DE4317544C2 - Polierschaum zum chemisch-mechanischen Polieren Aluminium oder Titan enthaltender Metallschichten und Verfahren zu dessen Anwendung - Google Patents

Polierschaum zum chemisch-mechanischen Polieren Aluminium oder Titan enthaltender Metallschichten und Verfahren zu dessen Anwendung

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Description

Die Erfindung betrifft einen Polierschlamm zum chemisch-mechanischen Polieren einer Aluminium oder Titan enthaltenden Metallschicht, sowie ein Verfahren zum Anwenden eines solchen Polierschlamms.
In der Halbleitertechnik werden Metallschichten zur Verdrahtung verschiedener auf einem Halbleiterplättchen gebildeter Komponenten verwendet. Metalle bei der Halbleiterherstellung können auch als Steuerelektroden in MOS-Strukturen Ver­ wendung finden und als Elektroden in Dünnschichtkondensatoren. Elementares Aluminium und seine Legierungen sind hierfür als traditionelle Metalle verwendet worden. Aluminium hat sich als das wichtigste Material für diese Anwendungen herausgestellt, da es einen geringen Widerstand besitzt, eine überlegene Haftfähig­ keit an SiO₂, eine leichte Musterbildung erlaubt und hohe Reinheit besitzt (siehe hierzu EP 0 401 147 A1).
Eine Technik der Metallverdrahtung bedient sich der Musterbildung und des Ätzens von Gräben und Kontaktieren in einer dicken Schicht Isoliermaterial, wie SiO₂. An­ schließend wird eine dünne Sperrschicht wie Ti, Ti-W oder TiN über der Isolier­ schicht und in dem Graben aufgebracht und kontaktiert über Leitungen Kontaktstel­ len, die tiefer in dem Plättchen angeordnet sind. Nach der Ablagerung der Sperr­ schicht wird mit einer Schicht aus elementarem Aluminium oder einer Aluminium­ legierung der Graben und die Kontaktstellen vollständig gefüllt. Die Sperrschicht dient zum Trennen des Siliziums vom Aluminium. Der Graben, der vor der Metall­ ablagerung erzeugt wurde, definiert das gewünschte Metallmuster derart, daß ein planares Metallabtragverfahren bis zur Oberfläche der Isolierschicht ein gewünsch­ tes Muster elektrisch leitfähiger Metalleiter übrig läßt.
Eine solche Planartechnik ist beispielsweise ein chemisch-mechanisches Polierver­ fahren. Wird dieses zur Herstellung metallischer Leiter benutzt, so wird dies als Damaszenerverfahren bezeichnet. Bisher hat man das chemisch-mechanische Polie­ ren von Aluminium und Aluminiumlegierungen nicht ausreichend gewürdigt bzw. entwickelt. Deshalb besteht ein Bedürfnis nach verbesserten chemisch-mechani­ schen Polierverfahren sowie entsprechenden Poliermitteln für Aluminium und seine Legierungen, sowie auch für andere Werkstoffe.
Die der Erfindung zugrundeliegende Aufgabe ist es, die Polierleistung bei Al oder Ti enthaltenden metallischen Schichten auf einem Halbleitersubstrat zu steigern und kratzfrei polierte Oberflächen zu erhalten. Die Aufgabe ist mit den Merkmalen des Patentanspruchs 1 gelöst. Erfindungsgemäß werden bei einem Halbleiter-Herstell­ verfahren zum chemisch-mechanischen Polieren einer Metallschicht mit Aluminium auf einem Halbleitersubstrat folgende Schritte durchgeführt:
Ein chemisch-mechanischer Polierschlamm wird verwendet, der H₃PO₄ zwischen 0,1 und 20 Volumenprozent, H₂O₂ zwischen 1 und 30 Volumenprozent, H₂O und ein festes Schleifmaterial enthält und eine Aluminium enthaltende Metallschicht auf einem Halbleitersubstrat wird mit dem Schlamm chemisch-mechanisch poliert.
Der chemisch-mechanische Polierschlamm zum Polieren von Aluminium enthalten­ den Metallschichten enthält H₃PO₄ mit einem Anteil von 0,1 bis 20 Volumenpro­ zent, H₂O₂ mit einem Anteil von 1 bis 30 Volumenprozent, H₂O und ein festes Schleifmaterial. Bei den angegebenen Volumenprozenten handelt es sich um Abso­ lutwerte.
Solche Schlämme lassen sich überraschenderweise auch zum chemisch-mechani­ schen Polieren von Schichten verwenden, die Titan enthalten, nämlich elementares Titan oder auch TiN, und es kann erwartet werden, daß solche Schlämme auch zum Polieren weiterer Werkstoffe nützlich sind. Vorzugsweise liegen die Anteile von H₂O₂ und H₃PO₄ in dem Schlamm bei 3 bis 9 Volumenprozent bzw. bei 3 bis 10 Volumenprozent. Vorzugsweise beträgt der Anteil H₃PO₄ weniger als 6 Volumen­ prozent des gemischten Schlammes, um giftige Dämpfe zu minimieren. Auch kön­ nen andere S für den Schlamm Verwendung finden, wie Aluminiumoxid Siliziumoxid oder Titanoxid.
Das erfindungsgemäße Polierverfahren und der erfindungsgemäße Polierschlamm unterscheiden sich mindestens zum Teil von anderen Verfahren und Schlämmen, die von der Kombination H₂O₂ und einer Phosphorsäure Gebrauch machen. Somit wird ein planares Abtragen des Metalls erleichtert, das offenbar chemisch bei einem chemisch-mechanischen Polierverfahren in folgender Weise erfolgt:
2Al + 3H₂O₂ → Al₂O₃ + 3H₂O → 2Al(OH)₃
2Al(OH)₃ + 3H₂O → 2Al(OH₂)₃(OH)₃
2Al(OH₂)₃(OH)₃ + H₃PO₄ → [Al(H₂O)₆]⁺⁺⁺PO₄≡
[Al(H₂O)₆]⁺⁺⁺PO₄≡ → AlPO₄ + 6H₂O
Wasserstoffperoxid sollte das Aluminium zu einer festen Schicht Al₂O₃ oxidieren. Diese oxidierte Schicht wird dann sowohl chemisch wie mechanisch durch die kombinierte Aktion von a) mechanischem Polieren und b) einem Phosphorsäureätz­ vorgang entsprechend den obigen Gleichungen, mit denen letztlich wasserlösliches AlPO₄ gebildet wird, abgetragen. Die obigen Gleichungen scheinen auch anzuge­ ben, daß H₂O₂ ein gutes chemisches Ätzmittel für Aluminium ist, jedoch ist dies tatsächlich nicht der Fall. Der Gebrauch von H₂O₂ allein oder in der vorbeschriebe­ nen und beanspruchten Zusammensetzung des Schlammes liefert keine nennens­ werte Ab­ tragung von Metall, ohne die chemisch-mechanische Polier­ wirkung.
Es ist bekannt, daß Aluminium ein sehr weiches Material ist und daß bei konventionellen, bekannten chemisch-mechanischen Polierverfahren leicht Kratzer auf den Aluminiumschichten erzeugt werden. Die Bildung von Al₂O₃ mit der vorstehenden Reaktion ergibt ein Material, das wesentlich härter als Aluminium ist und verringert wesentlich bzw. eliminiert die Anzahl der Kratzer, die sonst in einem chemisch-mechanischen Polierverfahren erzeugt werden.
In der Praxis wurde zunächst eine handelsübliche H₃PO₄-Ätzlösung verwendet, die 16 Teile H₃PO₄ und jeweils einen Teil HNO₃, CH₃COOH und deionisiertes Wasser dem Volumen nach enthält. Ein Polierschlamm mit H₂SO₄, CH₃COOH und HNO₃ als Oxidationsmittel ist aus US 4,944,836 bekannt. Dieses Gemisch wurde mit Was­ ser und Aluminiumoxid Schleifpartikeln mit einem Anteil von 2 g/l kombiniert, so daß ein Schlamm mit einer H₃PO₄-Lösung mit 3,4 Volumenprozent hergestellt wurde. Eine mit einer Aluminiumlegierung aus Al-Si(1%)-Cu(0,5%) gefüllte und abgedeckte Damaszenerstruktur wurde auf einer Polierunterlage mit diesem Schlamm chemisch-mechanisch poliert und dabei wurde eine Polierleistung von 50 bis 90 nm/Min erzielt. Unter den gleichen Bedingungen, jedoch mit einer Lösung von 6 Volumenprozent H₂O₂ anstelle eines äquivalenten Anteils von H₂O wurde die Polierleistung bedeutend auf 200 bis 300 nm/Min. gesteigert und außerdem erhielt man eine kratzfrei polierte Al-Si(1%)-Cu(0,5%) Oberfläche. Aus US 4,956,313 ist es zum Polieren von Wolfram bekannt, einen Polierschlamm zu verwenden, der neben Al₂O₃-Partikeln und H₂O auch H₂O₂ enthält.
Es wurde auch überraschenderweise festgestellt, daß ein solcher Schlamm auch zum chemisch-mechanischen Polieren von Ti- und TiN-Schichten Verwendung finden kann, wobei eine wesentlich höhere Leistung erzielt wird, als wenn kein H₂O₂ ent­ halten ist. So betrug die Abtragleistung 20 bis 50 nm/min beim chemisch-mechani­ schen Polieren von Ti und TiN-Schichten ohne H₂O₂. Mit dem Zusatz von H₂O₂ zu dem gleichen Schlamm und beim Polieren mit den gleichen Bedingungen wurde die Abtragleistung auf 100 bis 200 nm/min gesteigert. Somit ist es möglich, daß mit dem erfindungsgemäßen Schlamm eine zusammengesetzte Schicht mit elementarem Aluminium oder eine Aluminiumlegierung und einer unteren Grenzschicht in einem einzigen chemisch-mechanischen Polierschritt poliert werden kann.
Bei dem bevorzugten Verfahren werden zuerst Kontakt/Übergänge und Verbin­ dungsschlitze in SiO₂ eingeätzt, wobei man typischerweise eine reaktive Ionenät­ zung benutzt. Anschließend wird eine Sperrschicht aus Ti, TiN oder Ti-W vorgese­ hen, beispielsweise durch Aufsprühen oder mit einem chemischen Bedampfungs­ prozeß. Dann wird eine Aluminiumlegierung, beispielsweise Al-Si(1%)-Cu(0,5%) o. ä. abgelagert, ebenfalls mit einem Bedampfungsprozeß oder in einem Sprühvor­ gang. Dann erfolgt die Behandlung mit dem erfindungsgemäßen Schlamm, um in einem einzigen Schritt die Legierung und die Sperrmetallschicht zusammen che­ misch-mechanisch zu polieren.
Die Verwendung von H₂O₂ in der vorbeschriebenen Weise für die Sperrschicht steigert die Polierleistung erheblich über die Leistung, die man mit H₃PO₄ allein erhält, die sehr nahe an der chemisch-mechanischen Polierleistung der Aluminium­ legierung liegt. Hieraus resultiert eine verbesserte Steuerfähigkeit des Verfahrens, indem die zum Säubern von Metallrückständen erforderliche Polierzeit minimiert und verringert wird, so daß der Ausstoß verbessert wird. So kann beispielsweise mit dem vorbeschriebenen Schlamm eine Aluminiumschicht mit einer Dicke von 1 µm in weniger als 4 Minuten vollständig poliert werden, so daß der Ausstoß wesentlich gesteigert ist. Mit H₃PO₄ allein im Schlamm beträgt der Ausstoß nur etwa 6 Plätt­ chen/Stunde. Mit dem erfindungsgemäßen Verfahren und Schlamm wurde ein Aus­ stoß von 12 bis 20 Plättchen/Stunde erzielt.

Claims (6)

1. Polierschlamm zum chemisch-mechanischen Polieren einer Aluminium oder Titan enthaltenden Metall­ schicht auf einem Halbleitersubstrat beim Herstellen von Halbleitern, der H₃PO₄ mit einem Anteil von 0,1 bis 20 Vol.-%, H₂O₂ mit einem Anteil von 1 bis 30 Vol.-%, H₂O und ein festes Schleifmittel enthält.
2. Polierschlamm nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der Polierschlamm H₂O₂ mit einem Anteil von 3 bis 9 Vol.-% enthält.
3. Polierschlamm nach Anspruch 2, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der Polierschlamm H₃PO₄ mit einem Anteil von 3 bis 10 Vol.-% enthält.
4. Verfahren zur Anwendung des Polierschlamms nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Polierschlamm auf eine Aluminium enthaltende Metallschicht auf einem Halbleitersubstrat aufgebracht und die Schicht mit dem Polierschlamm poliert wird, und daß das Aluminium der Metallschicht mit H₂O₂ des Polierschlamms reagiert und Aluminiumoxid bildet, und daß das Aluminiumoxid mit Hilfe des Polierschlammes und der Polierwirkung chemisch und mechanisch entfernt wird.
5. Verfahren zur Anwendung des Polierschlamms nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Titan der Titan enthaltenden Metallschicht aus der Gruppe bestehend aus elementarem Titan, TiN und Ti-W oder deren Mischungen ausgewählt wird.
6. Verfahren zur Anwendung des Polierschlamms nach einem der Ansprüche 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß auf einem Halbleiterplättchen eine Sperr­ schicht aus Titan und über der Sperrschicht eine Metallschicht aus Aluminium aufgetragen wird, und daß die Aluminium enthaltende Metall- und Sperrschicht mit dem Schlamm in einem einmaligen chemisch-mechanischen Polierschritt poliert wird.
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Families Citing this family (159)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5627345A (en) * 1991-10-24 1997-05-06 Kawasaki Steel Corporation Multilevel interconnect structure
US5266087A (en) * 1992-05-27 1993-11-30 Oat Henry C Synthetic abrasive stones and method for making same
US5607718A (en) * 1993-03-26 1997-03-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Polishing method and polishing apparatus
US5318927A (en) * 1993-04-29 1994-06-07 Micron Semiconductor, Inc. Methods of chemical-mechanical polishing insulating inorganic metal oxide materials
US5652180A (en) * 1993-06-28 1997-07-29 Kawasaki Steel Corporation Method of manufacturing semiconductor device with contact structure
US5340370A (en) 1993-11-03 1994-08-23 Intel Corporation Slurries for chemical mechanical polishing
US5733812A (en) * 1993-11-15 1998-03-31 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Semiconductor device with a field-effect transistor having a lower resistance impurity diffusion layer, and method of manufacturing the same
US5938504A (en) 1993-11-16 1999-08-17 Applied Materials, Inc. Substrate polishing apparatus
JP2600600B2 (ja) * 1993-12-21 1997-04-16 日本電気株式会社 研磨剤とその製法及びそれを用いた半導体装置の製造方法
US5582534A (en) * 1993-12-27 1996-12-10 Applied Materials, Inc. Orbital chemical mechanical polishing apparatus and method
US5643053A (en) * 1993-12-27 1997-07-01 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing apparatus with improved polishing control
US5650039A (en) * 1994-03-02 1997-07-22 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing apparatus with improved slurry distribution
US5525191A (en) * 1994-07-25 1996-06-11 Motorola, Inc. Process for polishing a semiconductor substrate
US5783497A (en) * 1994-08-02 1998-07-21 Sematech, Inc. Forced-flow wafer polisher
US5562530A (en) * 1994-08-02 1996-10-08 Sematech, Inc. Pulsed-force chemical mechanical polishing
US5527423A (en) * 1994-10-06 1996-06-18 Cabot Corporation Chemical mechanical polishing slurry for metal layers
DE69528513T2 (de) * 1994-12-06 2003-02-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd Verbrennungsgerät
US5695384A (en) * 1994-12-07 1997-12-09 Texas Instruments Incorporated Chemical-mechanical polishing salt slurry
US6001729A (en) * 1995-01-10 1999-12-14 Kawasaki Steel Corporation Method of forming wiring structure for semiconductor device
JPH08191054A (ja) * 1995-01-10 1996-07-23 Kawasaki Steel Corp 半導体装置及びその製造方法
WO1996025270A1 (en) * 1995-02-15 1996-08-22 Advanced Micro Devices, Inc. Abrasive-free selective chemo-mechanical polish for tungsten
WO1996027206A2 (en) * 1995-02-24 1996-09-06 Intel Corporation Polysilicon polish for patterning improvement
US5668063A (en) * 1995-05-23 1997-09-16 Watkins Johnson Company Method of planarizing a layer of material
US6046110A (en) * 1995-06-08 2000-04-04 Kabushiki Kaisha Toshiba Copper-based metal polishing solution and method for manufacturing a semiconductor device
JP3108861B2 (ja) * 1995-06-30 2000-11-13 キヤノン株式会社 アクティブマトリクス基板、該基板を用いた表示装置、及びこれらの製造方法
US5693239A (en) * 1995-10-10 1997-12-02 Rodel, Inc. Polishing slurries comprising two abrasive components and methods for their use
EP0779655A3 (de) * 1995-12-14 1997-07-16 International Business Machines Corporation Verfahren zum chemisch-mechanischen Polieren eines Halbleitersubstrats eines elektronischen Bauteils
US5840629A (en) * 1995-12-14 1998-11-24 Sematech, Inc. Copper chemical mechanical polishing slurry utilizing a chromate oxidant
US5700383A (en) * 1995-12-21 1997-12-23 Intel Corporation Slurries and methods for chemical mechanical polish of aluminum and titanium aluminide
US5993686A (en) * 1996-06-06 1999-11-30 Cabot Corporation Fluoride additive containing chemical mechanical polishing slurry and method for use of same
US5866031A (en) * 1996-06-19 1999-02-02 Sematech, Inc. Slurry formulation for chemical mechanical polishing of metals
US5994241A (en) * 1996-07-31 1999-11-30 International Business Machines Corporation Method of forming conductive lines on a semiconductor wafer
US5846398A (en) * 1996-08-23 1998-12-08 Sematech, Inc. CMP slurry measurement and control technique
KR19980019046A (ko) * 1996-08-29 1998-06-05 고사이 아키오 연마용 조성물 및 이의 용도(Abrasive composition and use of the same)
KR19980024187A (ko) * 1996-09-03 1998-07-06 고사이 아키오 반도체 기판상의 금속막을 연마하기 위한 연마용 조성물 및 이의 용도
US6039891A (en) * 1996-09-24 2000-03-21 Cabot Corporation Multi-oxidizer precursor for chemical mechanical polishing
US6033596A (en) * 1996-09-24 2000-03-07 Cabot Corporation Multi-oxidizer slurry for chemical mechanical polishing
US5783489A (en) * 1996-09-24 1998-07-21 Cabot Corporation Multi-oxidizer slurry for chemical mechanical polishing
US5972792A (en) * 1996-10-18 1999-10-26 Micron Technology, Inc. Method for chemical-mechanical planarization of a substrate on a fixed-abrasive polishing pad
US6068787A (en) * 1996-11-26 2000-05-30 Cabot Corporation Composition and slurry useful for metal CMP
US5958288A (en) * 1996-11-26 1999-09-28 Cabot Corporation Composition and slurry useful for metal CMP
US5954997A (en) 1996-12-09 1999-09-21 Cabot Corporation Chemical mechanical polishing slurry useful for copper substrates
US6126853A (en) * 1996-12-09 2000-10-03 Cabot Microelectronics Corporation Chemical mechanical polishing slurry useful for copper substrates
US6309560B1 (en) 1996-12-09 2001-10-30 Cabot Microelectronics Corporation Chemical mechanical polishing slurry useful for copper substrates
US5854140A (en) * 1996-12-13 1998-12-29 Siemens Aktiengesellschaft Method of making an aluminum contact
US6602439B1 (en) * 1997-02-24 2003-08-05 Superior Micropowders, Llc Chemical-mechanical planarization slurries and powders and methods for using same
US6204169B1 (en) * 1997-03-24 2001-03-20 Motorola Inc. Processing for polishing dissimilar conductive layers in a semiconductor device
US6322600B1 (en) 1997-04-23 2001-11-27 Advanced Technology Materials, Inc. Planarization compositions and methods for removing interlayer dielectric films
US5922091A (en) * 1997-05-16 1999-07-13 National Science Council Of Republic Of China Chemical mechanical polishing slurry for metallic thin film
US6083419A (en) * 1997-07-28 2000-07-04 Cabot Corporation Polishing composition including an inhibitor of tungsten etching
US5934978A (en) 1997-08-15 1999-08-10 Advanced Micro Devices, Inc. Methods of making and using a chemical-mechanical polishing slurry that reduces wafer defects
JP3381767B2 (ja) * 1997-09-22 2003-03-04 東京エレクトロン株式会社 成膜方法および半導体装置の製造方法
US6190237B1 (en) 1997-11-06 2001-02-20 International Business Machines Corporation pH-buffered slurry and use thereof for polishing
US6200896B1 (en) 1998-01-22 2001-03-13 Cypress Semiconductor Corporation Employing an acidic liquid and an abrasive surface to polish a semiconductor topography
US6143663A (en) * 1998-01-22 2000-11-07 Cypress Semiconductor Corporation Employing deionized water and an abrasive surface to polish a semiconductor topography
US6255772B1 (en) * 1998-02-27 2001-07-03 Micron Technology, Inc. Large-area FED apparatus and method for making same
US6432828B2 (en) * 1998-03-18 2002-08-13 Cabot Microelectronics Corporation Chemical mechanical polishing slurry useful for copper substrates
US6171180B1 (en) 1998-03-31 2001-01-09 Cypress Semiconductor Corporation Planarizing a trench dielectric having an upper surface within a trench spaced below an adjacent polish stop surface
US6063306A (en) * 1998-06-26 2000-05-16 Cabot Corporation Chemical mechanical polishing slurry useful for copper/tantalum substrate
US6217416B1 (en) 1998-06-26 2001-04-17 Cabot Microelectronics Corporation Chemical mechanical polishing slurry useful for copper/tantalum substrates
US6220934B1 (en) 1998-07-23 2001-04-24 Micron Technology, Inc. Method for controlling pH during planarization and cleaning of microelectronic substrates
TW455626B (en) * 1998-07-23 2001-09-21 Eternal Chemical Co Ltd Chemical mechanical abrasive composition for use in semiconductor processing
US6232231B1 (en) 1998-08-31 2001-05-15 Cypress Semiconductor Corporation Planarized semiconductor interconnect topography and method for polishing a metal layer to form interconnect
US5972124A (en) * 1998-08-31 1999-10-26 Advanced Micro Devices, Inc. Method for cleaning a surface of a dielectric material
US6534378B1 (en) 1998-08-31 2003-03-18 Cypress Semiconductor Corp. Method for forming an integrated circuit device
US6203407B1 (en) 1998-09-03 2001-03-20 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for increasing-chemical-polishing selectivity
DE69942615D1 (de) 1998-10-23 2010-09-02 Fujifilm Electronic Materials Eine chemisch-mechanisch polierende aufschlämmung, eine beschleunigerlösung enthaltend
US6566249B1 (en) 1998-11-09 2003-05-20 Cypress Semiconductor Corp. Planarized semiconductor interconnect topography and method for polishing a metal layer to form wide interconnect structures
US6276996B1 (en) 1998-11-10 2001-08-21 Micron Technology, Inc. Copper chemical-mechanical polishing process using a fixed abrasive polishing pad and a copper layer chemical-mechanical polishing solution specifically adapted for chemical-mechanical polishing with a fixed abrasive pad
US6206756B1 (en) 1998-11-10 2001-03-27 Micron Technology, Inc. Tungsten chemical-mechanical polishing process using a fixed abrasive polishing pad and a tungsten layer chemical-mechanical polishing solution specifically adapted for chemical-mechanical polishing with a fixed abrasive pad
SG73683A1 (en) * 1998-11-24 2000-06-20 Texas Instruments Inc Stabilized slurry compositions
US6083840A (en) * 1998-11-25 2000-07-04 Arch Specialty Chemicals, Inc. Slurry compositions and method for the chemical-mechanical polishing of copper and copper alloys
TW486514B (en) 1999-06-16 2002-05-11 Eternal Chemical Co Ltd Chemical mechanical abrasive composition for use in semiconductor processing
TWI227726B (en) 1999-07-08 2005-02-11 Eternal Chemical Co Ltd Chemical-mechanical abrasive composition and method
US6331135B1 (en) * 1999-08-31 2001-12-18 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates with metal compound abrasives
TW499471B (en) 1999-09-01 2002-08-21 Eternal Chemical Co Ltd Chemical mechanical/abrasive composition for semiconductor processing
US6383934B1 (en) 1999-09-02 2002-05-07 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates with selected planarizing liquids
US6734110B1 (en) 1999-10-14 2004-05-11 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Damascene method employing composite etch stop layer
US6435944B1 (en) * 1999-10-27 2002-08-20 Applied Materials, Inc. CMP slurry for planarizing metals
US6214732B1 (en) 1999-11-01 2001-04-10 Lucent Technologies, Inc. Chemical mechanical polishing endpoint detection by monitoring component activity in effluent slurry
US6306768B1 (en) 1999-11-17 2001-10-23 Micron Technology, Inc. Method for planarizing microelectronic substrates having apertures
US6881674B2 (en) * 1999-12-28 2005-04-19 Intel Corporation Abrasives for chemical mechanical polishing
KR20010092109A (ko) * 2000-03-20 2001-10-24 박종섭 금속배선 형성방법
US6313038B1 (en) 2000-04-26 2001-11-06 Micron Technology, Inc. Method and apparatus for controlling chemical interactions during planarization of microelectronic substrates
US6387289B1 (en) * 2000-05-04 2002-05-14 Micron Technology, Inc. Planarizing machines and methods for mechanical and/or chemical-mechanical planarization of microelectronic-device substrate assemblies
DE10035421A1 (de) * 2000-07-20 2002-02-07 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit einer Schichtenfolge zum ineinander Umwandeln von akustischen oder thermischen Signalen und elektrischen Spannungsänderungen
US6872329B2 (en) 2000-07-28 2005-03-29 Applied Materials, Inc. Chemical mechanical polishing composition and process
US6424137B1 (en) 2000-09-18 2002-07-23 Stmicroelectronics, Inc. Use of acoustic spectral analysis for monitoring/control of CMP processes
US6368964B1 (en) * 2000-12-08 2002-04-09 United Microelectronics Corp. Method for reducing resistance in a conductor
US6896776B2 (en) * 2000-12-18 2005-05-24 Applied Materials Inc. Method and apparatus for electro-chemical processing
US6383065B1 (en) 2001-01-22 2002-05-07 Cabot Microelectronics Corporation Catalytic reactive pad for metal CMP
US7232514B2 (en) * 2001-03-14 2007-06-19 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
US7323416B2 (en) * 2001-03-14 2008-01-29 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
US6811680B2 (en) * 2001-03-14 2004-11-02 Applied Materials Inc. Planarization of substrates using electrochemical mechanical polishing
US7128825B2 (en) 2001-03-14 2006-10-31 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
US6899804B2 (en) * 2001-12-21 2005-05-31 Applied Materials, Inc. Electrolyte composition and treatment for electrolytic chemical mechanical polishing
US7582564B2 (en) * 2001-03-14 2009-09-01 Applied Materials, Inc. Process and composition for conductive material removal by electrochemical mechanical polishing
US7160432B2 (en) * 2001-03-14 2007-01-09 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
US20060169597A1 (en) * 2001-03-14 2006-08-03 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
US6969684B1 (en) 2001-04-30 2005-11-29 Cypress Semiconductor Corp. Method of making a planarized semiconductor structure
US6783432B2 (en) 2001-06-04 2004-08-31 Applied Materials Inc. Additives for pressure sensitive polishing compositions
KR100557600B1 (ko) * 2001-06-29 2006-03-10 주식회사 하이닉스반도체 나이트라이드 cmp용 슬러리
TW591089B (en) * 2001-08-09 2004-06-11 Cheil Ind Inc Slurry composition for use in chemical mechanical polishing of metal wiring
US6953389B2 (en) * 2001-08-09 2005-10-11 Cheil Industries, Inc. Metal CMP slurry compositions that favor mechanical removal of oxides with reduced susceptibility to micro-scratching
US6722943B2 (en) 2001-08-24 2004-04-20 Micron Technology, Inc. Planarizing machines and methods for dispensing planarizing solutions in the processing of microelectronic workpieces
US20070295611A1 (en) * 2001-12-21 2007-12-27 Liu Feng Q Method and composition for polishing a substrate
US20030136759A1 (en) * 2002-01-18 2003-07-24 Cabot Microelectronics Corp. Microlens array fabrication using CMP
US7004819B2 (en) 2002-01-18 2006-02-28 Cabot Microelectronics Corporation CMP systems and methods utilizing amine-containing polymers
US6884729B2 (en) * 2002-02-11 2005-04-26 Cabot Microelectronics Corporation Global planarization method
US6828678B1 (en) 2002-03-29 2004-12-07 Silicon Magnetic Systems Semiconductor topography with a fill material arranged within a plurality of valleys associated with the surface roughness of the metal layer
US6853474B2 (en) * 2002-04-04 2005-02-08 Cabot Microelectronics Corporation Process for fabricating optical switches
US6884152B2 (en) * 2003-02-11 2005-04-26 Micron Technology, Inc. Apparatuses and methods for conditioning polishing pads used in polishing micro-device workpieces
US20040188379A1 (en) * 2003-03-28 2004-09-30 Cabot Microelectronics Corporation Dielectric-in-dielectric damascene process for manufacturing planar waveguides
US7964005B2 (en) * 2003-04-10 2011-06-21 Technion Research & Development Foundation Ltd. Copper CMP slurry composition
US7390429B2 (en) * 2003-06-06 2008-06-24 Applied Materials, Inc. Method and composition for electrochemical mechanical polishing processing
US7037351B2 (en) * 2003-07-09 2006-05-02 Dynea Chemicals Oy Non-polymeric organic particles for chemical mechanical planarization
US7040965B2 (en) 2003-09-18 2006-05-09 Micron Technology, Inc. Methods for removing doped silicon material from microfeature workpieces
US6929983B2 (en) 2003-09-30 2005-08-16 Cabot Microelectronics Corporation Method of forming a current controlling device
US20050092620A1 (en) * 2003-10-01 2005-05-05 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for polishing a substrate
KR100630678B1 (ko) * 2003-10-09 2006-10-02 삼성전자주식회사 알루미늄막의 화학적 기계적 연마용 슬러리, 그 슬러리를사용하는 화학적 기계적 연마 방법 및 그 방법을 사용하는알루미늄 배선 형성방법
US6939211B2 (en) * 2003-10-09 2005-09-06 Micron Technology, Inc. Planarizing solutions including abrasive elements, and methods for manufacturing and using such planarizing solutions
US20050148289A1 (en) * 2004-01-06 2005-07-07 Cabot Microelectronics Corp. Micromachining by chemical mechanical polishing
US7255810B2 (en) * 2004-01-09 2007-08-14 Cabot Microelectronics Corporation Polishing system comprising a highly branched polymer
US20060021974A1 (en) * 2004-01-29 2006-02-02 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
US7390744B2 (en) 2004-01-29 2008-06-24 Applied Materials, Inc. Method and composition for polishing a substrate
US7247567B2 (en) * 2004-06-16 2007-07-24 Cabot Microelectronics Corporation Method of polishing a tungsten-containing substrate
WO2006017336A2 (en) * 2004-07-13 2006-02-16 Altairnano, Inc. Ceramic structures for prevention of drug diversion
US7153191B2 (en) * 2004-08-20 2006-12-26 Micron Technology, Inc. Polishing liquids for activating and/or conditioning fixed abrasive polishing pads, and associated systems and methods
JP2006077127A (ja) * 2004-09-09 2006-03-23 Fujimi Inc 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法
US7084064B2 (en) * 2004-09-14 2006-08-01 Applied Materials, Inc. Full sequence metal and barrier layer electrochemical mechanical processing
US8038752B2 (en) 2004-10-27 2011-10-18 Cabot Microelectronics Corporation Metal ion-containing CMP composition and method for using the same
JP4836441B2 (ja) * 2004-11-30 2011-12-14 花王株式会社 研磨液組成物
US20060118760A1 (en) * 2004-12-03 2006-06-08 Yang Andy C Slurry composition and methods for chemical mechanical polishing
US7300876B2 (en) * 2004-12-14 2007-11-27 Sandisk 3D Llc Method for cleaning slurry particles from a surface polished by chemical mechanical polishing
EP1838795A2 (de) * 2005-01-07 2007-10-03 Dynea Chemicals OY Manipulierte nicht-polymere organische partikel für chemisch-mechanische planarisierung
US20060196778A1 (en) * 2005-01-28 2006-09-07 Renhe Jia Tungsten electroprocessing
US20060169674A1 (en) * 2005-01-28 2006-08-03 Daxin Mao Method and composition for polishing a substrate
US20060249394A1 (en) * 2005-05-05 2006-11-09 Applied Materials, Inc. Process and composition for electrochemical mechanical polishing
US20060249395A1 (en) * 2005-05-05 2006-11-09 Applied Material, Inc. Process and composition for electrochemical mechanical polishing
US20060278879A1 (en) * 2005-06-09 2006-12-14 Cabot Microelectronics Corporation Nanochannel device and method of manufacturing same
US8251777B2 (en) * 2005-06-30 2012-08-28 Cabot Microelectronics Corporation Polishing slurry for aluminum and aluminum alloys
US8062096B2 (en) * 2005-06-30 2011-11-22 Cabot Microelectronics Corporation Use of CMP for aluminum mirror and solar cell fabrication
US7576361B2 (en) * 2005-08-03 2009-08-18 Aptina Imaging Corporation Backside silicon wafer design reducing image artifacts from infrared radiation
AU2006283170A1 (en) * 2005-08-23 2007-03-01 Altairnano, Inc. Highly photocatalytic phosphorus-doped anatase-TiO2 composition and related manufacturing methods
US20070151866A1 (en) * 2006-01-05 2007-07-05 Applied Materials, Inc. Substrate polishing with surface pretreatment
US20080038482A1 (en) * 2006-03-02 2008-02-14 Fred Ratel Method for Low Temperature Production of Nano-Structured Iron Oxide Coatings
WO2007103829A1 (en) * 2006-03-02 2007-09-13 Altairnano, Inc. Method for production of metal oxide coatings
US20080020175A1 (en) * 2006-03-02 2008-01-24 Fred Ratel Nanostructured Indium-Doped Iron Oxide
US20070254485A1 (en) * 2006-04-28 2007-11-01 Daxin Mao Abrasive composition for electrochemical mechanical polishing
US20080149591A1 (en) * 2006-12-21 2008-06-26 Junaid Ahmed Siddiqui Method and slurry for reducing corrosion on tungsten during chemical mechanical polishing
US7754612B2 (en) * 2007-03-14 2010-07-13 Micron Technology, Inc. Methods and apparatuses for removing polysilicon from semiconductor workpieces
US20080254258A1 (en) * 2007-04-12 2008-10-16 Altairnano, Inc. Teflon® replacements and related production methods
KR20090002506A (ko) * 2007-06-29 2009-01-09 제일모직주식회사 상변화 메모리 소자 연마용 ｃｍｐ 슬러리 조성물 및 이를이용한 연마 방법
US20090001339A1 (en) * 2007-06-29 2009-01-01 Tae Young Lee Chemical Mechanical Polishing Slurry Composition for Polishing Phase-Change Memory Device and Method for Polishing Phase-Change Memory Device Using the Same
US20100200519A1 (en) * 2008-12-09 2010-08-12 E. I. Du Pont De Nemours And Company Filters for selective removal of large particles from particle slurries
JP5694119B2 (ja) 2010-11-25 2015-04-01 三菱電機株式会社 炭化珪素半導体装置
CN102757732B (zh) * 2012-06-28 2013-12-25 上海新安纳电子科技有限公司 Al衬底用化学机械抛光液
CN109728158B (zh) * 2017-10-27 2023-07-07 华邦电子股份有限公司 电阻式存储器及其制造方法与化学机械研磨制程
JP7345966B2 (ja) * 2019-06-24 2023-09-19 株式会社ディスコ ウェーハの再生方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2876144A (en) * 1956-02-24 1959-03-03 Crucible Steel Co America Metal pickling solutions and methods
DE1276980B (de) * 1961-03-18 1968-09-05 Cassella Farbwerke Mainkur Ag Beizpasten zur Reinigung der Oberflaechen von Werkstuecken aus VA-Staehlen
DE1911481A1 (de) * 1968-03-07 1969-11-13 Cohn Charles Calvin Chemisches Polieren von Aluminium
JPS4974632A (de) * 1972-11-21 1974-07-18
US4116714A (en) * 1977-08-15 1978-09-26 International Business Machines Corporation Post-polishing semiconductor surface cleaning process
JPS5817264B2 (ja) * 1980-12-29 1983-04-06 富士通株式会社 ゲルマニウムのエッチング方法
US4944836A (en) * 1985-10-28 1990-07-31 International Business Machines Corporation Chem-mech polishing method for producing coplanar metal/insulator films on a substrate
US4789648A (en) * 1985-10-28 1988-12-06 International Business Machines Corporation Method for producing coplanar multi-level metal/insulator films on a substrate and for forming patterned conductive lines simultaneously with stud vias
US4689113A (en) * 1986-03-21 1987-08-25 International Business Machines Corporation Process for forming planar chip-level wiring
JPH0682660B2 (ja) * 1987-08-17 1994-10-19 インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン 導電性スタツドを形成する方法
US4956313A (en) * 1987-08-17 1990-09-11 International Business Machines Corporation Via-filling and planarization technique
JPH01316471A (ja) * 1988-06-15 1989-12-21 New Japan Radio Co Ltd エッチング液
EP0351771B1 (de) * 1988-07-19 1995-08-30 HENKEL CORPORATION (a Delaware corp.) Reinigungs/Desoxydationssystem ohne Chrom
JPH0273983A (ja) * 1988-09-07 1990-03-13 Nippon Parkerizing Co Ltd アルミニウム用酸性洗浄液
US5084071A (en) * 1989-03-07 1992-01-28 International Business Machines Corporation Method of chemical-mechanical polishing an electronic component substrate and polishing slurry therefor
US4992135A (en) * 1990-07-24 1991-02-12 Micron Technology, Inc. Method of etching back of tungsten layers on semiconductor wafers, and solution therefore

Also Published As

Publication number Publication date
JP2500842B2 (ja) 1996-05-29
DE4317544A1 (de) 1993-12-09
US5209816A (en) 1993-05-11
JPH0669187A (ja) 1994-03-11

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