DE4406849A1 - Verfahren zur Herstellung eines MOS-Transistors mit einem einen flachen Übergang aufweisenden Source/Drain-Bereich und einer Silicidschicht - Google Patents
Verfahren zur Herstellung eines MOS-Transistors mit einem einen flachen Übergang aufweisenden Source/Drain-Bereich und einer SilicidschichtInfo
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Description
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung
eines MOS-Transistors, bei dem durch nur einen einzigen Wärmebehand
lungsvorgang ein dünner Silicidfilm erzeugt wird, und bei dem ferner ein
Source/Drain-Bereich mit flachem Halbleiterübergang durch Verwen
dung eines herkömmlichen Ionenimplantationsgerätes gebildet wird.
Die Integrationstechnologie für Halbleiter hat in den letzten Jahren erheb
liche Fortschritte gemacht, so daß es möglich wurde, MOS-Transistoren
mit Abmessungen im Micrometerbereich zu Integrieren. Bei diesen sehr
kleinen MOS-Transistoren verringert sich auch die Übergangstiefe (Tiefe
des Halbleiterübergangs) des Source/Drain-Bereichs, so daß der Über
gang flacher und flacher wird.
Da allerdings der Flächenwiderstand eines Übergangs umgekehrt propor
tional zur Tiefe des Übergangs ist, vergrößert sich jedoch dieser Flächen
widerstand des Übergangs mit geringer werdender Tiefe des Sour
ce/Drain-Bereichs, was zu einer Vergrößerung der parasitären Wider
stände der Einrichtung führt.
Um bei einer sehr hoch integrierten Schaltung den parasitären Wider
stand zu verringern und die Eigenschaften der Einrichtung zu verbessern,
wurde bereits vorgeschlagen, einen Silicidfilm auf dem Source/Drain-
Bereich vorzusehen.
Der Flächenwiderstand eines Halbleiterübergangs ist proportional zum
spezifischen Widerstand und umgekehrt proportional zur Tiefe des Über
gangs, wie bereits erwähnt. Während der spezifische Widerstand von Sili
cium bei etwa 200 µΩ·cm liegt beträgt derjenige eines Silicidfilms etwa
nur 50 µΩ·cm, auch wenn sich manchmal kleinere Unterschiede bzw. Ab
weichungen hiervon aufgrund verschiedener Materialzusammensetzun
gen ergeben. Nutzt man den Vorteil des geringen spezifischen Widerstands
von Silicid aus, so läßt sich der Flächenwiderstand eines flachen Über
gangs bzw. Halbleiterleiterübergangs verringern, was dann auch zur Ver
ringerung des parasitären Widerstands führt.
Als Silicidfilm für den genannten Zweck kann z. B. ein Titansilicidfilm ver
wendet werden, wie allgemein bekannt ist. Die Bildung des Titansilicid
films in einem Source/Drain-Bereich erfolgt über die Reaktion von Titan
mit einem Siliciumsubstrat zur Bildung des Halbleiterübergangs, und
zwar gemäß nachfolgender Reaktionsgleichung, wobei durch die Bildung
des Silicidfilms das Silicium des Source/Drain-Bereichs verbraucht wird
und zwar entsprechend der Dicke des gebildeten Silicidfilms:
Ti + 25i → TiSi₂.
Da die Dicke des gebildeten Silicidfilms dem verbrauchten Teil des Sour
ce/Drain-Bereichs entspricht und dieser Silicidfilm bzw. verbrauchte Teil
des Source/Drain-Bereichs zur Tiefe des Halbleiterübergangs zählt, also
ein Teil davon ist, ist es erforderlich eine Technologie zu entwickeln, mit
der sich ein dünner, stabiler Silicidfilm herstellen läßt. Darüber hinaus
muß sichergestellt werden, daß sich in der Grenzfläche zwischen dem Sili
cium und dem Silicidfilm innerhalb des Source/Drain-Betelchs mit fla
chem Übergang gleichmäßige elektrische Eigenschaften einstellen.
Unterschieden werden bei Siliciden die Polysilicide, die durch Reaktion
von Polysilicium mit einem einen hohen Schmelzpunkt aufweisenden Me
tall erhalten werden, und die sich selbst ausrichtenden Silicide (nachfol
gend als Salicide bezeichnet), die sich durch Reaktion von Silicium mit Me
tallen ergeben, die einen hohen Schmelzpunkt besitzen.
Nachfolgend werden konventionelle Herstellungsverfahren für MOS-Tran
sistoren unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher beschrieben.
Die Fig. 1A bis 1E zeigen dabei zunächst ein konventionelles Herstellungs
verfahren für einen MOS-Transistor mit einem einen flachen Übergang
aufweisenden Source/Drain-Bereich, auf dem ein Silicidfilm gebildet
wird.
Zunächst wird gemäß Fig. 1A ein konventioneller Zweifach-Diffusionspro
zeß ausgeführt, um in einem Halbleitersubstrat 11 einen Source/Drain-
Bereich 15 mit niedriger Dichte und einen Source/Drain-Bereich 17 mit
hoher Dichte herzustellen. Dies erfolgt unter Anwendung eines LOCOS-
Prozesses zwecks Bildung eines Feldoxidfilms 12, der das Substrat 11 in
einen aktiven Kanalbereich und in einen Einrichtungstrennbereich unter
teilt. Danach werden ein Gateisolationsfilm 13 und anschließend ein Gate
aus einem Polysiliciumfilm 14 auf dem Gateisolationsfilm 13 gebildet, und
zwar in einem vorbestimmten Teil des Kanalbereichs. Der Source/Drain-
Bereich 15 mit niedriger Dichte wird durch Implantation von Verunreini
gungen erzeugt deren Leitungstyp entgegengesetzt zu demjenigen des
Substrats 11 ist. Hierbei wird das Gate 14 als Ionenimplantationsmaske
verwendet. Der Source/Drain-Bereich 17 mit hoher Dichte wird benach
bart zum Source/Drain-Bereich 15 mit niedriger Dichte gebildet, und zwar
durch Implantation von Ionen in das Substrat 11 hinein, die gegenüber
dem Substrat 11 vom entgegensetzten Leitungstyp sind. Dabei werden das
Gate 14 und an beiden Seitenwänden des Gates 14 liegende Abstands
stücke 16 als Ionenimplantationsmaske verwendet.
Die Fig. 1B und 1C Illustrieren die Bildung eines Titansilicidfilms (TiSi-
Film). Als ein Film mit hohem Schmelzpunkt wird zunächst ein Titanfilm
18 auf der gesamten Oberfläche der sich gemäß Fig. 1A ergebenden Struk
tur gebildet, und zwar mit relativ geringer Dicke bzw. dünn. Dieser Titan
film 18 wird dann einem ersten Wärmebehandlungs- bzw. -temperungs
prozeß unterzogen, und zwar bei einer Temperatur von etwa 700°C. Wäh
rend dieses ersten Wärmebehandlungs- bzw. -temperungsprozesses wan
dern Siliciumatome in den dünnen Titanfilm 18 hinein. Dabei reagieren
die Siliciumatome mit dem Titan, und zwar an der Grenzfläche zwischen
dem Siliciumsubstrat 11 und dem dünnen Titanfilm 18 sowie an der
Grenzfläche zwischen dem Gate 14 aus Polysilicium und dem dünnen Ti
tanfilm 18, so daß Titansilicidfilme 19 und 20 entstehen, die eine C₄₉-
Phase aufweisen.
Sodann werden gemäß Fig. 1D alle nichtreagierten, verbliebenen Teile des
Titanfilms 18 entfernt, und zwar mit einer NH₄OH/H₂O₂-Lösung. Wie
bereits oben erwähnt, gehört der Titansilicidfilm 19, der sich auf dem
Source/Drain-Bereich 17 gebildet hat, zu den Saliciden, während der Ti
tansilicidfilm 20 auf dem Gate 14 die Eigenschaften eines Polycids auf
weist.
Schließlich wird ein zweiter Wärmebehandlungs- bzw. -temperungspro
zeß durchgeführt, und zwar bei einer Temperatur von nicht weniger als et
wa 800°C, um Titansilicidfilme 19′ und 20′ zu erhalten, die eine C₅₄-Phase
besitzen, wie in Fig. 1E angedeutet ist. Im Ergebnis wird somit ein MOS-
Transistor erhalten, bei dem ein dünner Titansilicidfilm 19′ auf einem
Source/Drain-Bereich 17 mit flachem Halbleiterübergang liegt.
Der Grund, warum zwei Wärmebehandlungs- bzw. -temperungsprozesse
separat durchgeführt werden, ist in Folgendem zu sehen: Wird der dünne
Titanfilm einem Metallwärmebehandlungs- bzw. -temperungsprozeß bei
hoher Temperatur unterzogen, so wandern die Siliciumatome in den dün
nen Titanfilm 18 und durchlaufen auch die Abstandsstücke 16, so daß
sich ein Titansilicidfilm 19′ mit der C₅₄-Phase nicht nur auf dem Sour
ce/Drain-Bereich und dem Gate 14 bildet, sondern auch auf den Ab
standsstücken 16, was zu schädlichen Metallbrücken 21 führt, wie die
Fig. 2 erkennen läßt. Da die Metallbrücken 21 leitend sind, wird durch sie
ein Kurzschluß erzeugt.
Aus diesem Grunde wird der erste bzw. primäre Wärmebehandlungs- bzw.
-temperungsprozeß bei niedriger Temperatur ausgeführt, um einen Titan
silicidfilm 19 mit C₄₉-Phase nur auf dem Source/Drain-Bereich 17 zu er
halten. Nichtreagierte Teile des Titanfilms werden anschließend so voll
ständig entfernt, daß keine Metallbrücken mehr vorhanden sind, wenn der
zweite Wärmebehandlungs- bzw. -temperungsprozeß bei hoher Tempera
tur ausgeführt wird, um zum Titansilicidfilm 19′ mit C₅₄-Phase zu kom
men.
Beim Titansilicidfilm existieren 2 Polymorphien. Zum einen gibt es Titan
silicid mit C₄₉-Struktur (also mit orthorhombischer Struktur), wobei die
Gitterkonstanten a=3,62 Å, b = 13,76 Å und c = 3,605 Å betragen. Darüber
hinaus gibt es Titansilicid mit C₅₄-Struktur (ebenfalls orthorhombisch),
wobei die Gitterkonstanten a = 8,236 Å, b = 4,773 Å und c = 8,532 Å sind.
Bei der Herstellung einer Halbleitereinrichtung wird TiSi mit C₅₄-Struk
tur verwendet und zwar aufgrund der besseren Stabilität und des niedrige
ren spezifischen Widerstandes.
Um den Titansilicidfilm auf dem Source/Drain-Bereich zu erhalten, wie
oben erwähnt, wird vom Source/Drain-Bereich ein wenig verbraucht, da
sich der Silicidfilm mit einer endlichen Dicke einstellt. Dieser verbrauchte
Teil des Source/Drain-Bereichs liegt dabei innerhalb der Übergangstiefe
des Source/Drain-Bereichs.
Da sich der Kontaktwiderstand im allgemeinen mit größer werdender
Dicke des Silicidfilms ebenfalls vergrößert, wird vorzugsweise der Silicid
film mit einer Dicke hergestellt, die nicht mehr als 30 Nanometer (300 Å)
beträgt.
Um den dünnen Silicidfilm zu erhalten, wird, wie bereits erwähnt, ein
Titanfilm dünn niedergeschlagen. Allerdings weisen der dünne Titanfilm
und der dünne Silicidfilm nur eine schlechte Wärmestabilität auf. Wäh
rend des zweiten Wärmebehandlungsprozesses können Agglomerationen
bzw. Zusammenballungen auftreten, durch die die Eigenschaften der Ein
richtung bzw. des Transistors verschlechtert werden.
Zusätzlich ergeben sich infolge der geringen Dicke des Titansilicidfilms
und seiner damit verbundenen thermischen Instabilität beim konventio
nellen Herstellungsverfahren Knoten, Bögen und Abkrümmungen an der
Grenzfläche zwischen dem Titansilicidfilm 19′ und dem Source/Drain-
Bereich 17 aus Silicium. Es wird daher keine gleichmäßige Materi
alschicht an dieser Grenzfläche erhalten, wodurch sich die Eigenschaften
des Transistors ebenfalls verschlechtern.
Unter den Methoden zur Bildung eines dünnen Silicidfilm auf einem
Source/Drain-Bereich mit flachem Halbleiterübergang gibt es eine solche,
bei der Silicid als Diffusionsquelle zum Einsatz kommt. Es handelt sich
hier um das herkömmliche SADS-Verfahren.
Das SADS-Verfahren wurde unter anderem in J. Electrochemlcal Sec.,
139, 196, 1992 beschrieben. Gemäß diesem SADS-Verfahren wird zu
nächst ein Silicidfilm auf einem Siliciumsubstrat hergestellt. So dann wer
den Dotierungsionen in den Silicidfilm implantiert, der anschließend wär
mebehandelt wird, so daß durch Diffusion die Dotierungsverunreinigung
aus dem Silicid in das Siliciumsubstrat gelangt. Auf diese Weise wird ein
Source/Drain-Bereich mit flachem Halbleiterübergang erhalten. Dieses
Verfahren unterscheidet sich wesentlich von dem in Fig. 1 beschriebenen
Verfahren, bei dem ein Source/Drain-Bereich vor dem Erzeugen des Sili
cidfilms gebildet wird.
Nachfolgend wird unter Bezugnahme auf die Fig. 3A bis 3G ein konventio
nelles Herstellungsverfahren für einen MOS-Transistor unter Anwendung
eines SADS-Prozesses beschrieben.
Gemäß Fig. 3A wird zunächst ein sogenannter LOCOS-Prozeß ausgeführt,
um einen Feldoxidfilm 32 zu erhalten, der ein Substrat 31 In einen aktiven
Kanalbereich und in einen Einrichtungstrennbereich unterteilt. So dann
werden ein Gateisolationsfilm 33 und anschließend auf diesem Film 33 ein
Gate aus einem Polysiliciumfilm 34 in einem vorbestimmten Teil des Ka
nalbereichs gebildet. In einem weiteren Verfahrensschritt werden zwei
Abstandsstücke 35 hergestellt, die aus einem Isolationsfilm bestehen, der
sich an den beiden Seitenwänden des Gates 34 und des Gateisolations
films 33 befindet.
Die Fig. 3B bis 3E dienen zur Erläuterung der Herstellung eines Silicid
films. Das Silicid wird dabei in ähnlicher Weise wie durch das in den Fig.
1B bis 1E beschriebene Verfahren gebildet. Zunächst wird auf die gemäß
Fig. 3A erhaltene Struktur ein dünner Titanfilm 36 aufgebracht. Sodann
erfolgt ein erster Wärmebehandlungsprozeß bei einer Temperatur von
etwa 700°C, um einen Titansilicidfilm 37 mit C₄₉-Phase an der Grenzflä
che zwischen dem Titanfilm 36 und dem Siliciumsubstrat 31 sowie einen
anderen Titansilicidfilm 38 an der Grenzfläche zwischen dem Gate 34 und
dem Titanfilm 36 zu erhalten.
Danach werden die nichtreagierten Teile des Titanfilms vollständig ent
fernt, und zwar mit einer NH₄OH/H₂O₂-Lösung. Sodann erfolgt ein zwei
ter Wärmebehandlungs- bzw. -temperungsprozeß bei höheren Temperatu
ren, die nicht unterhalb von 800°C liegen. Hierdurch werden die Titansili
cidfilme 37 und 38 mit C₄₉-Phase in Titansilicidfilme 37′ und 38′ mit C₅₄-
Phase transformiert.
Gemäß Fig. 3F werden dann bei niedriger Beschleunigungsenergie von
etwa 10 KeV Dotierungsionen mit einem gegenüber dem Substrat umge
kehrten Leitungstyp in die Titansilicidfilme 37′ und 38′ implantiert. Bei
spielsweise werden bei einem p-Typ-Substrat (NMOS) As⁺-Ionen implan
tiert. Dagegen werden BF⁺-Ionen implantiert, wenn das Substrat vom n-
Typ ist (PMOS).
Schließlich erfolgt gemäß Fig. 3G ein Wärmebehandlungs- bzw. -tempe
rungsprozeß bei einer Temperatur von etwa 1000°C, so daß die in den Ti
tansilicidfilm 37′ Implantierten Dotierstoffe in das Substrat 31 diffundie
ren können.
Im Ergebnis wird ein Source/Drain-Bereich 39 mit flachem Übergang ent
lang des Silicidfilms erhalten, wodurch die Herstellung des MOS-Transis
tors im wesentlichen abgeschlossen ist.
Bei diesem SADS-Verfahren ist es erforderlich, daß unmittelbar nach der
Ionenimplantation der Dotierstoff nur im Titansilicidfilm verteilt wird.
Beim herkömmlichen Ionenimplantationsprozeß werden aber nur Be
schleunigungsenergien verwendet, die nicht kleiner als 30 KeV sind. Ist
jedoch die Ionenimplantationsenergie zu groß, so gelangt Dotierstoff bei
der Ionenimplantation auch schon in das Siliciumsubstrat. Dies führt zu
einer Vergrößerung des Leckstromes infolge des bei der Ionenimplantation
auftretenden Auftreffeffekts (Knock-on-Effect).
Um den Leckstrom zu verhindern, ist ein Ionenimplantationsgerät erfor
derlich, bei dem eine niedrige Beschleunigungsenergie von etwa 10 KeV
eingestellt werden kann. Allerdings ist die Anwendung einer niedrigen Be
schleunigungsenergie nachteilig im Hinblick auf Durchsatz und Sicher
heit. Soll z. B. bei einer niedrigen Beschleunigungsenergie von etwa 10 KeV
Dotierstoff nur im Titansilicidfilm verteilt werden, so muß das Substrat
zunächst in einen amorphen Zustand überführt werden, wozu zuerst
Dotierstoff, z. B. Ge⁺, in das Substrat implantiert wird.
Darüberhinaus ist es erforderlich, den Wärmebehandlungs- bzw. -tempe
rungsprozeß zweimal durchzuführen, um unter Anwendung des SADS-
Verfahrens zu einem Titansilicidfilm zu kommen, wodurch weitere Proble
me entstehen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zur Herstellung
eines MOS-Transistors mit einem dünnen Silicidfilm und einem einen fla
chen Übergang aufweisenden Source/Drain-Bereich zu schaffen, das ein
facher durchführbar ist und zu besseren Eigenschaften des hergestellten
Transistors führt.
Die Lösung der gestellten Aufgabe ist im kennzeichnenden Teil des Patent
anspruchs 1 angegeben. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind
den Unteransprüchen zu entnehmen.
Das erfindungsgemäße Verfahren zu Herstellung eines MOS-Transistors
mit einem einen flachen Übergang aufweisenden Source/Drain-Bereich
und dünnem Silicidfilm ist gekennzeichnet durch folgende Schritte:
- - Durchführung eines Feldoxidationsprozesses zur Bildung eines als Einrichtungstrennung dienenden Feldoxidfilms auf einem vorbestimmten Teil eines Siliciumsubstrats;
- - auf das Siliciumsubstrat werden der Reihe nach ein Isolationsfilm und darauf ein Polysilociumfilm aufgebracht, die anschließend struktu riert werden, um einen Gateisolationsfilm und ein Gate in einem vorbe stimmten Bereich auf dem Siliciumsubstrat zu erhalten, wobei die ande ren Bereiche des Siliciumsubstrats freiliegen;
- - Bildung von Abstandsstücken aus einem Oxidfilm an den jeweiligen Seltenwänden des Gates;
- - auf die so erhaltene Struktur wird ein dünner Titaniumnitridfilm aufgebracht;
- - Durchführung eines schnellen Wärmebehandlungs- bzw. -tempe rungsprozesses zur Bildung von Titansilicidfilmen an der Grenzfläche zwi schen dem freiliegenden Substrat und dem Titaniumnitridfilm sowie an der Grenzfläche zwischen dem Gate und dem Titaniumnitridfilm sowie zur weiteren Bildung eines TixOyNz-Films an der Grenzfläche zwischen dem Feldoxidfilm und dem Titaniumnitridfilm sowie an der Grenzfläche zwi schen den Seitenwandstücken und dem Titaniumnitridfilm;
- - Dotierungsionen eines gegenüber dem Siliciumsubstrat entgegenge setzten Leitungstyps werden in den Titaniumnitridfilm und den Titansili cidfilm implantiert;
- - der Titaniumnitridfilm und der Titansilicidfilm, die den Dotierstoff enthalten, werden einem Wärmebehandlungs- bzw. -temperungsprozeß unterzogen, um im Siliciumsubstrat einen Source/Drain-Bereich mit fla chem Übergang zu bilden, wobei der Dotierstoff in das Siliciumsubstrat hineindiffundiert und
- - es werden der verbleibende Titaniumnitridfilm und der TixOyNz- Film, nicht jedoch die Titansilicidfilme entfernt.
Die Erfindung wird nachfolgend unter Bezugnahme auf die Zeichnung nä
her beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1A bis 1E Querschnittsdarstellungen zur Erläuterung eines konven
tionellen MOS-Transistor mit dünnem Silicidfilm sowie einem
Source/Drain-Bereich mit flachem Übergang;
Fig. 2 eine Querschnittsdarstellung zur Erläuterung der Bildung einer
Metallbrücke, die beim konventionellen Herstellungsverfahren gemäß Fig.
1 entsteht;
Fig. 3A bis 3G Querschnittsdarstellungen zur Erläuterung eines konven
tionellen Herstellungsprozesses für einen MOS-Transistor, bei dem ein
Prozeß zum Einsatz kommt (SADS-Prozeß) bei dem Silicid als Diffusions
quelle verwendet wird; und
Fig. 4A bis 4E Querschnittsdarstellungen zur Erläuterung eines erfin
dungsgemäßen Herstellungsprozesses für einen MOS-Transistor, bei dem
ein SADS-Prozeß zum Einsatz kommt.
Das erfindungsgemäß Herstellungsverfahren wird nachfolgend unter Be
zugnahme auf die Fig. 4A bis 4E näher beschrieben. Diese Figuren zei
gen ein Verfahren mit SADS-Prozeß zur Herstellung eines MOS-Transis
tors mit dünnem Silicidfilm sowie einem Source/Drain-Bereich mit fla
chem Übergang bzw. Halbleiterübergang.
Zunächst wird gemäß Fig. 4A ein Siliciumsubstrat 41 in einen Kanalbe
reich und in einen Einrichtungstrennbereich unterteilt, und zwar durch
einen Feldoxidfilm 42, der mit Hilfe eines LOCOS-Prozesses hergestellt
wird. So dann wird im Zentralbereich des Kanalbereichs ein Gateisola
tionsfilm 43 gebildet. In einem weiteren Schritt wird ein Gate 44 herge
stellt, das auf dem Gateisolationsfilm 43 zu liegen kommt. Das Gate 44 be
steht aus einem Polysiliciumfilm. Zwei Abstandsstücke 45, hergestellt
durch Aufbringen eines Oxidfilms, befinden sich an den beiden Seiten
wänden sowohl des Gateisolationsfilms 43 als auch des Gates 44.
Wie in Fig. 4B zu erkennen ist, wird auf die gesamte Oberfläche der ge
mäß Fig. 4A erhaltenen Struktur ein dünner Titaniumnitridfilm 46 nie
dergeschlagen bzw. aufgebracht, der einen Ti-Überschuß aufweist (TiNx
mit 0 < x < 1). Dieser Titannitridfilm 46 wird durch einen reaktiven Sput
terprozeß erzeugt.
Die Fig. 4C zeigt die Bildung von zwei Arten von Titansilicidfilmen 47 und
49. Zu diesem Zweck wird ein schneller Wärmetemperungsprozeß (nach
folgend als RTA-Prozeß bezeichnet (rapid thermal annealing process)) aus
geführt, und zwar bei Temperaturen von etwa 800°C sowie unter einer
Stickstoff(N₂) - oder einer Ammoniak(NH₃) -Umgebung. Während des
schnellen Wärmetemperungsprozesses tritt ein Phasentrennphänomen
auf, das dazu führt, daß ein Titansilicidfilm 47 mit C₅₄-Phase, also ein Sa
licidfilm in der Grenzfläche zwischen dem Substrat 41 und dem Titanium
nitridfilm 46 erhalten wird, während ein Titansilicidfilm 49 mit C₅₄-Pha
se, also ein Polycidfilm in der Grenzfläche zwischen dem Gate 44 und dem
Titaniumnitridfilm 46 erhalten wird.
Während sich die Filme mit C₅₄-Phase bilden, bildet sich darüber hinaus
auch ein TixOyNz-Film 48 in der Grenzfläche zwischen dem Feldoxidfilm
42 und dem Titaniumnitridfilm 46 sowie im Bereich zwischen den aus ei
nem Oxidfilm bestehenden Seitenwandstücken 45 und dem Titaniumni
tridfilm 46 infolge der größeren Oxidationsenergie des Titans. Genauer ge
sagt ist die Oxidationsenergie des Titans größer als die des Siliciumoxids
(SiO₂).
Der sich infolge der Phasentrennung ergebende Titansilicidfilm 47 be
stimmt sich durch den x-Wert des dünnen Titaniumnitridfilms (TiNx) 46.
Nimmt der Wert von x zu, wird er also größer, so steigt auch die Dicke des
TiSi-Films. Beträgt beispielsweise der Wert x = 0,3, so liegt das Dickenver
hältnis zwischen dem TiN-Film und dem TiSi₂-Film bei etwa 1 : 1. Aus die
sem Grunde verbleibt der gesamte Dotierstoff innerhalb des dünnen Titan
silicidfilms 47, auch wenn der Ionenimplantationsprozeß bei einer Be
schleunigungsenergie erfolgt, die nicht kleiner als 30 KeV ist. Das hat zur
Folge, daß nach Durchführung der Ionenimplantation die Diffusion des
Dotierstoffes in das Substrat hinein bei entsprechender thermischer Wär
mebehandlung bzw. Temperung nicht die elektrischen Eigenschaften der
gebildeten Einrichtung beeinflußt.
Im Gegensatz zum konventionellen Verfahren werden bei dem erfindungs
gemäßen Verfahren auch keine Metallbrücken erhalten, obwohl der RTA-
Prozeß bei hoher Temperatur von etwa 800°C ausgeführt wird. Wie bereits
erwähnt, bildet sich während der Phasentrennung auch der Oxidfilm 48 an
der Grenzfläche zwischen dem Titaniumnitridfilm 46 und den Seitenwand
stücken 45 während der thermischen Wärmebehandlung bei hoher Tem
peratur, so daß sich der Titansilicidfilm 47 nur auf dem Siliciumsubstrat
41 ausbilden kann. Die Bildung einer Metallbrücke auf den Seitenwand
stücken 45 wird verhindert.
Die Fig. 4D zeigt, wie ein Source/Drain-Beteich 51 mit flachem Übergang
hergestellt wird. Zu diesem Zweck wird Dotierstoff mit einem Leitungstyp,
der entgegengesetzt zum Leitungstyp des Siliciumsubstrats 41 ist, in die
gesamte Oberfläche der so erhaltenen Struktur implantiert, wie die Pfeile
erkennen lassen. Anschließend erfolgt eine thermische Behandlung bzw.
Temperung, so daß der implantierte Dotierstoff in das Substrat 41 hinein
diffundiert. Dadurch bildet sich der Source/Drain-Bereich 51 mit flachem
Übergang.
Anschließend werden gemäß Fig. 4E der verbleibende Titaniumnitridfilm
46 und der TixOyNz-Film 48, nicht aber die Titansilicidfilme 47 und 49,
entfernt, und zwar mit Hilfe einer NH₄OH/H₂O₂-Lösung oder einer ande
ren sauren Lösung, um einen MOS-Transistor mit einem dünnen Silicid
film und einem einen flachen Übergang aufweisenden Source/Drain-
Bereich zu erhalten. In Übereinstimmung mit der Erfindung wird vorteil
haft von der Phasentrennung des Ti-überschüssigen Titaniumnitridfilms
Gebrauch gemacht, um den dünnen Silicidfilm bei Durchführung nur ei
nes einzigen Metallwärmebehandlungsprozesses zu erhalten. Dies verein
facht das Herstellungsverfahren nach der Erfindung gegenüber dem kon
ventionellen Verfahren erheblich, da dort zweimal ein Wärmebehandlung
sprozeß durchgeführt werden muß.
Zusätzlich wird bei der Erfindung der Verbrauch an Source/Drain-Be
reich minimiert. Der Titansilicidfilm eignet sich zur Bildung eines flachen
Übergangs und ferner dazu, ein Ansteigen des Kontaktwiderstandes zu
verhindern.
Bessere Eigenschaften der Einrichtung werden auch dadurch erhalten,
daß sich keine Metallbrücken mehr ausbilden können. Dies liegt an der
Ausnutzung des Phasentrennphänomens, durch das die Bildung von Me
tallbrücken auch dann verhindert wird, wenn ein thermischer Wärmebe
handlungs- bzw. -temperungsprozeß bei hoher Temperatur durchgeführt
wird.
Andererseits erfolgt die Bildung des Source/Drain-Bereichs bzw. die da
mit zusammenhängende Ionenimplantation bei einer nicht unterhalb von
30 KeV liegenden Beschleunigungsenergie sowie unter Einsatz eines her
kömmlichen Ionenimplantationsgerätes, so daß sich weitere Vorteile ge
genüber dem konventionellen Verfahren ergeben, insbesondere hinsicht
lich des parasitären Widerstandes, z. B. des Flächenwiderstandes des
Halbleiterüberganges, sowie hinsichtlich der elektrischen bzw. Einrich
tungseigenschaften.
Claims (7)
1. Verfahren zur Herstellung eines MOS-Transistors mit einem einen
flachen Übergang aufwelsenden Source/Drain-Betelch sowie einem dün
nen Silicidfilm, gekennzeichnet durch folgende Schritte:
- - Durchführung eines Feldoxidationsprozesses zur Bildung eines als Einrichtungstrennung dienenden Feldoxidfilms (42) auf einem vorbe stimmten Teil eines Siliciumsubstrats (41)
- - auf das Siliciumsubstrat (41) werden der Reihe nach ein Isolations film und darauf ein Polysiliciumfilm aufgebracht, die anschließend struk turiert werden, um einen Gateisolationsfilm (43) und ein Gate (44) in ei nem vorbestimmten Bereich auf dem Siliciumsubstrat (41) zu erhalten, wobei die anderen Bereiche des Siliciumsubstrats (41) freiliegen;
- - Bildung von Abstandsstücken (45) aus einem Oxidfilm an den jeweili gen Seitenwänden des Gates (44);
- - auf die so erhaltene Struktur wird ein dünner Titaniumnitridfilm (46) aufgebracht;
- - Durchführung eines schnellen Wärmebehandlungs- bzw. tempe rungsprozesses zur Bildung von Titansilicidfilmen (47, 49) an der Grenz fläche zwischen dem freiliegenden Substrat (41) und dem Titaniumnitrid film (46) sowie an der Grenzfläche zwischen dem Gate (44) und dem Titani umnitridfilm (46), sowie zur weiteren Bildung eines TixOyNz-Films (48) an der Grenzfläche zwischen dem Feldoxidfilm (42) und dem Titaniumnitrid film (46) sowie an der Grenzfläche zwischen den Seitenwandstücken (45) und dem Titaniumnitridfilm (46);
- - Dotierungsionen eines gegenüber dem Substrat (41) entgegengesetz ten Leitungstyp werden in den Titaniumnitridfilm (46) und den Titansili cidfilm (47, 49) implantiert;
- - der Titaniumnitridfilm (46) und der Titansilicidfilm (47, 49), die den Dotierstoff enthalten, werden einem Wärmebehandlungs- bzw. -tempe rungsprozeß unterzogen, um im Siliziumsubstrat (41) einen Source/Drain-Bereich mit flachem Übergang zu bilden, wobei der Dotier stoff in das Siliziumsubstrat (41) hineindiffundiert und
- - es werden der verbleibende Titaniumnitridfilm (46) und der TixOyNz Film (48), nicht jedoch die Titansilicidfilme (47, 49), entfernt.
2. Verfahren nach Anspruch 1. dadurch gekennzeichnet, daß der Tita
niumnitridfilm (46) einen Überschuß an Ti aufweist und folgender Formel
genügt: TiNx mit x zwischen 0 und 1.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Tita
niumnitridfilm (46) durch einen reaktiven Sputterprozeß aufgebracht
wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der
schnelle Wärmebehandlungs- bzw. -temperungsprozeß bei einer Tempe
ratur von etwa 800°C ausgeführt wird.
5. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der
schnelle Wärmebehandlungs- bzw. -temperungsprozeß in einer Ammoni
akumgebung oder einer Stickstoffumgebung ausgeführt wird.
6. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Do
tierungsionen mit einem gewöhnlichen bzw. gemeinsamen Ionenimplan
tationsgerät bei einer Beschleunigungsenergie von nicht weniger als 30
KeV implantiert werden.
7. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der ver
bleibende Titaniumnitridfilm (46) und der TixOyNz-Film (48) entfernt wer
den, und zwar durch Auswahl eines Lösungsmittels, das zu einer eine
NH₄OH/H₂O₂-Lösung enthaltenden Gruppe gehört, oder durch Auswahl
anderer saurer Lösungen.
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