DE4404885C2 - Verfahren zum selektiven Ätzen von Siliziumnitrid gegenüber Silizium - Google Patents

Verfahren zum selektiven Ätzen von Siliziumnitrid gegenüber Silizium

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Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich generell auf ein Verfahren zum selekti­ ven Ätzen von Siliziumnitrid gegenüber Silizium, das bei der Herstellung von Halbleitern angewandt wird.
Ein Siliziumnitridfilm wird üblicherweise als Oxidationsmaskenschicht ver­ wendet, wenn Silizium lokal oxidiert werden soll, wenn also ein LOCOS-Pro­ zess ausgeführt wird, was häufig bei der Herstellung von Halbleitereinrich­ tungen der Fall ist.
Zum besseren Verständnis des Hintergrunds der vorliegenden Erfindung wird nachfolgend ein konventioneller LOCOS-Prozess beschrieben, wobei auch auf die dabei entstehenden Probleme eingegangen wird.
Die Fig. 1 dient zur Illustration des konventionellen LOCOS-Prozesses. Bei diesem Prozess erfolgt die Temperung eines Siliziumsubstrats 1 bei etwa 950°C sowie in oxidierender Umgebung, beispielsweise in einer O2-Umgebung, um auf dem Siliziumsubstrat 1 einen Oxidfilm 2 mit einer Dicke von 20 bis 30 Nanometern zu erzeugen, der als Unterlage bzw. Kissen dient (pad oxide film). Sodann wird auf diesen Oxidfilm 2 ein Siliziumnitridfilm 3 mit einer Dicke von etwa 140 bis 250 Nanometern aufgebracht, und zwar bei Temperaturen im Bereich von 750 bis 800°C unter Verwendung einer Gasmischung von NH3 und SiH4, oder unter Verwendung einer Gasmischung von NH3 und SiH4 bei Durchführung eines LPCVD-Verfahrens (Low Pressure Chemical Vapor Depo­ sition-Verfahren). Danach wird der Siliziumnitridfilm 3 einem anisotropen Trockenätzverfahren unterworfen, und zwar unter Verwendung eines CHF3 oder CF4 enthaltenden Ätzgases sowie unter Verwendung eines vorbestimmten photosensitiven Filmmusters als Maske, um auf diese Weise einen vorbe­ stimmten Bereich des Substrats freizulegen, der als Einrichtungstrennbereich dient. Nach Entfernung des photosensitiven Filmmusters wird dann der frei­ gelegte Substratbereich oxidiert, und zwar bei einer Temperatur von etwa 1000°C und über einen Zeitraum von 100 bis 200 Minuten sowie unter Ver­ wendung einer Gasmischung aus O2 und H2, um einen Feldoxidfilm 4 mit einer Dicke von etwa 400 bis 700 Nanometern erhalten.
Nach Bildung des Feldoxidfilms 4 wird der als Maskenschicht verwendete Sili­ ziumnitridfilm 3 entfernt, wobei der darunterliegende Oxidfilm 2 als Ätzstop­ per dient. Die Entfernung des Siliziumnitridfilms 3 erfolgt durch ein Naßätz­ prozess, und zwar durch Rückflußkochen von Phosphorsäure (H3PO4)-Lösung, wodurch eine hohe Ätzselektivität erhalten wird. Beispielsweise wird beim Ät­ zen des Siliziumnitridfilms 3 mit dem darunterliegenden Oxidfilm 2 als Ätz­ stopper eine Phosphorsäurelösung mit einer Konzentration von 91,5% verwen­ det, durch die der Siliziumnitridfilm 3 mit einer Geschwindigkeit von 10,5 Na­ nometern pro Minute bei einer Temperatur von 180°C geätzt wird. Anderer­ seits wird durch diese Lösung der darunterliegende Oxidfilm 2 nicht geätzt, so dass dessen Ätzgeschwindigkeit 0 Nanometer pro Minute beträgt. Dieser als Ätzstopper verwendete Oxidfilm 2 ist also sehr widerstandsfähig hinsicht­ lich der benutzten Ätzlösung.
Während der LOCOS-Prozess ausgeführt wird, bildet sich jedoch ein dünner Siliziumnitridfilm an der Grenzfläche zwischen dem Oxidfilm 2 und dem Silzi­ umsubstrat 1, was als so genanntes "White Ribbon"-Phänomen bezeichnet wird. Dieses Phänomen tritt aufgrund der Tatsache auf, dass Ammoniakgas durch den Oxidfilm 2 hin­ durch in die Oberfläche des Siliziumsubstrats 1 hineindiffundiert und mit dem Siliziumsubstrat 1 reagiert, wodurch sich ein spot- bzw. punktförmiger Siliziumnitridfilm bildet. Das Ammoniakgas entsteht dabei aufgrund der Re­ aktion von Feuchtigkeit (H2O) mit der Maskenschicht 3, die aus dem Silizium­ nitrid (Si3N4)-Film besteht.
Wie in Fig. 1 zu erkennen ist, führt die Bildung des kleinen spot- bzw. punkt­ förmigen Nitridfilmbereichs K dazu, dass der Oxidfilm 2 lokal dünner wird. Obwohl im allgemeinen der Oxidfilm 2 gegen Ätzen relativ widerstandsfähig ist, kann er dennoch langsam geätzt werden, nachdem der Siliziumnitridfilm 3 entfernt worden ist. Es kann daher passieren, dass dadurch das Silizium­ substrat 1 im dünneren Bereich des Oxidfilms 2 freigelegt und somit lokal be­ schädigt wird, und zwar durch Wirkung der Ätzlösung, die zum Wegätzen des Siliziumnitridfilms verwendet wird. Dieses Phänomen tritt umso stärker auf, je höher der Intergrationsgrad der Halbleitereinrichtung ist, je dünner also der als Unterlage verwendete Oxidfilm 2 ist.
Andererseits ist die Entfernung des Siliziumnitridfilms auch durch ein Naß­ ätzverfahren möglich, bei dem ein polysilizium-gepuffter LOCOS-Prozess (nachfolgend als PBL-Prozess bezeichnet) durchgeführt wird, bei dem von ei­ ner Polysiliziumschicht Gebrauch gemacht wird, die zwischen dem Siliziumo­ xidfilm und dem Siliziumnitridfilm liegt. Während der Entfernung des Silizi­ umnitridfilms durch Anwendung des PBL-Prozesses dringt dann Ätzlösung in die Polysiliziumschicht ein und beschädigt diese.
Wird zum Beispiel als Ätzlösung eine Salpetersäurelösung verwendet, die eine Konzentration von 95% hat, so beträgt die Ätzgeschwindigkeit für den Silizi­ umnitridfilm etwa 5,5 Nanometer pro Minute bei einer Temperatur von 165°C, während bei derselben Temperatur die Ätzgeschwindigkeit für die Polysilizi­ umschicht bei 1,3 Nanometer pro Minute liegt. Die Differenz zwischen diesen beiden Ätzgeschwindigkeiten ist nicht so groß. Um die Beschädigung der Poly­ siliziumschicht zu verhindern, sind daher zusätzliche Ätzmaßnahmen erfor­ derlich, was zu einem relativ kompliziertem Halbleiter-Herstellungsverfahren führt.
Die DD 158 289 beschreibt eine Ätzlösung auf der Basis von Phosphorsäure, der bis zu 5% eines Oxidationsmittels (HNO3) zugesetzt sind, wobei das Oxi­ dationsmittel den Si-Angriff wesentlich beschleunigen soll, ohne das Ätzver­ halten von Isolatoren (SiO2, Si3N4, Al2O3) zu verändern.
Im US Patent 5,132,241 werden eine SiO2-Schicht, eine Polysiliziumschicht und eine Siliziumnitridschicht nacheinander auf einem Substrat gebildet. Hierbei dient die SiO2-Schicht als Ätzstoppschicht zum Unterschneiden der Polysiliziumschicht.
Gemäß EP 0 547 908 A2 werden auf einem Substrat eine Kissen-Oxidschicht, eine erste Nitridschicht, eine Polysiliziumschicht und eine zweite Nitrid­ schicht gebildet. Sämtliche dieser Schichten werden im Öffnungsbereich ge­ ätzt. In diesem Fall kann eine darunterliegende Schicht am Boden der geätz­ ten Schichten als Ätzstopper angesehen werden, wobei jedoch die darunterlie­ gende Schicht keinesfalls als Schutzschicht anzusehen ist.
Der Artikel "Twin-White-Ribbon Effect and pit Formation Mechanism in PBLo­ cos" von Tin-hwang Lin, Tsai und Yan, J. Electrochem. Jor., Vol. 138, No. 7, Juli 1991 beschreibt eine Technik, bei der eine Trockenfeldoxidation anstelle der bekannten Naßfeldoxidation bei der Bildung eines Feldoxidfilms zur Ver­ hinderung der Bildung von Ätzlöchern aufgrund des so genannten "Twin-Whi­ te-Ribbon"-Effekts, welcher beim PBLOCOS-Verfahren ein mögliches Problem sein kann, vorgeschlagen wird.
Der Artikel "MOS Gate Oxide Defects Related to Treatment of Silicon Nitride Coated Wafers Prior to Local Oxidation", Goodwin Brossman, J. Electrochem. soc. 1982, befasst sich mit der Variation von Gate-Oxid-Defekten.
EP 0 545 585 A2 betrifft die Bildung einer polykristallinen Siliziumschicht zwi­ schen einer Oxid- und einer Nitridschicht bei einem LOCOS-Verfahren.
Gemäß "Silicon Processing for the VLSI ERA" (1986), Seiten 531 und 534, be­ ruht das Ätzen von Silizium durch Aufbringen einer Lösung aus HF + Oxidati­ onsmittel (HNO3) auf dem Mechanismus, dass das Oxidationsmittel (HNO3) auf der Siliziumoberfläche SiO2 bildet und dass das SiO2 durch HF aufgelöst wird.
Das US-Patent 4,630,356 beschreibt eine Struktur, bei der eine SiO2-Schicht zwischen einer polykristallinen Siliziumschicht und einer Siliziumnitrid­ schicht eingebettet ist, wobei die Siliziumnitridschicht selektiv durch Nassät­ zen entfernt wird.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum selektiven Ätzen von Siliziumnitrid gegenüber Silizium zu schaffen, mit dem eine verbesserte Selektivität für das zu ätzende Siliziumnitrid erreicht wird, das mit den ande­ ren Materialien koexistieren kann.
Lösungen der gestellten Aufgabe sind in den nebengeordneten Patentansprü­ che 1 und 5 angegeben. Vorteilhafte Ausgestaltungen sind den Unteransprü­ chen zu entnehmen.
Ein Verfahren zum selektiven Ätzen von Siliziumnitrid gegenüber Silizium nach einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung zeichnet sich durch folgende Schritte aus:
  • - ein vorbestimmter Bereich eines Siliziumfilms, der auf einem Sub­ strat liegt, wird mit einem Siliziumnitridfilm abgedeckt; und
  • - Beaufschlagung des Siliziumfilms und des Siliziumnitridfilms mit einer ein Oxidationsmittel enthaltenen Phosphorsäure-Ätzlösung, um die freiliegende Oberfläche des Siliziumfilms mit Hilfe des Oxi­ dationsmittels in einen Oxidfilm umzuwandeln, der eine höhere Ätzselektivität als der Siliziumnitridfilm hat, und um gleichzeitig den Siliziumnitridfilm zu ätzen. Höhere Ätzselektivität bedeutet, dass der Oxidfilm durch die Ätzlösung praktisch nicht angegriffen wird.
Ein anderes Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Verfahrens zum se­ lektiven Ätzen von Siliziumnitrid gegenüber Silizium zeichnet sich durch fol­ gende Schritte aus:
  • - Bildung eines Siliziumnitridfilms in vorbestimmten Bereichen auf einem Siliziumfilm, der auf einem Substrat liegt, so dass der Silizi­ umfilm bereichsweise freiliegt;
  • - Bildung eines Oxidfilms als Schutzfilm mit höherer Ätzselektivität als der Siliziumnitridfilm auf der freiliegenden Oberfläche des Silizi­ umfilms, indem die freiliegende Oberfläche des Siliziumfilms einer oxidativen Umgebung oder einer oxidativen Lösung ausgesetzt wird; und
  • - Entfernen des Siliziumnitridfilms durch Naßätzen.
Infolge der höheren Ätzselektivität des Schutzfilms wird dieser durch die Ätzlö­ sung praktisch nicht angegriffen, wenn die Siliziumnitridschicht geätzt wird.
Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Darstellung zur Erläuterung des beim LOCOS-Prozess auftretenden "White Ribbon"-Phäno­ mens;
Fig. 2A und 2B Querschnittsdarstellungen zur Erläuterung eines selek­ tiven Ätzprozesses nach einem ersten Ausführungsbei­ spiel der vorliegenden Erfindung;
Fig. 3A und 3B Querschnittsdarstellungen zur Erläuterung eines selek­ tiven Ätzprozesses nach einem zweiten Ausführungsbei­ spiel der vorliegenden Erfindung; und
Fig. 4 eine Querschnittsdarstellung zur Erläuterung eines se­ lektiven Ätzprozesses nach einem dritten Ausführungs­ beispiel der vorliegenden Erfindung.
In Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung lässt sich die Ätzselekti­ vität für einen Siliziumfilm, insbesondere für einen amorphen Siliziumfilm oder für einen Polysiliziumfilm verbessern, wenn ein Siliziumnitridfilm einem Naßätzverfahren unterzogen wird, bei dem eine Phosphorsäurelösung verwen­ det wird. Während oder vor dem Ätzen des Siliziumnitridfilms wird ein dünner Siliziumoxidfilm auf der Oberfläche des Siliziumfilms gebildet, der benachbart bzw. unterhalb eines Nitridfilms oder eines aus ihm gebildeten Musters liegt. Mit anderen Worten übernimmt der Siliziumoxidfilm die Funktion eines Schutzfilms für den Siliziumfilm, da der Siliziumoxidfilm eine geringere Reak­ tivität bezüglich der Phosphorsäurelösung aufweist als der Siliziumnitridfilm.
Erfolgt ein Naßätzen des Siliziumnitridfilms durch Verwendung einer Phos­ phorsäurelösung, so hydrolysieren Phosphorsäure und Wasser den Silizium­ nitridfilm in wässrige Silicamasse (wässrige Siliziumdioxid) und Ammoniak, wobei Ammoniumphosphat (Ammoniakphosphat) in der Lösung gebildet wird. Da die Si-O-Si-Bindung stärker ist und nicht mehr so leicht hydrolisiert wer­ den kann wie die Si-N-Bindung, bildet sich ein Oxidfilm, der stärker bzw. sta­ biler ist als ein Nitridfilm.
Als Ätzlösung kommt nach der Erfindung vorzugsweise eine Phosphorsäurelö­ sung zum Einsatz. Eine derartige Lösung weist vorteilhaft Siedepunkte im Be­ reich von etwa 140°C bis etwa 200°C auf, wobei der Phosphorsäureanteil etwa 78 bis 98 Gew.-% beträgt.
Bevorzugte Ausführungsbeispiele der Erfindung werden nachfolgend unter Bezugnahme auf die Zeichnung genauer beschrieben.
Die Fig. 2A und 2B illustrieren einen selektiven Ätzprozess in Übereinstim­ mung mit einem ersten Ausführungsbeispiel der Erfindung.
Auf einem Substrat 11 befindet sich gemäß Fig. 2A ein aufgebrachter Silizi­ umfilm 12, der ein amorpher Siliziumfilm oder ein Polysiliziumfilm sein kann. Auf dem Siliziumfilm 12 liegt ein Nitridfilm, der anschließend durch einen Trockenätzprozess bereichsweise entfernt wird, um in einem vorbestimmten Bereich auf dem Siliziumfilm 12 ein Nitridfilmmuster 13 zu erhalten. Im Er­ gebnis liegt also der Siliziumfilm 12 bereichsweise frei, während er anderer­ seits bereichsweise durch das Nitridfilmmuster 13 abgedeckt ist. Der Tro­ ckenätzprozess der zur Bildung des Nitridfilmmusters 13 verwendet wird, be­ einflusst den Siliziumfilm 12 praktisch nicht oder nur sehr wenig.
Um das Nitridfilmmuster 13 zu ätzen, wird eine Ätzlösung verwendet, die aus einer Phosphorsäure (H3PO4)-Lösung und einem Oxidationsmittel besteht, beispielsweise Wasserstoffperoxid (H2O2), wobei der Anteil des Oxidationsmit­ tels nicht weniger als 10 Gew.-% der Ätzlösung ist. Der entsprechende Vor­ gang ist in Fig. 2B gezeigt.
Mischt sich die Phosphorsäurelösung mit dem Oxidationsmittel, also mit dem Wasserstoffperoxid, so spaltet sich ein Wasserstoffperoxidmolekül in ein Was­ sermolekül und in ein Sauerstoffradikal auf, welches die freigelegte Oberflä­ che des Siliziumfilms 12 oxidiert. Mit anderen Worten schützt nach der vorlie­ genden Erfindung die verwendete Ätzlösung den freigelegten Siliziumfilm 12, während sie andererseits das Nitridfilmmuster 13 ätzt. Im einzelnen über­ nimmt die Phosphorsäurelösung innerhalb der Ätzlösung in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung das Ätzen des Nitridfilmmusters 13 beim Naß­ ätzverfahren, während das Oxidationsmittel, also zum Beispiel der Was­ serstoffperoxid, Sauerstoffradikale erzeugt, die mit dem Silizium (Si) des frei­ gelegten Siliziumfilms 12 reagieren, um zur selben Zeit auf dem Siliziumfilm 12 einen Oxidfilm 12 zu bilden. Der Vorgang lässt sich durch folgende Reakti­ onsgleichung darstellen:
H2O2 → H2O + O*
S1 + O* → SiO2.
Wie oben erwähnt, dient der nach dem ersten Ausführungsbeispiel der vorlie­ genden Erfindung auf dem Siliziumfilm 12 gebildete Oxidfilm 14 als Schutz­ film für den Siliziumfilm 12, und zwar als Schutzfilm gegenüber der Ätzlö­ sung. Dies führt konsequenterweise zu einer Erhöhung der Ätzselektivität des Siliziumfilms 12 für den Fall des Naßätzens des Nitridfilmmusters 13, so dass der Siliziumfilm gegenüber Beschädigungen geschützt werden kann, die sonst durch das Naßätzen auftreten.
Die Fig. 3A und 3B illustrieren einen selektiven Ätzprozeß in Übereinstim­ mung mit einem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung.
Dabei zeigt die Fig. 3A einen Schritt, der ausgeführt wird, bevor der Nitridfilm durch ein Naßätzverfahren selektiv entfernt wird.
Gemäß Fig. 3A wird ein Nitridfilmmuster 13a in einem vorbestimmten Bereich auf einem Siliziumfilm 12a gebildet, welcher ein Substrat 11a abdeckt. Im Ergebnis wird der Siliziumfilm 12a teilweise durch das Nitridfilmmuster 13a abgedeckt und andererseits bereichsweise freigelegt.
In Fig. 3B ist ein Schritt zum selektiven Ätzen des Nitridfilmmusters 13a mit Bezug auf den Siliziumfilm 12a dargestellt. Zum selektiven Ätzen des Nitrid­ filmmusters 13a nach dem zweiten Ausführungsbeispiel der Erfindung kommt vorzugsweise eine Ätzlösung zum Einsatz, die aus einer Phosphorsäu­ relösung besteht, in die ein oxidatives Gas eingeleitet bzw. injiziert wird, bei­ spielsweise Ozon (O3).
Um Ozon in der Phosphorsäurelösung lösen bzw. auflösen zu können, wird durch elektrolytische Zersetzung von reinem Wasser erhaltenes Ozongas durch eine Membran hindurchgeleitet. Die Konzentration des Ozons in der Ätzlösung liegt vorzugsweise in der Größenordnung von einem 1 ppm oder da­ rüber.
Gelöstes bzw. aufgelöstes Ozon ist selbstzersetzend, so dass Sauerstoffradi­ kale gebildet werden. Diese Sauerstoffradikale reagieren dann mit dem Silizi­ um (Si) des Siliziumfilms 12a, wodurch ein Oxidfilm 14a an der Oberfläche des freigelegten Siliziumfilms 12a erhalten wird. Der Reaktionsmechanismus lässt sich durch folgende Reaktionsgleichung darstellen:

O3 → O2 + O*
Si + 2O* → SiO2, Si + O2 → SiO2.
Beim Naßätzen des Nitridfilmmusters 13a dient der auf dem freiliegenden Si­ liziumfilm 12a gebildete Oxidfilm 14a nicht nur als Schutzfilm für den Silizi­ umfilm 12a, sondern verbessert auch die Selektivität des Siliziumfilms 12a im Hinblick auf das Nitridfilmmuster 13a.
Ein drittes Ausführungsbeispiel eines selektiven Ätzprozesses nach der vor­ liegenden Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Fig. 4 be­ schrieben. Beim dritten Ausführungsbeispiel liegt auf der Oberfläche eines Substrats 11c ein Siliziumfilm 12c, auf dessen Oberfläche sich bereits ein strukturierter Nitridfilm befindet, der den Siliziumfilm 12c bereichsweise ab­ deckt und ihn bereichsweise freigibt.
Der freiliegende Teil des Siliziumfilms 12c kommt in Kontakt mit einer oxidie­ renden bzw. oxidativen Umgebung oder einer oxidierenden Lösung, um einen Oxidfilm 14c auf der freiliegenden Oberfläche des Siliziumfilms 12c zu erhal­ ten, bevor das Nitridfilmmuster 13c geätzt wird. Wird im Anschluß daran das Nitridfilmmuster 13c einem Naßätzprozess unterworfen, so übernimmt der Oxidfilm 14c den Schutz des Siliziumfilms 12c und verhindert, dass der Sili­ ziumfilm 12c durch das Ätzmittel beschädigt wird.
Sind zwei unterschiedliche Materialschichten gleichzeitig vorhanden, also eine erste Materialschicht in Form eines Siliziumnitridfilms und eine zweite Materialschicht in Form eines Siliziumfilms, so kann nach der vorliegenden Erfindung, wie bereits eingangs beschrieben, die Ätzselektivität der zweiten Materialschicht für den Fall des Naßätzens der ersten Materialschicht, die ge­ ätzt werden soll, dadurch verbessert werden, dass die gesamte Oberfläche der zweiten Materialschicht oder ein Teilbereich dieser Oberfläche mittels eines dritten Materials, nämlich eines Oxidationsmittels umgewandelt wird, das eine hohe Selektivität bezüglich der ersten Materialschicht aufweist, wobei die Umwandlung vor oder während des Naßätzens erfolgen kann. Im Ergebnis wird die zweite Materialschicht vor Beschädigungen geschützt, die sonst durch das Ätzmittel auftreten könnten.
Kommt der erfindungsgemäße Prozess beim LOCOS-Verfahren zum Einsatz, so lassen sich darüber hinaus Substratbeschädigungen vermeiden, die sonst infolge der Zerstörung der Oxidfilmunterlage aufgrund des so genannten "White Ribbon"-Phänomens auftreten würden.

Claims (5)

1. Verfahren zum selektiven Ätzen von Siliziumnitrid gegenüber Silizi­ um, umfassend folgende Schritte:
  • - ein vorbestimmter Bereich eines Siliziumfilms (12, 12a), der auf ei­ nem Substrat (11, 11a) liegt, wird mit einem Siliziumnitridfilm (13, 13a) abgedeckt; und
  • - Beaufschlagung des Siliziumfilms (12, 12a) und des Siliziumni­ tridfilms (13, 13a) mit einer ein Oxidationsmittel enthaltenden Phosphorsäure-Ätzlösung, um die freiliegende Oberfläche des Sili­ ziumfilms (12, 12a) mit Hilfe des Oxidationsmittels in einen Oxid­ film (14, 14a) umzuwandeln, der eine höhere Ätzselektivität als der Siliziumnitridfilm (13, 13a) hat, und um gleichzeitig den Silizium­ nitridfilm (13, 13a) zu ätzen.
2. Selektives Ätzverfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich­ net, daß das Oxidationsmittel wäßriges Wasserstoffperoxid ist.
3. Selektives Ätzverfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich­ net, daß das Oxidationsmittel ein oxidatives Gas ist.
4. Selektives Ätzverfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeich­ net, daß das oxidative Gas ein Ozongas ist.
5. Verfahren zum selektiven Ätzen von Siliziumnitrid gegenüber Silizi­ um, umfassend folgende Schritte:
  • - Bildung eines Siliziumnitridfilms (13c) in vorbestimmten Berei­ chen auf einem Siliziumfilm (12c), der auf einem Substrat (11c) liegt, so daß der Siliziumfilm (12c) bereichsweise freiliegt;
  • - Bildung eines Oxidfilms als Schutzfilm (14c) mit höherer Ätzselek­ tivität als der Siliziumnitridfilm (13c) auf der freiliegenden Ober­ fläche des Siliziumfilms (12c), indem die freiliegende Oberfläche des Siliziumfilms (12c) einer oxidativen Umgebung oder einer oxi­ dativen Lösung ausgesetzt wird: und
  • - Entfernen des Siliziumnitridfilms (13c) durch Naßätzen.
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