DE60031627T2

DE60031627T2 - Diplexerschaltung eines mobilen nachrichtengerätes

Info

Publication number: DE60031627T2
Application number: DE60031627T
Authority: DE
Inventors: A170 Intellectual Property Dept. Koji Nagaokakyo-shi Tanaka; A170 Intellectual Property Dept. Koji Nagaokakyo-shi Furutani; A170 Intell. Property Dept. Takahiro Nagaokakyo-shi Watanabe; A170 Intellectual Property Dept. Hideki Nagaokakyo-shi Muto; A170 Intellectual Property Dept. Takanori Nagaokakyo-shi Uejima; A170 Intellectual Property Dept. Norio Nagaokakyo-shi Nakajima
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 1999-09-28
Filing date: 2000-09-20
Publication date: 2007-02-08
Anticipated expiration: 2020-09-21
Also published as: EP1089449A3; DE60031627D1; US6445262B1; JP2001102957A; EP1089449B1; EP1089449A2; EP1753148A3; EP1753148B1; EP1753148A2; DE60040030D1; US20020153966A1; US6563396B2

Description

Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf zusammengesetzte Hochfrequenzkomponenten und mobile Kommunikationsvorrichtungen, die dieselben beinhalten. Insbesondere bezieht sich die Erfindung auf zusammengesetzte Hochfrequenzkomponenten, die in einer Mehrzahl unterschiedlicher mobiler Kommunikationssysteme verwendbar sind, und auf mobile Kommunikationsvorrichtungen, die dieselben beinhalten.
Gegenwärtig werden in Europa Dualband-Mobiltelefone als mobile Kommunikationsvorrichtungen bereitgestellt. Eine derartige Vorrichtung kann in der Kombination von Kommunikationssystemen unter Verwendung unterschiedlicher Frequenzbänder betrieben werden, z. B. in der Kombination des Digital Cellular System (DCS) unter Verwendung des 1,8 GHz-Bands und des Global System for Mobile Communications (GSM) unter Verwendung von 900 MHz.
10 zeigt ein Blockdiagramm eines Teils der Struktur eines herkömmlichen Dualband-Mobiltelefons. Dies ist ein Beispiel, bei dem das DCS des 1,8 GHz-Bands und das GSM der 900 MHz kombiniert werden. Das Dualband-Mobiltelefon weist eine Antenne 1, einen Diplexer und zwei Signalpfade DCS und GSM auf.
Der Diplexer 2 wählt Signale, die von dem DCS und dem GSM gesendet werden, zu der Zeit eines Sendens aus und wählt Signale, die in dem DCS und dem GSM empfangen werden, zu der Zeit eines Empfangs aus. Die DCS-Seite ist aus einem Hochfrequenzschalter 3a, der den Signalpfad in einen Sendeabschnitt Txd und einen Empfangsabschnitt Rxd unterteilt, einem Hochfrequenzfilter 3b, das Harmonische-Signale zweiter Ordnung und Harmonische-Signale dritter Ordnung auf der DCS-Seite dämpft, und einem Oberflächenwellenfilter 3c, das verhindert, dass die gesendeten Signale in den Empfangsabschnitt Rxd gelangen, gebildet. Die GSM-Seite ist aus einem Hochfrequenzschalter 4a, der den Signalpfad in einen Sendeabschnitt Txg und einen Empfangsabschnitt Rxg unterteilt, einem Hochfrequenzfilter 4b, das Harmonische-Signale dritter Ordnung auf der GSM-Seite dämpft, und einem Oberflächenwellenfilter 4c, das verhindert, dass die gesendeten Signale in den Empfangsabschnitt Rxg gelangen, gebildet.
Nun erfolgt eine Beschreibung der Funktionsweise des Dualband-Mobiltelefons durch Verwendung des Beispiels der DCS-Seite. Wenn ein Signal übertragen wird, schaltet der Hochfrequenzschalter 3a den Sendeabschnitt Txd an, um das Signal, das von dem Sendeabschnitt Txd übertragen wird, an das Hochfrequenzfilter 3b zu senden. Der Diplexer 2 wählt das Signal, das durch das Hochfrequenzfilter 3b läuft, zur Übertragung von der Antenne 1 aus. Wenn ein Signal empfangen wird, wird das in der Antenne 1 empfangene Signal durch den Diplexer 2 ausgewählt, um an das Hochfrequenzfilter 3b gesendet zu werden. Der Hochfrequenzschalter 3a schaltet den Empfangsabschnitt Rxd an, um das Signal, das durch das Hochfrequenzfilter 3b läuft, über das Oberflächenwellenfilter 3c an den Empfangsabschnitt Rxd zu senden. In Bezug auf das GSM werden Signale auch durch die gleiche Operation gesendet und empfangen.
In dem Dualband-Mobiltelefon als einer der herkömmlichen mobilen Kommunikationsvorrichtungen jedoch sind die Antenne, der Diplexer, die Hochfrequenzschalter, die das DCS und das GSM bilden, die Hochfrequenzfilter und die Oberflächenwellenfilter unabhängig auf einer Schaltungsplatine befestigt. Als ein Ergebnis ist es, um Anpassungscharakteristika, Dämpfungscharakteristika und Trenncharakteristika zu erhalten, nötig, Anpassungsschaltungen zwischen dem Diplexer und den Hochfrequenzschaltern, zwischen den Hochfrequenzschaltern und den Hochfrequenzfiltern bzw. zwischen den Hochfrequenzschaltern und den Oberflächenwellenfiltern hinzuzufügen. So nimmt, da die Anzahl von Bestandteilen und die Flächen zum Anordnen der Bestandteile erhöht werden, auch die Größe der Schaltungsplatine zu. Dies führt zu einer Erhöhung der Größe des Dualband-Mobiltelefons als der mobilen Kommunikationsvorrichtung.
Die EP 0 921 642 A beschreibt ein Mehrband-Hochfrequenz-Schaltmodul in der Form eines Laminatkörpers zur Verwendung in einem Kommunikationssystem. Das Modul weist eine Bandtrennschaltung auf, die eine erste und eine zweite Kerbschaltung aufweist. Die Bandtrennschaltung ist mit einer ersten bzw. zweiten Umschaltschaltung verbunden, wobei jede der Umschaltschaltungen einem Band des Kommunikationssystems entspricht. Die erste und die zweite Umschaltschaltung sind mit einer ersten bzw. einer zweiten Empfangsschaltung und einer ersten bzw. einer zweiten Sendeschaltung verbunden. Ein Tiefpassfilter ist zwischen die Umschaltschaltung und die Sendeschaltung für jedes der Bänder des Kommunikationssystems geschaltet.
Die EP 0 911 966 beschreibt ein zusammengesetztes Filter, bei dem ein Laminat gebildet wird, indem eine dielektrische Schicht und eine Leiterschicht laminiert werden. Ein LC-Filter, das ein Induktivitäts- und ein Kapazitätselement aufweist, ist in dem Laminat vorgesehen. Eine Mehrzahl externer Anschlüsse ist auf einer Seitenoberfläche des Laminats vorgesehen. In der Oberfläche des Laminats ist ein konkaver Abschnitt positioniert, um ein Oberflächenwellenfilter anzuordnen.
Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht darin, eine zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente, in der keine Anpassungsschaltungen nötig sind und eine Schaltungsplatine zum Befestigen von Komponenten miniaturisiert werden kann, und eine mobile Kommunikationsvorrichtung, die dieselbe beinhaltet, bereitzustellen.
Diese Aufgabe wird durch eine zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente gemäß Anspruch 1 und eine mobile Kommunikationsvorrichtung gemäß Anspruch 5 gelöst.
Gemäß einem ersten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente bereitgestellt, die in einer Mikrowellenschaltung beinhaltet ist, die eine Mehrzahl von Signalpfaden aufweist, die Frequenzen entsprechen. Die zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente umfasst einen Diplexer, der Signale, die von der Mehrzahl von Signalpfaden gesendet werden, zu der Zeit eines Sendens auswählt und Signale, die in der Mehrzahl von Signalpfaden empfangen werden, zu der Zeit eines Empfangs auswählt, eine Mehrzahl von Hochfrequenzschaltern, die die Mehrzahl von Signalpfaden in Sendeabschnitte und Empfangsabschnitte unterteilen, eine Mehrzahl von Hochfrequenzfiltern, die mit den Signalpfaden an bestimmten Punkten derselben verbunden sind, eine Mehrzahl von Oberflächenwellenfiltern, die mit den Empfangsabschnittseiten an dem Rückende der Mehrzahl von Hochfrequenzschaltern verbunden sind, und ein Mehrschichtsubstrat, das durch Laminieren einer Mehrzahl von Keramiklagenschichten gebildet ist, um den Diplexer, die Hochfrequenzschalter, die Hochfrequenzfilter und die Oberflächenwellenfilter zu integrieren.
Zusätzlich könnte in der zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente die Mehrzahl von Hochfrequenzfiltern mit den Sendeabschnittsseiten an dem Rückende der Mehrzahl von Hochfrequenzschaltern verbunden sein.
Zusätzlich könnte in der zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente die Mehrzahl von Hochfrequenzfiltern Kerbfilter sein.
Ferner könnte die obige zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente ferner erste Induktivitätselemente und erste Kapazitätselemente, um den Diplexer zu bilden, Schaltelemente, zweite Induktivitätselemente und zweite Kapazitätselemente, um jeden der Mehrzahl von Hochfrequenzschaltern zu bilden, und ein drittes Induktivitätselement und dritte Kapazitätselemente, um jedes der Mehrzahl von Hochfrequenzfiltern zu bilden, umfassen. Zusätzlich könnte die zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente ferner Verbindungsabschnitte umfassen, die im Inneren des Mehrschichtsubstrats gebildet sind, um die Oberflächenwellenfilter, die Schaltelemente, das erste bis dritte Induktivitätselement und das erste bis dritte Kapazitätselement zu verbinden, von denen einige in dem Mehrschichtsubstrat beinhaltet sind und die verbleibenden Bestandteile an demselben befestigt sind.
Bei dieser zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente könnten die Oberflächenwellenfilter in einem Hohlraum befestigt sein, der im Inneren des Mehrschichtsubstrats gebildet ist, um in demselben abgedichtet zu sein.
Gemäß einem zweiten Aspekt der vorliegenden Erfindung wird eine mobile Kommunikationsvorrichtung bereitgestellt, die eine Antenne, einen Sendeabschnitt, einen Empfangsabschnitt und die oben beschriebene zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente umfasst.
Bei der obigen zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente können, da der Diplexer, die Hochfrequenzschalter, die Hochfrequenzfilter und die Oberflächenwellenfilter, die die zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente bilden, durch das Mehrschichtsubstrat integriert sind, das durch Laminieren der Mehrzahl von Keramiklagenschichten gebildet ist, Verbindungen zwischen diesen Bestandteilen im Inneren des Mehrschichtsubstrats angeordnet sein.
Als ein Ergebnis können Anpassungseinstellungen ohne weiteres zwischen dem Diplexer und den Hochfrequenzschaltern, zwischen den Hochfrequenzschaltern und den Hochfrequenzfiltern und zwischen den Hochfrequenzschaltern und den Oberflächenwellenfiltern durchgeführt werden. So ist es nicht nötig, Anpassungsschaltungen zwischen den Bestandteilen anzuordnen.
Ferner kann, da die mobile Kommunikationsvorrichtung die zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente verwendet, die kei ne derartigen Anpassungsschaltungen erfordert, die Schaltungsplatine, auf der die Mikrowellenschaltung gebildet ist, die die Mehrzahl von Signalpfaden aufweist, miniaturisiert werden.
1 ist ein Blockdiagramm einer zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung;
2 ist ein Schaltungsdiagramm eines Diplexers, der die in 1 gezeigte zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente bildet;
3A und 3B zeigen Schaltungsdiagramme von Hochfrequenzschaltern, die die in 1 gezeigte zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente bilden;
4A und 4B zeigen Schaltungsdiagramme von Hochfrequenzfiltern, die die in 1 gezeigte zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente bilden;
5 ist eine perspektivische Teilexplosionsansicht, die die detaillierte Struktur der in 1 gezeigten zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente zeigt;
6A bis 6H stellen die Draufsichten einer ersten Lagenschicht bis zu einer achten Lagenschicht dar;
7A bis 7E stellen die Draufsichten einer neunten Lagenschicht bis zu einer dreizehnten Lagenschicht dar und 7F stellt die Unteransicht der dreizehnten Lagenschicht dar;
8 ist eine Schnittansicht eines modifizierten Beispiels der in 5 gezeigten zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente;
9 ist ein Blockdiagramm einer zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung; und
10 ist ein Blockdiagramm, das einen Teil der Struktur eines herkömmlichen Dualband-Mobiltelefons als einer mobilen Kommunikationsvorrichtung zeigt.
Nun erfolgt unter Bezugnahme auf die Zeichnungen eine Beschreibung der Ausführungsbeispiele der vorliegenden Erfindung.
1 zeigt ein Blockdiagramm einer zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente gemäß einem ersten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. Eine zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente 10 ist aus einem Diplexer 11, einem Hochfrequenzschalter 121, einem Hochfrequenzfilterschalter 122 und einem Oberflächenwellenfilter 123, die ein DCS bilden, einem Hochfrequenzschalter 131, einem Hochfrequenzfilter 132 und einem Oberflächenwellenfilter 133, die ein GSM bilden, gebildet. Ein Bereich, der durch gepunktete Linien umgeben ist, zeigt ein Mehrschichtsubstrat (nicht gezeigt) an, durch das die obigen Bestandteile integriert sind.
Eine Antenne ANT ist mit einem ersten Tor P11 des Diplexers 11 verbunden. Ein erstes Tor P31d des Hochfrequenzfilters 122 des DCS ist mit einem zweiten Tor P12 des Diplexers 11 verbunden. Ein erstes Tor P31g des Hochfrequenzfilters 132 des GSM ist mit einem dritten Tor P13 des Diplexers 11 verbunden.
Zusätzlich ist auf der DCS-Seite ein erstes Tor P21d des Hochfrequenzschalters 121 mit einem zweiten Tor P32d des Hochfrequenzfilters 122 verbunden. Ein Sendeabschnitt Txd ist mit einem zweiten Tor P22d des Hochfrequenzschalters 121 verbunden. Ferner ist ein erstes Tor P41d des Oberflä chenwellenfilters 123 mit einem dritten Tor P23d des Hochfrequenzschalters 121 verbunden. Ein Empfangsabschnitt Rxd ist mit einem zweiten Tor P42d des Oberflächenwellenfilters 123 verbunden.
Auf der GSM-Seite ist ein erstes Tor P21g des Hochfrequenzschalters 131 mit einem zweiten Tor P32g des Hochfrequenzfilters 132 verbunden und ein Sendeabschnitt Txg ist mit einem zweiten Tor P22g des Hochfrequenzschalters 131 verbunden. Ferner ist ein erstes Tor P41g des Oberflächenwellenfilters 133 mit einem dritten Tor P23g des Hochfrequenzschalters 131 verbunden und ein Empfangsabschnitt Rxg ist mit einem zweiten Tor P42g des Oberflächenwellenfilters 133 verbunden.
2 ist ein Schaltungsdiagramm des Diplexers 11, der die in 1 gezeigte zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente bildet. Der Diplexer 11 ist aus ersten Induktoren L11 und L12 als ersten Induktivitätselementen und ersten Kondensatoren C11 bis C15 als ersten Kapazitätselementen gebildet.
Zwischen das erste Tor P11 und das zweite Tor P12 des Diplexers 11 sind die ersten Kondensatoren C11 und C12 in Serie geschaltet. Die Verbindung der Kondensatoren C11 und C12 ist über den ersten Induktor L11 und den ersten Kondensator C13 geerdet.
Zwischen das erste Tor P11 und das dritte Tor P13 ist eine Parallelschaltung geschaltet, die aus dem ersten Induktor L12 und dem ersten Kondensator C14 gebildet ist, und das dritte Tor P13 der Parallelschaltung ist über den ersten Kondensator C15 geerdet.
Ein Hochpassfilter ist zwischen dem ersten Tor P11 und dem zweiten Tor P12 gebildet und ein Kerbfilter als ein Bandbeseitigungsfilter ist zwischen dem ersten Tor P11 und dem dritten Tor P13 gebildet.
Die 3A und 3B zeigen Schaltungsdiagramme der Hochfrequenzschalter 121 und 131, die die in 1 gezeigte zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente bilden. 3A zeigt das Schaltungsdiagramm des Hochfrequenzschalters 121 der DCS-Seite und 3B zeigt das Schaltungsdiagramm des Hochfrequenzschalters 131 der GSM-Seite. Die Hochfrequenzschalter 121 und 131 weisen die gleichen Schaltungsstrukturen auf. So wird nur der Hochfrequenzschalter 121 für die folgende Beschreibung mit der Nummer der entsprechenden Strukturteile in Bezug auf den Hochfrequenzschalter 131, das in der Figur angezeigt ist, verwendet.
Der Hochfrequenzschalter 121 (131) ist aus Dioden D1d (D1g) und D2d (D2g) als Schaltelementen, zweiten Induktoren L21d bis L23d (L21g bis L23g) als zweiten Induktivitätselementen und zweiten Kondensatoren C21d bis C23d (C21g bis C23g) als zweiten Kapazitätselementen gebildet. Der zweite Induktor L21d (L21g) ist eine Parallelsperrspule und der zweite Induktor L22d (L22g) ist eine Drosselspule.
Die Diode D1d (D1g) ist in einer derartigen Weise zwischen das erste Tor P21d (P21g) und das zweite Tor P22d (P22g) geschaltet, dass die Kathode der Diode D1d (oder D1g) in Richtung des ersten Tors P21d (P21g) ausgerichtet ist. Die Diode D1d (D1g) ist parallel zu einer Serienschaltung geschaltet, die aus dem zweiten Induktor L21d (L21g) und dem Kondensator C21d (C21g) gebildet ist.
Die Anode der Diode D1d (D1g), die in Richtung des zweiten Tors P22d (P22g) ausgerichtet ist, ist über den zweiten Induktor L22d (L22g) und den zweiten Kondensator C22d (C22g) geerdet. Ein Steueranschluss Vcd (Vcg) ist mit der Verbindung des zweiten Induktors L22d (L22g) und des zweiten Kondensators C22d (C22g) verbunden.
Der zweite Induktor L23d (L23g) ist zwischen das erste Tor P21d (P21g) und das dritte Tor P23d (P23g) geschaltet und das dritte Tor P23d des zweiten Induktors L23d (L23g) ist über die Diode D2d (D2g) und den zweiten Kondensator C23d (C23g) geerdet. Die Verbindung der Kathode der Diode D2d (D2g) und des zweiten Kondensators C23d (C23g) ist über einen Widerstand Rd (Rg) geerdet.
Die 4A und 4B zeigen Schaltungsdiagramme der Hochfrequenzfilter, die die in 1 gezeigte zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente bilden. 4A zeigt das Hochfrequenzfilter 122 auf der DCS-Seite und 4B zeigt das Hochfrequenzfilter 132 auf der GSM-Seite. Da die Hochfrequenzfilter 122 und 132 die gleichen Schaltungsstrukturen aufweisen, wird das Hochfrequenzfilter 122 mit nur den Nummern der entsprechenden Strukturteile in Bezug auf das Hochfrequenzfilter 132, das in der Figur angezeigt ist, beschrieben.
Das Hochfrequenzfilter 122 (132) ist aus einem dritten Induktor L31d (L31g) als einem dritten Induktivitätselement und dritten Kondensatoren C31d bis C32d (C31g und C32g) als dritten Kapazitätselementen gebildet.
Der dritte Induktor L31d (L31g) ist zwischen das erste Tor P31d (P31g) und das zweite Tor P32d (P32g) geschaltet und der dritte Kondensator C31d (C31g) ist parallel zu dem dritten Induktor L31d (L31g) geschaltet.
Das zweite Tor P32d (P32g) des dritten Induktors L31d (L31g) ist über den dritten Kondensator C32d (C32g) geerdet.
Wie oben beschrieben wurde, bilden die Hochfrequenzfilter 122 und 132 Kerbfilter durch den dritten Induktor L31d (L31g) und die dritten Kondensatoren C31d und C32d (C31g und C32g).
5 ist eine perspektivische Teilexplosionsansicht, die die detaillierte Struktur der in 1 gezeigten zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente 10 zeigt. Die zusammenge setzte Hochfrequenzkomponente 10 umfasst ein Mehrschichtsubstrat 14. In dem Mehrschichtsubstrat 14 sind erste Induktoren L11 und L12 und erste Kondensatoren C11 bis C15, die den in 2 gezeigten Diplexer bilden, zweite Induktoren L21d, L23d, L21g und L23g und zweite Kondensatoren C21d, C22d, C21g und C22g, die die in 3 gezeigten Hochfrequenzschalter 121 und 131 bilden, dritte Induktoren L31d und L31g und dritte Kondensatoren C31d, C32d, C31g und C32g, die die in 4 gezeigten Hochfrequenzfilter 122 und 132 bilden, beinhaltet, obwohl der Diplexer 11, die Hochfrequenzschalter 121 und 131 und die Hochfrequenzfilter 122 und 132 in 5 nicht gezeigt sind.
Auf einer Oberfläche des Mehrschichtsubstrats 14 sind Oberflächenwellenfilter 123 und 133 befestigt, die aus Chips gebildet sind, wobei die Dioden D1d, D2d, D1g und D2g, die zweiten Induktoren (Drosselspulen) L22d und L22g, die zweiten Kondensatoren C23d und C23g und die Widerstände Rd und Rg die in 3 gezeigten Hochfrequenzschalter 121 und 131 bilden.
Zusätzlich sind von den Seitenoberflächen zu der unteren Oberfläche des Mehrschichtsubstrats 14 zwölf externe Anschlüsse Ta bis Tl durch Siebdrucken oder dergleichen gebildet. Unter den externen Anschlüssen Ta bis Tl sind die fünf externen Anschlüsse Ta bis Te auf einer längeren Seitenoberfläche des Mehrschichtsubstrats 14 angeordnet, die fünf externen Anschlüsse Tg bis Tk sind auf der anderen längeren Seitenoberfläche desselben angeordnet. Die verbleibenden zwei externen Anschlüsse Tf und Tl sind auf den einander gegenüberliegenden kürzeren Seitenoberflächen desselben angeordnet.
Dann wird ein Metalldeckel 15 angeordnet, um das Mehrschichtsubstrat 14 in einer derartigen Weise zu bedecken, dass die auf dem Substrat 14 angeordneten Bestandteile bedeckt sind und Vorsprünge 151 und 152 auf den einander gegenüberliegenden kürzeren Seitenoberflächen an die externen Anschlüsse Tf und Tl anstoßen.
Die externen Anschlüsse Ta bis Tl werden als das erste Tor P11 des Diplexers 11, die zweiten Tore P22d und P22g der Hochfrequenzschalter 121 und 131, die Steueranschlüsse Vcd und Vcg der Hochfrequenzschalter 121 und 131, die zweiten Tore P42d und P42g der Oberflächenwellenfilter 123 und 133 und Massen verwendet.
Im Inneren des Mehrschichtsubstrats 14 ist das zweite Tor P12 des Diplexers 11 mit dem ersten Tor P31d des Hochfrequenzfilters 122 verbunden, das zweite Tor P32d des Hochfrequenzfilters 122 ist mit dem ersten Tor P21d des Hochfrequenzschalters 121 verbunden, das dritte Tor P23d des Hochfrequenzschalters 121 ist mit dem ersten Tor P41d des Oberflächenwellenfilters 123 verbunden, das dritte Tor P13 des Diplexers 11 ist mit dem ersten Tor P31g des Hochfrequenzfilters 132 verbunden und das dritte Tor P23g des Hochfrequenzschalters 131 ist mit dem ersten Tor P41g des Oberflächenwellenfilters 133 verbunden.
Die 6A bis 6H und die 7A bis 7F zeigen die Draufsichten und Unteransichten von Lagenschichten, die das Mehrschichtsubstrat 14 der in 5 gezeigten zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente bilden. Das Mehrschichtsubstrat 14 ist durch Laminieren einer ersten bis dreizehnten Lagenschicht 14a bis 14m von oben in einer Folge gebildet, um bei Temperaturen von kleiner oder gleich 1.000 Grad zu brennen. Jede der Lagenschichten ist aus einem Keramikmaterial gebildet, dessen Hauptkomponenten Bariumoxid, Aluminiumoxid und Silika umfassen.
Auf die obere Oberfläche der ersten Lagenschicht 14a ist ein Anschlussbereich La durch Siebdrucken, um darauf gebildet zu werden, gedruckt. Auf dem Anschlussbereich La sind die Oberflächenwellenfilter 123 und 133, die Dioden D1d, D2d, D1g und D2g, die zweiten Induktoren L22d und L22g, die zweiten Kondensatoren C23d und C23g und die Widerstände Rd und Rg, die auf der Oberfläche des Mehrschichtsubstrats 14 angeordnet sind, befestigt.
Auf die obere Oberflächen der dritten und zehnten Lagenschicht 14c und 14j sind Streifenleitungselektroden SL1 bis SL8, die aus leitfähigen Schichten gebildet sind, durch Siebdrucken, um auf denselben gebildet zu werden, gedruckt. Zusätzlich sind auf die oberen Oberflächen der vierten bis achten Lagenschicht 14d bis 14h und der zwölften Lagerschicht 14l Kondensatorelektroden Cp1 bis Cp18, die aus leitfähigen Schichten gebildet sind, durch Siebdrucken, um auf denselben gebildet zu werden, gedruckt.
Auf die oberen Oberflächen der siebten, neunten, elften und dreizehnten Lagenschicht 14g, 14i, 14k und 14m sind Masseelektroden G1 bis G4, die aus leitfähigen Schichten gebildet sind, durch Siebdrucken, um auf denselben gebildet zu werden, gedruckt. Ferner sind auf die untere Oberfläche der dreizehnten Lagenschicht 14m, die in 7F gezeigt ist, die externen Anschlüsse Ta bis Tl durch Siebdrucken, um auf derselben gebildet zu werden, gedruckt.
An spezifischen Positionen der ersten bis elften Lagenschicht 14a bis 14k sind Durchgangslochelektroden VHa bis VHk zum Verbinden des Anschlussbereichs La, der Streifenleitungselektroden SL1 bis SL8 und der Masseelektroden G1 bis G4 angeordnet.
In diesem Fall sind die ersten Induktoren L11 und L12 des Diplexers 11 durch die Streifenleitungselektroden SL6 und SL7 gebildet. Die zweiten Induktoren L21d und L23d des Hochfrequenzschalters 121 sind durch die Streifenleitungselektroden SL2 und SL4 gebildet. Die zweiten Induktoren L21g und L23g des Hochfrequenzschalters 131 sind durch die Streifenleitungselektroden SL1 und SL3 gebildet.
Der dritte Induktor L31d des Hochfrequenzfilters 122 ist durch die Streifenleitungselektrode SL8 gebildet. Der dritte Induktor L31g des Hochfrequenzfilters 132 ist durch die Streifenleitungselektrode SL5 gebildet.
Der erste Kondensator C11 des Diplexers 11 ist durch die Kondensatorelektroden Cp6 und Cp9 gebildet. Der erste Kondensator C12 ist durch die Kondensatorelektroden Cp3 und Cp6 gebildet. Der erste Kondensator C13 ist durch die Kondensatorelektrode Cp17 und die Masseelektrode G4 gebildet. Der erste Kondensator C14 ist durch die Kondensatorelektroden Cp9 und Cp11 gebildet. Der erste Kondensator C15 ist durch die Kondensatorelektrode Cp16 und die Masseelektrode G4 gebildet.
Der zweite Kondensator C21d des Hochfrequenzschalters 121 ist durch die Kondensatorelektroden Cp5 und Cp8 gebildet. Der zweite Kondensator C22d desselben ist durch die Kondensatorelektrode Cp13 und die Masseelektrode G2 gebildet. Der zweite Kondensator C21g des Hochfrequenzschalters 131 ist durch die Kondensatorelektroden Cp4 und Cp7 gebildet. Der zweite Kondensator C22g desselben ist durch die Kondensatorelektrode Cp13 und die Masseelektrode G2 gebildet.
Der dritte Kondensator C31d des Hochfrequenzfilters 122 ist durch die Kondensatorelektroden Cp8 und Cp12 gebildet. Der dritte Kondensator C32d desselben ist durch die Kondensatorelektrode Cp18 und die Masseelektrode G4 gebildet. Der dritte Kondensator C31g des Hochfrequenzfilters 132 ist durch die Kondensatorelektroden Cp7 und Cp10 gebildet. Der dritte Kondensator C32g desselben ist durch die Kondensatorelektrode Cp15 und die Masseelektrode G4 gebildet.
Nun erfolgt eine Beschreibung der Funktionsweise der zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente 10 mit der in 1 gezeigten Struktur. Erstens legt, wenn ein Signal des DCS (1,8 GHz-Band) übertragen wird, der Hochfrequenzschalter 121 auf der DCS-Seite 3 V an den Steueranschluss Vcd an, um die Dioden D1d und D2d anzuschalten. Das übertragene Signal auf der DCS-Seite läuft durch den Hochfrequenzschalter 121, das Hochfrequenzfilter 122 und den Diplexer 11, um von einer Antenne ANT, die mit dem ersten Tor P11 des Diplexers 11 verbunden ist, übertragen zu werden.
In diesem Fall legt der Hochfrequenzschalter 131 des GSM 0 V an den Steueranschluss Vcg an, um die Diode D1g. auszuschalten, so dass ein empfangenes Signal des GSM nicht übertragen wird. Zusätzlich gelangt, wenn der Diplexer 11 mit dem DCS und dem GSM verbunden ist, das übertragene Signal auf der DCS-Seite nicht in den Sendeabschnitt Txg und den Empfangsabschnitt Rxg des GSM. Das Hochfrequenzfilter 122 der DCS-Seite dämpft die Harmonische-Signale zweiter Ordnung und dritter Ordnung auf der DCS-Seite.
Als Nächstes legt, wenn ein Signal des GSM (900 MHz-Band) übertragen wird, der Hochfrequenzschalter 131 des GSM 3 V an den Steueranschluss Vcg an, um die Dioden D1g und D2g anzuschalten, so dass das übertragene Signal des GSM durch den Hochfrequenzschalter 131, das Hochfrequenzfilter 132 und den Diplexer 11 läuft. Das weitergeleitete Signal wird von der Antenne ANT, die mit dem ersten Tor P11 des Diplexers 11 verbunden ist, übertragen.
In dieser Situation legt der Hochfrequenzschalter 121 des DCS 0 V an den Steueranschluss Vcd an, um die Diode D1d auszuschalten, so dass Signale des DCS nicht übertragen werden. Zusätzlich gelangen, wenn der Diplexer 11 mit dem DCS und dem GSM verbunden ist, übertragene Signale des GSM nicht in den Sendeabschnitt Txd und den Empfangsabschnitt Rxd des DCS. Das Hochfrequenzfilter 132 des GSM dämpft die Harmonische-Signale dritter Ordnung auf der GSM-Seite.
Wenn Signale von sowohl dem DCS als auch dem GSM empfangen werden, legt der Hochfrequenzschalter 121 des DCS 0 V an den Steueranschluss Vcd an, um die Dioden D1d und D2d auszuschalten, und der Hochfrequenzschalter 131 des GSM legt 0 V an den Steueranschluss Vcg an, um die Dioden D1g und D2g auszuschalten, wodurch die empfangenen Signale des DCS nicht in den Sendeabschnitt Txd des DCS gelangen und die empfangenen Signale des GSM nicht in den Sendeabschnitt Txg des GSM gelangen.
Zusätzlich gehen, wenn der Diplexer 11 mit dem DCS und dem GSM verbunden ist, die empfangenen Signale auf der DCS-Seite nicht zu der GSM-Seite und die empfangenen Signale auf der GSM-Seite gehen nicht zu der DCS-Seite.
8 ist eine Schnittansicht eines modifizierten Beispiels der in 5 gezeigten zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente 10. In einer zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente 10-1 sind, im Gegensatz zu der zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente 10 des ersten Ausführungsbeispiels, die in 5 gezeigt ist, Oberflächenwellenfilter 123 und 133 in einem Hohlraum 15 befestigt, der im Inneren eines Mehrschichtsubstrats 14-1 gebildet ist.
Wenn das Mehrschichtsubstrat 14-1 gebildet ist, wird der Hohlraum 15 durch Laminieren einer Lagenschicht (nicht gezeigt) mit einer Öffnung in einer Position zum Bilden des Hohlraums 15 an der Oberseite gebildet. Der Hohlraum 15 wird durch Einfüllen von Harz 16 in denselben, nachdem die Oberflächenwellenfilter 123 und 133 in demselben befestigt sind, abgedichtet.
In der zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente des ersten Ausführungsbeispiels sind der Diplexer, die Hochfrequenzschalter, die Hochfrequenzfilter und die Oberflächenwellenfilter, die die zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente bilden, durch das Mehrschichtsubstrat, das durch ein Laminieren der Mehrzahl von Keramiklagenschichten gebildet ist, integriert. Als ein Ergebnis können Verbindungen zwischen dem Diplexer, den Hochfrequenzschaltern, den Hochfrequenzfiltern und den Oberflächenwellenfiltern im Inneren des Mehrschichtsubstrats eingerichtet werden.
Mit dieser Anordnung können Anpassungseinstellungen ohne weiteres zwischen dem Diplexer und den Hochfrequenzschaltern, zwischen den Hochfrequenzschaltern und den Hochfrequenzfiltern und zwischen den Hochfrequenzschaltern und den Oberflächenwellenfiltern durchgeführt werden. So sind keine Anpassungsschaltungen zur Durchführung von Anpassungseinstellungen zwischen den obigen Bestandteilen nötig.
Deshalb kann die zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente miniaturisiert sein. Die zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente mit einem Metalldeckel kann z. B. so miniaturisiert sein, um Abmessungen von 6,7 mm × 5,0 mm × 2,0 mm aufzuweisen.
Ferner können, da die Hochfrequenzfilter Kerbfilter sind, nur die Signale mit Frequenzen, die nahe an den Harmonischen zweiter Ordnung und dritter Ordnung sind, die gedämpft werden sollen, gedämpft werden. Als ein Ergebnis kann ein Einfluss auf das Durchlassband einer Grundfrequenz reduziert werden. Deshalb können verglichen mit Fällen, in denen eine Dämpfung des gesamten Harmonische-Frequenzbandes wie in Tiefpassfiltern und Bandpassfiltern durchgeführt wird, Einfügungsverluste in dem Durchlassband der Grundfrequenz reduziert werden. So können Einfügungsverluste der gesamten zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente reduziert werden.
Ferner ist bei dieser zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente der Diplexer durch die ersten Induktoren und die ersten Kondensatoren gebildet, die Hochfrequenzschalter sind durch die Dioden, die zweiten Induktoren und den zweiten Kondensator gebildet und die Hochfrequenzfilter sind durch die dritten Induktoren und die dritten Kondensatoren gebildet. Einige dieser Bestandteile sind in dem Mehrschichtsubstrat beinhaltet und die verbleibenden Bestandteile sind an demselben befestigt, um miteinander durch Verbindungsabschnitte, die im Inneren des Mehrschichtsubstrats gebildet sind, verbunden zu sein. Mit dieser Anordnung können Verluste aufgrund einer Verdrahtung zwischen den Bestandteilen reduziert werden. Als ein Ergebnis können Verluste der gesamten zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente reduziert werden.
Zusätzlich erlauben, da die Streifenleitungselektroden als Induktoren in dem Mehrschichtsubstrat beinhaltet sind, es Wellenlängenverkürzungseffekte, dass die Längen der Streifenleitungselektroden als Induktoren verkürzt werden können. Als ein Ergebnis können Einfügungsverluste der Streifenleitungselektroden reduziert werden, wodurch eine Miniaturisierung der zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente und eine Reduzierung bei Einfügungsverlusten derselben erzielt werden können. Entsprechend kann die mobile Kommunikationsvorrichtung, die die zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente beinhaltet, miniaturisiert werden und kann auch einen hohen Pegel an Leistungscharakteristika erhalten.
Ferner können, wie in dem in 8 gezeigten modifizierten Beispiel, da die Oberflächenwellenfilter in dem Hohlraum befestigt sind, der in dem Mehrschichtsubstrat gebildet ist, um darin abgedichtet zu sein, Stützchips als die Oberflächenwellenfilter verwendet werden. Als ein Ergebnis kann die Größe der zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente weiter reduziert werden.
9 zeigt ein Blockdiagramm einer zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente gemäß einem zweiten Ausführungsbeispiel der vorliegenden Erfindung. In einer zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente 20 werden im Gegensatz zu der zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente 10 gemäß dem ersten Ausführungsbeispiel, wie in 1 gezeigt ist, die Positionen zum Verbinden der Hochfrequenzfilter 122 und 132 verändert.
Kurz gesagt ist das Hochfrequenzfilter 122 des DCS mit einem Sendeabschnitt Txd an dem Rückende des Hochfrequenzschalters 121 verbunden. Das Hochfrequenzfilter 132 des GSM ist mit einem Sendeabschnitt Txg an dem Rückende des Hochfrequenzschalters 131 verbunden.
In der zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente gemäß dem zweiten Ausführungsbeispiel, die oben beschrieben ist, kann, da jedes der Hochfrequenzfilter mit dem Sendeabschnitt verbunden ist, der sich an dem Rückende jedes der Hochfrequenzschalter befindet, wenn Signale übertragen werden, eine Verzerrung von Signalen aufgrund eines Hochleistungsverstärkers in dem Sendeabschnitt durch das Hochfrequenzfilter gedämpft werden. Als ein Ergebnis können Einfügungsverluste in dem Empfangsabschnitt reduziert werden.
Bei dem zweiten Ausführungsbeispiel wurde die zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente in der Kombination des DCS und GSM verwendet. Die vorliegende Erfindung jedoch ist nicht auf diese Kombination eingeschränkt und kann auf andere Kombinationen angewendet werden, z. B. die Kombination der Personal Communication Services (PCS) und Advanced Mobile Phone Services (AMPS), die Kombination des Digital European Cordless Telephone (DECT) und GSM und die Kombination des Personal Handyphone System (PHS) und des Personal Digital Cellular (PDC) und dergleichen.
Obwohl die obigen Ausführungsbeispiele die Fälle von Signalpfaden mit den beiden Systemen beschrieben haben, können die gleichen Vorteile auch in Fällen von Signalpfaden mit drei oder mehr Systemen erhalten werden.
Zusätzlich können Chipspulen als die Parallelsperrspulen und Drosselspulen der Hochfrequenzschalter verwendet werden, um an dem Mehrschichtsubstrat befestigt zu werden. In diesem Fall können, da die Parallelsperrspulen und die Drosselspulen Chipspulen mit hohen Q-Faktoren sind, Chipspulen mit den gleichen Konfiguration in einer Mehrzahl von Systemen mit unterschiedlichen Frequenzbändern verwendet werden. Als ein Ergebnis können Modifizierungen eines Entwurfs aufgrund von Veränderungen der Frequenzbänder ohne weiteres durchgeführt werden, wodurch eine Entwurfsmodifizierung in kurzer Zeit durchgeführt werden kann. So können Produktionskosten reduziert werden. Ferner kann, da die Parallelsperrspulen und die Drosselspulen höhere Q-Faktoren aufweisen, das Durchlassband verbreitert werden und Einfügungsverluste können weiter reduziert werden.
Wie oben beschrieben wurde, sind in der zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente der Diplexer, die Hochfrequenzschalter, die Hochfrequenzfilter und die Oberflächenwellenfilter, die die zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente bilden, durch das Mehrschichtsubstrat integriert, das durch Laminieren der Mehrzahl von Keramiklagenschichten gebildet ist. Mit dieser Anordnung können Verbindungen zwischen dem Diplexer, den Hochfrequenzschaltern, den Hochfrequenzfiltern und den Oberflächenwellenfiltern im Inneren des Mehrschichtsubstrats eingerichtet werden.
Als ein Ergebnis können Anpassungseinstellungen ohne weiteres zwischen dem Diplexer und den Hochfrequenzschaltern, zwischen den Hochfrequenzschaltern und den Hochfrequenzfiltern, zwischen den Hochfrequenzschaltern und den Oberflächenwellenfiltern durchgeführt werden. Entsprechend besteht kein Bedarf nach Anpassungsschaltungen, die Anpassungseinstellungen zwischen diesen Bestandteilen durchführen.
Deshalb kann, da die Anzahl von Bestandteilen reduziert werden kann, die Schaltungsplatine, auf der die Mikrowellenschaltung mit der Mehrzahl von Signalpfaden gebildet ist, miniaturisiert werden.
In der zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente kann, da die Hochfrequenzfilter mit der Sendeabschnittsseite an dem Rückende der Hochfrequenzschalter verbunden sind, eine Verzerrung übertragener Signale aufgrund des Hochleistungsver stärkers in dem Sendeabschnitt gedämpft werden. Als ein Ergebnis können Einfügungsverluste in dem Empfangsabschnitt reduziert werden.
Zusätzlich können, da die Hochfrequenzfilter Kerbfilter sind, nur die Signale mit Frequenzen nahe an der Harmonischen zweiter Ordnung und der Harmonischen dritter Ordnung, die gedämpft werden sollen, gedämpft werden. Als ein Ergebnis kann ein Einfluss auf das Durchlassband der Grundfrequenz reduziert werden. Deshalb können im Vergleich zu den Fällen, in denen Signale der gesamten Harmonische-Frequenzbänder wie in Tiefpassfiltern und Bandpassfiltern gedämpft werden, Einfügungsverluste in dem Durchlassband der Grundfrequenz reduziert werden. Entsprechend kann ein Verlust bei der gesamten zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente reduziert werden.
Der Diplexer, der in dieser zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente beinhaltet ist, ist durch die ersten Induktivitätselemente und die ersten Kapazitätselemente gebildet, die Mehrzahl von Hochfrequenzschaltern ist durch die Schaltelemente, die zweiten Induktivitätselemente und die zweiten Kapazitätselemente gebildet und die Mehrzahl von Hochfrequenzfiltern ist durch die dritten Induktivitätselemente und die dritten Kapazitätselemente gebildet. Zusätzlich sind einige dieser Bestandteile in dem Mehrschichtsubstrat beinhaltet und die verbleibenden Bestandteile sind an demselben befestigt, um miteinander durch die Verbindungsabschnitte, die im Inneren des Mehrschichtsubstrats gebildet sind, verbunden zu sein. Mit dieser Anordnung kann die zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente durch ein Verwenden des einzelnen Mehrschichtsubstrats gebildet werden, was zu einer Miniaturisierung der zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente führt. Ferner kann, da Verluste aufgrund einer Verdrahtung zwischen den Bestandteilen reduziert werden können, ein Verlust der gesamten zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente reduziert werden.
Zusätzlich sind einige der Streifenleitungselektroden als Induktoren in dem Mehrschichtsubstrat beinhaltet und die verbleibenden Streifenleitungselektroden sind an demselben befestigt, Wellenlängenverkürzungseffekte erlauben es, dass die Längen der Streifenleitungselektroden als Induktoren reduziert werden können. So können, da ein Einfügungsverlust der Streifenleitungselektroden reduziert werden kann, die Größe und der Verlust der zusammengesetzten Hochfrequenzkomponente reduziert werden. Als ein Ergebnis kann die mobile Kommunikationsvorrichtung, die die zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente beinhaltet, miniaturisiert werden und ein hoher Pegel von Leistungscharakteristika kann gleichzeitig erhalten werden.
Ferner können, da die Oberflächenwellenfilter in dem Hohlraum befestigt sind, der in dem Mehrschichtsubstrat gebildet ist, um in demselben abgedichtet zu sein, Stützchips als die Oberflächenwellenfilter verwendet werden. Als ein Ergebnis kann die zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente weiter miniaturisiert werden.
In der mobilen Kommunikationsvorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung kann, da die kompakte zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente mit reduziertem Verlust beinhaltet ist, die mobile Kommunikationsvorrichtung, die die zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente beinhaltet, ebenso miniaturisiert werden und ein hoher Pegel an Leistungscharakteristika kann deshalb erhalten werden.

Claims

Eine zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente, die angepasst ist, um in einer Mikrowellenschaltung beinhaltet zu sein, die eine Mehrzahl von Signalpfaden aufweist, die unterschiedlichen Frequenzen entsprechen, wobei die zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente folgende Merkmale aufweist: einen Diplexer (11), der Signale, die von der Mehrzahl von Signalpfaden gesendet werden, zu der Zeit eines Sendens auswählt und Signale, die in der Mehrzahl von Signalpfaden empfangen werden, zu der Zeit eines Empfangs auswählt; eine Mehrzahl von Hochfrequenzschaltern (121, 131), die die Mehrzahl von Signalpfaden in Sendeabschnitte (Txd, Txg) und Empfangsabschnitte (Rxd, Rxg) unterteilen; eine Mehrzahl von Kerbfiltern (122, 132), die mit den Signalpfaden an bestimmten Punkten derselben verbunden sind; eine Mehrzahl von Oberflächenwellenfiltern (123, 133), die zwischen den Empfangsabschnittsseiten und der Mehrzahl von Hochfrequenzschaltern (121, 131) angeordnet sind; und ein Mehrschichtsubstrat (14, 14-1), das durch Laminieren einer Mehrzahl von Keramiklagenschichten (14a bis 14m) gebildet ist, um den Diplexer (11), die Hochfrequenzschalter (121, 131), die Kerbfilter (122, 132) und die Oberflächenwellenfilter (123, 133) zu integrieren, wobei die Hochfrequenzfilter zwischen dem Diplexer und der Mehrzahl von Hochfrequenzschaltern angeordnet sind und die Oberflächenwellenfilter (123, 133) auf dem Mehrschichtsubstrat befestigt sind, und wobei Verbindungen zwischen den Oberflächenwellenfiltern (123, 133) und der Mehrzahl von Hochfrequenzschaltern (121, 131) im Inneren des Mehrschichtsubstrats (14, 14-1) eingerichtet sind, und wobei die Verbindungen angeordnet sind, um die Ausgaben der Hochfrequenzschalter (121, 131) und die Eingabe der Oberflächenwellenfilter (123, 133) anzupassen.
Eine zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente gemäß Anspruch 1, bei der die Mehrzahl von Hochfrequenzfiltern (122, 132) mit den Sendeabschnittsseiten an dem Rückende der Mehrzahl von Hochfrequenzschaltern (121, 131) verbunden ist.
Eine zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente gemäß einem der Ansprüche 1 und 2, bei der die Mehrzahl von Hochfrequenzfiltern (122, 132) eine Mehrzahl von Kerbfiltern ist.
Eine zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente gemäß einem der Ansprüche 1 und 3, die ferner folgende Merkmale aufweist: erste Induktivitätselemente (L11, L12) und erste Kapazitätselemente (C11 bis C15), um den Diplexer (11) zu bilden; Schaltelemente (D1d, D2d, D1g, D2g), zweite Induktivitätselemente (L21d bis L23d, L21g bis L23g) und zweite Kapazitätselemente (C21d bis C23d, C21g bis C23g), um jeden der Mehrzahl von Hochfrequenzschaltern (121, 131) zu bilden; ein drittes Induktivitätselement (L31d, L31g) und dritte Kapazitätselemente (C31d, C32d, C31g, C32g), um jedes der Mehrzahl von Hochfrequenzfiltern (122, 132) zu bilden; und eine Verbindungseinrichtung (SL1 bis SL8; Vha bis VHk), die im Inneren des Mehrschichtsubstrats (14, 14-1) gebildet ist, um die Oberflächenwellenfilter (123, 133), die Schaltelemente (D1d, D2d, D1g, D2g), das erste bis dritte Induktivitätselement (L11, L12, L21d bis L23d, L21g bis L23g, L31d, L31g) und das erste bis dritte Kapazitätselement (C11 bis C15, C21d bis C23d, C21g bis C23g, C31d, C32g, C31g, C32g) zu verbinden, wobei einige derselben in dem Mehrschichtsubstrat (14, 14-1) beinhaltet sind und die verbleibenden Bestandteile an demselben befestigt sind.
Eine zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente gemäß einem der Ansprüche 1 bis 4, bei der die Oberflächenwellenfilter (123, 133) in einem Hohlraum (15) befestigt sind, der im Inneren des Mehrschichtsubstrats (14-1) gebildet ist, um in demselben abgedichtet zu sein.
Eine mobile Kommunikationsvorrichtung, die eine Antenne, einen Sendeabschnitt, einen Empfangsabschnitt und die zusammengesetzte Hochfrequenzkomponente gemäß einem der Ansprüche 1 bis 5 aufweist.