DE4402082A1 - Signalübertragungsleitung in Filmschichttechnik - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine Signalübertragungsleitung in Filmschichttechnik nach dem Oberbegriff des Anspruches 1, sowie eine hiermit gebildete Signalübertragungsvorrich­ tung nach dem Oberbegriff des Anspruches 5. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfindung eine Signalübertragungs­ leitungs-Struktur, welche zur Anordnung auf einem inte­ grierten Halbleiterschaltkreis geeignet ist, der mit sehr hohen Arbeitsfrequenzen und sehr hohen Arbeitsgeschwin­ digkeiten betrieben wird, oder welche geeignet ist, eine Verbindungsstruktur zwischen einer Mehrzahl von integrier­ ten Halbleiterschaltkreisen herzustellen.

Fig. 8 zeigt eine perspektivische Schnittdarstellung einer Signalübertragungsleitung in Filmschichttechnik nach dem Stand der Technik. In Fig. 8 ist mit dem Bezugszeichen 1 ein dielektrischer Film, beispielsweise aus Polyimid, be­ zeichnet. Erste Metallfilme 3, welche jeweils eine Kupfer- Filmschicht oder dergleichen aufweisen und welche eine be­ stimmte Breite haben sind auf einer ersten oder oberen Oberfläche des dielektrischen Films 1 als Signalleitungen abgeschieden. Ein zweiter Metallfilm 2 ist auf einer zwei­ ten oder unteren Oberfläche des dielektrischen Films 1 als Masseebene abgeschieden.

Diese bekannte Signalübertragungsleitung in Film­ schichttechnik arbeitet wie folgt:
Die in Fig. 8 dargestellte Signalübertragungsleitung wird verwendet, um Verbindungen zwischen Schaltkreisen in dem gleichen Gehäuse herzustellen, wobei die Kupfer-Film­ schicht 2 als Masseebene und die Kupfer-Filmschicht 3 je­ weils als Signalleitungen arbeitet, so daß elektromagneti­ sche Wellen (nachfolgend als RF-Signal bezeichnet) in der Übertragungsleitung übertragen werden, welche jeweils von einer Signalleitung 3 und der Filmschicht-Masseebene 2 ge­ bildet wird und eine bestimmte Leitungsimpedanz in Richtung Z oder in Richtung -Z hat.

Diese bekannte Signalübertragungsleitung in Film­ schichttechnik mit der in Fig. 8 dargestellten Mikrostrei­ fen-Leitungsstruktur hat die folgenden Probleme: Wenn die einzelnen Signalleitungen näher aneinander herangebracht werden, da die Integrationsdichte ansteigt, wachsen eine gegenseitige Beeinflussung d. h. ein Übersprechen zwischen Signalleitungen, sowie Übertragungsverluste im RF-Signal an.

Zusätzlich treten am Befestigungsbereich der Si­ gnalübertragungsleitung mit einem integrierten Halbleiter­ schaltkreis, der im Millimeter-Wellenband arbeitet und am Verbindungsbereich mit einer Mehrzahl derartiger integrier­ ter Halbleiterschaltkreise Reflektionen von RF-Signalen auf Grund einer Impedanz-Fehlanpassung am Verbindungsbereich zwischen der Übertragungsleitung und den Schaltkreisen auf, was die Übertragungsverluste in nachteiliger Weise erhöht.

Aus den veröffentlichten japanischen Patentanmeldungen 3-14486 und 1-207937 sind Techniken bekannt, um bei Si­ gnalübertragungsleitungen in Filmschichttechnik die Reflek­ tionen von Hochfrequenzsignalen zu verringern und die Ein­ gangs- und Ausgangsimpedanzen zu stabilisieren. Hierzu wer­ den die Signalleitungen in einem isolierenden Film einge­ bettet, Masseebenen an beiden Oberflächen des isolierenden Filmes vorgesehen und dann die Masseebenen mit Durchgangs­ bohrungen miteinander verbunden. Hierbei sind jedoch die Durchgangsbohrungen zwischen einander benachbarten Signal­ leitungen angeordnet, was somit keinen Beitrag zur Verrin­ gerung im Übersprechen bringen kann und was wiederum zu ho­ hen Übertragungsverlusten wie beim Stand der Technik nach Fig. 8 führt.

Es ist von daher Aufgabe der vorliegenden Erfindung, eine Signalübertragungsleitung in Filmschichttechnik zu schaffen, bei welcher das Übersprechen zwischen Signallei­ tungen verringert ist, selbst wenn eine Mehrzahl derartiger Signalleitungen eng aneinander auf einem Trägerfilm bei­ spielsweise aus Polyimid angeordnet sind. Weiterhin sollen bei der erfindungsgemäßen Signalübertragungsleitung die Übertragungsverluste des Eingangssignales verringert wer­ den, welche durch Reflektionen auf Grund von Impedanz-Fehl­ anpassungen verursacht werden.

Eine Signalübertragungsleitung in Filmschichttechnik umfaßt gemäß eines ersten Aspektes der vorliegenden Erfin­ dung ein dielektrisches Material als Mutter- oder Trägerma­ terial mit einer ersten oder oberen Oberfläche und einer zweiten oder unteren Oberfläche gegenüber der ersten Ober­ fläche, eine Mehrzahl von Signalleitungen zum Übertragen eines Hochfrequenzsignales, welche in dem dielektrischen Trägermaterial mit bestimmten Abständen dazwischen einge­ bettet sind, eine Masseleitung oder Masseebene, welche auf der unteren Oberfläche des dielektrischen Trägermaterials angeordnet ist, eine trennende Vertiefung in einem Bereich des Trägermateriales zwischen benachbarten Signalleitungen und entlang diesen verlaufend und zweite auf Masse liegende leitfähige Filme, welche auf der ersten Oberfläche des Trä­ germaterials und in der trennenden Vertiefung angeordnet sind und elektrisch mit dem ersten auf Masse liegenden leitfähigen Film über die Vertiefungen in Verbindung ste­ hen.

Durch diesen Aufbau sind einander benachbarte Signal­ leitungen elektrisch abgeschirmt und ein Übersprechen zwi­ schen Signalleitungen ist verringert.

Eine Signalübertragungsleitung in Filmschichttechnik umfaßt gemäß eines zweiten Aspektes der vorliegenden Erfin­ dung ein dielektrisches Material als Mutter- oder Trägerma­ terial mit einer ersten Oberfläche und einer zweiten, der ersten Oberfläche gegenüberliegenden Oberfläche, eine Mehr­ zahl von Signalleitungen zur Übertragung eines Hochfre­ quenzsignales, welche in dem dielektrischen Trägermaterial mit bestimmten Abständen zueinander eingebettet sind, eine auf Masse liegende Leitung oder eine auf Masse liegende Ebene, welche auf der zweiten Oberfläche des dielektrischen Trägermaterials angeordnet ist, eine trennende Vertiefung in einem Bereich des Trägermaterials zwischen einander be­ nachbarten Signalleitungen und entlang dieser Signalleitun­ gen verlaufend und zweite auf Masse liegende leitfähige Filme, welche auf der ersten Oberfläche des Trägermaterials und in der Vertiefung angeordnet sind und elektrisch mit dem ersten auf Masse liegenden leitfähigen Film über die Vertiefung in Verbindung stehen. Hiermit können die Si­ gnalübertragungsleitungen in Filmschichttechnik und ein Schaltkreis als Signalleitungen eines koplanaren Types mit­ einander verbunden werden und eine Impedanz-Fehlanpassung im Verbindungsbereich wird verringert.

Bei einer Signalübertragungsleitung in Filmschichttech­ nik gemäß eines dritten Aspektes der vorliegenden Erfindung stehen die Signalleitungen von dem Trägermaterial an dessen Enden vor und verlängerte Bereiche von auf Masse liegenden Leitern sind an beiden Seiten der verlängerten Signallei­ tungen vorgesehen, wobei diese verlängerten Bereiche mit den ersten und zweiten auf Masse liegenden leitfähigen Fil­ men miteinander verbunden sind und wobei deren Endbereiche miteinander verbunden sind, wobei weiterhin ein Raum zwi­ schen den verlängerten Bereichen mit einem Trägerfilm aus dielektrischem Material gefüllt ist.

Bei einer Signalübertragungsleitung in Filmschichttech­ nik gemäß eines vierten Aspektes der vorliegenden Erfindung sind Schlitze mit einer bestimmten Breite und Tiefe ober­ halb der Signalleitungen in dem zweiten auf Masse liegenden leitfähigen Film angeordnet. Von daher ändert sich die Im­ pedanz an dem Endabschnitt der Signalübertragungsleitungen nicht abrupt.

Bei einer Signalübertragungsleitung in Filmschichttech­ nik nach einem fünften Aspekt der vorliegenden Erfindung wird als dielektrisches Trägermaterial ein Schaummaterial verwendet. Die Dielektrizitätskonstante des dielektrischen Materiales, welches die Übertragungsleitung bildet, wird daher verringert.

Allgemein und zusammenfassend kann gesagt werden, daß die Lösung der oben erwähnten Aufgabe durch die im Anspruch 1 bzw. 5 angegebenen Merkmale gelöst wird, wobei sich vor­ teilhafte Ausgestaltungen der Erfindung aus den jeweiligen Unteransprüchen ergeben.

Weitere Einzelheiten, Aspekte und Vorteile der vorlie­ genden Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Be­ schreibung unter Bezugnahme auf die Zeichnung.

Es zeigt:

Fig. 1 eine perspektivische Schnittdarstellung durch eine Signalübertragungsleitung in Filmschichttechnik gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfin­ dung;

Fig. 2 eine schematische Darstellung der elek­ trischen Feldverteilung während der Signalübertragung in der Signalübertragungsleitung nach der ersten Ausführungs­ form;

Fig. 3 eine perspektivische Schnittdarstellung durch eine Signalübertragungsleitung in Filmschichttechnik gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfin­ dung;

Fig. 4 eine schematische Darstellung der elek­ trischen Feldverteilung während der Signalübertragung in der Signalübertragungsleitung nach der zweiten Ausführungs­ form;

Fig. 5. eine perspektivische Schnittdarstellung durch eine Signalübertragungsleitung in Filmschichttechnik gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfin­ dung;

Fig. 6. eine perspektivische Schnittdarstellung durch eine Signalübertragungsleitung in Filmschichttechnik gemäß einer vierten Ausführungsform der vorliegenden Erfin­ dung;

Fig. 7. eine perspektivische Schnittdarstellung durch eine Signalübertragungsleitung in Filmschichttechnik gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfin­ dung;

Fig. 8 eine perspektivische Darstellung einer Signalübertragungsleitung in Filmschichttechnik nach dem Stand der Technik; und

Fig. 9 schematisch die elektrische Feldvertei­ lung in der Signalübertragungsleitung von Fig. 8.

Es sei an dieser Stelle noch festgehalten, daß die nachfolgende Beschreibung von bevorzugten Ausführungsformen rein exemplarisch und nicht als einschränkend auf eben diese Ausführungsformen zu verstehen ist. Im Rahmen der vorliegenden Erfindung ist eine Mehrzahl von Abwandlungen und Modifikationen möglich.

Fig. 1 zeigt eine Signalübertragungsleitung in Film­ schichttechnik (nachfolgend als "Signalübertragungsleitung" bezeichnet) gemäß einer ersten Ausführungsform der vorlie­ genden Erfindung. In Fig. 1 ist mit dem Bezugszeichen 1 ein Trägerfilm aus Polyimid oder dergleichen bezeichnet. Auf der rückwärtigen oder unteren Oberfläche des Trägerfilms 1 ist eine Masseebene 2 bestehend aus einer ersten Schicht eines Kupfer-Dünnfilms angeordnet. Eine zweite Schicht ei­ nes Kupfer-Dünnfilms 3 als Signalleitung ist in dem Poly­ imidfilm mit einer Höhe h gegenüber der Masseebene 2 geord­ net und hat eine Breite w, um eine gewünschte Leitungsimpe­ danz zu erhalten. Eine dritte Schicht eines Kupfer-Dünn­ films 4 ist auf der oberen Oberfläche des Trägerfilms 1 an­ geordnet gegenüber der Masseebene 2 und dieser Kupfer-Dünn­ film 4 ist mit der Masseebene 2 mittels eines Abschnittes 6 des Kupfer-Dünnfilms 4 verbunden, der durch Einbringung ei­ ner trennenden Vertiefung 5 in den Polyimidfilm 1 herge­ stellt ist. Die Breite des Kupfer-Dünnfilms 4 wird so ge­ wählt, daß der Abschnitt 6 des Kupfer-Dünnfilms 4 keinen Kurzschluß mit der Signalleitung 3 bewirkt.

Die Wirkungsweise der Signalübertragungsleitung gemäß dieser ersten Ausführungsform ist wie folgt:

Die Masseebene 2 und die Kupfer-Dünnfilme 4 und 6 wir­ ken als Masseebene oder Masseleitung für die Signalübertra­ gungsleitung des Kupfer-Dünnfilms 3 und die elektromagneti­ sche Welle des elektrischen Signales wird in Richtung Z oder in Richtung -Z in der Übertragungsleitung übertragen, welche eine bestimmte Leitungsimpedanz - gebildet durch die Kupfer-Dünnfilme 2, 3, 4 und 6 - hat. Wie in Fig. 2 darge­ stellt, wird die trennende Vertiefung 5 zwischen einander benachbarten Kupfer-Dünnfilmen 3 oder Signalleitungen er­ zeugt und ein Abschnitt 6 des Kupfer-Dünnfilms 4 verläuft in der Vertiefung 5, so daß ein Raum um jede der Signallei­ tungen 3 herum elektrisch abgeschirmt ist und das Überspre­ chen verhindert wird, wodurch eine Signalübertragungslei­ tung mit geringem Verlust realisiert ist.

Das Herstellverfahren für die Signalübertragungsleitung gemäß dieser Ausführungsform wird nachfolgend beschrieben.

Auf dem Kupfer-Dünnfilm 2, der später als Masseebene dient, wird ein Polyimidfilm bestimmter Dicke aufgebracht, ein Kupfer-Dünnfilmmaterial der nachfolgenden Signalleitun­ gen wird auf der gesamten Oberfläche des Polyimidfilmes aufgebracht, dieses Kupfer-Dünnfilmmaterial wird bearbei­ tet, beispielsweise auf fotolithografischem Weg, um die Si­ gnalleitungen 3 bestimmter Breite w zu erzeugen und ein weiterer Polyimidfilm wird hierauf abgeschieden, wodurch ein Aufbau gemäß Fig. 1 erhalten ist, in welchem die Si­ gnalleitungen 3 in dem Polyimidfilm 1 eingebettet sind. Dann wird der Kupfer-Dünnfilm 4 auf die gesamte Oberfläche des Polyimidfilms 1 aufgebracht. Nachfolgend wird ein be­ stimmter Bereich des Polyimidfilms 1 unter Verwendung von beispielsweise Eisen-III-Chlorid geätzt, und die Vertiefun­ gen 5, welche bis zu dem Kupfer-Dünnfilm 2 der Masseebene reichen, werden unter Verwendung eines fotolithografischen Entwicklers erzeugt, wonach ein weiterer Kupfer-Dünnfilm 6 nur in den Vertiefungen aufgebracht wird, wodurch der Auf­ bau gemäß Fig. 1 erhalten ist.

Bei der ersten Ausführungsform wird der Kupfer-Dünnfilm 3, der die Signalübertragungsleitungen bildet, von einem auf Masse liegenden Leiter umgeben, so daß ein Übersprechen verhindert werden kann, selbst wenn die einzelnen Kupfer- Dünnfilme 3 nahe aneinander verlaufend angeordnet sind und selbst dann, wenn die Breite der Vertiefung 5 gering ge­ macht wird. Somit kann eine Signalübertragungsleitung er­ zeugt werden, welche zur Integration in hochdichten Anwen­ dungsfällen geeignet ist.

Fig. 3 zeigt eine Signalübertragungsleitung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Gemäß Fig. 3 wird von dem Kupfer-Dünnfilm 2 und der Signalleitung 3 eine Mikro-Streifenleitung (micro strip line) gebildet, wobei die trennende Vertiefung 5 den Kupfer-Dünnfilm 2 in einem Abschnitt des Polyimidfilms 1 zwischen den jeweiligen Signalleitungen 3 berührt und wobei der weitere Kupfer- Dünnfilm 6 in der Vertiefung 5 ausgebildet ist. In dieser zweiten Ausführungsform funktionieren die Masseebene 2 und der Kupfer-Dünnfilm 6 als Masseebene oder auf Masse liegen­ de Leitung und der Kupfer-Dünnfilm 3 wirkt als Signallei­ tung und das elektrische Signal wird in diesen Übertra­ gungsleitungen in Richtung Z oder in Richtung -Z übertra­ gen. Da der Kupfer-Dünnfilm 6 mit der Masseebene 2 verbun­ den ist und die gleiche auf Masse liegende Spannung hat und da der Kupfer-Dünnfilm 6 in den Vertiefungen 5 zwischen den benachbarten Kupfer-Dünnfilmen 3 angeordnet ist, sind die Räume 10a, 10b und 10c, welche die jeweiligen benachbarten Kupfer-Dünnfilme umgeben, elektrisch voneinander mittels des Kupfer-Dünnfilms 6 abgeschirmt, wie in Fig. 4 gezeigt, so daß eine Übertragungsleitung mit geringem Signalverlust möglich ist. Weiterhin ist die Signalleitung 3 nicht in dem Polyimidfilm 1 eingebettet, so daß dieser Aufbau gemäß der zweiten Ausführungsform gegenüber demjenigen der ersten Ausführungsform mit weniger Aufwand herstellbar ist.

Fig. 5 zeigt eine dritte Ausführungsform der vorliegen­ den Erfindung. Hierbei wird eine Anordnung ähnlich der von Fig. 1 realisiert, wobei ein aufschäumbares Material 9, beispielsweise Polyethylen mit geringer Dichte anstelle des Polyimids 1 vorgesehen ist, um den Träger für die Si­ gnalübertragungsleitungen zu bilden.

Bei dieser dritten Ausführungsform ist die Masseebene 2 und ist der Kupfer-Dünnfilm 4 als Masseebenen vorgesehen und der Kupfer-Dünnfilm 3 wirkt als Signalleitung und das elektrische Signal wird in Richtung Z oder in Richtung -Z übertragen.

Da bei dieser Ausführungsform gegenüber der ersten Aus­ führungsform das aufschäumbare Material 9 anstelle des Po­ lyimidfilms 1 vorgesehen ist, wird die Dielektrizitätskon­ stante des dielektrischen Materials verringert und Verluste bei der Übertragung eines RF-Signales werden unterdrückt.

Fig. 6 zeigt eine vierte Ausführungsform der vorliegen­ den Erfindung. Bei dieser Ausführungsform wird der Kupfer- Dünnfilm 3 der Signalübertragungsleitung gemäß Fig. 1 am Ende der Signalübertragungsleitung herausgezogen und die Kupfer-Dünnfilme 7a und 7b, welche mit den Kupfer-Dünnfil­ men 2 und 4 verbunden sind, welche die ersten bzw. zweiten auf Masse liegenden Leiter der Signalübertragungsleitung sind, sind an den linken und rechten Seiten hiervon vorge­ sehen und Freiräume zwischen den Kupfer-Dünnfilmen 7a und 7b sind mit Polyimidfilm 1 verbunden und die oberen Enden der Kupfer-Dünnfilme 7a und 7b sind miteinander verbunden, um einen mit Polyimid bedeckten Kupfer-Dünnfilm 7 zu bil­ den.

Da bei dieser vierten Ausführungsform eine koplanare Leitung durch den Kupfer-Dünnfilm 7 mit auf Masse liegender Spannung an beiden Enden oder Seiten der Signalleitung 3 gebildet ist, ist eine Impedanz-Fehlanpassung im Verbin­ dungsbereich mit einem integriertem Halbleiterschaltkreis und dem Verbindungsbereich zwischen einer Mehrzahl von in­ tegrierten Halbleiterschaltkreisen verringert und ein Über­ tragungsverlust im RF-Signal kann unterdrückt werden.

Fig. 7 zeigt eine Signalübertragungsleitung gemäß einer fünften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Hierbei sind gemäß Fig. 7 V-förmige Schlitze 8 in dem Kupfer-Dünn­ film 4 oberhalb des Kupfer-Dünnfilms 3 ausgebildet.

Durch Einbringen der Schlitze 8 ändert sich die Impe­ danz in der Signalleitung 3 an den Endbereichen der Si­ gnalübertragungsleitung nicht abrupt und Impedanz-Fehlan­ passungen im Verbindungsbereich mit einem integrierten Halbleiterschaltkreis und im Verbindungsbereich zwischen einer Mehrzahl von integrierten Halbleiterschaltkreisen sind weiter verringert.

In der oben beschriebenen dritten Ausführungsform wurde das aufschäumbare Material 9 anstelle von Polyimid verwen­ det; genausogut kann eine sogenannte hochfeine Kügelchen aufweisende Substanz ("Microballon" aus Phyllit, England) in den Polyimidfilm mit den gleichen Effekten wie oben be­ schrieben eingemischt werden.

Obgleich weiterhin in der fünften Ausführungsform ein V-förmiger Schlitz vorgesehen ist, ist die Form des Schlit­ zes nicht auf die V-Form beschränkt und jede beliebige Form, mit welcher die Impedanz am Ende der Übertragungslei­ tung sanft oder weich geändert werden kann, kann vorgesehen sein.

Claims (6)

1. Signalübertragungsleitung in Filmschichttechnik mit:
einem dielektrischen Material als Trägermaterial mit einer ersten oberen Oberfläche und einer zweiten, der er­ sten Oberfläche gegenüberliegenden unteren Oberfläche;
einer Mehrzahl von Signalleitungen zur Übertragung ei­ nes Hochfrequenzsignals, welche in dem dielektrischem Film­ träger mit bestimmten Abständen dazwischen eingebettet sind;
einer auf Masse liegenden Leitung oder einer Masse­ ebene, welche auf der zweiten Oberfläche des dielektrischen Filmträgers angeordnet ist;
einer trennenden Vertiefung, welche in einem Filmträ­ gerbereiche zwischen einander benachbarten Signalleitungen und entlang den Signalleitungen verlaufend ausgebildet ist; und
zweiten auf Masse liegenden leitfähigen Filmen, welche auf die erste Oberfläche des Filmträgers und in der tren­ nenden Vertiefung ausgebildet sind und mit dem ersten auf Masse liegenden leitfähigen Film über die trennende Ausneh­ mung verbunden sind.

2. Signalübertragungsleitung nach Anspruch 1, wobei die Signalleitungen von dem Filmträger an dessen Ende vor­ stehen und wobei die oberen Enden der vorstehenden Bereiche der Signalleitungen mit den ersten und zweiten auf Masse liegenden leitfähigen Filmen an den vorstehenden Bereichen verbunden sind, wobei der Filmträger aus dielektrischem Ma­ terial zwischen die vorstehenden Bereiche der Signalleitun­ gen und den vorstehenden Bereichen der auf Masse liegenden Leitung gefüllt ist.

3. Signalübertragungsleitung nach Anspruch 2, wobei Schlitze einer bestimmten Breite und Tiefe in dem zweiten auf Masse liegenden leitfähigen Film oberhalb der Signal­ leitungen ausgebildet sind.

4. Signalübertragungsleitung nach Anspruch 1, wobei ein aufschäumbares Material als dielektrisches Filmmaterial verwendet wird.

5. Signalübertragungsleitungs-Vorrichtung in Film­ schichttechnik mit:
einem dielektrischen Material als Trägermaterial mit einer ersten oberen Oberfläche und einer zweiten, der er­ sten Oberfläche gegenüberliegenden unteren Oberfläche;
einer Mehrzahl von Signalleitungen zur Übertragung ei­ nes Hochfrequenzsignals, welche in dem dielektrischem Film­ träger mit bestimmten Abständen dazwischen eingebettet sind;
einer auf Masse liegenden Leitung oder einer Masse­ ebene, welche auf der zweiten Oberfläche des dielektrischen Filmträgers angeordnet ist;
einer trennenden Vertiefung, welche in einem Filmträ­ gerbereiche zwischen einander benachbarten Signalleitungen und entlang den Signalleitungen verlaufend ausgebildet ist; und
zweiten auf Masse liegenden leitfähigen Filmen, welche auf die erste Oberfläche des Filmträgers und in der tren­ nenden Vertiefung ausgebildet sind und mit dem ersten auf Masse liegenden leitfähigen Film über die trennende Ausneh­ mung verbunden sind.

6. Signalübertragungsleitung nach Anspruch 5, wobei ein aufschäumbares Material als dielektrisches Filmmaterial verwendet wird.