, kostengünstiger herstellbar ist als
ein Berylliumoxid träger und ungiftig ist.
G to löst wird dio Aufgabe für einen Träger der eingangs, c'harakteriüiorton
Art erfindungsgomäß dadurch, daß er aus poly-'
l< ristallinciri A 1 υ in in i umnit rid holier Dichte besteht. Vorteilhafterweise
besteht dor Träger aus A Iumtniumnitird mit Born
i t r i dzusätzon oder Oxidzusätzen nüs den Oxiden von Calziuui,
Magnesium, Aluminium, Titan, Zirkonium und/oder Silizium
und/ ü de r 'Sei t one rdiiio ta I lon , zweckütnäß ige ivre ine Y11 r iumox id .
si - 2 .
BAD ORIGINAL
-χ-Ζ.
Vorzugsweise betragen die Zusätze an Bornitrid 0,1 bis 3
Geu.-?i, zweckinäßigerweise 0,5 bis 2 Gew.-So, die der oxidischen Zusätze zwischen 0,1 und 5 Gew.-?o.
Die Vorteile des erfindungsgemäß ausgebildeten Trägers liegen
darin, daß er aus einem Material besteht, das.gute dielektrische Eigenschaften und eine gute Tempo raturuechüe Ibes tätuliijkeit
bei gleichzeitiger besserer Wärme loi t fäh igke Lt gegiMiiih-er
Aluminiumoxid aufweist, und das kostengünstiger als Berylliumoxid
herstellbar it. Ein weiterer Vorteil des erfindungsgemäßen Trägers ist die Ungiftigkeit. .
•An sich ist Aluminiumnitrid aufgrund seinen kovalenten Bindungscharakters
nicht sinterfähig, so daß durch druckloses Sintern keine hohe Dichte und keine hohe mechanische Festigkeit
erreicht werden kann. Bei einer niedrigen Dichte, d.h. bei einem Material mit einer hohe Porosität, kann bekannterweise
auch nicht der theoretische Wert für die Wärmeleitfähigkeit erreicht werden, der für AlN mit 320 W/mk--weit
über dem theoretischen Wärmeleitfähigkeitswert des Aluminiumoxid
(28 W/mk) liegt.
Der erfindungsgemäße Träger mit Aluminiumnitrid als Grundmateria]
wird durch Heißpressen oder Hejßisostatisches Pressen von
zusatzfreiem Material oder kostengünstiger durch Sintern
in Sticks toffatmosphäre unter Verwendung von Bornitridzusätzen
oder oxidischen Zusätzen hergestellt. Durch den Zusatz von Bornitrid oder oxidisehen Zusätzen ist es nun ge Jungeη eine
hohe Dichte und eine hohe Wärmeleitfähigkeit zu erreichen,
die je nach Art und Menge des Zusatzes-" teilweise über der
Wärmeleitfähigkeit von hande !^üblichem Berylliumoxid liegt.
Der theoretische Wärmeleitfähigkeitswert von I3e ry IJ iumox id
(porenfreies, hochreines Material) liegt bei 210 W/mk. Aufgrund
der hohen Verdichtung, w i t'd zusätzlich eine hohe nie.clian ische
I e;;l u|keil erreicht. I) ι e . ü\ i d/u:;ä t / e sind vom S L aiulpunk L
BAD ORIGINAL
der guten Verdiehtbarkoit des Aiuminiumnitrids ebenso gut
geeignet u'ie das Bornitrid. Mit Oxidzusätzen wurde die höchste
Wärmeleitfähigkeit realisiert.
100 .g einer Pulvermischung aus 99 Ge\u.-% Aluminiumnitrid
und einem Gew.-% Bornitrid, wurden 25 Stunden in einem Keramikgefäß
mit 100 g Keramikmahlkörpern aufgemahlen. Diese Mischung
wurde durch ein Sieb mit einer Maschenweite von 200· μπι durchgesiebt.
Das so aufbereitete Pulver wurde in einer Matrize zu Plättchen gepreßt.'. ■
Nach Einbringen der Plättchen in eine graphitbeheizte Sinteranlage
wurde diese auf 10~ mbar abgepump-t und anschließend ■
ein Stickstoffdruck von 5mbar eingeregelt. Innerhalb von
3 Stunden wurde auf eine Temperatur von 13000C aufgeheizt.
Während dieser Periode wurde ein Stickstoffdruck von 5mbar
aufrechterhalten. Bei 13000C wurde ein Stickstoffdruck von
140mbar aufgegeben und die Ventile geschlossen. Innerhalb . ■
von 1 Stunde wurde auf 19ÜO°C aufgeheizt. Bei dieser Temperatur
hat sich ein Stickstoffdruck von l90mbar eingestellt.
Nach einer zweistündigen Haltezei.t bei diesen Bedingungen
wurde die Anlage abgeschaltet und innerhalb von ca. 12 Stunden'
auf Raumtemperatur abgekühlt. Danach wurde die Anlage geflutet
und der fertig gesinterte Träger entnommen. Der so hergestellte Träger kann unmittelbar eingesetzt oder gegebenenfalls·beschnitten
und einseitig poliert werden.
B e i s ρ i ti 1 2 :
lüüg einur Pu !vormischung aus.90,0 Gow.-?u feinem Aluminiunin
it r idpul vertj (Korngröße nach ITS 1,5 μπι) und.2,0 devi .-1Ji
Y tt r iuiiiox id--in il uinor Korngröße im Submicronbe rc ich wurde
in einer fiürsermühle au f gemahlen . Diese "Mischung, uurde durch
ein Sieb dor Masclveno-o ito 60 μ in du rehqesicb t und in einoi
Matrize zu P iii ttchen ο ine r Größe von 25 χ 25 χ 1 nimm bzw.
zu Stäbchen mit der Abmessung von 5 χ 5 χ. 70 mm ve.rprei.it.
BAD ORIGINAL
Die Plättchen und Stäbe wurden unter Verwendung einer Unterlage von Molybdänblech in eine graphitbeheizte Sinteranlage
eingebracht.
Nach Evakuieren der Sinteranlage auf 10 mbar wurde ein
Stickstoffdruck von 5 mbar eingeregelt. Innerhalb von 2 Stunden wurde auf eine Temperatur von 110nC aufgeheizt. Während dieser
Periode wurde ein Stickstoffdruck von 5 mbar aufrechterhalten.
Bei 11000C wurde ein Stickstoffdruck von 120 mbar aufgegeben
und die Ventile geschlossen. Innerhalb einer Stunde wurde
auf 18OQ0C aufgeheizt. Bei dieser Temperatur hat sich ein :
Stickstoffdruck von 180 mbar eingestellt. Nach einer zweistündigen
Haltezeit bei diesen Bedingungen wurde die Anlage abgeschaltet
und innerhalb von ca. 12" Stunden auf Räumtemperaur
abgekühlt. Danach wurde die Anlage belüftet und die gesinterten Plättchen und Stäbe entnommen. Die Plättchen werden
unmittelbar oder nach einseitigem Polieren zur Dickschicht- \ paste-Beschichtung verwendet. Die Stäbe werden gegebenenfalls
j ringsherum überschliffen oder unmittelbar auf einer Innenlochsäge
in dünne quadratische Plättschen geschnitten, die ihrerseits für die Bedampfung verwendet werden.
Die Wärmeleitfähigkeit dieses Trägers beträgt 104 W/ink.
Die Härte, qemessen in Knoop mit einer Belastung von 500 g,
beträgt durchschnitttlieh 955.
Die gemessene Wärmeleitfähigkeit an dem or f indungsgenuißon
Material liegt je nach Art und Plonge des Zusatzes- durchschnittlich
zwischen 140 und 100 W-/ink und somit bis zu sechsmal
höher wie bei reinem Aluminiumoxid. Diese Werte wurden an
Materialproben mit einer relativen Dichte /wischen 90 und
98!/o der tlreo re t i:;ehen Dichte ermittelt. Him zunehmen de r Verdichtung
und bei Einsatz eines reineren Mn türi a I ν, nimmt die Wit r nie-In
i t f ;jh iijkei t weiter /u. Der tun e r Γ indunijstjomäLien Material
BAD ORIGINAL
höchste bisher gemessene llärtu/ert (Krvoop 50Ü g Belastung)
liegt bei 1110, u/ohingegen bei demselben undotierten Ausgangsmateiial
maximal eine Härte von 240 erreichbar ist.
BAD ORIGINAL
Claims (6)
- Q-Patentansprüche(1.) Keramischer Träger mit hoher thermischer Leitfähigkeit für Halbleiterbauelemente oder elektronische Schaltungen, dadurch gekennzeichnet, dai3 er entweder aus polykristallinem Aluminiumnitrid hoher Dichte oder aus Aluminiumnitrid mit einem Zusatz aus Bornitrid oder aus.einem Oxid besteht.
- 2. Keramischer Träger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Bornitridzusatz 0,1 bis 3 Gew.-?i beträgt.
- 3. Keramischer Träger nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Bornitridzusatz 0,5 bis 2 Gevi/.-?i beträgt.
- 4. Keramischer Träger nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Gehalt an Oxidzusatz zwischen 0,1 und 5 Ge\i/.-?o beträgt.
- 5. Keramische Träger nach Anspruch 1 und 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Oxidzusatz aus den Oxiden C'alziuin, Magnesium, Aluminum, Titan, Zirkonium, Chrom und/oder Seltanerdmetallen besteht.
- 6. Keramischer Träger nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Zusatz aus Y 11 r iumox j el besteht.BAD ORIGINAL
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EP83109731A EP0114193B1 (de) | 1982-12-24 | 1983-09-29 | Keramischer Träger |
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US06/741,711 US4591537A (en) | 1982-12-24 | 1985-06-05 | Combination of AlN-Y2 O3 heat conductive ceramic substrate and electronic component |
Applications Claiming Priority (1)
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0215638A1 (de) * | 1985-09-10 | 1987-03-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Mischung zum Metallisieren von gesintertem Keramikartikel |
US4746637A (en) * | 1984-11-08 | 1988-05-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Aluminum nitride sintered body and process for producing the same |
US4766097A (en) * | 1983-12-12 | 1988-08-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Aluminum nitride-based sintered body of high thermal conductivity |
Families Citing this family (73)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4547471A (en) * | 1983-11-18 | 1985-10-15 | General Electric Company | High thermal conductivity aluminum nitride ceramic body |
US5306677A (en) * | 1984-03-16 | 1994-04-26 | Lanxide Technology Company, Lp | Ceramic materials |
US5118647A (en) * | 1984-03-16 | 1992-06-02 | Lanxide Technology Company, Lp | Ceramic materials |
US5073527A (en) * | 1984-07-20 | 1991-12-17 | Lanxide Technology Company, Lp | Self-supporting ceramic materials |
US4853352A (en) * | 1984-07-20 | 1989-08-01 | Lanxide Technology Company, Lp | Method of making self-supporting ceramic materials and materials made thereby |
JPS6139918A (ja) * | 1984-07-31 | 1986-02-26 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツド用スライダ |
EP0177194A3 (de) * | 1984-09-05 | 1988-04-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Vorrichtung zur Herstellung einer einkristallinen Halbleiterverbindung |
US5165983A (en) * | 1984-09-30 | 1992-11-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method for production of aluminum nitride ceramic plate |
DE3534886A1 (de) * | 1984-09-30 | 1986-04-03 | Kabushiki Kaisha Toshiba, Kawasaki, Kanagawa | Verfahren zum herstellen von aluminiumnitrid-keramik-platten |
US4578365A (en) * | 1984-11-26 | 1986-03-25 | General Electric Company | High thermal conductivity ceramic body of aluminum nitride |
US4578364A (en) * | 1984-12-07 | 1986-03-25 | General Electric Company | High thermal conductivity ceramic body of aluminum nitride |
US5420085A (en) * | 1985-02-04 | 1995-05-30 | Lanxide Technology Company, Lp | Methods of making composite aluminum nitride ceramic articles having embedded filler |
US5654246A (en) * | 1985-02-04 | 1997-08-05 | Lanxide Technology Company, Lp | Methods of making composite ceramic articles having embedded filler |
US5187130A (en) * | 1985-02-04 | 1993-02-16 | Lanxide Technology Company, Lp | Composite ceramic articles |
US4851375A (en) * | 1985-02-04 | 1989-07-25 | Lanxide Technology Company, Lp | Methods of making composite ceramic articles having embedded filler |
US4916113A (en) * | 1985-02-04 | 1990-04-10 | Lanxide Technology Company, Lp | Methods of making composite ceramic articles |
FR2578828B1 (fr) * | 1985-03-13 | 1990-06-22 | Centre Nat Rech Scient | Aluminosilicate cristallise a structure expansee et son procede de fabrication |
US4877760A (en) * | 1985-05-22 | 1989-10-31 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Aluminum nitride sintered body with high thermal conductivity and process for producing same |
US4695517A (en) * | 1985-05-31 | 1987-09-22 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Composite layer aluminum nitride base sintered body |
JPH0717454B2 (ja) * | 1985-06-28 | 1995-03-01 | 株式会社東芝 | 窒化アルミニウム焼結体およびその製造方法 |
US5001089A (en) * | 1985-06-28 | 1991-03-19 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Aluminum nitride sintered body |
DE3684821D1 (de) * | 1985-06-28 | 1992-05-21 | Toshiba Kawasaki Kk | Aluminiumnitridsinterkoerper und verfahren zu seiner herstellung. |
US4729010A (en) * | 1985-08-05 | 1988-03-01 | Hitachi, Ltd. | Integrated circuit package with low-thermal expansion lead pieces |
JPS6278160A (ja) * | 1985-09-30 | 1987-04-10 | 日本特殊陶業株式会社 | 複合強化焼結体 |
US4774630A (en) * | 1985-09-30 | 1988-09-27 | Microelectronics Center Of North Carolina | Apparatus for mounting a semiconductor chip and making electrical connections thereto |
US4719187A (en) * | 1985-10-10 | 1988-01-12 | Corning Glass Works | Dense sintered bodies of nitride materials |
US5154863A (en) * | 1985-10-31 | 1992-10-13 | Kyocera Corporation | Aluminum nitride-based sintered body and process for the production thereof |
US5314850A (en) * | 1985-10-31 | 1994-05-24 | Kyocera Corporation | Aluminum nitride sintered body and production thereof |
JPS63190761A (ja) * | 1987-01-30 | 1988-08-08 | 京セラ株式会社 | 窒化アルミニウム質焼結体 |
US4748085A (en) * | 1985-11-16 | 1988-05-31 | Narumi China Corporation | Multilayer ceramic circuit board fired at a low temperature |
JPH0717453B2 (ja) * | 1985-11-28 | 1995-03-01 | 京セラ株式会社 | 窒化アルミニウム質焼結体およびその製造方法 |
US4897372A (en) * | 1985-12-18 | 1990-01-30 | General Electric Company | High thermal conductivity ceramic body |
DE3604074A1 (de) * | 1986-02-08 | 1987-08-13 | Bosch Gmbh Robert | Zuendschaltgeraet |
EP0235682B2 (de) * | 1986-02-20 | 1997-11-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Gesinterter Körper aus Aluminiumnitrid mit leitender metallisierter Schicht |
JPS62207789A (ja) * | 1986-03-08 | 1987-09-12 | 日本特殊陶業株式会社 | 窒化アルミニウム製基材の表面構造及びその製造法 |
GB8607526D0 (en) * | 1986-03-26 | 1986-04-30 | Artus R G C | Cooled component assembly |
US4764321A (en) * | 1986-03-28 | 1988-08-16 | General Electric Company | High thermal conductivity ceramic body |
JPH0783034B2 (ja) * | 1986-03-29 | 1995-09-06 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
JPH0680873B2 (ja) * | 1986-07-11 | 1994-10-12 | 株式会社東芝 | 回路基板 |
US5212124A (en) * | 1986-08-13 | 1993-05-18 | Lanxide Technology Company, Lp | Ceramic composite articles with shape replicated surfaces |
US4859640A (en) * | 1986-08-13 | 1989-08-22 | Lanxide Technology Company, Lp | Method of making ceramic composite articles with shape replicated surfaces |
US4847221A (en) * | 1987-01-13 | 1989-07-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | AlN sintered body having high thermal conductivity and a method of fabricating the same |
JPS63181399A (ja) * | 1987-01-22 | 1988-07-26 | 日本特殊陶業株式会社 | 高熱伝導性厚膜多層配線基板 |
US5529852A (en) * | 1987-01-26 | 1996-06-25 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Aluminum nitride sintered body having a metallized coating layer on its surface |
EP0301529B1 (de) * | 1987-07-29 | 1992-05-13 | MITSUI TOATSU CHEMICALS, Inc. | Verfahren zur Gewinnung von Aluminiumnitrid und daraus hergestelltes Sinterprodukt |
US5017434A (en) * | 1988-01-27 | 1991-05-21 | Enloe Jack H | Electronic package comprising aluminum nitride and aluminum nitride-borosilicate glass composite |
JP2507561B2 (ja) * | 1988-10-19 | 1996-06-12 | 株式会社日立製作所 | 半導体の冷却装置 |
US5272009A (en) * | 1988-10-21 | 1993-12-21 | Battelle Memorial Institute | Laminate material and its use as heat-sink |
JPH02124778A (ja) * | 1988-11-04 | 1990-05-14 | Hitachi Metals Ltd | AlNセラミックス同志の接合体及びこれを用いた放熱装置 |
JP2774560B2 (ja) * | 1989-03-31 | 1998-07-09 | 株式会社東芝 | 窒化アルミニウムメタライズ基板 |
DE69016096T2 (de) * | 1989-05-22 | 1995-06-14 | Mitsubishi Materials Corp | Substrat, verwendbar bei der Herstellung einer Dickschichtschaltung. |
US5830570A (en) * | 1989-12-19 | 1998-11-03 | Kyocera Corporation | Aluminum nitride substrate and process for preparation thereof |
US5221558A (en) * | 1990-01-12 | 1993-06-22 | Lanxide Technology Company, Lp | Method of making ceramic composite bodies |
JPH0461293A (ja) * | 1990-06-29 | 1992-02-27 | Toshiba Corp | 回路基板及びその製造方法 |
JPH0492864A (ja) * | 1990-08-06 | 1992-03-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 窒化アルミニウム粉末および焼結体およびその製造法 |
US5110772A (en) * | 1990-08-30 | 1992-05-05 | W. R. Grace & Co.-Conn. | Fabrication of dense SI3 N4 ceramics using CaO-TiO2 SiO.sub.2 |
JP2861368B2 (ja) * | 1990-11-05 | 1999-02-24 | 住友電気工業株式会社 | 回路基板の加工方法 |
JP3633636B2 (ja) * | 1993-02-05 | 2005-03-30 | 住友電気工業株式会社 | 窒化アルミニウム焼結体 |
JPH07109573A (ja) * | 1993-10-12 | 1995-04-25 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | ガラス基板および加熱処理方法 |
US5424261A (en) * | 1993-12-22 | 1995-06-13 | The Carborundum Company | Low temperature sintering route for aluminum nitride ceramics |
US5541145A (en) * | 1993-12-22 | 1996-07-30 | The Carborundum Company/Ibm Corporation | Low temperature sintering route for aluminum nitride ceramics |
US5773377A (en) * | 1993-12-22 | 1998-06-30 | Crystalline Materials Corporation | Low temperature sintered, resistive aluminum nitride ceramics |
JP3481778B2 (ja) * | 1996-06-28 | 2003-12-22 | 京セラ株式会社 | 窒化アルミニウム質焼結体およびその製造方法 |
JP2000503485A (ja) * | 1996-10-30 | 2000-03-21 | フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ | セラミック層に対する電気接点の固着方法及びこれにより製造した抵抗素子 |
JP2001196152A (ja) * | 2000-01-13 | 2001-07-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | セラミックスヒータ |
DE10142614A1 (de) * | 2001-08-31 | 2003-04-03 | Siemens Ag | Leistungselektronikeinheit |
WO2008157413A1 (en) * | 2007-06-13 | 2008-12-24 | Aerojet- General Corporation | Cathode heater |
US20090277388A1 (en) * | 2008-05-09 | 2009-11-12 | Applied Materials, Inc. | Heater with detachable shaft |
US8580593B2 (en) * | 2009-09-10 | 2013-11-12 | Micron Technology, Inc. | Epitaxial formation structures and associated methods of manufacturing solid state lighting devices |
DE102014114095B4 (de) | 2014-09-29 | 2017-03-23 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Sintervorrichtung |
DE102014114097B4 (de) | 2014-09-29 | 2017-06-01 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Sinterwerkzeug und Verfahren zum Sintern einer elektronischen Baugruppe |
DE102014114096A1 (de) * | 2014-09-29 | 2016-03-31 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Sinterwerkzeug für den Unterstempel einer Sintervorrichtung |
DE102014114093B4 (de) | 2014-09-29 | 2017-03-23 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Verfahren zum Niedertemperatur-Drucksintern |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1471035B1 (de) * | 1959-05-06 | 1970-01-02 | Carborundum Co | Verfahren zur Herstellung eines feuerfesten Formkoerpers |
DE2035767A1 (de) * | 1969-07-22 | 1971-02-25 | Gen Electric | Elektrischer Isolierkörper mit hoher Wärmeleitfähigkeit |
Family Cites Families (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1289712C2 (de) * | 1965-08-11 | 1973-12-13 | Kempten Elektroschmelz Gmbh | Verdampfer fuer das Vakuumaufdampfen von Metallschichten auf Werkstoffe |
CH494187A (de) * | 1966-03-09 | 1970-07-31 | Lonza Werke Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Bornitrid |
US4097293A (en) * | 1969-04-30 | 1978-06-27 | Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. | Method for manufacturing heat-resistant reinforced composite materials |
GB1310362A (en) * | 1969-12-16 | 1973-03-21 | United States Borax Chem | Process for purification of refractory metal nitrides |
GB1377487A (en) * | 1970-12-23 | 1974-12-18 | Tokyo Shibaura Electric Co | Heat resistant composite materials |
JPS491427A (de) * | 1972-04-25 | 1974-01-08 | ||
JPS5217838B2 (de) * | 1973-05-28 | 1977-05-18 | ||
JPS5849510B2 (ja) * | 1973-06-30 | 1983-11-04 | 株式会社東芝 | チツカアルミニウムシヨウケツタイノ セイゾウホウホウ |
US4188194A (en) * | 1976-10-29 | 1980-02-12 | General Electric Company | Direct conversion process for making cubic boron nitride from pyrolytic boron nitride |
JPS53117386A (en) * | 1977-03-23 | 1978-10-13 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Sindered body for heat and sink production of the same |
JPS5412488A (en) * | 1977-06-30 | 1979-01-30 | Fujikura Ltd | Method of detecting drum flange hole position |
JPS5934156B2 (ja) * | 1977-08-16 | 1984-08-20 | 日本特殊陶業株式会社 | アルミナ被覆した窒化アルミニウム焼結体 |
JPS54100410A (en) * | 1978-01-24 | 1979-08-08 | Tokyo Shibaura Electric Co | Ceramic heat conductor |
JPS55133597A (en) * | 1979-04-06 | 1980-10-17 | Hitachi Ltd | Multilayer circuit board |
US4289503A (en) * | 1979-06-11 | 1981-09-15 | General Electric Company | Polycrystalline cubic boron nitride abrasive and process for preparing same in the absence of catalyst |
US4256792A (en) * | 1980-01-25 | 1981-03-17 | Honeywell Inc. | Composite electronic substrate of alumina uniformly needled through with aluminum nitride |
EP0040552A1 (de) * | 1980-05-20 | 1981-11-25 | De Beers Industrial Diamond Division (Proprietary) Limited | Wärmesenker |
JPS5756384A (en) * | 1980-09-19 | 1982-04-03 | Tokyo Shibaura Electric Co | Manufacture of ceramic heat transmitting body |
JPS5832072A (ja) * | 1981-08-14 | 1983-02-24 | 株式会社日立製作所 | 窒化アルミニウム焼結体およびその製法並びに焼結体製造用粉末組成物 |
JPS5832073A (ja) * | 1981-08-21 | 1983-02-24 | 株式会社日立製作所 | 焼結体 |
JPS5855377A (ja) * | 1981-09-28 | 1983-04-01 | 株式会社東芝 | 窒化アルミニウム焼結体の製造方法 |
DE3248103C1 (de) * | 1982-12-24 | 1987-11-12 | W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau | Tiegel zum Ziehen von Einkristallen |
DE3313836C2 (de) * | 1983-04-16 | 1985-08-29 | W.C. Heraeus Gmbh, 6450 Hanau | Verwendung von Aluminiumnitrid für Laserröhrenbauteile |
US4540675A (en) * | 1983-05-02 | 1985-09-10 | Vesuvius Crucible Company | Carbon-containing refractories with superior erosion and oxidation resistance |
US4478785A (en) * | 1983-08-01 | 1984-10-23 | General Electric Company | Process of pressureless sintering to produce dense, high thermal conductivity aluminum nitride ceramic body |
-
1982
- 1982-12-24 DE DE3247985A patent/DE3247985C2/de not_active Expired - Lifetime
-
1983
- 1983-09-29 AT AT83109731T patent/ATE20460T1/de not_active IP Right Cessation
- 1983-09-29 DE DE8383109731T patent/DE3364203D1/de not_active Expired
- 1983-09-29 EP EP83109731A patent/EP0114193B1/de not_active Expired
- 1983-12-23 JP JP58242254A patent/JPS59131583A/ja active Pending
-
1985
- 1985-06-05 US US06/741,711 patent/US4591537A/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1471035B1 (de) * | 1959-05-06 | 1970-01-02 | Carborundum Co | Verfahren zur Herstellung eines feuerfesten Formkoerpers |
DE2035767A1 (de) * | 1969-07-22 | 1971-02-25 | Gen Electric | Elektrischer Isolierkörper mit hoher Wärmeleitfähigkeit |
Non-Patent Citations (6)
Title |
---|
JP-A-79 100410 (Tokyo Shibaura Electric Co. Ltd.) ref. in Chem. Abstr. Bd. 91, Nr. 197775q (1979) * |
JP-A-82 181356 (Hitachi, Ltd.) ref. in Chem. Abstr. Bd. 98, Nr. 148490d (1983) * |
JP-A-82 56384 (Toshiba Corp.) ref. in Chem. Abstr. Bd. 97, Nr. 77483v (1982) * |
K. Komeya et al "Effects of various additives on sintering of aluminum nitride", Yogyo-Kyokai-Shi 89 (6), S. 330-336 (1981) ref. in chem. Abstr. Bd. 95, Nr. 155257z (1981) * |
K.A. Schwetz et al in Proceedings of the NATO Advanced Study Institute on Nitrogen Ceramics, University of Sussex, Falmer, UK, July - August 7,1981, ed. by F.L. Riley 1983 Martinus Nijhoff Publishers, The Hague, S. 245-252 * |
K.I. Ryjatsev et al "Effect of some additives on the fritting and microstructure on aluminium nitride ceramics" ref. in Chem.Abstr. Bd. 95, Nr. 11386t (1981) * |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4766097A (en) * | 1983-12-12 | 1988-08-23 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Aluminum nitride-based sintered body of high thermal conductivity |
US4746637A (en) * | 1984-11-08 | 1988-05-24 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Aluminum nitride sintered body and process for producing the same |
EP0215638A1 (de) * | 1985-09-10 | 1987-03-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Mischung zum Metallisieren von gesintertem Keramikartikel |
US4820562A (en) * | 1985-09-10 | 1989-04-11 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Metallizing composition for sintered ceramic article |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0114193A1 (de) | 1984-08-01 |
ATE20460T1 (de) | 1986-07-15 |
US4591537A (en) | 1986-05-27 |
EP0114193B1 (de) | 1986-06-18 |
JPS59131583A (ja) | 1984-07-28 |
DE3247985C2 (de) | 1992-04-16 |
DE3364203D1 (en) | 1986-07-24 |
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