DE3822328C2 - - Google Patents
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- DE3822328C2 DE3822328C2 DE3822328A DE3822328A DE3822328C2 DE 3822328 C2 DE3822328 C2 DE 3822328C2 DE 3822328 A DE3822328 A DE 3822328A DE 3822328 A DE3822328 A DE 3822328A DE 3822328 C2 DE3822328 C2 DE 3822328C2
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Description
Die Erfindung bezieht sich auf einen Blochlinienspeicher
gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1
sowie auf ein Verfahren zum Versetzen von Blochlinien gemäß dem
Oberbegriff des Patentanspruchs 8.
Als externe Speicher für Computer, elektronische Dateispei
cher und Stehbilddateispeicher werden verschiedene Spei
chervorrichtungen wie Magnetbänder, Festplatten, Disketten,
optische Speicherplatten, optomagnetische Speicherplatten und
Magnetblasenspeicher eingesetzt. Bei diesen Speichervorrich
tungen ist es mit Ausnahme des Magnetblasenspeichers erforder
lich, zum Aufzeichnen und Wiedergeben von Informationen einen
Aufzeichnungs/Wiedergabekopf in bezug auf das Aufzeichnungs
material zu bewegen. Bei der Relativbewegung des Kopfes kann
mit diesem eine Folge von Informationen auf einer
Informationsspur aufgezeichnet oder diese aufgezeichnete
Folge von Informationen reproduziert werden.
Bei höherer Aufzeichnungsdichte
wird die Spurnachführung für das genaue
Nachführen des Kopfes an der Informationsspur allerdings kompliziert.
Wenn die Spurnachführung unzureichend ist, ist die
Qualität der aufgezeichneten oder reproduzierten Signale
beeinträchtigt. Ferner wird die Qualität der aufgezeichneten
oder reproduzierten Signale durch Vibrationen eines Kopf
stellmechanismus oder durch auf der Oberfläche des Aufzeich
nungsmaterials abgesetzte Staubteilchen verringert. In einer
Speichervorrichtung, in der Informationen unter Berührung des
Kopfes mit einem Magnetband oder einem anderen Aufzeichnungs
material aufgezeichnet und wiedergegeben werden, entsteht
infolge der Gleitberührung Abrieb. In einer Speichervorrich
tung zur berührungsfreien Aufzeichnung oder Wiedergabe wie an
einer optischen Speicherplatte ist eine hochgenaue Fokussier
steuerung erforderlich, so daß die Qualität des Aufzeich
nungs- oder Wiedergabesignals herabgesetzt ist, falls diese
Steuerung unzureichend ist.
In einem Magnetblasenspeicher können Informationen an einer
vorbestimmten Stelle aufgezeichnet werden, die aufgezeichne
ten Informationen versetzt werden und die versetzten Informa
tionen an einer vorbestimmten Stelle reproduziert werden. Bei
dem Aufzeichnen und Wiedergeben der Informationen ist infol
gedessen keine Relativbewegung eines Kopfes erforderlich, so
daß daher selbst bei erhöhter Aufzeichnungsdichte die
vorstehend genannten Probleme nicht auftreten und eine hohe
Zuverlässigkeit erreicht wird.
In dem Magnetblasenspeicher wird als einzelnes Informations
element bzw. Bit eine kreisförmige magnetische Domäne oder
Magnetblase benutzt, die durch Errichten eines Magnet
felds an einem magnetischen Dünnfilm erzeugt wird, dessen
Achse leichter Magnetisierbarkeit senkrecht zu der Filmebene
steht, wie beispielsweise bei einem magnetischen Granatfilm
oder dergleichen. Infolgedessen besitzt selbst bei kleinsten
Blasen (mit einem Durchmesser von 0,3 µm), die durch die
Eigenschaften des gegenwärtig verfügbaren Granatfilmmaterials
bestimmt sind, die Aufzeichnungsdichte bei einigen zehn
MBit/cm2 eine Grenze, während eine höhere Dichte schwierig zu
erreichen ist.
In der letzten Zeit hat ein Blochlinienspeicher Aufmerksam
keit gefunden, der eine höhere Aufzeichnungsdichte als die
begrenzte Aufzeichnungsdichte des Magnetblasenspeichers hat.
Gemäß der US-PS 45 83 200, gegenüber der die Patentansprüche
1 und 8 abgegrenzt sind, wird in dem Blochlinienspeicher als eine Informa
tionseinheit bzw. als ein Bit ein Paar von Neil-Domänenwand
strukturen (Blochlinien) zwischen Bloch-Domänenwandstrukturen
um eine magnetische Domäne herum eingesetzt, die in einem
magnetischen Dünnfilm erzeugt ist. Daher kann eine nahezu
zehnmal höhere Aufzeichnungsdichte als bei einem Magnetblasen
speicher erreicht werden. Beispielsweise wird bei Verwen
dung eines Granatfilms mit einem Blasendurchmesser von 0,5 µm
eine Aufzeichnungsdichte von 1,6 GBit/cm2 erreicht.
Fig. 1 zeigt eine perspektivische Ansicht eines Blochlinien
speichers mit einem Aufbau aus magnetischem Material. In
Fig. 1 ist mit 2 ein Substrat aus einem nichtmagnetischen
Granat wie GGG oder NdGG bezeichnet, auf das ein Dünnfilm 4
aus magnetischem Granat aufgebracht ist. Der Dünnfilm 4 kann
durch Flüssigphasenepitaxie (LPE) aufgebracht werden, wobei
die Dicke des Dünnfilms 5 µm betragen kann. Mit 6 ist eine
streifenförmige magnetische Domäne bezeichnet, die in dem
magnetischen Granat-Dünnfilm 4 ausgebildet ist. Eine Domänen
wand 8 bildet die Grenze der magnetischen Domäne 6 gegen den
übrigen Bereich des Films. Die streifenförmige magnetische
Domäne 6 kann eine Breite von 5 µm und eine Länge von 100 µm
haben. Die Dicke der Domänenwand 8 kann 0,5 µm betragen.
Gemäß der Darstellung durch Pfeile ist die Magnetisierung in
der magnetischen Domäne 6 nach oben gerichtet, während sie
außerhalb der magnetischen Domäne 6 nach unten gerichtet ist.
Die Richtung der Magnetisierung in der Domänenwand 8 ist von
der der magnetischen Domäne 6 zugewandten Innenfläche weg zu
der Außenfläche hin gedreht. Die Richtung der Drehung ist in
bezug auf eine senkrechte Blochlinie 10 in der Domänenwand 8
umgekehrt. In Fig. 1 ist die Magnetisierungsrichtung in der
Dickenmitte der Domänenwand 8 durch Pfeile und die Magneti
sierungsrichtung in der Blochlinie 10 auf gleichartige Weise
dargestellt.
An der Struktur aus dem magnetischen Material wird ein nach
unten gerichtetes externes Vormagnetisierungsfeld HB errich
tet.
Gemäß der Darstellung bestehen in den Blochlinien 10 zwei
verschiedene Magnetisierungsrichtungen, wobei das Vorliegen
bzw. Fehlen eines derartigen Blochlinienpaares jeweils der
Information "1" bzw. "0" entspricht. Das Blochlinienpaar
liegt jeweils in einer von Potentialmulden, die periodisch in
der Domänenwand 8 gebildet werden. Durch das Errichten eines
zur Substratebene senkrechten Impulsmagnetfelds wird das
Blochlinienpaar aufeinanderfolgend zu der benachbarten Poten
tialmulde versetzt. Auf diese Weise kann das Aufzeichnen der
Information in dem Blochlinienspeicher, nämlich das Ein
schreiben eines Blochlinienpaars in die Domänenwand 8, und
das Reproduzieren der in dem Blochlinienspeicher aufgezeich
neten Information, nämlich das Auslesen des Blochlinienpaars
aus der Domänenwand 8 an vorbestimmten Stellen vorgenommen
werden, während die Blochlinienpaare in der Domänenwand 8
versetzt werden. Das Aufzeichnen und Reproduzieren der Infor
mation erfolgt durch Errichten eines Impulsmagnetfelds in
einer vorbestimmten Stärke senkrecht zu der Substratebene an
einem Rand der streifenförmigen magnetischen Domäne 6. Obwohl
dies in Fig. 1 nicht dargestellt ist, ist als Magnetisierein
richtung für das Errichten des Impulsmagnetfelds zum Auf
zeichnen und Wiedergeben der Informationen ein Leitermuster
für das Anlegen der Impulse auf der Oberfläche des magneti
schen Dünnfilms 4 in einer vorbestimmten Lage in bezug auf
die streifenförmige magnetische Domäne 6 ausgebildet.
In dem vorstehend beschriebenen Blochlinienspeicher werden
die Potentialmulden für die Blochlinienpaare dadurch gebil
det, daß ein periodisches und gleichmäßiges Muster auf die
Oberfläche des magnetischen Dünnfilms derart aufgebracht
wird, daß das Muster die Domänenwand kreuzt.
Fig. 2 ist eine Teildraufsicht eines Blochlinienspeichers und
zeigt ein Leitermuster. Nach Fig. 2 ist auf der Oberfläche
des magnetischen Dünnfilms 4 eine Anzahl von zueinander pa
rallelen, sich quer zu der streifenförmigen magnetischen
Domäne 6 erstreckenden Leitern 9 des Musters angeordnet. Die
Leiter bestehen jeweils aus einer leitenden Schicht aus Cr,
Al, Au oder Ti mit einer Breite von 0,5 µm und einem Tei
lungsabstand von 1 µm. Wegen der auf das Bilden der leitenden
Schicht des Musters zurückzuführenden magnetischen Verzerrung
können die Potentialmulden in der Domänenwand 8 mit der
periodischen und gleichmäßigen Anordnung geformt werden. Die
Leitermuster bzw. Leiter 9 können eine Schicht aus magneti
schem Material sein oder es können in die Nähe der Oberfläche
des magnetischen Dünnfilms 4 H-Ionen, He-Ionen oder Ne-Ionen
implantiert werden. Die mittels dieser Leitermuster gebilde
ten Potentialmulden sind in bezug auf die Richtung des Ver
setzens der Blochlinien symmetrisch.
Die Blochlinien werden dadurch versetzt, daß das Impulsmagnetfeld senkrecht zur
Filmebene des magnetischen Dünnfilms 4
errichtet und die Blochlinie durch Nutzung einer Präzes
sionsbewegung der durch das Impulsmagnetfeld hervorgerufenen
Magnetisierung zu der benachbarten Potentialmulde versetzt
wird. Wenn als Impulsmagnetfeld für das Bilden der Potential
mulden ein einfaches Rechteckimpuls-Magnetfeld verwendet
wird, kann die Blochlinie nicht stabil bzw. stetig
in einer bestimmten Richtung bewegt werden. Es wird
daher gemäß Fig. 3 als Impulsmagnetfeld Hp für das Versetzen
der Blochlinien ein Impulsmagnetfeld mit einer Abfallzeit
errichtet, die ausreichend länger als die Anstiegszeit ist,
damit die nicht umkehrbare Versetzung in der bestimmten Richtung
gewährleistet ist. Infolgedessen ist die elektrische Schal
tung für das Erzeugen des Impulsmagnetfelds komplizierter als
eine solche zum Erzeugen des Rechtimpuls-Magnetfelds, wobei
es wegen der langen Abfallzeit schwierig ist, die Verset
zungsgeschwindigkeit zu steigern. Ferner ist der Leistungs
verbrauch erhöht.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Blochlinien
speicher und ein Verfahren für das Versetzen von Blochlinien
derart auszugestalten, daß die Blochlinienversetzung in ein
facher und rascher Weise erfolgen kann.
Diese Aufgabe wird mit den im Patentanspruch 1 ange
gegebenen Merkmalen bzw. mit den Maßnahmen des
Patentanspruchs 8 gelöst.
Durch das Hervorrufen der Zug/Druckverteilung und das Errichten des
Magnetfelds wird die Blochlinie von der vorbestimmten Stelle
weg zu einer anderen Stelle versetzt.
Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unter
ansprüchen aufgeführt.
Die Erfindung wird nachstehend anhand von Ausführungsbeispie
len ausführlich erläutert. In den Zeichnungen zeigt
Fig. 1 eine schematische perspektivische An
sicht der magnetischen Struktur eines Blochlinienspeichers,
Fig. 2 eine Teildraufsicht auf einen Bloch
linienspeicher nach dem Stand der Technik mit einem Leiter
muster für das Ausbilden von Potentialmulden,
Fig. 3 die Kurvenform eines Impulsmagnetfelds
für das Versetzen der Blochlinien bei dem System nach dem
Stand der Technik,
Fig. 4 eine Teildraufsicht auf einen Bloch
linienspeicher gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel, bei dem
das Verfahren für das Versetzen angewandt wird,
Fig. 5 eine perspektivische Ansicht eines
Schnitts entlang einer Linie II-II in Fig. 4 durch den in
Fig. 4 gezeigten Blochlinienspeicher,
Fig. 6A und 6B x-Achsen- und y-Achsen-Bela
stungen in einem magnetischen Dünnfilm,
Fig. 7 die magnetische Anisotropie in dem
magnetischen Dünnfilm,
Fig. 8 die Zeitsteuerung bei dem
erfindungsgemäßen Versetzen der Blochlinien,
Fig. 9 und 10 perspektivische Schnitteilan
sichten von Blochlinienspeichern gemäß weiteren Ausführungs
beispielen, bei denen das Versetzungsverfahren angewandt
wird, und
Fig. 11 eine Blockdarstellung einer Magnetspei
chervorrichtung, in der Blochlinien durch Anwendung des Ver
setzungsverfahrens versetzt werden.
Fig. 4 ist eine Teildraufsicht des Blochlinienspeichers
gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel, bei dem das Verfahren
zum Versetzen von Blochlinien angewandt wird, während
Fig. 5 eine perspektivische Ansicht eines Schnitts entlang
einer Linie II-II in Fig. 4 ist. In diesen Figuren ist mit 2
ein nichtmagnetisches Granat-Substrat und mit 4 ein magneti
scher Granat-Dünnfilm bezeichnet. In dem magnetischen Granat-
Dünnfilm ist eine magnetische Domäne 6 in Form eines flachen
Streifens ausgebildet. Mit 8 ist eine Domänenwand bezeichnet,
die die streifenförmige magnetische Domäne 6 umgibt. Mit HB
ist ein nach unten gerichtetes Vormagnetisierungsfeld für das
Ausbilden der streifenförmigen magnetischen Domäne 6 bezeich
net. Diese Komponenten sind den im Zusammenhang mit Fig. 1
erläuterten gleichartig.
Auf die Oberfläche des magnetischen Dünnfilms 4 ist eine
Abstands- bzw. Zwischenschicht 11 aufgebracht, über der zum
Ausüben einer Belastung ein Linienmuster 15 aus Linien ange
ordnet ist, die sich entlang einer y-Achse quer zu der strei
fenförmigen magnetischen Domäne 6 und der Domänenwand 8 pa
rallel zueinander mit einem Teilungsabstand l in der Längs
richtung der streifenförmigen magnetischen Domäne 6 bzw. x-
Achsenrichtung erstrecken. In Fig. 4 ist die Zwischen
schicht 11 nicht dargestellt. Gemäß Fig. 5 hat das Bela
stungs-Linienmuster 15 eine auf der Zwischenschicht 11 ausge
bildete erste Elektrodenschicht 12, eine auf der Elektroden
schicht 12 ausgebildete piezoelektrische Schicht 13 und eine
auf der piezoelektrischen Schicht 13 ausgebildete zweite
Elektrodenschicht 14. An die Elektrodenschichten 12 und 14
ist eine (nicht gezeigte) Spannungsquelle angeschlossen, mit
der zwischen die Elektrodenschichten 12 und 14 eine Impuls
spannung angelegt wird, um zum Erzeugen einer Belastung das
Linienmuster 15 über eine vorbestimmte Zeit in Richtung der
x-Achse zusammenzuziehen bzw. zu verengen.
Die Zwischenschicht 11 kann aus SiO2 oder Polyimidharz und in
einer Dicke von ungefähr 0,5 µm hergestellt sein. Die Zwi
schenschicht hat die Funktion, eine durch das Belastungs-
Linienmuster 15 in dem magnetischen Dünnfilm 4 hervorgerufene
Zug/Druckbelastung einzustellen.
Die piezoelektrische Schicht 13 kann aus AlNx oder BaTiO3 und
in einer Dicke von ungefähr 0,5 µm hergestellt sein. Die
Elektrodenschichten 12 und 14 können aus Al, Au, Cr oder W
und in einer Dicke von ungefähr 0,5 µm hergestellt sein. Die
Breite der Linien des Belastungs-Linienmusters 15 kann unge
fähr 0,5 µm betragen, während ihr Teilungsabstand l ungefähr
1 µm betragen kann.
Das Belastungs-Linienmuster 15 kann nach einem bekannten
Dünnfilm-Ablagerungsverfahren oder einem bekannten fotolitho
grafischen Verfahren gebildet werden. Bei dem beschriebenen
Ausführungsbeispiel werden bei dem Ausbilden der piezoelek
trischen Schicht 13 des Belastungs-Linienmusters 15 die Mate
rialien und Dicken der piezoelektrischen Schicht und der
Elektrodenschichten sowie die Form des Musters derart ge
wählt, daß in dem magnetischen Dünnfilm 4 unterhalb der
Linien des Linienmusters 15 eine Zugbelastung entsteht, näm
lich an denjenigen Teilbereichen der magnetischen Domäne 6
und der Domänenwand 8, die von dem Linienmuster 15 überkreuzt
werden. Auf diese Weise wird gemäß der Darstellung in Fig. 5
in dem magnetischen Dünnfilm 4 unterhalb des Belastungs-
Linienmusters 15 zwischen Punkten X 1 und X 2 eine Zugbelastung
hervorgerufen, während unterhalb der einander gegenüberlie
genden, an das Linienmuster 15 in der x-Richtung angrenzenden
Bereiche eine Druckbelastung hervorgerufen wird. Diese Bela
stungen stellen eine Anfangs- bzw. Grund- oder Vorbelastung
dar, welche auch dann vorhanden ist, wenn zwischen die Elektroden
12 und 14 des Belastungs-Linienmusters 15 keine Spannung
angelegt wird.
Bei diesem Ausführungsbeispiel ist die Richtung, die zu
der Projektion des magnetischen Dünnfilms 4 auf eine Ebene
(111) in einer Richtung (011) parallel ist, sowie die Rich
tung der Linien des Belastungs-Linienmusters die y-Richtung.
Die Längsrichtung der streifenförmigen magnetischen Domäne 6
ist die x-Richtung.
Die Fig. 6A und 6B zeigen die Verteilungen einer x-Achsen-
Belastung σx bzw. einer y-Achsen-Belastung σy in dem magneti
schen Dünnfilm 4 in einer x-z-Schnittebene nach Fig. 5. In
diesen grafischen Darstellungen sind Zugbelastungen positiv
und Druckbelastungen negativ aufgetragen. In den Figuren ist
die durch das Ausbilden des Belastungs-Linienmusters 15 in
dem magnetischen Dünnfilm 4 hervorgerufene Vorbelastung durch
ausgezogene Linien dargestellt. Die Vorbelastung in Richtung
der x-Achse wechselt an den Randpunkten X 1 und X 2 der Linien
des Linienmusters 15 steil von der Zugbelastung auf die
Druckbelastung. Andererseits ändert sich die Vorbelastung in
Richtung der y-Achse von der Zugbelastung an den Randpunkten
des Linienmusters 15 allmählich auf "0".
Eine Anisotropiekonstante K einer magnetischen x-Achsen-
Ansiotropie, die durch die x-Achsen-Belastung σx in dem magnetischen
Dünnfilm 4 durch einen magnetostriktiven Umkehreffekt
hervorgerufen wird, und eine Anisotropiekonstante K
einer magnetischen y-Achsen-Anisotropie, die durch die y-
Achsen-Belastung y in dem magnetischen Dünnfilm 4 durch den
magnetostriktiven Umkehreffekt hervorgerufen wird, sind jeweils
K = -(3/2) λ₁₁₁σx
bzw.
K = -(3/2) λ₁₁₁σy
wobei λ₁₁₁ eine Magnetostriktionskonstante des magnetischen
Dünnfilms 4 in einer Richtung (111) ist. Bei diesem Ausführungsbeispiel
ist λ₁₁₁ negativ.
Fig. 7 ist eine grafische Darstellung einer Flächen-
Anisotropiekonstante K = (K-K). In Fig. 7 ist die
Konstante K für die Vorbelastung durch eine ausgezogene Linie
dargestellt.
Da bei diesem Ausführungsbeispiel die Längsrichtung der
streifenförmigen magnetischen Domäne 6 die Richtung der x-
Achse ist, sind die Blochlinien in der Domänenwand 8 in
Richtung der y-Achse ausgerichtet. Infolgedessen ist die
Domänenwandenergie in dem Bereich der Blochlinie um so gerin
ger, je größer der positive K-Wert ist. Daher kann die Bloch
linie stabil bzw. fest stehen bleiben. Falls nur die Vorbela
stung hervorgerufen wird, sind somit die Punkte X 1 und X 2
Festpunkte für die Blochlinien, nämlich Potentialmulden.
Wenn das Belastungs-Linienmuster 15 angesteuert wird und an
die piezoelektrische Schicht 13 eine Spannung Ep angelegt
wird, zieht sich die piezoelektrische Schicht zusammen, so
daß sich die Zug/Druckverteilung in dem magnetischen Dünnfilm
4 ändert. Infolgedessen wird in dem magnetischen Dünnfilm 4
eine Gegenbelastung hervorgerufen, die die Vorbelastung auf
hebt. In den Fig. 6A und 6B sind durch gestrichelte Linien
die x-Achsen-Belastung σx und die y-Achsen-Belastung σy dar
gestellt, die in diesem Fall entstehen. In Fig. 7 ist
durch die gestrichelte Linie die in diesem entstehende Flä
chen-Anisotropiekonstante K dargestellt. Aus Fig. 7 ist
ersichtlich, daß durch die Umkehrung der Belastungsverteilung
die Punkte X 1 und X 2, die bei der Vorbelastung die stabilen
bzw. Festpunkte für die Blochlinien waren, nunmehr unstabile
Punkte bzw. Stellen für die Blochlinien sind, da die Aniso
tropiekonstante K negativ wird.
Fig. 8 veranschaulicht die Zeitsteuerung der Belastungs
einrichtung für das Hervorrufen der Belastung sowie der Mag
netisiereinrichtung für das Erzeugen des Impulsmagnetfelds
bei der Blochlinienversetzung bei dem Ausführungsbeispiel.
Gemäß der Darstellung ist die Ansteuerungsspannung Ep für das
Belastungs-Linienmuster 15 ein Impuls, der zu einem Zeitpunkt
t 1 ansteigt und zu einem Zeitpunkt t 3 abfällt, während das
mittels der Magnetisiereinrichtung in Richtung der z-Achse,
nämlich senkrecht zur Filmebene des magnetischen Dünnfilms 4
errichtete Impulsmagnetfeld Hp einen Impuls darstellt, der zu
einem Zeitpunkt t 2 ansteigt, welcher nach dem Zeitpunkt t 1
und vor dem Zeitpunkt t 3 liegt, und zu einem Zeitpunkt t 4
abfällt, der nach dem Zeitpunkt t 3 liegt. Daher werden zwi
schen den Zeitpunkten t 1 und t 3 die Blochlinien an den Stel
len bzw. Punkten X 1 und X 2 unstabil, wonach nach dem Zeit
punkt t 3 die Punkte X 1 und X 2 wieder zu Festpunkten bzw.
stabilen Punkten für die Blochlinien werden. Zwischen den
Zeitpunkten t 2 und t 4 wird das Impulsmagnetfeld errichtet, um
damit die Blochlinien durch einen Gyroeffekt in einer be
stimmten Richtung entlang der Domänenwand 8 zu bewegen. Die
Stärke des Impulsmagnetfelds Hp und die Länge der Zeitspanne
t2 bis t3 werden derart gewählt, daß die Versetzung der
Blochlinien größer als der Teilungsabstand l des Linienmu
sters 15 und kleiner als 2 l ist. Infolgedessen wird die
Blochlinie bei dem Abfall des Impulsmagnetfelds Hp entgegen
gesetzt zur Bewegung bewegt und an dem stabilen Festpunkt
(Potentialmulde) eingefangen, der um einen Punkt vor dem ur
sprünglichen Punkt liegt. Durch Wiederholen dieses Vorgangs
wird die Blochlinie um eine gewünschte Strecke in der be
stimmten Richtung versetzt.
Da bei diesem Ausführungsbeispiel die Bewegung der Blochlinie
zu Beginn des Errichtens des Impulsmagnetfelds Hp nicht durch
die Potentialmulde für das Stabilisieren der Lage der Bloch
linie behindert ist, wird eine stabile bzw. gleichmäßige
Blochlinienversetzung mit hoher Geschwindigkeit und hohem
Wirkungsgrad selbst dann erreicht, wenn die Feldstärke des
Impulsmagnetfelds gering ist.
Bei dem Ausführungsbeispiel kann das Impulsmagnetfeld Hp im
wesentlichen die Form eines Rechteckimpulses haben. Dadurch
ist die Versetzungsgeschwindigkeit verbessert bzw. erhöht,
während eine Steuerschaltung für das Erzeugen des Impulses
vereinfacht ist und der Leistungsverbrauch verringert ist.
Fig. 9 ist eine perspektivische Teilschnittansicht des
Blochlinienspeichers gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel,
bei dem das Versetzungsverfahrens angewandt wird. In Fig. 9
sind gleiche Elemente wie die in den Fig. 4 und 5 gezeigten
mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet.
Dieses zweite Ausführungsbeispiel unterscheidet sich von dem
ersten Ausführungsbeispiel darin, daß eine Elektrodenschicht
12′ der Belastungseinrichtung aus einem Material hergestellt
ist, welches an dem magnetischen Dünnfilm 4 eine wirkungsvol
le Vorbelastung hervorruft. Das Material für die Elektroden
schicht 12′ bei diesem Ausführungsbeispiel kann Cr, W, Ti, Pt
oder Mo sein. Da bei diesem zweiten Ausführungsbeispiel die
Vorbelastung an einer Stelle hervorgerufen wird, die näher an
dem magnetischen Dünnfilm 4 liegt, ist der Wirkungsgrad bei
der Vorbelastung hoch, so daß leicht eine Potentialmulde
erzielt werden kann, die ausreichend tief für das Einfangen
der Blochlinie ist.
Fig. 10 ist eine perspektivische Teilschnittansicht des
Blochlinienspeichers gemäß einem dritten Ausführungsbeispiel,
bei dem das Versetzungsverfahren angewandt wird. In Fig. 10
sind gleiche Elemente wie die in den Fig. 4 und 5 gezeig
ten mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet.
Dieses dritte Ausführungsbeispiel unterscheidet sich von dem
ersten Ausführungsbeispiel darin, daß zwischen dem Bela
stungs-Linienmuster 15 und der Zwischenschicht 11 eine Vorbe
lastungsschicht 16 für das Aufbringen einer hohen Vorbela
stung auf den magnetischen Dünnfilm 4 gebildet ist. Das
Material der Vorbelastungsschicht 16 bei diesem Ausführungs
beispiel kann SiO2 oder C sein. Da bei diesem dritten Ausfüh
rungsbeispiel eine hohe Vorbelastung an einer Stelle nahe dem
magnetischen Dünnfilm 4 erzeugt wird, ist der Wirkungsgrad
bei der Vorbelastung hoch. Bei diesem Ausführungsbeispiel
wird an den dem Belastungs-Linienmuster 15 entsprechenden
Stellen des magnetischen Dünnfilms als Vorbelastung eine
Zugbelastung hervorgerufen. Alternativ kann eine Druckbela
stung hervorgerufen werden. In diesem Fall wird von dem
Belastungs-Linienmuster 15 bei dessen Ansteuerung eine Zugbe
lastung hervorgerufen.
Bei diesem Ausführungsbeispiel ist die Vorbelastung wirksam,
wenn die Belastungseinrichtung nicht eingeschaltet ist; daher
kann die für die Ansteuerung der Belastungseinrichtung erfor
derliche Energie gering sein. Bei den Ausführungsbeispielen
kann die Vorbelastung auch mittels der Belastungseinrichtung
hervorgerufen werden. Dies kann dadurch erreicht werden, daß
die Polarität der an die piezoelektrische Schicht angelegten
Spannung umgekehrt wird.
Durch das Hervorrufen der Zug/Druckbelastung in dem magneti
schen Dünnfilm mittels der Belastungseinrichtung und das
Errichten des Impulsmagnetfelds an dem magnetischen Dünnfilm
mittels der Magnetisiereinrichtung in Verbindung mit der
Belastung wird eine gleichmäßige Blochlinienversetzung mit
hoher Geschwindigkeit und hohem Wirkungsgrad auch dann er
reicht, wenn die Feldstärke des Impulsmagnetfelds gering ist.
Bei dem vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispiel kann das
Impulsmagnetfeld im wesentlichen die Form eines Rechteckim
pulses haben. Auf diese Weise wird die Versetzungsgeschwin
digkeit erhöht und die Ansteuerungsschaltung für die Impuls
erzeugung vereinfacht, während der Leistungsverbrauch verrin
gert wird.
Fig. 11 zeigt eine Blockdarstellung einer Magnetspeicher
vorrichtung, in der Blochlinien als Informationsträger unter
Anwendung des Versetzungsverfahrens versetzt werden, um In
formationen einzuschreiben und auszulesen.
In Fig. 11 ist mit 101 ein Blochlinienspeicher-Substrat
bezeichnet, auf dem eine Vielzahl von streifenförmigen magne
tischen Domänen 6 in einem vorbestimmten Teilungsabstand
senkrecht zur Längsrichtung der streifenförmigen magnetischen
Domänen 6 angeordnet ist. Auf den streifenförmigen magneti
schen Domänen 6 sind Linien eines Belastungs-Linienmusters 15
in einem vorbestimmten Teilungsabstand in Längsrichtung der
streifenförmigen magnetischen Domänen 6 angeordnet. Mittels
des Linienmusters 15 werden in dem vorbestimmten Teilungsab
stand längs der Domänenwände der streifenförmigen magneti
schen Domänen 6 Potentialmulden gebildet, längs denen Bloch
linien aufgeteilt werden. Die Aufzeichnungsinformationen
werden als zeitlich serielles Signal gespeichert, welches
durch die Verteilung der Blochlinien bestimmt ist.
Mit 102 ist ein Magnetblasengenerator bezeichnet, der zeit
lich seriell entsprechend eingegebenen Informationen Magnet
blasen erzeugt. Die zeitlich aufeinanderfolgend erzeugten
Magnetblasen werden nacheinander mittels einer Schreibtrei
berstufe 105 zu den Vorderrandstellen der entsprechenden
streifenförmigen magnetischen Domänen 6 befördert. Diese
Magnetblasen werden zum Einschreiben der Blochlinien benutzt.
Mit 106 ist eine Lesetreiberstufe bezeichnet, die die Blocklinien für die
Wiedergabe der Informationen in Magnetblasen
umsetzt und diese zu einem Magnetblasendetektor 107 beför
dert. Der Magnetblasendetektor 107 erfaßt aufeinanderfolgend
die aus der Lesetreiberstufe 106 zugeführten Magnetblasen
unter Nutzung eines Magnetwiderstand-Effekts, um das die
Aufzeichnungsinformation darstellende zeitlich serielle elek
trische Signal zu erzeugen.
Mit 103 ist eine Schreibstromquelle bezeichnet, die bei dem
Einschreiben der Blochlinien an dem Vorderrand einer jeden
der streifenförmigen magnetischen Domänen 6 Schreibstromlei
tern 111 Strom zuführt, während mit 104 eine Lesestromquelle
bezeichnet ist, die bei dem Auslesen der Blochlinien an dem
Hinterrand einer jeden streifenförmigen magnetischen Domäne 6
Lesestromleitern 114 Strom zuführt.
Mit 110 ist ein Magnetfeldgenerator bzw. eine Magnetisierein
richtung zum Erzeugen eines zur Filmebene des magnetischen
Dünnfilms senkrechten Impulsmagnetfelds bezeichnet. Mit 115
ist ein Belastungsgenerator bezeichnet, der über Signallei
tungen an die Elektroden des Belastungs-Linienmusters 15
angeschlossen ist. Durch Anlegen der Spannung an diese Elek
troden wird in dem magnetischen Dünnfilm auf dem Substrat
eine erwünschte Zug/Druckverteilung hervorgerufen. Bei diesem
Ausführungsbeispiel wird an die Elektroden eine Impulsspan
nung angelegt, um die anfänglich entsprechend dem Linienmu
ster 15 in dem magnetischen Dünnfilm gebildete Zug/Druckver
teilung umzukehren.
Mit 109 ist eine Steuerschaltung bezeichnet, die die Treiber
stufen 105 und 106, die Generatoren 102, 110 und 115, den
Detektor 107 und die Stromquellen 103 und 104 entsprechend
einem Eingangssignal IN steuert.
In der Magnetspeichervorrichtung nach Fig. 11 erfolgt
die Bildung der Blochlinien in den Domänenwänden an
den Vorderrändern der streifenförmigen magnetischen Domänen 6
und die Umsetzung der Blochlinien an den hinteren
Rändern der streifenförmigen magnetischen Domänen 6 zu der
Magnetblase gemäß den ausführlich in der US-PS 45 83 200
beschriebenen Verfahren. Infolgedessen erübrigt sich die Beschrei
bung der Verfahren.
Die Steuerschaltung 109 hat eine Zeitsteuereinheit, die die
Zeit der Eingabe von Steuersignalen in den Magnetfeldgenera
tor bzw. die Magnetisiereinrichtung 110 und den Belastungsge
nerator 115 steuert. Bei diesem Ausführungsbeispiel werden
die Magnetisiereinrichtung 110 und der Belastungsgenerator
115 derart gesteuert, daß die impulsförmigen Belastungen und
die impulsförmigen Magnetfelder zu den Zeitpunkten erzeugt
werden, die im Zusammenhang mit den vorangehend beschriebenen
Ausführungsbeispielen beschrieben sind. Durch die impulsför
migen Belastungen und die impulsförmigen Magnetfelder werden
die in den durch die anfängliche Zug/Druckverteilung mit dem
Belastungs-Linienmuster 15 gebildeten Potentialmulden festge
legten Blochlinien aufeinanderfolgend zu den benachbarten
Potentialmulden versetzt.
Die Potentialmulden werden längs der Domänenwände der strei
fenförmigen magnetischen Domänen 6 außer an den einander
entgegengesetzten Enden derselben in einem konstanten Tei
lungsabstand gebildet. Längs der Domänenwände werden die
Blochlinien um die streifenförmigen magnetischen Domänen 6
herum bewegt.
Die Versetzung der Blochlinien mittels der Magnetisierein
richtung 110 und des Belastungsgenerators 115, das Einschrei
ben der Blochlinien über die Schreibstromleiter 111 und das
Auslesen der Blochlinien über die Lesestromleiter 114 erfolgt
unter Synchronisierung durch die Steuerschaltung 109. Durch
das Versetzen der Blochlinien nach dem vorstehend beschriebe
nen Verfahren können diese mit hoher Geschwindigkeit bewegt
werden, wodurch die Geschwindigkeit zur Aufzeichnung oder
Wiedergabe von Informationen beträchtlich verbessert wird.
Claims (11)
1. Blochlinienspeicher zur Informationsaufzeichnung
unter Nutzung von Blochlinien in einer Domänenwand, die
um eine magnetische Domäne in einem magnetischen
Dünnfilm herum gebildet ist, mit einer Magnetisierein
richtung zum Errichten eines zur Filmebene des magneti
schen Dünnfilms senkrechten Impulsmagnetfelds, dadurch
gekennzeichnet, daß eine Belastungseinrichtung (15, 115)
zum Hervorrufen einer vorbestimmten Zug/Druckverteilung
in dem magnetischen Dünnfilm (4) entlang der Domänenwand
(8) vorgesehen ist, wobei die Belastungseinrichtung die
vorbestimmte Zug/Druckverteilung ändert, und daß die Be
lastungseinrichtung und die Magnetisiereinrichtung (110)
zur Versetzung der Blochlinien (10) zusammenwirken.
2. Blochlinienspeicher nach Anspruch 1, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Belastungseinrichtung (15, 115) ein
piezoelektrisches Element (13) und ein Paar von Elektro
den (12, 14) für das Anlegen einer Spannung (Ep) an das
piezoelektrische Element aufweist.
3. Blochlinienspeicher nach Anspruch 2, dadurch gekenn
zeichnet, daß eine der Elektroden (12′) zwischen dem
piezoelektrischen Element (13) und dem magnetischen
Dünnfilm (4) angeordnet ist und in dem magnetischen
Dünnfilm auch ohne Aktivierung der Belastungseinrichtung
(15) eine Grundbelastung hervorruft.
4. Blochlinienspeicher nach Anspruch 1 oder 2, dadurch
gekennzeichnet, daß zwischen der Belastungseinrichtung
(15) und dem magnetischen Dünnfilm (4) eine Vorbe
lastungsschicht (16) angebracht ist, die auch ohne Akti
vierung der Belastungseinrichtung in dem magnetischen
Dünnfilm eine Grundbelastung herbeiführt.
5. Blochlinienspeicher nach einem der Ansprüche 1 bis 4,
dadurch gekennzeichnet, daß die Magnetisiereinrichtung
(110) an dem magnetischen Dünnfilm (4) ein Impulsmagnet
feld (Hp) mit symmetrischer Kurvenform errichtet.
6. Blochlinienspeicher nach einem der Ansprüche 1 bis 5,
dadurch gekennzeichnet, daß das Zusammenwirken der Be
lastungseinrichtung (15, 115) und der Magnetisier
einrichtung (110) gleichzeitig erfolgt.
7. Blochlinienspeicher nach Anspruch 6, dadurch gekenn
zeichnet, daß die Belastungseinrichtung (15, 115) und
die Magnetisiereinrichtung (110) jeweils derartige Be
lastungsimpulse bzw. Magnetfeldimpulse erzeugen, daß der
Anstiegszeitpunkt (t2) der Magnetfeldimpulse der Magne
tisiereinrichtung nach dem Anstiegszeitpunkt (t1) der
Belastungsimpulse der Belastungseinrichtung und vor
deren Abfallzeitpunkt (t3) liegt, während der Abfall
zeitpunkt der Belastungsimpulse der Belastungs
einrichtung vor dem Abfallzeitpunkt (t4) der Magnetfeld
impulse der Magnetisiereinrichtung liegt.
8. Verfahren zum Versetzen von Blochlinien, die in einer
Domänenwand einer in einem magnetischen Dünnfilm gebil
deten magnetischen Domäne erzeugt sind, entlang der Do
mänenwand, wobei senkrecht zur Filmebene des magneti
schen Dünnfilms ein Impulsmagnetfeld errichtet wird, da
durch gekennzeichnet, daß in dem magnetischen Dünnfilm
entlang der Domänenwand eine vorbestimmte Zug/Druckver
teilung hervorgerufen wird, daß entsprechend der
Zug/Druckverteilung die Blochlinie an einer
vorbestimmten Stelle der Domänenwand angeordnet wird,
daß die Zug/Druckverteilung geändert wird und daß das
Impulsmagnetfeld synchron mit der Verteilungsänderung
erzeugt wird.
9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet,
daß bei der Verteilungsänderung die vorbestimmte
Zug/Druckverteilung umgekehrt wird.
10. Verfahren nach Anspruch 8 oder 9, dadurch gekenn
zeichnet, daß der Anfangszeitpunkt und der Endzeitpunkt
der Verteilungsänderung jeweils vor den Anfangszeitpunkt
bzw. den Endzeitpunkt des Errichtens des Magnetfelds ge
legt werden und daß der Anfangszeitpunkt des Errichtens
des Magnetfelds vor den Endzeitpunkt der Verteilungsände
rung gelegt wird.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 10, dadurch
gekennzeichnet, daß die Zug/Druckverteilung in dem ma
gnetischen Dünnfilm über eine vorbestimmte Zeitdauer
oder mit vorbestimmter Zeitgabe geändert wird, während
das Impulsmagnetfeld für eine vorbestimmte Zeitdauer
oder mit vorbestimmter Zeitgabe angelegt wird.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62163925A JPH0778987B2 (ja) | 1987-07-02 | 1987-07-02 | ブロッホラインメモリ及びその情報転送方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE3822328A1 DE3822328A1 (de) | 1989-01-12 |
DE3822328C2 true DE3822328C2 (de) | 1991-03-14 |
Family
ID=15783428
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE3822328A Granted DE3822328A1 (de) | 1987-07-02 | 1988-07-01 | Blochlinienspeicher und verfahren zum versetzen von blochlinien |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5138571A (de) |
JP (1) | JPH0778987B2 (de) |
DE (1) | DE3822328A1 (de) |
FR (1) | FR2617629B1 (de) |
GB (1) | GB2207312B (de) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2001075869A1 (fr) * | 2000-03-31 | 2001-10-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Support d'informations original et procede de production de support d'enregistrement magnetique mettant en oeuvre ledit support |
US6722854B2 (en) * | 2001-01-24 | 2004-04-20 | Sundyne Corporation | Canned pump with ultrasonic bubble detector |
JP2007261356A (ja) * | 2006-03-28 | 2007-10-11 | Central Motor Co Ltd | ウェザーストリップ打込み装置 |
KR100813270B1 (ko) | 2006-09-29 | 2008-03-13 | 삼성전자주식회사 | 자구벽 이동을 이용한 데이터 저장 장치 및 그의 동작 방법 |
EP2073213B1 (de) * | 2007-12-20 | 2011-01-26 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Datenspeichervorrichtung mit magnetischer Domänenwandbewegung und Betriebsverfahren für die Datenspeichervorrichtung |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4060798A (en) * | 1976-05-12 | 1977-11-29 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Method for increasing the critical velocity of magnetic bubble propagation in magnetic materials |
EP0106358B1 (de) * | 1982-10-18 | 1990-01-03 | Nec Corporation | Magnetische Speicheranordnung fähig zum Speichern von Informationen in einer Banddomäne in der Gestalt eines senkrechten Blochlinienpaares |
JPS5996592A (ja) * | 1982-11-24 | 1984-06-04 | Nec Corp | 磁気記憶素子 |
JPS5998384A (ja) * | 1982-11-29 | 1984-06-06 | Nec Corp | 磁気記憶素子 |
JPS6076079A (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-30 | Nec Corp | 磁気記憶素子 |
FR2574212B1 (fr) * | 1984-11-30 | 1992-02-14 | Canon Kk | Procede d'enregistrement et/ou de reproduction pour une memoire a lignes de bloch |
SU1401517A1 (ru) * | 1986-04-08 | 1988-06-07 | Институт Электронных Управляющих Машин | Носитель информации и способ его изготовлени |
-
1987
- 1987-07-02 JP JP62163925A patent/JPH0778987B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1988
- 1988-06-29 GB GB8815504A patent/GB2207312B/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-07-01 DE DE3822328A patent/DE3822328A1/de active Granted
- 1988-07-01 FR FR888808953A patent/FR2617629B1/fr not_active Expired - Fee Related
-
1991
- 1991-09-12 US US07/758,209 patent/US5138571A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR2617629A1 (fr) | 1989-01-06 |
JPH0778987B2 (ja) | 1995-08-23 |
DE3822328A1 (de) | 1989-01-12 |
US5138571A (en) | 1992-08-11 |
GB2207312B (en) | 1992-02-12 |
FR2617629B1 (fr) | 1993-04-30 |
GB8815504D0 (en) | 1988-08-03 |
GB2207312A (en) | 1989-01-25 |
JPS6410488A (en) | 1989-01-13 |
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