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Gebiet der Erfindung
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Die vorliegende Erfindung bezieht
sich auf ein Verfahren zur Herstellung von reinen Kobaltsputtertargets
mit niedriger magnetischer Permeabilität, wodurch der magnetische
Streufluss an der Oberfläche
des Targets während
des Kathodenmagnetronsputterns verbessert wird.
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Hintergrund der Erfindung
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Aus ferromagnetischen Materialien
hergestellte Sputtertargets sind für die Abscheidung dünner Filme
in Industrien wie z.B. der Datenspeicherung und von VLSI-(sehr hoch
integrierten)-Halbleitern kritisch. Das Magnetronkathodensputtern
ist ein Verfahren zum Sputtern von magnetischen Dünnfilmen.
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Das Kathodensputterverfahren beteiligt
den Ionenbeschuss eines aus einem ferromagnetischen Material zusammengesetzten
Targets. Das Target bildet einen Teil eines Kathodenaufbaus in einer
evakuierten Kammer, die ein inertes Gas wie z.B. Argon aufweist.
Ein elektrisches Feld wird zwischen den Kathodenaufbau und einer
Anode in der Kammer angelegt und das Gas wird durch einen Zusammenstoss mit
von der Oberfläche
der Kathode ausgestoßenen Elektronen
ionisiert, wodurch sich ein Plasma zwischen der Targetoberfläche und
dem Substrat ausbildet. Die positiven Gasionen werden zu der Kathodenoberfläche angezogen
und Teilchen aus Material werden freigesetzt, wenn die Ionen auf
das Target auftreffen. Diese durchqueren anschließend die
Umhüllung
und scheiden sich als ein Dünnfilm
auf einem oder mehreren Substraten ab, das/die auf einer Stütze angeordnet
ist/sind, welche bei oder nahezu bei Anodenpotenzial gehalten wird.
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Obwohl das Sputterverfahren ausschließlich in
einem elektrischen Feld ausgeführt
werden kann, sind wesentlich erhöhte
Abscheidungsraten mit dem Magnetronkathodensputtern möglich, bei
dem ein bogenförmiges
Magnetfeld, das in einer geschlossenen Schleife über der Oberfläche des
Sputtertargets ausgebildet ist, auf dem elektrischen Feld überlagert wird.
Das bogenförmige
Magnetfeld in geschlossener Schleife fängt Elektronen in einem ringförmigen Bereich
benachbart zu der Oberfläche
des Targets ein, wodurch die Zusammenstöße zwischen Elektronen und
Gasatomen multipliziert werden und ein entsprechender Zuwachs in
der Anzahl an Ionen in diesem Bereich erzeugt wird. Das Magnetfeld
wird typischerweise durch das Anordnen von einem oder mehreren Magneten
hinter dem Target erzeugt. Dies ruft ein Streumagnetfeld an der
Oberfläche
des Targets hervor, so dass die Plasmadichte erhöht werden kann.
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Eine Erosion von Teilchen von der
Sputtertargetoberfläche
tritt im allgemeinen in einem relativ engen ringförmigen Bereich
entsprechend der Form des in einer geschlossenen Schleife vorliegenden Magnetfeldes
auf. Nur der Anteil des gesamten Targetmaterials in dieser Erosionsrille,
der so genannte "Kanalrillen"-Bereich, wird verbraucht,
bevor das Target ausgetauscht werden muss. Das Ergebnis besteht
darin, dass typischerweise nur 18–25% des Targetmaterials benutzt
wird. Daher wird eine beträchtliche
Menge an im allgemeinen sehr teuerem Material entweder verschwendet
oder es muss wieder aufbereitet werden. Darüber hinaus tritt eine beträchtliche Menge
an "Ausfallzeit" der Abscheidungsausrüstung aufgrund
der Notwendigkeit eines häufigen
Austauschs des Targets auf.
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Zur Beseitigung dieser Nachteile
des Magnetronsputterverfahrens sind verschiedene mögliche Lösungen verfolgt
worden. Eine potenzielle Lösung besteht
in der Erhöhung
der Dicke des Targets. Wenn das Target relativ dick ist, kann das
Sputtern über
einen längeren
Zeitraum hinweg vor sich gehen, bevor der Kanalrillenbereich verbraucht
wird. Ferromagnetische Materialien stellen jedoch eine Schwierigkeit dar,
die mit nicht ferromagnetischen Materialien nicht auftritt. Für das Magnetronsputtern
muss der magnetische Streufluss (MLF) oder das Streumagnetfeld an der
Targetoberfläche
groß genug
sein, um das Plasma zu starten und aufrechtzuerhalten. Unter normalen
Sputterbedingungen wie z.B. bei einem Kammerdruck von 3–10 mTorr
beträgt
der minimale MLF, der auch als Durchgangsfluss (PTF) bekannt ist,
annähernd
150 Gauss an der Sputteroberfläche
und liegt für
das Hochgeschwindigkeitssputtern vorzugsweise bei etwa 200 Gauss.
Die Kathodenmagnetfeldstärke bestimmt
teilweise den MLF. Je höher
die Magnetfeldstärke
ist, umso höher
ist der MLF. In dem Fall von ferromagnetischen Sputtertargets schirmt
die hohe intrinsische magnetische Permeabilität des Materials jedoch das
Magnetfeld von den Magneten hinter dem Target wirksam ab oder schiebt
dieses beiseite und verringert daher den MLF an der Targetoberfläche proportional
zu der Targetdicke.
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Für
Luft und nicht ferromagnetische Materialien liegt die magnetische
Permeabilität
sehr nahe bei 1,0. Hier als ferromagnetische Materialien bezeichnete
Materialien sind solche, die eine intrinsische magnetische Permeabilität von größer als
1,0 aufweisen. Die magnetische Permeabilität beschreibt das Ansprechen
(Magnetisierung) eines Materials unter einem Magnetfeld.
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In CGS-Einheiten ist sie definiert
als: Magnetische Permeabilität = 1 + 4π (M/H)wobei M die Magnetisierung
und H das Magnetfeld ist. Für
derzeit verfügbare
Kobaltsputtertargets beträgt
die magnetische Permeabilität
annähernd
12 oder mehr.
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Aufgrund der hohen magnetischen Permeabilität und dem
daher niedrigen MLF und weil der MLF mit steigender Targetdicke
abnimmt, sind ferromagnetische Sputtertargets im allgemeinen viel
dünner
als nicht magnetische Sputtertargets angefertigt, um ein Durchdringen
eines ausreichenden Magnetfelds zu der Sputteroberfläche hin
zu ermöglichen, damit
das für
das Magnetronsputtern notwendige Sputterplasma aufrechterhalten
wird. Nicht ferromagnetische, Targets sind typischerweise 0,25 inch
dick oder mehr, während
ferromagnetische Targets im allgemeinen eine Dicke aufweisen, die
unter 0,25 inch liegt. Daher können
diese ferromagnetischen Targets nicht einfach nur dicker hergestellt
werden, um die Stillstandszeit der Ausrüstung zu verringern, sondern sie
müssen
tatsächlich
dünner
angefertigt werden. Zur Steigerung der Dicke muss der MLF etwas
erhöht werden.
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In dem speziellen Fall von Kobaltsputtertargets
hat die kontinuierliche Größenreduktion
und gesteigerte Geschwindigkeit von integrierten Schaltungen auf
Siliciumbasis einen Bedarf nach hochreinen Kobalttargets erzeugt.
Kontakte mit geringem Widerstand und hoher thermischer Stabilität sind für diese integrierten
Schaltungen auf Siliciumbasis erforderlich, wobei CoSi2 ein
derartiges Kontaktmaterial ist.
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Früher wurden diese Kontaktfilme
unter Verwendung von Silicidtargets abgeschieden, aber diese durch
Pulvermetallurgieverfahren angefertigten Targets wiesen eine niedrige
Reinheit und geringe Dichte auf und waren häufig inhomogen beschaffen. Wahlweise
kann dieser CoSi2-Film durch Vakuumabscheidung
von Kobalt auf einem Siliciumsubstrat, gefolgt von einem Erwärmen bis
auf etwa 500°C
entwickelt werden, um dadurch das CoSi2-Kontaktmaterial auszubilden.
Für dieses
Verfahren sind hochreine Kobalttargets erforderlich. Darüber hinaus
erfordern diese hochreinen Kobalttargets aufgrund des Bedarfs nach
genügend
MLF an der Oberfläche
des Targets zum Starten und Aufrechterhalten des Plasmas weiterhin
eine niedrige magnetische Permeabilität, die spezifisch niedriger
als die intrinsische Permeabilität
des Materials sein muss.
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EP-A-0 799 905 offenbart ein Verfahren
zur Herstellung von hochreinen Kobaltsputtertargets, das die Schritte
des Herstellens eines Gussblocks, eines Warmformens dieses Gussblocks
bei einer Temperatur von 1100°C
bis 1200°C
und eines Kaltformens und/oder Warmformens des Produkts bei einer
Temperatur von unter 450°C
aufweist. Mittels Beispielen wird gezeigt, dass ein Kaltwalzen und
ein Warmwalzen bei 400°C
nacheinander durchgeführt werden
müssen,
um Produkte mit einer erwünschten magnetischen
Permeabilität
zu erhalten, während weder
das alleinige Kaltwalzen noch das alleinige Warmwalzen zu vergleichbaren
Ergebnissen führen.
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Verschiedene vorgängige Entwicklungen beziehen
sich auf die Reduktion der Permeabilität in Legierungssputtertargets
aus Kobaltbasislegierungen. In US-A-4 832 810 wird die Permeabilität berichtetermaßen verringert,
indem das Verhältnis
der f.c.c.-Phase (kubisch-flächenzentrierte
Phase) zu der h.c.p.-Phase
(hexagonal eng gepackte Phase) reduziert wird. Dies wird angegebener
Weise dadurch bewerkstelligt, dass eine Kobaltbasislegierung mit
einer Einzel-f.c.c.-Phase geschmolzen, formgegossen und gekühlt wird,
damit ein Teil der f.c.c.-Phase in eine h.c.p.-Phase umgewandelt
wird, woraufhin ein Kaltformen folgt. Wahlweise kann die Legierung
vor der Kühlung
warmgeformt werden.
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In US-A-5 282 946 wird die Permeabilität einer
Platin-Kobaltlegierung berichtetermaßen verringert, indem die Legierung
formgegossen, bei 400–700°C wärmebehandelt,
bei einer Temperatur über
der Rekristallisationstemperatur (d.h. über etwa 300°C) auf eine
Verformung von mindestens 30% warmgeformt, und bei einer Temperatur
unter der Rekristallisationstemperatur kalt-(oder warm-) -geformt wird.
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In US-A-5 334 267 wird die Permeabilität einer
Co-Ni-Cr-V-Legierung mit einer f.c.c.-Struktur berichtetermaßen verringert,
indem die Legierung formgegossen, heißgewalzt, und kalt- oder warmgeformt wird,
um zu bewirken, dass eine Werkverformung in dem Target verbleibt.
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In US-A-5 112 468 wird die Permeabilität einer
Kobaltlegierung mit einer h.c.p.- und kubischen Struktur berichtetermaßen verringert,
indem die h.c.p.-Phase maximiert wird und die hexagonalen Prismenachsen
senkrecht zu der Targetoberfläche ausgerichtet
werden. Dies wird berichtetermaßen
dadurch bewerkstelligt, dass die Legierung gegossen und geschmiedet
und bei 800–1200°C warmgewalzt wird,
gefolgt von einem Abschrecken und einem Kalt-(oder Warm-)-Formen
bei unter 400°C.
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In US-A-5 468 305 wird die Permeabilität einer
Kobaltlegierung durch einen mehrfachen Warmwalzschritt mit einer
gesamten Reduktion von 30% oder größer, gefolgt von einem Kaltwalzen
bei einer Reduktion von 10% oder weniger berichtetermaßen verringert.
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In jeder dieser Schriften boten)
die jeweils beteiligte Legierung oder beteiligten Legierungen unterschiedliche
Parameter dar, die angegangen werden mussten, um zu bestimmen, wie
die Permeabilität
der jeweiligen Kobaltlegierung abgesenkt werden konnte. Die Kristallstruktur,
die intrinsische Permeabilität,
die Verarbeitbarkeit usw. variieren von einer Legierung zur anderen.
Keine dieser Referenzschriften setzt sich mit den speziellen Parametern
auseinander, die bei im wesentlichen reinen Kobaltsputtertarget-Materialien vorliegen.
Beispielsweise wiesen die Kobaltlegierungen Strukturen einer f.c.c.-Einzelphase
oder einer multiplen Phase auf, während reines Kobalt bei Raumtemperatur
eine h.c.p.-Einzelphasenstruktur hat. Da darüber hinaus reines Kobalt eine
niedrigere intrinsische Permeabilität als Kobaltlegierungen aufweist,
ist eine Reduktion der Permeabilität schwieriger zu erreichen.
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Daher besteht ein Bedarf nach der
Entwicklung eines reinen Kobaltsputtertargets und eines Verfahrens
zum Herstellen desselben, das eine niedrige magnetische Permeabilität aufweist,
welche für
eine Erhöhung
des magnetischen Streuflusses an der Oberfläche des Sputtertargets ausreicht.
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Zusammenfassung der Erfindung
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Die vorliegende Erfindung ist ein
Verfahren zum Herstellen von Kobaltsputtertargets mit niedriger magnetischer
Permeabilität
gemäß Anspruch
1. Im einzelnen stellt die vorliegende Endung ein hochreines Kobaltsputtertarget
mit einer h.c.p.-Einzelphasenstruktur und einer magnetischen Permeabilität bereit,
die niedriger als die intrinsische magnetische Permeabilität des Materials
ist. Gemäß den Prinzipien
der vorliegenden Erfindung wird im wesentlichen reines Kobalt gegossen
und langsam bei einer Rate von 15°C/min
oder weniger abgekühlt,
um ein gegossenes Target mit einer kristallographischen Struktur einer
h.c.p.-Einzelphase auszubilden. Dieses gegossene Target wird bei
einer Temperatur von mindestens etwa 1000°C warmgeformt, um dem Kobaltmaterial
eine Verformung von etwa 65% oder mehr zu verleihen, gefolgt von
einer langsamen, kontrollierten Abkühlung auf Raumtemperaturen
bei einer Rate von 15°C/min
oder weniger, um die kristallographische Gleichgewichtsstruktur
einer h.c.p.-Einzelphase zu erhalten. Anschließend wird das gekühlte Target bei
im wesentlichen Raumtemperatur kaltgeformt, um ihm eine Verformung
von etwa 5–20%
zu verleihen. Das Sputtertarget der vorliegenden Erfindung, das
durch dieses Verfahren verarbeitet wird, verfügt über eine magnetische Permeabilität von weniger
als etwa 9. In einer Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung weist das Sputtertarget weiterhin Körner im
Größenbereich
von etwa 70 – 160 μm auf. In
einer weiteren Ausführungsform
der vorliegenden Erfindung weist das Sputtertarget Körner mit
einer durchschnittlichen Größe von etwa
130 μm auf.
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Die obigen und weitere Aufgaben,
Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung werden anhand der
beiliegenden Zeichnungen und der ausführlichen Beschreibung der Erfindung
deutlicher werden.
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Kurze Beschreibung
der Zeichnungen
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Die beiliegenden Zeichnungen, die
in der Patentbeschreibung enthalten sind und einen Teil von ihr
bilden, illustrieren Ausführungsformen
der Erfindung und dienen zusammen mit der oben angeführten allgemeinen
Beschreibung der Erfindung und der nachstehend wiedergegebenen ausführlichen
Beschreibung zur Erläuterung
der Prinzipien der Erfindung.
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1 ist
ein Auftrag des Magnetfelds gegenüber der magnetischen Permeabilität; und
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2 ist
ein Auftrag der Targetlebensdauer gegenüber der Schichtwiderstands-Gleichförmigkeit.
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Ausführliche
Beschreibung
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Die vorliegende Erfindung stellt
ein Verfahren zum Herstellen von Kobaltsputtertargets mit niedriger
magnetischer Permeabilität
wie in Anspruch 1 angegeben bereit. Die niedrige magnetische Permeabilität wird durch
die Kombination von Warmformen und Kaltformen und eine langsame
kontrollierte Abkühlung
bewerkstelligt, um eine kristallographische Struktur einer h.c.p.-Einzelphase
in dem im wesentlichen reinen Kobaltmaterial zu erreichen und aufrechtzuerhalten.
Die niedrige magnetische Permeabilität des für die Sputtertargets der vorliegenden
Endung verwendeten ferromagnetischen, hochreinen Kobaltmaterials
führt zu
einem signifikanten Anstieg in dem MLF an der Oberfläche der
Kobalttargets und zu einem Absenken des für den Erhalt eines stabilen Plasmas
erforderlichen Argondrucks. Die niedrige magnetische Permeabilität des ferromagnetischen, hochreinen
Kobaltmaterials ermöglicht
weiterhin eine erhöhte
Targetdicke, was eine längere
Targetlebensdauer bewerkstelligt und die Häufigkeit von Targetauswechselungen
verringert. Die niedrige magnetische Permeabilität erlaubt eine Abscheidung
mit einer hohen Rate bei einer äquivalenten
oder niedrigeren Magnetronfeldstärke,
was zu verbesserten magnetischen Filmeigenschaften beiträgt und die
Gleichförmigkeit
von sowohl der Filmdicke wie des Schichtwiderstands verbessert.
Targets mit niedriger magnetischer Permeabilität führen ebenfalls zu breiteren Sputtererosionsrillen
oder -zonen und somit zu einer höheren
Targetausnutzung, was bei einer Reduzierung des Ausschusses für diese
teuren Targets äußerst wichtig
ist. Darüber
hinaus stellen die durch die vorliegende Erfindung erzeugten Sputtertargets
die hochreine hohe Dichte und Homogenität bereit, welche für eine Entwicklung
des CoSi2-Films mittels Vakuumabscheidung
von Kobalt auf Siliciumsubstrate notwendig sind.
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Das Kobaltmaterial, welches die Sputtertargets
aufweisen, verfügt
vorteilhafterweise über
eine Reinheit von mindestens etwa 99,99 Gew.-%. Dieses hochreine
Kobaltmetall mit einer h.c.p.-Einzelphase wird gegossen, beispielsweise
indem das Metall bei einer Temperatur über dem Schmelzpunkt von Kobalt (d.h. über 1495°C) in einen
argongespülten
Vakuumofen bis zum Schmelzen erhitzt und in eine Form geschüttet wird
und es an Luft langsam auf Raumtemperatur abkühlen kann. Die Kühlrate wird
kontrolliert, um die h.c.p.-Einzelphasenstruktur des Kobaltmetalls
aufrechtzuerhalten. Dies wird durch ein Abkühlen bei einer Rate von etwa
15°C/min
oder weniger bewerkstelligt. Dieses gegossene Kobaltmaterial weist
typischerweise eine magnetische Permeabilität von etwa 15 oder höher sowie
Körner
auf, deren Abmessungen in der Größenordnung
von 1000 μm
liegen.
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Um die gegossene Kornstruktur des
Kobaltmaterials zu beseitigen und das gegossene Metall weiter in
eine erwünschte
Konfiguration für
das Sputtertarget umzuformen, wird das gegossene Sputtertarget z.B.
durch Schmieden, Walzen, Stanzen, Pressformen oder Extrusion warmgeformt.
Diese thermomechanische Behandlung wird bei einer erhöhten Temperatur
durchgeführt,
um die Rissbildung zu minimieren. Vorteilhafterweise beträgt die Temperatur
für das
Warmformen mindestens etwa 1000°C. Das
Material wird so lange warmgeformt, bis eine Verformung von mindestens
etwa 65% bewerkstelligt ist. Die Verformung wird wie hier bestimmt
durch die folgende Formel gemessen: Verformung
= Δt/t0 × 100
wobei Δt und t0 die Menge an Dickereduktion bzw. die Dicke
vor dem Arbeitsvorgang angeben. Das sich ergebende warmgeformte
Target weist eine h.c.p.-Gleichgewichtsstruktur auf.
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Anschließend wird das warmgeformte
Target an Luft langsam auf Raumtemperatur abgekühlt, wobei die Kühlrate kontrolliert
wird, um die kristallographische Gleichgewichtsstruktur der h.c.p.-Einzelphase
zu erhalten. Dies wird durch ein Abkühlen bei einer Rate von etwa
15°C/min
oder weniger bewerkstelligt.
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Dann wird das warmgeformte Target
einem Kaltformen wie z.B. Kaltwalzen bei Raumtemperatur unterzogen,
um eine durch Verformung induzierte Restspannung innerhalb des Materials
zu bewirken. Das Material wird kaltgeformt, bis eine Verformung von
etwa 5–20%
bewerkstelligt worden ist. In einer Ausführungsform der vorliegenden
Erfindung wird das Material auf eine Verformung von etwa 10% kaltgeformt.
Bei Verformungen von weniger als 5% ist die Veränderung in dem MLF entweder
nicht nennenswert oder ungenügend,
um den zusätzlichen
Verarbeitungsschritt zu rechtfertigen. Bei Verformungen von über 20%
besteht ein hohes Risiko, dass das Targetmaterial bricht.
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Die Kombination aus Warm- und Kaltformen führt zusammen
mit einer langsamen kontrollierten Abkühlung zu einer gleichachsigen,
gleichförmigen Kornstruktur
der Korngröße, die
von etwa 70 μm
bis etwa 160 μm
reicht, wobei die durchschnittliche Korngröße bei etwa 130 μm liegt,
und zu einer kristallographischen Textur, die aus mehr als etwa
95% der (102)-Ausrichtung besteht. Darüber hinaus besteht das Sputtertarget
der vorliegenden Erfindung aus hochreinem Kobalt mit einer magnetischen
Permeabilität
von weniger als etwa 9.
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Die oben beschriebene Verarbeitungssequenz
sowie die Parameter waren dazu ausgelegt, die Materialaspektcharakteristik
von im wesentlichen reinem Kobalt zu adressieren. Die Zuführung von durch
Verformung induzierter Restspannung durch ein kombiniertes Heiß- und Kaltformen
bewerkstelligte zusammen mit der Aufrechterhaltung einer h.c.p.-Einzelphasenstruktur
eine signifikante Absenkung der magnetischen Permeabilität des Kobaltsputtertargets
von dem intrinsischen Wert des reinen Kobaltmaterials.
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Beispiel
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Zwei Probetargets wurden unter identischen Testbedingungen
hergestellt und sowohl auf 6 inch- wie auf 8 inch-Wafer gesputtert
(1 inch = 2,54 cm). Beide Targets wurden gegossen, bei einer kontrollierten
Rate von annähernd
15°C/min
langsam auf Raumtemperatur gekühlt,
nachfolgend bei einer Temperatur von annähernd 1150°C auf eine Verformung von 70%
heißgewalzt
und bei einer kontrollierten Rate von annähernd 15°C/min langsam auf Raumtemperatur
abgekühlt.
Eines der Targets wurde anschließend gemäß den Prinzipien der vorliegenden
Erfindung mittels Kaltwalzen bei Raumtemperatur auf eine Verformung
von etwa 10% weiterverarbeitet. 1 stellt
die Aufträge
der magnetischen Permeabilität
gegenüber
dem Magnetfeld für
die zwei Targets dar. Das gemäß den Prinzipien
der vorliegenden Erfindung dem Kaltwalzen weiter unterzogene Target
wies eine maximale magnetische Permeabilität von etwa 25% weniger als
das Target auf, das dem Kaltwalzen nicht weiter unterzogen worden war.
Die niedrigere magnetische Permeabilität während des Sputterns trug ebenfalls
zu einem leichteren Entzünden
des Plasmas und zu einer erhöhten
Plasmagleichförmigkeit
an der Oberfläche
des Sputtertargets bei. Zusätzlich
und wie in 2 dargestellt
zeigte das Target, das gemäß den Prinzipien
der vorliegenden Erfindung einem Kaltformen unterzogen wurde, eine
gute Schichtwiderstands-Gleichförmigkeit über die
Targetlebensdauer hinweg. Die Schichtwiderstands-Gleichförmigkeit
(1σ) für das dem
Kaltwalzen nicht unterzogene Target wurde unmittelbar nach dem Einbrennen
(etwa 2 kWh) gemessen, wobei dieses Target zu Beginn der Targetlebensdauer
eine sehr hohe Schichtwiderstands-Gleichförmigkeit aufwies. Die Schichtwiderstands-Gleichförmigkeit
für das
dem Kaltwalzen nicht unterzogene Target wurde an dem Ende der Targetlebensdauer
wieder gemessen und zeigte, dass derartige Targets zu dem Ende des
Sputterverfahrens hin eine niedrigere Schichtwiderstands-Gleichförmigkeit
erreichen können.
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Obgleich die vorliegende Endung durch
die Beschreibung einer ihrer Ausführungsformen illustriert und
diese Ausführungsform
ziemlich ausführlich beschrieben
worden ist, ist es nicht beabsichtigt, den Rahmen der beiliegenden
Ansprüche
auf derartige Einzelheiten zu begrenzen oder in irgendeiner Weise einzuschränken. Weitere
Vorteile und Modifizierungen ergeben sich dem Fachmann unmittelbar.