DE4100683C2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- DE4100683C2 DE4100683C2 DE4100683A DE4100683A DE4100683C2 DE 4100683 C2 DE4100683 C2 DE 4100683C2 DE 4100683 A DE4100683 A DE 4100683A DE 4100683 A DE4100683 A DE 4100683A DE 4100683 C2 DE4100683 C2 DE 4100683C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- frequency
- crystal
- circuit
- signal
- output
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 110
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 13
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 claims description 8
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 claims 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 claims 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 14
- 239000010408 film Substances 0.000 description 14
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 13
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 12
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 10
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 10
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 230000010363 phase shift Effects 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 description 5
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 3
- 230000009191 jumping Effects 0.000 description 3
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000010960 commercial process Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- VYQRBKCKQCRYEE-UHFFFAOYSA-N ctk1a7239 Chemical compound C12=CC=CC=C2N2CC=CC3=NC=CC1=C32 VYQRBKCKQCRYEE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000003340 mental effect Effects 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
- C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
- C23C14/545—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material
- C23C14/546—Controlling the film thickness or evaporation rate using measurement on deposited material using crystal oscillators
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B7/00—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques
- G01B7/02—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring length, width or thickness
- G01B7/06—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness
- G01B7/063—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness using piezoelectric resonators
- G01B7/066—Measuring arrangements characterised by the use of electric or magnetic techniques for measuring length, width or thickness for measuring thickness using piezoelectric resonators for measuring thickness of coating
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R23/00—Arrangements for measuring frequencies; Arrangements for analysing frequency spectra
- G01R23/02—Arrangements for measuring frequency, e.g. pulse repetition rate; Arrangements for measuring period of current or voltage
- G01R23/06—Arrangements for measuring frequency, e.g. pulse repetition rate; Arrangements for measuring period of current or voltage by converting frequency into an amplitude of current or voltage
- G01R23/07—Arrangements for measuring frequency, e.g. pulse repetition rate; Arrangements for measuring period of current or voltage by converting frequency into an amplitude of current or voltage using response of circuits tuned on resonance, e.g. grid-drip meter
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R29/00—Arrangements for measuring or indicating electric quantities not covered by groups G01R19/00 - G01R27/00
- G01R29/22—Measuring piezoelectric properties
Description
Die Erfindung betrifft Quarzkristallsensoren zum Überwachen
der Niederschlagsgeschwindigkeit dünner Filme auf einem
Substrat gemäß dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1. Insbe
sondere richtet sich die Erfindung auf eine verbesserte
Schaltungsanordnung zum Stützen der Schwingung eines piezo
elektrischen Quarzkristalls und zum Messen der Resonanzfre
quenz bzw. Resonanzfrequenzen.
Es ist bekannt, piezoelektrische Quarzkristalle zum Über
wachen der Filmdicke und der Wachstumsgeschwindigkeit von im
Vakuum niedergeschlagenen dünnen Filmen zu verwenden, siehe
US-PSen 48 17 430, 42 07 836, 43 11 725. Ein Filmdickensen
sor mit einem Mehrfachkristall ist in der US-Patentanmeldung
4 30 428 vom 2.11.1989 erläutert. Diese Monitoren oder Senso
ren können sowohl zum Überwachen des im Vakuum erfolgenden
Niederschlagsverfahrens sowie zum genauen Steuern der
deponierten Materialmenge und der Niederschlagsgeschwindig
keit Verwendung finden. Die Resonanzfrequenz des Kristalls
fällt mit wachsender Dicke des deponierten Films. Wird der
Film auf den Meßkristall niedergeschlagen, so verschlechtert
sich die Schärfe der Resonanz, so daß es immer schwieriger
wird, die eigentliche Kristallresonanz von anderen Reso
nanzen zu unterscheiden und die Frequenz genau zu messen.
Das heißt, daß die natürlichen Resonanzen jedes Kristall von
der Gesamtmasse und der Geometrie abhgängig sind.
Bei den Monitoren der geschilderten Art handelt es sich um
piezoelektrische Kristalle, aus Quarz, Barium, Titanat oder
einem anderen Material. Die Kristalle sind in einer Reso
nanzschaltung derart geschaltet, daß die natürliche Reso
nanzfrequenz eines Kristalls überwacht werden kann. Die
natürliche Resonanzfrequenz sinkt, wenn Material sich auf
dem Kristall ablagert. Mit wachsender Materialanhäufung
verringert sich die Schärfe der Resonanz, und endlich wird
ein Punkt erreicht, bei dem der Kristall den Prozeß nicht
mehr genau und wirksam überwachen kann. Dann muß der Kri
stall ausgewechselt werden. Wird der Niederschlag auf dem
Kristall immer dicker, so führt die angesammelte Masse zu
einer Änderung der Resonanzfrequenz des Kristalls und der
Oszillatorschaltung. Die bisherigen Schaltungsanordnungen
sehen keine Möglichkeit vor, die Dichte des abgelagerten
Materials zu berücksichtigen oder zu kompensieren, auch
machen die bekannten Anordnungen keinen Gebrauch von der
akustischen Scherwellengeschwindigkeit, um die Sensorschal
tung zwecks Anpassung an den Kristall zu korrigieren. Im
Handel verfügbare Schaltungen mit piezoelektrischen Quarz
kristallen sind in der Lage, Dickenmessungen mit einer
Auflösung von kleiner als 0,1 nm auszuführen. Solche Prozeß
steuergeräte benutzen diese Information zum Korrigieren der
Niederschlagsgeschwindigkeit durch Leistungsänderung der
Niederschlagsquelle. Der Leistungspegel kann bis zu 5-10mal
in der Sekunde geändert werden. Diese Kristalle sind sehr
empfindlich auf Massenzuwachs. Eine Monoschicht Kupfer auf
einem 6 MHz Monitorkristall verringert dessen Resonanz
frequenz um etwa 20 Hz. In erster Näherung ist die Empfind
lichkeit proportional der Dichte des abgelagerten Materials,
und ein Material höherer Dichte als Kupfer führt zu einer
Empfindlichkeit in der Größenordnung von 10 Hz/Å. Die Güte
bestimmt sich deshalb danach, wie gut die Frequenz in einer
sehr kurzen Zeitspanne gemessen werden kann. Jede Frequenz
instabilität des Oszillator/Kristallsystems führt zu einer
Ungenauigkeit der gemessenen Filmdicke. Da die Dickeninfor
mation in einer Rückführschleife verarbeitet wird, führen
Meßfehler dazu, daß die Niederschlagsgeschwindigkeit insta
bil wird. Wird die Frequenzinstabilität groß, so kann dies
zu einem wesentlichen Fehler der Enddicke des Filmes führen.
Handelsübliche Prozeßsteuergeräte benutzen eine sog. "perio
dische" Messung zur Bestimmung der Resonanz des Quarzkri
stalls. Ein stabiler, hochfrequenter Bezugsoszillator wird
als Zeitgeber benutzt, um die Zeitspanne oder Periode zu
messen, die natürlich von der Frequenz des Kristalls be
stimmt ist. Eine Instabilität oder Ungenauigkeit des Bezugs
oszillators läßt sich dabei von einer Änderung der Resonanz
frequenz im Kristall nicht unterscheiden. Dies führt zu
einem Fehler bei der Bestimmung der Filmdicke.
Meßrauschen oder zufällige Fehler können verringert werden,
indem eine längere Zeitspanne gewählt wird, um durch Durch
schnittsbildung eine größere Glättung zu erreichen. Die
Genauigkeit kann auch dadurch gesteigert werden, daß ein
Bezugsoszillator mit erhöhter Stabilität bei einer höheren
Frequenz gewählt wird.
Gegenwärtige Prozeßsteuerschaltungen verwenden Oszillatoren
in einem Frequenzbereich zwischen 10-225 MHz. Die besten
Geräte besitzen eine Stabilität, die groß genug ist, um
Kristallfrequenzen mit einer Auflösung von 0,2 Hz in einem
Intervall oder einer Periode von 200 ms zu messen. Dies
entspricht einem Fehler der Filmdicke reichlich kleiner als
0,1 nm für Materialien durchschnittlicher Dichte.
Gemessen an der Enddicke des niedergeschlagenen Films ist
ein derartiger Fehler unwesentlich, doch spielen Meßfehler
von Bruchteilen eines Å eine wesentliche Rolle bei der
Steuerung der Geschwindigkeit, insbesondere bei kleinen
Niederschlagsgeschwindigkeiten. Die Stabilität in der Rück
führschleife erfordert es für viele Evaporatoren, daß die
Messungen der Dicke mehrfach pro Sekunde erfolgt. So ist es
üblich, die Filmdicke zu messen und den Steuerfaktor min
destens viermal in der Sekunde nachzustellen. Oft wird eine
noch häufigere Nachstellung gewünscht. Bei kleinen Nieder
schlagsgeschwindigkeiten ist die Änderung der Filmdicke und
die entsprechende Änderung der Kristallfrequenz zwischen den
einzelnen Messungen sehr klein. Für Materialien geringer
Dichte ist die Frequenzänderung des Quarzkristalls zwischen
den Messungen nicht größer als der Meßfehler, der von Rau
schen und der Genauigkeit des Bezugsoszillators herrührt.
Deshalb ist fehlende Genauigkeit für eine stabile Geschwin
digkeitssteuerung bei niedrigen Niederschlagsgeschwindigkei
ten ein sehr ernstes Problem und die Schaltung kann nicht
zwischen Frequenzänderungen infolge niedergeschlagenen
Materials und Frequenzänderungen durch Rauschen und/oder
Ungenauigkeit unterscheiden. Sind die Istwerte der Fre
quenzänderungen in der gleichen Größenordnung wie die
Fehler, so sind auch die Befehle vom Steuergerät fehlerhaft,
und die Regelung der Niederschlagsgeschwindigkeit ist stark
beeinträchtigt.
Bei bekannten Meßanordnungen treten zwei Fehlerquellen auf:
Es handelt sich um Unzulänglickeiten der Meßgenauigkeit und
um Instabilitäten des Kristalls. Die erste Unzulänglichkeit
resultiert aus kurzen Tastzeiten sowie den Stabilitätsgren
zen des Bezugsgenerators. Die zweiten Unzulänglichkeiten
resultieren aus Instabilitäten des Kristalls und der
Oszillatorschaltung, so daß die Meßgenauigkeit absinkt.
Piezoelektrische Kristalle spielen zusätzlich zu ihrer Ver
wendbarkeit als Niederschlagsmeßwandler eine große Rolle als
Elemente zum Stabilisieren der Frequenz, weil sie in einem
schmalen Frequenzbereich einen breiten Bereich der Phasen
verschiebung aufweisen. Diese Eigenschaft verleiht dem
Kristalloszillator eine größere Frequenzstabilität, weil die
Phasenanforderung zur stabilen Schwingung in einem ziemlich
schmalen Bereich der Frequenzen erfüllt werden kann. Diese
Frequenzstabilität kann man sogar bei sehr starkem Rauschen
erreichen, da die Phasenkomponente des Rauschens mit einer
kleinen Frequenzänderung ausgelöscht wird.
Wird jedoch der Quarzkristall als Monitor des Niederschlages
verwendet, so verschwindet das wünschenswerte Verhältnis
zwischen Phase und Frequenz, sobald auf den Kristall Masse
aufgelagert wird. Wird diese Masse größer, so ist eine
größere Frequenzänderung erforderlich, um den gleichen
Betrag Phasenverschiebung zu erzeugen. Jedes Rauschen im
Oszillator und der Schaltung für den Kristall führt zu einer
wesentlichen Frequenzänderung, die nicht auf die Masse
bezogen ist. Dies ist ein wesentlicher Grund zur Instabi
lität und Verschlechterung der Kristalleigenschaften gegen
Ende der Lebensdauer des Kristalls.
Gegen Ende der Kristallebensdauer ist es deshalb nicht immer
möglich, eine ausreichende Phasenverschiebung in der funda
mentalen Scherwelle zu erzeugen, um die Anforderungen des
Oszillators zu erfüllen. In diesem Fall kann ein anderer
Schwingungsmodus des Kristalls besser geeignet sein, die
erforderliche Phasenverschiebung und Verstärkung zu erzie
len. Der gealterte Kristall zwingt die Schaltung, in diesem
Modus zu schwingen, und dabei ergibt sich eine neue Frequenz.
Gegenwärtige Meßschaltungen sind nicht in der Lage, diese
Änderung zwischen den Schwingungsmodi zu verhindern, und die
Folge ist, daß das angeschlossene Gerät eine fehlerhafte
Dickeninformation liefert. Der Wechsel zwischen den Schwin
gungsmodi wird "Modusspringen" genannt und stellt ein
ernstliches Problem hinsichtlich der Geschwindigkeitsrege
lung und Abschaltung bei Erreichen der Enddicke dar.
Ist kein anderer Schwingungsmodus vorhanden, mit dem die
Anforderungen an Phase und Verstärkung des Oszillators
erfüllt werden können, so ist die Funktion der Schaltung in
Frage gestellt. Dann ist auch die Fähigkeit zur Dickenmes
sung verloren. In manchen Fällen ist es möglich, daß die
Meßschaltung diese Eigenschaft erkennt und daß das Erzeugen
falscher Werte verhindert wird. In diesem Zustand muß der
Kristall ausgewechselt werden, doch muß das Verfahren dabei
angehalten und die Vakuumkammer geöffnet werden.
Der Erfindung liegt somit die Aufgabe zugrunde, eine Schal
tungsanordnung der eingangs geschilderten Art derart auszu
bilden, daß die geschilderten Nachteile vermieden werden,
wobei die Frequenzänderung der Resonanzfrequenzen des
Kristalls aktiv überwacht werden, ohne daß hierzu der Kri
stall als Teil der Oszillatortreiberschaltung verwendet
wird. Ferner liegt der Erfindung die Aufgabe zugrunde, das
vorgenannte Modus-Springen zu vermeiden, so daß die Kristal
le länger Verwendung finden können als in den bekannten
Schaltungen.
Ferner soll es mit der erfindungsgemäßen Schaltung möglich
sein, die parallele Komponente des fundamentalen Scherwel
lenmodus eines AT-Cut Quarzkristalls zu bestimmen, sowie
die serielle Komponente des fundamentalen Scherwellenmodus
eines AT-Cut Quarzkristalls, die serielle bzw. parallele
Komponente für jeden, insbesondere den sich willkürlich
einstellenden Modus eines derartigen Kristalls oder die
serielle oder parallele Komponente jedes willkürlichen Modus
eines piezoelektrischen Kristalls mit beliebigem Schnitt.
Auch ist erfindungsgemäß sichergestellt, daß der beobachtete
Schwingungsmodus des Kristalls derjenige ist, der für diesen
Kristall vorbestimmt ist, so daß die auf dem Kristall abgela
gerte Masse mit größerer Genauigkeit gemessen werden kann.
Die erfindungsgemäße Schaltung macht es auch möglich, daß
ein piezoelektrischer Kristall mit unterschiedlichen Fre
quenzen sehr rasch überprüft werden kann und daß die den
spezifischen Resonanzmodi des Kristalls entsprechenden
Frequenzen erzeugt und gespeichert werden können.
Ferner soll es möglich sein, im voraus kalibrierte Resonanz
daten für mehrere piezoelektrische Kristalle zu speichern,
so daß jeder Kristall sofort nach dem Auswechseln zum Über
wachen der Filmdicke Verwendung finden kann.
Schließlich soll die Monitorschaltung auch Mittel zum
Kompensieren unerwünschter parasitärer Reaktanzen aufweisen,
wie sie von Leitungen, Halteeinrichtungen, Flanschen und
anderen Elementen herrühren.
Erfindungsgemäß besitzt die Überwachungsschaltung ein unab
hängiges Oszillatorsystem mit intelligenten Fähigkeiten. Der
unabhängige Oszillator macht es möglich, dem Kristall einen
Bereich von Frequenzen zuzuführen. Mit den intelligenten
Eigenschaften ist es möglich, die Resonanzen zu bestimmen
und zu speichern sowie zu messen und zu analysieren, wie die
Kristallmonitore auf Frequenzen in der Nachbarschaft dieser
Resonanzen ansprechen. Damit kann festgelegt werden, daß die
Schwingungsmodi der Kristalle dem fundamentalen Schermodus
entsprechen, doch können auch andere Schwingungsmodi festge
stellt und identifiziert sowie ihre Frequenzen gemessen
werden. Selbst wenn Rauschen in der Schaltung vorhanden ist,
das bei üblichen Oszillatoren zum Modusspringen oder zum
Abbrechen der Schwingung führen würde, ist der intelligente
Oszillator in der Lage, das Rauschen von der Kristallantwort
zu unterscheiden und die Schwingung im gewünschten Modus zu
halten. Die Überwachungsschaltung ist somit in der Lage, die
Eigenschaften des Kristalls dauerhaft zu überwachen, auch
dann, wenn der Kristall keine ausreichende Phasenverschie
bung mehr liefert, um das Oszillieren in einer bekannten
Schaltung zu starten. Mit der erfindungsgemäßen Schaltung
können die Hersteller dünner Filme die Filmdicke genauer in
der gesamten Kristallebenszeit bestimmen, insbesondere auch
gegen Ende der Lebensdauer des Kristalls, um die Lebensdauer
gegenüber bekannten Geräten wesentlich zu erhöhen.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist nachstehend anhand
der Zeichnung näher erläutert. Es zeigt
Fig. 1 ein Blockdiagramm einer Detektorschaltung mit
angeschlossener Steuerschaltung und
Fig. 2 ein Schaltungsschema eines Ausschnitts der in
Fig. 1 dargestellten Schaltung.
In Fig. 1 besteht eine Überwachungsschaltung 10 aus einem
ersten Abschnitt 11 mit einem piezoelektrischen Kristall 12,
auf dem sich Dämpfe in der Vakuumniederschlagskammer 13
ablagern können. In der Kammer ist ein Bedampfungsofen 14
angeordnet, der an eine Energieversorgung 15 angeschlossen
ist. Für den Fall, daß der Kristall 12 Bestandteil eines
Mehrfachkristalldetektors ist, ist auch ein Kristallselektor
16 vorgesehen. Zwei Leiter 17 des Kristalls 12 sind über
eine Durchführung 18 mit einem äußeren Kabel 19 verbunden,
das an den Anschluß eines zweiten Abschnitts 20 führt, der
in einem Abstand von der Kammer 13 in der Größenordnung bis
zu zwei Metern angeordnet ist.
Der zweite Abschnitt 20 ist mit einem Hochfrequenzeingang 21
und einem Leistungseingang 22 versehen. Am Hochfrequenzein
gang 21 steht ein Radiofrequenzsignal bekannter Größe und
Phase an und damit am Eingang einer Duplexschaltung 23, die
als Sender und Empfänger dient. Die Duplexschaltung 23 hat
einen ersten Ausgang für das RF-Signal über einen Anschluß
24 und das Kabel 19 zum Kristall 12. Ein Rückführsignal des
Kristalls 12 gelangt über einen zweiten Anschluß der Duplex
schaltung 23 zu einem Verstärker und Begrenzer 25, der ein
Ausgangssignal SIG zu einem Phasendetektor 26 liefert. Ein
Eingang eines Bezugsverstärkers und Begrenzers 27 ist an den
Hochfrequenzeingang 21 angeschlossen, und der Ausgang liefert
ein Bezugssignal REF von der gleichen Phase und Frequenz wie
das hochfrequente Oszillatorsignal zu einem zweiten Eingang
des Phasendetektors 26. Dieser hat einen Phasenausgang, des
sen Wert von dem Phasenverhältnis zwischen den Signalen SIG
und REF abhängig ist.
Ein Signalpegeldetektor 28 ist an einen Ausgang des Signal
verstärkers und Begrenzers 25 angeschlossen und liefert
einen Ausgangspegel, der der Amplitude des Antwortsignals
SIG des Kristalls 12 entspricht. Eine Treiberschaltung 29
für die Phase und eine Treiberschaltung 30 für den Signal
pegel verstärken Phase und Pegel der Signale, die über
Leiter eines Kabels (31) zu einem dritten Abschnitt 32 der
Monitorschaltung übertragen werden. Das Kabel 31 kann bis zu
30 m lang sein, ohne die Meßgenauigkeit zu verschlechtern.
Im dritten Abschnitt 32 ist ein Mikrocontroller 33 vorgese
hen, der über einen digitalen Mehrkanalbus 34 an andere
Elemente sowie einen direkten digitalen Synthesizer 35 ange
schlossen ist. Der Synthesizer 35 erzeugt ein Hochfrequenz
treibersignal mit einer Frequenzauflösung von 0,005 Hz in
einem Frequenzbereich zwischen 0 und 8 MHz. Dieses Präzi
sionssignal gelangt zu einem Hochfrequenzausgang 36, der
ebenfalls über einen Leiter im Kabel 31 mit dem Hochfre
quenzeingang 21 im zweiten Abschnitt 20 verbunden ist.
Ein A/D-Wandler 37 erhält den Signaleingang von beiden
Treiberschaltungen 29 und 30 und der digitale Ausgang ist an
den Mikrocontroller 33 angeschlossen. Ein D/A-Wandler 38 ist
über einen digitalen Bus 34 an den Mikrocontroller 33 ange
schlossen. Ein erster Ausgang des Wandlers 38 ist über eine
Steuerleitung 39 an die Energieversorgung 15 angeschlossen,
um den Ofen 14 im ersten Abschnitt zu steuern. Der Wandler
38 besitzt einen zweiten Ausgang,der über einen Leiter 40 im
Kabel 31 mit einer Kabelkompensierschaltung 41 im zweiten
Abschnitt 20 verbunden ist. Die Kabelkompensierschaltung 41
ist an die Duplexschaltung 23 angeschlossen und kompensiert
automatisch jede vom Kabel 19 der Durchführung 18 und den
Halterungen des Kristalls 12 herrührenden Reaktanzen.
Einzelheiten des zweiten Abschnitts 20 sind in der Schaltung
der Fig. 2 dargestellt, wobei gleiche Elemente der beiden
Figuren mit gleichen Bezugszeichen versehen sind. Die Du
plexschaltung 23 besteht aus einem ersten Transformator 42,
dessen Primärwicklung 43 an den Hochfrequenzeingang 21 ange
schlossen ist und dessen Sekundärwicklung 44 in Reihe mit
dem Kristall 12 über die obere Hälfte der Primärwicklung 45
eines zweiten Transformators 46 und den Anschluß 24 geschal
tet ist. Die Sekundärwicklung 47 des Transformators 46 ist
mit dem Verstärker und Begrenzer 25 verbunden. Das untere
Ende des zweiten Teils der primären Wicklung 45 ist an die
Kabelkompensierschaltung 41 angeschlossen. In der darge
stellten Ausführungsform ist für die Kabelkompensierschal
tung 41 eine Varaktor-Diode 48, d. h. eine Diode veränderli
cher Kapazität vorgesehen, deren Katode an die Sekundär
wicklung 45 des Transformators 46 und über einen Widerstand
49 an einen Anschluß angeschlossen ist, an dem eine Kompen
sierspannung Vcomp über den Leiter 40 her ansteht. Die
Anoder der Diode 48 ist über einen Widerstand 50 an eine
negative Bezugsspannung -Vd und über einen Kondensator 51 an
Masse angeschlossen.
Der Hochfrequenzeingang 21 ist über einen Impedanzanpaß
transformator 52 mit dem Bezugsverstärker und Begrenzer 27
verbunden. Dabei ist der Phasendetektor 26 eine Multipli
zierstufe, deren Eingänge an den Verstärker und Begrenzer 25
sowie an den Bezugsverstärker und Begrenzer 27 angeschlossen
sind. Auch hierbei ist der Pegeldetektor 28 an eine erste
Stufe des Verstärkers und Begrenzers 25 angeschlossen, um
den Signalpegel zu erzeugen, der über die Treiberschaltung
30 als Signalpegelausgang zum A/D-Wandler 37 übertragen
wird.
Die Vorrichtungen zum Haltern und Kühlen des Quarzkristalls
12 sind nicht dargestellt.
Der hauptsächliche Vorteil der Überwachungsschaltung 10 be
steht in ihrer Fähigkeit, den Kristall 12 schnell und genau
zu testen, um seine Resonanz zu bestimmen, wenn er mit
spezifischen Frequenzen stimuliert wird. Die vom Mikrocon
troller 33 auszuführenden Algorithmen senden Frequenzbefehle
zum Synthesizer 35, der gemäß diesen Informationen eine
Sinuswelle mit hoher Frequenz und Phasengenauigkeit erzeugt.
Die synthesierte Welle kann in einer Periode in der Größen
ordnung von Mikrosekunden nach Frequenz und Phase genau
verändert werden.
Die synthesierte Hochfrequenzsinuswelle wird dann vom
zweiten Abschnitt 20 empfangen und über die Duplexschaltung
23 zum Kristall 12 übertragen, wobei gleichzeitig die
Reaktanz des Kristalls 12 zurückgeführt wird. Das Antwort
signal SIG wird in der Duplexschaltung 23 vom Sendesignal
getrennt und in der Schaltung 25 verstärkt und begrenzt und
zum Phasendetektor 26 übertragen. Gleichzeitig gelangt auch
das synthesierte RF-Signal als Bezugssignal über die Ver
stärker und Begrenzerschaltung 27 zum Phasendetektor 26.
Ist die im Synthesizer 35 erzeugte Frequenz gleich der Reso
nanzfrequenz des Kristalls 12, so besteht zwischen dem
Bezugssignal und dem Antwortsignal eine Phasenverschiebung
von 90°. Bei Frequenzen von mehreren hundert Hertz und der
Kristallresonanz beträgt die Phasenverschiebung zwischen dem
Sendesignal und dem Antwortsignal im wesentlichen 0°, wäh
rend bei Frequenzen von mehreren hundert Hertz über der
Kristallresonanz die Phasenverschiebung zwischen dem Sende-
und Antwortsignal sich an 180° annähert. Diese Phasenver
schiebung wird im Phasendetektor 26 genau gemessen und wird
zur Bestimmung der Resonanzfrequenz verwendet.
Die Genauigkeit in der Phasenbestimmung des Sende- und Ant
wortsignals ist dadurch bedingt, daß beide Signale REF und
SIG in den Schaltungen 25 und 27 verstärkt und beschnitten
werden, worauf dann beide Signale zum Phasendetektor geführt
werden, wobei der Ausgang des Phasendetektors 26 Null V
beträgt, wenn das REF-Signal dem Antwortsignal SIG um 90°
voreilt. Der Phasendetektorausgang ist dann auf einem posi
tiven oder negativen Spannungspegel entsprechend der
Phasendifferenz zwischen den Signalen REF und SIG, so daß
sich ein diskreter Vorzeichenwechsel einstellt, wenn das
synthesierte Signal einen Durchgang durch die Kristallreso
nanzfrequenz hat. Die Treiberschaltung 29 konditioniert das
Phasensignal, das als Spannungswert zum Wandler 37 im
dritten Abschnitt 32 geführt wird. Dann wandelt der Wandler
37 den Spannungspegel der Phasendifferenz in ein digitales
Signal für den Mikrocontroller 33. Dieser ist mit einem
Programm zum Steuern der Frequenz und Phase des Synthesizers
35 versehen, so daß der Kristall 12 in dem oszillierenden
Wellenmodus von größtem Interesse gehalten wird. Dies
erfolgt mit Hilfe eines digitalen Rückführsignals, das den
Ausgang des Wandlers 37 auf Null Pegel hält, indem Frequenz
und Phase des Synthesizers 35 ständig geändert werden.
Die Bauteile für den Synthesizer 35 und den A/D-Wandler 37
sind handelsüblich. Auch andere Bauteile sind verfügbar, um
die Frequenzantwort des Kristalls 12 in der Größenordnung
von bis zu 200 000fach/s mit einem 8 bit A/D Wandler 37 zu
testen. Dies entspricht einer SLEW-Geschwindigkeit von
128 kHz/s mit einer Genauigkeit von 0,005 Hz, wobei dies für
alle Zwecke ausreichend ist. Mit der einfachsten Strategie
läßt sich der Kristall in festen Frequenzintervallen testen,
wobei die Synthesizerfrequenz steigt oder fällt, abhängig
vom Vorzeichen des Ausgangs am Wandler 37. Kompliziertere
Strategien benutzen nicht nur die Vorzeicheninformation,
sondern auch den Ausgangswert, um Frequenzintervalle zu
testen, die näher zusammen oder weiter voneinander weg sind,
d. h. die Qualität der Resonanz wird getestet. Die beim
Testen kleinstmöglichen Frequenzdifferenzen sind nur durch
die Fähigkeit des Synthesizers 35 zur Frequenzerzeugung
begrenzt, wobei gegenwärtig diese Fähigkeit in der Größen
ordnung von 0,005 Hz liegt. Die Begrenzung hinsichtlich der
Feststellbarkeit der Resonanz ist durch das Rauschen der
Schaltkreise und des Niederschlagssystems bedingt sowie
durch die Auflösung des Wandlers 37. Diese Feststellbarkeit
ist gegenwärtig 0,005 Hz und setzt daher eine praktische
Grenze für die Auflösung des Systems. Mit dem Signalpegel 28
in dem zweiten Abschnitt 20 läßt sich das Meßsystem verbes
sern, um die Kristallaktivität bzw. Lebensdauer zu messen.
Wird Masse auf dem Kristall 12 abgelagert, so verschlechtert
sich das Verhältnis zwischen Phase und Frequenz und dies
verkleinert die Amplitude des Antwortsignals SIG des Kri
stalls bei seiner Resonanz. Der Pegel des Signals SIG wird
dann im Mikrocontroller 33 überwacht und die Information
wird dazu benutzt, um eine bevorstehenden oder möglichen
Ausfall des Kristalls anzuzeigen. Entsprechende Maßnahmen
können entweder händisch oder automatisch vom Mikrocon
troller 33 durchgeführt werden, um das Überwachen und
Steuern der Metallbedampfung ununterbrochen fortzuführen. So
lassen sich passende Algorithmen entwickelt, um die wahr
scheinliche noch bleibende Niederschlagszeit vorherzusagen,
die auf der Signalintensität beruht, sowie auf der Historie
des Kristalls 12 und der speziellen Klasse des Kristalls.
Die Kabelkompensierschaltung 41 dient zum elektronischen
Abstimmen der Duplexschaltung 23, um unerwünschte parasitäre
Reaktanzen der Kristallhalterung, der Durchführung 18 der
unterschiedlichen Kabellängen und anderer Quellen von Streu
kapazitanten zu eliminieren. In der Kabelkompensierschaltung
41 wirkt die veränderliche Reaktanz 48 mit der Transforma
torwicklung 45 zusammen. Das HF-Treibersignal mit einer
bestimmten Frequenz wird an die mittlere Anzapfung der
Wicklung 45 geführt und liegt dann in Reihe mit der verän
derlichen Reaktanz 48. Die Kapazitanz bzw. der Blindwider
stand des Elements 48 ergibt sich durch Einstellen der
Kompensationsspannung Vcomp bis der Ausgang der Sekundär
wicklung 47 des Transformators 46 kein Signal führt. Dies
erfolgt natürlich dann, wenn der Blindwiderstand des
veränderlichen Kondesators 48 den gleichen Wert hat wie die
parasitäre Reaktanz im Zweig der Schaltung zwischen der
Duplexschaltung 23 und dem Kristall 12. Ergibt sich der
Abgleich, so ist der Wechselstrom, der durch jede Hälfte der
Primärwicklung 45 fließt, gleich und entgegengesetzt in
Phase. Das Verfahren zum Kompensieren der parasitären Blind
widerstände kann mit einem passenden Programm im Mikrocon
troller 33 durchgeführt werden, beispielsweise durch sich
wiederholende Tests, indem eine Gleichspannung an den
veränderlichen Kondensator 48 geführt wird. Die Kompensation
parasitärer Blindwiderstände braucht nur anfänglich beim
Inbetriebsetzen des Systems durchgeführt werden und bedarf
keiner Änderung mehr während der Gesamtzeit der Überwachung
durch den Sensor.
Für Mehrfachkristalldetektoren kann die Kompensationsspan
nung Vcomp für jeden einzelnen Kristall 12 gespeichert und
dann automatisch beim Wechsel von einem Kristall zum anderen
zugeführt werden.
Die kritische Begrenzung der erfindungsgemäßen Schaltung ist
die Fähigkeit, die synthesierte Frequenz schnell genug zu
ändern, um einen Nulldurchgang im A/D-Wandler 37 zu erhal
ten, obwohl diese Frequenz während des Prozesses sich
ändert. Mit der erfindungsgemäßen Überwachungsschaltung 10
für die Filmdicke können die sich ändernden Resonanzfre
quenzen des Kristalls 12, an dem sich beispielsweise
Material ablagert, öfters gemessen werden als beim Stand der
Technik. Die Meßgenauigkeit ist nicht durch die Frequenz und
Stabilität des Kristalls 12 begrenzt noch durch das notwen
dige Zeitintervall, um Zähl- oder Taktimpulse in einen
Speicher zu laden. Erfindungsgemäß ist die Kombination der
Anzahl der in einer Sekunde durchzuführenden Proben und die
Größe der Frequenzintervalle zwischen den Proben maßgeblich.
ln einer praktischen Ausführung bestimmt sich die Auflösung
der Frequenzmessung durch die Größe des Frequenzinkrements.
Das Inkrement wird entsprechend der erwarteten Geschwindig
keit ausgewählt, mit der der Kristall infolge der Massen
anlagerung die Frequenz ändert. Das Produkt des Frequenzin
krements zwischen den Proben mal der Anzahl der Proben pro
Zeiteinheit liefert das Maß für die maximale Slew-Geschwin
digkeit. Die Slew-Geschwindigkeit muß um einen bestimmten
Wert größer sein als die Änderung in der Resonanzfrequenz
des Kristalls 12 pro Zeiteinheit, so daß die regelmäßig und
häufig getastete Frequenz den Phasendetektor 26 veranlaßt,
einen Nulldurchgang und damit eine 90° Phasendifferenz zu
haben. Der minimale praktische Wert für diese Randbedingung
der Slew-Geschwindigkeit liegt in der Größenordnung von
2-3fache der erwarteten Geschwindigkeit für die Frequenz
änderung.
Ein wesentlicher Vorteil eines AT-Schnitt-Quarzkristalls
liegt darin, daß der gewünschte fundamentale Scherwellen
modus der Schwingung die kleinste Frequenzresonanz aller
möglichen Modi ist. Der Mikrocontroller ist fähig, diese
Information zu verarbeiten, um den Schwingungsmodus für den
Kristall 12 zu identifizieren. Eine Frequenztastung zu
Beginn einer Prozeßsteuerung, nämlich eine breitbandige
Frequenztastung, die mit einer niedrigen Frequenz beginnt
und dann zu höheren Frequenzen ansteigt, trifft zuerst auf
den fundamentalen Schermodus und dann auf andere Kristallre
sonanzen, nämlich die ersten und zweiten unharmonischen, die
sich ebenfalls als nützlich erweisen können. Diese Tastung
benötigt nur eine sehr geringe Zeit und kann so häufig wie
erforderlich initiiert werden, abhängig vom Umgebungsrauschen
und der Erfahrung des Operators. Stellt sich eine Diskonti
nuität der überwachten Kristallfrequenz ein, so kann eine
Frequenztastung nochmals begonnen und der gewünschte Schwin
gungsmodus eingerichtet werden. Das Verhältnis zwischen
Frequenz und Phase des Kristalls 12 wird so bei weitem
weniger kritisch als beim Stand der Technik, weil man die
Kenntnis von der fundamentalen Scherwellenfrequenz erhält,
auch für einen gealterten Kristall, bei dem dieser Modus mit
bekannten Schaltungen nicht festgestellt werden konnte.
Claims (7)
1. Schaltungsanordnung zum Überwachen wenigstens
einer Resonanzfrequenz eines piezoelektrischen Kristalls,
auf dem eine Materialschicht im Vakuum deponiert wird, wobei
die Bedampfungsquelle des Materials gesteuert wird, gekenn
zeichnet durch folgende Schaltungskomponenten:
- a) ein steuerbarer Frequenzgenerator (33, 35) erzeugt ein Treibersignal mit einer Frequenz innerhalb eines Bandes von HF-Frequenzen, das wenigstens eine Resonanzfrequenz des piezoelektrischen Kristalls (12) beinhaltet,
- b) eine Duplexschaltung (23) ist eingangsseitig mit dem Frequenzgenerator (35) verbunden, um das Treibersignal zu empfangen, und ist ausgangsseitig über einen Anschluß (24) mit dem Kristall (12) verbunden, um das Treibersignal zum Kristall zu übertragen und ein Antwortsignal vom Kristall zu empfangen, dessen Frequenz gleich der Frequenz des Treiber signals ist und dessen Phase von der Annäherung der Treiber signalfrequenz an die Resonanzfrequenz des Kristalls bestimmt ist,
- c) ein Phasendetektor (26) erhält das Treibersignal und das Antwortsignal und liefert ein Phasenausgangssignal, dessen Wert zwischen einem negativen Pegel über Null zu einem posi tiven Pegel die relative Phase der Treiber- und Antwortsig nale anzeigt und
- d) ein Controller (32) ist an den Frequenzgenerator (33, 35) und den Phasendetektor (26) angeschlossen, um die Frequenz des Treibersignals gesteuert zu ändern und die Frequenz zu überwachen, bei der das Phasendetektorsignal einen Nullpegel besitzt, um die Frequenz jeder Resonanz bzw. jeder der Reso nanzen zu identifizieren.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch
gekennzeichnet, daß der Controller (32) die Frequenz wieder
holt bei einer Geschwindigkeit sendet, die größer ist als
die Geschwindigkeit, bei der die Kristallresonanz sich mit
wachsender Filmdicke ändert.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet, daß eine Kabelkompensierschaltung
(41) an die Duplexschaltung (23) angeschlossen ist, um die
Impedanz der leitfähigen Pfade für den Anschluß der Duplex
schaltung an den Kristall (12) zu kompensieren, wobei die
Kabelkompensierschaltung (41) eine spannungsgesteuerte
Impedanzeinrichtung (48) aufweist, die an die Duplex
schaltung (23) angeschlossen ist und einen Steueranschluß
(40) aufweist, an dem eine Steuerspannung ansteht, um eine
vorbestimmte Kompensierimpedanz für die spannungsgesteuerte
Impedanzeinrichtung auszuwählen.
4. Schaltungsanordnung nach Anspruch 3, dadurch
gekennzeichnet, daß der Controller eine Schaltung (38)
aufweist, um die Steuerspannung gemäß einem im Controller
gespeicherten vorbestimmten Wert zu erzeugen.
5. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis
4, dadurch gekennzeichnet, daß eine Anzeigeschaltung (25,
28) für den Pegel des Antwortsignals mit einem Eingang an
den Ausgangsanschluß der Duplexschaltung (23) angeschlossen
ist und an einem Ausgang (30) ein Pegelsignal für den Con
troller geliefert wird, das die Stärke des Antwortsignals
anzeigt.
6. Schaltungsanordnung nach einem der Ansprüche 1 bis
5, dadurch gekennzeichnet, daß der Phasendetektor einen Ver
stärker und Begrenzer (25) aufweist, bei dem ein Eingang an
den Ausgangsanschluß der Duplexschaltung (23) angeschlossen
ist und am Ausgang das Antwortsignal verstärkt und begrenzt
ansteht, sowie ein Bezugsverstärker und Begrenzer (27) mit
einem Eingang, der an den Eingang (21) der Duplexschaltung
(23) angeschlossen ist und mit einem Ausgang, an dem das
Treibersignal verstärkt und begrenzt ansteht, und daß Ein
gänge des Phasendetektors (26) jeweils an den Ausgang des
Verstärkers und Begrenzers (25) und des Bezugsverstärkers
und Begrenzers (27) angeschlossen sind und das Phasenaus
gangssignal am Ausgang (29) ansteht.
7. Schaltungsanordnung nach Anspruch 6, dadurch
gekennzeichnet, daß der Phasendetektor eine Multiplizier
stufe (26) ist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US07/464,371 US5117192A (en) | 1990-01-12 | 1990-01-12 | Control circuitry for quartz crystal deposition monitor |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4100683A1 DE4100683A1 (de) | 1991-07-18 |
DE4100683C2 true DE4100683C2 (de) | 1993-02-04 |
Family
ID=23843678
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4100683A Granted DE4100683A1 (de) | 1990-01-12 | 1991-01-11 | Schaltungsanordnung fuer quarzkristallmonitoren |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5117192A (de) |
JP (1) | JPH03221806A (de) |
DE (1) | DE4100683A1 (de) |
GB (1) | GB2240179B (de) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5285243A (en) * | 1992-06-12 | 1994-02-08 | Eastman Kodak Company | Method and apparatus for determining toner development rate |
US5885402A (en) * | 1996-07-17 | 1999-03-23 | Applied Materials | Diagnostic head assembly for plasma chamber |
WO1999045587A2 (en) | 1998-03-02 | 1999-09-10 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Etching method |
ES2153740B1 (es) * | 1998-07-08 | 2001-10-01 | Univ Valencia Politecnica | Sistema para compensar los efectos de rozamiento viscoso en la medida de la frecuencia de resonancia de un cristal piezometrico en un fluido |
US6370955B1 (en) | 1999-06-15 | 2002-04-16 | Massachusetts Institute Of Technology | High-temperature balance |
US6208153B1 (en) * | 1999-08-11 | 2001-03-27 | Transat Corporation | System for fast piezoelectric-resonator parameter measurements |
US6668618B2 (en) | 2001-04-23 | 2003-12-30 | Agilent Technologies, Inc. | Systems and methods of monitoring thin film deposition |
ES2197796B1 (es) * | 2002-01-31 | 2005-02-16 | Universidad Politecnica De Valencia | Sistema de caracterizacion de sensores de cristal de cuarzo resonante en medios fluidos, y procedimiento de calibracion y compensacion de la capacidad del cristal de cuarzo. |
US7888134B2 (en) | 2003-06-05 | 2011-02-15 | Oakland University | Immunosensors: scFv-linker design for surface immobilization |
JP2007516509A (ja) * | 2003-06-10 | 2007-06-21 | スミスズ ディテクション インコーポレイティド | センサ装置 |
US7464580B2 (en) * | 2005-09-26 | 2008-12-16 | Oakland University | Ionic liquid high temperature gas sensors |
US8375768B2 (en) * | 2006-03-30 | 2013-02-19 | Oakland University | Ionic liquid thin layer sensor for electrochemical and/or piezoelectric measurements |
US7886577B2 (en) | 2006-03-30 | 2011-02-15 | Oakland University | Devices with surface bound ionic liquids and method of use thereof |
US8088596B2 (en) * | 2006-10-10 | 2012-01-03 | Oakland University | Method of microorganism detection using carbohydrate and lectin recognition |
US20100266747A1 (en) * | 2009-04-21 | 2010-10-21 | Flir Systems, Inc. | Combined crystal/optical assembly and method of its use |
US9182378B2 (en) * | 2013-03-15 | 2015-11-10 | Inficon, Inc. | High capacity monitor crystal exchanger utilizing an organized 3-D storage structure |
US9506895B2 (en) | 2013-05-17 | 2016-11-29 | Inficon, Inc. | Combined crystal retainer and contact system for deposition monitor sensors |
JP6434965B2 (ja) | 2013-10-03 | 2018-12-05 | インフィコン インコーポレイティッド | 薄膜堆積監視 |
US9971341B2 (en) | 2014-01-06 | 2018-05-15 | Globalfoundries Inc. | Crystal oscillator and the use thereof in semiconductor fabrication |
US11726790B2 (en) * | 2019-12-12 | 2023-08-15 | Intel Corporation | Processor and instruction set for flexible qubit control with low memory overhead |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB1073293A (en) * | 1963-10-16 | 1967-06-21 | Edwards High Vacuum Int Ltd | Apparatus for controlling vapour deposition in a vacuum |
US3689747A (en) * | 1970-12-09 | 1972-09-05 | Ibm | Digital evaporation monitor system |
US3840804A (en) * | 1973-05-21 | 1974-10-08 | F Sauerland | Crystal frequency monitor |
US3864161A (en) * | 1973-08-10 | 1975-02-04 | Western Electric Co | Method and apparatus for adjusting resonators formed on a piezoelectric wafer |
US3967143A (en) * | 1974-10-10 | 1976-06-29 | Oki Electric Industry Company, Ltd. | Ultrasonic wave generator |
US4207836A (en) * | 1977-07-01 | 1980-06-17 | Hitachi, Ltd. | Vacuum vapor-deposition apparatus |
US4158805A (en) * | 1978-01-19 | 1979-06-19 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Method and apparatus for testing crystal elements |
US4166784A (en) * | 1978-04-28 | 1979-09-04 | Applied Films Lab, Inc. | Feedback control for vacuum deposition apparatus |
CH634424A5 (fr) * | 1978-08-18 | 1983-01-31 | Nat Res Dev | Procede et appareil de detection et de commande de depot d'une pellicule fine. |
GB2029017B (en) * | 1978-08-18 | 1982-10-13 | Holland L | Control of deposition of thin films |
JPS5610792A (en) * | 1979-07-06 | 1981-02-03 | Taga Denki Kk | Method and circuit for driving ultrasonic-wave converter |
US4447782A (en) * | 1982-03-17 | 1984-05-08 | Transat Corp. | Apparatus for automatic measurement of equivalent circuit parameters of piezoelectric resonators |
US4578634A (en) * | 1983-05-31 | 1986-03-25 | Westinghouse Electric Corp. | Apparatus for determining frequency versus acceleration characteristics for crystals |
DE3401140C1 (de) * | 1984-01-14 | 1985-08-29 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V., 8000 München | Vorrichtung zur kontinuierlichen Messung der Dicke |
US4579083A (en) * | 1984-01-21 | 1986-04-01 | Canadian Patents And Development Limited | Automatic variable rate evaporation source for thin film deposition |
SU1465825A1 (ru) * | 1986-11-25 | 1989-03-15 | Предприятие П/Я В-8941 | Способ определени параметров пьезоэлемента |
AT387286B (de) * | 1986-12-19 | 1988-12-27 | Avl Verbrennungskraft Messtech | Verfahren und einrichtung zur bestimmung von schwingungseigenschaften sowie zum betreiben eines piezoelektrischen wandlers |
DE3700366A1 (de) * | 1987-01-08 | 1988-07-21 | Leybold Ag | Einrichtung zum ermitteln der jeweiligen dicke von sich veraendernden material-schichten auf einem substrat waehrend des beschichtungsvorgangs |
US4888824A (en) * | 1988-10-05 | 1989-12-19 | Emhart Industries Inc. | Glass container wall thickness inspecting machine |
-
1990
- 1990-01-12 US US07/464,371 patent/US5117192A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-11-29 JP JP2333464A patent/JPH03221806A/ja active Pending
-
1991
- 1991-01-04 GB GB9100184A patent/GB2240179B/en not_active Expired - Fee Related
- 1991-01-11 DE DE4100683A patent/DE4100683A1/de active Granted
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2240179B (en) | 1993-10-13 |
DE4100683A1 (de) | 1991-07-18 |
JPH03221806A (ja) | 1991-09-30 |
US5117192A (en) | 1992-05-26 |
GB2240179A (en) | 1991-07-24 |
GB9100184D0 (en) | 1991-02-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE4100683C2 (de) | ||
DE4035240C2 (de) | Messen und Steuern des Beschichtens auf einem piezoelektrischen Meßkristall | |
DE4029984C2 (de) | ||
EP0272244B1 (de) | Verfahren und Einrichtung zur Bestimmung von Schwingungseigenschaften sowie zum Betreiben eines piezoelektrischen Wandlers | |
DE3700366C2 (de) | ||
DE2427374C2 (de) | Oszillator mit einer akustischen Oberflächenwellen-Verzögerungsleitung | |
DE10393009B4 (de) | Stabilisierung von Oszillatoren für einen leistungsarmen Radar-Füllstandtransmitter | |
DE10203461A1 (de) | Schwingungsgrenzstandsensor | |
EP3532808B1 (de) | Verfahren zur zustandsüberwachung eines elektromechanischen resonators | |
EP1470408B1 (de) | Vorrichtung zur messung der viskosität und/oder der dichte | |
DE102015106204A1 (de) | Frequenzgenerator mit zwei spannungsgesteuerten Oszillatoren | |
DE102016111134A1 (de) | Vibronischer Sensor | |
WO2011134723A1 (de) | VORRICHTUNG ZUR BESTIMMUNG UND/ODER ÜBERWACHUNG EINER PROZESSGRÖßE EINES MEDIUMS | |
EP0032358B1 (de) | Oszillator mit digitaler Temperaturkompensation | |
DE4013957A1 (de) | Linearisations-schaltungsanordnung und -verfahren fuer einen wobbel-generator | |
DE2530723C2 (de) | Einrichtung zur Messung der Phasenverschiebung in einer Anordnung gekoppelter Spulen | |
EP3513152A1 (de) | Kompensation einer phasenverschiebung zumindest einer komponente einer elektronik eines vibronischen sensors | |
DE3304223A1 (de) | Verfahren und vorrichtung zur feststellung der an- oder abwesenheit eines stoffs an einem detektor oder des abstands zwischen stoff und detektor | |
WO2004020948A1 (de) | Vibrationskreisel | |
DE102013202126B4 (de) | Elektrischer Schaltkreis mit einem steuerbaren Oszillator | |
DE1298831B (de) | Verfahren und Vorrichtung zur UEberwachung und Steuerung der Ablagerung eines verdampften Materials auf einer Unterlage innerhalb einer Vakuumbeschichtungsanlage | |
DE19812604C1 (de) | Vektorieller Netzwerkanalysator | |
DE3145309A1 (de) | Messverfahren zur bestimmung der dicke duenner schichten | |
DE2856397A1 (de) | Schaltungsanordnung zur erzielung eines gleichlaufs zwischen der oszillatorfrequenz und der resonanzfrequenz des eingangskreises eines ueberlagerungsempfaengers | |
AT414274B (de) | Verfahren zur bestimmung physikalischer oder chemischer parameter einer dünnen materialschicht |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OR8 | Request for search as to paragraph 43 lit. 1 sentence 1 patent law | ||
8105 | Search report available | ||
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |