DE4006449A1 - Substrat zum wachsenlassen eines galliumnitridverbindung-halbleiterbauelements und lichtemitterdiode - Google Patents

Substrat zum wachsenlassen eines galliumnitridverbindung-halbleiterbauelements und lichtemitterdiode

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Description

Die Erfindung betrifft ein Substrat zur Herstellung eines Gal­ liumnitridverbindung-Halbleiterbauelements und die Struktur ei­ ner Lichtemitterdiode.
Ein Verfahren zum Wachsenlassen (Züchten) einer Schicht aus Gal­ liumnitridverbindung-Halbleiter (Al x Ga1-x N; einschließlich x=0) in der Dampfphase auf einem Saphirsubstrat unter Anwendung der Epitaxie aus metallorganischer Dampfphase (MOVPE) und auch eine Lichtemitterdiode, bei der die Schicht aus Galliumnitrid­ verbindung-Halbleiter als Licht emittierende Schicht angewandt wird, sind üblicherweise untersucht worden.
Weil ein Einkristallwafer aus Galliumnitridverbindung-Halblei­ ter nicht leicht erhalten werden kann, ist ein Galliumnitridver­ bindung-Halbleiter epitaktisch auf dem Saphirsubstrat, dessen Gitterkonstante derjenigen des Galliumnitridverbindung-Halblei­ ters nahe ist, wachsen gelassen (gezüchtet) worden.
Ein Problem ist gewesen, daß wegen einer schlechten Anpassung zwischen dem Gitter des Saphirs und dem Gitter des als Licht emittierende Schicht dienenden Galliumnitridverbindung-Halblei­ ters und wegen des beträchtlichen Unterschiedes zwischen den Dampfdrücken von Gallium und Stickstoff kein Galliumnitridver­ bindung-Halbleiterkristall hoher Qualität erhalten wurde. Infol­ gedessen ist die Lichtemitterdiode, die eine Emission von blau­ em Licht mit hohem Wirkungsgrad in Aussicht stellt, noch nicht erhalten worden.
Ein Verfahren zum Wachsenlassen von Galliumnitridverbindung- Halbleiter auf einem Saphirsubstrat ist aus der US-PS 48 55 249 bekannt.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, auf einem Saphirsub­ strat einen einkristallinen Galliumnitridverbindung-Halbleiter hoher Qualität wachsen zu lassen, der weniger Gitterfehler hat, und durch Wachsenlassen eines einkristallinen Galliumnitridver­ bindung-Halbleiters hoher Qualität auf dem Saphirsubstrat eine Lichtemitterdiode bereitzustellen, bei der blaues Licht mit ho­ hem Wirkungsgrad emittiert wird.
Die erste Ausgestaltung der Erfindung besteht in einem Substrat zum Wachsenlassen bzw. Züchten einer Schicht aus Galliumnitrid­ verbindung-Halbleiter (Al x Ga1-x N; einschließlich x=0) in der Dampfphase auf dem Saphirsubstrat unter Anwendung von gasförmi­ ger metallorganischer Verbindung. Auf dem Saphirsubstrat ist eine Pufferschicht angeordnet, die aus Aluminiumnitrid (AlN) be­ steht und eine Kristallstruktur hat, bei der mikrokristalliner oder polykristalliner Zustand in amorphen Zustand eingemischt ist. Die Pufferschicht wird unter der Bedingung, daß die Wachs­ tums- bzw. Züchtungstemperatur 380 bis 800°C beträgt, in Form einer Schicht mit einer Dicke von 10,0 bis 50,0 nm gebildet. Dann wird auf der Pufferschicht die Schicht aus Galliumnitrid­ verbindung-Halbleiter (Al x Ga1-x N; einschließlich x=0) wachsen gelassen.
Die zweite Ausgestaltung der Erfindung besteht in einer Licht­ emitterdiode mit einem Saphirsubstrat, einer Pufferschicht und Schichten aus Galliumnitridverbindung-Halbleiter (Al x Ga1-x N; einschließlich x=0), die wenigstens zwei Licht emittierende Schichten umfassen, wobei alle Schichten voneinander verschie­ dene Leitfähigkeitstypen haben, und auf der Pufferschicht ange­ ordnet sind. Auf dem Saphirsubstrat ist die Pufferschicht ange­ ordnet, die aus Aluminiumnitrid (AlN) besteht und eine Kristall­ struktur hat, bei der mikrokristalliner oder polykristalliner Zustand in amorphen Zustand eingemischt ist. Die Pufferschicht wird unter der Bedingung, daß die Wachstums- bzw. Züchtungstem­ peratur 380 bis 800°C beträgt, in Form einer Schicht mit einer Dicke von 10,0 bis 50,0 nm gebildet. Dann wird auf die Puf­ ferschicht die Schicht aus Galliumnitridverbindung-Halbleiter (Al x Ga1-x N; einschließlich x=0), die als Licht emittierende Schicht dient, aufgeschichtet.
Die Pufferschicht, die aus Aluminiumnitrid (AlN) besteht, eine Dicke von 10,0 bis 50,0 nm hat und eine Kristallstruktur hat, bei der mikrokristalliner oder polykristalliner Zustand in amor­ phen Zustand eingemischt ist, ist auf dem Saphirsubstrat gebil­ det.
Die Gitterfehler der auf der Pufferschicht wachsenden Schicht aus Galliumnitridverbindung-Halbleiter sind vermindert worden. Ferner ist wegen der verbesserten Kristallqualität der Schicht aus Galliumnitridverbindung-Halbleiter, die als Licht emittie­ rende Schicht dient, die Fähigkeit der erfindungsgemäßen Licht­ emitterdiode zum Emittieren von blauem Licht verbessert worden.
Die Erfindung wird nachstehend unter Bezugnahme auf die beige­ fügten Zeichnungen näher erläutert.
Fig. 1 ist ein Blockdiagramm, das ein bei der Durchführung der Erfindung angewandtes Dampfphasen-Wachstums- bzw. Züchtungssy­ stem zeigt.
Fig. 2, 3, 4 und 5 sind Schnittzeichnungen des Einsatzrohrs des Systems.
Fig. 6 ist eine Schnittzeichnung, die den Aufbau des Substrats zeigt, auf dem das Kristallwachstum stattfindet.
Fig. 7 ist ein RHEED-Beugungsbild, das die Kristallstruktur der aus AlN bestehenden Pufferschicht zeigt.
Fig. 8A und 8B sind RHEED-Beugungsbilder, die die Kristallstruk­ tur der aus AlN bestehenden Pufferschicht bei verschiedener Dic­ ke der Pufferschicht zeigen.
Fig. 9 ist eine Schnittzeichnung der Halbleiterstruktur nach dem Wachstum der GaN-Schicht vom n-Typ.
Fig. 10A und 10B sind REM-Bilder, die die Kristallstruktur der GaN-Schicht, die auf der aus AlN bestehenden Pufferschicht ge­ wachsen ist, bei verschiedener Dicke der Pufferschicht zeigen.
Fig. 11A und 11B sind RHEED-Beugungsbilder, die die Kristall­ struktur der GaN-Schicht, die auf der aus AlN bestehenden Puf­ ferschicht gewachsen ist, bei verschiedener Dicke der Puffer­ schicht zeigen.
Fig. 12A und 12B sind RHEED-Beugungsbilder, die die Kristall­ struktur der aus AlN bestehenden Pufferschicht bei verschiede­ ner Wachstumstemperatur zeigen.
Fig. 13A und 13B sind REM-Bilder, die die Kristallstruktur von GaN-Schichten, die auf verschiedenen AlN-Pufferschichten ge­ wachsen sind, bei verschiedener Wachstumstemperatur der Puffer­ schichten zeigen.
Fig. 14A und 14B sind RHEED-Beugungsbilder, die die Kristall­ struktur von GaN-Schichten, die auf verschiedenen AlN-Puffer­ schichten gewachsen sind, bei verschiedener Wachstumstemperatur der Pufferschichten zeigen.
Fig. 15A ist ein RHEED-Beugungsbild, das die Kristallstruktur der bei 500°C in einer Dicke von 35,0 nm gewachsenen AlN-Puf­ ferschicht zeigt.
Fig. 15B ist ein REM-Bild, das die Kristallstruktur der GaN-Schichten zeigt, die auf der bei 500°C in einer Dicke von 35,0 nm gewachsenen AlN-Pufferschicht gewachsen sind.
Fig. 16 ist eine Schnittzeichnung, die die Struktur eines Wa­ fers zeigt, auf dem Lichtemitterdioden gebaut sind.
Zunächst wird das Fertigungssystem für die Durchführung der Er­ findung erläutert.
Fig. 1 zeigt ein Quarzrohr 10, das an seinem linken Ende mit ei­ nem O-Ring 15 abgedichtet ist, wobei es einen Flansch 14 be­ rührt und an dem Flansch 14 an mehreren Stellen des Flansches 14 mit Schrauben 46, 47 und Muttern 48, 49 unter Anwendung ei­ nes Polstermaterials 38 und einer Haltevorrichtung 39 befestigt ist. Ferner ist das rechte Ende des Quarzrohrs 10 nach Abdich­ tung mit einem O-Ring 40 mit Gewindebefestigungs-Haltevorrich­ tungen 41, 42 an einem Flansch 27 befestigt worden.
In einer inneren Kammer 11, die durch das Quarzrohr 10 einge­ schlossen wird, ist ein zur Einführung von Reaktionsgas dienen­ des Einsatzrohr 12 angeordnet. Ein Ende 13 des Einsatzrohres 12 wird durch eine am Flansch 14 befestigte Halteplatte 17 festge­ halten, während die Unterseite 18 seines anderen Endes 16 durch einen Haltefuß 19 an dem Quarzrohr 10 festgehalten wird.
Der Querschnitt des Einsatzrohrs 12 senkrecht zur Richtung der X-Achse des Quarzrohrs 10 hat in Abhängigkeit von seiner Lage in Richtung der X-Achse ein unterschiedliches Aussehen, wie in Fig. 2 bis 5 gezeigt ist. D.h., der Querschnitt des Einsatzroh­ res 12 hat an der bezüglich des Reaktionsgasstromes stromauf­ wärts gelegenen Seite eine kreisförmige Gestalt. Der Quer­ schnitt des Einsatzrohrs 12 nimmt, während er stromabwärts (in positiver Richtung der X-Achse) fortschreitet, die Gestalt ei­ ner Ellipse an, deren längere Achse senkrecht zur Papierfläche von Fig. 1 (in Richtung der Y-Achse) gerichtet ist. Während der Querschnitt stromabwärts fortschreitet, wird die Gestalt der Ellipse in Richtung der längeren Achse größer und in Richtung der kürzeren Achse kleiner, was zu einem größeren Ausmaß der Ab­ weichung bzw. Exzentrizität führt. Der Querschnitt des Einsatz­ rohrs 12 hat die Gestalt einer abweichenden Ellipse, jedoch wird dieser Querschnitt an einer Stelle A, die bezüglich einer Substrataufnahmeeinrichtung 20, die in der nachstehend beschrie­ benen Weise angeordnet ist, etwas stromaufwärts gelegen ist, in der Auf- und Ab-Richtung (Z-Achse) kürzer und in Richtung der Y-Achse länger. Bei der Schnittzeichnung an der Linie IV-IV der Stelle A (Fig. 4) beträgt die Länge der Öffnung in Richtung der Y-Achse 7,0 cm und in Richtung der Z-Achse 1,2 cm.
Eine Probenanordnungs- bzw. -einführungskammer 21, mit der die Substrataufnahmeeinrichtung 20 angeordnet wird, hat senkrecht zur X-Achse eine rechteckige Querschnittsform und ist in einem Stück mit der stromabwärts gelegenen Seite des Einsatzrohrs 12 verbunden. Die Substrataufnahmeeinrichtung 20 ist am Boden 22 der Probenanordnungskammer 21 angeordnet. Der Querschnitt der Substrataufnahmeeinrichtung 20 senkrecht zur X-Achse hat recht­ eckige Form, jedoch steigt die obere Fläche 23 der Substratauf­ nahmeeinrichtung 20 in positiver Richtung der Z-Achse an, wäh­ rend sie in Richtung der X-Achse allmählich ansteigt. Eine Pro­ be 50, d.h., ein Saphirsubstrat mit rechtwinkliger Gestalt, ist auf die obere Fläche 23 der Substrataufnahmeeinrichtung 20 auf­ gelegt, und der Abstand zwischen dem Saphirsubstrat 50 und der oberen Rohrwand 24 des Einsatzrohrs 12 beträgt an der stromauf­ wärts gelegenen Seite 12 mm und an der stromabwärts gelegenen Seite 4 mm.
Die obere Fläche 23 der Substrataufnahmeeinrichtung 20 ist der­ art geneigt, daß der Winkel R zwischen dem Normalvektor der oberen Fläche 23 und der Richtung der X-Achse 83° beträgt. Weil die Richtung des Gasstroms an der Stelle A in der Nähe der Einlaßseite 53 des Saphirsubstrats 50 der X-Achse parallel ist, ist der Winkel R gleich dem Auftreffwinkel des Reaktionsgases auf das Saphirsubstrat 50 an der Einlaßseite 53.
Mit der Vorrichtung, die den vorstehend erwähnten Aufbau hat, kann auf das Saphirsubstrat 50 ein nichtturbulenter Gasstrom strömen gelassen werden, um einen Kristall hoher Qualität wach­ sen zu lassen. Ein guter nichtturbulenter Strom wird vorzugswei­ se dadurch erhalten, daß der Auftreffwinkel R des Reaktionsga­ ses an der Einlaßseite 53 des Substrates 50 zwischen 90° und 75° und insbesondere zwischen 85° und 80° liegt.
Mit der Substrataufnahmeeinrichtung 20 ist ein Bedienungsstab 26 verbunden. Nach Entfernen des Flansches 27 kann mittels des Bedienungsstabes 26 die Substrataufnahmeeinrichtung 20, auf die das Saphirsubstrat 50 aufgelegt ist, in die Probenanordnungskam­ mer 21 eingelegt oder nach Beendigung des Kristallwachstums aus der Probenanordnungskammer 21 herausgenommen werden.
Ein erstes Gasrohr 28 mündet an der stromaufwärts gelegenen Sei­ te des Einsatzrohrs 12, während ein zweites Gasrohr 29 an sei­ nem Ende derart verschlossen ist, daß es das erste Gasrohr 28 umhüllt, d.h., die beiden Gasrohre 28 und 29 bilden eine koaxi­ ale Doppelrohrstruktur. Der aus dem zweiten Gasrohr 29 vorste­ hende Teil des ersten Gasrohrs 28 und der Umfangsteil des zwei­ ten Gasrohrs 29 weisen eine große Zahl von Löchern 30 auf, durch die zwei Arten des Reaktionsgases, die einzeln durch das erste Gasrohr 28 bzw. das zweite Gasrohr 29 eingeführt werden, in den Innenraum des Einsatzrohrs 12 ausgeblasen werden, wo die beiden Reaktionsgase zum ersten Mal miteinander vermischt wer­ den.
Das erste Gasrohr 28 ist mit einem ersten Sammelrohr 31 verbun­ den, und das zweite Gasrohr 29 ist mit einem zweiten Sammelrohr 32 verbunden. Ferner sind mit dem ersten Sammelrohr 31 ein Zu­ führungssystem I für die Zuführung von Trägergas, ein Zufüh­ rungssystem J für die Zuführung von Trimethylgallium (nachste­ hend als TMG bezeichnet), ein Zuführungssystem K für die Zufüh­ rung von Trimethylaluminium (nachstehend als TMA bezeichnet) und ein Zuführungssystem L für die Zuführung von Diethylzink (nachstehend als DEZ bezeichnet) verbunden, während das Zufüh­ rungssystem I für die Zuführung von Trägergas und ein Zufüh­ rungssystem H für die Zuführung von NH3 mit dem zweiten Sammel­ rohr 32 verbunden sind.
Des weiteren ist am Umfangsteil des Quarzrohrs 10 ein Kühlrohr 33 zum Umlaufenlassen von Kühlwasser gebildet, und an seinem Um­ fangsteil ist auch eine Hochfrequenzspule 34, die zur Erzeugung eines elektrischen Hochfrequenzfeldes in der inneren Kammer 11 dient, angeordnet.
Das Einsatzrohr 12 ist durch den Flansch 14 mit einem äußeren Rohr 35 verbunden, und das Trägergas wird durch das äußere Rohr 35 eingeführt. Ein Thermoelement-Einführungsrohr 36 erstreckt sich von der Außenseite durch den Flansch 14 hindurch in die Seite der Probenanordnungskammer 21, und innerhalb des Thermo­ element-Einführungsrohrs 36 sind ein Thermoelement 43 und seine Drähte 44, 45 angeordnet, um die Probentemperatur zu messen, wo­ durch eine Einrichtung zum Messen der Probentemperatur von au­ ßen bereitgestellt wird.
Ein solcher Aufbau des Systems erlaubt das Vermischen eines ge­ mischten Gases, das aus TMG, TMA, H2 und DEZ-H2 besteht und durch das erste Gasrohr 28 eingeführt wird, mit einem gemisch­ ten Gas, das aus NH3 und H2 besteht und durch das zweite Gas­ rohr 29 eingeführt wird, in der Nähe der Auslaßöffnungen dieser Rohre. Das auf diese Weise erhaltene gemischte Reaktionsgas wird durch das Einsatzrohr 12 in die Probenanordnungskammer 21 eingeführt und strömt durch den Zwischenraum, der zwischen dem Saphirsubstrat 50 und der oberen Rohrwand 24 des Einsatzrohrs 12 gebildet ist. In diesem Fall wird die Strömung des Reaktions­ gases an dem Saphirsubstrat 50 stetig und gleichmäßig, so daß ein Kristall von hoher Qualität mit geringerer Lageabhängigkeit wachsen gelassen bzw. gezüchtet werden kann.
Zur Bildung der Schicht aus Al x Ga1-x N vom n-Typ wird dafür ge­ sorgt, daß die gemischten Gase aus dem ersten Gasrohr 28 und dem zweiten Gasrohr 29 strömen, wobei jedoch der Strom des DEZ- H2-Gases angehalten wird. zur Bildung der Schicht aus Al x Ga1-x N vom i-Typ wird dafür gesorgt, daß die gemischten Gase aus dem ersten Gasrohr 28 und dem zweiten Gasrohr 29 strömen, wobei auch das DEZ-H2-Gas strömen gelassen wird. Im Fall der Bildung der Schicht aus Al x Ga1-x N vom i-Typ wird dafür gesorgt, daß DEZ auf das Saphirsubstrat 50 herabbläst und durch Hitze zersetzt wird, so daß das wachsende Al x Ga1-x N mit dem Dotierelement do­ tiert werden kann, um Al x Ga1-x N vom i-Typ zu erzeugen.
Die Kristallzüchtung auf dem Saphirsubstrat 50 wurde unter An­ wendung des vorliegenden Systems wie folgt durchgeführt.
Zunächst wurde das Einkristall-Saphirsubstrat 50, dessen Haupt­ fläche zu der Richtung {0001} orientiert war, nach organischer Reinigung und Hitzebehandlung an derSubstrataufnahmeeinrich­ tung 20 befestigt. Während H2 mit 0,3 L/min durch das erste Gas­ rohr 28, das zweite Gasrohr 29 und das äußere Rohr 35 hindurch in das Einsatzrohr 12 hineinströmte, wurde das Saphirsubstrat 50 dann einer Dampfphasenätzung bei einer Temperatur von 1100°C unterzogen. Dann wurde die Temperatur auf 650°C herabgesetzt, und H2, NH3 und TMA bei 15°C wurden mit 3 L/min, 2 L/min bzw. 50 cm3/min zugeführt.
Durch dieses Wachstums- bzw. Züchtungsverfahren wurde eine aus AlN bestehende Pufferschicht 51 mit einer Dicke von etwa 30,0 nm gebildet, wie sie in Fig. 6 gezeigt ist. Ein RHEED-Beugungs­ bild der Pufferschicht 51 wurde ermittelt. Das Ergebnis ist in Fig. 7 gezeigt. Das RHEED-Beugungsbild von Fig. 7 zeigt, daß ein Gitterbild und ein Halobild vermischt sind. Das Gitterbild zeigt, daß die Kristallstruktur einkristallin ist. Das Halobild zeigt andererseits, daß die Kristallstruktur amorph ist. Dem­ nach besteht die Kristallstruktur der AlN-Schicht aus einer Mi­ schung eines polykristallinen, eines mikrokristallinen und ei­ nes amorphen Zustands.
Unter Anwendung des vorstehend beschriebenen Systems wurden auf anderen Saphirsubstraten bei einer Wachstumstemperatur von 650°C verschiedene aus AlN bestehende Pufferschichten gebildet, während die Dicke in dem Bereich von 5,0 bis 100,0 nm variierte. Dann wurden an ihrer Oberfläche RHEED-Beugungsbilder ermittelt. Die Ergebnisse sind in Fig. 8A und 8B gezeigt. Die Photographi­ en zeigen, daß eine Dicke von 10,0 nm oder weniger wahrschein­ lich zur Einkristallerzeugung führt, während eine Dicke, die 50,0 nm oder mehr beträgt, wahrscheinlich zur Polykristallerzeu­ gung führt.
Verschiedene Proben von aus AlN bestehenden Pufferschichten mit einer Dicke von 5,0 bis 100,0 nm wurden bei einer Temperatur von 970°C gehalten, während H2, NH3 und TMG bei -15°C 60 min lang mit 2,5 L/min, 1,5 L/min bzw. 100 cm3/min durch das erste und das zweite Gasrohr 28, 29 strömten, um die aus GaN vom n-Typ bestehende n-Schicht 52 mit einer Dicke von etwa 7 µm zu bilden. Auf diese Weise wurden REM-Bilder und RHEED-Beugungsbil­ der der n-Schicht 52 ermittelt. Die Ergebnisse sind in Fig. 10A, 10 B, 11 A und 11 B gezeigt. Die REM-Bilder sind in Fig. 10A und 10B mit 4100facher Vergrößerung gezeigt. Die Pufferschicht 51, die eine Dicke von 10,0 nm oder weniger hat, erzeugt eine n- Schicht 52 mit einigen Grübchen, während die Pufferschicht 51, die eine Dicke von 50,0 nm oder mehr hat, in der n-Schicht ei­ nen ähnlichen Zustand hervorruft, wie er im Fall einer Dicke von 10,0 nm oder weniger beobachtet wird.
Die Dicke der aus AlN bestehenden Pufferschicht 51 kann folg­ lich vorzugsweise 10,0 bis 50,0 nm betragen, damit eine gute kristalline n-Schicht hergestellt wird. Als andere Proben wur­ den auf dem Saphirsubstrat 50 verschiedene aus AlN bestehende Pufferschichten mit einer Dicke von 30,0 nm wachsen gelassen, während die Wachstumstemperatur in dem Bereich von 300°C bis 1200°C verändert wurde. Dann wurden in gleicher Weise RHEED-Beugungsbilder der aus AlN bestehenden Pufferschichten ermit­ telt. Die Ergebnisse sind in Fig. 12A und 12B gezeigt. Diese Figuren zeigen, daß eine AlN-Pufferschicht mit einer gewünsch­ ten Dicke nicht erhalten werden kann, wenn die Wachstumstempe­ ratur 380°C oder weniger beträgt, und daß wegen des Wachstums eines Einkristalls eine gewünschte Schichteigenschaft nicht er­ halten werden kann, wenn die Wachstumstemperatur 800°C oder mehr beträgt.
Auf dem Saphirsubstrat 50 wurde bei einer Wachstumstemperatur von 500°C eine aus AlN bestehende Pufferschicht mit einer Dic­ ke von 35,0 nm wachsen gelassen. Dann wurde in gleicher Wei­ se ein RHEED-Beugungsbild der aus AlN bestehenden Pufferschicht ermittelt. Das Ergebnis ist in Fig. 15A gezeigt. Diese Figur zeigt, daß ein Gitterbild und ein Halobild vermischt sind. Das Gitterbild zeigt, daß die AlN-Pufferschicht einkristallin ist. Das Halobild zeigt, daß die AlN-Pufferschicht amorph ist. Dem­ nach ist aus den vorstehend beschriebenen Tatsachen ersichtlich, daß die Fig. 15A entsprechende AlN-Pufferschicht eine Kristall­ struktur hat, bei der ein polykristalliner, ein mikrokristalli­ ner und ein amorpher Zustand vermischt sind.
Ferner wurde auf verschiedenen Proben, die erhalten worden wa­ ren, indem die vorstehend erwähnten AlN-Pufferschichten mit ei­ ner Dicke von 30,0 nm und 35,0 nm bei einer Wachstumstemperatur von 300 bis 1200°C wachsen gelassen wurden, durch dasselbe Verfahren eine aus GaN vom n-Typ bestehende n-Schicht mit einer Dicke von etwa 7 µm wachsen gelassen. Dann wurden REM-Bilder und RHEED-Beugungsbilder ermittelt. Die Ergebnisse sind in Fig. 13A und 13B, Fig. 14A und 14B und Fig. 15B gezeigt. Die REM-Bilder sind in Fig. 13A und 13B mit 3700facher Vergrößerung und in Fig. 15B mit 8500facher Vergrößerung gezeigt. Die aus GaN vom n-Typ bestehende n-Schicht hat Kristall mit einigen Grüb­ chen, wenn die AlN-Pufferschicht bei einer Temperatur unter 380°C hergestellt wird; wenn die AlN-Pufferschicht bei einer Tem­ peratur über 800°C wächst, ist der erzeugte Kristall der n-Schicht morphologisch hexagonal. Diese Ergebnisse zeigen, daß die Temperatur für das Wachstum der AlN-Pufferschicht vorzugs­ weise 380 bis 800°C betragen kann, damit eine gute kristalli­ ne n-Schicht mit weniger Gitterfehlern hergestellt wird.
Die vorstehend beschriebenen Ergebnisse zeigen, daß sich die Einkristallqualität der auf der AlN-Pufferschicht wachsenden GaN-Schicht verbessert, wenn die AlN-Pufferschicht Polykristall oder Mikrokristall enthält, der in einen amorphen Zustand ein­ gemischt ist. Ferner wurde festgestellt, daß vorzugsweise der Gehalt an dem Polykristall oder Mikrokristall 1 bis 90% und seine Größe 0,1 µm oder weniger betragen könnte. Die Bildung der AlN-Pufferschicht mit einer solchen Kristallstruktur wurde zusätzlich zur Einhaltung der vorstehend beschriebenen Bedingun­ gen hinsichtlich der Dicke und der Wachstumstemperatur mit ei­ ner Reaktionsgasströmung durchgeführt, die für TMA bei 15°C 0,1 bis 1000 cm3/min, für NH3 100 cm3 bis 10 L/min und für H2 1 bis 50 L/min betrug.
Das Verfahren zur Herstellung einer Lichtemitterdiode wird nach­ stehend erläutert.
Zur Herstellung einer Lichtemitterdiode mit dem in Fig. 16 ge­ zeigten Aufbau wurde unter Anwendung des vorliegenden Systems eine Kristallzüchtung auf dem Saphirsubstrat 60 durchgeführt.
In gleicher Weise wie vorstehend erwähnt wurden auf das Einkri­ stall-Saphirsubstrat 60 H2, NH3 und TMA bei 15°C 1 min lang mit 3 L/min, 2 L/min bzw. 500 cm3/min strömen gelassen, als die Wachstumstemperatur auf 650 °C eingestellt war, wodurch die AlN-Pufferschicht in einer Dicke von 35,0 nm hergestellt wurde. 1 min später wurde die Zuführung von TMA beendet, um das Saphir­ substrat 60 bei einer Temperatur von 970°C zu halten, und dann wurde eine aus GaN vom n-Typ bestehende n-Schicht 62 mit einer Dicke von etwa 7 µm gebildet, indem H2, NH3 und TMG bei -15°C mit 2,5 L/min, 1,5 L/min bzw. 100 cm3/min 60 min lang zugeführt wurden. Das Saphirsubstrat 60, auf dem die n-Schicht 62 gezüch­ tet worden war, wurde aus dem Dampfphasen-Züchtungssystem her­ ausgenommen, und dann wurde auf die Hauptfläche der n-Schicht 62 ein Photoresist aufgebracht, bevor unter Anwendung einer Mas­ ke mit einem festgelegten Muster belichtet wurde. Dann wurde ein Ätzen durchgeführt, um einen Photoresist mit dem festgeleg­ ten Muster zu erhalten. Dann wurde unter Anwendung des Photore­ sists als Maske eine SiO2-Schicht 63 mit einer Dicke von etwa 10,0 nm gebildet. Nach Entfernen des Photoresists wurde das Sa­ phirsubstrat 60 mit der SiO2-Schicht 63, die als Einzelschicht mit einem Muster gebildet worden war, gewaschen, bevor die in geeigneter Weise auf der Substrataufnahmeeinrichtung 20 angeord­ nete Schicht wieder einer Dampfphasenätzung unterzogen wurde. Dann wurde das Saphirsubstrat 60 bei einer Temperatur von 970° C gehalten, während H2, NH3, TMG bei -15°C und DEZ bei 30°C mit 2,5 L/min, 1,5 L/min, 100 cm3/min bzw. 500 cm3/min 5 min lang zugeführt wurden, um eine aus GaN vom i-Typ bestehende i- Schicht 64 mit einer Dicke von 1,0 µm zu bilden. Auf diese Wei­ se wuchs auf dem Bereich, wo das GaN der n-Schicht 62 freilag, die Einkristall-GaN-Schicht 64 vom i-Typ, während oberhalb der SiO2-Schicht 63 eine aus polykristallinem GaN bestehende leitfä­ hige Schicht 65 gebildet wurde. Dann wurde das Saphirsubstrat 60 aus der Reaktionskammer herausgenommen und in eine festgeleg­ te Form geschnitten, nachdem auf der i-Schicht 64 Aluminiumelek­ troden 66, 67 abgeschieden worden waren, um die Lichtemitterdi­ ode herzustellen. So wirkt die Elektrode 66 als Elektrode für die i-Schicht 64, während die Elektrode 67 durch die leitfähige Schicht 65 und die sehr dünne SiO2-Schicht 63 hindurch als Elek­ trode für die n-Schicht 62 wirkt. Wenn das Potential der i- Schicht 64 gegenüber dem Potential der n-Schicht 62 positiv ge­ halten wird, wird von ihrer Übergangsfläche Licht emittiert.
Die auf diese Weise erhaltene Lichtemitterdiode emittiert Licht mit einer Wellenlänge von 485 nm und hat eine optische Dichte von 10 mcd. Die optische Dichte der Lichtemission dieser Licht­ emitterdiode war im Vergleich zu derjenigen im Fall der im amor­ phen Zustand gebildeten AlN-Pufferschicht um mehr als das 10-fa­ che verbessert.

Claims (18)

1. Substrat zum Wachsenlassen eines Galliumnitridverbindung- Halbleiterbauelements (Al x Ga1-x N; einschließlich x=0) gekenn­ zeichnet durch
ein Saphirsubstrat und
eine Pufferschicht, die auf dem Saphirsubstrat gebildet ist, wo­ bei die Pufferschicht durch das Verfahren der Epitaxie aus me­ tallorganischer Dampfphase (MOVPE-Verfahren) gebildet wird, bei dem eine Schicht wachsen gelassen wird, indem verschiedene Ar­ ten von metallorganischem Gas in nichtturbulentem Zustand über die Oberfläche des Saphirsubstrats strömen gelassen werden und die verschiedenen Arten von metallorganischem Gas in der Nähe der Oberfläche des Saphirsubstrats zur Reaktion gebracht werden,
wobei die Pufferschicht aus Aluminiumnitrid (AlN) besteht, das auf dem photographischen Bild, das durch ein reflektierendes Elektronenbeugungsverfahren mit Elektronen hoher Energie (RHEED- Verfahren) erhalten wird, ein Beugungsbild zeigt, bei dem ein Gitterbild, das einen Einkristallzustand zeigt, und ein Halo­ bild, das einen amorphen Zustand zeigt, vermischt sind.
2. Substrat nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Pufferschicht in einer Dicke von 10,0 bis 50,0 nm gebildet wird.
3. Substrat nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Pufferschicht unter der Bedingung wachsen gelassen wird, daß die Wachstumstemperatur wenigstens 380°C bis weniger als 800°C beträgt.
4. Substrat nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Pufferschicht in einer Dicke von 10,0 bis 50,0 nm gebildet wird.
5. Substrat nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Pufferschicht unter der Bedingung gebildet wird, daß an der Einlaßseite des Saphirsubstrats der Auftreffwinkel des metall­ organischen Gasstromes auf die Oberfläche des Saphirsubstrats 90° bis 75° beträgt.
6. Substrat nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Pufferschicht unter der Bedingung gebildet wird, daß an der Einlaßseite des Saphirsubstrats der Auftreffwinkel des metall­ organischen Gasstromes auf die Oberfläche des Saphirsubstrats 85° bis 80° beträgt.
7. Substrat nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Pufferschicht gebildet wird, indem das metallorganische Gas an dem Saphirsubstrat in einen Zustand eines laminaren Luftstroms gebracht wird.
8. Substrat nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Pufferschicht in dem Zustand gebildet wird, bei dem das Saphir­ substrat innerhalb eines Rohres angeordnet ist, das die obere Oberfläche des Saphirsubstrats in einem festgelegten Abstand ab­ deckt.
9. Substrat nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand zwischen dem Rohr und der erwähnten Oberfläche des Sa­ phirsubstrats, das innerhalb des Rohres angeordnet ist, entlang der Strömungsrichtung des metallorganischen Gases eng wird.
10. Lichtemitterdiode, gekennzeichnet durch
ein Saphirsubstrat,
eine Pufferschicht, die auf dem Saphirsubstrat gebildet ist,
wobei die Pufferschicht durch das Verfahren der Epitaxie aus me­ tallorganischer Dampfphase (MOVPE-Verfahren) gebildet wird, bei dem eine Schicht wachsen gelassen wird, indem verschiedene Ar­ ten von metallorganischem Gas in nichtturbulentem Zustand über die Oberfläche des Saphirsubstrats strömen gelassen werden und die verschiedenen Arten von metallorganischem Gas in der Nähe der Oberfläche des Saphirsubstrats zur Reaktion gebracht werden, wobei die Pufferschicht aus Aluminiumnitrid (AlN) besteht, das auf dem photographischen Bild, das durch ein reflektierendes Elektronenbeugungsverfahren mit Elektronen hoher Energie (RHEED- Verfahren) erhalten wird, ein Beugungsbild zeigt, bei dem ein Gitterbild, das einen Einkristallzustand zeigt, und ein Halo­ bild, das einen amorphen Zustand zeigt, vermischt sind, und
eine Schicht zum Emittieren von Licht, die auf der Puffer­ schicht gebildet ist und Galliumnitridverbindung-Halbleiter (Al x Ga1-x N; einschließlich x=0) enthält.
11. Lichtemitterdiode nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Pufferschicht in einer Dicke von 10,0 bis 50,0 nm ge­ bildet wird.
12. Lichtemitterdiode dach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Pufferschicht unter der Bedingung wachsen gelassen wird, daß die Wachstumstemperatur wenigstens 380°C bis weniger als 800°C beträgt.
13. Lichtemitterdiode nach Anspruch 12, dadurch gekennzeichnet, daß die Pufferschicht in einer Dicke von 10,0 bis 50,0 nm ge­ bildet wird.
14. Lichtemitterdiode nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Pufferschicht unter der Bedingung gebildet wird, daß an der Einlaßseite des Saphirsubstrats der Auftreffwinkel des metallorganischen Gasstromes auf die Oberfläche des Saphirsub­ strats 90° bis 75° beträgt.
15. Lichtemitterdiode nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Pufferschicht unter der Bedingung gebildet wird, daß an der Einlaßseite des Saphirsubstrats der Auftreffwinkel des metallorganischen Gasstromes auf die Oberfläche des Saphirsub­ strats 85° bis 80° beträgt.
16. Lichtemitterdiode nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Pufferschicht gebildet wird, indem das metallorganische Gas an dem Saphirsubstrat in einen Zustand eines laminaren Luft­ stroms gebracht wird.
17. Lichtemitterdiode nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die Pufferschicht in dem Zustand gebildet wird, bei dem das Saphirsubstrat innerhalb eines Rohres angeordnet ist, das die obere Oberfläche des Saphirsubstrats in einem festgelegten Ab­ stand abdeckt.
18. Lichtemitterdiode nach Anspruch 17, dadurch gekennzeichnet, daß der Abstand zwischen dem Rohr und der erwähnten Oberfläche des Saphirsubstrats, das innerhalb des Rohres angeordnet ist, entlang der Strömungsrichtung des metallorganischen Gases eng wird.
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Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0497350A1 (de) * 1991-01-31 1992-08-05 Nichia Kagaku Kogyo K.K. Kristallzuchtverfahren für Halbleiter auf Galliumnitrid-Basis
US5290393A (en) * 1991-01-31 1994-03-01 Nichia Kagaku Kogyo K.K. Crystal growth method for gallium nitride-based compound semiconductor
US5389571A (en) * 1991-12-18 1995-02-14 Hiroshi Amano Method of fabricating a gallium nitride based semiconductor device with an aluminum and nitrogen containing intermediate layer
EP0711853A1 (de) * 1994-04-08 1996-05-15 Japan Energy Corporation Verfahren zum züchten von galliumnitridhalbleiterkristallen und vorrichtung
DE19547781A1 (de) * 1994-12-20 1996-06-27 Mitsubishi Electric Corp Verfahren des Aufwachsens einer Verbindungshalbleiterschicht
DE19603782A1 (de) * 1995-02-03 1996-08-08 Sumitomo Chemical Co III-V Halbleiterstruktur, Verfahren zu ihrer Herstellung und lichtemittierendes Element
DE19629720A1 (de) * 1995-07-27 1997-02-13 Nec Corp Lichtemittierende Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren dafür
WO1997008356A2 (en) * 1995-08-18 1997-03-06 The Regents Of The University Of California Modified metalorganic chemical vapor deposition of group iii-v thin layers
US5633192A (en) * 1991-03-18 1997-05-27 Boston University Method for epitaxially growing gallium nitride layers
US5677538A (en) * 1995-07-07 1997-10-14 Trustees Of Boston University Photodetectors using III-V nitrides
US5686738A (en) * 1991-03-18 1997-11-11 Trustees Of Boston University Highly insulating monocrystalline gallium nitride thin films
US5733796A (en) * 1990-02-28 1998-03-31 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting semiconductor device using gallium nitride group compound
EP0846791A1 (de) * 1996-12-05 1998-06-10 Sony Corporation Verfahren zur Zuchtung von Schichten aus III-V Nitrid Halbleiterverbindung und Verfahren zur Herstellung eines Substrats aus III-V Nitrid Halbleiterverbindung
US6362017B1 (en) 1990-02-28 2002-03-26 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting semiconductor device using gallium nitride group compound
US6830992B1 (en) 1990-02-28 2004-12-14 Toyoda Gosei Co., Ltd. Method for manufacturing a gallium nitride group compound semiconductor
DE102006041003B4 (de) * 2006-08-31 2017-08-24 Advanced Micro Devices, Inc. Verfahren zur Bestimmung einer Orientierung eines Kristallgitters eines ersten Substrats relativ zu einem Kristallgitter eines zweiten Substrats

Families Citing this family (138)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2593960B2 (ja) * 1990-11-29 1997-03-26 シャープ株式会社 化合物半導体発光素子とその製造方法
US6953703B2 (en) * 1991-03-18 2005-10-11 The Trustees Of Boston University Method of making a semiconductor device with exposure of sapphire substrate to activated nitrogen
US5192987A (en) * 1991-05-17 1993-03-09 Apa Optics, Inc. High electron mobility transistor with GaN/Alx Ga1-x N heterojunctions
JP2985908B2 (ja) * 1991-10-12 1999-12-06 日亜化学工業株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体の結晶成長方法
JP2666228B2 (ja) * 1991-10-30 1997-10-22 豊田合成株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
US5272355A (en) * 1992-05-20 1993-12-21 Spire Corporation Optoelectronic switching and display device with porous silicon
JP2751963B2 (ja) † 1992-06-10 1998-05-18 日亜化学工業株式会社 窒化インジウムガリウム半導体の成長方法
JP2657743B2 (ja) * 1992-10-29 1997-09-24 豊田合成株式会社 窒素−３族元素化合物半導体発光素子
US6083812A (en) * 1993-02-02 2000-07-04 Texas Instruments Incorporated Heteroepitaxy by large surface steps
US5661313A (en) * 1993-09-09 1997-08-26 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Electroluminescent device in silicon on sapphire
EP0647730B1 (de) * 1993-10-08 2002-09-11 Mitsubishi Cable Industries, Ltd. GaN-Einkristall
US5393993A (en) * 1993-12-13 1995-02-28 Cree Research, Inc. Buffer structure between silicon carbide and gallium nitride and resulting semiconductor devices
US5587014A (en) * 1993-12-22 1996-12-24 Sumitomo Chemical Company, Limited Method for manufacturing group III-V compound semiconductor crystals
JPH07202265A (ja) * 1993-12-27 1995-08-04 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物半導体の製造方法
US5656832A (en) * 1994-03-09 1997-08-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor heterojunction device with ALN buffer layer of 3nm-10nm average film thickness
US5689123A (en) 1994-04-07 1997-11-18 Sdl, Inc. III-V aresenide-nitride semiconductor materials and devices
US6130147A (en) * 1994-04-07 2000-10-10 Sdl, Inc. Methods for forming group III-V arsenide-nitride semiconductor materials
KR960007835A (ko) * 1994-08-22 1996-03-22 강박광 청색 발광성 질화갈륨 적층막의 제조방법
US6996150B1 (en) 1994-09-14 2006-02-07 Rohm Co., Ltd. Semiconductor light emitting device and manufacturing method therefor
JP3564645B2 (ja) * 1995-01-27 2004-09-15 株式会社日鉱マテリアルズ 窒化ガリウム系半導体結晶の成長方法
JP3557011B2 (ja) 1995-03-30 2004-08-25 株式会社東芝 半導体発光素子、及びその製造方法
US5739554A (en) * 1995-05-08 1998-04-14 Cree Research, Inc. Double heterojunction light emitting diode with gallium nitride active layer
JPH0992882A (ja) * 1995-09-25 1997-04-04 Mitsubishi Electric Corp 半導体発光素子，及びその製造方法
US5923058A (en) * 1995-11-09 1999-07-13 Northrop Grumman Corporation Aluminum gallium nitride heterojunction bipolar transistor
US5641975A (en) * 1995-11-09 1997-06-24 Northrop Grumman Corporation Aluminum gallium nitride based heterojunction bipolar transistor
US5915164A (en) * 1995-12-28 1999-06-22 U.S. Philips Corporation Methods of making high voltage GaN-A1N based semiconductor devices
JP3164016B2 (ja) * 1996-05-31 2001-05-08 住友電気工業株式会社 発光素子および発光素子用ウエハの製造方法
US6284395B1 (en) 1997-03-05 2001-09-04 Corning Applied Technologies Corp. Nitride based semiconductors and devices
KR19980079320A (ko) * 1997-03-24 1998-11-25 기다오까다까시 고품질 쥐에이엔계층의 선택성장방법, 고품질 쥐에이엔계층 성장기판 및 고품질 쥐에이엔계층 성장기판상에 제작하는 반도체디바이스
EP0874405A3 (de) * 1997-03-25 2004-09-15 Mitsubishi Cable Industries, Ltd. Element auf Basis von GaN mit niedriger Versetzungsdichte, seine Verwendung und Herstellungsverfahren
EP2234142A1 (de) 1997-04-11 2010-09-29 Nichia Corporation Nitridhalbleitersubstrat
WO1999005728A1 (en) 1997-07-25 1999-02-04 Nichia Chemical Industries, Ltd. Nitride semiconductor device
JPH11135882A (ja) 1997-10-28 1999-05-21 Sharp Corp 化合物半導体基板、及び化合物半導体基板の製造方法、並びに発光素子
GB2331307A (en) * 1997-11-15 1999-05-19 Sharp Kk Growth of buffer layer by molecular beam epitaxy
US6051849A (en) 1998-02-27 2000-04-18 North Carolina State University Gallium nitride semiconductor structures including a lateral gallium nitride layer that extends from an underlying gallium nitride layer
US6608327B1 (en) * 1998-02-27 2003-08-19 North Carolina State University Gallium nitride semiconductor structure including laterally offset patterned layers
JPH11297631A (ja) 1998-04-14 1999-10-29 Matsushita Electron Corp 窒化物系化合物半導体の成長方法
US6180270B1 (en) * 1998-04-24 2001-01-30 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Low defect density gallium nitride epilayer and method of preparing the same
US6265289B1 (en) 1998-06-10 2001-07-24 North Carolina State University Methods of fabricating gallium nitride semiconductor layers by lateral growth from sidewalls into trenches, and gallium nitride semiconductor structures fabricated thereby
KR100304881B1 (ko) * 1998-10-15 2001-10-12 구자홍 Gan계화합물반도체및그의결정성장방법
JP3505405B2 (ja) * 1998-10-22 2004-03-08 三洋電機株式会社 半導体素子及びその製造方法
US6255198B1 (en) 1998-11-24 2001-07-03 North Carolina State University Methods of fabricating gallium nitride microelectronic layers on silicon layers and gallium nitride microelectronic structures formed thereby
US6177688B1 (en) 1998-11-24 2001-01-23 North Carolina State University Pendeoepitaxial gallium nitride semiconductor layers on silcon carbide substrates
JP3770014B2 (ja) 1999-02-09 2006-04-26 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子
DE60043536D1 (de) 1999-03-04 2010-01-28 Nichia Corp Nitridhalbleiterlaserelement
US6713789B1 (en) 1999-03-31 2004-03-30 Toyoda Gosei Co., Ltd. Group III nitride compound semiconductor device and method of producing the same
KR20010029852A (ko) 1999-06-30 2001-04-16 도다 다다히데 Ⅲ족 질화물계 화합물 반도체 소자 및 그 제조방법
US6531719B2 (en) 1999-09-29 2003-03-11 Toyoda Gosei Co., Ltd. Group III nitride compound semiconductor device
US6521514B1 (en) 1999-11-17 2003-02-18 North Carolina State University Pendeoepitaxial methods of fabricating gallium nitride semiconductor layers on sapphire substrates
US6380108B1 (en) 1999-12-21 2002-04-30 North Carolina State University Pendeoepitaxial methods of fabricating gallium nitride semiconductor layers on weak posts, and gallium nitride semiconductor structures fabricated thereby
US6403451B1 (en) 2000-02-09 2002-06-11 Noerh Carolina State University Methods of fabricating gallium nitride semiconductor layers on substrates including non-gallium nitride posts
US6261929B1 (en) 2000-02-24 2001-07-17 North Carolina State University Methods of forming a plurality of semiconductor layers using spaced trench arrays
JP3946427B2 (ja) 2000-03-29 2007-07-18 株式会社東芝 エピタキシャル成長用基板の製造方法及びこのエピタキシャル成長用基板を用いた半導体装置の製造方法
US6852161B2 (en) 2000-08-18 2005-02-08 Showa Denko K.K. Method of fabricating group-iii nitride semiconductor crystal, method of fabricating gallium nitride-based compound semiconductor, gallium nitride-based compound semiconductor, gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device, and light source using the semiconductor light-emitting device
JP4867064B2 (ja) 2000-11-17 2012-02-01 住友化学株式会社 発光素子用３−５族化合物半導体およびその製造方法
US6956250B2 (en) 2001-02-23 2005-10-18 Nitronex Corporation Gallium nitride materials including thermally conductive regions
US20040029365A1 (en) * 2001-05-07 2004-02-12 Linthicum Kevin J. Methods of fabricating gallium nitride microelectronic layers on silicon layers and gallium nitride microelectronic structures formed thereby
TWI222104B (en) 2001-09-06 2004-10-11 Toshiba Ceramics Co Semiconductor wafer and method of fabricating the same
JP4766642B2 (ja) * 2001-09-06 2011-09-07 コバレントマテリアル株式会社 ＳｉＣ半導体とＳｉＣエピタキシャル成長方法
US7030428B2 (en) * 2001-12-03 2006-04-18 Cree, Inc. Strain balanced nitride heterojunction transistors
US8236103B2 (en) 2002-02-15 2012-08-07 Showa Denko K.K. Group III nitride semiconductor crystal, production method thereof and group III nitride semiconductor epitaxial wafer
GB2410836B (en) 2002-11-29 2006-06-07 Sumitomo Chemical Co 3-5 group compound semiconductor and method for producing the same
US7091524B2 (en) * 2003-03-25 2006-08-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device and method for fabricating the same
US20050006635A1 (en) * 2003-03-26 2005-01-13 Kyocera Corporation Semiconductor apparatus, method for growing nitride semiconductor and method for producing semiconductor apparatus
KR100486614B1 (ko) * 2004-03-05 2005-05-03 에피밸리 주식회사 낮은 접촉저항을 가지는 ⅲ-질화물반도체 발광소자
US9524869B2 (en) 2004-03-11 2016-12-20 Epistar Corporation Nitride-based semiconductor light-emitting device
US7928424B2 (en) * 2004-03-11 2011-04-19 Epistar Corporation Nitride-based light-emitting device
TWI244222B (en) * 2004-03-11 2005-11-21 Epistar Corp A ternary nitride buffer layer containing nitride light-emitting device and manufacturing method of the same
US8562738B2 (en) 2004-03-11 2013-10-22 Epistar Corporation Nitride-based light-emitting device
KR100486177B1 (ko) * 2004-03-25 2005-05-06 에피밸리 주식회사 Ⅲ-질화물 반도체 발광소자
US7202141B2 (en) * 2004-03-29 2007-04-10 J.P. Sercel Associates, Inc. Method of separating layers of material
JP4833616B2 (ja) 2004-09-13 2011-12-07 昭和電工株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体の製造方法
DE102004048453A1 (de) * 2004-10-05 2006-04-20 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Verfahren zur Erhöhung des Umsatzes von Gruppe-III-Metall zu Gruppe-III-Nitrid in einer Gruppe-III-haltigen Metallschmelze
US7253451B2 (en) * 2004-11-29 2007-08-07 Epivalley Co., Ltd. III-nitride semiconductor light emitting device
FI20045482A0 (fi) 2004-12-14 2004-12-14 Optogan Oy Matalamman dislokaatiotiheyden omaava puolijohdesubstraatti, ja menetelmä sen valmistamiseksi
US7652299B2 (en) 2005-02-14 2010-01-26 Showa Denko K.K. Nitride semiconductor light-emitting device and method for fabrication thereof
JP4735949B2 (ja) * 2005-04-08 2011-07-27 日立電線株式会社 Ｉｉｉ−ｖ族窒化物半導体結晶の製造方法およびｉｉｉ−ｖ族窒化物半導体基板の製造方法
JP4849296B2 (ja) * 2005-04-11 2012-01-11 日立電線株式会社 ＧａＮ基板
US8168000B2 (en) * 2005-06-15 2012-05-01 International Rectifier Corporation III-nitride semiconductor device fabrication
KR100565894B1 (ko) * 2005-07-06 2006-03-31 (주)룩셀런트 3족 질화물 반도체 발광소자의 활성층을 제어하는 방법
US7951617B2 (en) * 2005-10-06 2011-05-31 Showa Denko K.K. Group III nitride semiconductor stacked structure and production method thereof
KR101008285B1 (ko) * 2005-10-28 2011-01-13 주식회사 에피밸리 3족 질화물 반도체 발광소자
KR101008588B1 (ko) * 2005-11-16 2011-01-17 주식회사 에피밸리 3족 질화물 반도체 발광소자
WO2007119919A1 (en) * 2006-04-18 2007-10-25 Epivalley Co., Ltd. Iii-nitride semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same
KR101066135B1 (ko) 2006-05-10 2011-09-20 쇼와 덴코 가부시키가이샤 Ⅲ족 질화물 화합물 반도체 적층 구조체
US8227284B2 (en) 2006-08-18 2012-07-24 Showa Denko K.K. Group-III nitride compound semiconductor light-emitting device, method of manufacturing group-III nitride compound semiconductor light-emitting device, and lamp
US20080315240A1 (en) * 2006-08-31 2008-12-25 Epivalley Co., Ltd. III-Nitride Semiconductor light Emitting Device
JP2008109084A (ja) * 2006-09-26 2008-05-08 Showa Denko Kk Ｉｉｉ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びｉｉｉ族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプ
EP2071053B1 (de) * 2006-09-29 2019-02-27 Toyoda Gosei Co., Ltd. Filmbildungsverfahren für gruppe-iii-nitrid-halbleiterlaminatstruktur
JP5272361B2 (ja) 2006-10-20 2013-08-28 豊田合成株式会社 スパッタ成膜装置およびスパッタ成膜装置用のバッキングプレート
JP2008124060A (ja) 2006-11-08 2008-05-29 Showa Denko Kk Ｉｉｉ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びｉｉｉ族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプ
JP4912843B2 (ja) 2006-11-22 2012-04-11 昭和電工株式会社 Ｉｉｉ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法
JP2008153603A (ja) 2006-12-20 2008-07-03 Showa Denko Kk Ｉｉｉ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びｉｉｉ族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプ
JP2008177525A (ja) 2006-12-20 2008-07-31 Showa Denko Kk Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法、及びｉｉｉ族窒化物半導体発光素子、並びにランプ
JP2008177523A (ja) * 2006-12-20 2008-07-31 Showa Denko Kk Ｉｉｉ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びｉｉｉ族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプ
JP4191227B2 (ja) * 2007-02-21 2008-12-03 昭和電工株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法及びｉｉｉ族窒化物半導体発光素子並びにランプ
JP5261969B2 (ja) * 2007-04-27 2013-08-14 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物化合物半導体発光素子
US7749785B2 (en) 2007-05-02 2010-07-06 Showa Denko K.K. Manufacturing method of group III nitride semiconductor light-emitting device
JP5237274B2 (ja) * 2007-06-28 2013-07-17 京セラ株式会社 発光素子及び照明装置
JP2009016505A (ja) * 2007-07-03 2009-01-22 Showa Denko Kk Ｉｉｉ族窒化物化合物半導体発光素子
JP4714712B2 (ja) 2007-07-04 2011-06-29 昭和電工株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプ
TWI341600B (en) * 2007-08-31 2011-05-01 Huga Optotech Inc Light optoelectronic device and forming method thereof
KR20090034169A (ko) * 2007-10-02 2009-04-07 주식회사 에피밸리 3족 질화물 반도체 발광소자
KR20090034163A (ko) 2007-10-02 2009-04-07 주식회사 에피밸리 3족 질화물 반도체 발광소자
DE102007057241A1 (de) * 2007-11-28 2009-06-04 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Schichtenstapels auf einem kristallinen Substrat und Anordnung umfassend einen auf einem Substrat angeordneten Schichtenstapel
JP5272390B2 (ja) 2007-11-29 2013-08-28 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体の製造方法、ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法、及びｉｉｉ族窒化物半導体発光素子、並びにランプ
KR100947676B1 (ko) * 2007-12-17 2010-03-16 주식회사 에피밸리 3족 질화물 반도체 발광소자
KR20090073935A (ko) * 2007-12-31 2009-07-03 주식회사 에피밸리 3족 질화물 반도체 발광소자
KR100972852B1 (ko) * 2007-12-31 2010-07-28 주식회사 에피밸리 3족 질화물 반도체 발광소자 및 그 제조방법
JP2009190936A (ja) * 2008-02-14 2009-08-27 Sumitomo Electric Ind Ltd Ｉｉｉ族窒化物結晶の製造方法
KR101159995B1 (ko) 2008-03-13 2012-06-25 쇼와 덴코 가부시키가이샤 Ⅲ족 질화물 반도체 소자 및 그 제조 방법, ⅲ족 질화물 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법, 및 램프
TWI362769B (en) 2008-05-09 2012-04-21 Univ Nat Chiao Tung Light emitting device and fabrication method therefor
JP2009277882A (ja) 2008-05-14 2009-11-26 Showa Denko Kk Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法及びｉｉｉ族窒化物半導体発光素子、並びにランプ
KR100988041B1 (ko) * 2008-05-15 2010-10-18 주식회사 에피밸리 반도체 발광소자
KR100941616B1 (ko) * 2008-05-15 2010-02-11 주식회사 에피밸리 반도체 발광소자
JP2009295753A (ja) 2008-06-04 2009-12-17 Showa Denko Kk Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法及びｉｉｉ族窒化物半導体発光素子、並びにランプ
KR100997908B1 (ko) * 2008-09-10 2010-12-02 박은현 3족 질화물 반도체 발광소자
JPWO2010032423A1 (ja) 2008-09-16 2012-02-02 昭和電工株式会社 Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子の製造方法、ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子並びにランプ、ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子ウエーハの発光波長分布のばらつき低減方法
KR100981275B1 (ko) * 2008-09-25 2010-09-10 주식회사 에피밸리 3족 질화물 반도체 발광소자
KR101009651B1 (ko) * 2008-10-15 2011-01-19 박은현 3족 질화물 반도체 발광소자
US20100102352A1 (en) * 2008-10-24 2010-04-29 Epivalley Co., Ltd. III-Nitride Semiconductor Light Emitting Device
US20100102338A1 (en) * 2008-10-24 2010-04-29 Epivalley Co., Ltd. III-Nitride Semiconductor Light Emitting Device
KR100960280B1 (ko) * 2008-12-02 2010-06-04 주식회사 에피밸리 3족 질화물 반도체 발광소자
US8101965B2 (en) * 2008-12-02 2012-01-24 Epivalley Co., Ltd. III-nitride semiconductor light emitting device having a multilayered pad
US20100140656A1 (en) * 2008-12-04 2010-06-10 Epivalley Co., Ltd. Semiconductor Light-Emitting Device
KR101000276B1 (ko) * 2008-12-04 2010-12-10 주식회사 에피밸리 반도체 발광소자
WO2010141994A1 (en) * 2009-06-12 2010-12-16 The Silanna Group Pty Ltd Process for producing a semiconductor-on-sapphire article
JP2009239315A (ja) * 2009-07-17 2009-10-15 Sharp Corp 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体装置の製造方法
JP5916980B2 (ja) * 2009-09-11 2016-05-11 シャープ株式会社 窒化物半導体発光ダイオード素子の製造方法
KR101134063B1 (ko) * 2009-09-30 2012-04-13 주식회사 세미콘라이트 3족 질화물 반도체 발광소자
EP2544250B1 (de) 2010-03-01 2020-01-08 Sharp Kabushiki Kaisha Verfahren zur herstellung eines nitridhalbleiterelements, lichtemittierendes nitridhalbleiterelement und lichtemittierende vorrichtung
CN103403886B (zh) 2010-12-29 2017-05-10 夏普株式会社 氮化物半导体结构、发光元件、晶体管元件及其制造方法
CN106475289B (zh) * 2011-09-14 2019-09-06 玛太克司马特股份有限公司 Led制造方法、led制造设备和led
CN104641453B (zh) * 2012-10-12 2018-03-30 住友电气工业株式会社 Iii族氮化物复合衬底及其制造方法以及制造iii族氮化物半导体器件的方法
CN104638068B (zh) * 2013-11-07 2018-08-24 上海蓝光科技有限公司 一种用于ⅲ-ⅴ族氮化物生长的衬底结构及其制备方法
US9960127B2 (en) 2016-05-18 2018-05-01 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. High-power amplifier package
US10134658B2 (en) 2016-08-10 2018-11-20 Macom Technology Solutions Holdings, Inc. High power transistors
US11280027B2 (en) * 2017-12-21 2022-03-22 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Composite nitride-based film structure and method for manufacturing same

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0277597A2 (de) * 1987-01-31 1988-08-10 Toyoda Gosei Co., Ltd. Gallium-Nitrid Halbleiter-Lumisneszenzdiode sowie Verfahren zu deren Herstellung

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4614961A (en) * 1984-10-09 1986-09-30 Honeywell Inc. Tunable cut-off UV detector based on the aluminum gallium nitride material system
US4616248A (en) * 1985-05-20 1986-10-07 Honeywell Inc. UV photocathode using negative electron affinity effect in Alx Ga1 N

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0277597A2 (de) * 1987-01-31 1988-08-10 Toyoda Gosei Co., Ltd. Gallium-Nitrid Halbleiter-Lumisneszenzdiode sowie Verfahren zu deren Herstellung

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"App. Phys. Lett." 42(1983) S. 427-429 *

Cited By (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6472690B1 (en) 1990-02-28 2002-10-29 Toyoda Gosei Co., Ltd. Gallium nitride group compound semiconductor
US6593599B1 (en) 1990-02-28 2003-07-15 Japan Science And Technology Corporation Light-emitting semiconductor device using gallium nitride group compound
US6249012B1 (en) 1990-02-28 2001-06-19 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting semiconductor device using gallium nitride group compound
US6984536B2 (en) 1990-02-28 2006-01-10 Toyoda Gosei Co., Ltd. Method for manufacturing a gallium nitride group compound semiconductor
US5733796A (en) * 1990-02-28 1998-03-31 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting semiconductor device using gallium nitride group compound
US6607595B1 (en) 1990-02-28 2003-08-19 Toyoda Gosei Co., Ltd. Method for producing a light-emitting semiconductor device
US6362017B1 (en) 1990-02-28 2002-03-26 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light-emitting semiconductor device using gallium nitride group compound
US6472689B1 (en) 1990-02-28 2002-10-29 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting device
US6830992B1 (en) 1990-02-28 2004-12-14 Toyoda Gosei Co., Ltd. Method for manufacturing a gallium nitride group compound semiconductor
US5290393A (en) * 1991-01-31 1994-03-01 Nichia Kagaku Kogyo K.K. Crystal growth method for gallium nitride-based compound semiconductor
EP0497350A1 (de) * 1991-01-31 1992-08-05 Nichia Kagaku Kogyo K.K. Kristallzuchtverfahren für Halbleiter auf Galliumnitrid-Basis
US5633192A (en) * 1991-03-18 1997-05-27 Boston University Method for epitaxially growing gallium nitride layers
US5686738A (en) * 1991-03-18 1997-11-11 Trustees Of Boston University Highly insulating monocrystalline gallium nitride thin films
US6123768A (en) * 1991-03-18 2000-09-26 The Trustees Of Boston University Method for the preparation and doping of highly insulating monocrystalline gallium nitride thin films
US5725674A (en) * 1991-03-18 1998-03-10 Trustees Of Boston University Device and method for epitaxially growing gallium nitride layers
US5389571A (en) * 1991-12-18 1995-02-14 Hiroshi Amano Method of fabricating a gallium nitride based semiconductor device with an aluminum and nitrogen containing intermediate layer
US5716450A (en) * 1994-04-08 1998-02-10 Japan Energy Corporation Growing method of gallium nitride related compound semiconductor crystal and gallium nitride related compound semiconductor device
EP0711853A4 (de) * 1994-04-08 1996-09-11 Japan Energy Corp Verfahren zum züchten von galliumnitridhalbleiterkristallen und vorrichtung
EP0711853A1 (de) * 1994-04-08 1996-05-15 Japan Energy Corporation Verfahren zum züchten von galliumnitridhalbleiterkristallen und vorrichtung
US5714006A (en) * 1994-12-20 1998-02-03 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of growing compound semiconductor layer
DE19547781A1 (de) * 1994-12-20 1996-06-27 Mitsubishi Electric Corp Verfahren des Aufwachsens einer Verbindungshalbleiterschicht
DE19603782A1 (de) * 1995-02-03 1996-08-08 Sumitomo Chemical Co III-V Halbleiterstruktur, Verfahren zu ihrer Herstellung und lichtemittierendes Element
US5847397A (en) * 1995-07-07 1998-12-08 Trustees Of Boston University Photodetectors using III-V nitrides
US5677538A (en) * 1995-07-07 1997-10-14 Trustees Of Boston University Photodetectors using III-V nitrides
DE19629720C2 (de) * 1995-07-27 1999-02-11 Nec Corp Herstellungsverfahren für eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung
DE19629720A1 (de) * 1995-07-27 1997-02-13 Nec Corp Lichtemittierende Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren dafür
WO1997008356A3 (en) * 1995-08-18 1997-04-24 Steven P Denbaars Modified metalorganic chemical vapor deposition of group III-V thin layers
WO1997008356A2 (en) * 1995-08-18 1997-03-06 The Regents Of The University Of California Modified metalorganic chemical vapor deposition of group iii-v thin layers
EP0846791A1 (de) * 1996-12-05 1998-06-10 Sony Corporation Verfahren zur Zuchtung von Schichten aus III-V Nitrid Halbleiterverbindung und Verfahren zur Herstellung eines Substrats aus III-V Nitrid Halbleiterverbindung
US5993542A (en) * 1996-12-05 1999-11-30 Sony Corporation Method for growing nitride III-V compound semiconductor layers and method for fabricating a nitride III-V compound semiconductor substrate
DE102006041003B4 (de) * 2006-08-31 2017-08-24 Advanced Micro Devices, Inc. Verfahren zur Bestimmung einer Orientierung eines Kristallgitters eines ersten Substrats relativ zu einem Kristallgitter eines zweiten Substrats

Also Published As

Publication number Publication date
JPH02229476A (ja) 1990-09-12
US5122845A (en) 1992-06-16
DE4006449C2 (de) 1995-02-02
JP3026087B2 (ja) 2000-03-27

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