DE4418391C2 - Strahlungsmeßvorrichtung - Google Patents
StrahlungsmeßvorrichtungInfo
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Description
Die Erfindung betrifft eine Strahlungsmeßvorrichtung der im
Oberbegriff des Patentanspruchs 1 genannten Art. Eine solche
Strahlungsmeßvorrichtung ist aus der EP 0 523 783 A1 bekannt.
Die derzeit zur Verfügung stehenden Strahlungsmeßvorrichtun
gen, wie sie etwa bei Röntgentomographen verwendet werden,
bestehen im wesentlichen aus einem Szintillator, der die ein
fallende Strahlung in Licht umsetzt, und einem photoelektri
schen Wandler, der das Licht vom Szintillator in elektrische
Signale umwandelt. Diese Komponenten sind durch einen durch
sichtigen Kleber fest miteinander verbunden. Ein solcher
Strahlungs-Festkörperdetektor ist für sein hohes S/R-Ver
hältnis (Signal-Rausch-Verhältnis) bekannt.
Um einen solchen Festkörperdetektor zu schaffen, werden auf
der Oberfläche eines Halbleitersubstrats, auf dem sich ein
Photodiodenarray befindet, mittels des Klebers Szintillatoren
angeordnet, die jeweils einer Photodiode zugeordnet sind und
die durch Trennplatten voneinander getrennt sind.
Bei dieser Strahlungsmeßvorrichtung sind jedoch die Ausgangs
signale der einzelnen Dioden wegen Ungleichmäßigkeiten in der
Ausrichtung der Szintillatoren in Bezug auf das Halbleiter
substrat und aufgrund von Schwankungen in der Dicke der
durchsichtigen Kleberschicht zwischen dem Szintillator und
dem Halbleitersubstrat nicht gleich groß.
Insbesondere schwankt die lineare Charakteristik des Szintil
lators (die von der Strahlungsenergie abhängige Empfindlich
keit) in Abhängigkeit vom Einfallswinkel der einfallenden
Strahlung. Diese Charakteristik ist bei einem Szintillator
aus einem polykristallinen Sinterstoff (nachfolgend als Kera
mikszintillator bezeichnet) ausgeprägter als bei einem ein
kristallinen Szintillator.
Der Kleber hat nicht nur die Funktion des Befestigens der
Szintillatoren am Halbleitersubstrat, sondern er dient auch
dazu, das von den Szintillatoren erzeugte Licht besser in die
Photodioden einzuleiten. Dies erfordert es, daß sowohl die
Ausrichtung der Szintillatoren in Bezug auf die einzelnen
Photodioden als auch die optischen Eigenschaften des Klebers
gleichmäßig sind.
Da der Kleber jedoch flüssig ist, wenn die Szintillatoren auf
dem Halbleitersubstrat aufgebracht werden, ist es schwierig,
die Kleberschicht über die gesamte Fläche gleichmäßig auszu
bilden.
Deshalb sind bei der Strahlungsmeßvorrichtung, die aus der
eingangs genannten EP 0 523 783 A1 bekannt ist, in der Kle
berschicht Abstandshalter in der Form von Glaskugeln oder
Glasfasern vorgesehen, die dafür sorgen, daß die Kleber
schicht auf der ganzen Fläche der Strahlungsmeßvorrichtung
überall gleich dick ist.
Es hat sich jedoch herausgestellt, daß damit die optischen
Eigenschaften der Strahlungsmeßvorrichtung immer noch nicht
ganz gleichmäßig sind.
Es ist deshalb Aufgabe der vorliegenden Erfindung, die be
kannte Strahlungsmeßvorrichtung so ausgestalten, daß die op
tischen Eigenschaften, insbesondere die Linearität und Emp
findlichkeit der Strahlungsmeßvorrichtung gleichmäßig sind.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß mit der im Kennzeichen des
Patentanspruchs 1 genannten, Reflexionen verhindernden
Schicht zwischen photoelektrischem Wandler (Photodiode) und
Kleber gelöst, da diese Schicht dafür sorgt, daß weniger
Licht an der Grenzfläche Kleber-Wandler reflektiert wird.
Damit erhöht sich nicht nur unmittelbar die Empfindlichkeit
der Strahlungsmeßvorrichtung, sondern es wird auch verhin
dert, daß anfänglich reflektiertes Licht nach mehrmaliger
Reflexion und nicht kontrollierbarer Abschwächung doch noch
in den Wandler eintritt.
Die in den Unteransprüchen angegebenen Maßnahmen verbessern
die optischen Eigenschaften der erfindungsgemäßen Strahlungs
meßvorrichtung dadurch weiter, daß die Oberfläche des Wand
lers durch die relativ weichen Abstandshalter des Anspruchs 2
nicht mehr beschädigt werden kann, und daß die Abstandshalter
des Anspruchs 3 eine Streuung des Lichts verhindern.
Die Strahlungsmeßvorrichtung wird anhand der Zeichnung bei
spielhaft näher erläutert.
Die Fig. 1 ist eine perspektivische Ansicht einer Ausfüh
rungsform der Strahlungsmeßvorrichtung;
Fig. 2 ist ein Querschnitt entlang der Linie II-II′ in Fig. 1;
Fig. 3 ist ein Querschnitt durch wesentliche Teile einer
Strahlungsmeßvorrichtung zum Erläutern des Herstellverfahrens;
Fig. 4 ist eine teilweise vergrößerte Ansicht von Fig. 1;
Fig. 5 ist eine teilweise vergrößerte, Fig. 4 entsprechende
Ansicht einer anderen Ausführungsform einer
Strahlungsmeßvorrichtung; und
Fig. 6 ist eine teilweise vergrößerte, Fig. 4 entsprechende
Ansicht noch einer anderen Ausführungsform einer
Strahlungsmeßvorrichtung.
Gemäß Fig. 1 weist eine Strahlungsmeßvorrichtung
eine gedruckte Schaltungsplatte
4, einen photoelektrischen Wandler 10, der auf der
Oberfläche der gedruckten Schaltungsplatte 4 ausgebildet
ist, und einen Szintillator 1 auf, der auf der Oberfläche
des photoelektrischen Wandlers 10 ausgebildet ist, wobei
eine Kleberschicht 9 dazwischen liegt. Der Szintillator 1
weist mehrere Szintillatorelemente 1a, 1b, . . ., 1n auf, die
jeweils über rechteckigen Querschnitt verfügen, durch Unter
teilungsplatten 2 in y-Richtung unterteilt sind und die sich
in x-Richtung so erstrecken, daß sie Seite an Seite angeord
net sind. Die Kleberschicht 9 weist mehrere Kleberschicht
elemente 9a, 9b, . . ., 9n auf, die durch die Unterteilungs
platten 2 unterteilt sind, wie in Fig. 2 dargestellt, und
die dazu verwendet werden, den Szintillator 1 und den photo
elektrischen Wandler 10 miteinander zu verbinden. Mehrere
kugelförmige Abstandsstücke 12 gleicher Größe sind in jedes
der Kleberschichtelemente 9a, 9b, . . ., 9n eingebettet, wie
in Fig. 4 dargestellt. Der photoelektrische Wandler 10
weist, wie es in Fig. 2 dargestellt ist, ausgehend von der
Seite der gedruckten Schaltungsplatte 4, eine Elektrode 15,
ein aus einem n-Halbleiter wie Silizium bestehendes Substrat
3, eine p-Fremdstoffdiffusionsschicht 5, eine Elektrode 6
und eine Reflexionen verhindernde Schicht 7 auf, die aus
einer Siliziumoxidschicht besteht. Die Fremdstoffdiffusions
schicht 5, die Elektrode 6 und die Reflexionen verhindernde
Schicht 7 weisen mehrere Fremdstoffdiffusionsschicht-Elemen
te 5a, 5b, . . ., 5n, mehrere Elektrodenelemente 6a, 6b, . . .
6n sowie mehrere Reflexionen verhindernde Schichtelemente
7a, 7b, . . ., 7n auf. Das Substrat 3 und die Fremdstoffdiffu
sionsschicht 5 bilden eine Photodiode.
Die Szintillatorelemente 1a, 1b, . . ., 1n können aus einem
Einkristall wie einem solchen aus NaJ, CsJ, CdWO₄, ZnWO₄ und
BGO oder aus einem keramischen Szintillator wie Gd₂O₂S:Pr,
Gd₂O₂S:Eu und Gd₂O₃:Eu bestehen. Diese Szintillatoren sind
ungefähr 1-5 mm dick.
Die Kleberschichtelemente 9a, 9b, . . ., 9n weisen hohe Trans
parenz und hohes Lichtdurchlaßvermögen auf, und sie können
aus einem Kunststoff wie einer Acrylverbindung, Epoxid oder
Colophonium mit einem Brechungsindex von 1,5 bis 2,0 beste
hen. Diese Kleberschichtelemente werden vorzugsweise dünn
ausgebildet. Zu diesem Zweck kann vorzugsweise ein Verdünnungsmittel
verwendet werden, um die Viskosität zu erniedri
gen.
Das Verbinden des photoelektrischen Wandlers 10 und des
Szintillators 1 erfolgt so, daß das Szintillatorelement 1
noch nicht unterteilt ist, wie es in Fig. 3 dargestellt ist.
Danach wird der Szintillator 1 unter Verwendung einer
Schneideinrichtung mit Gräben versehen, die bis in einen
Teil des photoelektrischen Wandlers 10 reichen. Untertei
lungsplatten 2 werden in diese Gräben eingesetzt, um eine
Struktur zu bilden, wie sie in Fig. 2 dargestellt ist.
Beim Verbinden des noch nicht unterteilten Szintillators 1
mit dem Licht-Elektrizität-Wandler 10 wird ein Klebemittel
auf die Oberfläche eines dieser Teile aufgetropft, und das
andere wird auf die Oberfläche aufgesetzt, die mit dem Kle
ber versehen ist. Dann werden der Szintillator 1 und der
photoelektrische Wandler 10 gegeneinander gepreßt, damit
sich der Kleber gleichmäßig verteilt.
Wenn Röntgenstrahlung aus der in Fig. 1 dargestellten Rich
tung in den Szintillator 1 eintritt, wandeln die Szintilla
torelemente 1a, 1b, . . ., 1n die einfallende Röntgenstrahlung
in Licht um, das dann durch die Kleberschichtelemente 9a,
9b, . . ., 9n und die Reflexionen verhindernden Schichtelemen
te 7a, 7b, . . ., 7n läuft und auf die Fremdstoffdiffusions
schichtelemente 5a, 5b, . . ., 5n trifft, die Teile der Photo
diode bilden. Die Photodiode erzeugt elektrische Ladungen
abhängig von der empfangenen Menge einfallenden Lichts, was
bewirkt, daß zwischen den Elektroden 6 und 15 ein Strom
fließt. Dieser Strom entspricht der in den Szintillator 1
eingedrungenen Menge an Röntgenstrahlung.
Wie es in Fig. 4 dargestellt ist, sind in jedem der Kleber
schichtelemente 9a, 9b, . . ., 9n mehrere kugelförmige Ab
standsstücke 12 angeordnet. Wenn der nicht unterteilte Szin
tillator 1 und der photoelektrische Wandler 10 unter Druck
zusammengehalten werden, wird der Kleber, der die Kleber
schicht 9 zwischen ihnen bildet, zum Rand der Kontaktflächen
herausgedrückt, so daß der Abstand zwischen dem Szintillator
1 und dem photoelektrischen Wandler 10, d. h. die Dicke der
Kleberschichtelemente 9a, 9b, . . ., 9n, durch die Größe der
Abstandshalter 12 festgelegt wird. Anders gesagt, entspricht
die Dicke der Klebemittelschicht der Größe der Abstandshal
ter 12.
Der Abstandshalter 12 kann aus einem vernetzten Polymer aus
einem hochmolekularen Harz mit hoher Transparenz bestehen,
wie aus Acrylverbindungen, Epoxid und Divinylbenzol. Im Er
gebnis entspricht der Brechungsindex des Abstandshalters 12
beinahe demjenigen der Kleberschichtelemente 9a, 9b, . . .
9n, und seine Härte ist relativ gering, was ein Zerbrechen
des photoelektrischen Wandlers 10 verhindert.
Ein idealer Kleber, in den Abstandshalter 12 eingemischt
sind, enthält z. B. ein Epoxidharz vom Typ Bisphenol A,
einen modifizierten Aminepoxidharz-
Härter, ein reagierendes Verdün
nungsmittel sowie Abstandshalter
aus vernetztem Polymerharzdivinylbenzol
im Gewichtsverhältnis 1,0 : 0,75 : 0,25 : 0,015.
Im allgemeinen gehören zu den Optimumsbedingungen für den
Kleber geringe Wellenlängenselektivität im Lichtwellenlän
genbereich (400-900 nm) des Szintillators 1, eine hohe
Transparenz, um für einen hohen Lichttransmissionsfaktor zu
sorgen, derselbe Brechungsindex, wie ihn die Abstandshalter
12 aufweisen, der dicht bei dem des Szintillators 1 und der
Reflexionen verhindernden Schicht 7 liegt.
Fig. 5 zeigt einen Aufbau, der dem in Fig. 4 dargestellten
ähnlich ist, mit der Ausnahme, daß die aus den Kleber
schichtelementen 9a, 9b, . . ., 9n bestehende Kleberschicht 9
eine andere Kleberschicht 13 mit Kleberschichtelementen 13a,
13b, . . ., 13n aufweist. Die Kleberschicht 13 dient dazu, die
Abstandshalter 12 vorab am Szintillator 1 zu befestigen,
damit sie sich nicht bewegen können und gleichmäßig verteilt
werden.
Der Kleber, der die Kleberschicht 13 bildet, enthält vor
zugsweise Epoxidharz vom Typ Bisphenol A,
einen modifizierten Aminepoxidharz-Härter
und ein reagierendes Verdünnungsmit
tel im Gewichtsverhältnis 1,0 :
0,75 : 0,25.
Die Abstandshalter 12 können auf die folgende Weise am Szin
tillator 1 befestigt werden. Ein Kleber wie eine Acrylver
bindung, Epoxid oder Colophoniumharz mit hohem Brechungs
index (n = 1,5 bis 2,0) wird mit einem Verdünnungsmittel
(organisches Lösungsmittel wie Aceton, Toluol oder Xylol)
verdünnt und mit Abstandshaltern 12 vermischt. Der mit Ab
standshaltern vermischte verdünnte Kleber wird sehr dünn auf
die zu verklebende Fläche des Szintillators 1 entweder durch
Aufsprühen, Drucken, Walzbeschichten, Schleuderbeschichten
oder unter Verwendung eines Mikrospenders aufgetragen.
Der mit den Abstandshaltern 12 wie vorstehend beschrieben
versehene Szintillator 1 wird in einem Elektroofen erwärmt,
um das in den Kleberschichtteil 13 eingemischte Verdünnungs
mittel (organisches Lösungsmittel wie Aceton, Toluol oder
Xylol) zu verdampfen und den Kleber auszuhärten. Das Aushär
ten des Klebers erfolgt vorzugsweise im Zustand eines Vorab
bindens. Das heißt, daß der Kleber nicht vollständig ausge
härtet wird, sondern nur vorabgebunden wird, damit er beim
erneuten Erhitzen aushärtet. Wenn z. B. ein Epoxidkleber
verwendet wird, werden ein Epoxidharz vom Typ Bisphenol A,
modifizierter Aminepoxidharz-
Härter, ein Verdünnungsmittel
(Toluol) und kugelförmige Abstandshalter aus vernetztem Po
lymerharzvinylbenzol im Gewichts
verhältnis 1 : 0,5 : 0,4 : 0,015 vermischt. Die Mischung
wird auf den Szintillator aufgesprüht, der dann im Elektro
ofen erwärmt wird. Um ein Vorabbinden zu erzielen, erfolgt
ein Erwärmen auf 60-80°C für 10-5 Minuten. Wie es in
Fig. 5 dargestellt ist, soll die Menge des aufzutragenden
Klebermaterials dergestalt sein, daß die Dicke der Kleber
schicht nicht größer als der Durchmesser der verwendeten
Abstandshalter 12 ist.
Fig. 6 zeigt den Fall, daß die Abstandshalter durch die Kle
berschicht 13 nicht am Szintillator sondern am photoelektri
schen Wandler 10 befestigt sind. Auch in diesem Fall werden
ähnliche Wirkungen wie im Fall von Fig. 5 erzielt.
Wie vorstehend beschrieben, wird beim Aufbau dieses Ausführungsbeispiels
die Kleberschicht 9, die zwischen das Halbleitersubstrat
3 und den Szintillator 1 eingefügt wird, um
sie miteinander zu verbinden, mit Abstandshaltern 12 ver
mischt, die einen Durchmesser aufweisen, der der Dicke des
Kleberschichtteils 9 entspricht.
Daher wird die Dicke der Kleberschicht 9, wenn der Szintil
lator 1 und der Licht-Elektrizität-Wandler 10 gegeneinander
gedrückt werden, wobei ein flüssiger Kleber dazwischen
liegt, durch den Durchmesser der Abstandshalter 12 bestimmt.
So weist die Kleberschicht 9 über die gesamte Fläche gleich
mäßige Dicke auf, wodurch die Ausrichtungen der verbundenen
Szintillatorelemente 9a, 9b, . . ., 9n und die optischen
Eigenschaften der Kleberschicht 9 gleichmäßig gehalten wer
den.
Da sich der Druck zwischen dem Szintillator 1 und dem photo
elektrischen Wandler 10 nicht auf einen speziellen Ort kon
zentriert, sondern da er abhängig von der Anzahl verwendeter
Abstandshalter 12 verteilt wird, kann verhindert werden, daß
die Oberfläche des photoelektrischen Wandlers 10 zerstört
wird.
Während das vorstehende Ausführungsbeispiel kugelförmige Ab
standshalter 12 verwendet, ist es auch möglich, Abstandshal
ter anderer Form zu verwenden, wie stab- oder rohrförmige
Abstandshalter, um ähnliche Ziele zu erreichen.
Beim vorstehenden Ausführungsbeispiel sind auf der Oberflä
che des Halbleitersubstrats 3 - auf der Photodioden in einem
Feld angeordnet sind - Szintillatoren 1 angeordnet, die von
einander durch die Unterteilungsplatten 2 so getrennt sind,
daß sie den zugeordneten Photodioden entsprechen, wobei die
Kleberschicht 9 zwischen dem Substrat und dem Szintillator
angeordnet ist. Die Erfindung kann auch auf andere Anordnun
gen angewandt werden, bei denen z. B. der Szintillator an
der Oberfläche einer Photodiode mit einem einzelnen Element
befestigt ist. In diesem Fall können dann, wenn diese Seite
an Seite angeordnet werden, ihre Eigenschaften gleichmäßig
ausgestaltet werden (insbesondere die Anordnungsausrichtun
gen der Szintillatoren und die optischen Eigenschaften des
Klebers).
Zusammengefaßt ist demgemäß festzustellen, daß es bei einer
erfindungsgemäßen Strahlungsmeßvorrichtung möglich ist, daß
die Anordnungsausrichtungen der Szintillatorelemente in be
zug auf den photoelektrischen Wandler sowie die optischen
Eigenschaften des transparenten Klebers, der zum Befestigen
der Szintillatoren verwendet wird, gleichmäßig gemacht wer
den können.
Da es ersichtlich ist, daß gegenüber den vorstehend be
schriebenen Einzelheiten viele Änderungen und Modifizierun
gen vorgenommen werden können, ohne von der Art und dem
Geist der Erfindung abzuweichen, ist zu beachten, daß die
Erfindung nicht durch die hier beschriebenen Einzelheiten
beschränkt ist.
Claims (4)
1. Strahlungsmeßvorrichtung mit
- - mindestens einem Szintillatorelement (1a, 1b, . . ., 1n) zum Umwandeln von einfallender Strahlung in Licht;
- - einem photoelektrischen Wandler (10) zum Umwandeln des Lichts in ein elektrisches Signal;
- - mindestens einem lichtdurchlässigen Kleberschichtele ment (9a, 9b, . . ., 9n) zwischen dem jeweiligen Szintillator element und dem photoelektrischen Wandler, um diese miteinan der zu verbinden; und mit
- - einer Anzahl von lichtdurchlässigen Abstandshaltern (12) in der Kleberschicht, die größenmäßig im wesentlichen der Dicke der Kleberschicht entsprechen;
dadurch gekennzeichnet, daß der photoelektrische Wandler
(10) eine Reflexionen verhindernde Schicht (7a, 7b, . . ., 7n)
aufweist, die so auf seiner Oberfläche ausgebildet ist, daß
sie mit der Kleberschicht (9a, 9b, . . ., 9n) in Kontakt steht.
2. Strahlungsmeßvorrichtung nach Anspruch 1, dadurch ge
kennzeichnet, daß die lichtdurchlässigen Abstandshalter (12)
aus einem vernetzten Polymer aus einem hochmolekularen Harz
bestehen, dessen Brechungsindex im wesentlichen dem der Kle
berschichtelemente (9a, 9b, . . ., 9n) entspricht.
3. Strahlungsmeßvorrichtung nach Anspruch 2, dadurch ge
kennzeichnet, daß die Abstandshalter (12) aus einer Acrylver
bindung, Epoxid oder Divinylbenzol bestehen.
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