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HINTERGRUND
DER ERFINDUNG 1. Gebiet der Erfindung
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Die Erfindung betrifft ein Verfahren
zur Wellenlängeneinstellung
in einem Oberflächenemissions-Laser mit
vertikalem Hohlraum. Sie betrifft außerdem einen Oberflächenemissions-Laser
mit vertikalem Hohlraum und ein Array aus derartigen Lasern.
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2. Beschreibung des einschlägigen Standes
der Technik
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Ein Oberflächenemissions-Laser mit vertikalem
Resonator (VCSEL) ist ein Halbleiterlaser mit einer Halbleiterschicht
aus optisch aktivem Material wie zum Beispiel Galliumarsenid oder
Indiumphosphid. Das optisch aktive Material ist eingefaßt zwischen
Spiegeln, die aus hochreflektierenden Schichten metallischen Werkstoffs,
dielektrischen Werkstoffs oder epitaktisch gewachsenem Halbleitermaterial
gebildet sind. Üblicherweise
ist einer der Spiegel teilweise reflektierend, so daß er einen
Teil des kohärenten
Lichts durchläßt, der sich
in einem Resonatorhohlraum ausbaut, der zwischen den die aktive
Schicht einfassenden Spiegeln gebildet ist.
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Laser erzeugende Strukturen erfordern
eine optische Eingrenzung in einem Resonatorhohlraum und eine Trägereingrenzung
in der aktiven Zone, um eine effiziente Umwandlung von Pumpelektronen
in stimulierte Photonen durch Besetzungsumkehr zu erreichen. Die
stehende Welle von reflektierter optischer Energie innerhalb des
Resonatorhohlraums hat einen charakteristischen Querschnitt, wodurch
ein optischer Mode entsteht. Ein erstrebenswerter optischer Mode
ist der Grund-Einzel-Transversalmodus, bei spielsweise der HE11-Modus eines zylindrischen Wellenleiters.
Ein Einzelmodensignal von einem VCSEL läßt sich bequem in eine optische
Faser einkoppeln, besitzt geringe Divergenz und ist im Betrieb von
sich aus monofrequent.
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Um den Schwellenwert für den Laserbetrieb
zu erreichen, muß die
Gesamtverstärkung
eines VCSEL gleich dem Gesamtverlust des VCSEL sein. Aufgrund der
kompakten Beschaffenheit von VCSELs aber ist die Menge der Verstärkungsmedien
begrenzt. Für
effiziente VCSELs muß zumindest
einer der beiden erforderlichen Spiegel ein Reflexionsvermögen von
mehr als etwa 99,5% aufweisen. Diese Anforderung zu erfüllen, ist bei
langwelligen VCSELs schwieriger als bei kurzwelligen VCSELs, weil
diese hochreflektierenden Spiegel nur schwierig durch den gleichen
Schritt des epitaktischen Wachstums gebildet werden können wie
die langwellige aktive Zone. Da epitaktisch gewachsene Spiegel häufig kein
ausreichend hohes Reflexionsvermögen
zeigen, werden einige VCSELs durch Wafer-Fusing des oberen und des
unteren Spiegels an der aktiven Zone gebildet.
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Diese Wafer-Fusion ist ein Verfahren,
mit dem Werkstoffe verschiedener Gitterkonstante atomar miteinander
verbunden werden durch Aufbringen von Druck und Wärme, um
eine echte physikalische Bindung zu erzeugen. Damit dient das Wafer-Fusing
einer oder beider Spiegel an die aktive Zone zur Steigerung des Reflexionsvermögens, welches
der eine Spiegel oder beide Spiegel aufweisen, um die geringe Menge
an Verstärkung
zu kompensieren, demzufolge der Laserbetriebschwellenwert erreicht
und gehalten werden kann.
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Ein langwelliger VCSEL läßt sich
optisch koppeln und optisch pumpen mit bzw. durch einen elektrisch gepumpten
VCSEL kürzerer
Wellenlänge.
Das US-Patent 5 513 204 von Jayaraman mit dem Titel „LONG WAVELENGTH,
VERTICAL CAVITY SURFACE EMITTING LASER WITH VERTICALLY INTEGRATED
OPTICAL PUMP" beschreibt
ein Beispiel für
einen kurzwelligen VCSEL, der optisch einen langwelligen VCSEL pumpt.
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Es sind unterschiedliche Vorschläge gemacht
worden, wie Wellenlängenmultiplex-Arrays
(WDM-Arrays) von Oberflächenemissions-Lasern
mit vertikalem Hohlraum (VCSELs) monolithisch auf einem einzelnen Substrat
auszubilden wären.
Eine Methode bildet Temperaturgradienten an dem Wafer während des
epitaktischen Wachstums, um die Wachstumsgeschwindigkeit und die
Laserbetrieb-Wellenlänge über den
Wafer hinweg zu ändern.
Bei einer anderen Vorgehensweise werden zunächst durch Wachstum der untere
Spiegel und die aktive Zone des VCSEL gebildet. Die aktive Zone
wird dann in unterschiedlichen Mengen in verschiedenen Bereichen
geätzt,
woraufhin der obere Spiegel nachwachsen gelassen wird, um das VCSEL-Array
mit abgestuften Wellenlängen
zu vervollständigen.
Eine weitere Methode nutzt den Vorteil der Abhängigkeit der Wellenlänge von
der Größe, um ein
Array aus unterschiedlich bemessenen Bauelementen mit unterschiedlichen Wellenlängen zu
erzeugen. Ein noch weiteres Verfahren macht Gebrauch von einer sich
verjüngenden
Oxidationsschicht, um Wellenlängen
in unterschiedlichen Beträgen
an unterschiedlichen Stellen der Verjüngung zu verschieben.
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All diese Schemata wurden angewendet
auf kurzwellige VCSELs (beispielsweise 850 nm oder 980 nm). Allerdings
sind Arbeiten an WDM-Arrays von langwelligen VCSELs (1300 oder
1550 nm) langsamer fortgeschritten.
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1 veranschaulicht
die Fertigung eines Double-Fused-WDM-Arrays. Eine 1550-nm-Aktivzone 10 wurde
durch Wafer-Fusing an einen ersten GaAs/AlGaAs-Spiegel 12 angeformt.
Eine abgestufte Oberfläche 14 ist
(beispielsweise durch Ätzen)
in der Oberseite der aktiven Zone 10 ausgebildet. Ein zweiter
GaAs/AlGaAs-Spiegel 16 ist anschließend auf die aktive Zone 10 geschmolzen.
Das Vorhandensein der abgestuften Oberfläche 14 verkompliziert
die Wafer-Fusion, die üblicherweise
planare Flächen
erfordert, um zu hoher Ausbeute zu gelangen.
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Die Physik der Wafer-Fusion für eine abgestufte
Oberfläche
wird nicht gut verstanden, wahrscheinlich jedoch beinhaltet sie
den Massetransport, der die bei der Fusion geschmolzene Oberfläche einebnet.
Dies führt
zu einer Ungewißheit
bezüglich
der letztlichen Wellenlänge
des durch Fusion bearbeiteten Bauelements. Es erschwert außerdem die
Schaffung großer
Wellenlängenstufen
für Systeme
mit breitem Kanalabstand, da diese tiefe Ätzungen erfordern, die möglicherweise
nicht vollständig
planarisieren, was zu einer schwachen Bindung führt.
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OFFENBARUNG
DER ERFINDUNG
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Die Erfindung ist in den Ansprüchen 1,
2, 7 und 9 angegeben. Verschiedene Ausführungsformen sind durch die
abhängigen
Ansprüche
definiert.
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Ein Halbleiterbauelement enthält ein Wellenlängen-Multiplex-(WDM-)Array
von langwelligen Lasern mit vertikalem Hohlraum. Jeder Laser mit
vertikalem Hohlraum beinhaltet mindestens eine durch Wafer-Fusion gebildete
Schnittstelle und eine vergrabene Halbleiter-Vertiefung benachbart
zu der Schnittstelle. Bei einer beispielhaften Ausführungsform
ist der langwellige Laser mit vertikalem Hohlraum ein Oberflächenemissions-Laser mit vertikalem
Hohlraum (VCSEL), der eine durch Wafer-Fusion gebildete Schnittstelle
und eine an dieser angeordnete vergrabene Halbleitervertiefung aufweist.
Die vergrabene Halbleitervertiefung überlappt im wesentlichen ein
Transversalmoden-Profil
des VCSEL.
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Ein erster Abschnitt des VCSEL ist
auf einem ersten Wafer vorgesehen. Ein zweiter Abschnitt des VCSEL
ist auf einem zweiten Wafer vorgesehen. Mindestens eine Ausnehmung
ist in den ersten oder den zweiten Abschnitt hineingeätzt. Der
erste und der zweite Wafer sind derart miteinander verbunden, daß die vergrabene Halbleiterausnehmung
an einer Stelle gebildet ist, die im wesentlichen ein Transversalmoden-Profil
des VCSELs im Betrieb überlappt.
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Weitere Merkmale und Vorteile der
Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden detaillierten Beschreibung
in Verbindung mit der begleitenden Zeichnung, die beispielhaft die
Merkmale der Erfindung veranschaulichen.
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KURZE BESCHREIBUNG
DER ZEICHNUNGEN
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In der Zeichnung zeigen:
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1 ein
herkömmliches
Array von Lasern mit vertikalem Hohlraum;
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2 einen
Abschnitt eines Halbleiterbauelements, hergestellt nach den Prinzipien
der Erfindung;
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3 ein
Prozeßablaufdiagramm
zum Beschreiben der Fertigung eines Halbleiterbauelements nach den
Prinzipien der Erfindung;
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4 bis 6 eine spezielle Ausführungsform
des Verfahrens zur Verwendung bei der Herstellung eines Halbleiterbauelements
gemäß den Prinzipien
der Erfindung;
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7 eine
Darstellung der Beziehung zwischen Ausgangsleistung und Vorstrom
in einer speziellen Ausführungsform
eines Halbleiterbauelements gemäß der Erfindung;
und
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8 ein
Kantenemissions-WDM-Laserarray mit optischem Pumpbetrieb.
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DETAILLIERTE
BESCHREIBUNG
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In der folgenden Beschreibung sind
Begriffe wie „oben" oder „oberer" relative Begriffe,
die sich auf Zonen des Halbleiterbauelements beziehen, die von dem
Substrat abgelegen sind, die Begriffe „unten" und „unterer" bedeuten in Richtung auf das Substrat.
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Der Betriff „Halbleiterausnehmung" oder „Halbleiterhohlraum" bedeutet hier eine
Zone eines Halbleitermaterials, in der ein Abschnitt des Halbleitermaterials
beseitigt wurde. Die Zone kann mit einem zusätzlichen Werkstoff gefüllt werden.
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Ein Abschnitt eines Halbleiterbauelements
ist in 2 dargestellt.
Eine 1550-nm-Aktivzone 22 ist
an einen ersten GaAs/AlGaAs-Spiegel 24 angeschmolzen worden.
Die aktive Zone enthält
mehrere Supergitterschichten. Eine Reihe von Vertiefungen ist (zum
Beispiel durch Ätzen)
in der Oberseite der aktiven Zone gebildet. Die Vertiefungen haben
unterschiedliche Tiefen. Ein zweiter GaAs/AlGaAs-Spiegel 26 ist
durch Wafer-Fusion an der aktiven Zone 22 angebracht, wodurch
die Vertiefungen eingeschlossen werden und einer Reihe von vergrabenen
Halbleiterhohlräumen
gebildet wird, die verschiedene Tiefen besitzen und der durch Wafer-Fusion
gebildeten Schnittstelle 28 benachbart sind, die durch
die aktive Zone 22 und den GaAs/AlGaAs-Spiegel 26 definiert
wird.
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In dem in 2 gezeigten Abschnitt des Halbleiterbauelements
enthält
der durch doppelte Fusion gebildet WDM-Array von langwelligen VCSELs
drei benachbarte VCSELs, jeder mit einer zentralen vertikalen Achse 30, 31 und 32.
Jeder VCSEL, dessen Lage in 2 durch
die zentralen vertikalen Achsen definiert wird, enthält einen
Abschnitt des zweiten Spiegels 26 und einen Abschnitt des
ersten Spiegels 24, die die aktive Zone 22 sandwichartig
zwischen sich einfassen.
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Die dünnen Präzisions-Halbleiterhohlräume unterschiedlicher
Tiefe, die sich zwischen der durch Wafer-Fusion gebildeten Schnittstelle 28 und
der Aktivzone 22 befinden, sind in die Supergitter-Schichten
der Aktivzone vor der Erzeugung der Schnittstelle 28 eingeätzt worden.
Die Tiefe jeder vergrabenen Halbleiterausnehmung, gemessen von der
durch Wafer-Fusion gebildeten Schnittstelle aus, legt die Laserbetrieb-Wellenlänge des
betreffenden VCSEL fest.
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Jeder Halbleiterhohlraum erstreckt
sich radial von den zentralen vertikalen Achsen 30, 31 und 32 der einzelnen
VCSELs etwas an dem optischen Modenfeld des VCSEL vorbei radial
nach außen.
Da sich der Halbleiterhohlraum von der zentralen vertikalen Achse
aus nur geringfügig
an dem optischen Modenfeld vorbei radial nach außen erstreckt, ist der Großteil der
Oberseite der aktiven- Zone 22, die für den Fusionsvorgang zur Verfügung steht,
planar, was zu einer hohen Ausbeute bei der Wafer-Fusion und zu
einer vorhersagbaren Ausgangswellenlänge führt. Gemäß den Prinzipien der Erfindung
erfolgen sämtliche
erforderlichen Fusionen in den durch Wafer-Fusion gebildeten langwelligen
VCSEL-Arrays auf
einer namentlich planaren Oberfläche.
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Ein Array von VCSELs gemäß der Erfindung
läßt sich
direkt elektrisch pumpen, allerdings kann diese An von Injektionsschema
verkompliziert werden durch das Vorhandensein des isolierenden Luftspalts,
der durch den vergrabenen Halbleiterhohlraum gebildet wird. Eine
integrierte optische Pumpe arbeitet allerdings gut in Verbindung
mit dem im Inneren des Bauelements befindlichen Luftspalt. Die Energie
für das
optische Pumpen läuft
im wesentlichen ungestört
durch den isolierenden Luftspalt. Daher wird bevorzugt, das Halbleiterbauelement
optisch zu pumpen.
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3 ist
ein Verfahrensablaufdiagramm zum Erläutern der Fertigung eines Halbleiterbauelements
gemäß der Erfindung.
Nach 3 ist das Halbleiterbauelement
hergestellt durch Wachsen-Lassen eines kurzwelligen Pumplasers auf
einem zugehörigen
GaAs-Substrat (Schritt 34).
Der Pump-Laser enthält
am Boden einen p-Spiegel, auf diesem eine Aktivzone und auf letzterer
wiederum einen n-Spiegel. Oben auf dem n-Spiegel wird im Schritt 36 eine
Distanzschicht wachsen gelassen. Ein erster nicht abgestufter und
undotierter verteilter Bragg-Reflektor (DBR) von 1300 nm wird im
Schritt 38 oben auf der Distanzschicht wachsen gelassen. An
den ersten 1300-nm-DBR wird im Schritt 40 eine aktive Zone
auf InP-Basis sowie ein dazugehöriges InP-Substrat
angeschmolzen. Das zugehörige
InP-Substrat wird im Schritt 42 durch chemisches Ätzen entfernt.
Schichten der InP-Aktivzone werden an der Stelle jedes langwelligen
Hohlraums selektiv entfernt, um die Wellenlänge des fertigen langwelligen
Hohlraums zu verschieben (Schritt 44). Im Schritt 46 wird
an der InP-Aktivzone der zweite nicht-abgestufte und undotierte
1300-nm-DBR befestigt.
Durch chemisches Ätzen
wird im Schritt 48 das zu dem Pumplaser gehörige GaAs-Substrat
entfernt.
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4 bis 6 zeigen eine spezifische
Ausführungsform
des Verfahrens zur Verwendung bei der Fertigung eines Halbleiterbauelements
gemäß der Erfindung.
Bei dieser spezifischen Ausführungsform
enthält
das Halbleiterbauelement ein Array aus langwelligen VCSELs und ein
Array aus vertikal integrierten kurzwelligen VCSEL-Pumpen. Jeder
kurzwellige VCSEL ist elektrisch gepumpt, um kurzwelliges Laserlicht
abzugeben, welches den langwelligen VCSEL anregt, damit er langwelliges
Laserlicht abgibt.
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Ein erstes Stadium bei der Herstellung
des Halbleiterbauelements ist in 4 gezeigt.
Nach 4 wird ein kurzwelliger
Pumplaser 54 im Verein mit einem Spiegel des langwelligen
Hohlraums wachsen gelassen. Auf einem GaAs-Substrat 58 wird
ein 850-nm-p-Spiegel 56 wachsen
gelassen. Auf dem p-Spiegel 56 wird eine 850-nm-Aktivzone 60 wachen
gelassen, und auf dieser wiederum wird ein 850-nm-n-Spiegel 62 wachsen gelassen, auf
dessen Oberseite wiederum eine Distanzschicht 64 wachsen
gelassen wird. Auf dieser Distanzschicht 64 wird ein erster
nicht-abgestufter und undotierter verteilter 1300-nm-Bragg-Reflektor (DBR) 66 wachsen
gelassen, auf dessen Oberseite eine 1300-nm-Aktivzone 68 auf InP-Basis
angeschmolzen wird. Ein zu der 1300-nm-Aktivzone 68 auf
InP-Basis gehöriges
(nicht gezeigtes) InP-Substrat wird anschließend durch chemisches Ätzen entfernt.
Die obere freiliegende Fläche
der 1300-nm-Aktivzone 68 auf InP-Basis enthält abwechselnde
Supergitterschichten aus InP und InGaAsP mit exakten Dicken.
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Nach 5 wird über die
Oberseite des Bauelements an solchen Stellen, die dem langwelligen
Hohlraum jedes VCSELs in dem Array entsprechen, etwas von den abwechselnden
Supergitterschichten aus InP und InGaAsP selektiv aus der Aktivzone 68 entfernt,
um die Emissionswellenlänge
des langwelligen Hohlraums in dem fertigen Halbleiterbauelement
zu verschieben. Die Schichten werden in einem Ausmaß entfernt, das
sich ausgehend von einer zentralen vertikalen Achse 70, 71 und 72 jedes
langwelligen VCSELs in dem Array entfernt, welches sich radial nach
außen
soweit erstreckt, daß es
das optische Modenfeld des langwelligen VCSEL umfaßt, allerdings
den größten Teil
der Oberseite der aktiven Zone 68 in ebenem Zustand beläßt, um in
einem anschließenden
Wafer-Fusions-Schritt
die Fusion vornehmen zu können.
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Bezugnehmend auf 6, wird die aktive Zone 68 auf
InP-Basis umgedreht auf einen zweiten undotierten und nicht abgestuften
1300-nm-Spiegel 74 auf einem GaAs-Substrat 76 mit
Hilfe eines zweiten Wafer-Fusionsschrittes aufgebracht. Letzterer
Schritt befestigt die aktive Zone 68 auf InP-Basis an dem
zweiten nicht abgestuften und undotierten 1300-nm-DBR 74, wodurch eine Reihe
von Halbleiterhohlräumen 78 geschaffen
wird, definiert zwischen den in die aktive Zone 68 auf
InP-Basis eingeätzten
Vertiefungen und der Schmelzoberfläche des zweiten 1300-nm-DBR 74.
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Das GaAs-Substrat 58 (4 und 5), das zu dem Pumplaser 54 gehört, wird
dann durch chemisches Ätzen
beseitigt, wodurch eine Struktur stehenbleibt, auf der sich oben
der Pumplaser 54 befindet, der nach unten in die 1300-nm-Laser 82 hineinstrahlt,
wie in 6 gezeigt ist.
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Gemäß 6 werden die variierenden Pegel der Hohlraum-Tiefen
während
der selektiven Beseitigung einer unterschiedlichen Anzahl von Supergitterschichten
erreicht. Auf diese Weise besitzen einander benachbarte 1300-nm-Laser
Halbleitervertiefungen variierender Tiefe.
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Die 1300-nm-Laser 82 können durch
die 850-nm-Pumplaser 54 hindurch abstrahlen, oder nach
unten durch das GaAs-Substrat 76. Die Halbleitervertiefung
wird auf der hochreflektierenden Seite jedes VCSEL-Hohlraums eingebracht,
wo sie einen minimalen Einfluß auf
die Emissions-Ausgangsleistung hat. Der Pumplaser 54 emittiert
850 nm, die drei langwelligen VCSELs 82 emittieren bei
dieser speziellen Ausführungsform
in der Nähe
von 1300 nm, es sind allerdings andere Wellenlängenkombinationen möglich. Die
Pumpwellenlänge
kann im Bereich von 700 nm bis 1050 nm liegen. Die Emissionswellenlänge kann
in dem Bereich von 1250 nm bis 1650 nm liegen. Das vollständige Halbleiterbauelement
ist in 6 gezeigt.
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Tabelle 1 zeigt ein Beispiel für die Ätztiefen,
die für
ein vierkanaliges Vier-VCSEL-System
mit einem Abstand von 5 nm erforderlich sind:
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Die Ätztiefen in den vier in diesem
Beispiel verwendeten VCSELs sind: 0,531 Angström (Å), 693 Å und 828 Å (1 nm = 10 Å). Dies
wird als Grob-WDM (CWDM; coarse WDM) bezeichnet. Die Ätztiefentoleranz
läßt sich
dadurch abmildern, daß man
die Halbleiter ausnehmungen in der Nähe eines Knotens der optischen
stehenden Welle anordnet, wie dies aus Tabelle 1 hervorgeht.
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Wenn die angestrebte Wellenlängengenauigkeit
10% des Kanalabstands ausmacht oder 0,5 nm für ein System mit einem Abstand
von 5 nm, so ist die schlechteste Ätztoleranz (für die Ätzung von
828 Å) ± 10 Å. Dies
ist etwas schlechter als eine auf 1% beschränkte Steuerung der Supergitterschichten,
die durch Wachstum gebildet werden, um die Aktivzone herzustellen,
was sich routinemäßig mit
modernen epitaktischen Wachstumsmethoden erreichen läßt.
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VCSELs ermöglichen eine „Wellenlängentrimmung" durch Justieren
des Vorstroms ohne nennenswerte Änderung
der Ausgangsleistung. Diese Trimmung kann erreicht werden, indem
der Vorstrom in der Nähe des
Umkehrpunkts angesiedelt wird, wie in 7 gezeigt
ist. Die durch Ändern
des Vorsprungs bewirkte Wellenlängenverschiebung
dient zum Trimmen der Ausgangs-Laserwellenlänge.
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Fehler bei der Ätztiefe können Ursache sein für Fehler
bei der Laserbetrieb-Wellenlänge.
Eine Erhöhung
des Vorstroms von 19 mA auf 27 mA, was einer Leistungsschwankung
von lediglich ± 10%
gemäß 7 entspricht, führt zu einer
1 nm betragenden Verschiebung der Ausgangswellenlänge. Deshalb
lassen sich mehrere 10 nm Fehler in der Ausgangswellenlänge, verursacht
durch Fehler in der Ätztiefe,
dadurch kompensieren, daß man
den Vorstrom um einige mA erhöht.
Kantenstrahler besitzen dieses Merkmal nicht.
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Die durch Ändern des Vorstroms erfolgte
Wellenlängenverschiebung
läßt sich
auch dazu nutzen, ein „extrem
dichtes WDM"-System
(EDWDM) mit einem Kanalabstand von 0,1 nm zu schaffen. Nach 7 kann das WDM-Array bei
elf unterschiedlichen Vorströmen
in einem Bereich von 19 mA bis 27 mA arbeiten, was eine Gesamtstreuung
von 1 nm und einen Kanalabstand von 0,1 nm ergibt. Diese Art von
System erfordert im Inneren des optischen Hohlraums keine Halbleiterausnehmung
und läßt sich
aus einem gleichmäßigen Array aus
VCSELs herstellen.
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Das mit Hilfe der geätzten Halbleiterausnehmungen
an der Wafer-Fusions-Schnittstelle erzeugte, optisch gepumpte WDM-Array
gemäß der Erfindung
benötigt
kein Pumpen durch einen vertikal integrierten kurzwelligen VCSEL.
Alternativ kann ein einzelner Kantenemitter, der mit seiner Kante
in einen der Spiegel des Arrays einkoppelt, sämtliche langwelligen VCSELs
innerhalb des Arrays pumpen. Das Kantenpumpverfahren läßt sich
unabhängig
vom Typ des WDM-Arrays einsetzen. Dann können die einzelnen Laser extern
moduliert werden. 8 zeigt
schematisch einen Kantenemissionslaser 86, der optisch
ein WDM-Array 88 pumpt.
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Während
mehrere spezielle Formen der Erfindung hier dargestellt und beschrieben
wurden, ist ersichtlich, daß verschiedene
Modifikationen möglich
sind, ohne vom Schutzumfang der Erfindung abzuweichen, der durch
die Ansprüche
definiert wird.
