DE3606224C2

DE3606224C2 -

Info

Publication number: DE3606224C2
Application number: DE3606224A
Authority: DE
Inventors: Jitsuho Hirota; Kazumichi Machida; Noriko Amagasaki Hyogo Jp Watanabe
Original assignee: Mitsubishi Electric Corp
Current assignee: Mitsubishi Electric Corp
Priority date: 1985-03-01
Filing date: 1986-02-26
Publication date: 1991-01-31
Also published as: DE3645066C2; GB2174032A; US4705204A; GB2174032B; GB8602740D0; DE3606224A1

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bildung einer Kugel an einer Spitze eines Metalldrahtes zum Kugelbonden mit den folgenden Schritten:

- Anordnen und Einschalten einer elektrischen Leistungsquelle zwischen dem Metalldraht und einer Verbrauchselektrode für die Schaffung einer Entladung zwischen einer Spitze des Drahtes und der verbrauchbaren Elektrode,
- Schmelzen der Spitze in der Gestalt einer Kugel und
- Vorsehen einer trägen (Edelgas) oder reduzierenden Gasatmosphäre in einer Region, in der die elektrische Entladung hervorgerufen wird.

Ein derartiges Verfahren ist aus der DE-OS 28 32 050 bekannt.

Insbesondere betrifft die Erfindung Kugeltyp-Bindedrähte, welche bei der Herstellung von Verbindungen zu Elektroden, von Halbleiterchips verwendet werden.

Gold wurde häufig für Kugel-Binde-(Bond-)Technik für Halbleitervorrichtungen verwendet. Da jedoch Gold teuer ist und da die Langzeitzuverlässigkeit von Verbindungen zwischen einem Golddraht und einer Aluminiumelektrode auf einem Halbleiterchip relativ niedrig ist, wurde vorgeschlagen, anstatt dessen Kupfer, Aluminium, Palladium oder bestimmte Legierungen dieser Elemente zu verwenden. Insbesondere wurde eine Aluminiumlegierung mit 2,0% Magnesium und eine Aluminiumlegierung mit 1,0% Silizium als annehmbar angesehen, wie von Johnson et al, offenbart in "Ultraschalldrahtschweißen", Solid State Technology, Band 20, Seiten 91 bis 95, April 1977, und von Gehman et al, in "Aluminiumdraht für Thermoschallkugelbinden in Halbleitervorrichtungen", Solid State Technology, Band 26, Seiten 151 bis 158, Oktober 1983.

Wie in diesen Literaturstellen offenbart, ist zur Beseitigung der Richtungsbegrenzung des Drahtes dann, wenn er mit der Elektrode der Halbleitervorrichtung verbunden wird, eine Spitze aus Metalldraht in einer Kugel ausgebildet bzw. gestaltet. Die Gestaltung und Ausbildung der Drahtspitze wird gewöhnlich ausgeführt durch Anlegen einer Hochgleichspannung zwischen der Spitze des Drahtes und einer verbrauchbaren Elektrode, um eine elektrische Entladung dazwischen zu bewirken und um hierdurch die Spitze zu schmelzen und sie zu einer Kugel aufgrund der Oberflächenspannung zu formen. In einem solchen Fall wird ein positives Potential an die Elektrode und ein negatives Potential an den Draht angelegt, und zwar im Hinblick auf die Leichtigkeit eines Isolationsdurchschlags.

Fig. 1a zeigt eine Kugelformation an der Spitze eines Metalldrahtes 1, der aus Kupfer oder Aluminium hergestellt ist, wobei das gleiche Verfahren zur Anwendung kommt, wie das, welches für die Kugelbildung an der Spitze eines Golddrahtes verwendet wurde. In Fig. 1a ist der Metalldraht 1, welcher durch ein Kapillarplättchen 5 gehalten wird, welches ebenfalls als ein Binde- oder Verbindungswerkzeug verwendet wird, gegenüberliegend einer verbrauchbaren Elektrode 2 in einer Edelgasatmosphäre 7 eines Gases, wie z. B. Argon, angeordnet. Eine Gleichstromquelle 4 ist zwischen dem Draht und der Elektrode 2 vorgesehen, wobei der positive und negative Anschluß der Gleichstromquelle 4 jeweils mit der Elektrode 2 und dem Draht 1 verbunden sind. Ein Bogen 3 wird hierdurch zwischen dem Draht 1 und der Elektrode 2 gebildet. Aufgrund der Entladung wird der Spitzenbereich des Metalldrahtes 1 erwärmt und geschmolzen.

Die thermale Elektronenemission auf der negativen Potentialseite neigt dazu, in Gebieten aufzutreten, deren Arbeitsfunktion kleiner ist als in anderen Gebieten, d. h. daß sie in Gebieten, in denen eine stabilere Emission als in anderen Gebieten stattfindet, möglich ist. Da der Draht 1 aus Kupfer oder Aluminium einen natürlich gebildeten Oxidfilm aufweist, der einige 10 Angström Dicke auf seiner Oberfläche aufweist, neigt die Fläche, wo die thermische Elektronenemission stattfindet dazu zu expandieren, wie schraffiert in Fig. 1a gezeigt. Daher wird Hitze einer solchen geweiteten Fläche zugeführt, was dazu führt, daß eine fehlerhafte Kugel 8 gebildet wird, die einen nicht geschmolzenen Bereich 1a aufweist, der rund um die Spitze des Drahtes 1 gebildet ist, wie aus Fig. 1b zu sehen ist. Ein solcher nicht geschmolzener Bereich 1a bewirkt, daß winzige Risse oder Sprünge in einem Siliziumchip gebildet werden, wenn eine defekte Kugel 8 mit einem ihrer Anschlußfelder verbunden wird, sogar wenn ein solcher Bereich unsichtbar innerhalb der Kugel 8 existiert (es gibt kein solches Problem für einen Golddraht, weil kein Oxidfilm sich auf einem Golddraht bildet).

Wenn außerdem ein Kupferdraht verwendet wird, um annehmbare Bindungscharakteristiken mit einer Elektrode der Halbleitervorrichtung vorzusehen, sollte der Draht eine Härte aufweisen, die mit der der Elektrode der Halbleitervorrichtung kompatibel ist, wobei dieses Anschlußfeld gewöhnlich aus Aluminium hergestellt wird. Die Vickershärte eines Aluminiumanschlußfeldes liegt ungefähr zwischen 30 und 40, welches für Golddraht akzeptabel ist. Da jedoch gewöhnliches Kupfer eine Vickershärte von 60 oder mehr aufweist, ist es im allgemeinen nicht vorzuziehen, Kupfer für Bindedrähte zu verwenden.

Außerdem ist es bekanntgeworden, daß die Scherfestigkeit eines Aluminiumanschlußfeldes, welches durch Aufdampfung von äußerst reinem Aluminium gebildet wird, gering ist und zwischen 5 bis 7 kg/mm² beträgt, und daß, wenn ein Draht aus Kupfer oder ähnlichem mit einem solchen Anschlußfeld verbunden wird und die Halbleitervorrichtung in Kunststoff eingebettet oder geschmolzen wird, das Durchbrechen oder die Deformation des Aluminiumanschlußfeldes während des Formungs- oder Gießprozesses auftreten kann. Das bedeutet, daß, wenn das Kunstharzpressen oder Formen thermoplastisch erfolgt, die Formungstemperatur ungefähr bei 300°C liegt, und wenn ein Niedrigtemperatur-Kunstharz verwendet wird, das Formen unter einem hohen Druck ausgeführt werden muß. In solchen Fällen kann das konventionelle Aluminiumanschlußfeld, welches eine geringe Scherstärke aufweist, der hohen Temperatur oder dem hohen Druck nicht Widerstand leisten.

Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ausgehend vom Verfahren der eingangs genannten Art, ein Verfahren zur sicheren und besseren Bildung einer Kugel an einem Spitzenbereich eines Metalldrahtes zu schaffen.

Diese Aufgabe wird durch das im Kennzeichen des Anspruchs 1 enthaltene Merkmal gelöst.

Ein Vorteil der vorliegenden Erfindung ist es, daß eine Kugel-Bond-Technik geschaffen werden kann, welche die Verwendung von Kupfer, Aluminium oder Palladium erlaubt oder eine Legierung oder eine Kombination hiervon, und zwar als Metallbindedraht für Halbleitervorrichtungen, welche geeignet ist für eine zuverlässige Verbindung mit Aluminiumanschlußfeldern.

Ein weiterer Vorteil der Erfindung ist es, daß das Verfahren zur Bildung einer Kugel an einer Spitze eines Metalldrahtes für die Verwendung in der Bildung von Zwischenverbindungen zwischen Anschlußfeldern einer Halbleitervorrichtung und extern vorgesehenen oder sich erstreckenden Anschlüssen geeeignet ist.

Die Erfindung schafft daher ein Verfahren zur Bildung einer Kugel an der Spitze eines Metalldrahtes, das dadurch gekennzeichnet ist, daß die elektrische Leistungsquelle eine Wechselspannung mit Gleichspannungsanteil erzeugt, derart, daß die Mehrheit der Entladungenergie immer dann erzeugt wird, wenn die Verbrauchselektrode in bezug auf den Metalldraht negativ ist.

Die Erfindung ist durch die im Kennzeichen des Anspruches 1 enthaltenen Merkmale gekennzeichnet. Weitere Ausgestaltungen finden sich in den Unteransprüchen.

Im folgenden werden die Figuren beschrieben. Es zeigen

Fig. 1a und 1b jeweils eine konventionelle Kugelbildung an der Spitze eines Metalldrahtes und die resultierende Kugel,

Fig. 2a und 2b jeweils die Kugelbildung gemäß einer bevorzugten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung und die resultierende Kugel,

Fig. 3 eine graphische Darstellung von annehmbaren Entladungsströmen und Entladungszeiten, wie sie bei der Kugelbildungstechnik gemäß Fig. 2a verwendet werden sollen,

Fig. 4a und 4b jeweils eine Kugelbildung gemäß einem anderen Ausführungsbeispiel der Erfindung sowie die resultierende Kugel,

Fig. 5a und 5b Wellenformen von Spannungen, die für den Gebrauch in der Kugelbildungstechnik gemäß Fig. 4a geeignet sind,

Fig. 6 eine graphische Darstellung der Beziehung zwischen der Scherfestigkeit einer Aluminiumelektrode und dem Druck, unter dem die Aluminiumelektrode zerstört wird,

Fig. 7 die Druckbeaufschlagung für einen Kugeltyp- Bindedraht, um die Beziehung von Fig. 6 zu erhalten, und

Fig. 8 eine graphische Darstellung der verbesserten Scherfestigkeit einer Aluminiumelektrode nach der vorliegenden Erfindung.

Fig. 2a zeigt ein bevorzugtes Ausführungsbeispiel eines Verfahrens zur Bildung eines Bindedrahtes der vorliegenden Erfindung, welches ähnlich der Fig. 1a ist, ausgenommen, daß die Polarität der Spannung, die durch eine Gleichstromspannungsquelle 14 zwischen einem Metalldraht 1, der aus Kupfer, Aluminium, Palladium oder einer Legierung einer Kombination hergestellt ist und einer verbrauchbaren Elektrode 2 angelegt ist, umgekehrt ist.

Das bedeutet, daß der Draht 1, der durch ein Kapillarchip oder -plättchen 5 getragen wird, als Binde- bzw. Verbindungswerkzeug arbeitet und mit dem positiven Anschluß einer Gleichstromhochspannungsquelle 14 verbunden ist. Die verbrauchbare Elektrode 2 ist an den negativen Anschluß dieser Quelle angeschlossen. Die Entlageregion wird in einer Edelgasatmosphäre von Gas, wie z. B. Argon, gehalten, um eine Oxidation der geformten Bereiche des Drahtes 1 zu verhindern.

Mit dieser Anordnung wird nur der Spitzenbereich 6 des Drahtes 1 erwärmt, wenn die thermische Elektronenemission auf der Oberfläche der Elektrode 2 stattfindet. Somit wird nur der Spitzenbereich geschmolzen. Das bedeutet, daß der geschmolzene Bereich fest und strikt im Spitzenbereich des Drahtes 1 definiert ist mit dem Ergebnis, daß eine vollständige Kugel 18, wie in Fig. 2b zu sehen ist, erhalten wird.

Die Stabilität der Entladung zwischen der Drahtspitze mit positivem Potential und der verbrauchbaren Elektrode mit negativem Potential kann bis zu einem gewissen Grad herabgesetzt werden; verglichen mit dem Fall, in dem entgegengesetzte Potentiale verwendet werden. Jedoch wurde aus der Analyse des Schmelzphänomens eines Drahtes mit einem Durchmesser von 25 µm und der Spitzenkugelbildung herausgefunden, daß ein nicht geschmolzener Bereich unvermeidbar in einem Bereich des Drahtes zurückbleibt, wenn die Polaritäten des Drahtes und der Elektrode jeweils negativ und positiv sind. Daher wird gemäß der vorliegenden Erfindung die Stabilität der Entladung durch Erhöhen der Spannung verbessert und durch Verwendung eines trägen Abschirmungsgases, wie z. B. Argon, welches in mehr zuverlässiger Weise in ein Plasma umgewandelt werden kann, wie Luft.

Um nun eine Kugel 18 stabil zu bilden, welche einen Durchmesser von 2 bis 3mal dem Durchmesser des Metalldrahtes 1 aufweist, mit einem Drahtdurchmesser im Bereich von 15 bis 35 µm, kann der Entladestrom und die Entladezeit für Bereiche von 30 bis 20 mA und 1 bis 10 ms jeweils gewählt werden.

Fig. 3 zeigt eine grafische Darstellung mit experimentellen Daten eines Entladestroms und der Entladezeit für einen Kupferdraht mit einem Durchmesser von 25 Micron. In Fig. 3 zeigt die schraffierte Fläche den bevorzugten Bereich dieser Parameter.

Im oben beschriebenen Ausführungsbeispiel wird nur der Spitzenbereich des Drahtes erwärmt und er wird konzentrisch erwärmt, um hierdurch diesen Bereich vollständig zu schmelzen mit dem Ergebnis, daß eine Kugel mit einem nicht geschmolzenen Bereich erhalten wird.

Obwohl dieses Verfahren sehr wirksam ist, kann ein Problem in einigen Situationen auftreten, dadurch, daß aufgrund eines solchen vollständigen Schmelzens die mechanische Stärke des Halsbereiches (Grenzbereich zwischen dem Kugelbereich und dem Drahtbereich) während der Bindeoperation verringert wird, woraus eine Schleifenbildung des Drahtbereiches oder ein Brechen des Halsbereiches resultiert. Dieses kann verbessert werden, dadurch, daß ein partiell nicht geschmolzener Halsbereich übrigbleibt.

Gemäß einem Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung wird das obengenannte Problem wirksam beseitigt, dadurch, daß die Entladungsspannung, welche zwischen dem Draht und der verbrauchbaren Elektrode angelegt ist, alternierend gemacht wird, wobei die elektrische Energie bei positiver Polarität des Drahtes größer ist als die bei negativer Polarität.

Fig. 4a zeigt einen Bogen bei einer Wechselspannung, der durch eine Wechselstromquelle 24 zwischen dem Draht 1 und der Entladungselektrode 2 angelegt ist. Wenn in Fig. 4a die Polarität der Spannung, die am Draht angelegt ist, positiv ist, wird ein Bogen 3 zwischen der Spitze des Drahtes und der Entladungselektrode gebildet, dargestellt durch durchgezogene Linien, worauf der Spitzenbereich konzentrisch erwärmt wird, wie im vorhergehenden Ausführungsbeispiel. Wenn die Spannungspolarität des Drahtes auf einen negativen Wert geschaltet wird, tendiert der Bogen 3 dazu, in einer breiteren Fläche des Drahtes sich auszubilden, wie durch die strichpunktierte Linie dargestellt ist, wie im konventionellen Kugelbildungsprozeß für einen Golddraht. Durch Wiederholung der wechselnden Polaritätszyklen für die angelegte Spannung wird ein kleiner nicht geschmolzener Bereich 28a im Halsbereich der Kugel 28, wie in Fig. 4b zu sehen ist, hinterlassen. Die Entladungsregion kann in einer trägheitslosen Gasatmosphäre gehalten werden, um eine Oxidation während des Schmelzens zu verhindern, wie im vorangegangenen Ausführungsbeispiel.

Um einen solchen nicht geschmolzenen Bereich 28a effizient zu bilden, sollte die an den Draht 1 angelegte Spannung selektiert werden, so daß die elektrische Energie, welche dem Draht 1 zugeführt wird, wenn die Polarität positiv ist, größer ist als die, wenn die Polarität negativ ist. Zum Beispiel wird die Spannung V₁, welche an den Draht 1 angelegt wird, wenn seine Polarität positiv ist, größer gemacht als die Spannung V₂, welche an den Draht angelegt wird, wenn seine Polarität negativ ist, wie aus Fig. 5a zu sehen ist. Alternativ hierzu ist es möglich, die Zeit t₁, für die die Spannung einer positiven Polarität an den Draht 1 angelegt wird, länger zu machen als die Zeit t₂, für die die Spannung mit negativer Polarität angelegt ist, wie aus Fig. 5b zu sehen ist. Es wurde empirisch bevorzugt herausgefunden, daß das Verhältnis der Energie, welche an den Draht angelegt ist, wenn seine Polarität positiv ist, zur an ihn angelegten Energie, wenn seine Polarität negativ ist, ungefähr 3 bis 4 beträgt.

Die obigen Ausführungsbeispiele wurden in Verbindung mit der Verwendung eines Elektrodendrahtes aus Kupfer, Palladium, Aluminium oder Legierungen oder einer Kombination hiervon beschrieben. Es sollte bemerkt werden, daß zur Erzielung von guten Bindungen die Härte der Kugel, welche an der Spitze des Drahtes ausgebildet ist, kompatibel mit der Härte der Elektrode auf dem Halbleiterchip sein muß, mit dem der Draht verbunden werden soll, welche Elektrode gewöhnlich aus Aluminium hergestellt ist. Die Vickershärte HV einer Aluminiumelektrode befindet sich gewöhnlich in einem Bereich von 35 bis 40, während die der an der Spitze ausgebildeten Kugel des Kupferdrahtes 60 oder mehr beträgt. Daher ist die Härte eines Kupferdrahtes zu hoch, um eine gute Bindewirkung mit einer Aluminiumelektrode zu erzielen.

Um nun die Härte des Drahtes und der Elektrode kompatibel untereinander zu machen, ist es notwendig, entweder die Härte des Kupferdrahtes zu verringern oder aber die Härte der Aluminiumelektrode zu erhöhen. In bezug auf einen Kupferdraht sollte Kupfer so rein als möglich sein, vorzugsweise 99,99% oder mehr. Durch Verwendung solchen Kupfers kann die Härte des Drahtes auf ungefähr 50 bis 60 HV abgesenkt werden. Zusätzlich sollte, um das Einmischen von Sauerstoff in die Kugel zu verhindern und um hierdurch jegliche Härteerhöhung zu beschränken, welche hierdurch verursacht wird, um die Verschlechterung der Rundheit der resultierenden Kugel aufgrund der Oxidfilmbildung zu verhindern, die Sauerstoffkonzentration des trägheitslosen Gases oder reduzierenden Gases 5000 ppm oder weniger sein.

Es wurde herausgefunden, daß die Härte der Aluminiumelektrode durch Hinzufügen eines geringfügigen Betrages einer Verunreinigung erhöht wird. Die Verunreinigung kann aus Materialien, wie z. B. Mn, Mg, Cu und/oder Si oder Gasen, wie z. B. O₂, N₂ usw. ausgewählt werden, deren Betrag 10 bis 5000 ppm betragen kann. Die Härte von Aluminium, welches eine solche Verunreinigung enthält, wird auf 45 bis 60 HV erhöht, welches kompatibel mit der Härte des Kupferdrahtes ist. Außerdem werden andere mechanische Eigenschaften der Aluminiumelektrode ebenso durch Hinzufügen der Verunreinigung verbessert. Zum Beispiel beträgt die Scherfestigkeit einer gewöhnlichen Aluminiumelektrode nur ungefähr 5 bis 7 kg/mm^-, welches nicht ausreichend ist für den Draht, um dem nachfolgenden Formungsprozeß zum Einkapseln des Halbleiterchips in Kunstharz zu widerstehen. Das bedeutet, daß der Halbleiterchip gewöhnlich mit einem Kunstharz geformt bzw. gepreßt wird, welcher vom thermoplastischen Typ ist, in welchem Falle das Formen bei hoher Temperatur ausgeführt wird. Wenn ein gewöhnliches Aluminiumanschlußfeld solchen Bedingungen ausgesetzt wird, tendiert es dazu zu brechen oder innerlich deformiert zu werden, woraus die resultierende Vorrichtung instabil im Betrieb wird.

Fig. 6 zeigt eine graphische Darstellung, welche durch die graphische Darstellung kritischer Werte P des Druckes erhalten wird, welcher in einer Richtung angelegt wird, gezeigt durch einen Pfeil in Fig. 7, welche einen Kupferdraht 1 zeigt, der mit einer Aluminiumelektrode 20 kugelverbunden ist, die auf einem Siliziumchip ausgebildet ist, wobei gemessen wird, wenn das Aluminiumanschlußfeld gebrochen ist, mit einer Scherstärke des Aluminiumanschlußfeldes als Parameter. Es ist aus Fig. 6 klar ersichtlich, daß der Druckwert P mit der Scherfestigkeit in einem Bereich unterhalb von ungefähr 8 kg/mm² zunimmt. Die Zerstörung der Aluminiumelektrode, welche dem kritischen Punkt ausgesetzt ist, ist in diesem Bereich gewöhnlich ein inneres Brechen des Anschlußfeldes. Auf der anderen Seite beinhaltet der Schaden für eine Aluminiumelektrode mit einer Scherfestigkeit von ungefähr 8 bis 12 kg/mm², welcher auftritt, nur ein Brechen seiner Schnittstellen- oder Interfaceregionen, während für eine Elektrode mit einer Scherfestigkeit größer als 12 kg/mm² das Halbleiterchip aufgrund der inneren Spannung der Elektrode zerstört bzw. beschädigt wird. Daher sollte die Scherfestigkeit der Aluminiumelektrode sich in einem Bereich von ungefähr 8 bis 12 kg/mm² bewegen.

Fig. 8 zeigt eine graphische Darstellung der Beziehung der Scherstärke eines Aluminiumfilmes zum Betrag der Verunreinigung, die hierin enthalten ist, wenn Kupfer als Verunreinigung ausgewählt ist. Aus Fig. 8 ist es klar ersichtlich, daß die Scherstärke des Aluminiumfilmes mit der Zunahme des Wertes der Verunreinigung ebenfalls zunimmt. Die gewünschte Scherstärke wird erhalten, wenn der Betrag von Kupfer sich in einem Bereich von 100 bis 500 ppm befindet.

Wie vorhergehend beschrieben, werden gemäß der vorliegenden Erfindung die Kugeltyp-nicht-Goldbindedrähte beachtlich verbessert durch Verbesserung der Kugelbildung an der Spitze des Drahtes durch Verrringerung der Härte der Kugel und durch Zunahme der mechanischen Stärke der Aluminiumelektrode.

Claims

1. Verfahren zur Bildung einer Kugel an einer Spitze eines Metalldrahtes zum Kugelbonden mit den folgenden Schritten:

- Anordnen und Einschalten einer elektrischen Leistungsquelle zwischen dem Metalldraht und einer Verbraucherelektrode für die Schaffung einer Entladung zwischen einer Spitze des Drahtes und der verbrauchbaren Elektrode,
- Schmelzen der Spitze in der Gestalt einer Kugel und
- Vorsehen einer trägen (Edelgas) oder reduzierenden Gasatmosphäre in einer Region, in der die elektrische Entladung hervorgerufen wird,

dadurch gekennzeichnet, daß die elektrische Leistungsquelle eine Wechselspannung mit Gleichspannungsteil erzeugt, derart, daß die Mehrheit der Entladungsenergie immer dann erzeugt wird, wenn die Verbrauchselektrode in bezug auf den Metalldraht negativ ist.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kugel mit einem Anschlußfeld eines Halbleiterchips verbunden bzw. gebondet wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß für den Durchmesser des Metalldrahtes ein Bereich zwischen 15 bis 35 Mikron (µm) gewählt wird und daß der Durchmesser der Kugel im Bereich zwischen 30 bis 100 Mikron (µm) gebildet wird.

4. Verfahren nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Strom, der diese Entladung bewirkt, sich im Bereich von 30 bis 200 mA befindet und daß eine Zeitdauer der Entladung gewählt wird, die im Bereich von 1 bis 10 ms liegt.

5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Wechselspannung mit Gleichspannungsanteil eine solche Wechselspannung ist, für die jeweils ein erster elektrischer Energiebetrag, der dem Draht während einer ersten Zeitperiode zugeführt wird, in der der Draht positiv ist, größer ist, als ein zweiter elektrischer Energiebetrag, der dem Draht während einer zweiten Zeitperiode zugeführt wird, in der der Draht negativ ist.

6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Differenz der beiden Energiebeträge für die erste und zweite Zeitperiode in der Weise erzeugt wird, daß die Spannung in der ersten Zeitperiode größer ist, als die Spannung in der zweiten Zeitperiode.

7. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Differenz der Energiebeträge für die erste und zweite Zeitperiode dadurch erzeugt wird, daß die erste Zeitperiode länger als die zweite Zeitperiode gemacht wird.

8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Draht aus einem Material hergestellt ist, welches aus der Gruppe ausgewählt ist, die Aluminium, Kupfer, Palladium und Legierungen sowie Kombinationen aus Aluminium, Kupfer und Palladium enthält.

9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß der Draht mit einer Elektrode eines Halbleiterchips kugelgebondet wird.

10. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Draht aus Kupfer hergestellt ist und daß die Kugel in der trägen (Edelgas-) oder reduzierenden Gasatmosphäre gebildet wird mit einer Sauerstoffkonzentration von nicht mehr als 5000 ppm.

11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß das Verhältnis der elektrischen Energiemenge, die dem Draht während der ersten Zeitperiode zugeführt wird, zur elektrischen Energiemenge, die dem Draht während der zweiten Zeitperiode zugeführt wird, im Bereich von näherungsweise 3 : 1 bis 4 : 1 gewählt wird.