DE3644652A1 - Verfahren zur herstellung einer elektronischen vorrichtung mit einer vielschichtigen struktur und eine dadurch erhaltene elektronische vorrichtung - Google Patents

Verfahren zur herstellung einer elektronischen vorrichtung mit einer vielschichtigen struktur und eine dadurch erhaltene elektronische vorrichtung

Info

Publication number
DE3644652A1
DE3644652A1 DE19863644652 DE3644652A DE3644652A1 DE 3644652 A1 DE3644652 A1 DE 3644652A1 DE 19863644652 DE19863644652 DE 19863644652 DE 3644652 A DE3644652 A DE 3644652A DE 3644652 A1 DE3644652 A1 DE 3644652A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
electronic device
gaseous
film
halogen
oxidizing agent
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19863644652
Other languages
English (en)
Other versions
DE3644652C2 (de
Inventor
Masahiro Kanai
Jun-Ichi Hanna
Isamu Shimizu
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Publication of DE3644652A1 publication Critical patent/DE3644652A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3644652C2 publication Critical patent/DE3644652C2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C23C16/452—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials by activating reactive gas streams before their introduction into the reaction chamber, e.g. by ionisation or addition of reactive species
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02422—Non-crystalline insulating materials, e.g. glass, polymers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02425—Conductive materials, e.g. metallic silicides
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02439—Materials
    • H01L21/02441—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/0245—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02494—Structure
    • H01L21/02496—Layer structure
    • H01L21/02505—Layer structure consisting of more than two layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/0257—Doping during depositing
    • H01L21/02573—Conductivity type
    • H01L21/02576—N-type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/0257—Doping during depositing
    • H01L21/02573—Conductivity type
    • H01L21/02579—P-type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00—Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/935—Gas flow control

Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine elektronische Vorrichtung mit einer vielschichtigen Struktur wie eine Vorrichtung aus einem dünnen Halbleiterfilm, einer fotoelektrischen Vorrichtung, einem Teil zur Bilderzeugung für die Elektrofotographie und auf ein Verfahren zu ihrer Herstellung.
Nach dem Stand der Technik werden zweckmäßige Filme, d. h. dünne Halbleiterfilme für elektronische Vorrichtungen wie Vorrichtungen aus dünnem Halbleiterfilm, Vorrichtungen zur Bilderzeugung u. s. w., insbesondere amorphe oder polykristalline Halbleiterfilme einzeln durch geeignete Filmbildungsverfahren gebildet, je nach dem Standpunkt der gewünschten Eigenschaften, Anwendungen u. s. w.
Zum Beispiel ist versuchsweise das Vakuumdampfabscheidungsverfahren, das Plasma-CVD-Verfahren (PCVD), das thermische CVD-Verfahren, das Reaktivsputteringverfahren, das Ionenplattierungsverfahren, das optische CVD-Verfahren u. s. w. verwendet worden, um einen aufgetragenen Siliciumfilm zu bilden, wie einen amorphen oder polykristallinen, d. h. nicht einzelnen kristallinen Siliciumfilm, der gegebenenfalls in Bezug auf freie Elektronenpaare mit einem Kompensationsmittel wie Wasserstoffatome (H) oder Halogenatome (X) u. s. w. ausgeglichen ist. (Nachstehend abgekürzt als "NON-Si (H, X)", insbesondere "A-SI (H, X)", um amorphes Silicium zu bezeichnen und "Poly-Si (H, X)" um polykristallines Silicium zu bezeichnen; das sogenannte mikrokristalline Silicium ist selbstverständlich in der Kategorie "A-Si (H, X)" enthalten). Im allgemeinen ist das Plasma-CVD-Verfahren weitgehend verwendet und industrialisiert worden.
Jedoch ist das Umsetzungsverfahren zur Bildung eines aufgetragenen Siliciumfilmes nach dem Plasma-CVD-Verfahren, welches nach dem Stand der Technik allgemein angewendet wurde, beträchtlich kompliziert im Vergleich mit dem CVD-Verfahren nach dem Stand der Technik und sein Umsetzungsmechanismus beinhaltet nicht wenige unklare Punkte. Es gibt auch eine große Anzahl Parameter zur Bildung eines aufgetragenen Filmes (z. B. Substrattemperatur, Fließgeschwindigkeiten, Fließgeschwindigkeitsverhältnis der eingeleiteten Gase, Druck während der Bildung, Hochfrequenzenergie, Elektrodenstruktur, Struktur des Umsetzungskessels, Evakuierungsgeschwindigkeit, Plasmaerzeugungssystem u. s. w.) Wegen der Abhängigkeit von solch einer großen Anzahl von Parametern kann das gebildete Plasma manchmal instabil werden, was oft zu ausgeprägten auslöschenden Wirkungen auf den gebildeten aufgetragenen Film führt. Daneben müssen solche Parametereigenschaften jeder Anlage einzeln ausgewählt werden und deshalb ist es in der jetzigen Situation schwierig, die Herstellungsbedingungen zu standardisieren.
Auf der anderen Seite wurde es jetzt als das Beste angenommen, damit ein aufgetragener Siliciumfilm in genügendem Maße befriedigende elektrische oder optische Eigenschaften zur entsprechenden Verwendung aufweist, ihn nach dem Plasma CVD-Verfahren herzustellen.
Jedoch kann, abhängig von der Anwendung eines aufgetragenen Siliciumfilmes Massenproduktion mit Reproduzierbarkeit mit voller Zufriedenstellung in Bezug auf Flächenvergrößerung, Gleichförmigkeit der Filmdicke sowie Gleichförmigkeit der Filmqualität erforderlich sein und deshalb sind zur Bildung eines aufgetragenen Siliciumfilmes nach dem Plasma-CVD-Verfahren enorme Anlagekosten für eine Massenproduktionsanlage unverzichtbar und Steuerungsmerkmale für solch eine Massenproduktion sind kompliziert, wobei die Toleranzgrenze der Überwachung eng und die Überwachung der Anlage streng sein soll. Dies zeigt die Probleme auf, die in Zukunft verbessert werden sollen.
Im Falle des Plasma-CVD-Verfahrens können, da das Plasma direkt durch Hochfrequenz oder Mikrowellen u. s. w. erzeugt wird, in einem Filmbildungsraum, in dem ein Substrat zur Filmbildung darauf plaziert wird, auch Elektronen oder eine Zahl von Ionenarten, die erzeugt wurden, einen im Filmbildungsverfahren gebildeten Film Schaden zufügen und Verringerung der Filmqualität oder Ungleichförmigkeit der Filmqualität verursachen.
Insbesondere im Falle der Herstellung einer elektronischen Vorrichtung mit einer vielschichtigen Struktur können Grenzschichtfehler, die zwischen den entsprechenden Schichten gebildet werden Verschlechterung der Eigenschaften der erhaltenen elektronischen Vorrichtung verursachen. In Abb. 4 ist als Beispiel ein Teil zur Bilderzeugung für die Elektrofotographie gezeigt. Es wurde ein Schichtenaufbau auf einem Substrat 400 aus Aluminium gefunden, der aus folgenden entsprechend abgelagerten Schichten besteht: einer Schicht zur Verhinderung von Ladungsinjektion (erste Schicht, amorphe Siliciumschicht, dotiert mit Bor (B) ) 401, eine lichtempfindliche Schicht (zweite Schicht, amorphe Schicht, nicht dotiert mit Verunreinigungen wie B) 402, und eine oberflächenschützende Schicht (dritte Schicht, amorphe Siliciumcarbitschicht) 403. Wenn alle Schichten nach dem PCVD-Verfahren gebildet werden sollen, sind, da die Arten der Gase der Ausgangsmaterialien, der Fließgeschwindigkeiten und der Plasmaentladungsintensität zur Bildung der entsprechend aufgetragenen Schichten sich extrem voneinander unterscheiden Bemühungen erforderlich, den Einfluß der zwischen den entsprechend aufgetragenen Schichten gebildeten Grenzschichten gewöhnlich durch das Beenden der Entladung zwischen den Schritten der Bildung der ersten Schicht und der zweiten Schicht oder der Bildung der zweiten Schicht und der dritten Schicht zu verringern, um Gase vollständig auszutauschen, oder falls kontinuierliche Produktion angewandt werden soll, eine veränderte Schicht durch stufenweise Änderung der Gasarten, der Fließgeschwindigkeiten und der Plasmaentladungsintensität zur Verfügung zu stellen oder Ablagerungskammern zur getrennten Bildung der entsprechend aufgetragenen Schichten zur Verfügung zu stellen.
Auf jeden Fall stoßem im Plasma erzeugte Ionen mit einer gebildeten Schicht zusammen, was die Fehler vermehrt.
Insbesondere ist bei der Herstellung einer elektronischen Vorrichtung mit einem vielschichten Aufbau, der Einfluß der Ionenkollision im Plasma an den Grenzschichten der entsprechenden Schichten bemerkenswert stark. Aus diesem Grund wird darin eine befriedigende Verbesserung gefordert.
Wie vorstehend beschrieben bleiben bei der Bildung eines Films mit Reihen von Siliciumauftragungen noch Punkte bestehen, die gelöst werden sollten und es wurde ernstlich gewünscht, ein Verfahren zur Bildung eines aufgetragenen Filmes zu entwickeln, das für Massenproduktion mit Energieersparnis unter Verwendung einer Anlage mit niedrigen Kosten geeignet ist, wobei es sowohl die Eigenschaften wie auch die Gleichförmigkeit des Filmes auf einem praktisch anwendbaren Stand aufrecht erhält. Insbesondere ist es ernsthaft erwünscht, die Grenzschichteigenschaften einer elektronischen Vorrichtung mit einer vielschichtigen Struktur, wie einem Dünnfilmtransistor, einer fotoelektrischen Vorrichtung, einem lichtempfindlichen Teil zur Elektrophotographie u. s. w. zu verbessern.
Es ist eine Aufgabe der Erfindung solche Nachteile eines Verfahrens zur Bildung eines aufgetragenen Filmes, wie vorstehend beschrieben zu beseitigen und zugleich ein Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung ohne Verwendung des Bildungsverfahrens nach dem Stand der Technik und eine dadurch erhaltene elektronische Vorrichtung zur Verfügung zu stellen.
Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zur Bildung eines aufgetragenen Filmes zur Verfügung zu stellen, das es ermöglicht, einen aufgetragenen Film mit verbesserten Grenzschichteigenschaften über einen weiten Bereich mit leichter Überwachung der Filmqualität und Energieersparnis zu erhalten.
Eine weitere Aufgabe der Erfindung ist es, ein Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung mit einer vielschichtigen Struktur, die herausragend bezüglich Produktivität und Massenproduktivität ist und sowohl hohe Qualität als auch herausragende physikalische Eigenschaften wie elektrische, optische und Halbleitereigenschaften besitzt zur Verfügung zu stellen.
Gemäß der Erfindung wird folgendes zur Verfügung gestellt: ein Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung mit einer vielschichtigen Struktur, die eine oder mehrere dünne Halbleiterschichten umfaßt, die hinsichtlich des Bandabstands gesteuert und auf einem Substrat gebildet sind, wobei das Verfahren folgendes umfaßt: die Bildung mindestens einer dieser dünnen Halbleiterschichten, die hinsichtlich des Bandabstandes gemäß des Plasma CVD-Verfahrens gesteuert werden und die Bildung mindestens einer von anderen Schichten als Bestandteil nach dem Verfahren, das folgendes umfaßt: das Einleiten eines gasförmigen Ausgangsmaterials zur Bildung eines aufgetragenen Filmes und eines gasförmigen halogenhaltigen Oxidationsmittels mit der Eigenschaft der Oxidationswirkung auf das Ausgangsmaterial in einen Reaktionsraum, um zwischen ihnen chemischen Kontakt zu bewirken und dadurch eine Vielzahl von Vorläufern zu bilden, die einen Vorläufer in angeregtem Zustand enthalten und wobei mindestens einer dieser Vorläufer als Zuführungsquelle für das Bestandteilselement des aufgetragenen Filmes in einen Filmbildungsraum, der mit dem Reaktionsraum verbunden ist übertragen wird. (Nachstehend als FOCVD abgekürzt). Ferner wird eine dadurch erhaltene elektronische Vorrichtung zur Verfügung gestellt.
Nach dem Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung der Erfindung wird ein aufgetragener Film mit einem vielschichtigen Aufbau erhalten, der bezüglich Grenzschichteigenschaften verbessert ist und wobei eine Vereinfachung der Überwachung und der Massenproduktion mit voller Zufriedenstellung hinsichtlich Flächenvergrößerung, Gleichförmigkeit der Filmdicke und gleichzeitig Gleichförmigkeit der Filmqualität mit Energieersparnis bewirkt wird, ohne daß enorme Anlagekosten für die Massenproduktionsanlage erforderlich sind und auch die Steuerungsmerkmale für die Massenproduktion erfordern klarerweise weite Toleranzgrenzen und einfache Anlagenüberwachung.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen:
Abb. 1 ist eine schematische Darstellung der Anlage zur Bildung eines aufgetragenen Filmes zur Durchführung des Verfahrens der Erfindung.
Abb. 2 ist eine schematische Darstellung des Schichtenaufbaus einer Solarzelle, die nach dem Verfahren der Erfindung hergestellt wurde.
Abb. 3 ist eine schematische Darstellung des Schichtenaufbaus eines Teils zur Bilderzeugung für die Elektrofotographie, das nach dem Verfahren der Erfindung hergestellt wurde.
Abb. 4 ist eine schematische Darstellung des Schichtenaufbaus eines Dünnfilmtransistors, der nach dem Verfahren der Erfindung hergestellt wurde.
Abb. 5 ist eine schematische Darstellung der Anlage zur Bildung eines aufgetragenen Filmes, die für das Plasma CVD-Verfahren verwendet wird.
In dem Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung der Erfindung erhält das gasförmige Ausgangsmaterial, das zur Bildung eines aufgetragenen Filmes (dünner Halbleiterfilm durch das FOCVD-Verfahren) verwendet wird, Oxidationswirkung durch chemischen Kontakt mit dem gasförmigen halogenhaltigen Oxidationsmittel und kann geeigneterweise wie gewünscht abhängig von der Art, der Eigenschaft, der Verwendung u. s. w. eines erhaltenen aufgetragenen Filmes gewählt werden. In der Erfindung müssen das vorstehende gasförmige Ausgangsmaterial und das gasförmige halogenhaltige Oxidationsmittel nur während des chemischen Kontaktes gasförmig gemacht werden, wenn sie in den Reaktionsraum eingeleitet werden, und sie können im Normalzustand entweder flüssig oder fest sein. Wenn das Ausgangsmaterial zur Bildung eines aufgetragenen Filmes oder das halogenhaltige Oxidationsmittel entweder flüssig oder fest ist, wird es im gasförmigen Zustand in den Reaktionsraum durch Blasenbildung mit Hilfe eines Trägergases wie Ar, He, N2, H2 u. s. w. ggfls. unter Verwendung von Wärme eingeleitet.
Während dieses Arbeitsganges können Partialdrücke und das Mischungsverhältnis des vorstehenden gasförmigen Ausgangsmaterials und des gasförmigen halogenhaltigen Oxidationsmittels durch Steuerung der Fließgeschwindigkeit des Trägergases und der Dampfdrücke des Ausgangsmaterials zur Bildung eines aufgetragenen Filmes und des gasförmigen halogenhaltigen Oxidationsmittels festgesetzt werden.
Als Ausgangsmaterial zur Bildung eines aufgetragenen Filmes das im FOCVD-Verfahren der Erfindung verwendet wird, können z. B., wenn ein aufgetragener Film vom tetraedrischen Typ wie ein aufgetragener Halbleiter- oder elektrisch isolierender Siliciumfilm oder ein aufgetragener Germaniumfilm u. s. w. erhalten werden soll, geradkettige oder verzweigkettige Silanverbindungen, zyklische Silanverbindungen, Ketten aus Germaniumverbindungen u. s. w. als wirksamer Film verwendet werden.
Insbesondere können Beispiele von geradkettigen Silanverbindungen Si n H2n+2 (n = 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8) beinhalten, Beispiele von verzweigtkettigen Silanverbindungen sind SiH3SiH (SiH3) SiH2SiH3 und Beispiele von zyklischen Silanverbindungen sind Si n H2n (n = 3, 4, 5, 6).
Natürlich können diese Ausgangsmaterialien entweder einzeln oder als Mischung von zwei oder mehreren Arten verwendet werden und können auch als Gas des Ausgangsmaterials im Falle der Bildung eines aufgetragenen Filmes nach dem Plasma CVD-Verfahren verwendet werden.
Das halogenhaltige Oxidationsmittel, das in der Erfindung verwendet wird, wird gasförmig gemacht, wenn es in den Reaktionsraum eingeleitet wird und hat zugleich die Eigenschaft das gasförmige Ausgangsmaterial zur Bildung eines aufgetragenen Filmes, wirksam zu oxidieren, wobei es in den Reaktionsraum durch reinen chemischen Kontakt mit ihm eingeleitet wird und Halogengase wie F2, Cl2, Br2, I2 u. s. w. und Fluor, Chlor, Brom u. s. w. "in statu nascendi" als wirksame Gase beinhaltet.
Das halogenhaltige Oxidationsmittel wird im gasförmigen Zustand in den Reaktionsraum zusammen mit dem Gas des Ausgangsmaterials zur Bildung eines aufgetragenen Filmes, wie vorstehend beschrieben mit gewünschter Fließgeschwindigkeit und gegebenem Zuführungsdruck eingeleitet, wobei es mit dem vorstehenden Ausgangsmaterial vermischt wird und mit ihm zusammenstößt, um sich mit ihm zu berühren, wobei es das vorstehende Ausgangsmaterial oxidiert, um wirksam eine Vielzahl von Vorläufern zu erzeugen, die einen Vorläufer in chemisch angeregtem Zustand enthalten. Von den Vorläufern in angeregtem Zustand und anderen erzeugten Vorläufern fungiert mindestens einer als Zuführungsquelle für das Bestandteilselement des gebildeten aufgetragenen Filmes.
Die erzeugten Vorläufer können der Zersetzung oder Umsetzung unterzogen werden um sie in andere Vorläufer in angeregtem Zustand oder in Vorläufer in anderem angeregten Zustand umzuwandeln oder können alternativ in ihren ursprünglichen Formen gelassen werden, obwohl, wenn gewünscht Energie freigegeben werden kann, um die Subtratoberfläche, die im Filmbildungsraum angelegt ist, zu berühren, wodurch ein aufgetragener Film mit einer dreidimensionalen Netzwerkstruktur hergestellt wird, wenn die Substratoberflächentemperatur relativ niedrig ist und ein kristalliner aufgetragener Film gebildet wird, wenn die Substratoberflächentemperatur höher ist.
In der Erfindung werden die Filmbildungsfaktoren, d. h. die Art und Kombination des Ausgangsstoffes und des halogenhaltigen Oxidationsmittels, ihr Mischungsverhältnis, der Druck während des Mischens, die Fließgeschwindigkeit, der innere Druck des Filmbildungsraumes, Gasflußgeschwindigkeit und Filmbildungstemperatur (Substrattemperatur und Atmosphärentemperatur) geeigneterweise wie gewünscht ausgewählt, damit das Bildungsverfahren des aufgetragenen Filmes gleichmäßig vor sich gehen kann, um einen Film von hoher Qualität und mit gewünschten physikalischen Eigenschaften zu bilden. Diese Filmbildungsfaktoren sind organisch miteinander verbunden und sie werden nicht einzeln sondern entsprechend ihrer gegenseitigen Beziehungen bestimmt. In der Erfindung kann das Verhältnis des gasförmigen Ausgangsstoffes zur Bildung eines aufgetragenen Films und des gasförmigen halogenhaltigen Oxidationsmittels, das in den Reaktionsraum eingeleitet geeigneterweise im Verhältnis der betreffenden Bildungsfaktoren unter den Filmbildungsfaktoren wie vorstehend erwähnt, bestimmt werden, aber es beträgt vorzugsweise 1/20 bis 100/1 besser 1/5 bis 50/1 ausgedrückt als Verhältnis der Fließgeschwindigkeit der eingeleiteten Gase.
Der Druck während der Mischung kann, wenn sie in den Reaktionsraum eingeleitet wird, vorzugsweise höher sein, um die Wahrscheinlichkeit des chemischen Kontaktes zwischen dem vorstehenden gasförmigen Ausgangsstoff und dem vorstehenden gasförmigen halogenhaltigen Oxidationsmittel zu vergrößern, aber es ist besser den optimalen Wert geeigneterweise wie gewünscht im Hinblick auf die Reaktivität zu bestimmen. Obwohl der Druck während des Mischens wie vorstehend beschrieben bestimmt werden kann, kann jeder Druck während der Einleitung vorzugsweise zwischen 1 × 10-7 Atmosphären bis bis 5 Atmosphären, besser 1 × 10-6 Atmosphären bis 2 Atmosphären betragen.
Der Druck innerhalb des Filmbildungsraumes, nämlich der Druck des Raumes, in dem ein Substrat zur Filmbildung darauf plaziert wird, kann geeigneterweise wie gewünscht festgesetzt werden, so daß Vorläufer (E), der in angeregtem Zustand im Reaktionsraum erzeugt wird und manchmal Vorläufer (D), der als Sekundärprodukt aus dem Vorläufer (E) gebildet wird, wirksam zur Filmbildung vortragen können.
Der Innendruck des Filmbildungsraumes kann, wenn der Filmbildungsraum mit dem Reaktionsraum offen verbunden ist im Verhältnis zu den Einleitungsdrücken und den Fließgeschwindigkeiten des gasförmigen Ausgangsstoffes zur Bildung eines aufgetragenen Films und des gasförmigen halogenhaltigen Oxidationsmittels in den Reaktionsraum gesteuert werden, z. B. durch Anwendung eines Apparates wie einer Differentialevakuierung oder Verwendung einer großen Zahl von Evakuierungvorrichtungen.
Alternativ kann, wenn die Leitfähigkeit im verbindenden Teil zwischen Reaktionsraum und dem Filmbildungsraum gering ist, der Druck in dem Filmbildungsraum gesteuert werden, indem man dem Filmbildungsraum eine geeignete Evakuierungsvorrichtung zur Verfügung stellt und die Evakuierungsgeschwindigkeit der Vorrichtung steuert.
Auf der anderen Seite ist es möglich Differentialevakuierung auszuführen oder eine große Zahl von Evakuierungsvorrichtungen mit genügender Evakuierungskapazität wie oben beschrieben zur Verfügung zu stellen, wenn der Reaktionsraum und der Filmbildungsraum in einem Teil hergestellt wurden und der Reaktionsort und der Filmbildungsort sich nur räumlich unterscheiden.
Wie vorstehend beschrieben kann der Druck im Filmbildungsraum im Verhältnis zu den Einleitungsdrücken des gasförmigen Ausgangsstoffes und des gasförmigen halogenhaltigen Oxidationsmittels, die in den Reaktionsraum eingeleitet werden, bestimmt werden, aber vorzugsweise betragen sie 0,001 Torr bis 100 Torr, besser 0,01 Torr bis 30 Torr, am besten 0,05 bis 10 Torr.
Die Gasflußgeschwindigkeit muß im Hinblick auf die geometrische Ausführung der Gaseinführungsöffnung, des Substrates und der Gasentladungsöffnung ausgelegt werden, so daß der Augangsstoff zur Bildung eines aufgetragenen Filmes und das halogenhaltige Oxidationsmittel während ihrer Einleitung in den Reaktionsraum wirksam vermischt werden können, der vorstehende Vorläufer (E) wirksam erzeugt werden kann und die Filmbildung angemessenerweise ohne Schwierigkeiten ausgeführt werden kann. Ein vorzügliches Beispiel der geometrischen Ausführung ist in Abb. 1 gezeigt.
Die Substrattemperatur (Ts) muß während der Filmbildung geeigneterweise, wie gewünscht einzeln abhängig von den verwendeten Gasarten und den Arten und erwünschten Eigenschaften des zu bildenden aufgetragenen Filmes festgesetzt werden, aber falls ein amorpher Film erhalten wird, liegt sie vorzugsweise zwischen Raumtemperatur und 450°C, besser zwischen 50 und 400°C. Insbesondere sollte im Falle der Bildung eines aufgetragenen Siliciumfilmes mit besseren Halbleitereigenschaften und fotoleitenden Eigenschaften u. s. w. die Substrattemperatur (Ts) gewünschterweise zwischen 70 und 350°C betragen. Auf der anderen Seite sollte sie, falls man einen polykristallinen Film erhält vorzugsweise zwischen 200 und 700°C, besser zwischen 300 und 600°C betragen.
Die Atmosphärentemperatur (Tat) im Filmbildungsraum muß geeigneterweise wie gewünscht im Verhältnis zu der Substrattemperatur bestimmt werden, so daß der vorstehende erzeugte Vorläufer (E) und der vorstehende Vorläufer (D) nicht in für die Filmbildung ungeeignete chemische Arten umgeändert werden und daß der vorstehende Vorläufer (E) auch wirksam erzeugt werden kann.
Abb. 1 zeigt ein Beispiel einer bevorzugten Anlage zur Durchführung des Verfahrens zur Bildung eines aufgetragenen Films der Erfindung.
Die in Abb. 1 gezeigte Anlage zur Bildung eines aufgetragenen Filmes ist weitgehend in einen Hauptkörper (Vakuumkammer), ein Evakuierungssystem und ein Gaszuführungssystem unterteilt.
In dem Hauptkörper werden ein Reaktionsraum und ein Filmbildungsraum zur Verfügung gestellt.
101 bis 108 sind jeweils Bomben, die mit den während der Filmbildung verwendeten Gasen gefüllt sind, 101 a bis 108 a sind jeweils Gaszuführungsrohre, 101 b bis 108 b sind jeweils Massenflußregler zur Überwachung der Fließgeschwindigkeiten der Gase aus den entsprechenden Bomben, 101 c bis 108 c sind jeweils Gasdruckmesser, 101 d bis 108 d und 101 e bis 108 e sind jeweils Ventile, und 101 f bis 108 f sind jeweils Druckmesser, die die Drücke in den entsprechenden Gasbomben anzeigen.
120 ist eine Vakuumkammer, die am Unterteil mit einer Vorrichtung zur Gaseinleitung ausgestattet ist, die eine Struktur zur Bildung eines Reaktionsraumes unterhalb der Vorrichtung besitzt und auch eine Struktur zum Aufbau eines Filmbildungsraumes besitzt, in dem ein Substrathalter, 112 zur Verfügung gestellt wird, so daß ein Substrat 118 gegenüber der Gaseinleitungsöffnung der Vorrichtung plaziert werden kann. Die Vorrichtung zur Gaseinleitung hat eine dreifach konzentrische röhrenförmige Struktur, die auf der inneren Seite ein erstes Gaseinleitungsrohr 109 zum Einleiten von Gasen aus den Gasbomben 101 und 102, ein zweites Gaseinleitungsrohr 110 zum Einleiten von Gasen aus den Gasbomben 103 bis 105, und ein drittes Gaseinleitungsrohr 111 zum Einleiten von Gasen aus den Gasbomben 106 bis 108 besitzt.
Zur Gaseinleitung in den Reaktionsraum aus jeder Gaseinleitungröhre, ist jede Stellung so ausgelegt, daß sie umso weiter von der Substratoberfläche entfernt angeordnet ist, je näher das Rohr auf der inneren Seite liegt. Mit anderen Worten werden die Gaseinleitungsrohre so angeordnet, daß das Rohr auf der äußeren Seite das Rohr auf der inneren Seite davon einschließen kann.
Die Gase aus den entsprechenden Bomben werden in die entsprechenden Einleitungsrohre durch die entsprechenden Gaszuführungsrohre 123 bis 125 eingefüllt.
Die entsprechenden Gaseinleitungsrohre, die entsprechenden Gaszuführungsrohre und die Vakuumkammer 120 werden bis zum Vakuum durch ein Hauptvakuumventil 119 mittels einer nicht gezeigten Evakuierungsvorrichtung evakuiert.
Das Substrat 118 wird in einem geeigneterweise gewünschten Abstand von den Stellungen der entsprechenden Gaseinleitungsrohre abgesetzt, indem der Substrathalter 112 in vertikaler Richtung bewegt wird.
Im Falle der Erfindung kann die Entfernung zwischen dem Substrat und der Gaseinleitungsöffnung der Gaseinleitungsvorrichtung geeigneterweise im Hinblick auf die Arten und gewünschten Eigenschaften des zu bildenden aufgetragenen Filmes, der Gasfließgeschwindigkeiten, des inneren Druckes der Vakuumkammer, u. s. w. bestimmt werden, aber er beträgt vorzugsweise einige mm bis 20 cm, besser 5 mm bis ungefähr 15 cm.
113 ist ein Heizgerät zum Erhitzen des Substrates, das zur Verfügung gestellt wird, um das Substrat während der Filmbildung auf eine geeignete Temperatur zu erhitzen oder das Substrat 118 vor der Filmbildung vorzuheizen, oder ferner den Film nach der Filmbildung auszuglühen.
Das Substratheizgerät 113 ist durch einen leitenden Draht 114 aus einer Energiequelle 115 mit Energie versorgt.
116 ist ein Thermoelement zum Messen der Temperatur des Substrates (Ts) und ist elektrisch verbunden mit der Vorrichtung zur Temperaturanzeige 117.
126 ist eine Elektrode zur Übertragung von hoher Frequenz zur Erzeugung des Plasmas in der Vakuumkammer 120, die mit einer Energiequelle zur Erzeugung von hoher Frequenz 127 verbunden ist.
Das gasförmige Material, das Verbindungen, die Teile zum Erweitern des Bandabstandes als Bandabstandsregler enthalten und in der Erfindung verwendet werden, liefert, kann kohlenstoffhaltige Verbindungen, Sauerstoffverbindungen, Stickstoffverbindungen u. s. w. enthalten.
Insbesondere können Beispiele von kohlenstoffhaltigen Verbindungen Verbindungen beinhalten, die durch die Formel C n H2n+2 dargestellt werden (n ist eine natürliche Zahl) wie CH4, C2H6, C3H8, C4H1O u. s. w. Verbindungen, die durch die Formel C n H2n dargestellt werden (n ist eine natürliche Zahl) wie C2H4, C3H6, C4H8 u. s. w. Verbindungen wie C2H2, C6H6, u. s. w. Beispiele von sauerstoffhaltigen Verbindungen können Verbindungen beinhalten wie O2, CO2, NO, NO2, N2O, O3, CO, H2O, CH3OH, CH3CH2OH, u. s. w.
Beispiele von stickstoffenthaltenden Verbindungen können N2, NH3, N2H5N3, N2H4, NH4N3 u. s. w. beinhalten.
Auf der anderen Seite kann das gasförmige Material, das Verbindungen, die Teile zum Verringern des Bandabstandes als Bandabstandsregler enthalten liefert, Ketten aus Germaniumverbindungen, Zinnverbindungen u. s. w. als wirksame Verbindungen beinhalten.
Insbesondere können Beispiele von Ketten aus Germaniumverbindungen Ge m H2m+2 beinhalten (m = 1, 2, 3, 4, 5) u. s. w. und Beispiele von Zinnverbindungen können hydriertes Zinn wie SnH4 u. s. w. beinhalten.
In der Erfindung unterscheidet sich das Verfahren zur Bildung eines aufgetragenen Filmes, der hinsichtlich des Bandabstandes gesteuert ist, wesentlich von dem zur Bildung eines aufgetragenen Filmes, das hinsichtlich des Bandabstandes enicht gesteuert ist, aber beide Bildungsvorrichtungen zur Auftragung eines Films können in der gleichen Anlage zur Bildung eines aufgetragenen Filmes angeordnet sein. In diesem Fall ist es erforderlich, wenn eine der Bildungsvorrichtungen zur Auftragung eines Films arbeitet, daß die andere Bildungsvorrichtung zur Auftragung eines Films unterbrochen wird. Auch ist es möglich beide Bildungsvorrichtungen zur Auftragung eines Films miteinander durch ein Absperrventil u. s. w. zu verbinden und die Bildung beider aufgetragener Filme kontinuierlich auszuführen.
Der Valenzelektronenregler, der im Falle der Bildung eines aufgetragenen Filmes, der hinsichtlich der Valenzelektronen gesteuert ist verwendet wird, wobei eine der Schichten eine vielschichtige Struktur darstellt, kann im Falle des Halbleiterfilms vom Siliciumtyp und des Halbleiterfilms vom Germaniumtyp Valenzelektronenregler vom p-Typ enthalten, nämlich Verbindungen, die Elemente der Gruppe 3 des Periodensystems enthalten, die als sogenannte Verunreinigungen vom p-Typ fungieren wie B, Al, Ga, In, Tl, u. s. w. und Valenzelektronenregler vom n-Typ, nämlich Verbindungen, die Elemente der Gruppe 5 des Periodensystems enthalten und als sogenannte Verunreinigungen vom n-Typ fungieren wie N, P, As, Sb, Bi, u. s. w.
Insbesondere kann das Material, das den Valenzelektronenreglers liefert NH3, HN3, N2H5N3, N2H4, NH4N3, PH3, P2H4 AsH3, SbH3, BiH3, B2H6, B4H10, B5H9, B5H11, B6H10, B6H12, Al(CH3)3, Al(C2H5)3, Ga(CH3)3, In(CH3)3, u. s. w. als wirksame Verbindungen enthalten.
Diese Valenzelektronenregler können auch als Regler des Bandabstandes verwendet werden, wenn man sie in großen Mengen zugibt.
Das zu verwendende Substrat der Erfindung kann entweder elektronenleitend oder elektrisch isoliert sein, wenn sichergestellt ist, daß es wie gewünscht abhängig von der Verwendung des gebildeten aufgetragenen Filmes ausgewählt wird. Als elektronenleitendes Substrat können Metalle wie NiCr, rostfreier Stahl, Al, Cr, Mo, Au, Ir, Nb, Ta, V, Ti, Pt, Pd, u. s. w. oder deren Legierungen genannt werden.
Als isolierendes Substrat können gewöhnlicherweise Filme oder Streifen aus synthetischen Harzen sein, wobei Polyester, Polyethylen, Polykarbonat, Zelluloseacetat, Polypropylen, Polyvinylchlorid, Polyvinylidenchlorid, Polystyrol, Polyamide u. s. w., Glas, Keramik u. s. w. beinhaltet sind. Mindestens eine Seite der Oberfläche dieser Substrate wird vorzugsweise einer Behandlung unterworfen um Elektroleitfähigkeit einzuschließen und es ist wünschenswert andere Schichten auf der Seite auf der die Elektroleitfähigkeitsbehandlung angewendet worden ist zur Verfügung zu stellen.
Zum Beispiel kann Elektroleitfähigkeitsbehandlung eines Glassubstrates ausgeführt werden, indem man einen dünnen Film mit NiCr, Al, Cr, Mo, Au, Ir, Nb, Ta, V, Ti, Pt, Pd, In2O3, SnO2, ITO(In2O3+SnO3) darauf zur Verfügung stellt. Alternativ kann ein synthetischer Harzfilm wie ein Polyesterfilm der Elektroleitfähigkeitbehandlung auf seiner Oberfläche unterworfen werden durch Vakuumdampfabscheidung, Elektronenstrahlabscheidung oder Sputtering eines Metalls wie NiCr, Al, Ag, Pb, Zn, Ni, Au, Cr, Mo, Ir, Nb, Ta, V, Ti, Pt, u. s. w. oder durch Laminierungsbehandlung mit solchen Metallen, wodurch Elektroleitfähigkeit der Oberfläche eingeschlossen wird. Das Substrat kann in irgendeiner Form wie Zylinder, Bänder, Platten oder anderes geformt sein und seine Form kann wie gewünscht bestimmt werden.
Das Substrat sollte im Hinblick auf Adhäsion und Reaktivität zwischen dem Substrat und dem Film vorzugsweise aus denen ausgewählt werden, die vorstehend angeführt wurden. Ferner kann, wenn der Unterschied der thermischen Ausdehnung zwischen beiden groß ist, in dem Film eine große Anzahl an Verformungen erzeugt werden, was manchmal keinen Film von guter Qualität ergibt und deshalb sollte man vorzugsweise ein Substrat verwenden, so daß der Unterschied der thermischen Ausdehnung zwischen beiden klein ist.
Auch ist der Oberflächenzustand des Substrates direkt verbunden mit der Struktur des Filmes (Ausrichtung) oder der Erzeugung von Stylet-Strukturen und deshalb ist es wünschenswert, die Oberfläche des Substrates so zu behandeln, daß sich eine Filmstruktur und eine Filmtextur ergibt, so daß die gewünschten Eigenschaften erhalten werden können.
Die Schicht, die durch das PCVD-Verfahren gebildet wird wird vorzugsweise unter Verwendung solch einer Anlage gebildet, wie sie zum Gebrauch des FOCVD-Verfahrens und des PCVD-Verfahrens wie in Abb. 1 gezeigt, geeignet ist. Jedoch kann sie unter Verwendung einer gewöhnlichen PCVD-Anlage gebildet werden.
Abb. 5 zeigt schematisch die Vorrichtung zur Bildung eines aufgetragenen Filmes nach dem Plasma CVD-Verfahren.
501 ist eine Abscheidungskammer zur Bildung eines aufgetragenen Filmes und 502 ist ein Haltegestell zum Halten eines Substrats 503, das innerhalb der Abscheidungskammer plaziert wird.
504 ist ein Heizgerät zum Erhitzen des Substrates und wird durch einen leitenden Draht 505 zur Erzeugung von Hitze mit Energie versorgt.
506 bis 509 sind Gaszuführungsquellen und sie sind ausgestattet entsprechend der Art der Gase mit siliciumhaltigen Verbindungen, Wasserstoff, Halogenverbindungen, Inertgasen und Verbindungen, die als ein Bestandteil ein Verunreinigungselement zur Steuerung des Bandabstandes beinhalten. Wenn von diesen Ausgangsmaterialverbindungen solche verwendet werden, die im Normalzustand flüssig sind, wird eine geeignete Vergasungsvorrichtung zur Verfügung gestellt. In der Zeichnung sind die Nummern der Gaszuführungsquellen 506 bis 509, denen das Symbol a angefügt ist, verzweigte Rohre, jene, denen b angefügt ist, Strömungsmesser, jene denen c angefügt ist, Druckmesser zum Messen der Drücke auf der Seite des höheren Druckes der entsprechenden Strömungsmesser, jene, denen d oder e angefügt ist, Ventile zum Steuern der jeweiligen Gasdurchflußgeschwindigkeiten. Die Gase der Ausgangsmaterialverbindungen werden durch das Einleitungsrohr 510 in die Filmbildungskammer 501 eingeführt.
511 ist eine plasmaerzeugende Vorrichtung und das Plasma aus der plasmaerzeugenden Vorrichtung 511 wirkt auf das Gas des Ausgangsmaterials ein, das in Richtung auf die Pfeilspitze zuläuft, um das Gas des Ausgangsmaterials anzuregen und zu zersetzen und einen in Hinsicht auf den Bandabstand gesteuerten aufgetragenen Film auf dem Substrat 503 durch die chemische Reaktion der zersetzten Verbindungen zu bilden. 512 ist ein Evakuierungsventil und 513 ist ein Evakuierungsrohr, das mit einer Evakuierungsvorrichtung für Vakuumevakuierung innerhalb des Filmbildungsraumes (nicht gezeigt) verbunden ist.
Wenn z. B. ein aufgetragener Film, der hinsichtlich des Bandabstandes durch einen Bandabstandsregler gesteuert ist, unter Verwendung solch einer Anlage gebildet werden soll, wird ein geeignetes Substrat auf das Haltegestell gesetzt und die Filmbildungskammer wird im Inneren evakuiert, um durch das Evakuierungsrohr unter Verwendung einer Evakuierungsvorrichtung (nicht gezeigt) auf verringerten Druck gebracht zu werden.
Als nächstes werden unter Erhitzen des Substrates, wenn gewünscht, die Gase des Ausgangsmaterials wie SiH4, H2 u. s. w. und die Gase des Ausgangsmateriales für die Bandabstandssteuerung wie O2, GeH4, CH4 u. s. w. aus den Gaszuführungsbomben durch das Gaszuführungsrohr 510 in die Filmbildungskammer 501 eingeleitet, und das Plasma wird in der Filmbildungskammer durch die plasmaerzeugende Vorrichtung erzeugt, wobei der Druck in dem Filmbildungsraum auf einen vorbestimmten Druck zur Bildung eines hinsichtlich des Bandabstandes gesteuerten auf dem Substrat 503 aufgetragenen Filmes aufrecht erhalten wird.
Jetzt wird die Herstellung einer Solarbatterie, einer lichtempfindlichen Vorrichtung zur Elektrofotographie und ein Dünnfilmtransistor (nachstehend TFT genannt) gemäß der Erfindung untenstehend detailliert beschrieben.
Beispiel 1
Abb. 2 zeigt schematisch ein Beispiel einer Solarbatterie, die gemäß der Erfindung hergestellt wurde.
In dieser Abbildung wird auf einem Glassubstrat 200 als Laminat folgendes gebildet: eine transparente Elektrode (nicht gezeigt), eine amorphe Siliciumkarbidschicht 201 vom p-Typ (erste Schicht, Dicke 300 Å), eine amorphe Siliciumschicht 202 vom i-Typ (zweite Schicht, Dicke 1 µm), eine amorphe Siliciumschicht 203 vom n-Typ (dritte Schicht, Dicke 200 Å) und eine Aluminiumelektrode 204.
Um die amorphe Siliciumkarbidschicht 201 vom p-Typ aufzutragen, wurde SiH4-Gas aus der Bombe 101 mit einer Fließgeschwindigkeit von 20 ccm/s (sccm) durch das Gaseinleitungsrohr 109, B2H6/He-Gas (B2H6-Konzentration von 10 000 ppm) aus der Bombe 103 mit einer Fließgeschwindigkeit von 3 ccm/s (sccm) und CH4-Gas aus der Bombe 105 mit einer Fließgeschwindigkeit von 100 ccm/s (sccm) durch das Gaseinleitungsrohr 110 und He-Gas aus der Bombe 107 mit einer Fließgeschwindigkeit von 20 ccm/s (sccm) durch das Gaseinleitungsrohr 111 jeweils in die Vakuumkammer 120 eingeleitet. Das Plasma wurde durch Anlegen von Hochfrequenz (13,56 MHz, effektive Wirkleistung 30 W) an eine Elektrode 126 für Hochfrequenzübertragung erzeugt.
Gemäß des Plasma CVD-Verfahrens wurde eine amorphe Siliciumkarbidschicht 201 vom p-Typ gebildet, die durch Kohlenstoff hinsichtlich des Bandabstandes erweitert wurde. Aus diesem Grund wurde die Fensterwirkung zur Verbesserung der fotoelektrischen Umwandlungseffizienz vergrößert.
Die amorphe Siliciumschicht 202 vom i-Typ und die amorphe Siliciumschicht 203 vom n-Typ wurden durch Vermischen und Einwirkenlassen eines gasförmigen Ausgangsmaterials zur Bildung eines aufgetragenen Filmes und eines gasförmigen halogenhaltigen Oxidationsmittels mit der Eigenschaft der Oxidationswirkung auf dieses Ausgangsmaterial in der Vakuumkammer 120 durch FOCVD aufgetragen.
D. h. im Falle des amorphen Siliciums 202 vom i-Typ wurde SiH4-Gas, das in die Bombe 101 gefüllt wurde, mit einer Fließgeschwindigkeit von 30 ccm/s (sccm) durch das Gaseinleitungsrohr 109, F2-Gas, das in die Bombe 106 gefüllt wurde, mit einer Fließgeschwindigkeit von 20 ccm/s (sccm) und He-Gas, das in die Bombe 107 gefüllt wurde, mit einer Fließgeschwindigkeit von 100 ccm/s (sccm) durch das Gaseinleitungsrohr 111 in die Vakuumkammer 120 eingeleitet.
Während dieses Arbeitsganges wurde der Druck in der Vakuumkammer 120 bei 0,7 Torr gehalten, indem man die Öffnung des Vakuumventils 119 steuerte. Der Abstand zwischen dem Gaseinleitungsrohr 111 und dem Substrat wurde auf 3 cm festgesetzt. In der Mischungsgegend des SiH4-Gas mit dem F2-Gas wurde eine bläulich-weiße Lumineszenz deutlich festgestellt.
Im Falle der amorphen Siliciumschicht 203 vom n-Typ, wurde SiH4-Gas, as in die Bombe 101 gefüllt wurde, mit einer Fließgeschwindigkeit von 20 ccm/s (sccm) durch das Gaseinleitungsrohr 109, PH3/He-Gas, das in die Bombe 104 gefüllt wurde (PH3-Konzentration von 1000 ppm) mit einer Fließgeschwindigkeit von 3 ccm/s (sccm) durch das Gaseinleitungsrohr 110, F2-Gas, das in die Bombe 106 gefüllt wurde, mit einer Fließgeschwindigkeit von 15 ccm/s (sccm) und He-Gas, das in die Bombe 107 gefüllt wurde, mit einer Fließgeschwindigkeit von 80 ccm/s (sccm) durch da Gaseinleitungsrohr 111 in die Vakuumkammer 120 eingeleitet. Der Druck in der Vakuumkammer 120 wurde auf 0,4 Torr eingestellt, indem man die Öffnung des Vakuumventils 119 steuerte.
Zur Bildung der entsprechenden Schichten, wurde die Substrattemperatur auf 250°C festgesetzt.
Die so erhaltene Solarbatterie zeigt eine um 18% höhere fotoelektrische Umwandlungseffizienz, als das Produkt nach dem Stand der Technik.
Beispiel 2
Abb. 3 zeigt schematisch ein Beispiel eines Teils zur Bilderzeugung für die Elektrofotographie, das nach der Erfindung hergestellt wurde.
In dieser Abbildung wurde auf ein Aluminiumsubstrat 300 folgendes als Laminat gebildet: Eine Schicht zur Vermeidung von Lichtreflexion 301 (erste Schicht, amorphe Silicium- Germaniumschicht, gesteuert hinsichtlich des Bandabstandes durch Germanium, Dicke 0,5 µm), eine Schicht zur Vermeidung von Ladungsinjektion 302 (zweite Schicht, amorphe Siliciumschicht, dotiert mit Bor, Dicke 0,5 µm), eine lichtempfindliche Schicht 303 (dritte Schicht, amorphe Siliciumschicht, Dicke 18 µm), eine oberflächenschützende Schicht und Schicht zur Vergrößerung der Lichtabsorption 304 (vierte Schicht, amorphe Siliciumkarbidschicht, gesteuert hinsichtlich des Bandabstandes durch Kohlenstoff, Dicke 0,1 µm).
Das Teil zur Bilderzeugung wurde wie vorstehend beschrieben, unter Verwendung einer Anlage zur Bildung eines im Beispiel 1 gezeigten aufgetragenen Filmes unter den in Tabelle 1 gezeigten Filmbildungsbedingungen hergestellt.
Es wurde gefunden, daß das Teil zur Bilderzeugung für die Elektrofotographie, das in diesem Beispiel erhalten wurde um 25% oder mehr verbesserte Ladungseigenschaften zeigte, um ungefährt 10% verringerte Zahl der Bildfehler besaß und auch um 15% oder mehr bezüglich der Empfindlichkeit im Vergleich mit dem Produkt nach dem Stand der Technik verbessert war.
TABELLE 1
Beispiel 3
Abb. 4 zeigt schematisch ein Beispiel des TFT der Erfindung.
In dieser Abbildung wurde auf einem Glassubstrat 400 folgendes gebildet: eine amorphe Siliciumschicht 401 (erste Schicht, Dicke 8000 Å), eine amorphe Siliciumschicht 402, dortiert mit Phosphor von hoher Konzentration (zweite Schicht, Dicke 800 Å), eine isolierende Schicht 403 (dritte Schicht, Dicke 2000 Å), und eine Eintrittselektrode 404, Speisungs- und Austrittselektroden 405, 405′ aus Aluminium.
Der TFT wurde wie vorstehend beschrieben unter Verwendung einer Anlage zur Bildung eines in Beispiel 1 gezeigten aufgetragenen Films unter den in Tabelle 2 gezeigten Filmbedingungen hergestellt.
Der in diesem Beispiel hergestellte TFT war im on/off-Widerstandsverhältnis um ungefähr 13% verglichen mit dem Produkt nach dem Stand der Technik verbessert.
TABELLE 2
Wie vorstehend detailliert beschrieben, kann die Erfindung Energieersparnis bewirken und zugleich eine elektronische Vorrichtung mit einem aufgetragenen Film zur Verfügung stellen, der über einen weiten Bereich gleichförmige physikalische Eigenschaften mit leichter Handhabung der Filmqualität besitzt. Auch kann sie leicht eine elektronische Vorrichtung mit einer vielschichtigen Struktur zur Verfügung stellen, die bezüglich der physikalischen Eigenschaften wie elektrische, optische, Halbleitereigenschaften u. s. w. und in Produktivität und Massenproduktivität herausragend ist.

Claims (21)

1. Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung mit einer vielschichtigen Struktur, die eine oder mehrere dünne Halbleiterschichten umfaßt, die bezüglich des Bandabstandes gesteuert sind und auf einem Substrat gebildet werden, dadurch gekennzeichnet, daß es folgendes umfaßt: Bildung mindestens einer dieser dünnen Halbleiterschichten, die bezüglich des Bandabstandes entsprechend dem Plasma-CVD-Verfahren gesteuert sind und Bildung mindestens einer anderen Schicht als Bestandteil nach dem Verfahren, das die Einleitung eines gasförmigen Ausgangsmaterials zur Bildung eines aufgetragenen Filmes und eines gasförmigen halogenhaltigen Oxidationsmittels mit der Eigenschaft der Oxidationswirkung auf dieses Ausgangsmaterial in einen Reaktionsraum umfaßt, um chemischen Kontakt zwischen ihnen zu bewirken und dadurch eine Vielzahl von Vorläufern zu bilden, die einen Vorläufer in angeregtem Zustand enthalten und wobei mindestens einer dieser Vorläufer in einen mit dem Reaktionsraum verbundenen Filmbildungsraum als Zuführungsquelle für das Bestandteilselement des aufgetragenen Filmes übergeführt wird.
2. Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die dünne Halbleiterschicht, die hinsichtlich des Bandabstandes gesteuert ist, ein aufgetragener Film vom tetraedrischen Typ ist.
3. Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das gasförmige Ausgangsmaterial eine kettenförmige Silanverbindung ist.
4. Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung gemäß Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die kettenförmige Silanverbindung eine geradkettige Silanverbindung ist.
5. Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung gemäß Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß die geradkettige Silanverbindung durch die Formel Si n H2n+2 dargestellt wird (n ist eine ganze Zahl von 1 bis 8).
6. Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung gemäß Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die kettenformige Silanverbindung eine verzweigtkettige Silanverbindung ist.
7. Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das gasförmige Ausgangsmaterial eine Silanverbindung mit einer zyklischen Siliciumstruktur ist.
8. Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das gasförmige Ausgangsmaterial eine kettenförmige Germaniumverbindung ist.
9. Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung gemäß Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die kettenförmige Germaniumverbindung durch die Formel Ge m H2m+2 dargestellt wird (m ist eine Zahl von 1 bis 5).
10. Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das gasförmige Ausgangsmaterial eine Verbindung von tetradrischen Typ ist.
11. Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das gasförmige halogenhaltige Oxidationsmittel ein Halogengas enthält.
12. Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das gasförmige halogenhaltige Oxidationsmittel Fluorgas enthält.
13. Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das gasförmige halogenhaltige Oxidationsmittel Chlorgas enthält.
14. Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das gasförmige halogenhaltige Oxidationsmittel ein Gas ist, das Fluoratome als Bestandteile enthält.
15. Vorrichtung zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das gasförmige halogenhaltige Oxidationsmittel ein Halogen "in statu nascendi" enthält.
16. Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Substrat in einer Stellung angeordnet ist, die der Richtung in der das gasförmige Ausgangsmaterial und das gasförmige halogenhaltige Oxidationsmittel in den Reaktionsraum eingeleitet werden, entgegengesetzt ist.
17. Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein gasförmiges Material (OCN), das einen Bandabstandsregler zur Verfügung stellt, in den Reaktionsraum eingeleitet wird.
18. Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung gemäß Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß das gasförmige Material (OCN), aus kohlenstoffhaltigen Verbindungen, sauerstoffhaltigen Verbindungen und stickstoffhaltigen Verbindungen ausgewählt wird.
19. Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung gemäß Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß das ausgewählte gasförmige Material (OCN), eines ist, das aus folgenden ausgewählt wird: CH4, C2H6, C3H8, C4H10, C2H4, C3H6, C4H8, C2H2, C6H6, O2, CO2, NO, NO2, N2O, O3, CO, H2O, CH3OH, CH3CH2OH, N2, NH3, N2H5N3, N2H4 und NH4N3.
20. Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung gemäß Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das gasförmige Material, das einen Bandabstandsregler zur Verfügung stellt, in den Reaktionsraum eingeleitet wird.
21. Elektronische Vorrichtung, die durch das Verfahren gemäß Anspruch 1 hergestellt wird.
DE3644652A 1985-12-28 1986-12-29 Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung mit einer vielschichtigen Struktur Expired - Lifetime DE3644652C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP60298045A JPH0651909B2 (ja) 1985-12-28 1985-12-28 薄膜多層構造の形成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3644652A1 true DE3644652A1 (de) 1987-07-23
DE3644652C2 DE3644652C2 (de) 1995-06-29

Family

ID=17854411

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE3644652A Expired - Lifetime DE3644652C2 (de) 1985-12-28 1986-12-29 Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung mit einer vielschichtigen Struktur

Country Status (3)

Country Link
US (1) US4771015A (de)
JP (1) JPH0651909B2 (de)
DE (1) DE3644652C2 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3938956A1 (de) * 1988-11-25 1990-05-31 Eniricerche Spa Verfahren zur plasmaablagerung von mehreren schichten aus amorphem material mit variabler zusammensetzung

Families Citing this family (304)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0746729B2 (ja) * 1985-12-26 1995-05-17 キヤノン株式会社 薄膜トランジスタの製造方法
US5236895A (en) * 1988-11-24 1993-08-17 Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha Production of oxide superconducting films by laser sputtering using N22
US5079217A (en) * 1988-11-28 1992-01-07 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for preparing homogenous superconductors by heating in a nitrogen dioxide containing atmosphere
EP0387456B1 (de) * 1989-02-10 1993-09-22 Kabushiki Kaisha Toshiba Verfahren zur Ablagerung eines dünnen Oxydfilms
US5502315A (en) * 1989-09-07 1996-03-26 Quicklogic Corporation Electrically programmable interconnect structure having a PECVD amorphous silicon element
US5989943A (en) * 1989-09-07 1999-11-23 Quicklogic Corporation Method for fabrication of programmable interconnect structure
US5214025A (en) * 1990-04-13 1993-05-25 President Of Tokyo Institute Of Technology Method of manufacturing oxide high-temperature superconductor thin film by means of molecular-beam epitaxy
US5946587A (en) * 1992-08-06 1999-08-31 Canon Kabushiki Kaisha Continuous forming method for functional deposited films
KR0139876B1 (ko) * 1993-09-14 1998-08-17 사토 후미오 금속산화막의 형성방법
US5698262A (en) * 1996-05-06 1997-12-16 Libbey-Owens-Ford Co. Method for forming tin oxide coating on glass
CA2241678C (en) 1997-06-26 2007-08-28 General Electric Company Silicon dioxide deposition by plasma activated evaporation process
US6787186B1 (en) * 1997-12-18 2004-09-07 Advanced Technology Materials, Inc. Method of controlled chemical vapor deposition of a metal oxide ceramic layer
US6579805B1 (en) * 1999-01-05 2003-06-17 Ronal Systems Corp. In situ chemical generator and method
US20060124588A1 (en) * 1999-01-05 2006-06-15 Berg & Berg Enterprises, Llc System and method for reducing metal oxides with hydrogen radicals
US7510664B2 (en) * 2001-01-30 2009-03-31 Rapt Industries, Inc. Apparatus and method for atmospheric pressure reactive atom plasma processing for shaping of damage free surfaces
US7591957B2 (en) * 2001-01-30 2009-09-22 Rapt Industries, Inc. Method for atmospheric pressure reactive atom plasma processing for surface modification
US6660177B2 (en) 2001-11-07 2003-12-09 Rapt Industries Inc. Apparatus and method for reactive atom plasma processing for material deposition
US7375035B2 (en) * 2003-04-29 2008-05-20 Ronal Systems Corporation Host and ancillary tool interface methodology for distributed processing
US7888167B2 (en) * 2008-04-25 2011-02-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Photoelectric conversion device and method for manufacturing the same
JP5377061B2 (ja) * 2008-05-09 2013-12-25 株式会社半導体エネルギー研究所 光電変換装置
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US10683571B2 (en) * 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US10381226B2 (en) 2016-07-27 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of processing substrate
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
TWI791689B (zh) 2017-11-27 2023-02-11 荷蘭商Ａｓｍ智慧財產控股私人有限公司 包括潔淨迷你環境之裝置
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
WO2019142055A2 (en) 2018-01-19 2019-07-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US11685991B2 (en) 2018-02-14 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TW202013553A (zh) 2018-06-04 2020-04-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
CN112292478A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
JP2021529880A (ja) 2018-06-27 2021-11-04 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 金属含有材料ならびに金属含有材料を含む膜および構造体を形成するための周期的堆積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
JP2020136677A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TW202100794A (zh) 2019-02-22 2021-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TW202121506A (zh) 2019-07-19 2021-06-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
JP2021097227A (ja) 2019-12-17 2021-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム層および窒化バナジウム層を含む構造体を形成する方法
KR20210080214A (ko) 2019-12-19 2021-06-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3208494A1 (de) * 1981-03-09 1982-09-30 Canon K.K., Tokyo Verfahren zur herstellung eines fotoleitfaehigen elements
DE3426822A1 (de) * 1983-07-22 1985-01-31 Canon K.K., Tokio/Tokyo Verfahren zur herstellung siliciumhaltiger abscheidungsfilme

Family Cites Families (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US31708A (en) * 1861-03-19 Improved device for coating pins
US3473978A (en) * 1967-04-24 1969-10-21 Motorola Inc Epitaxial growth of germanium
US3888705A (en) * 1973-12-19 1975-06-10 Nasa Vapor phase growth of groups iii-v compounds by hydrogen chloride transport of the elements
US4146657A (en) * 1976-11-01 1979-03-27 Gordon Roy G Method of depositing electrically conductive, infra-red reflective, transparent coatings of stannic oxide
USRE31708E (en) 1976-11-01 1984-10-16 Method of depositing electrically conductive, infra-red reflective, transparent coatings of stannic oxide
GB2038086A (en) * 1978-12-19 1980-07-16 Standard Telephones Cables Ltd Amorphous semiconductor devices
US4239811A (en) * 1979-08-16 1980-12-16 International Business Machines Corporation Low pressure chemical vapor deposition of silicon dioxide with oxygen enhancement of the chlorosilane-nitrous oxide reaction
JPS5710920A (en) * 1980-06-23 1982-01-20 Canon Inc Film forming process
US4522663A (en) * 1980-09-09 1985-06-11 Sovonics Solar Systems Method for optimizing photoresponsive amorphous alloys and devices
US4357179A (en) * 1980-12-23 1982-11-02 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Method for producing devices comprising high density amorphous silicon or germanium layers by low pressure CVD technique
US4421592A (en) * 1981-05-22 1983-12-20 United Technologies Corporation Plasma enhanced deposition of semiconductors
US4402762A (en) * 1981-06-02 1983-09-06 John Puthenveetil K Method of making highly stable modified amorphous silicon and germanium films
JPS5833829A (ja) * 1981-08-24 1983-02-28 Toshiba Corp 薄膜形成装置
US4652463A (en) * 1982-03-29 1987-03-24 Hughes Aircraft Process for depositing a conductive oxide layer
JPS58170536A (ja) * 1982-03-31 1983-10-07 Fujitsu Ltd プラズマ処理方法及びその装置
US4462847A (en) * 1982-06-21 1984-07-31 Texas Instruments Incorporated Fabrication of dielectrically isolated microelectronic semiconductor circuits utilizing selective growth by low pressure vapor deposition
US4615905A (en) * 1982-09-24 1986-10-07 Sovonics Solar Systems, Inc. Method of depositing semiconductor films by free radical generation
US4504518A (en) * 1982-09-24 1985-03-12 Energy Conversion Devices, Inc. Method of making amorphous semiconductor alloys and devices using microwave energy
JPS59159167A (ja) * 1983-03-01 1984-09-08 Zenko Hirose アモルフアスシリコン膜の形成方法
JPS59199035A (ja) * 1983-04-26 1984-11-12 Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd 薄膜生成装置
DE3429899A1 (de) * 1983-08-16 1985-03-07 Canon K.K., Tokio/Tokyo Verfahren zur bildung eines abscheidungsfilms
US4637938A (en) * 1983-08-19 1987-01-20 Energy Conversion Devices, Inc. Methods of using selective optical excitation in deposition processes and the detection of new compositions
JPS6043819A (ja) * 1983-08-19 1985-03-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 気相反応方法
US4645689A (en) * 1984-02-17 1987-02-24 At&T Bell Laboratories Deposition technique
JPS60243663A (ja) * 1984-05-18 1985-12-03 Kyocera Corp 電子写真感光体
US4624736A (en) * 1984-07-24 1986-11-25 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Laser/plasma chemical processing of substrates
US4657777A (en) * 1984-12-17 1987-04-14 Canon Kabushiki Kaisha Formation of deposited film
JPH07101751B2 (ja) * 1985-03-28 1995-11-01 キヤノン株式会社 光起電力素子の製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3208494A1 (de) * 1981-03-09 1982-09-30 Canon K.K., Tokyo Verfahren zur herstellung eines fotoleitfaehigen elements
DE3426822A1 (de) * 1983-07-22 1985-01-31 Canon K.K., Tokio/Tokyo Verfahren zur herstellung siliciumhaltiger abscheidungsfilme

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
IBM Technical Disclosure Bulletin, Vol. 26, No. 3A, August 1983, S. 918-922 *
Japan. Journ. Appl. Phys. Vol. 24, No. 8 August 1985, S. 997-1002 *

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3938956A1 (de) * 1988-11-25 1990-05-31 Eniricerche Spa Verfahren zur plasmaablagerung von mehreren schichten aus amorphem material mit variabler zusammensetzung

Also Published As

Publication number Publication date
US4771015A (en) 1988-09-13
DE3644652C2 (de) 1995-06-29
JPH0651909B2 (ja) 1994-07-06
JPS62158874A (ja) 1987-07-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3644652C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung mit einer vielschichtigen Struktur
DE60305605T2 (de) Schicht bildendes Apparat und Verfahren
DE3429899C2 (de)
DE4220717C2 (de) Verfahren zum Bilden einer Siliziumcarbidschicht und deren Verwendung
DE3644655C2 (de)
CA1257403A (en) Chemical vapour deposition method to produce an electronic device having a multi-layer structure
DE3336064A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur erzeugung einer schicht auf einem substrat
DE3923390A1 (de) Vorrichtung zur bildung eines grossflaechigen aufgedampften films unter verwendung von wenigstens zwei getrennt gebildeten aktivierten gasen
DE3601711A1 (de) Reaktor zum erzeugen von aus daempfen erzeugten niederschlaegen auf einem substrat
DE3938830A1 (de) Geraet zur chemischen mikrowellenplasma-bedampfung
DE2904171C2 (de)
DE60114383T2 (de) Verfahren und vorrichtung zur plasmabeschichtung
DE3211081C2 (de)
DE3515135A1 (de) Verfahren zur abscheidung von borphosphorsilicatglas auf silicium-wafern
DE3644654C2 (de)
DE10019807A1 (de) Titanoxidfilm und Herstellvorrichtung für einen solchen
DE102018125531A1 (de) Vorrichtung und Verfahren zur Regelung der Temperatur in einem CVD-Reaktor
DE69633754T2 (de) Herstellungsverfahren für einen dünnen Halbleiterfilm
AU602321B2 (en) Method for forming deposited film
EP0228870B1 (de) Herstellungsverfahren einer niedergeschlagenen Schicht
DE3331261C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zur Erzeugung einer amorphen Siliziumschicht auf einem Substrat
DE3609503A1 (de) Heizwiderstandselement und heizwiderstand unter verwendung desselben
DE112010000869T5 (de) Plasmaverarbeitungsvorrichtung
EP0228295B1 (de) Verfahren zur Herstellung einer elektronischen Vorrichtung mit Mehrschichtstruktur
DE3307573C2 (de)

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition