DE3735158A1 - Verfahren zum schleierfreien polieren von halbleiterscheiben - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum schleierfreien Po­ lieren von Halbleiterscheiben in einem Einstufenprozeß, bei dem in der Anfangsphase ein Poliersol, -gel oder feste Po­ lierkomponenten enthaltendes, alkalisches Poliermittel auf das Poliertuch aufgebracht wird.

Ein solches Verfahren ist aus der DE-OS 25 31 431 bzw. der entsprechenden US-PS 40 70 799 bekannt. In der Endphase, also der Phase des Poliervorganges, in der die eigentliche schleierfreie Politur bewirkt wird, wird dabei dem Polier­ mittel der Anfangsphase ein aus 0.1 bis 10 Gew.-%, bezogen auf Poliermittel, eines anionenaktiven und/oder nichtionoge­ nen, keinen Stickstoff im Molekül enthaltenden Tensids be­ stehender Poliermittelzusatz zugefügt. Da bei dieser Verfah­ rensweise jedoch bei einer nachfolgenden Charge von Halblei­ terscheiben die im Poliertuch hängenden Tenside den Polier­ abtrag der ersten Stufe verringern können, wird empfohlen, den Polierprozeß als Zweistufenprozeß, d.h. aufgetrennt auf zwei verschiedene Poliermaschinen und in eine den Abtrag be­ wirkende Polierstufe und eine die schleierfreie Politur be­ wirkende Polierstufe, durchzuführen.

Auch bei der aus der DE-OS 22 47 067 bzw. der entsprechenden US-PS 38 74 129 bekannten Methode wird ein Zweistufenprozeß durchgeführt, wobei in der zweiten Stufe eine Poliersuspen­ sion eingesetzt wird, der 1 bis 10 Vol% eines einwertigen Alkohols mit 3 bis 5 Kohlenstoffatomen und 0,01 bis 0,5 Gew.-% Polyvinylalkohol zugesetzt sind. Beide an sich sehr leistungsfähigen Verfahren liefern jedoch nur als 2-Stufen­ prozesse beispielsweise in Bezug auf Abtragsraten und Schleierfreiheit der erhaltenen Scheiben ausgezeichnete Ergebnisse.

Die Aufgabe der Erfindung bestand darin, ein Verfahren anzu­ geben, nach dem sich schleierfrei polierte Halbleiter- und insbesondere Siliciumscheiben in einem Einstufenprozeß, also vor allem also ohne Gerätewechsel und Unterbrechung des Polierprozesses, erhalten lassen.

Gelöst wird die Aufgabe durch ein Verfahren, welches dadurch gekennzeichnet ist, daß in der Endphase des Poliervorganges eine auf einen pH-Wert von 8 bis 3 eingestellte, 0,1 bis 10 Vol.-% einer oder mehrerer aus der Gruppe der Alkohole, Ke­ tone, Ester, Ether oder Amide ausgewählten, hydrophile und hydrophobe Gruppen enthaltenden polaren Verbindung und/oder unter 0,1 Vol.-% eines oberflächenaktiven Stoffes enthaltende Polierlösung auf das Poliertuch aufgebracht wird.

Bei dem Verfahren wird während der im alkalischen pH-Bereich ablaufenden Anfangsphase des Poliervorganges vorzugsweise ein auf einem pH-Wert von 11 bis 13 eingestelltes Poliermit­ tel eingesetzt. Die Einstellung des pH-Wertes kann dabei in bekannter Weise z.B. durch den Einsatz von geeigneten wäßri­ gen Puffersystemen, wie etwa einem Dinatriumhydrogenphos­ phat/Natronlauge-Puffer oder einem Kaliumchlorid/Natronlau­ gepuffer erfolgen. Der Einsatz von Puffersystemen ist jedoch nicht zwingend vorgeschrieben; der geeignete pH-Bereich kann auch mit Hilfe von entsprechend konzentrierten bzw. verdünn­ ten alkalischen wäßrigen Lösungen von z.B. Natron- oder Kalilauge, Natrium- oder Kaliumcarbonat, Natriumacetat oder anderen alkalisch reagierenden und die Scheiben nicht unzulässig verunreinigenden Salzen eingestellt werden.

Als zusätzliche Komponente enthält das in der Anfangsphase eingesetzte Poliermittel 1 bis zu 20 Vol% eines Poliersols oder -gels, günstig auf Kieselsäurebasis, oder einer festen Polierkomponente wie z.B. Quarzmehl oder Silikate bzw. Fluoro-silikate z.B. des Natriums, Kaliums, Magnesiums, Calciums oder Bariums. Derartige Zusätze sind allgemein gebräuchlich und dem Fachmann zum Beispiel aus der eingangs genannten Patentliteratur bekannt; sie bedürfen hier daher keiner näheren Erläuterung.

In der Regel wird für die Anfangsphase des Poliervorganges, in welcher es hauptsächlich auf dem Materialabtrag ankommt, nach Maßgabe des gewünschten Abtrags und der Abtragsrate eine Zeitdauer von 5 bis 100 Minuten eingehalten, wobei gängige Abtragswerte im Bereich von 10-60 µm liegen. Diese Angaben sind als Richtwerte, nicht jedoch im Sinne einer Beschränkung zu verstehen.

Das Poliermittel kann in der üblichen Weise auf das Polier­ tuch aufgebracht werden, beispielsweise indem die fertige Suspension aus einem Reservoir über Zuleitungen an die Ein­ satzstelle gepumpt wird und dort, ggf. nach Einstellung einer gewünschten Durchflußrate mittels Durchflußregulans, über das Poliertuch verteilt wird. Überschüssige bzw. ver­ brauchte Polierflüssigkeit wird unterhalb des Poliertisches in einer Auffangeinrichtung gesammelt und kann dann entsorgt oder nach einem Aufbereitungsschritt wieder eingesetzt wer­ den.

Wenn der gewünschte Abtrag erreicht ist, in der Regel also nach der durch die Abtragsrate vorgegebenen Zeitdauer des Poliervorganges, wird die Anfangsphase in die Endphase über­ geleitet, bei welcher anstelle des Materialabtrages bei der Politur die Erzeugung einer schleierfreien Oberfläche im Vordergrund steht.

Zu diesem Zweck wird ohne Unterbrechung des Poliervorganges der pH-Wert, der auf das Poliertuch aufgebrachten wäßrigen Lösung in den Bereich von 3 bis 8, vorzugsweise 3 bis 7 abgesenkt. Dies kann beispielsweise dadurch geschehen, daß durch Ansäuern des Poliermittels der Anfangsphase der pH- Wert in den gewünschten Bereich abgesenkt wird. Außerdem besteht z.B. auch die Möglichkeit, daß das Poliermittel der Anfangsphase durch eine den gewünschten pH-Wert aufweisende wäßrige Säure- oder Pufferlösung ersetzt wird, beispielsweise über ein Dreiwegehahnsystem.

Geeignete Säuren sind beispielsweise insbesondere Carbonsäu­ ren wie Citronensäure oder Weinsäure, welche wegen ihrer leichten Handhabbarkeit bevorzugt eingesetzt werden, während beispielsweise der prinzipiell möglichen Verwendung von Es­ sig- oder Ameisensäure schon durch die Geruchsbelästigung Grenzen gesetzt sind. Daneben ist der Einsatz von verdünnten wässrigen Mineralsäuren wie Salzsäure, Schwefelsäure oder Phosphorsäure grundsätzlich nicht ausgeschlossen. Bewährt haben sich auch Puffersysteme, die in dem pH-Bereich von 3 bis 7 wirksam sind, wie z.B. Essigsäure/Acetat-, Citronen­ säure/Citrat-, oder Phthalsäure/Phthalatpuffer.

Der in der Endphase des Poliervorganges eingesetzten Polier­ lösung werden noch Zusatzstoffe beigefügt, die die Bildung von schleierfreien Halbleiteroberflächen unterstützen. Sol­ che Stoffe sind insbesondere Alkohole, vorzugsweise mit min­ destens 2 Kohlenstoffatomen im Molekül. Dabei können ein­ wertige oder mehrwertige, aromatische, aliphatische oder heterocyclische Alkohole eingesetzt werden. Als günstig hat sich auch der Einsatz von Silanolen erwiesen. Beispiele für besonders gut geeignete Alkohole sind Ethanol, Isopropanol, n-Butanol, Tertiärbutanol, 1-Methoxy-propan-2-ol, Trimethyl­ silanol, Cyclohexanol, Glycerin oder Phenol. Eine andere Möglichkeit besteht darin, Verbindungen zuzufügen, aus denen sich in situ der gewünschte Zusatzstoff bildet, wie z.B. Hexamethyldisilazan, das dann hydrolytisch in Trimethylsila­ nol gespalten wird.

Grundsätzlich können auch andere polare organische Verbin­ dungen als Zusatzstoffe verwendet werden, sofern sie nicht zu stark alkalisch wirken und den pH-Wert der Polierlösung über die Obergrenze von 8 anheben. Beispielhaft seien hier Ether und Polyether wie etwa Diethylenglykoldiethylether oder -dimethylether, Dioxan, Hexamethyldisiloxan oder Dime­ thyldimethoxysilan, Ester wie Butylacetat, Amide wie Acet­ amid oder Dimethylacetamid und Ketone wie Acetylaceton ge­ nannt.

Derartige Zusatzstoffe, die im Molekül über hydrophile und hydrophobe Gruppen verfügen, werden in Konzentrationen von 0,01 bis 10 Vol.-%, bevorzugt 0,1 bis 5 Vol.-%, jeweils be­ zogen auf die Polierlösung, eingesetzt. Dabei können auch zwei- oder mehrkomponentige Mischungen wie z.B. n-Butanol/ Ethanol, n-Butanol/Glykol oder Trimethylsilanol/Ethanol, typisch in Mischungsverhältnissen von 1 : 5 bis 5 : 1, vorteil­ haft 1 : 2 bis 2 : 1 eingesetzt werden.

Zusätzlich zu diesen genannten Zusatzstoffen kommen auch oberflächenaktive Stoffe in Frage, sofern gewährleistet ist, daß der pH-Bereich von 3 bis 8 nicht verlassen wird. Geeignet sind beispielsweise Tenside auf Alkylphenolbasis, wie z.B. Nonylphenolpolyglykolether, oder auf Alkyl- oder Alkylarylsulfonatbasis, wie etwa Sulfosuccinate oder auch Polyacrylate. Der Konzentrationsbereich, in dem solche Stoffe der Polierlösung zugesetzt werden, beträgt zweckmäßig weniger als 0,1 Vol.-% jeweils bezogen auf die Polierlösung.

Als besonders günstig haben sich solche Zusatzstoffe erwie­ sen, die im sauren bis schwach alkalischen Bereich eine deutliche Verminderung des Polierabtrages bewirken, diese Eigenschaft aber im alkalischen Bereich weitgehend verlieren. Auf diese Weise können Störungen durch Desaktivierung des Poliervorganges in der Anfangsphase bei der nachfolgenden Charge Halbleiterscheiben vermieden oder gering gehalten werden.

Gemäß einer bevorzugten Ausführungsform des Verfahrens wer­ den der Polierlösung in der Endphase zusätzlich noch eine oder mehrere der eingangs genannten festen Polierkomponen­ ten, oder ein Poliergel, insbesondere ein Poliersol zuge­ setzt. Der Anteil am Poliermittel kann dabei bis zu 10 Vol%, vorteilhaft bis 5 Vol% betragen. Der Zusatz dieser Kompo­ nenten ist jedoch nicht zwingend vorgeschrieben; grundsätz­ lich lassen sich auch mit Polierlösungen ohne derartige Kom­ ponenten schleierfreie Oberflächen von Halbleiterscheiben erzielen. Falls ein solcher Zusatz erfolgt, wird zweckmäßig derjenige Zusatzstoff ausgewählt, der auch dem Poliermittel der Anfangsphase zugefügt wurde; dies ist jedoch nicht zwin­ gend vorgeschrieben.

Für die Endphase des Poliervorganges hat sich im allgemeinen eine Zeitdauer von 3 bis 20 Minuten als ausreichend erwie­ sen. Dabei kann das vorgesehene Poliermittel bereits fertig gemischt mit Zusatzstoffen und Komponenten in einem Reser­ voir vorgelegt werden, aus dem es dann über Zuleitungen mit­ tels Pumpen auf das Poliertuch aufgebracht werden kann. Gleichfalls möglich sind jedoch Verfahrensweisen, bei denen die jeweils vorgesehenen Bestandteile des Poliermittels in separaten Vorratsgefäßen vorgelegt werden und erst in den Zuleitungen oder einer vorgeschalteten Mischstation zu der Poliermischung vereinigt werden, die schließlich auf das Po­ liertuch gelangt.

Eine vorteilhafte Variante des erfindungsgemäßen Verfahrens besteht darin, daß zwischen die Anfangs- und Endphase des einstufigen Poliervorganges eine Zwischenphase eingeschaltet wird, in der ein Poliermittel auf das Poliertuch aufgebracht wird, dessen pH-Wert gegenüber dem Poliermittel der Anfangs­ phase geringfügig erniedrigt und auf einen Wert von 8 bis 11 eingestellt ist. Dies kann beispielsweise mittels eines Bo­ rat- oder Hydrogencarbonat-Puffers, oder oftmals sogar durch einfaches Verdünnen geschehen.

Zweckmäßig enthält das Poliermittel der Zwischenphase bis zu 10 Vol% des Poliersols, -gels oder der festen Polierkomponente, die auch dem Poliermittel der Anfangsphase zugefügt wurde. Grundsätzlich kann jedoch auch auf andere der eingangs beispielhaft genannten und geeigneten Zusatzstoffe zurückgegriffen werden.

Durch die zusätzliche Zwischenphase wird ein schonenderer Übergang von der alkalischen Anfangsphase in die saure Endphase des Poliervorganges erreicht, was letztlich der Oberflächenqualität der erhaltenen Halbleiterscheiben zugute kommt. Im allgemeinen ist für die Zwischenphase eine Zeitdauer von 2 bis 10 Minuten ausreichend. Anschließend kann analog dem Vorgehen bei direktem Übergang von der Anfangs- in die Endphase das Poliermittel der Endphase auf das Poliertuch aufgebracht werden, ohne daß der Poliervorgang unterbrochen zu werden braucht.

Nach Abschluß der Endphase können die erhaltenen, eine schleierfreie Oberfläche besitzenden Halbleiterscheiben ent­ nommen und ggf. nach einem Reinigungsschritt weiterverarbei­ tet werden. Anschließend kann der Poliertisch mit einer neu­ en Charge Halbleiterscheiben beschickt und die Anfangsphase des nächsten Poliervorganges eingeleitet werden.

Das erfindungsgemäße Verfahren kann sowohl bei der Einsei­ ten- als auch bei der Zweiseitenpolitur eingesetzt werden. Es eignet sich insbesondere für das Polieren von Silicium­ scheiben, wenngleich es grundsätzlich auch für andere Ele­ ment- oder Verbindungshalbleiter wie z.B. Germanium oder Galliumarsenid in Frage kommt.

Bei den erhaltenen Scheiben läßt sich bei der konventionel­ len Überprüfung mit bloßem Auge im kollimierten Licht das Auftreten von sog. Schleier (in der Fachsprache oft auch als "haze" bezeichnet) nicht nachweisen, d.h. die Oberfläche er­ scheint nicht als milchig-trübe, sondern einwandfrei glän­ zende Fläche. Auch mit empfindlicheren Meßmethoden, bei de­ nen die Oberfläche mit Laserstrahlen abgetastet und dabei das Streulicht gemessen wird (vgl. z.B. die deutsche Patentanmeldung mit dem Aktenzeichen P 36 37 477.6-52), läßt sich der für nicht schleierfrei polierte Halbleiteroberflächen typische Verlauf der Streulichkurven nicht feststellen. Da sich beim Schleierfrei-Polieren nach dem erfindungsgemäßen Verfahren die Konzentration der erforderlichen Zusatzstoffe gering halten läßt und durch die verschiedenen pH-Bereiche in der Anfangs- und der Endphase auch eine Aktivierung bzw. Desaktivierung dieser Zusatzstoffe möglich ist, kann somit auf Mehrstufenprozesse mit ihrem apparativ aufwendigen und zeitraubenden Gerätewechsel und den besonders riskanten Anfahrvorgängen verzichtet werden. Dies wirkt sich insbesondere bei der Zweiseitenpolitur günstig aus.

Nachstehend wird das Verfahren anhand von Ausführungsbei­ spielen näher erläutert:

Beispiel 1

In einer handelsüblichen 2-Seiten-Poliermaschine wurden jeweils 5 Siliciumscheiben (beidseitig geätzt, Durchmesser ca. 7,5 cm, Dicke ca. 550 µm, (100)-Orientierung) einzeln in entsprechenden Läuferscheiben vorgelegt.

Während des Poliervorganges wurden die Drehteller mit unterschiedlicher Drehrichtung gedreht, wobei am Gerät ein Druck von ca. 3 bar eingestellt war. Mit einer Durchflußrate von ca. 50 ml/min wurde aus einem Reservoir ein 10 Vol.-% Kieselsäuresol enthaltendes, mittels Kaliumhydroxid auf pH 12,5 eingestelltes Poliermittel über ein Düsensystem auf das Poliertuch aufgebracht; die Temperatur war auf ca. 30°C eingestellt. Der pH-Wert wurde wie auch bei den weiteren Beispielen - jeweils mittels einer geeichten pH-Elektrode gemessen.

Nach ca. 90 Minuten wurde der dem Düsensystem vorgeschaltete Dreiwegehahn umgestellt, und als Poliermittel nunmehr aus einem zweiten Reservoir eine durch Verdünnen auf pH 10 eingestellte, ca. 1 Vol.-% Kieselsäuresol enthaltende wäßrige Lösung mit derselben Durchflußrate auf das Poliertuch gepumpt. Ohne Unterbrechung des Poliervorganges wurde diese zweite Polierphase für ca. 10 Minuten beibehalten.

Danach wurde, wiederum unter Weiterführung des Poliervorganges, in der dritten Phase eine in einem weiteren Reservoir vorgelegte, 1 Vol.-% Kieselsäuresol und 2 Vol.-% Trimethlysilanol enthaltende, mittels Phosphorsäure auf pH 7 eingestellte Polierlösung (Temperatur ca. 25°C) über das Dreiwegehahn- und Düsensystem mit der gleichen Durchflußrate auf das Poliertuch gepumpt. Diese dritte Phase dauerte weitere 10 Minuten. Insgesamt betrug danach der erzielte Abtrag etwa 50 µm.

Nach Beendigung des Poliervorganges wurden die Scheiben entnommen und nach einem Reinigungsschritt auf ihre Oberflächenqualität überprüft. Bei Betrachtung im kollimierten Licht erschienen beide Scheibenoberflächen einwandfrei glänzend, das heißt, sie waren schleierfrei. Auch bei der Untersuchung nach der empfindlicheren Methode der Laserabtastung und Streulichtmessung konnte der für mit Schleier behaftete Scheiben typische Verlauf der Meßkurven nicht beobachtet werden.

In der Zwischenzeit wurde die Poliermaschine erneut mit 5 Scheiben derselben Spezifikation beladen. Diese wurden in der gleichen Art und Weise poliert und danach auf Schleierfreiheit untersucht. Auch diese Scheiben erwiesen sich als schleierfrei; der bei der Politur erzielte Abtrag lag wiederum bei etwa 50 µm.

In genau der gleichen Weise wurden insgesamt 20 Polierfahrten durchgeführt. Dabei ließ sich weder in Bezug auf Schleierfreiheit der Scheiben noch auf die ermittelte Abtragsrate eine Verschlechterung feststellen.

Vergleichsbeispiel

Nach der in Beispiel 1 beschriebenen Verfahrensweise wurden 5 Siliciumscheiben der gleichen Spezifikation unter Einhaltung derselben Verfahrensparameter poliert. In einem ersten Polierschritt (ca. 90 Minuten) wurde bei pH 10 mit einer 5 Vol.-% Kieselsäuresol enthaltenden Polierlösung gearbeitet, welcher dann in der zweiten Bearbeitungsstufe 0,5 Gew.-% Nonylphenolpolyglykolether zugesetzt wurde.

Bei der ersten Polierfahrt wurde ein Abtrag von ca. 30 µm erzielt. Die erhaltenen Scheiben erwiesen sich im kollimierten Licht als schleierfrei. Bei der Überprüfung mit der empfindlicheren Methode der Laserabtastung und Streulichtmessung ließen sich jedoch noch geringe Schleierspuren nachweisen.

Beim Polieren der nächsten Charge Siliciumscheiben konnte bereits beim ersten Polierschritt nach 90 Minuten nur ein Abtrag von ca. 6 µm festgestellt werden. Der Poliervorgang wurde daraufhin nicht mehr weitergeführt.

Beispiel 2

Der Poliervorgang wurde ohne Unterbrechung unter denselben Bedingungen wie in Beispiel 1 angegeben, durchgeführt. In der ebenfalls 10 Minuten dauernden Endphase wurde jedoch eine mit Hilfe von Phosphorsäure auf pH 4 eingestellte, ca. 1 Vol.-% Kieselsäuresol und ca. 5 Vol.-% Butanol enthaltende Polierlösung auf das Poliertuch aufgebracht.

Bei einer Abtragsrate von ca. 50 µm wurden Scheiben erhalten, auf deren Oberflächen sich weder im kollimierten Licht noch mit der Laser-Streulicht-Methode Schleier nachweisen ließ.

Auch mit dieser Poliermittelsequenz konnten bei nahezu gleichbleibender Abtragsrate bei 20 Polierfahrten einwandfrei schleierfreie Scheiben erhalten werden.

Beispiel 3

Gemäß der in Beispiel 1 beschriebenen Verfahrensweise wurden Siliciumscheiben beidseitig poliert, wobei jedoch auf die Zwischenphase verzichtet wurde. In der Anfangsphase (ca. 90 Minuten) kam dabei ein Poliermittel zum Einsatz, das 5 Vol.-% Kieselsäuresol enthielt und mit Kaliumhydroxid auf einen pH-Wert von 12,5 eingestellt war. In der Endphase des Poliervorganges (ca. 20 Minuten) wurde eine 2 Vol.-% 1-Methoxy-propan-2-ol enthaltende Polierlösung mit pH 7,3 auf das Poliertuch gepumpt.

Die erhaltenen Scheiben waren auf der Ober- und Unterseite völlig schleierfrei; der Polierabtrag betrug ca. 50 µm. Auch in diesem Fall ließen sich hintereinander 20 Polierfahrten ohne Verringerung der Oberflächenqualität der Scheiben und der Abtragsrate durchführen.

Beispiel 4

In einer 1-Seitenpoliermaschine für die Einzelpolitur von Halbleiterscheiben wurde eine Siliciumscheibe (Durchmesser ca. 7,5 cm (100)-Orientierung, ca. 550 µm Dicke) bei 300 U/min des Poliertellers poliert. In der Anfangsphase (ca. 30 Minuten) wurde dabei mit einer Durchflußrate von ca. 30 ml/min eine ca. 5 Vol.-% Kieselsäuresol enthaltende Polierlösung, deren pH-Wert mittels Kaliumhydroxid auf ca. 12,5 eingestellt war, auf das Poliertuch aufgebracht, wobei ein Druck von ca. 0,6 bar und eine Temperatur von etwa 40°C eingestellt war. Danach wurde der Druck auf ca. 0,1 bar und die Temperatur auf ca. 35°C abgesenkt. Als Poliermittel wurde nun zunächst 5 Minuten lang eine ca. 5 Vol.-% Kieselsäuresol enthaltende, durch Verdünnen auf einen pH- Wert von 10 eingestellte Lösung mit einer Durchflußrate von 90 ml/min zugeführt. Danach wurde, bei unveränderten Druck­ und Temperaturbedingungen, während weiterer 12 Minuten eine mittels Zitronensäure auf pH 7 eingestellte, 1 Vol.-% Kieselsäuresol und 4 Vol.-% n-Butanol enthaltende Lösung auf das Poliertuch gepumpt.

Die nach Beendigung des Polierens entnommene gereinigte und kontrollierte Scheibe erwies sich als völlig schleierfrei.

Insgesamt wurden nach dieser Verfahrensweise nacheinander 16 Polierfahrten durchgeführt, wobei stets schleierfreie Scheiben erhalten wurden. Die erzielten Abtragsraten lagen zwischen 50 und 60 µm.

Claims (10)

1. Verfahren zum schleierfreien Polieren von Halbleiter­ oberflächen in einem Einstufenprozeß, bei dem in der An­ fangsphase des Poliervorganges ein Poliersol, -gel oder feste Polierkomponenten enthaltendes, alkalisches Po­ liermittel auf das Poliertuch aufgebracht wird, dadurch gekennzeichnet, daß in der Endphase des Poliervorganges eine auf einen pH-Wert von 8 bis 3 eingestellte, 0,1 bis 10 Vol.-% einer oder mehrerer aus der Gruppe der Alkohole, Ketone, Ether, Ester oder Amide ausgewählter, hydrophile und hydrophobe Gruppen enthaltender polarer Verbindungen und/oder unter 0,1 Vol.-% eines oberflächenaktiven Stoffes enthaltende Polierlösung auf das Poliertuch aufgebracht wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Polierlösung zusätzlich bis zu 10 Vol% Poliersol, -gel, oder feste Polierkomponenten zugesetzt werden.

3. Verfahren nach den Ansprüchen 1 oder 2, dadurch gekenn­ zeichnet, daß als polare Verbindung eine siliciumorga­ nische Verbindung ausgewählt wird.

4. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß in der Anfangsphase ein auf einen pH-Wert von 11 bis 13 eingestelltes, bis zu 20 Vol-% eines Poliersols, -gels oder einer festen Polier­ komponente enthaltendes Poliermittel eingesetzt wird.

5. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen Anfangs- und Endphase eine Zwischenphase eingeschaltet wird, in der ein auf einen pH-Wert von 9 bis 11 eingestelltes, bis zu 10 Vol% eines Poliersols, -gels oder einer festen Po­ lierkomponente enthaltendes Poliermittel eingesetzt wird.

6. Verfahren nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Zwischenphase auf eine Zeitdauer von 2 bis 10 Minu­ ten ausgedehnt wird.

7. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Endphase auf eine Zeitdauer von 3 bis 20 Minuten ausgedehnt wird.

8. Verfahren nach einem oder mehreren der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Zeitdauer der An­ fangsphase auf 5 bis 100 Minuten ausgedehnt wird.

9. Verwendung von einem pH-Wert von 3 bis 8 aufweisenden, 0,1 bis 10 Vol.-% einer oder mehrerer aus der Gruppe der Alkohole, Ketone, Ester, Ether oder Amide ausgewählten, hydrophile und hydrophobe Gruppen enthaltenden polaren Verbindungen und/oder unter 0,1 Vol.-% eines Tensids enthaltenden Polierlösungen beim schleierfreien Polieren von Halbleiterscheiben in einem Einstufenprozeß.

10. Verwendung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Polierlösungen zusätzlich bis zu 10 Vol% eines Po­ liersols, -gels oder fester Polierkomponenten enthalten.