DE4221959A1 - Kondensator mit hoher dielektrizitaetskonstante und verfahren zur herstellung desselben - Google Patents

Kondensator mit hoher dielektrizitaetskonstante und verfahren zur herstellung desselben

Info

Publication number
DE4221959A1
DE4221959A1 DE4221959A DE4221959A DE4221959A1 DE 4221959 A1 DE4221959 A1 DE 4221959A1 DE 4221959 A DE4221959 A DE 4221959A DE 4221959 A DE4221959 A DE 4221959A DE 4221959 A1 DE4221959 A1 DE 4221959A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
film
oxide film
metal oxide
tantalum oxide
double
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE4221959A
Other languages
English (en)
Inventor
Erfinder Wird Nachtraeglich Benannt Der
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of DE4221959A1 publication Critical patent/DE4221959A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
    • H01L21/02109—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates
    • H01L21/02112—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer
    • H01L21/02172—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides
    • H01L21/02175—Forming insulating materials on a substrate characterised by the type of layer, e.g. type of material, porous/non-porous, pre-cursors, mixtures or laminates characterised by the material of the layer the material containing at least one metal element, e.g. metal oxides, metal nitrides, metal oxynitrides or metal carbides characterised by the metal
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L28/00—Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L28/40—Capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES OR LIGHT-SENSITIVE DEVICES, OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
    • H01G4/002—Details
    • H01G4/018—Dielectrics
    • H01G4/20—Dielectrics using combinations of dielectrics from more than one of groups H01G4/02 - H01G4/06
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T29/00—Metal working
    • Y10T29/43—Electric condenser making
    • Y10T29/435—Solid dielectric type

Description

Gebiet der Erfindung
Die Erfindung bezieht sich allgemein auf einen Kondensator mit hoher Dielektrizitätskonstante und insbesondere auf einen Kondensator mit hoher Dielektrizitätskonstante, der einen dielektrischen Mehrlagenfilm mit verbesserten dielektrischen Eigenschaften verwendet. Die Erfindung bezieht sich auch auf ein Verfahren zur Herstellung eines derartigen Kondensators mit hoher Dielektrizitätskonstante. Es wird derzeit erwogen, daß die Erfindung einen besonderen Nutzen bei integrierten Schaltkreisen mit sehr hohem Integrationsgrad (very large scale integrated circuits, VLSI's), wie beispielsweise bei Halbleiterspeichern, z. B. RAM's, bietet.
Beschreibung des Stands der Technik
VLSI's, wie beispielsweise Halbleiterspeichereinheiten mit hohem Speicherinhalt, verwenden Miniaturkondensatoren, die trotz ihrer kleinen Fläche eine hohe Kapazität haben müssen. Um die gewünschte hohe Kapazität zu erreichen, sind in derartigen Kondensatorzellen dielektrische Filme mit hoher Dielektrizitätskonstante, wie beispielsweise Tantaloxid(Ta₂O₅-)Filme, eingesetzt worden.
Allgemein werden derartige dielektrische Tantaloxid- Filme mittels einer chemischen Abscheidungstechnik aus der Dampfphase unter niedrigem Druck (LPCVD) gebildet.
Auf derartige Weise gebildete dielektrische Tantal­ oxid-Filme weisen jedoch ein Sauerstoffdefizit auf, das sich in Funktionsproblemen des Kondensators äußert, wie beispielsweise unzulässig hoher Leckstrom und unzulässig niedrige dielektrische Durchbruchspannung.
Ein Verfahren, das zur Überwindung der obenerwähnten Nachteile bei Tantaloxid-Filmen vorgeschlagen worden ist, ist im US-Patent 47 34 340, erteilt an Saito u. a., und im Artikel "Electrical Properties of Thin Ta₂O₅ Films Grown by Chemical Vapor Deposition", pp. 680-683, des IEDM Technical Digest (1986) von Saito u. a. beschrieben. Gemäß diesem Verfahren wird der dielektrische Film aus einer Mischung von Tantaloxid und Titanoxid gebildet. Dieses Verfahren löst jedoch das Sauerstoffdefizitproblem nur teilweise, da das Verhältnis von Ti zu Ta wegen der Löslichkeitsgrenze von Titan auf einen Bereich von 0,1 bis 4 Atomprozenten beschränkt ist.
Somit besteht noch immer ein Bedarf für einen Kondensator mit hoher Dielektrizitätskonstante, der die obenerwähnten Nachteile der derzeitig erhältlichen Kondensatoren mit hoher Dielektrizitätskonstante vollständig vermeidet. Die vorliegende Erfindung erfüllt diesen Bedarf, während sie auch einen Miniaturkondensator liefert, der eine höhere Dielektrizitätskonstante als die der derzeit erhältlichen Miniaturkondensatoren aufweist.
Zusammenfassung der Erfindung
Die vorliegende Erfindung umfaßt einen Film mit hoher Dielektrizitätskonstante, bestehend aus wenigstens einer ersten Doppelfilm-Lage, welche einen ersten Tan­ taloxid-Film und einen ersten Metalloxid-Film aufweist, der aus einem Metalloxid gebildet wird, dessen Valenz kleiner ist als die von Tantal und dessen Dielektrizitätskonstante größer oder gleich der von Tantaloxid ist. Der erste Metalloxid-Film hat vorzugsweise eine Dicke von weniger als etwa 50 Å, um dadurch die Bildung einer Säulenstruktur zu vermeiden, die als eine Hauptursache für das Problem des hohen Leckstroms erkannt wurde, das derzeit erhältlichen Kondensatoren mit hoher Dielektrizitätskonstante anhaftet. Der erste Tantaloxid-Film hat vorzugsweise eine Dicke im Bereich zwischen etwa 5 Å bis etwa 200 Å, wobei das Verhältnis der Dicke des ersten Tantaloxid-Films zur Dicke des ersten Metall­ oxid-Films im Bereich von 1 : 10 zu 100 : 1 liegt. Der Film mit der hohen Dielektrizitätskonstante weist weiterhin eine Vielzahl von zusätzlichen, auf der ersten Doppelfilm-Lage gebildeten Doppelfilm-Lage auf, um somit einen Mehrlagenfilm mit hoher Dielektrizitätskonstante zu liefern. Jede der zusätzlichen Doppel­ film-Lagen hat vorzugsweise den gleichen Aufbau wie die erste Doppelfilm-Lage. Weiterhin kann wahlweise eine zusätzliche einfache Lage von Tantaloxid oder Metalloxid auf einer der höchsten Doppelfilm-Lagen gebildet werden.
Die vorliegende Erfindung umfaßt auch einen Kondensator mit hoher Dielektrizitätskonstante, der den oben beschriebenen Film mit hoher Dielektrizitätskonstante sowie ein Verfahren zur Herstellung desselben beinhaltet.
Kurze Beschreibung der Zeichnungen
Diese und diverse andere Eigenschaften und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden unter Bezug auf die folgende detaillierte Beschreibung in Verbindung mit den Zeichnungen deutlich werden, wobei gleiche Bezugszeichen gleiche Aufbauelemente bezeichnen. Es zeigen
Fig. 1A-1F Querschnittsansichten für die aufeinanderfolgenden Schritte eines Herstellverfahrens eines Kondensators mit hoher Dielektrizitätskonstante gemäß der vorliegenden Erfindung und
Fig. 2-6 Histogramme für die Beziehung zwischen Abscheidungsgeschwindigkeit und Abscheidungszeit zur Bildung der Komponentenlagen (Ta₂O₅ und TiO₂) des Films mit hoher Dielektrizitätskonstante der jeweiligen bevorzugten Ausführungsformen des Kondensators mit hoher Dielektrizitätskonstante gemäß der vorliegenden Erfindung.
Detaillierte Beschreibung der vorliegenden Erfindung
In Fig. 1A-1F ist eine schrittweise Darstellung eines Verfahrens zur Herstellung eines Kondensators C mit hoher Dielektrizitätskonstante gemäß der vorliegenden Erfindung gezeigt. Obwohl derzeit erwogen wird, daß der Kondensator gemäß der vorliegenden Erfindung einen besonderen Nutzen bei einer Halbleiterspeichereinheit, wie einem DRAM, bietet, ist es unmittelbar erkenntlich, daß die vorliegende Erfindung in ihrem Anwendungsbereich nicht auf eine bestimmte Anwendung oder Umgebung beschränkt ist. Weiterhin ist es ebenso unmittelbar erkenntlich, daß die vorliegende Erfindung in ihrem Anwendungsbereich nicht auf einen Kondensator einer bestimmten Art oder Form beschränkt ist. Beispielsweise kann der Kondensator gemäß der vorliegenden Erfindung üblicherweise ein Flächen-, übereinander angeordneter, Hohlkanal, zylindrischer, Kanal-, Stapelkanal- oder Stiftkondensator sein.
Unter Bezug auf Fig. 1A wird nun die Beschreibung des Verfahrens zur Herstellung des Kondensators C gemäß der vorliegenden Erfindung geliefert. Insbesondere ist der Anfangsschritt des Verfahrens die Bildung eines Basisfilms 2 auf einem Siliziumsubstrat 1. Der Basisfilm 2 besteht vorzugsweise aus einem leitfähigen Material, das aus einer Gruppe ausgewählt wird, die dotiertes polykristallines Silizium, in-situ-dotiertes polykristallines Silizium, amorphes Silizium und Wolfram enthält. Der Basisfilm 2 dient als eine erste Elektrode des Kondensators C.
Unter Bezug auf Fig. 1B wird der Tantaloxid-Film 3 dann auf dem Basisfilm 2 abgeschieden, vorzugsweise mittels eines LPCVD-Prozesses. Der Tantaloxid-Film 3 wird vorzugsweise mit einer Dicke zwischen etwa 5 Å und etwa 200 Å gebildet.
Unter Bezug auf Fig. 1C wird dann ein Metalloxid-Film 4 auf dem Tantaloxid-Film 3 abgeschieden, vorzugsweise ebenfalls mittels eines LPCVD-Prozesses. Der Metall­ oxid-Film 4 besteht vorzugsweise aus einem Metalloxid, dessen atomare Valenz kleiner ist als die von Tantal und dessen Dielektrizitätskonstante größer oder gleich der von Tantaloxid ist. Am bevorzugsten wird das Metalloxid aus einer Gruppe ausgewählt, die TiO₂, SnO₂, ZrO₂, HfO₂, WO₂, Al₂O₃, Cr₂O₃, Y₂O₃, La₂O₃, Bi₂O₃, Th₂O₃, PbO, BaO, SnO, SrO, CaO, MnO und MgO enthält. Es sollte jedoch deutlich verstanden werden, daß diese Liste von Metalloxiden nur illustrativ und nicht ausschließlich sein soll und somit die vorliegende Erfindung nicht einschränkt. In der derzeit als bester erachteten Weise der vorliegenden Erfindung besteht der Metalloxid-Film 4 aus Titanoxid in einer Dicke von weniger als etwa 50 Å, um die Bildung einer Säulenstruktur zu vermeiden. Weiterhin ist das Verhältnis der Dicke des Tantaloxid-Films 3 zu der des Metall­ oxid-Films 4 vorzugsweise im Bereich von 1 : 10 bis 100 : 1. Der Tantaloxid-Film 3 und der Metalloxid-Film 4 bilden zusammen eine erste Doppelfilm-Lage L₁.
Wie man aus Fig. 1D und 1E sehen kann, werden die Schritte des Abscheidens des Tantaloxid-Films 3 und des Metalloxid-Films 4 nacheinander eine bestimmte Zahl von Malen wiederholt, um somit eine Vielzahl n von Doppelfilm-Lagen L₁ bis Ln zu bilden, von denen jede jeweils aus einem Tantaloxid-Film 3 i und einem Metalloxid-Film 4 i besteht, mit i=1 bis n und n einer positiven ganzen Zahl größer oder gleich 2. Eine zusätzliche einfache Lage I kann auf der n-ten Dopel­ film-Lage Ln abgeschieden werden. Die zusätzliche einfache Lage I kann entweder ein Tantaloxid-Film oder ein Metalloxid-Film sein, beispielsweise ein Titan­ oxid-Film.
Gemeinsam weist die Vielzahl n von Doppelfilm-Lagen L₁ bis Ln den Film F des Kondensators C mit hoher Dielektrizitätskonstante auf. Die Zahl n wird so gewählt, daß sichergestellt ist, daß die Gesamtdicke des Films F mit hoher Dielektrizitätskonstante für eine bestimmte Anwendung ausreichend ist, bei der der Kondensator C eingesetzt wird, z. B. bezüglich dielektrischer Durchbruchspannung, Kapazität und Leckstrom.
Unter Bezug auf Fig. 1F beinhaltet der letzte Schritt des Verfahrens zur Herstellung des Kondensators C die Bildung eines oberen Films 5 auf der obersten Lage, entweder I oder 4 n, des Mehrlagenfilms F mit hoher Dielektrizitätskonstante. Der obere Film 5 besteht vorzugsweise aus dem gleichen leitfähigen Material wie der Basisfilm 2. Der obere Film 5 dient als die zweite Elektrode des Kondensators C.
Wahlweise kann ein thermischer Behandlungsprozeß nach Bildung des oberen Films 5 ausgeführt werden, um etwaige Restspannungen zu entlasten, die zwischen irgend zwei oder mehr der Mehrfachlagen 3 i, 4 i des Mehrlagenfilms mit hoher Dielektrizitätskonstante vorliegen können. Da die Lagen 3 i, 4 i jedoch vorzugsweise mit einem LPCVD-Verfahren abgeschieden werden, das üblicherweise unter Bedingungen ausgeführt wird (wie beispielsweise hoher Temperatur), die zur Sicherstellung ausreichend sind, daß die Filme 3 i, 4 i gleichmäßig und eben abgeschieden werden, ist es allgemein nicht nötig, diesen wahlweisen thermischen Behandlungsprozeß einzusetzen.
Ohne Einschränkung der Durchführbarkeit der vorliegenden Erfindung kann das oben beschriebene Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung in geeigneter Weise mit einer mit einer metallorganischen Versorgung - nicht gezeigt - verbundenen Vorrichtung zur metallorganischen chemischen Abscheidung in der Dampfphase (MOCVD) - nicht gezeigt - ausgeführt werden.
In Fig. 2 bis 6 sind Histogramme gezeigt, die die Beziehung zwischen der Abscheidungsgeschwindigkeit und der Abscheidungszeit zur Bildung der einzelnen Tantal­ oxid(Ta₂O₅-) und Titanoxid(TiO₂-)Filme 3 i, 4 i jeder Doppelfilm-Lage Li des Films F mit hoher Dielektrizitätskonstante der jeweiligen bevorzugten Ausführungsformen des Kondensators C mit hoher Dielektrizitätskonstante gemäß der vorliegenden Erfindung darstellen.
Unter besonderem Bezug auf Fig. 2, in einer ersten bevorzugten Ausführungsform des Verfahrens gemäß der vorliegenden Erfindung, überlappen die jeweiligen Zeiten für die Abscheidung des Tantaloxid-Films 3 i und des Titanoxid-Films 4 i jeder Doppelfilm-Lage Li nicht. In anderen Worten, die Zeit, bei der die Abscheidung jeweils jeden Titanoxid-Films 4 i beginnt, überlappt nicht mit der Zeit, bei der die Abscheidung jeweils jeden Tantaloxid-Films 3 i endet, und umgekehrt. Vielmehr ist die Anfangszeit für die Abscheidung jeweils jeden Titanoxid-Films 4 i im wesentlichen übereinstimmend mit der Endzeit für die Abscheidung jeweils jeden Tantaloxid-Films 3 i und umgekehrt.
Unter Bezug auf Fig. 3, in einer zweiten bevorzugten Ausführungsform des Verfahrens gemäß der vorliegenden Erfindung, überlappen die jeweiligen Zeiten für die Abscheidung des Tantaloxid-Films 3 i und des Titanoxid- Films 4 i jeder Doppelfilm-Lage Li teilweise. In anderen Worten, die Abscheidung jeweils jeden Titanoxid- Films 4 i beginnt zu einem vorgegebenen Zeitpunkt vor der Zeit, bei der die Abscheidung jeweils jeden Tan­ taloxid-Films 3 i endet, und umgekehrt.
Unter Bezug auf Fig. 4, in einer dritten bevorzugten Ausführungsform des Verfahrens gemäß der vorliegenden Erfindung, ist die Anfangszeit für die Abscheidung jeweils jeden Titanoxid-Films 4 i um ein vorgegebenes Zeitintervall von der Endzeit für die Abscheidung jeweils jeden Tantaloxid-Films 3 i getrennt, und umgekehrt.
Unter Bezug auf Fig. 5, in einer vierten bevorzugten Ausführungsform des Verfahrens gemäß der vorliegenden Erfindung, sind die Abscheidungsparameter die gleichen wie die in der ersten bevorzugten Ausführungsform nach Fig. 2, außer daß während der Zeit, wenn jeweils jeder Tantaloxid-Film 3 i abgeschieden wird, gleichzeitig Titanoxid abgeschieden wird, jedoch mit einer sehr kleinen Abscheidungsgeschwindigkeit, so daß nur winzige Mengen von Titanoxid während der Abscheidung jeweils jeden Tantaloxid-Films 3 i abgeschieden werden.
Unter Bezug auf Fig. 6, in einer fünften bevorzugten Ausführungsform des Verfahrens gemäß der vorliegenden Erfindung, sind die Abscheidungsparameter die gleichen wie die in der ersten bevorzugten Ausführungsform nach Fig. 5, außer daß zusätzlich während der Zeit, wenn jeweils jeder Titanoxid-Film 4 i abgeschieden wird, gleichzeitig Tantaloxid abgeschieden wird, jedoch mit einer sehr kleinen Abscheidungsgeschwindigkeit, so daß nur winzige Mengen von Tantaloxid während der Abscheidung des Titanoxid-Films 4 i abgeschieden werden.
Wie der Fachmann verstehen wird, überwindet ein Kondensator C mit hoher Dielektrizitätskonstante gemäß einer der oben beschriebenen Ausführungsformen die Nachteile der derzeit erhältlichen Kondensatoren mit hoher Dielektrizitätskonstante, während er gleichzeitig einen Kondensator mit hoher Dielektrizitätskonstante liefert, dessen Dielektrizitätskonstante höher ist als die der derzeit erhältlichen Kondensatoren mit hoher Dielektrizitätskonstante. Insbesondere eliminiert die Verwendung eines ultradünnen Metalloxid- Films 4 über dem Tantaloxid-Film 3 des dielektrischen Films F das frühere Problem des unzulässig hohen Leckstroms, indem eine säulenartige Struktur des dielektrischen Films vermieden wird, die als Hauptursache für das erwähnte frühere Problem erkannt worden ist. Weiterhin erhöhen die mehrfachen Doppelfilmlagen L₁- Ln die Dielektrizitätskonstante des dielektrischen Films F relativ zum Stand der Technik und minimieren das Sauerstoffdefizit des dielektrischen Films, wodurch die dielektrische Durchbruchspannung des Kondensators C relativ zum Stand der Technik erheblich erhöht wird. Weiterhin eliminiert das Verfahren gemäß der vorliegenden Erfindung den langwierigen thermischen Behandlungsprozeß, der bei einem Abscheidungsverfahren für einen dielektrischen Film nach dem Stand der Technik benötigt wird, wodurch die Herstellungsgeschwindigkeit erhöht und der Herstellungswirkungsgrad relativ zum Stand der Technik verbessert wird.
Obwohl mehrere bevorzugte Ausführungsformen oben im Detail beschrieben worden sind, sollte es deutlich sein, daß viele Variationen und/oder Änderungen der hier gelehrten grundlegenden Konzepte, die für den Fachmann naheliegend sind, unter den Gedanken und den Anwendungsbereich der vorliegenden Erfindung fallen, wie in den Ansprüchen definiert.

Claims (30)

1. Kondensator mit hoher Dielektrizitätskonstante mit
  • - einem Substrat,
  • - einem ersten auf dem Substrat gebildeten Elektrodenfilm,
  • - einem ersten auf dem ersten Elektrodenfilm gebildeten Tantaloxid-Film,
  • - einem ersten auf dem ersten Tantaloxid-Film gebildeten Metalloxid-Film, wobei der erste Metalloxid- Film aus einem Metalloxid besteht, dessen Valenz kleiner ist als die von Tantal und dessen Dielektrizitätskonstante größer oder gleich der von Tantaloxid ist, wobei der erste Tantaloxid-Film und der erste Metall­ oxid-Film gemeinsam einen Film mit hoher Dielektrizitätskonstante aufweisen, und
  • - mit einem zweiten auf dem Film mit hoher Dielektrizitätskonstante gebildeten Elektrodenfilm.
2. Kondensator nach Anspruch 1, wobei der erste Tantaloxid-Film eine Dicke im Bereich von etwa 5 Å bis etwa 200 Å hat.
3. Kondensator nach Anspruch 1, wobei der erste Metalloxid-Film eine Dicke von weniger als etwa 50 Å hat.
4. Kondensator nach Anspruch 3, wobei das Verhältnis der Dicke des ersten Tantaloxid- Films zu der Dicke des ersten Metalloxid-Films im Bereich von 1 : 10 bis 100 : 1 liegt.
5. Kondensator nach Anspruch 4, wobei das Metalloxid aus einer Gruppe ausgewählt wird, die TiO₂, SnO₂, ZrO₂, HfO₂, WO₂, Al₂O₃, Cr₂O₃, Y₂O₃, La₂O₃, Bi₂O₃, Th₂O₃, PbO, BaO, SnO, SrO, CaO, MnO und MgO enthält.
6. Kondensator nach Anspruch 1, wobei der Film mit hoher Dielektrizitätskonstante weiterhin eine Vielzahl von zusätzlichen, auf der ersten Doppelfilm-Lage gebildeten Doppelfilm-Lagen aufweist, wobei jede der zusätzlichen Doppelfilm-Lagen jeweils aus einem Tantaloxid-Film und einem Metalloxid-Film besteht.
7. Kondensator nach Anspruch 6, wobei der Film mit hoher Dielektrizitätskonstante weiterhin eine zusätzliche, auf einer der obersten der zusätzlichen Doppelfilm-Lagen gebildete einfache Lage von Tantaloxid aufweist.
8. Kondensator nach Anspruch 6, wobei der Film mit hoher Dielektrizitätskonstante weiterhin eine zusätzliche, auf einer der obersten der zusätzlichen Doppelfilm-Lagen gebildete einfache Lage von Metalloxid aufweist.
9. Kondensator nach Anspruch 6, wobei der jeweilige Metalloxid-Film jeder zusätzlichen Doppelfilm-Lage ebenso aus dem Metalloxid besteht.
10. Kondensator nach Anspruch 9, wobei das Metalloxid aus einer Gruppe ausgewählt wird, die TiO₂, SnO₂, ZrO₂, HfO₂, WO₂, Al₂O₃, Cr₂O₃, Y₂O₃, La₂O₃, Bi₂O₃, Th₂O₃, PbO, BaO, SnO, SrO, CaO, MnO und MgO enthält.
11. Kondensator nach Anspruch 10, wobei das Verhältnis der Dicke des jeweiligen Tantal­ oxid-Films jeder zusätzlichen Doppelfilm-Lage zu der Dicke des jeweiligen Metalloxid-Films jeder zusätzlichen Doppelfilm-Lage im Bereich von 1 : 10 bis 100 : 1 liegt.
12. Kondensator nach Anspruch 11, wobei die jeweilige Tantaloxid-Filmlage jeder zusätzlichen Doppelfilm-Lage eine Dicke im Bereich von etwa 5 Å bis etwa 200 Å hat.
13. Kondensator nach Anspruch 12, wobei die jeweilige Metalloxid-Filmlage jeder zusätzlichen Doppelfilm-Lage eine Dicke von weniger als etwa 50 Å hat.
14. Verfahren zur Herstellung eines Kondensators mit hoher Dielektrizitätskonstante, bestehend aus den Schritten, daß
  • - ein erster Elektrodenfilm auf einem Substrat gebildet wird,
  • - ein erster Tantaloxid-Film auf dem ersten Elektrodenfilm gebildet wird,
  • - ein erster Metalloxid-Film auf dem ersten Tantal­ oxid-Film gebildet wird, wobei der erste Metalloxid- Film aus einem Metalloxid besteht, dessen Valenz kleiner ist als die von Tantal und dessen Dielektrizitätskonstante größer oder gleich der von Tantaloxid ist, wodurch der erste Tantaloxid-Film und der erste Me­ talloxid-Film gemeinsam einen Film mit hoher Dielektrizitätskonstante aufweisen, und
  • - ein zweiter Elektrodenfilm auf dem Film mit hoher Dielektrizitätskonstante gebildet wird.
15. Verfahren nach Anspruch 14, weiterhin bestehend aus den Schritten, daß
  • - ein zusätzlicher Tantaloxid-Film auf dem ersten Metalloxid-Film gebildet wird, und
  • - ein zusätzlicher Metalloxid-Film auf dem zusätzlichen Tantaloxid-Film gebildet wird.
16. Verfahren nach Anspruch 14, weiterhin bestehend aus dem Schritt, daß der Schritt der Bildung eines Tantaloxid-Films und der Bildung eines Metalloxid- Films eine Vielzahl von Malen nacheinander wiederholt wird, um so eine Vielzahl n von jeweils aus einem Tan­ taloxid-Film und einem Metalloxid-Film bestehenden Doppelfilm-Lagen zu bilden;
wobei der erste Tantaloxid-Film und der erste Metall­ oxid-Film gemeinsam eine erste der n Doppelfilm-Lagen aufweisen und der letztgebildete Tantaloxid-Film und der letztgebildete Metalloxid-Film gemeinsam eine n-te der Doppelfilm-Lagen aufweisen; und
wobei die n Doppelfilm-Lagen gemeinsam den Film mit hoher Dielektrizitätskonstante aufweisen.
17. Verfahren nach Anspruch 16, wobei der Tantaloxid-Film jeder der n Doppelfilm-Lagen in einer Dicke im Bereich von etwa 5 Å bis etwa 200 Å gebildet ist.
18. Verfahren nach Anspruch 17, wobei der Metalloxid-Film jeder der n Doppelfilm-Lagen in einer Dicke von weniger als etwa 50 Å gebildet ist.
19. Verfahren nach Anspruch 18, wobei das Verhältnis der Dicke des Tantaloxid-Films jeder der n Doppelfilm-Lagen zu der Dicke des Metall­ oxid-Films jeder der n Doppelfilm-Lagen im Bereich von 1 : 10 bis 100 : 1 liegt.
20. Verfahren nach Anspruch 19, wobei das Metalloxid aus einer Gruppe ausgewählt wird, die TiO₂, SnO₂, ZrO₂, HfO₂, WO₂, Al₂O₃, Cr₂O₃, Y₂O₃, La₂O₃, Bi₂O₃, Th₂O₃, PbO, BaO, SnO, SrO, CaO, MnO und MgO enthält.
21. Verfahren nach Anspruch 20, weiterhin bestehend aus dem Schritt, daß eine zusätzliche einfache Lage des Tantaloxids auf der n-ten der n Doppelfilm-Lagen gebildet wird.
22. Verfahren nach Anspruch 20, weiterhin bestehend aus dem Schritt, daß eine zusätzliche einfache Lage des Metalloxids auf der n-ten der n Doppelfilm-Lagen gebildet wird.
23. Verfahren nach Anspruch 19, wobei der Schritt der Bildung eines ersten Tantaloxid- Films, der Schritt der Bildung eines ersten Metall­ oxid-Films und der nacheinander wiederholte Schritt jeweils mittels eines chemischen Abscheidungsprozesses aus der Dampfphase unter niedrigem Druck (LPCVD) ausgeführt werden.
24. Verfahren nach Anspruch 19, wobei der Schritt der Bildung eines ersten Tantaloxid- Films, der Schritt der Bildung eines ersten Metall­ oxid-Films und der nacheinander wiederholte Schritt mittels eines Abscheidungsprozesses ausgeführt werden, wobei die Zeit, bei der die Abscheidung des Metall­ oxid-Films beginnt, nicht mit der Zeit überlappt, bei der die Abscheidung des entsprechenden Tantaloxid- Films endet, und umgekehrt.
25. Verfahren nach Anspruch 24, wobei die Anfangszeit für die Abscheidung des Metall­ oxid-Films jeder der n Doppelfilm-Lagen im wesentlichen übereinstimmend mit der Endzeit für die Abscheidung des entsprechenden Tantaloxid-Films ist, und umgekehrt.
26. Verfahren nach Anspruch 24, wobei die Anfangszeit für die Abscheidung des Metall­ oxid-Films jeder der n Doppelfilm-Lagen um ein vorgegebenes Zeitintervall von der Endzeit für die Abscheidung des entsprechenden Tantaloxid-Films getrennt ist, und umgekehrt.
27. Verfahren nach Anspruch 19, wobei der Schritt der Bildung eines ersten Tantaloxid- Films, der Schritt der Bildung eines ersten Metall­ oxid-Films und der nacheinander wiederholte Schritt mittels eines Abscheidungsprozesses ausgeführt werden, wobei die Zeit, wenn die Abscheidung des Metalloxid- Films jeder der n Doppelfilm-Lagen beginnt, mit der Zeit, wenn die Abscheidung des entsprechenden Tantal­ oxid-Films endet, teilweise überlappt, und umgekehrt.
28. Verfahren nach Anspruch 19, wobei der Schritt der Bildung eines ersten Tantaloxid- Films, der Schritt der Bildung eines ersten Metall­ oxid-Films und der nacheinander wiederholte Schritt mittels eines Abscheidungsprozesses ausgeführt werden, wobei während der Abscheidung des Tantaloxid-Films der n Doppelfilm-Lagen das entsprechende Metalloxid gleichzeitig abgeschieden wird, jedoch mit einer sehr kleinen Abscheidungsgeschwindigkeit, so daß nur winzige Mengen des Metalloxids während der Abscheidung des entsprechenden Tantaloxid-Films jeder der n Doppel­ film-Lagen abgeschieden werden.
29. Verfahren nach Anspruch 19, wobei zusätzlich während der Abscheidung des Metall­ oxid-Films der n Doppelfilm-Lagen das Tantaloxid gleichzeitig abgeschieden wird, jedoch mit einer sehr kleinen Abscheidungsgeschwindigkeit, so daß nur winzige Mengen des Tantaloxids während der Abscheidung des Me­ talloxid-Films jeder der n Doppelfilm-Lagen abgeschieden werden.
30. Verfahren nach Anspruch 19, wobei der erste Elektrodenfilm und der zweite Elektrodenfilm aus einem leitfähigen Material bestehen, das aus einer Gruppe ausgewählt wird, die dotiertes polykristallines Silizium, amorphes Silizium und Wolfram enthält.
DE4221959A 1991-07-03 1992-07-02 Kondensator mit hoher dielektrizitaetskonstante und verfahren zur herstellung desselben Withdrawn DE4221959A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019910011272A KR930012120B1 (ko) 1991-07-03 1991-07-03 반도체장치 및 그의 제조방법

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE4221959A1 true DE4221959A1 (de) 1993-01-07

Family

ID=19316723

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE4221959A Withdrawn DE4221959A1 (de) 1991-07-03 1992-07-02 Kondensator mit hoher dielektrizitaetskonstante und verfahren zur herstellung desselben

Country Status (5)

Country Link
US (1) US5195018A (de)
KR (1) KR930012120B1 (de)
DE (1) DE4221959A1 (de)
FR (1) FR2678766A1 (de)
GB (1) GB2257829A (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4300808C1 (de) * 1993-01-14 1994-03-17 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines Vielschichtkondensators
EP0618598A1 (de) * 1993-03-31 1994-10-05 Texas Instruments Incorporated Verbesserte Elektroden-Zwischenschicht für Materialien mit hohen dielektrisches Konstante
EP1130640A2 (de) * 2000-02-29 2001-09-05 Infineon Technologies AG Verfahren zur Erhöhung der Kapazität in einem DRAM Grabenkondensator

Families Citing this family (64)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5474949A (en) * 1992-01-27 1995-12-12 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of fabricating capacitor or contact for semiconductor device by forming uneven oxide film and reacting silicon with metal containing gas
US5383088A (en) * 1993-08-09 1995-01-17 International Business Machines Corporation Storage capacitor with a conducting oxide electrode for metal-oxide dielectrics
US5573979A (en) * 1995-02-13 1996-11-12 Texas Instruments Incorporated Sloped storage node for a 3-D dram cell structure
US5590017A (en) * 1995-04-03 1996-12-31 Aluminum Company Of America Alumina multilayer wiring substrate provided with high dielectric material layer
US8982856B2 (en) 1996-12-06 2015-03-17 Ipco, Llc Systems and methods for facilitating wireless network communication, satellite-based wireless network systems, and aircraft-based wireless network systems, and related methods
US7054271B2 (en) 1996-12-06 2006-05-30 Ipco, Llc Wireless network system and method for providing same
US7137550B1 (en) 1997-02-14 2006-11-21 Statsignal Ipc, Llc Transmitter for accessing automated financial transaction machines
US7079810B2 (en) 1997-02-14 2006-07-18 Statsignal Ipc, Llc System and method for communicating with a remote communication unit via the public switched telephone network (PSTN)
US5872696A (en) * 1997-04-09 1999-02-16 Fujitsu Limited Sputtered and anodized capacitors capable of withstanding exposure to high temperatures
US6432793B1 (en) 1997-12-12 2002-08-13 Micron Technology, Inc. Oxidative conditioning method for metal oxide layer and applications thereof
US6441419B1 (en) 1998-03-31 2002-08-27 Lsi Logic Corporation Encapsulated-metal vertical-interdigitated capacitor and damascene method of manufacturing same
US6417535B1 (en) 1998-12-23 2002-07-09 Lsi Logic Corporation Vertical interdigitated metal-insulator-metal capacitor for an integrated circuit
US6891838B1 (en) 1998-06-22 2005-05-10 Statsignal Ipc, Llc System and method for monitoring and controlling residential devices
US6914893B2 (en) 1998-06-22 2005-07-05 Statsignal Ipc, Llc System and method for monitoring and controlling remote devices
US8410931B2 (en) 1998-06-22 2013-04-02 Sipco, Llc Mobile inventory unit monitoring systems and methods
US6437692B1 (en) 1998-06-22 2002-08-20 Statsignal Systems, Inc. System and method for monitoring and controlling remote devices
US6914533B2 (en) 1998-06-22 2005-07-05 Statsignal Ipc Llc System and method for accessing residential monitoring devices
US7103511B2 (en) 1998-10-14 2006-09-05 Statsignal Ipc, Llc Wireless communication networks for providing remote monitoring of devices
KR100549566B1 (ko) * 1998-10-29 2007-12-21 주식회사 하이닉스반도체 반도체장치의 캐퍼시터 형성방법
JP3189813B2 (ja) * 1998-11-30 2001-07-16 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
US20010013616A1 (en) * 1999-01-13 2001-08-16 Sailesh Mansinh Merchant Integrated circuit device with composite oxide dielectric
US6235594B1 (en) * 1999-01-13 2001-05-22 Agere Systems Guardian Corp. Methods of fabricating an integrated circuit device with composite oxide dielectric
US7263073B2 (en) 1999-03-18 2007-08-28 Statsignal Ipc, Llc Systems and methods for enabling a mobile user to notify an automated monitoring system of an emergency situation
US7650425B2 (en) 1999-03-18 2010-01-19 Sipco, Llc System and method for controlling communication between a host computer and communication devices associated with remote devices in an automated monitoring system
DE50016103D1 (de) * 1999-05-12 2011-06-16 Qimonda Ag Kondensator für halbleiteranordnung und verfahren nselben
US6504202B1 (en) 2000-02-02 2003-01-07 Lsi Logic Corporation Interconnect-embedded metal-insulator-metal capacitor
JP2001168301A (ja) * 1999-12-09 2001-06-22 Nec Corp 半導体装置及びその製造方法
KR100705926B1 (ko) * 1999-12-22 2007-04-11 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 캐패시터 제조방법
KR100624903B1 (ko) * 1999-12-22 2006-09-19 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 캐패시터 제조방법
KR100551884B1 (ko) * 1999-12-29 2006-02-10 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 캐패시터 제조방법
KR100367404B1 (ko) * 1999-12-31 2003-01-10 주식회사 하이닉스반도체 다층 ＴａＯＮ박막을 갖는 커패시터 제조방법
US6531354B2 (en) 2000-01-19 2003-03-11 North Carolina State University Lanthanum oxide-based gate dielectrics for integrated circuit field effect transistors
US6407435B1 (en) * 2000-02-11 2002-06-18 Sharp Laboratories Of America, Inc. Multilayer dielectric stack and method
US6342734B1 (en) 2000-04-27 2002-01-29 Lsi Logic Corporation Interconnect-integrated metal-insulator-metal capacitor and method of fabricating same
US6566186B1 (en) 2000-05-17 2003-05-20 Lsi Logic Corporation Capacitor with stoichiometrically adjusted dielectric and method of fabricating same
US6341056B1 (en) * 2000-05-17 2002-01-22 Lsi Logic Corporation Capacitor with multiple-component dielectric and method of fabricating same
US6836737B2 (en) * 2000-08-09 2004-12-28 Statsignal Systems, Inc. Systems and methods for providing remote monitoring of consumption for a utility meter
US6451646B1 (en) * 2000-08-30 2002-09-17 Micron Technology, Inc. High-k dielectric materials and processes for manufacturing them
KR100451037B1 (ko) * 2000-12-08 2004-10-02 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 게이트 전극 형성 방법
US7378719B2 (en) * 2000-12-20 2008-05-27 Micron Technology, Inc. Low leakage MIM capacitor
US8489063B2 (en) 2001-10-24 2013-07-16 Sipco, Llc Systems and methods for providing emergency messages to a mobile device
US7480501B2 (en) 2001-10-24 2009-01-20 Statsignal Ipc, Llc System and method for transmitting an emergency message over an integrated wireless network
US7424527B2 (en) 2001-10-30 2008-09-09 Sipco, Llc System and method for transmitting pollution information over an integrated wireless network
KR100464650B1 (ko) * 2002-04-23 2005-01-03 주식회사 하이닉스반도체 이중 유전막 구조를 가진 반도체소자의 캐패시터 및 그제조방법
US7335552B2 (en) * 2002-05-15 2008-02-26 Raytheon Company Electrode for thin film capacitor devices
US7112485B2 (en) 2002-08-28 2006-09-26 Micron Technology, Inc. Systems and methods for forming zirconium and/or hafnium-containing layers
US7041609B2 (en) * 2002-08-28 2006-05-09 Micron Technology, Inc. Systems and methods for forming metal oxides using alcohols
US6958300B2 (en) * 2002-08-28 2005-10-25 Micron Technology, Inc. Systems and methods for forming metal oxides using metal organo-amines and metal organo-oxides
KR100431306B1 (ko) * 2002-08-30 2004-05-12 주식회사 하이닉스반도체 알루미늄산화막과 이트륨질산화막의 이중막으로 이루어진게이트산화막을 이용한 반도체 소자의 게이트 형성방법
KR100494124B1 (ko) * 2002-12-09 2005-06-13 주식회사 하이닉스반도체 엠아이엠 구조 캐패시터 형성방법
KR100505679B1 (ko) * 2003-03-19 2005-08-03 삼성전자주식회사 반도체 메모리 소자 및 그 제조방법
US7407895B2 (en) 2003-03-26 2008-08-05 Riken Process for producing dielectric insulating thin film, and dielectric insulating material
US6855594B1 (en) * 2003-08-06 2005-02-15 Micron Technology, Inc. Methods of forming capacitors
US7756086B2 (en) 2004-03-03 2010-07-13 Sipco, Llc Method for communicating in dual-modes
US8031650B2 (en) 2004-03-03 2011-10-04 Sipco, Llc System and method for monitoring remote devices with a dual-mode wireless communication protocol
US20060151845A1 (en) * 2005-01-07 2006-07-13 Shrinivas Govindarajan Method to control interfacial properties for capacitors using a metal flash layer
US20060151822A1 (en) * 2005-01-07 2006-07-13 Shrinivas Govindarajan DRAM with high K dielectric storage capacitor and method of making the same
US7316962B2 (en) * 2005-01-07 2008-01-08 Infineon Technologies Ag High dielectric constant materials
WO2006081206A1 (en) 2005-01-25 2006-08-03 Sipco, Llc Wireless network protocol systems and methods
JP4679270B2 (ja) * 2005-06-30 2011-04-27 株式会社東芝 半導体装置およびその製造方法
KR100596805B1 (ko) * 2005-06-30 2006-07-04 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 캐패시터 형성방법
DE102014003603B4 (de) 2014-03-17 2016-08-04 Treofan Germany Gmbh & Co. Kg Verfahren zur Herstellung einer Polyolefinfolie, Polyolefinfolie sowie deren Verwendung als Elektroisolierfolie in Kondensatoren
WO2018221228A1 (ja) 2017-05-31 2018-12-06 Tdk株式会社 薄膜コンデンサ及び薄膜コンデンサの製造方法
CN110415974B (zh) * 2019-07-17 2021-04-02 南京大学 一种基于纳米叠层结构金属氧化物柔性电容器及其制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4734340A (en) * 1985-07-16 1988-03-29 Sony Corporation Dielectric thin film
US4873610A (en) * 1986-03-20 1989-10-10 Canon Kabushiki Kaisha Dielectric articles and condensers using the same

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4062749A (en) * 1976-02-09 1977-12-13 Corning Glass Works Method of forming a thin film capacitor with a manganese dioxide layer
JPS5745968A (en) * 1980-08-29 1982-03-16 Ibm Capacitor with double dielectric unit
US4437139A (en) * 1982-12-17 1984-03-13 International Business Machines Corporation Laser annealed dielectric for dual dielectric capacitor
JP2617457B2 (ja) * 1985-11-29 1997-06-04 株式会社日立製作所 半導体装置およびその製造方法
JPH01225149A (ja) * 1988-03-04 1989-09-08 Toshiba Corp キャパシタ及びその製造方法
KR920006736B1 (ko) * 1989-11-08 1992-08-17 삼성전자 주식회사 반도체장치 및 그 제조방법
US5111355A (en) * 1990-09-13 1992-05-05 National Semiconductor Corp. High value tantalum oxide capacitor

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4734340A (en) * 1985-07-16 1988-03-29 Sony Corporation Dielectric thin film
US4873610A (en) * 1986-03-20 1989-10-10 Canon Kabushiki Kaisha Dielectric articles and condensers using the same

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4300808C1 (de) * 1993-01-14 1994-03-17 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung eines Vielschichtkondensators
US5347696A (en) * 1993-01-14 1994-09-20 Siemens Aktiengesellschaft Method for manufacturing a multi-layer capacitor
EP0618598A1 (de) * 1993-03-31 1994-10-05 Texas Instruments Incorporated Verbesserte Elektroden-Zwischenschicht für Materialien mit hohen dielektrisches Konstante
US5471364A (en) * 1993-03-31 1995-11-28 Texas Instruments Incorporated Electrode interface for high-dielectric-constant materials
EP1130640A2 (de) * 2000-02-29 2001-09-05 Infineon Technologies AG Verfahren zur Erhöhung der Kapazität in einem DRAM Grabenkondensator
EP1130640A3 (de) * 2000-02-29 2003-08-20 Infineon Technologies AG Verfahren zur Erhöhung der Kapazität in einem DRAM Grabenkondensator
US6699747B2 (en) 2000-02-29 2004-03-02 Infineon Technologies Ag Method for increasing the capacitance in a storage trench

Also Published As

Publication number Publication date
KR930012120B1 (ko) 1993-12-24
GB9213070D0 (en) 1992-08-05
US5195018A (en) 1993-03-16
GB2257829A (en) 1993-01-20
KR930003383A (ko) 1993-02-24
FR2678766A1 (fr) 1993-01-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE4221959A1 (de) Kondensator mit hoher dielektrizitaetskonstante und verfahren zur herstellung desselben
DE4323363B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Kondensators für ein Halbleiterspeicherbauelement
DE60224379T2 (de) Methode, eine dielektrische Schicht abzuscheiden
DE4402216C2 (de) Halbleiterbauelement mit Kondensatoren und zu seiner Herstellung geeignetes Verfahren
DE69727809T2 (de) Mehrschichtenfilmkondensatoranordnungen und verfahren zur herstellung
DE10344814B3 (de) Speichervorrichtung zur Speicherung elektrischer Ladung und Verfahren zu deren Herstellung
DE102008028554B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit reduziertem Kapazitätstoleranzwert
DE4006701C2 (de) Schichtkondensator in Halbleitereinrichtungen und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102007006596A1 (de) Abscheideverfahren für ein Dielektrikum auf Übergangsmetalloxidbasis
DE4029256C2 (de) Halbleiterspeichervorrichtung mit wenigstens einer DRAM-Speicherzelle und Verfahren zu deren Herstellung
DE102005062964A1 (de) Kondensator mit dielektrischer Nanokompositstruktur und Verfahren zur Herstellung desselben
DE19860829A1 (de) Halbleiterbaustein und Verfahren zu dessen Herstellung
EP1294021A1 (de) Kondensatoreinrichtung für eine Halbleiterschaltungsanordnung und Verfahren zu deren Herstellung
DE3732054C2 (de)
DE4442432A1 (de) Verfahren zum Herstellen von Kondensatoren in Halbleiterspeichervorrichtungen
DE19841402B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Kondensators eines Halbleiterbauelementes
WO1998014989A1 (de) Speicherzelle mit polymerkondensator
DE102011052914A1 (de) Kondensator und Verfahren zu dessen Herstellung
DE3340583C2 (de)
EP0859405A2 (de) Herstellverfahren für eine erhabene Kondensatorelektrode
DE19620185A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Kondensators einer Halbleitereinrichtung
DE19950540B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer Kondensator-Elektrode mit Barrierestruktur
EP0931342B1 (de) Eine barrierenfreie halbleiterspeicheranordnungen und deren herstellungsverfahren
DE10256713B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Speicherungsknotenpunktes eines gestapelten Kondensators
DE10065350B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit Kondensator unter Verwendung eines Elektroplattierungsverfahrens

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8181 Inventor (new situation)

Free format text: KWON, KEEWON KIM, YOUNGWUG, SUWON, KR

8130 Withdrawal