DE60010531T2 - Strukturierung von elektroden in oled-bauelementen - Google Patents

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    • H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
    • H10K71/221—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning by lift-off techniques

Description

  • Erfindungsgebiet
  • Die vorliegende Erfindung betrifft organische Leuchtdioden-Bauelemente (OLED). Insbesondere betrifft die Erfindung die Strukturierung einer leitenden Schicht, damit beispielsweise Kathoden in OLED-Bauelementen entstehen.
  • Allgemeiner Stand der Technik
  • 1 zeigt ein herkömmliches pixeliertes OLED-Bauelement 100. Pixelierte OLED-Bauelemente können als Displays in verschiedenen Gebrauchselektronikprodukten verwendet werden, einschließlich Mobiltelefonen, intelligenten Mobiltelefonen, Personal Organisern, Personenrufempfängern, Anzeigetafeln, Berührungsbildschirmen, Telekonferenz- und Multimediaprodukten, Virtual-Reality-Produkten und Displaykiosken.
  • Das OLED-Bauelement umfaßt in der Regel einen Funktionsstapel aus einer oder mehreren organischen Funktionsschichten 110 zwischen einer transparenten leitenden Schicht 105 und einer leitenden Schicht 115. Der Funktionsstapel wird auf einem transparenten Substrat 101 gebildet. Die leitenden Schichten werden strukturiert, um Reihen aus Kathoden in einer ersten Richtung und Spalten aus Anoden in einer zweiten Richtung zu bilden. OLED-Pixel sind dort angeordnet, wo sich die Kathoden und Anoden überlappen. Bondpads 150 sind an die Kathoden und Anoden gekoppelt, um die OLED-Pixel zu steuern. Eine Kappe 160, die zwischen sich und den Pixeln einen Hohlraum 145 bildet, verkapselt das Bauelement, um die OLED-Pixel gegenüber der Umgebung wie etwa Feuchtigkeit und/oder Luft zu schützen.
  • Bei Betrieb werden Ladungsträger durch die Kathoden und Anoden injiziert und rekombinieren in den Funktionsschichten. Die Rekombination der Ladungsträger bewirkt, daß die Funktionsschicht der Pixel sichtbare Strahlung emittiert.
  • Um ein Display mit hoher Auflösung und einem hohen Füllfaktor bereitzustellen, sollte der Abstand zwischen Pixeln klein sein, beispielsweise weniger als ungefähr 50 μm. Der Abstand zwischen den Pixeln wird durch die Strukturierungsprozesse definiert, die die Kathoden und Anoden bilden. Zur Bildung der Kathoden sind verschiedene herkömmliche Strukturierungstechniken verwendet worden, wie etwa Schattenmaskenverfahren, Fotolithographie (mit Naß- oder Trockenätzen), Laserabtrag oder Abhebetechniken (nasse oder trockene Fotolacke). Herkömmliche Strukturierungstechniken sind jedoch nicht vollständig kompatibel oder für die Herstellung von OLEDs praktisch. Bei fotolithographischen Techniken beispielsweise werden Chemikalien verwendet, die die organischen Funktionsschichten oder Kathodenmaterialien beschädigen. Bei der Schattenmasken- oder Abhebetechnik (nasse Fotolacke sowie trockene Fotolackfilme) ist es schwierig, hohe Auflösungen (z. B. unter 50 μm) zu erzielen, insbesondere in einem Herstellungs- oder Produktionsumfeld.
  • Wie aus der obigen Erörterung hervorgeht, ist es wünschenswert, eine Strukturierungstechnik zum Strukturieren einer leitenden Schicht bereitzustellen, durch die man hohe Auflösungen erzielt, ohne daß bereits abgeschiedene Materialien beschädigt werden.
  • Kurze Darstellung der Erfindung
  • Die Erfindung betrifft allgemein die Herstellung von Bauelementen wie etwa OLED-Bauelementen. Insbesondere betrifft die Erfindung die Strukturierung einer leitenden Schicht. Bei einer Ausführungsform werden Säulen mit einer Hinterschneidung (z. B. Querschnitt; der oben breiter ist) bereitgestellt. Bei einer Ausführungsform umfassen die Säulen ein verjüngtes Profil. Die Säulen werden durch Fotolithographie gebildet. Bei einer Ausführungsform werden die Säulen aus einem lichtempfindlichen Material gebildet. Die Säulen sind gegenüber den Lösungsmitteln inert, die zum Abscheiden der funktionellen organischen Schichten verwendet werden. Das verjüngte Profil der Säulen strukturiert eine leitende Schicht während der Abscheidung in verschiedene erste und zweite Teile. Die ersten Teile liegen zwischen den Säulen und die zweiten Teile liegen auf den Säulen. Bei einer Ausführungsform dienen die ersten Teile als Kathoden eines OLED-Bauelements.
  • Kurze Beschreibung der Zeichnungen
  • 1 zeigt ein herkömmliches OLED-Bauelement;
  • 2 zeigt eine Ausführungsform der Erfindung und
  • 3–7 zeigen einen Prozeß zum Herstellen eines OLED-Bauelements gemäß einer Ausführungsform der Erfindung.
  • Bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung
  • 2 zeigt ein OLED-Bauelement 200 gemäß einer Ausführungsform der Erfindung. Das OLED-Bauelement umfaßt ein Substrat 201, auf dem Pixel ausgebildet sind. Bei einer Ausführungsform umfaßt das Substrat ein transparentes Substrat wie etwa Glas. Es eignen sich auch anderer Arten von transparenten Materialien, die als ein Substrat zum Tragen der OLED-Pixel dienen können. Die OLED-Pixel umfassen eine oder mehrere zwischen der ersten und zweiten Elektrode 205 und 215 geschichtete organische Schichten 210. Bei einer Ausführungsform sind die ersten Elektroden 205 Anoden und die zweiten Elektroden 215 Kathoden. Es eignet sich auch das Ausbilden von ersten Elektroden, die Kathoden sind, und zweiten Elektroden, die Anoden sind. Die Kathoden und Anoden werden als Streifen in einer jeweiligen ersten und zweiten Richtung gebildet. In der Regel verlaufen die erste und zweite Richtung orthogonal zueinander. Bondpads 250 sind elektrisch an die Kathoden und Anoden gekoppelt. Eine Kappe 260 ist vorgesehen, um die OLED-Pixel zu verkapseln. Die Kappe erzeugt einen Hohlraum 245, um die Pixel davor zu schützen, durch physischen Kontakt mit der Kappe beschädigt zu werden.
  • Säulen 270 werden auf der Substratoberfläche bereitgestellt. Die Säulen sind in einer zweiten Richtung angeordnet. Die Höhe der Säulen verläuft über dem Funktionsstapel (z. B. 1–10 μm), wodurch die Kathoden und die organischen Funktionsschichten zu Streifen getrennt werden. Bei einer alternativen Ausführungsform können sich die Säulen auch über die Höhe des Hohlraums erstrecken, um als Tragestrukturen für die Kappe 260 zu dienen. Dies ist besonders bei flexiblen OLED-Bauelementen nützlich, da die Kappe daran gehindert wird, die Pixel zu kontaktieren und zu beschädigen.
  • Gemäß der Erfindung enthalten die Säulen eine Hinterschneidung, die zu Strukturen führt, die an der Oberseite breiter sind als am Boden. Die Hinterschneidung dient zum Strukturieren einer leitenden Schicht 215 während der Abscheidung zur Ausbildung unterschiedlicher oder getrennter Teile 215a über den Funktionsschichten und Teilen 215b auf den Säulen. Die Teile 215a dienen als Kathoden. Bei einer Ausführungsform wird die Hinterschneidung bereitgestellt, indem Säulen mit einem verjüngten Profil gebildet werden. Bei einer Ausführungsform sind die erste und zweite Seitenwand verjüngt, wodurch Säulen mit einem v-förmigen Querschnitt entstehen.
  • Bei einer Ausführungsform werden die Säulen aus einer einzigen Bauelementschicht gebildet. Wenn die Säulen aus einer einzigen Schicht gebildet werden, dann reduziert dies vorteilhafterweise die Herstellungskosten. Da die Chemikalien, wie etwa Lösungsmittel zum Abscheiden der funktionellen organischen Schicht oder Schichten, korrodierend sein können, werden die Säulen aus einem Material gebildet, das ihre Integrität während der Verarbeitung beibehält. Bei einer Ausführungsform werden die Säulen unter Verwendung eines lichtempfindlichen Materials wie etwa einem Fotolack gebildet. Der Fotolack wird behandelt, um ihn gegenüber Lösungsmitteln inert zu machen. Auch andere Arten von lichtempfindlichen Materialien, wie etwa lichtempfindliches Polyimid oder lichtempfindliches Polybenzoxazol sind geeignet. Außerdem kann auch ein Elektronenhärtungsfotolacksystem, wie etwa diejenigen, die von Allied Signal hergestellt werden, verwendet werden, um Säulen mit der gewünschten Querschnittsform zu bilden.
  • Die 3–7 zeigen einen Prozeß zum Herstellen eines OLED-Bauelements gemäß einer Ausführungsform der Erfindung. Unter Bezugnahme auf 3 wird ein Substrat 301 bereitgestellt. Bei einer Ausführungsform umfaßt das Substrat ein transparentes Substrat, beispielsweise Kalknatron- oder Borsilikatglas. Es können auch andere Arten transparenter Materialien verwendet werden, um als das Substrat zu dienen. Das Substrat ist in der Regel etwa 0,4–1,1 mm dick.
  • Bei einer anderen Ausführungsform umfaßt das Substrat ein dünnes flexibles Substrat. Dünne flexible Substrate werden beispielsweise aus Kunststoffilmen gebildet, wie etwa Filmen aus transparenten Polyethylenterephthalat (PET), Polybutylenterephthalat (PBT), Polyethylennaphthalat (PEN), Polycarbonat (PC), Polyimiden (PI), Polysulfonen (PSO) und Polyethersulfon (PES). Zum Bilden des Substrats können auch andere Materialien verwendet werden, wie etwa Polyethylen (PE), Polypropylen (PP), Polyvinylchlorid (PVC), Polystyrol (PS) und Polymethylmethacrylat (PMMA). Alternativ können auch Materialien wie etwa ultradünnes Glas (z. B. Dicke zwischen 10–100 μm), ein zusammengesetzter Stapel aus Glas und Polymer oder Polymerfilmen, mit anorganischen Barrierenschichten beschichtet, verwendet werden.
  • Das Substrat enthält auf seiner Oberfläche gebildete erste Elektroden 305. Die ersten Elektroden dienen beispielsweise als Anoden. Die Anoden werden aus einem leitenden Material gebildet. Bei einer Ausführungsform umfaßt das leitende Material ein transparentes leitendes Material wie etwa Indium-Zinnoxid (ITO). Es eignen sich auch andere transparente leitende Materialien wie etwa Indium-Zinkoxid, Zinkoxid, Zinnoxid. Bei einer Ausführungsform sind die Anoden in Streifen in einer ersten Richtung angeordnet, die jeweils durch einen Raum getrennt sind. Bevorzugt ist der die Anoden trennende Raum weniger als 50 μm breit. Verbindungen mit Bondpads können ebenfalls vorgesehen werden. Zur Bildung der Anoden können verschiedene Techniken wie etwa Fotolithographie verwendet werden.
  • Unter Bezugnahme auf 4 wird eine Bauelementschicht 469 auf dem Substrat abgeschieden. Die Bauelementschicht wird dazu verwendet, die Säulen herzustellen, die die Strukturierung einer leitenden Schicht zur Bildung der zweiten Elektroden (z. B. Kathoden) ermöglichen. Die Dicke der Bauelementschicht ist gleich der Höhe der Säulen. Die Dicke der Bauelementschicht beträgt beispielsweise etwa ,5–50 μm, bevorzugt etwa 1–10 μm.
  • Bei einer Ausführungsform umfaßt die Bauelementschicht einen negativ arbeitenden Fotolack wie etwa AZ 5214E, hergestellt von der Firma Clariant. Es können auch andere lichtempfindliche Materialien verwendet werden. Der Fotolack wird beispielsweise durch Aufschleudern auf dem Substrat abgeschieden. Bei einer Ausführungsform wird der Fotolack abgeschieden, indem das Substrat mit einem Spincoater Karl Suess RC 8 etwa 20 Sekunden lang bei 1000 Umdrehungen pro Minute gedreht wird. Nach dem Abscheiden des Fotolacks wird das Substrat etwa 2 Minuten lang bei beispielsweise 90°C getrocknet, um das Fotolacklösungsmittel zu entfernen.
  • In 5 wird die Bauelementschicht selektiv durch eine Maske 520 mit Licht von einer Belichtungsquelle belichtet. Der Belichtungsprozeß ist so ausgelegt, daß Säulen mit der gewünschten Hinterschneidung oder dem gewünschten verjüngten Profil entstehen. Der Belichtungsprozeß umfaßt beispielsweise das aufeinanderfolgende Belichten der lichtempfindlichen Schicht mit Elektronen oder geladenen Teilchen mit verschiedenen Energien, die verschiedene Eindringtiefen aufweisen, damit während der Entwicklung das verjüngte Profil entsteht. Bei einer negativen lichtempfindlichen Schicht umfaßt die Belichtung das selektive Belichten der oberen Gebiete der Bauelementschicht mit einer geringeren Energiemenge als die unteren Gebiete. Bei einer positiven lichtempfindlichen Schicht umfaßt die Belichtung das selektive Belichten der oberen Gebiete der Bauelementschicht mit einer größeren Energiemenge als die unteren Gebiete.
  • Bei einer Ausführungsform wird eine negative Fotolackschicht selektiv mit einer Belichtungsquelle belichtet. Die Belichtung führt dazu, daß die oberen Teile der Gebiete 566 eine größere Lichtmenge absorbieren als die unteren Teile (d. h. Unterbelichtung der unteren Teile der Gebiete 566). Die Gebiete 566 entsprechen Stellen, an denen Säulen ausgebildet werden sollen. Bei einer Ausführungsform wird der Fotolack unter Verwendung einer Belichtungsquelle Karl Suess MJB 3 mit Strahlung der I-Linie belichtet. Die Belichtungsdosis beträgt etwa 50 mJ/cm2.
  • Der Fotolack wird dann für die Entwicklung vorbereitet, um die unbelichteten Teile zu entfernen. Die Vorbereitung beinhaltet bei einem negativ wirkenden Fotolack ein Nachhärten, um den Fotolack in den belichteten Gebieten zu vernetzen. Das Nachhärten erfolgt etwa 60–90 Sekunden lang bei beispielsweise etwa 120°C. Durch die Vernetzung wird der Fotolack gegenüber der Fotolackentwicklungschemie unlöslich. Nach dem Nachhärten wird der Fotolack einer Flut-Belichtung von der Belichtungsquelle unterzogen (z. B. Belichtung ohne Maske). Durch die Flut-Belichtung werden die zuvor unbelichteten Teile des Fotolacks löslich. Die Dosis der unstrukturierten Belichtung beträgt beispielsweise etwa 1000 mJ/cm2.
  • Unter Bezugnahme auf 6 wird die Bauelementschicht mit einer Fotolackentwicklungschemie entwickelt, um die unbelichteten Gebiete zu entfernen, wobei die Säulen 670 zurückbleiben. Bei einer Ausführungsform umfaßt die Fotolackchemie einen alkalischen Entwickler wie etwa A2 726 von Clariant. Der Fotolack wird bei Zimmertemperatur etwa 60 Sekunden lang in der Entwicklungschemie entwickelt. Da die unteren Teile der belichteten Gebiete unterbelichtet waren, sind sie gegenüber der Fotolackchemie löslicher. Dadurch entstehen Säulen mit einer Hinterschneidung, was zu einem Querschnitt führt, der unten schmaler ist als an der Oberseite. Der Fotolack wird dann mit entionisiertem Wasser gespült, um den Entwickler zu entfernen.
  • Nach der Bildung der Säulen wird der Fotolack gehärtet, um die mechanische Festigkeit der Säulen zu verbessern und die Säulen gegenüber den zum Bilden der funktionellen organischen Schichten verwendeten organischen Lösungsmitteln inert zu machen. Bei einer Ausführungsform wird der Fotolack gehärtet, indem das Substrat etwa 6 Stunden lang bei einer Temperatur von etwa 160°C erhitzt wird. Bei einer Ausführungsform wird das Substrat gemäß den folgenden Parametern gehärtet:
    • a) linearer Anstieg in 2 Stunden von 100°C auf 160°C;
    • b) konstantes Härten 4 Stunden lang bei 160°C und
    • c) Abkühlen ohne aktives Kühlen.
  • Es können auch andere Härtungstechniken verwendet werden, wie etwa Elektronenstrahl- (E-Strahl), Teilchen- (Protonen, Alpha) oder UV-Härtung. Nach dem Härten wird das Substrat geklärt, indem es etwa 3 Minuten lang UV-O3 ausgesetzt wird, wodurch kleine organische Reste auf den belichteten Teilen des Substrats entfernt werden.
  • Unter Bezugnahme auf 7 wird eine funktionelle organische Schicht auf dem Substrat abgeschieden. Bei einer Ausführungsform weist die funktionelle organische Schicht ein konjugiertes Polymer auf. Das Polymer wird in einem Lösungsmittel gelöst und durch Aufschleudertechniken abgeschieden. Bei einer Ausführungsform weist die organische Funktionsschicht eine einprozentige Lösung von in Xylol gelöstem elektrolumineszentem Polymer auf, die durch etwa 30 Sekunden langes Schleudern des Substrats bei 4000 Umdrehungen pro Minute abgeschieden wird. Es eignen sich auch andere Naßabscheidungstechniken. Zu derartigen Techniken zählen beispielsweise Drucktechniken (z. B. Siebdruck, Offsetdruck, Tintenstrahldruck), bei denen die organische Funktionsschicht in einem Lösungsmittel (z. B. NMP oder Hexen) gelöst wird. Das Abscheiden der organischen Funktionsschicht über einen Naßprozeß ist von Vorteil, da es im wesentlichen selbstplanarisierend ist, was dazu führt, daß die Schicht den Bereich zwischen den Säulen mit einer im wesentlichen planaren Oberfläche füllt. Die Säulen werden aufgrund des Härtens durch die Lösungsmittel nicht beeinträchtigt. Zusätzliche Funktionsschichten können abgeschieden werden, um einen funktionellen organischen Stapel zu bilden. Die Dicke der organischen Schicht oder des organischen Stapels beträgt in der Regel etwa 2–200 nm. Nach dem Abscheiden der funktionellen organischen Schicht wird das Substrat zum Verdampfen des Lösungsmittels etwa 1 Minute auf eine Temperatur von etwa 85°C erhitzt.
  • Teile der organischen Schicht können selektiv entfernt werden, um beispielsweise darunterliegende Schichten in den Gebieten 470 für Bondpadanschlüsse freizulegen. Das selektive Entfernen der organischen Schichten kann über einen Polierprozeß erfolgen. Zum selektiven Entfernen von Teilen der organischen Schichten können auch andere Techniken wie etwa Ätzen, Schaben oder Laserabtrag verwendet werden.
  • Eine leitende Schicht 715 wird auf dem Substrat abgeschieden. Die leitende Schicht weist beispielsweise Ca, Mg, Ba, Ag, Al oder eine Mischung oder Legierung davon auf. Zum Bilden der zweiten leitenden Schicht können auch andere leitende Materialien verwendet werden, insbesondere solche, die eine geringe Austrittsarbeit aufweisen. Bei einer Ausführungsform weist die zweite leitende Schicht Ca auf. Das Ca wird durch thermische Verdampfung mit einer Geschwindigkeit von 1 nm/s und einem Druck von etwa 10–5 mbar abgeschieden. Andere Abscheidungstechniken wie etwa Sputtern (PVD), chemische Dampfabscheidung (CVD), plasmaunterstützte chemische Dampfabscheidung (PECVD) oder metallorganische chemische Dampfabscheidung (MOCVD) eignen sich ebenfalls.
  • Das Abscheiden der leitenden Schicht wird aufgrund der Höhe und des Profils der Säulen unterbrochen, was dazu führt, daß die Teile 715a der leitenden Schicht in Gebieten zwischen den Säulen abgeschieden und die Teile 715b der leitenden Schicht an der oberen Oberfläche der Säulen gebildet werden. Die Teile der leitenden Schicht zwischen den Säulen dienen als Kathoden. Die Schnittpunkte der Kathoden und Anoden bilden OLED-Pixel.
  • Der Prozeß geht weiter, um das OLED-Bauelement fertigzustellen. Beispielsweise wird eine Hohlraumkappe auf dem Substrat montiert, um das Bauelement zu verkapseln, und Bondpads werden gebildet, um elektrischen Zugang zu den OLED-Pixeln herzustellen.
  • Wenngleich die Erfindung unter Bezugnahme auf verschiedene Ausführungsformen eingehend gezeigt und beschrieben worden ist, erkennt der Fachmann, daß an der vorliegenden Erfindung Modifikationen und Änderungen vorgenommen werden können, ohne von ihrem Gedanken und Schutzbereich abzuweichen. Der Schutzbereich der Erfindung sollte deshalb nicht unter Bezugnahme auf die obige Beschreibung, sondern unter Bezugnahme auf die beiliegenden Ansprüche zusammen mit ihrem vollen Umfang an Äquivalenten bestimmt werden.

Claims (59)

  1. Verfahren zum Bilden eines OLED-Bauelements, umfassend: Bilden einer Bauelementschicht auf einem Substrat; Strukturieren der Bauelementschicht zum Bilden von Säulen entlang einer ersten Richtung auf dem Substrat, wobei die Säulen ein verjüngtes Profil aufweisen; Beschichten des Substrats mit einer Lösung, die ein in einem Lösungsmittel gelöstes organisches funktionelles Material umfaßt, wobei die Säulen gegenüber dem Lösungsmittel inert sind; Entfernen des Lösungsmittels, um eine organische Funktionsschicht zu bilden, und Abscheiden einer leitenden Schicht auf dem Substrat, wobei das verjüngte Profil der Säulen die leitende Schicht in einen ersten und zweiten deutlichen Teil trennt.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, weiterhin mit dem Montieren einer Kappe auf dem Substrat, um das OLED-Bauelement hermetisch abzudichten.
  3. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Substrat ein flexibles Substrat umfaßt.
  4. Verfahren nach Anspruch 3, wobei das Substrat Elektroden in einer zweiten Richtung auf einer Oberfläche davon umfaßt.
  5. Verfahren nach Anspruch 4, weiterhin mit dem Montieren einer Kappe auf dem Substrat, um das OLED-Bauelement hermetisch abzudichten.
  6. Verfahren nach Anspruch 3, wobei das funktionelle organische Material ein in einem Lösungsmittel gelöstes konjugiertes Polymer umfaßt.
  7. Verfahren nach Anspruch 6, weiterhin mit dem Montieren einer Kappe auf dem Substrat, um das OLED-Bauelement hermetisch abzudichten.
  8. Verfahren nach Anspruch 3, weiterhin mit dem Montieren einer Kappe auf dem Substrat, um das OLED-Bauelement hermetisch abzudichten.
  9. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Substrat Elektroden in einer zweiten Richtung auf einer Oberfläche davon umfaßt.
  10. Verfahren nach Anspruch 9, wobei das funktionelle organische Material ein in einem Lösungsmittel gelöstes konjugiertes Polymer umfaßt.
  11. Verfahren nach Anspruch 10, weiterhin mit dem Montieren einer Kappe auf dem Substrat, um das OLED-Bauelement hermetisch abzudichten.
  12. Verfahren nach Anspruch 1, 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9, 10 oder 11, wobei die Bauelementschicht eine lichtempfindliche Bauelementschicht umfaßt, wobei die lichtempfindliche Schicht strukturiert wird, indem die lichtempfindliche Bauelementschicht belichtet und entwickelt wird.
  13. Verfahren nach Anspruch 12, wobei die lichtempfindliche Schicht eine positive lichtempfindliche Schicht umfaßt, wobei belichtete Teile der lichtempfindlichen Schicht während des Entwickelns entfernt werden.
  14. Verfahren nach Anspruch 13, wobei das Belichten das aufeinanderfolgende Belichten der lichtempfindlichen Schicht mit Elektronen oder geladenen Teilchen mit verschiedenen Energien umfaßt, die verschiedene Eindringtiefen aufweisen, um während des Entwickelns Säulen mit dem verjüngten Profil zu bilden.
  15. Verfahren nach Anspruch 14, das das Härten der Säulen umfaßt, um die Säulen gegenüber dem Lösungsmittel inert zu machen.
  16. Verfahren nach Anspruch 15, wobei das Härten thermisches Härten umfaßt.
  17. Verfahren nach Anspruch 15, wobei das Härten UV-Härten umfaßt.
  18. Verfahren nach Anspruch 15, wobei das Härten Elektronenstrahlhärten umfaßt.
  19. Verfahren nach Anspruch 15, wobei das Härten Teilchenhärten umfaßt.
  20. Verfahren nach Anspruch 13, wobei das Belichten das Belichten oberer Gebiete der lichtempfindlichen Schicht mit einer geringeren Energiemenge als untere Gebiete der lichtempfindlichen Schicht umfaßt, um während des Entwickelns das verjüngte Profil zu bilden.
  21. Verfahren nach Anspruch 20, das das Härten der Säulen umfaßt, um die Säulen gegenüber dem Lösungsmittel inert zu machen.
  22. Verfahren nach Anspruch 21, wobei das Härten thermisches Härten umfaßt.
  23. Verfahren nach Anspruch 21, wobei das Härten UV-Härten umfaßt.
  24. Verfahren nach Anspruch 21, wobei das Härten Elektronenstrahlhärten umfaßt.
  25. Verfahren nach Anspruch 21, wobei das Härten Teilchenhärten umfaßt.
  26. Verfahren nach Anspruch 13, das das Härten der Säulen umfaßt, um die Säulen gegenüber dem Lösungsmittel inert zu machen.
  27. Verfahren nach Anspruch 26, wobei das Härten thermisches Härten umfaßt.
  28. Verfahren nach Anspruch 26, wobei das Härten UV-Härten umfaßt.
  29. Verfahren nach Anspruch 26, wobei das Härten Elektronenstrahlhärten umfaßt.
  30. Verfahren nach Anspruch 26, wobei das Härten Teilchenhärten umfaßt.
  31. Verfahren nach Anspruch 12, wobei das Belichten das aufeinanderfolgende Belichten der lichtempfindlichen Schicht mit Elektronen oder geladenen Teilchen mit verschiedenen Energien umfaßt, die verschiedene Eindringtiefen aufweisen, um während des Entwickelns Säulen mit dem verjüngten Profil zu bilden.
  32. Verfahren nach Anspruch 31, das das Härten der Säulen umfaßt, um die Säulen gegenüber dem Lösungsmittel inert zu machen.
  33. Verfahren nach Anspruch 32, wobei das Härten thermisches Härten umfaßt.
  34. Verfahren nach Anspruch 32, wobei das Härten UV-Härten umfaßt.
  35. Verfahren nach Anspruch 32, wobei das Härten Elektronenstrahlhärten umfaßt.
  36. Verfahren nach Anspruch 32, wobei das Härten Teilchenhärten umfaßt.
  37. Verfahren nach Anspruch 12, das das Härten der Säulen umfaßt, um die Säulen gegenüber dem Lösungsmittel inert zu machen.
  38. Verfahren nach Anspruch 37, wobei das Härten thermisches Härten umfaßt.
  39. Verfahren nach Anspruch 37, wobei das Härten UV-Härten umfaßt.
  40. Verfahren nach Anspruch 37, wobei das Härten Elektronenstrahlhärten umfaßt.
  41. Verfahren nach Anspruch 37, wobei das Härten Teilchenhärten umfaßt.
  42. Verfahren nach Anspruch 12, wobei die lichtempfindliche Schicht eine negative lichtempfindliche Schicht umfaßt, wobei unbelichtete Teile der lichtempfindlichen Schicht während des Entwickelns entfernt werden.
  43. Verfahren nach Anspruch 42, wobei das Belichten das aufeinanderfolgende Belichten der lichtempfindlichen Schicht mit Elektronen oder geladenen Teilchen mit verschiedenen Energien umfaßt, die verschiedene Eindringtiefen aufweisen, um während des Entwickelns Säulen mit dem verjüngten Profil zu bilden.
  44. Verfahren nach Anspruch 43, das das Härten der Säulen umfaßt, um die Säulen gegenüber dem Lösungsmittel inert zumachen.
  45. Verfahren nach Anspruch 44, wobei das Härten thermisches Härten umfaßt.
  46. Verfahren nach Anspruch 44, wobei das Härten UV-Härten umfaßt.
  47. Verfahren nach Anspruch 44, wobei das Härten Elektronenstrahlhärten umfaßt.
  48. Verfahren nach Anspruch 44, wobei das Härten Teilchenhärten umfaßt.
  49. Verfahren nach Anspruch 42, wobei das Belichten das Belichten oberer Gebiete der lichtempfindlichen Schicht mit einer größeren Energiemenge als untere Gebiete der lichtempfindlichen Schicht umfaßt, um während des Entwickelns das verjüngte Profil zu bilden.
  50. Verfahren nach Anspruch 49, das das Härten der Säulen umfaßt, um die Säulen gegenüber dem Lösungsmittel inert zu machen.
  51. Verfahren nach Anspruch 50, wobei das Härten thermisches Härten umfaßt.
  52. Verfahren nach Anspruch 50, wobei das Härten UV-Härten umfaßt.
  53. Verfahren nach Anspruch 50, wobei das Härten Elektronenstrahlhärten umfaßt.
  54. Verfahren nach Anspruch 50, wobei das Härten Teilchenhärten umfaßt.
  55. Verfahren nach Anspruch 42, das das Härten der Säulen umfaßt, um die Säulen gegenüber dem Lösungsmittel inert zu machen.
  56. Verfahren, nach Anspruch 54, wobei das Härten thermisches Härten umfaßt.
  57. Verfahren nach Anspruch 54, wobei das Härten UV-Härten umfaßt.
  58. Verfahren nach Anspruch 54, wobei das Härten Elektronenstrahlhärten umfaßt.
  59. Verfahren nach Anspruch 54, wobei das Härten Teilchenhärten umfaßt.
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DE60010531D1 DE60010531D1 (de) 2004-06-09
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Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6699728B2 (en) 2000-09-06 2004-03-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Patterning of electrodes in oled devices
TW586141B (en) * 2001-01-19 2004-05-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and method of manufacturing the same
US7148624B2 (en) 2002-05-07 2006-12-12 Osram Opto Semiconductors (Malaysia) Sdn. Bhd Uniform deposition of organic layer
US7423375B2 (en) 2002-05-07 2008-09-09 Osram Gmbh Encapsulation for electroluminescent devices
KR100875097B1 (ko) * 2002-09-18 2008-12-19 삼성모바일디스플레이주식회사 광학 공진 효과를 이용한 유기 전계발광 소자
US7026660B2 (en) 2003-04-25 2006-04-11 Osram Opto Semiconductors (Malaysia) Sdn. Bhd Interconnection for organic devices
US8025831B2 (en) 2004-05-24 2011-09-27 Agency For Science, Technology And Research Imprinting of supported and free-standing 3-D micro- or nano-structures
US6992326B1 (en) 2004-08-03 2006-01-31 Dupont Displays, Inc. Electronic device and process for forming same
US7166860B2 (en) 2004-12-30 2007-01-23 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electronic device and process for forming same
DE102005039528A1 (de) * 2005-08-18 2007-02-22 Merck Patent Gmbh Lösungen organischer Halbleiter
JP2008273211A (ja) * 2008-05-19 2008-11-13 Nitto Denko Corp 透明ガスバリア性部材及びこれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子
KR20130058732A (ko) * 2010-09-02 2013-06-04 쇼와 덴코 가부시키가이샤 전계발광 소자, 전계발광 소자의 제조 방법, 표시 장치 및 조명 장치
TWI599757B (zh) 2012-12-19 2017-09-21 巴斯夫歐洲公司 用於偵測至少一物件之偵測器、其用途、用於偵測至少一物件之方法、人機介面、娛樂器件、追蹤系統及攝影機
CN110018487B (zh) 2013-06-13 2023-07-18 巴斯夫欧洲公司 用于光学地检测至少一个对象的检测器
AU2014280334B2 (en) * 2013-06-13 2018-02-01 Basf Se Optical detector and method for manufacturing the same
JP6440696B2 (ja) 2013-06-13 2018-12-19 ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアＢａｓｆ Ｓｅ 少なくとも１つの物体の方位を光学的に検出する検出器
US9557856B2 (en) 2013-08-19 2017-01-31 Basf Se Optical detector
US10185171B2 (en) 2014-06-04 2019-01-22 Sharp Kabushiki Kaisha Light control member, method of manufacturing light control member, apparatus for manufacturing light control member, and display device
KR102397527B1 (ko) 2014-07-08 2022-05-13 바스프 에스이 하나 이상의 물체의 위치를 결정하기 위한 검출기
WO2016051323A1 (en) 2014-09-29 2016-04-07 Basf Se Detector for optically determining a position of at least one object
US11125880B2 (en) 2014-12-09 2021-09-21 Basf Se Optical detector
KR102496245B1 (ko) 2015-01-30 2023-02-06 트리나미엑스 게엠베하 하나 이상의 물체의 광학적 검출을 위한 검출기
CN108027239B (zh) 2015-07-17 2020-07-24 特里纳米克斯股份有限公司 用于光学检测至少一个对象的检测器
WO2017046121A1 (en) 2015-09-14 2017-03-23 Trinamix Gmbh 3d camera
KR102492134B1 (ko) 2016-07-29 2023-01-27 트리나미엑스 게엠베하 광학 센서 및 광학적 검출용 검출기
CN109891265B (zh) 2016-10-25 2023-12-01 特里纳米克斯股份有限公司 用于光学检测至少一个对象的检测器
KR102575104B1 (ko) 2016-10-25 2023-09-07 트리나미엑스 게엠베하 집적 필터를 가진 적외선 광학 검출기
US11860292B2 (en) 2016-11-17 2024-01-02 Trinamix Gmbh Detector and methods for authenticating at least one object
CN110178045B (zh) 2016-11-17 2023-05-30 特里纳米克斯股份有限公司 用于光学检测至少一个对象的检测器
US11060922B2 (en) 2017-04-20 2021-07-13 Trinamix Gmbh Optical detector
US11067692B2 (en) 2017-06-26 2021-07-20 Trinamix Gmbh Detector for determining a position of at least one object

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2602323B2 (ja) * 1989-03-31 1997-04-23 東洋インキ製造株式会社 カラーフィルターの製造方法
GB8909011D0 (en) * 1989-04-20 1989-06-07 Friend Richard H Electroluminescent devices
JP3813217B2 (ja) * 1995-03-13 2006-08-23 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法
US5701055A (en) * 1994-03-13 1997-12-23 Pioneer Electronic Corporation Organic electoluminescent display panel and method for manufacturing the same
US5641611A (en) 1995-08-21 1997-06-24 Motorola Method of fabricating organic LED matrices
JP3886219B2 (ja) * 1997-07-29 2007-02-28 株式会社アルバック 有機ｅｌ素子
JP3633229B2 (ja) * 1997-09-01 2005-03-30 セイコーエプソン株式会社 発光素子の製造方法および多色表示装置の製造方法
US6278237B1 (en) * 1997-09-22 2001-08-21 Emagin Corporation Laterally structured high resolution multicolor organic electroluminescence display device
TW432896B (en) * 1997-10-15 2001-05-01 Siemens Ag Preparation of organic electroluminescencizing elements
JP3663876B2 (ja) * 1998-01-08 2005-06-22 松下電器産業株式会社 有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法
JPH11283752A (ja) * 1998-03-27 1999-10-15 Futaba Corp 有機エレクトロルミネッセンス素子
US6111356A (en) 1998-04-13 2000-08-29 Agilent Technologies, Inc. Method for fabricating pixelated polymer organic light emitting devices
GB9808806D0 (en) * 1998-04-24 1998-06-24 Cambridge Display Tech Ltd Selective deposition of polymer films
US6306559B1 (en) * 1999-01-26 2001-10-23 Mitsubishi Chemical Corporation Organic electroluminescent device comprising a patterned photosensitive composition and a method for producing same
US6699728B2 (en) * 2000-09-06 2004-03-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Patterning of electrodes in oled devices

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Publication number Publication date
EP1317874B1 (de) 2004-05-06
AU2000274683A1 (en) 2002-03-22
US7057337B1 (en) 2006-06-06
CN100431196C (zh) 2008-11-05
DE60010531D1 (de) 2004-06-09
EP1317874A1 (de) 2003-06-11
TW512547B (en) 2002-12-01
CN1454447A (zh) 2003-11-05
JP2004508691A (ja) 2004-03-18
WO2002021883A1 (en) 2002-03-14

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