DE4207568A1

DE4207568A1 - Ueberstrom-detektorschaltung fuer eine halbleiterleistungsvorrichtung

Info

Publication number: DE4207568A1
Application number: DE4207568A
Authority: DE
Inventors: Tatsuhiko Fujihira
Original assignee: Fuji Electric Co Ltd
Current assignee: Fuji Electric Co Ltd
Priority date: 1991-03-14
Filing date: 1992-03-10
Publication date: 1992-09-17
Anticipated expiration: 2012-03-11
Also published as: US5159516A; GB2253709A; GB9200706D0; GB2253709B; DE4207568C2

Description

Die Erfindung betrifft eine Überstrom-Detektorschaltung nach dem Oberbegriff des Patentanspruchs 1, das heißt eine Überstrom-Detektorschaltung für eine Halbleiterleistungs vorrichtung, wie sie in Schaltnetzteilen, Wechselrichtern zur Steuerung von Motoren und Steuerungen für die elektri sche Anlage von Kraftfahrzeugen eingesetzt werden. Insbe sondere betrifft die Erfindung eine Überstromdetektorschal tung, wie sie vorzugsweise in einem Leistungs-IC verwendet wird, das eine Halbleiterleistungsvorrichtung, ihre Steuer schaltung und ihre Überstrom-Schutzschaltung auf einem ein zigen Chip integriert enthält.

Halbleiterleistungsvorrichtungen wie bipolare Sperrschicht- Leistungstransistoren, Leistungs-MOSFETs (Metalloxid-Halb leiter-Feldeffekt-Transistoren) IGBTs (bipolare Transisto ren mit isoliertem Gate) werden zur Steuerung hoher Span nungen und großer Ströme in Schaltnetzteilen, Wechselrich tern zur Motorsteuerung und bei elektrischen Elementen der Kraftfahrzeugtechnik wie Solenoiden, Lampen und Gleich strommotorschaltern verwendet. Diese Halbleiterleistungs vorrichtungen weisen einen sicheren Arbeitsbereich (SOA = Safe Operation Area) in Verbindung mit der Höhe ihres Aus gangsstroms und dessen Stromflußdauer auf. Wenn ein diesen sicheren Arbeitsbereich übersteigender Strom für eine merk lich lange Zeit fließt, oder ein ungewollter Überstrom in folge des Kurzschlusses einer Last fließt, wird die Halb leiterleistungsvorrichtung überhitzt, was zu einem thermi schen Zusammenbruch führt. Um dies zu verhindern, sind diese Halbleiterleistungsvorrichtungen mit einer Schutz schaltung versehen, die den Ausgangsstrom und die Tempera tur in der Halbleiterleistungsvorrichtung überwacht und den Strom begrenzt oder unterbricht, falls ein Überstrom oder eine Überhitzung festgestellt wird.

Fig. 3 zeigt eine herkömmliche Schaltung, die in der Druck schrift D.L. Zaremba Jr., Electro Mini/Micro Northeast Conf. Rec., E. 10.4.1-E. 10.4.4. (1986) offenbart ist. In dieser Darstellung ist ein n-Kanal Leistungs-MOSFET 1 als Halbleiterleistungsvorrichtung zwischen ein Stromspiegel element 2 und einen Stromfühler geschaltet. Die Drainelek troden der beiden Elemente 1 und 2 sind zusammengeschlossen und als ein erster Hauptanschluß 3 (nachfolgend als Drain anschluß 3 bezeichnet) herausgeführt. Die Gateelektroden der beiden Elemente 1 und 2 sind zusammengeschlossen und als Gateanschluß 5 herausgeführt. Die Sourceelektroden der beiden Elemente 1 und 2 sind gesondert als ein zweiter Hauptanschluß 4 (nachfolgend als Sourceanschluß 4 bezeich net) bzw. als ein Stromspiegelanschluß 6 herausgeführt. Der Drainanschluß 3 ist mit dem Anschluß höheren Potentials (positive Seite) einer Stromquelle 8 über eine Last 7 ver bunden, während der Sourceanschluß 4 mit dem Anschluß nied rigeren Potentials (negative oder Masse-Seite) der Strom quelle 8 verbunden ist. Ein Hauptstrom I, der von der Stromquelle 8 dem MOSFET 1 über die Last 7 geliefert wird, wird auf diese Weise von einem Steuersignal gesteuert, das von einer Treiberschaltung 9 an den Gateanschluß 5 angelegt wird.

Eine Überstrom-Detektorschaltung 11 enthält einen Meßwider stand 12, eine Konstantspannungseinrichtung 13 und einen Komparator 14. Der Meßwiderstand 12 ist zwischen den Sour ceanschluß 4 und den Stromspiegelanschluß 6 geschaltet, so daß ein Nebenschlußstrom i, der mittels des Stromspiegel elements 2 in einem bestimmten Verhältnis von dem Haupt strom I abgezweigt wird, durch den Meßwiderstand 12 fließt. Die Konstantspannungseinrichtung 13, deren negative Seite mit dem Sourceanschluß 4 verbunden ist, erzeugt eine be stimmte Bezugsspannung Es. Der Komparator 14, dessen Ein gangsanschlüsse mit der positiven Seite der Konstantspan nungseinrichtung 13 und dem Stromspiegelanschluß 6 verbun den sind, vergleicht den Potentialabfall E über dem Meßwi derstand 12, der von dem Nebenschlußstrom i verursacht wird, mit der Bezugsspannung Es. Das Ausgangssignal des Komparators 14 wird über die Steuerschaltung 10 und die Treiberschaltung 9 auf den Gateanschluß 5 rückgekoppelt.

Bei der in vorstehend beschriebener Weise aufgebauten Schaltungsanordnung mit dem Leistungs-MOSFET 1 und der Überstrom-Detektorschaltung 11 kann die Höhe des Haupt stroms I durch Messen der Potentialdifferenz E über dem Meßwiderstand 12, die von dem Nebenschlußstrom i hervorge rufen wird, quantitativ gemessen werden. Dies beruht dar auf, daß der Nebenschlußstrom i, der durch das Stromspie gelelement 2 fließt, in einem festen Verhältnis (z. B. 1/10 000) von dem Hauptstrom I durch den Leistungs-MOSFET 1 abgezweigt wird.

Fig. 2 ist eine charakteristische graphische Darstellung, die den Zusammenhang zwischen dem Nebenschlußstrom i und der Potentialdifferenz E über dem Meßwiderstand 12 wieder gibt. Diese Graphik entspricht einem Fall, wo das Verhält nis i/I = 1/10 000 und der Widerstand des Meßwiderstands 12 500 Ω beträgt. Die Bezugsspannung Es der Konstantspannungs einrichtung 13 kann wie folgt bestimmt werden. Nimmt man an, daß die obere Grenze des Hauptstroms I im sicheren Ar beitsbereich (SOA) I = 2 A beträgt, dann ist der zugehörige Nebenschlußstrom i = 200 µA (= 1/10 000). In Fig. 2 ent spricht demnach der Nebenschlußstrom i einem Punkt P₁, bei dem die Potentialdifferenz E = 0,1 V ist. Wenn also die Be zugsspannung Es der Konstantspannungseinrichtung 13 auf 0,1 V eingestellt ist, kann eine Überschreitung des zulässigen Hauptstroms I mittels des Komparators 14 festgestellt wer den, wenn die Spannung E die Bezugsspannung Es von 0,1 V überschreitet. Auf diese Weise kann die Überhitzung des Leistungs-MOSFET unterdrückt werden und ein Zusammenbruchs fehler eines Leistungs-MOSFET kann dadurch verhindert wer den, daß ein Überstrom-Detektorsignal Vo an die Steuer schaltung 10 geliefert wird, wenn der Komparator fest stellt, daß die Voraussetzung E-Es < 0 erfüllt ist, so daß die Steuerschaltung 10 die Spannung am Gateanschluß 5 des Leistungs-MOSFET 1 über die Treiberschaltung 9 so steu ert, daß ein Schutzeingriff erfolgt, entweder durch Begren zung oder durch Unterbrechung des Hauptstroms I.

Bei dieser herkömmlichen Schaltung könnte man einen größe ren wirtschaftlichen Vorteil erwarten, wenn die gesamte in Fig. 3 gezeigte Schaltung in einem einzigen Leistungs-IC- Chip integriert wäre. In einem solchen Fall hätten aber Streuungen der Offsetspannung des Komparators einen grö ßeren Einfluß auf die Überstrom-Detektorfunktion der Über strom-Detektorschaltung. Streuungen der Offsetspannung von Komparatoren, wie sie bei zur Herstellung von Leistungs-ICs geeigneten Herstellungsverfahren auftreten, belaufen sich normalerweise auf etwa ± 10 mV, was ± 20 µA oder ± 10% Fehler bei der Meßgenauigkeit des gemessenen Stroms i gemäß Fig. 2 entspricht. Versucht man dagegen, Komparatoren mit geringerer Offsetspannungsstreuung herzustellen, dann ergibt sich ein neues Problem insofern, als das Verfahren zur Herstellung solcher Komparatoren nicht dem Herstel lungsverfahren des Leistungs-IC entspricht und daß die Her stellung solcher Komparatoren in einem gesonderten Verfah ren einen wirtschaftlichen Nachteil darstellt.

Der nachteilige Effekt einer Streuung der Offsetspannung des Komparators 14 kann auch auf andere Weise reduziert werden, wenn man nämlich den Widerstand des Meßwiderstands 12 deutlich erhöht, so daß die Spannung über dem Wider stand, die von dem Nebenschlußstrom i herrührt, erheblich ansteigt. Eine Erhöhung des Widerstands beeinflußt aber das Teilungsverhältnis des Nebenschlußstroms i zum Hauptstrom I und führt damit nicht zu einer Verbesserung der Meßgenauig keit eines Überstroms.

Aufgabe der Erfindung ist es daher, eine Überstrom-Detek torschaltung zu schaffen, die die nachteilige Auswirkung der Offsetspannungsstreuung eines Komparators auf die Ge nauigkeit der Überstrommessung vermeidet. Dabei soll die Überstrom-Detektorschaltung mit einem Verfahren herstellbar sein, das dem Herstellungsverfahren des Leistungs-IC ange paßt ist.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine Überstrom- Detektorschaltung gemäß Patentanspruch 1 gelöst.

Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind in den Un teransprüchen gekennzeichnet.

Da bei der erfindungsgemäßen Lösung die Konstantstromein richtung den Nebenschlußstrom, der proportional zu einem Anstieg des Hauptstroms anzusteigen tendiert, konstant hält, wird der Spannungsanstieg über der Konstantstromein richtung größer als der über dem Meßwiderstand der herkömm lichen Schaltung nach Fig. 3. Dies verringert den nachtei ligen Einfluß einer Offsetspannungsstreuung auf die Ge nauigkeit der Überstromermittlung um einen Betrag, der dem Anstieg der Spannung über der Konstantstromeinrichtung ent spricht, da die Änderung der Offsetspannung im Beurtei lungsabschnitt konstant gehalten wird. Folglich wird mit der Erfindung eine Überstrom-Detektorschaltung geschaffen, die einen geringeren Überstrom-Detektorfehler aufweist, als die bekannte Schaltung. Da ferner Offsetspannungsstreuungen gleicher Höhe wie bei der bekannten Schaltung erlaubt sind, ist in dem Beurteilungsabschnitt kein teuerer Komparator erforderlich, so daß eine billige, sehr genaue Überstrom- Detektorschaltung geschaffen wird.

Wenn ein MOSFET des Verarmungstyps als Konstantstromein richtung verwendet wird, kann die Auswirkung der Änderung der Offsetspannung auf den Beurteilungsabschnitt von dem herkömmlichen Wert von 7% auf 3% reduziert werden, da der Nebenschlußstrom innerhalb eines Bereichs jenseits der Ab schnürspannung des MOSFET leicht konstant gehalten werden kann. Da ferner eine Überstrom-Detektorschaltung auf einem einzigen Chip integriert mit einem Leistungs-MOSFET unter Verwendung eines Leistungs-IC-Herstellungsverfahrens leicht ausgebildet werden kann, ist die vorliegende Erfindung wirtschaftlich vorteilhaft.

Wenn ein MOSFET des Anreicherungstyps als Konstantstromein richtung verwendet wird und sein Gateanschluß mit einer Gatevorspannungsschaltung verbunden wird, wird nicht nur der nachteilige Effekt der Streuung oder Änderung der Off setspannung im Beurteilungsabschnitt verringert, sondern auch die Temperaturabhängigkeit der Überstrommessung, die von Temperaturänderungen der Schaltungselemente herrührt, kann korrigiert werden. Daher kann eine Halbleiterlei stungsvorrichtung oder ein Leistungs-IC mit einer sehr genauen Überstrom-Detektorschaltung realisiert werden.

Wenn sich der Beurteilungsabschnitt aus der Konstantspan nungseinrichtung und dem Komparator zusammensetzt, kann, da die Konstantstromeinrichtung Streuungen der Offsetspannung kompensiert, ohne Beeinträchtigung der Überstrommessung ein Komparator verwendet werden, der mit einem dem Herstel lungsprozeß für den Leistungs-IC entsprechenden Herstel lungsverfahren hergestellt werden kann.

Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend in Verbindung mit den Zeichnungen näher erläutert. Es zeigen:

Fig. 1 ein Schaltbild einer ersten Ausführungsform einer Überstrom-Detektorschaltung gemäß der Erfindung,

Fig. 2 eine graphische Darstellung, die eine Spannungs- Strom-Kennlinie eines Meßwiderstands der Überstrom- Detektorschaltung von Fig. 3 darstellt,

Fig. 3 ein Schaltbild einer Anordnung einer herkömmlichen Überstrom-Detektorschaltung,

Fig. 4 eine graphische Darstellung der Spannungs-Strom- Kennlinie einer Konstantstromeinrichtung der Über strom-Detektorschaltung von Fig. 1, und

Fig. 5 ein Schaltbild einer zweiten Ausführungsform einer Überstrom-Detektorschaltung gemäß der Erfindung.

Erste Ausführungsform

Fig. 1 ist ein Schaltbild, das eine erste Ausführungsform einer Überstrom-Detektorschaltung gemäß der Erfindung zeigt. In den Zeichnungen sind für Teile, die solchen der herkömmlichen Detektorschaltung entsprechen, gleiche Be zugszahlen verwendet, und solche Teile werden nicht noch einmal erläutert.

In Fig. 1 enthält eine Überstrom-Detektorschaltung 21 eine Konstantstromeinrichtung 22 und einen Beurteilungsabschnitt 23. Die Konstantstromeinrichtung 22 verwendet in dieser Ausführungsform einen MOSFET des Verarmungstyps, dessen Drainanschluß mit einem Stromspiegelanschluß 6 eines Lei stungs-MOSFET 1 verbunden ist und dessen Sourceanschluß und Gateanschluß gemeinsam an einen Sourceanschluß 4 als einen zweiten Hauptanschluß des Leistungs-MOSFET 1 angeschlossen sind. Der Beurteilungsabschnitt 23 enthält einen Komparator 14 und eine Konstantspannungseinrichtung 13. Der nicht-in vertierende und der invertierende Eingangsanschluß des Kom parators 14 sind mit dem Stromspiegelanschluß 6 bzw. dem positiven Anschluß der Konstantspannungseinrichtung 14 ver bunden. Der negative Anschluß der Konstantspannungseinrich tung 13 ist mit dem Sourceanschluß 4 verbunden. Der Kompa rator 13 vergleicht die Potentialdifferenz E über der Kon stantstromeinrichtung 22 mit einer vorbestimmten Bezugs spannung Es, die anfänglich in der Konstantspannungsein richtung 13 eingestellt wurde, und überträgt ein Überstrom- Detektorsignal Vo, das der Differenz zwischen den beiden Spannungen entspricht, an eine Steuerschaltung 10, wenn ein Überstrom festgestellt wird, so daß die Steuerschaltung 10 eine an einen Gateanschluß 5 über eine Treiberschaltung 9 angelegte Treiberspannung zur Regulierung des Überstroms steuert.

Fig. 4 zeigt eine Spannungs-Strom-Kennlinie, die die Ar beitsweise der Konstantstromeinrichtung 22 in der Über strom-Detektorschaltung 21 verdeutlicht. Die Konstantstrom einrichtung 22 enthält den MOSFET des Verarmungstyps, des sen Funktion es ist, den Nebenschlußstrom i als einen Drainstrom im Bereich jenseits der Abschnürspannung Po auf einem konstanten Wert zu halten.

Ein Arbeitspunkt P₂, der so bestimmt wird, daß die Poten tialdifferenz E über der Konstantstromeinrichtung 22 0,1 V wird, wenn der Nebenschlußstrom i = 200 µA beträgt, stellt einen Arbeitszustand ein, der dem des Meßwiderstands 12 der in Fig. 3 gezeigten bekannten Detektorschaltung entspricht. In diesem Fall wird die Konstantstromeinrichtung 22 so be trachtet, als entspräche ihr ein Ersatzwiderstand von 500 Ω. Der Komparator 14 vergleicht also die Potentialdifferenz E über der Konstantstromeinrichtung 22 mit der Bezugsspan nung Es und überträgt die Überstrom-Detektorspannung Vo an die Steuerschaltung 10, wenn ein Überstrom auftritt, wo durch der Hauptstrom gesteuert wird.

Wenn der durch den Leistungs-MOSFET fließende Hauptstrom I ansteigt, tendiert der Nebenschlußstrom i dazu, ebenfalls anzusteigen. In diesem Fall nimmt aber der Ersatz- oder In nenwiderstand der Konstantstromeinrichtung 22 zu, was den Anstieg des Nebenschlußstroms unterdrückt und ihn konstant hält. Demzufolge steigt die Potentialdifferenz E über der Konstantstromeinrichtung 22 als Folge eines Überstroms scharf an. Im Gegensatz dazu ändert sich die Streuung der Offsetspannung im Komparator 14 nicht. Deshalb steigt die Potentialdifferenz zwischen der gemessenen Spannung E und der Bezugsspannung Es scharf an, und die Überstrom-Detek torspannung Vo, die dieser Differenz entspricht, wird zur Steuerung des Überstroms an die Steuerschaltung 10 übertra gen. Bei dieser Ausführungsform ist der Grad des Anstiegs der Potentialdifferenz E über der Konstantstromeinrichtung 22 größer als der Grad des Anstiegs des Nebenschlußstroms i. Daher kann der nachteilige Einfluß der Offsetspan nungsstreuung des Komparators 14 auf die Genauigkeit der Überstromerfassung reduziert werden.

Als nächstes sollen die Ergebnisse eines Experiments erläu tert werden, das unter Verwendung eines Prototyps einer Überstrom-Detektorschaltung mit dem oben erwähnten Aufbau durchgeführt wurde. Überstrom-Detektortests wurden für 200 Leistungs-IC-Chips ausgeführt, von denen jedes integriert den Leistungs-MOSFET 1, die Steuerschaltung 10 und die Treiberschaltung 9 zusammen mit der Überstrom-Detektor schaltung 21 enthielt. Das Verhältnis der Standardabwei chung zum Mittelwert der gemessenen Überströme wurde ermit telt und mit dem verglichen, das für die in Fig. 3 gezeigte bekannte Schaltung erhalten wurde. Dies Verhältnis betrug für den Leistungs-IC der vorliegenden Ausführungsform der Erfindung etwa 3%, während dasjenige bei der bekannten Schaltung etwa 7% betrug. Das Experiment bewies damit, daß der Einfluß der Streuung der Offsetspannung auf die Genau igkeit der Überstromerfassung auf weniger als die Hälfte, nämlich von 7% auf 3% reduziert wurde, obwohl in dem Beur teilungsabschnitt 23 ein Komparator 14 benutzt wurde, der mit dem gleichen Herstellungsverfahren wie der Leistungs-IC hergestellt wurde. Darüber hinaus bewies die Prototypschal tung, daß die Überstrom-Detektorschaltung unter Verwendung des Herstellungsverfahrens für den Leistungs-IC in ähn licher Weise wie der herkömmliche Meßwiderstand 12 inte griert werden konnte, was einen positiven wirtschaftlichen Gewinn darstellt.

Zweite Ausführungsform

Fig. 5 ist ein Schaltbild einer zweiten Ausführungsform der Erfindung. Es unterscheidet sich von der ersten Ausfüh rungsform in folgendem. Eine Konstantstromeinrichtung 32 besteht aus einem MOSFET des Anreicherungstyps, dessen Drainanschluß mit einem Stromspiegelanschluß 6 verbunden ist und dessen Sourceanschluß mit einem Sourceanschluß 4 eines Leistungs-MOSFET 1 verbunden ist. Sein Gateanschluß ist mit dem Gateanschluß eines MOSFET 42 des Anreicherungs typs verbunden, der eine Gatevorspannungsschaltung 41 bil det. Diese Gatevorspannungsschaltung 41 enthält zusätzlich zu dem MOSFET 42 eine Konstantspannungsquelle 43, eine Z- Diode 46 sowie Widerstände 44 und 45, wie es in der Figur dargestellt ist. Die Gatevorspannungsschaltung 41 erfaßt die Änderung des Nebenschlußstroms i, der durch Drain und Source des MOSFET 42 des Anreicherungstyps fließt, als eine Änderung der Gatevorspannung des MOSFET 42 des Anreiche rungstyps, und hält den Nebenschlußstrom i durch Korrektur seiner Abweichung auf einem konstanten Wert. Die Tempera turabhängigkeit des Nebenschlußstroms i, die von Tempera turänderungen der Schaltungskomponenten herrührt, kann da durch korrigiert werden, daß diese Bestandteile auf einem einzigen Chip einschließlich der Gatevorspannungsschaltung 41 integriert werden.

Es sei darauf hingewiesen, daß es sich bei den oben be schriebenen Schaltungen lediglich um Ausführungsbeispiele der Erfindung handelt, an denen mannigfache Abänderungen möglich sind. Obwohl die oben beschriebenen Ausführungsbei spiele beispielsweise in Anwendung auf eine sogenannte nie derseitige Schaltung des Schaltertyps beschrieben wurden, bei der die Halbleiterleistungsvorrichtung mit dem Anschluß niedrigeren Potential (Masseseite) und die Last 7 mit dem Anschluß höheren Potentials (masseferne Seite) der Strom quelle 8 verbunden sind, ist die Erfindung nicht auf diese Anwendung beschränkt. Sie kann auch auf eine Schaltung des hochseitigen Schaltertyps oder eine Brückenschaltung ange wendet werden, und zwar im wesentlichen in gleicher Weise, wie die obigen Ausführungsformen auf eine niederseitige Schalt-Schaltung angewendet werden. Obwohl ferner die Aus führungsbeispiele unter Bezug auf einen n-Kanal-Leistungs- MOSFET beschrieben wurden, kann die Überstrom-Detektor schaltung gemäß der Erfindung auch für p-Kanal-Halbleiter leistungsvorrichtungen und anderen Halbleiterleistungsvor richtungen wie IGBTs und bipolare Sperrschichtleistungs transistoren angewendet werden.

Claims

1. Überstrom-Detektorschaltung zur Erfassung eines Überstromwerts eines Hauptstroms einer Halbleiterleistungs vorrichtung (1), die einen ersten und einen zweiten Haupt anschluß (3, 4) aufweist, durch die der Hauptstrom fließt, einen Steueranschluß (5) zur Steuerung des Hauptstroms und einen Stromspiegelanschluß (6), aus dem ein Nebenschluß strom, der von dem Hauptstrom in einem festgelegten Ver hältnis abgezweigt wurde, fließt, wobei der Überstromwert durch einen Anstieg der Potentialdifferenz über dem Strom spiegelanschluß (6) und dem zweiten Hauptanschluß (4) er faßt wird, gekennzeichnet durch eine Konstantstromeinrichtung (22), die zwischen den Stromspiegelanschluß (6) und den Hauptanschluß (4) geschal tet ist, um den Nebenschlußstrom konstant zu halten, und einen Beurteilungsabschnitt (23), der den Überstrom wert durch Vergleich einer Potentialdifferenz über der Kon stantstromeinrichtung (22) mit einer vorbestimmten Bezugs spannung (Es) ermittelt und ein Überstromdetektorsignal ausgibt, wenn ein Überstromzustand auftritt.

2. Überstrom-Detektorschaltung nach Anspruch 1, da durch gekennzeichnet, daß die Konstant stromeinrichtung einen MOSFET (22) des Verarmungstyps ent hält, dessen Gate- und Sourceanschlüsse gemeinsam mit dem zweiten Hauptanschluß (4) verbunden sind und dessen Drain anschluß mit dem Stromspiegelanschluß (6) verbunden ist.

3. Überstrom-Detektorschaltung nach Anspruch 1, da durch gekennzeichnet, daß die Konstant stromeinrichtung einen ersten MOSFET (32) des Anreiche rungstyps aufweist, dessen Sourceanschluß mit dem zweiten Hauptanschluß (4) verbunden ist, dessen Drainanschluß mit dem Stromspiegelanschluß (6) verbunden ist und dessen Gate anschluß mit einer Gatevorspannungsschaltung (41) verbunden ist, die an den Gateanschluß eine Vorspannung liefert.

4. Überstrom-Detektorschaltung nach Anspruch 3, da durch gekennzeichnet, daß die Gatevorspan nungsschaltung einen zweiten MOSFET (42) des Anreicherungs typs enthält, dessen Sourceanschluß mit der Source des er sten Anreicherungs-MOSFET (32) verbunden ist, dessen Gate mit dem Gate des ersten Anreicherungs-MOSFET (32) verbunden ist, einen Widerstand, dessen eines Ende mit einem Drain anschluß des zweiten Anreicherungs-MOSFET in einer solchen Weise verbunden ist, daß der zweite Anreicherungs-MOSFET und der Widerstand eine Reihenschaltung bilden, und eine Konstantspannungsquelle (43), die parallel zu dieser Rei henschaltung geschaltet ist.

5. Überstrom-Detektorschaltung nach einem der vorher gehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Beurteilungsabschnitt (23) einen Komparator (14) enthält, dessen erster Eingangsanschluß mit dem Stromspie gelanschluß (6) verbunden ist, und eine Konstantspannungs einrichtung (13), die zwischen einen zweiten Eingangsan schluß des Komparators (14) und den zweiten Hauptanschluß (4) geschaltet ist, um die vorbestimmte Bezugsspannung (Es) an den Komparator (14) zu liefern, wobei der Komparator be urteilt, daß der Hauptstrom einen Überstromwert aufweist, wenn die Potentialdifferenz über der Konstantstromeinrich tung die vorbestimmte Bezugsspannung übersteigt, und das Überstrom-Detektorsignal abgibt.