DE3619194A1 - Magnetron-zerstaeubungskatode fuer vakuum-beschichtungsanlagen - Google Patents
Magnetron-zerstaeubungskatode fuer vakuum-beschichtungsanlagenInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Magnetron-Zerstäubungskatode für
Vakuum-Beschichtungsanlagen mit einer kreisförmigen Target
platte aus dem zu zerstäubenden Material und mit mindestens
einem hinter der Targetplatte angeordneten Magnetsystem, das
aus jeweils zwei ineinanderliegenden in sich geschlossenen
Reihen von Permanentmagneten besteht, wobei die Magnete
einer jeden Reihe die gleiche Pollage, die Magnete beider
Reihen aber zueinander eine entgegengesetzte Pollage
aufweisen, derart, daß über der Targetplatte mindestens
ein in sich geschlossener Tunnel aus von der einen Magnet
reihe ausgehenden und zur anderen Magnetreihe zurück
kehrenden magnetischen Feldlinien gebildet wird, und mit
einer Antriebseinrichtung für die kontinuierliche Drehung
des Magnetsystems um die Mittenachse der Targetplatte.
Magnetron-Zerstäubungskatoden zeichnen sich durch eine
um den Faktor 10 bis 30 höhere Zerstäubungsrate gegen
über Zerstäubungsystemen ohne Magnetfeldunterstützung
aus. Dieser Vorteil wird jedoch mit dem Nachteil einer
äußerst ungleichförmigen Zerstäubung der Targetplatte
erkauft, denn die bei Magnetrons durch den magnetischen
Tunnel erzwungene Einschnürung des Plasmas äußert sich
in einer entsprechenden räumlichen Begrenzung des Zer
stäubungseffekts. Durch Ausbildung eines tiefen
Erosionsgrabens, dessen tiefste Stelle unter den
Kulminationspunkten der magnetischen Feldlinien liegt,
muß der Zerstäubungsvorgang beendet werden, nachdem
nur etwa 25 bis 30% des Targetmaterials zerstäubt sind.
Bei stationären Beschichtungssystemen, d.h. bei solchen
ohne Relativbewegung zwischen Katode und den Substraten
hat dies sehr ungleichmäßige Schichtdickenverteilungen
zur Folge. Im Prinzip würde der Erosionsgraben quasi
fotografisch auf den Substraten abgebildet.
Diese Problematik sowie eine Reihe von Lösungsver
suchen werden in der DE-DS 27 07 144 angesprochen.
Zu den Lösungsversuchen gehört auch eine Magnetron-
Zerstäubungskatode der eingangs angegebenen Gattung,
bei der jeweils ein einziges in sich geschlossenes
Magnetsystem in exzentrischer Lage hinter einer kreis
förmigen Targetplatte rotiert (Fig. 22 bis 25).
Abgesehen davon, daß hierbei nur ein winziger Teil
der Targetoberfläche gleichzeitig der Zerstäubung
ausgesetzt wird (womit ein Teil des Magnetron-Effekts
wieder zunichte gemacht wird) ist die Zerstäubungs
rate auf der Targetoberfläche auch sehr ungleichmäßig,
weil einmal die Verweilzeiten unter dem rotierenden
magnetischen Tunnel ungleichmäßig sind und weil zum andern
das Produkt aus der Intensität des Plasmas, der soge
nannten Plasmadichte, und der Verweilzeit in
radialer Richtung unterschiedlich sind. Eine ungleich
förmige Zerstäubungsrate führt aber nicht nur zu einer
ungleichförmigen Abtragung des Targetmaterials, sondern
auch zu einer ungleichförmigen Niederschlagsrate auf
den der Targetoberfläche gegenüberliegenden und zu
beschichtenden Substraten.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, eine
Magnetron-Zerstäubungskatode der eingangs angegebenen
Gattung dahingehend zu verbessern, daß die Schicht
dickenverteilung auf den zu beschichtenden Substraten ver
gleichmäßigt wird.
Die Lösung der gestellten Aufgabe erfolgt bei der
eingangs angegebenen Magnetron-Zerstäubungskatode er
findungsgemäß dadurch, daß
- a) im Randbereich der Targetplatte ein erstes Magnet system für die Erzeugung eines ersten, zur Drehachse im wesentlichen konzentrischen magnetischen Tunnels angeordnet ist, und daß
- b) zwischen der Drehachse und dem ersten Magnetsystem ein exzentrisch versetztes zweites Magnetsystem an geordnet ist, das einen zweiten magnetischen Tunnel erzeugt, der sich nur über einen Sektor der Target platte erstreckt,
derart, daß bei einer gemeinsamen Drehung beider Magnet
systeme die Flächenelemente der Targetplatte dem Produkt
aus Verweilzeit und Intensität dergestalt ausgesetzt
sind, daß die Targetplatte im mittleren Bereich gleich
mäßiger und am Rande stärker abgetragen wird, so daß
ein gegenüber der Targetplatte angebrachtes Substrat
feld gleichförmig beschichtet wird.
Unter "Substratfeld" wird entweder die von einer kreis
förmigen Umrißlinie eines einzelnen Substrats oder
einer Anzahl kleinerer Substrate umschriebene Fläche
verstanden.
Durch das Merkmal a) wird die ansonsten im Randbereich des
Substratfeldes zu beobachtende Verminderung der Nieder
schlagsrate kompensiert. Hierbei ist nämlich zu berück
sichtigen, daß Flächenelemente auf den Substraten im Rand
bereich des Substratfeldes ohne besondere Maßnahmen weniger
Schichtmaterial erhalten, weil die zerstäubten Partikel
sich in verschiedenen, von der Normalen zur Targetober
fläche abweichenden Richtungen bewegen und ein im Randbereich
des Substratfeldes liegendes Flächenelement des Substrats
einfach weniger Targetfläche "sieht" als ein in der Mitte
liegendes Substrat.
Durch das Merkmal b) wird erreicht, daß auch der innerhalb
des Randbereichs liegende Bereich des Substratfeldes gleich
mäßig beschichtet wird. Man hat es durch die Gestaltung der
Ausdehnung des Sektors und des Verlaufs des zweiten magnetischen
Tunnels in diesem Senktor in der Hand, eine außerordentlich
gleichmäßige Beschichtung über das gesamte Substratfeld
herbeizuführen.
Eine Optimierung des Systems kann durch Verschieben der
magnetischen Tunnel auf der Jochplatte der Magnete er
folgen, wenn der Fachmann Abweichungen von der idealen
Schichtdickenverteilung beobachten sollte.
Es hat sich in praktischen Versuchen herausgestellt, daß
durch die Verknüpfung der Merkmale a) und b) auf den Sub
straten bis in den Randbereich des Substratfeldes eine sehr
gleichmäßige Schichtdickenverteilung erzielt werden konnte.
Es ist dabei nicht erforderlich, daß der erste
magnetische Tunnel gemäß Merkmal a) konzentrisch zur
Drehachse verläuft, so daß das Plasma ohne Querver
schiebung "auf der Stelle" rotiert, sondern es ist
zur Regulierung der Verteilung der
Niederschlagsrate mit besonderem Vorteil möglich, den
ersten magnetischen Tunnel von der Kreisform abweichend
zu gestalten, beispielsweise durch eine Abflachung oder
sogar Einbuchtung an einer oder mehreren Stellen, oder
den ersten magnetischen Tunnel leicht exzentrisch
rotieren zu lassen. Es ist lediglich erforderlich,
daß der erste magnetische Tunnel im wesentlichen kon
zentrisch zur Drehachse verläuft.
Es ist gemäß einer Weiterbildung der Erfindung besonders
vorteilhaft, wenn das zweite Magnetsystem eine äußere
Reihe von Permanentmagneten aufweist, welche Reihe
sich über einen Dreiviertelkreis erstreckt, dessen
vierter Quadrant durch Permanentmagnete der inneren
Reihe von Permanentmagneten des ersten Magnetsystems er
gänzt wird, und daß die innere Reihe von Permanentmagneten
des zweiten Magnetsystems mit im wesentlichen gleichen
Abständen zu den Permanentmagneten entgegengesetzter
Pollage verläuft.
Auf diese Weise können die Plasmaentladungen beider
Magnetsysteme in unmittelbare Nachbarschaft zueinander
gebracht werden, und es wird fernerhin ein Teil der
teuren Permanentmagnete eingespart, worauf in der Detail
beschreibung noch näher hingewiesen wird.
Es ist schließlich gemäß einer wiederum weiteren Ausge
staltung der Erfindung besonders vorteilhaft, wenn
sämtliche Permanentmagnete auf einer drehbaren, zur
Targetplatte koaxialen ferromagnetischen Jochplatte an
geordnet sind, die auf einer Hohlwelle befestigt ist,
und wenn die beiden Magnetreihen des zweiten, inneren
Magnetsystems beiderseits der Öffnung der Hohlwelle ver
laufen.
Zwei Ausführungsbeispiele des Erfindungsgegenstandes werden
nachstehend anhand der Fig. 1 bis 3 näher erläutert.
Es zeigen:
Fig. 1 eine Draufsicht auf die Magnetsysteme einer
Magnetron-Zerstäubungskatode nach der Er
findung,
Fig. 2 einen Axialschnitt durch eine Magnetron-Zer
stäubungskatode mit den Magnetsystemen nach
Fig. 1 und
Fig. 3 eine Draufsicht auf eine Variante des Gegen
standes nach Fig. 1, bei der der äußere
magnetische Tunnel auf einem Teilumfang der
Targetplatte geringfügig radial einwärts
zurückgesetzt ist.
In Fig. 1 ist eine kreisringförmige Jochplatte 1 darge
stellt, die in ihrem Zentrum eine Öffnung 2 aufweist,
die mit einer Hohlwelle 3 kommuniziert, an der die
Jochplatte 1 befestigt ist. Mittels dieser Hohlwelle 3
ist die Jochplatte 1 um eine gemeinsame konzentrische
Achse A drehbar. Diese Jochplatte ist nahezu so groß
wie die in Fig. 2 dargestellte Targetplatte, so daß
die für die Jochplatte geltenden geometrischen Ver
hältnisse sehr weitgehend auch für die Targetplatte
gelten. Der Rand der Targetplatte 4 ist in Fig. 1
strichpunktiert dargestellt.
Es ist zu erkennen, daß im Randbereich der Targetplatte 4
ein erstes Magnetsystem M 1 angeordnet ist, das aus zwei
konzentrisch ineinanderliegenden, in sich geschlossenen
Reihen von Permanentmagneten 5 und 6 besteht, wobei
die Magnete 5 der äußeren Reihe untereinander die
gleiche Pollage aufweisen (z.B. "N"), gegenüber der
inneren Magnetreihe 6 die entgegengesetzte Pollage auf
weisen. Die Magnete 6 der inneren Reihe haben beispielsweise
die Pollage "S". Dadurch wird in an sich bekannter Weise
über der Targetplatte 4 ein in sich geschlossener Tunnel aus
von der Magnetreihe 5 ausgehenden und zur Magnetreihe 6
zurückkehrenden magnetischen Feldlinien gebildet. Das erste
Magnetsystem M 1 erzeugt im Fall von Fig. 1 einen zur
Drehachse A konzentrischen magnetischen Tunnel.
Zwischen der Drehachse A und dem ersten Magnetsystem M 1
befindet sich ein exzentrisch versetztes zweites Magnet
system M 2, das gleichfalls aus zwei ineinanderliegenden,
in sich geschlossenen Reihen von Permanentmagneten 7
und 8 besteht, wobei die Magnete der äußeren Magnete 7
untereinander die gleiche Pollage (z.B. "S"), gegenüber
der inneren Reihe von Magneten 8, jedoch die entgegenge
setzte Pollage einnimmt. Die innere Reihe von Magneten 8
besitzt in sich wiederum die gleiche Pollage (z.B. "N").
Dadurch wird erreicht, daß über der Targetplatte 4 ein
zweiter, in sich geschlossener Tunnel aus magnetischen
Feldlinien aufgebaut wird, die von der einen Magnet
reihe (7) ausgehen und zur anderen Magnetreihe (8)
zurückkehren. Es ist weiterhin zu erkennen, daß das
Magnetsystem M 2 bzw. der dadurch gebildete magnetische
Tunnel sich nur über einen Sektor der Targetplatte er
streckt, und zwar etwa über einen Quadranten der Target
platte 4.
Aus Fig. 1 geht weiterhin hervor, daß die äußere Reihe
von Permanentmagneten 7 des zweiten Magnetsystems M 2
sich über einen Dreiviertelkreis erstreckt, also einen
vierten Quadranten freiläßt, der durch die beiden
strichpunktierten Linien angedeutet ist. Innerhalb des
vierten Quadranten wird die Reihe der Permanentmagnete 7
durch Permanentmagnete 6 a der inneren Reihe von Permanent
magneten 6 des ersten Magnetsystems M 1 ergänzt, so daß in
diesem Quadranten die unmittelbar benachbarte Parallel
anordnung von Magneten gleicher Pollage vermieden und
diese Magnete eingespart werden.
Dabei verläuft die innere Reihe von Permanentmagneten 8
des zweiten Magnetsystems M 2 mit im wesentlichen den
gleichen Abständen zu den Permanentmagneten 7 entgegen
gesetzter Pollage.
Bei einer Drehung des Magnetsystems gemäß Fig. 1
relativ zur Targetplatte 4 stellt sich der Effekt ein,
daß jedes Flächenelement der Targetplatte 4 etwa dem
gleichen Produkt aus Verweilzeit und Intensität des
Plasmas dergestalt ausgesetzt ist, daß der mittlere
Bereich gleichmäßiger und am Rande stärker abetragen
wird, so daß ein gegenüber der Targetplatte angebrachtes
Substratfeld gleichmäßig beschichtet wird.
In Fig. 2 wird gezeigt, daß die Targetplatte 4, die bereits
einen deutlichen Materialverbrauch erkennen läßt, auf einem
Katodengrundkörper 9 befestigt ist (beispielsweise durch
Löten oder Bonden), der aus einer kreisscheibenförmigen
Kupferwanne besteht. Der Katodengrundkörper 9 ist an
einer Tragplatte 10 befestigt, die ihrerseits über
nicht gezeigte Isolatoren mit der gleichfalls nicht ge
zeigten Vakuumkammer verbunden ist. Zwischen dem Katoden
grundkörper 9 und der Tragplatte 10 wird ein flacher
zylindrischer Hohlraum 11 gebildet, in dem die Joch
platte 1 mit den hier nicht näher bezeichneten Permanent
magneten (schwarze Flächen) konzentrisch und drehbar
angeordnet ist. Zum Zwecke einer Drehung der Jochplatte 1
ist sie an der Hohlwelle 3 befestigt, die sich über eine
Drehlagerung 12 an der Tragplatte 10 abstützt. Die Hohl
welle 3 dient zur Einleitung und Ableitung von Kühlwasser,
wobei die Kühlwasserführungen der Einfachheit halber
fortgelassen sind. Die Hohlwelle 3 wird über eine
Zahnscheibe 13 und einen Zahnriemen 14 in Drehung ver
setzt.
Fig. 3 zeigt die maßstäbliche Anordnung der einzelnen
Permanentmagnete in weitgehender Übereinstimmung
mit Fig. 1, so daß auf eine Bezifferung verzichtet
wurde. Es ist jedoch zu erkennen, daß die beiden
Reihen von Permanentmagneten des ersten bzw. äußeren
Magnetsystems M 1 auf einem Teilumfang der Jochplatte 1
etwas radial einwärts versetzt angeordnet sind, so daß
auch der äußere magnetische Tunnel bei seiner Drehung
relativ zur Targetplatte eine Art Wobbelbewegung aus
führt. Dieser Wobbelbewegung des magnetischen Tunnels
folgt naturgemäß das von dem magnetischen Tunnel ein
geschlossene Plasma. Ähnliche Überlegungen gelten auch
für das durch das zweite, innere Magnetsystem M 2
eingeschlossene Plasma, allerdings in sehr verstärktem
Maße. Die beiden Plasmaräume und ihre rotierende Be
wegung ergänzen sich in vorteilhafter Weise und be
wirken eine gleichförmige bzw. flächige Beschichtung
des Substrats bzw. der Substrate innerhalb des Substrat
feldes.
Claims (4)
1. Magnetron-Zerstäubungskatode für Vakuum-Beschichtungs
anlagen mit einer kreisförmigen Targetplatte aus dem
zu zerstäubenden Material und mit mindestens einem
hinter der Targetplatte angeordneten Magnetsystem,
das aus jeweils zwei ineinanderliegenden in sich ge
schlossenen Reihen von Permanentmagneten besteht,
wobei die Magnete einer jeden Reihe die gleiche Pol
lage, die Magnete beider Reihen aber zueinander eine
entgegengesetzte Pollage aufweisen, derart, daß über
der Targetplatte mindestens ein in sich geschlossener
Tunnel aus von der einen Magnetreihe ausgehenden und
zur anderen Magnetreihe zurückkehrenden magnetischen
Feldlinien gebildet wird, und mit einer Antriebs
einrichtung für die kontinuierliche Drehung des Magnet
systems um die Mittenachse der Targetplatte,
dadurch gekennzeichnet, daß
- a) im Randbereich der Targetplatte (4) ein erstes Magnetsystem (M 1) für die Erzeugung eines ersten, zur Drehachse (A) im wesentlichen konzentrischen magnetischen Tunnels angeordnet ist, und daß
- b) zwischen der Drehachse (A) und dem ersten Magnet system (M 1) ein exzentrisch versetztes zweites Magnetsystem (M 2) angeordnet ist, das einen zweiten magnetischen Tunnel erzeugt, der sich nur über einen Sektor der Targetplatte (4) erstreckt,
derart, daß bei einer gemeinsamen Drehung beider Magnet
systeme die Flächenelemente der Targetplatte dem Produkt
aus Verweilzeit und Intensität dergestalt ausgesetzt
sind, daß die Targetplatte im mittleren Bereich gleich
mäßiger und am Rande stärker abgetragen wird, so daß
ein gegenüber der Targetplatte angebrachtes Substrat
feld gleichförmig beschichtet wird.
2. Magnetron-Zerstäubungskatode nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß das zweite Magnetsystem (M 2)
eine äußere Reihe von Permanentmagneten (7) auf
weist, welche Reihe sich über einen Dreiviertel
kreis erstreckt, dessen vierter Quadrant durch
Permanentmagnete (6 a) der inneren Reihe von
Permanentmagneten (6) des ersten Magnetsystems (M 1)
ergänzt wird, und daß die innere Reihe von Perma
nentmagneten (8) des zweiten Magnetsystems (M 2) mit
im wesentlichen gleichen Abständen zu den Permanent
magneten (7) entgegengesetzter Pollage verläuft.
3. Magnetron-Zerstäubungskatode nach Anspruch 2,
dadurch gekennzeichnet, daß sämtliche Permanent
magnete (5, 6, 6 a, 7, 8) auf einer drehbaren, zur
Targetplatte (4) koaxialen ferromagnetischen Joch
platte (1) angeordnet sind, die auf einer Hohl
welle (3) befestigt ist, und daß die beiden Magnet
reihen des zweiten, inneren Magnetsystems (M 2)
beiderseits der Öffnung (2) der Hohlwelle verlaufen.
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