DE4401346C2 - Schaltung zum Verteilen von Abtast-und-Halte-Taktsignalen - Google Patents
Schaltung zum Verteilen von Abtast-und-Halte-TaktsignalenInfo
- Publication number
- DE4401346C2 DE4401346C2 DE4401346A DE4401346A DE4401346C2 DE 4401346 C2 DE4401346 C2 DE 4401346C2 DE 4401346 A DE4401346 A DE 4401346A DE 4401346 A DE4401346 A DE 4401346A DE 4401346 C2 DE4401346 C2 DE 4401346C2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- signal
- sample
- hold clock
- devices
- cell
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/70—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
- G11C29/78—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices
Description
Diese Erfindung betrifft die Bereitstellung einer Redundanz
bei sogenannten FISO-Anordnungen ("Fast-In, Slow-Out", d. h.
Anordnungen mit schneller Ein- und langsamer Ausgabe) wie sie
bei analogen Signalerfassungssystemen auf der Grundlage eines
CCDs (ladungsgekoppelten Bauelementes) verwendet werden, und
insbesondere eine Schaltung zur Bereitstellung einer solchen
Redundanz, bei der das genaue zeitliche Verhältnis benach
barter Signalwege zueinander gewahrt bleibt.
FISO-Anordnungen werden bei Systemen verwendet, die analoge
elektrische Signale mit hohen Abtastgeschwindigkeiten erfas
sen. Ein derartiges System ist in der U.S.-Patentschrift Nr.
5,144,525 (Saxe et al.) mit dem Titel "Analog Acquisition
System Including a High Speed Timing Generator" beschrieben,
dessen Offenbarung durch die Bezugnahme hierin miteingeschlos
sen und berücksichtigt ist. Ein weiteres ähnliches
Analogsignal-Erfassungssystem, bei dem jedoch ladungsgekop
pelte Bauelemente (CCDs) anstelle von Speicherkondensatoren,
die unter Verwendung von CMOS (komplementäres Metalloxid auf
Halbleiter) implementiert sind, verwendet werden, ist in der
gleichzeitig anhängigen U.S.-Patentanmeldung 07/836,436 (US-PS 52 00 983) des
selben Erfinders mit dem Titel "FISO Analog Signal Acquisition
System Employing CCD Array Storage" beschrieben, deren Offen
barung durch die Bezugnahme hierin miteingeschlossen und be
rücksichtigt ist. Bei keinem dieser beiden Systeme ist jedoch
eine Redundanz der FISO-Anordnung vorgesehen.
Bei einer eingebauten Redundanz handelt sich um eine Technik
zur Verbesserung der Leistung des Komponenten, indem ein al
ternativer Schaltungsaufbau bereitgestellt wird, der als Er
satz für eine normale Schaltung verwendbar ist, welche nicht
richtig funktioniert. Beispielsweise wird bei der Herstellung
von Speichern mit wahlfreiem Zugriff (RAMs) eine Redundanz
typischerweise sowohl bei Spalten als auch bei Reihen ver
wendet, um die Leistung der Bauelemente zu verbessern.
In Fig. 1 ist ein Ansatz dargestellt, der zur Bereitstellung
einer Redundanz bei der Reihen- und Spaltenadressierung in
RAM-Speichern verwendet wird. In diesem stark-vereinfachten
Beispiel werden zwei Adreßleitungen a und b und deren Komple
mente /a und /b von Reihendekodierern dekodiert, um Rei
henwahlsignale zu erzeugen. Der Reihendekodierer für regel
mäßige Reihen kann so einfach sein wie das in dieser Figur
dargestellte UND-Gatter, das das Reihen-Freigabe-#3-Signal
dekodiert. Die Bedingung des UND-Gatters im Reihen-Dekodierer
zur Reihen-Freigabe-#3 ist erfüllt, wenn a=1 und b=1 (eine
binäre 3). Um vorzusehen, daß eine defekte Reihe durch eine
redundante Reihe ersetzt wird, wird der Ausgang eines jeden
Dekodierers von regelmäßigen Reihen mit der Reihe, die er
adressiert, über eine laserabschmelzbare Verbindung,
beispielsweise der abschmelzbaren Verbindung f5, wie sie für
Reihe 3 dargestellt ist, gekoppelt.
Bei diesem Ansatz werden redundante Reihen durch Dekodierer
für redundante Reihen adressiert, die komplexer sind als die
Dekodierer für normale Reihen. Die Dekodierer für redundante
Reihen empfangen als Eingänge alle Adreßleitungen und deren
Komplemente. Wenn alle regelmäßigen Reihen richtig arbeiten
und keine redundanten Qualitäten benötigt werden, dann muß
keine der in Fig. 1 dargestellten abschmelzbaren Verbindungen
mit einem Laser geschnitten werden. Da sowohl die Adreßbits
als auch deren Komplemente an den Gattern eines der parallelen
Transistoren m1-m4 anliegen, wird durch das Vorliegen einer
beliebigen Adresse mindestens einer dieser Transistoren
eingeschaltet. Sind einer oder mehrere der Transistoren m1-m4
eingeschaltet, dann leiten diese das Adreßsignal der redun
danten Reihe auf Nasse, wodurch es inaktiv gehalten wird. Der
Transistor m5 fungiert als Widerstand zum Hochziehen der Span
nung, da seine Kanalgeometrie so ausgewählt ist, daß er einen
relativ hohen Widerstand bezüglich der anderen Widerstände
hat, und er befindet sich immer im eingeschalteten Zustand, da
sein Gatter auf Masse liegt und er ein PMOS-Transistor ist.
Liegt in einer der Reihen ein Defekt vor, dann wird diese
Reihe durch das Schmelzen der Schmelzleitung f5 auf Dauer ge
sperrt. Der Dekodierer der redundanten Reihe muß dann so pro
grammiert werden, daß er auf die Adresse der defekten Reihe
oder Spalte anspricht. Dies wird dadurch erzielt, daß diejeni
gen abschmelzbaren Verbindungen innerhalb des Dekodierers für
redundante Reihen weggebrannt werden, die ein Masseleitung
bilden, wenn die Adresse vorliegt, welche normalerweise die
Reihe aktivieren würde, die gesperrt wurde. Im aktuellen Bei
spiel, bei dem davon ausgegangen wird, daß Reihe #3 defekt und
daher gesperrt ist, hat das Abbrennen der abschmelzbaren Ver
bindungen f2 und f4 zur Folge, daß der Dekodierer für redun
dante Reihen zu einem Ersatz für den Dekodierer von Reihe #3
wird. Nachdem f2 und f4 eliminiert sind, ergibt das Vorliegen
von Adresse "11" hohe Signalpegel auf den Adreßleitungen a und
b und niedrige Signalpegel auf den invertierten Adreßleitungen
/a und /b. Die niedrigen Signalpegel auf /a und /b halten die
Transistoren m1 und m3 in einem abgeschalteten Zustand, wäh
rend aufgrund des Nichtvorhandenseins von f2 und f4 m2 und m4
nicht leiten können, trotz der hohen Pegel auf ihren Gattern.
Das Ergebnis ist, daß während der Adresse "11" das Ausgangs
signal der redundanten Reihe auf einen hohen Pegel geht.
Fig. 2A ist ein Zeitablaufdiagramm, das den Fall veranschau
licht, in dem alle normalen Adreßreihen im Betrieb sind und
keine Schmelzverbindungen abgebrannt wurden, während Fig. 2B
ein weiteres Zeitablaufdiagramm ist, das den Fall zeigt, in
dem Reihe #3 defekt ist und die Schmelzverbindungen f2, f4 und
f5 durchtrennt wurden, um die redundante Reihe als Ersatz für
Reihe #3 zuzuteilen.
Zur Erzielung einer Redundanz in einem Analogsignal-Erfas
sungs-System auf FISO-Basis muß anders vorgegangen werden, da
die genaue zeitliche Abstimmung zwischen aufeinanderfolgenden
Abtast-und-Halte-Signalen (ebenfalls bekannt als "Timing
Strobes") von äußerster Wichtigkeit ist. Da verschiedene Spal
ten in der Anordnung das Eingangssignal sequentiell zu Zeit
punkten abtasten müssen, die dicht und gleichmäßig voneinander
beabstandet sind, muß jedes anwendbare Verfahren zur Bereit
stellung von Redundanz äquivalente Zeitpfade für jedes Abtast
und-Halte-Signal und das erfaßte Signal bereitstellen. Die
ebenfalls anhängige U.S.-Patentanmeldung 07/824,434 (US-PS 5 352 933) desselben
Erfinders mit dem Titel "High Speed Sample and Hold Signal
Generator", deren Offenbarung durch diese Bezugnahme hierin
miteingeschlossen und gewürdigt ist, ist ein Beispiel dafür,
wie wichtig dieses Erfordernis einer zeitlichen Abstimmung ist
und beschreibt eine Schaltung zur Erzeugung sequentieller Ab
tast-und-Halte-Signal mit hoher Geschwindigkeit, deren zeit
licher Abstand genauestens gesteuert ist.
Es besteht die Aufgabe, eine Abtast-und-Halte-Signal-Taktung
an eine redundante Erfassungszelle bereitzustellen, bei der
das zeitliche Verhältnis bezüglich der anderen Abtastungen der
Erfassung beibehalten wird. Zur Beibehaltung dieses Zeitver
hältnisses müssen die Streukapazität und andere Verzögerungs
quellen im redundanten (Signal-)Weg genau auf diejenigen im
defekten (Signal-)Weg abgestimmt sein.
Gemäß vorliegender Erfindung wird mit einer Schaltung ein
FISO-Datenerfassungssystem derart modifiziert, daß eine redun
dante Analogdaten-Erfassungszelle bereitgestellt wird, die als
Ersatz für eine defekte Zelle (oder Spalte von Speicherzellen,
die durch eine a-Zelle gestützt werden) verwendet werden kann,
ohne das Taktverhältnis zwischen erfaßten Abtastwerten negativ
zu beeinträchtigen. Diese Schaltung weist eine Vielzahl von
Signalerfassungszellen auf, einschließlich mindestens einer
redundanten Zelle, die in einer Reihe angeordnet sind, eine
Quelle von Abtast-und-Halte-Taktsignalen für die Signalerfas
sungszellen, und eine entsprechende Reihe von Demultiplexern,
die die Abtast-und-Halte-Taktsignale derart an die Signaler
fassungszellen verteilen, daß eine oder zwei defekte Zellen
überbrückt oder umgangen werden können. Jede Erfassungszelle
hat einen Analogsignaleingang und einen Abtast-und-Halte-Takt
signaleingang, der bestimmt, wann das analoge Signal abzutas
ten ist. Jeder Demultiplexer hat jeweils einen Signaleingang,
einen Wahleingang und mindestens zwei Ausgänge, wobei der Ein
gang mit dem einen der Abtast-und-Halte-Taktsignale gekoppelt
ist und die Ausgänge mit den Abtast-und-Halte-Takteingängen
zweier nebeneinanderliegender Signalerfassungszellen gekoppelt
sind. Die Wahleingänge der Demultiplexer werden entweder durch
ein Schieberegister, abbrennbare Schmelzverbindungen oder
durch eine anderes Verfahren gesteuert, um auszuwählen, wel
cher Demultiplexer-Ausgang den Abtast-und-Halte-Takt empfangen
soll, so daß in Abwesenheit jeglicher Defekte die Abtast-und-
Halte-Taktsignale an einen ersten Satz von Signalerfassungs
zellen geleitet werden, und wenn ein Defekt in einer Zelle des
ersten Satzes von Signalerfassungszellen (oder in der Spalte
von Speicherzellen, der sie eingegeben werden) entdeckt wird,
dann werden die Abtast-und-Halte-Taktsignale für die defekte
Signalerfassungszelle an eine andere Signalerfassungszelle ge
leitet, ebenso wie alle anderen in einer Richtung entlang der
Länge der Reihe von Erfassungszellen geleitet werden. Pseudo-
Demultiplexer legen eine äquivalente Streukapazität und andere
Übertragungswegs-Charakteristika auf alle Abtast-und-Halte-
Taktsignalwege trotz der Veränderung der Signalleitung, wie
sie von den Demultiplexern durchgeführt wird.
Weitere Einzelheiten, Merkmale und Vorteile der vorliegenden
Erfindung ergeben sich aus der nachstehenden detaillierten
Beschreibung in Verbindung mit den beigefügten Zeichnungen.
Es zeigen:
Fig. 1 ein Schaltbild eines üblichen Ansatzes aus dem Stand
der Technik zur Bereitstellung einer Redundanz bei
der Adressierung eines RAM-Speichers mit Reserve
reihen und -spalten,
Fig. 2A und 2B Zeitablaufdiagramme, die den Betrieb der in Fig. 1
dargestellten Schaltung veranschaulichen,
Fig. 3 ein Schaltbild, das die Schaltung gemäß vorliegender
Erfindung zur Bereitstellung einer geeigneten Tak
tung an eine redundante Erfassungszelle in einer
FISO-Anordnung veranschaulicht,
Fig. 4A u. 4B Zeitablaufdiagramme, die den Betrieb der in Fig. 3
gezeigten Schaltung veranschaulichen,
Fig. 5 ein Schaltbild, das eine alternative Ausführungsform
der erfindungsgemäßen Schaltung zeigt,
Fig. 6 ein Zeitablaufdiagramm, das die Zeitsteuerung der
zwei zum Betrieb der in Fig. 5 und 7 gezeigten
Schaltung verwendeten Taktsignale darstellt,
Fig. 7 ein Schaltbild, das eine weitere alternative Aus
führungsform der vorliegenden Erfindung zeigt, und
Fig. 8 ein Schaltbild, das eine noch weitere alternative
Ausführungsform der vorliegenden Erfindung dar
stellt.
Die Fig. 3 ist ein Schaltbild, das die erfindungsgemäße Schal
tung zur Bereitstellung einer Taktung an eine Erfassungszelle,
die mit einer redundanten Spalte von Speicherzellen in einer
FISO-Anordnung verbunden ist, darstellt. Mit diesem Ansatz
wird das Problem der Bereitstellung von Abtast-und-Halte-Takt
signalen an die redundante Zelle unter gleichzeitiger Beibe
haltung des genauen Taktverhältnisses zwischen aufeinander
folgenden Abtastintervallen während einer Erfassung gelöst.
Die nacheinander verzögerten Taktsignale b1-bn werden jeweils
an die Eingänge entsprechender Demultiplexer D1-Dn angelegt.
Diese nacheinander verzögerten Taktsignale erscheinen dann
entweder am 0- oder am 1-Ausgang der Demultiplexer D1-Dn, in
Abhängigkeit vom Zustand ihrer SELect-(d. h. Wahl-)Eingänge.
Sind die SELect-Eingänge an die Demultiplexer D1-Dn tief, dann
werden ihre 0-Ausgänge ausgewählt und die nacheinander verzö
gerten Taktsignale b1-bn werden an die Takteingänge der ent
sprechenden Erfassungszellen a1-an gelegt. Sind die SELect-
Eingänge an die Demultiplexer D1-Dn noch, dann werden ihre 1-Ausgänge
ausgewählt und die nacheinander verzögerten Taktsig
nale b1-bn werden an die Takteingänge der Erfassungszellen
eine Stelle nach rechts, die a2-aR-Zellen, gelegt, wobei R die
redundante n+1-Zelle ist.
Die SELect-Eingänge SEL1-SELn an die Demultiplexer D1-DN
werden jeweils von den Transistorpaaren m1a, m1b-mna, mnb
zugeführt, und diese umfassen kollektiv eine Vorrichtung zur
Zuführung von Wahlsignalen 20. Jedes dieser Transistorenpaare
besteht aus einem PMOS-Transistor, dessen Source-Anschluß an
Vdd gelegt ist, und einem NMOS-Transistor, dessen Source-An
schluß über eine Schmelzverbindung fx an Vss anliegt. Die
Drain-Anschlüsse dieser Transistoren sind miteinander verbun
den, und dies bildet den Ursprung der SELx-Signale. Die Gatter
aller dieser Transistoren m1a, m1b-mna, mnb werden durch das
Taktsignal CK1 gesteuert.
In Fig. 4A ist ein Zeitablaufdiagramm dargestellt, das den
Betrieb der Transistorenpaare veranschaulicht, welche die
SELx-Signale steuern, wenn sie sich in ihren Normalzustand
befinden, wobei ihre Schmelzverbindungen fx intakt sind, d. h.
SELxNORMAL. CK1 ist ein Taktsignal mit einer längeren (höheren)
Dauer eines hohen Impulszustandes als CK, der Takt, von dem
die Abtast-und-Halte-Abtastimpulse b1-bn abgeleitet werden.
Wird der hohe Abschnitt des CK1-Taktsignals an die Gatter der
Transistoren m1a, m1b bis mna, mnb angelegt, dann wird der
PMOS-Transistor mxa in jedem Paar abgeschaltet und der NMOS-
Transistor mxb in jedem Paar wird angeschaltet. Während sich
die Transistoren in diesem Zustand befinden, werden die
SELXNORMAL-Signale, die sie erzeugen, durch Leitung durch den
NMOS-Transistor auf Masse tief gehalten, und der 0-Ausgang der
von ihnen gesteuerten Demultiplexer wird ausgewählt. Während
der Zeiten, zu denen das CK1-Signal tief ist, wird der PMOS-
Transistor mxa in jedem Paar angeschaltet und der NMOS-Tran
sistor mxb in jedem Paar wird ausgeschaltet. Während sich die
Transistoren in diesem Zustand befinden, werden die von ihnen
erzeugten SELXNORMAL-Signale durch Leitung durch den PMOS-
Transistor an Vdd hoch gehalten, und der 1-Ausgang der von
ihnen gesteuerten Demultiplexer wird ausgewählt. Da es jedoch
während dieser Zeit keine Abtast-und-Halte-Impulse b1-bn gibt,
durchlaufen während der Zeit, zu der ihre 1-Ausgänge ausge
wählt werden, keine Signale die Demultiplexer D1-D2.
Fig. 4B ist ein Zeitablaufdiagramm, das den Betrieb der Tran
sistorpaare veranschaulicht, welche die SELx-Signale steuern,
wenn die Schmelzverbindungen fx auf dem Source-Anschluß des
NMOS-Transistors abgebrannt sind, d. h. SELxABGEBRANNT. Bei
Einschaltung ist SELxABGEBRANNT anfänglich tief. Wenn eine
Schmelzverbindung fx weggebrannt wurde, dann schaltet der
tiefe Abschnitt des CK1-Signals den PMOS-Transistor mxa ein,
was bewirkt, daß sich die am Übergang der Drain-Anschlüsse der
beiden Transistoren mxa und mxb vorliegende Streukapazität
auflädt. Wenn der hohe Abschnitt des CK1-Signals den PMOS-
Transistor mxa ausschaltet und den NMOS-Transistor mxb
einschaltet, dann bleibt das SELxABGEBRANNT-Signal hoch. Dies
ist darauf zurückzuführen, daß kein Strom durch den NMOS-
Transistor mxb fließen kann, weil die Source-Leitung offen
ist, und auch darauf, daß der SELect-Eingang des Demultiple
xers Dx auf eine relativ hohe Eingangs-Impedanz ausgelegt ist.
Um eine Verwendung der redundanten (Reserve-)Erfassungszelle
aR zu ermöglichen, werden Schmelzverbindungen, die mit Erfas
sungszellen links von der defekten Zelle verbunden sind, in
takt belassen, während Schmelzverbindungen, die mit der defek
ten Zelle verbunden sind, und solche, die sich rechts von ihr
befinden, weggebrannt werden. Dies bewirkt, daß sich die den Er
fassungszellen links von der defekten Zelle zugeordneten
SELxNORMAL-Signale so verhalten, wie es in Fig. 4A dargestellt
ist, während die der defekten Erfassungszelle und den rechts
von ihr befindlichen Zellen zugeordneten SELxABGEBRANNT-Signale
sich so verhalten, wie es in Fig. 4B dargestellt ist. Wenn zum
Beispiel die Erfassungszelle a2 defekt ist, dann wird f1 in
takt gelassen und f2 bis fn werden weggebrannt und durch
trennt. Dann verlaufen die Abtast-und-Halte-Erfassungsimpulse
b1 weiterhin zur Erfassungszelle a1, während die Abtastimpulse
b2 bis bn jeweils zu den Erfassungszellen a3 bis aR geleitet
werden.
Es ist anzumerken, daß die in Fig. 3 dargestellte Schaltung
äquivalente Signalwege und Einfügungsverzögerungen für alle
Abtast-und-Halte-Impulse b1-bn erstellt, ungeachtet dessen, ob
sie von den Demultiplexern D1-Dn nach links oder nach rechts
geleitet werden. Des weiteren sind die Pseudo-Demultiplexer
DD0 und DD(n+1) an den Enden der Kette aktiver Demultiplexer
D1-Dn vorgesehen, um äquivalente Lasten auf alle Signalwege zu
legen, selbst auf diejenigen, die ansonsten anders wären, weil
sie sich am Ende der Kette befanden und keine äquivalente
Signalweglast hatten.
In Fig. 5 ist eine alternative Version der Schaltung gemäß
vorliegender Erfindung dargestellt, eine Version, die
im Betriebe programmierbar ist und nicht in einem einmaligen
Vorgang vorgefertigt gebrannt ist. Bei dieser Version der
Schaltung werden die Signale SEL1-SELn von einer Vorrichtung
zur Erzeugung von Auswahlsignalen (20′) erstellt, die ein
Schieberegister mit Flipflops FF1-FFn enthält, und nicht von
der in Fig. 3 dargestellten Anordnung aus Transistorpaaren und
Schmelzverbindungen. Wie es in Fig. 6 dargestellt ist, werden
die seriellen Daten Din unter der Steuerung von CK1 in das
Schieberegister eingebracht, bevor der reguläre Betrieb unter
der Steuerung von CK beginnt. Die restliche Schaltung ist
dieselbe wie die in Fig. 3 dargestellte und auch ihr Betrieb
ist gleich. Diese Version der Erfindung hat den Vorteil, daß
sie im Betrieb vollständig programmierbar ist, wodurch Kanäle,
die nach der Lieferung von der Fabrik nicht mehr funktionie
ren, mit dem Redundanzkanal überbrückt werden können. Diese
Möglichkeit erfordert jedoch etwas mehr Zeit und Manipulation
der Software, um zum gleichen Resultat zu kommen.
Das Konzept der vorliegenden Erfindung kann so erweitert
werden, daß mehr als ein redundanter (Signal)weg für eine
gegebene Anordnung vorgesehen wird. In Fig. 7 ist ein Beispiel
einer Version der vorliegenden Erfindung dargestellt, bei dem
eine Taktung für zwei redundante Wege aR1 und aR2 von einer
Erfassungszelle vorgesehen ist. In dieser Ausführungsform der
Erfindung hat jeder Demultiplexer D1-D4 drei Ausgabestellun
gen, wobei die Pseudo-Multiplexer DD0 und DD5 sicherstellen,
daß Streukapazität und andere Signalwegcharakteristika für
jeden Signalweg ausgeglichen werden.
Da Demultiplexer mit drei oder vier Ausgängen zwei Auswahl
signaleingänge SELa und SELb erfordern, muß das Schieberegis
ter der Vorrichtung zur Erzeugung von Auswahlsignalen 20′′ nun
doppelt so lang sein. Dementsprechend weist das Schieberegis
ter nun zweimal soviele Flipflops FF1a-FFnb auf (in diesem
Fall sind FFna und FFnb gleich FF4a und FF4b, da die Schaltung
mit begrenzter Länge dargestellt ist). Nachdem das Schiebe
register mit seinen Auswahlwerten gemäß Din geladen worden
ist, wie es in Fig. 6 dargestellt ist, erzeugt jedes Flipflop-
Paar FFXa und FFxb Auswahlwerte SELXa und SELxb, die den
entsprechenden Demultiplexer Dx steuern.
Fig. 8 zeigt einen Teil einer anderen Version der erfindungs
gemäßen Schaltung, in welcher das nichtprogrammierbare
Schmelzverbindungskonzept der in Fig. 3 dargestellten Schal
tung mit dem in Fig. 7 dargestellten dualen Redundanzwegkon
zept kombiniert ist. Bei dieser Ausführungsform der Schaltung
werden die Auswahlsignale SELxa und SELxb von einer Vorrich
tung zur Erzeugung von Auswahlsignalen 20′′′ erstellt, welche
Transistoren wie in Fig. 3 dargestellt aufweist und gemäß
permanenter Information, wie sie im Muster der abbrennbaren
Schmelzverbindungen fxa und fxb liegt.
Es ist selbstverständlich, daß eine Anordnung von Multi
plexern, die den Demultiplexern D1-Dn entsprechen, am Aus
gangsende der den Erfassungszellen a1-an zugeordneten CCD-
Anordnungen verwendet werden kann, um die das Verhalten des
erfaßten Signals SIG definierende Daten wiederzugewinnen und
sequentiell zu rekonstruieren.
Die vorstehenden sind ausgewählte Ausführungsbeispiele, die
den allgemeinen Sinn der Erfindung verdeutlichen. Selbstver
ständlich sind darüber hinaus viele weitere Ausführungsbei
spiele denkbar, die im Rahmen des Grundgedankens der Erfindung
liegen.
Claims (7)
1. Schaltung zum Verteilen von Abtast-und-Halte-Takt
signalen entlang äquivalenter Signalverteilungswege an
normale und redundante analoge Signalerfassungszellen
gekennzeichnet durch
eine Quelle für Abtast-und-Halte-Taktsignale (b1-bn);
eine Vielzahl von in einer Reihe angeordneten Sig nalleitvorrichtungen (D1-Dn), wobei jede Signalleitvor richtung einen Signaleingang und einen Wahleingang sowie erste und zweite Ausgänge hat, wobei jeder der Signalein gänge der Vielzahl von Signalleitvorrichtungen eines der Abtast-und-Halte-Taktsignale empfängt, und die Signal leitvorrichtung das Abtast-und-Halte-Taktsignal auf ihrem Eingang als entweder den ersten oder dem zweiten Ausgang erzeugt, in Abhängigkeit von dem Zustand des Wahlsignal eingangs;
eine Reihe von Signalerfassungszellen (a1-an, aR), die eine Anzahl von Signalerfassungszellen enthält, wobei diese Anzahl größer ist als die Anzahl von Signalleitvor richtungen in der Vielzahl von Signalleitvorrichtungen, eine jede derartige Zelle einen analogen Signaleingang und einen Abtast-und-Halte-Taktsignaleingang hat, wobei der Abtast-und-Halte-Taktsignaleingang mit dem ersten Ausgang einer der Signalleitvorrichtungen und mit dem zweiten Ausgang einer weiteren der Vielzahl von Signal leitvorrichtungen verbunden ist, wobei jede Signalerfas sungszelle bei Vorliegen des Abtast-und-Halte-Taktsignal eingangs eine Abtastung des Analogsignals erfaßt,
wobei bei Nichtvorhandensein jeglicher Defekte die Abtast-und-Halte-Taktsignale an einen anfänglichen Satz von Signalerfassungszellen geleitet werden, und bei Auf finden eines Defekts in einer Zelle des anfänglichen Satzes von Signalerfassungszellen oder der Schaltung, die einer Zelle des anfänglichen Satzes von Signalerfassungs zellen zugeordnet ist, das Abtast-und-Halte-Taktsignal für die defekte Signalerfassungszelle ebenso wie alle anderen in einer Richtung entlang der Reihe von Signalleitvorrichtungen, folgenden Abtast- und -Halte-Taktsignale an eine benachbarte Signalerfassungszelle geleitet wird.
eine Vielzahl von in einer Reihe angeordneten Sig nalleitvorrichtungen (D1-Dn), wobei jede Signalleitvor richtung einen Signaleingang und einen Wahleingang sowie erste und zweite Ausgänge hat, wobei jeder der Signalein gänge der Vielzahl von Signalleitvorrichtungen eines der Abtast-und-Halte-Taktsignale empfängt, und die Signal leitvorrichtung das Abtast-und-Halte-Taktsignal auf ihrem Eingang als entweder den ersten oder dem zweiten Ausgang erzeugt, in Abhängigkeit von dem Zustand des Wahlsignal eingangs;
eine Reihe von Signalerfassungszellen (a1-an, aR), die eine Anzahl von Signalerfassungszellen enthält, wobei diese Anzahl größer ist als die Anzahl von Signalleitvor richtungen in der Vielzahl von Signalleitvorrichtungen, eine jede derartige Zelle einen analogen Signaleingang und einen Abtast-und-Halte-Taktsignaleingang hat, wobei der Abtast-und-Halte-Taktsignaleingang mit dem ersten Ausgang einer der Signalleitvorrichtungen und mit dem zweiten Ausgang einer weiteren der Vielzahl von Signal leitvorrichtungen verbunden ist, wobei jede Signalerfas sungszelle bei Vorliegen des Abtast-und-Halte-Taktsignal eingangs eine Abtastung des Analogsignals erfaßt,
wobei bei Nichtvorhandensein jeglicher Defekte die Abtast-und-Halte-Taktsignale an einen anfänglichen Satz von Signalerfassungszellen geleitet werden, und bei Auf finden eines Defekts in einer Zelle des anfänglichen Satzes von Signalerfassungszellen oder der Schaltung, die einer Zelle des anfänglichen Satzes von Signalerfassungs zellen zugeordnet ist, das Abtast-und-Halte-Taktsignal für die defekte Signalerfassungszelle ebenso wie alle anderen in einer Richtung entlang der Reihe von Signalleitvorrichtungen, folgenden Abtast- und -Halte-Taktsignale an eine benachbarte Signalerfassungszelle geleitet wird.
2. Schaltung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Vielzahl von Signalleitvorrichtungen (D1-Dn)
einen dritten Ausgang haben und die Anzahl von Signal
erfassungszellen mindestens um zwei größer ist als die
Anzahl von Signalleitvorrichtungen in der Vielzahl von
Signalleitvorrichtungen.
3. Schaltung nach Anspruch 1, weiterhin
dadurch gekennzeichnet,
daß zwei Pseudo-Signalleitvorrichtungen (DD0, DD(n+1))
angeordnet sind, um einen ersten Pseudo-Ausgang für den
Abtast-und-Halte-Taktsignaleingang einer Signalerfas
sungszelle und einen zweiten Pseudo-Ausgang für den Ab
tast-und-Halte-Taktsignaleingang der anderen Signalerfas
sungszelle zu schaffen, so daß alle Signalwege zwischen
den Ausgängen der Signalleitvorrichtungen und den Eingän
gen der Erfassungszelle elektrisch äquivalent erscheinen.
4. Schaltung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Signalleitvorrichtungen Demultiplexer (D1-Dn)
sind.
5. Schaltung nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß sie Vorrichtungen (20, 20′, 20′′, 20′′′) zum Zuführen
von Auswahlsignalen aufweist.
6. Schaltung nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Vorrichtung zur Zuführung von Auswahlsignalen ein
Schieberegister (FF1-FFn) aufweist.
7. Schaltung nach Anspruch 5,
dadurch gekennzeichnet,
daß die Vorrichtung zur Zuführung von Auswahlsignalen
brennbare Schmelzverbindungen (f1-fn) aufweist.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US08/006,284 US5557618A (en) | 1993-01-19 | 1993-01-19 | Signal sampling circuit with redundancy |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE4401346A1 DE4401346A1 (de) | 1994-07-21 |
DE4401346C2 true DE4401346C2 (de) | 1995-11-30 |
Family
ID=21720165
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE4401346A Expired - Fee Related DE4401346C2 (de) | 1993-01-19 | 1994-01-18 | Schaltung zum Verteilen von Abtast-und-Halte-Taktsignalen |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5557618A (de) |
JP (1) | JP2727054B2 (de) |
DE (1) | DE4401346C2 (de) |
GB (1) | GB2274346B (de) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6227637B1 (en) * | 1998-05-14 | 2001-05-08 | Lsi Logic Corporation | Circuit and method for encoding and retrieving a bit of information |
US6581460B1 (en) | 2002-01-28 | 2003-06-24 | Vega Grieshaber Kg | Method and device for direct digitizing microwave signals |
US20060094466A1 (en) * | 2004-10-20 | 2006-05-04 | Bao Tran | Systems and methods for providing expansion to wireless communicators |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5928560Y2 (ja) * | 1979-11-13 | 1984-08-17 | 富士通株式会社 | 冗長ビットを有する記憶装置 |
JPS59203299A (ja) * | 1983-05-06 | 1984-11-17 | Nec Corp | 冗長ビット付メモリ |
KR910005601B1 (ko) * | 1989-05-24 | 1991-07-31 | 삼성전자주식회사 | 리던던트 블럭을 가지는 반도체 메모리장치 |
JPH03245400A (ja) * | 1990-02-21 | 1991-10-31 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体メモリ装置 |
US5144525A (en) * | 1990-09-27 | 1992-09-01 | Tektronix, Inc. | Analog acquisition system including a high speed timing generator |
US5274593A (en) * | 1990-09-28 | 1993-12-28 | Intergraph Corporation | High speed redundant rows and columns for semiconductor memories |
KR940008208B1 (ko) * | 1990-12-22 | 1994-09-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리장치의 리던던트 장치 및 방법 |
US5200983A (en) * | 1992-04-17 | 1993-04-06 | Tektronix, Inc. | Fiso analog signal acquisition system employing CCD array storage |
-
1993
- 1993-01-19 US US08/006,284 patent/US5557618A/en not_active Expired - Fee Related
- 1993-12-15 GB GB9325670A patent/GB2274346B/en not_active Expired - Fee Related
-
1994
- 1994-01-14 JP JP6014952A patent/JP2727054B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1994-01-18 DE DE4401346A patent/DE4401346C2/de not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB2274346A (en) | 1994-07-20 |
JP2727054B2 (ja) | 1998-03-11 |
DE4401346A1 (de) | 1994-07-21 |
JPH06282999A (ja) | 1994-10-07 |
US5557618A (en) | 1996-09-17 |
GB9325670D0 (en) | 1994-02-16 |
GB2274346B (en) | 1996-10-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2633079C3 (de) | Anordnung zum elektrischen Verbinden von auf einem Halbleiterscheibchen aufgebauten Schaltungseinheiten mit einer gemeinsamen Sammelleitung | |
DE3638632C2 (de) | ||
DE3520003C2 (de) | ||
DE3724509A1 (de) | Dynamischer ram | |
DE102011053359B4 (de) | Latch-basierte Speichervorrichtung und Verfahren zum Testen derselben | |
DE4118804A1 (de) | Dynamische halbleiterspeicheranordnung mit hochgeschwindigkeit-reihenzugriffspaltendecodierer | |
DE3401796A1 (de) | Halbleiterspeichervorrichtung | |
DE3716518A1 (de) | Halbleiterspeichervorrichtung | |
DE2335785B2 (de) | Schaltungsanordnung zum Prüfen einer Matrixverdrahtung | |
DE19740695A1 (de) | Speicherarchitektur mit Mehrebenenhierarchie | |
EP0612074B1 (de) | Spalten-Redundanz-Schaltungsanordnung für einen Speicher | |
DE3441473A1 (de) | Halbleiterspeicher | |
EP0628832B1 (de) | Integrierte Schaltung mit Registerstufen | |
DE4445431C2 (de) | Aktivmatrixtafel | |
DE19807237C2 (de) | Halbleiterbauelement-Testgerät | |
DE69821691T2 (de) | Assoziatives Speichersystem | |
EP0170727B1 (de) | Integrierter Schreib-Lesespeicher | |
DE4401346C2 (de) | Schaltung zum Verteilen von Abtast-und-Halte-Taktsignalen | |
DE10063688A1 (de) | Schaltungsanordnung zur Ansteuerung einer programmierbaren Verbindung | |
EP0214508A2 (de) | Integrierter Halbleiterspeicher | |
DE19651713C2 (de) | Bauelement-Testgerät zum Testen elektronischer Bauelemente | |
EP0882294B1 (de) | Festspeicher und verfahren zur ansteuerung desselben | |
DE3348201C2 (en) | Semiconductor memory device | |
DE19507312C1 (de) | Halbleiterspeicher, dessen Speicherzellen zu einzeln adressierbaren Einheiten zusammengefaßt sind und Verfahren zum Betrieb solcher Speicher | |
DE10011180B4 (de) | Digitale Speicherschaltung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
OP8 | Request for examination as to paragraph 44 patent law | ||
D2 | Grant after examination | ||
8364 | No opposition during term of opposition | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |