DE60037363T2 - Seitlich gepumpter gütegeschalteter Mikrolaser und dazugehöriges Herstellugsverfahren - Google Patents

Seitlich gepumpter gütegeschalteter Mikrolaser und dazugehöriges Herstellugsverfahren Download PDF

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    • H01S3/113Q-switching using intracavity saturable absorbers

Description

  • GEBIET DER ERFINDUNG
  • Die vorliegende Erfindung betrifft allgemein Mikrolaser und zugehörige Herstellungsverfahren, und insbesondere seitengepumpte, Q-geschaltete (gütegeschaltete) Mikrolaser und zugehörige Herstellungsverfahren.
  • HINTERGRUND DER ERFINDUNG
  • Moderne elektrooptische Anwendungen verlangen nach relativ kostengünstigen, miniaturisierten Lasern, die in der Lage sind, eine Reihe wohl definierter Ausgangspulse zu erzeugen. Als solche sind eine Vielfalt von Mikrolasern entwickelt worden, die einen Mikroresonator und ein Paar von zumindest teilweise reflektierenden Spiegeln einschließen, die an gegenüberliegenden Enden des Mikroresonators angeordnet sind, um eine Resonanzkavität dazwischen zu definieren. Der Mikroresonator eines vorteilhaften Mikrolasers schließt ein aktives Verstärkungsmedium und einen sättigbaren Absorber ein, der als ein Q-Schalter (Güteschalter) dient. Siehe beispielsweise das US-Patent Nr. 5,394,413 an John J. Zayhowski, erteilt am 28. Februar 1995. Durch ein geeignetes Pumpen des aktiven Verstärkungsmediums, etwa mit einer Laserdiode, wird der Mikroresonator eine Reihe von Pulsen emittieren, die eine vorbestimmte Wellenlänge, Pulsbreite und Pulsenergie aufweisen.
  • Wie Fachleuten bekannt ist, ist die Wellenlänge der Signale, die von einem Mikrolaser emittiert werden, abhängig von den Materialien, aus welchem das aktive Verstärkungsmedium und der sättigbare Absorber gebildet sind. Im Gegensatz dazu ist die Pulsbreite der Laserpulse, die von einem herkömmlichen Mikrolaser emittiert werden, proportional zu der Länge der Resonatorkavität. Als solche werden längere Resonatorkavitäten im Allgemeinen Ausgangspulse emittieren, die größere Pulsbreiten aufweisen. Ferner sind sowohl die Pulsenergie als auch die mittlere Leistung, die von einem Mikrolaser bereitgestellt wird, proportional zu der Pulsbreite der Pulse, die von dem Mikrolaser ausgegeben werden. Wenn alle anderen Faktoren gleich sind, sind, je länger die Mikroresonatorkavität ist, desto länger die Pulsbreite, und desto größer die Pulsenergie und mittlere Leistung der resultierenden Laserpulse.
  • Herkömmliche Mikrolaser, wie etwa jene, die dem US-Patent Nr. 5,394,413 beschrieben sind, sind endgepumpt in einer Richtung parallel zu der Längsachse, die durch die Resonatorkavität definiert ist. In dieser Hinsicht verläuft die Längsachse der Mikroresonatorkavität längs durch die Resonatorkavität und ist so orientiert, orthogonal zu dem Paar von zumindest teilweise reflektierenden Spiegeln zu sein, die die gegenüberliegenden Enden der Mikroresonatorkavität definieren. Als solche sind herkömmliche Mikrolaser derart konfiguriert, dass die Pumpquelle Pumpsignale in einer Richtung senkrecht zu den zumindest teilweise reflektierenden Spiegeln bereitstellt, die die gegenüberliegenden Enden der Mikroresonatorkavität definieren. Die effektive Länge der Mikroresonatorkavität ist deswegen gleich der physikalischen Länge der Mikroresonatorkavität.
  • Während der Mikrolaser derart hergestellt werden kann, dass die Resonatorkavität unterschiedliche Längen aufweist, trägt eine Anzahl von Faktoren dazu bei, die zulässige Länge der Resonatorkavität im Allgemeinen zu beschränken. Siehe beispielsweise das US-Patent Nr. 5,394,413 , in welchem festgestellt wird, dass die Resonatorkavität einschließlich sowohl den sättigbaren Absorber und das Verstärkungsmedium vorzugsweise geringer als zwei Millimeter in der Länge ist. Insbesondere erfordern eine Anzahl von elektrooptischen Anwendungen Mikrolaser, die äußerst klein sind. Als solches sind Zunahmen in der Länge der Mikroresonatorkavität in diesen Anwendungen wenig empfehlenswert, da jedwede derartige Zunahmen in der Länge der Mikroresonatorkavität die Gesamtgröße des Mikrolasers entsprechend erhöhen würden.
  • Zusätzlich ist die Länge von passiv Q-geschalteten (gütegeschalteten) Mikrolasern durch das Erfordernis effektiv einge schränkt, dass die Inversionsdichte eine vorbestimmte Schwelle überschreiten muss, bevor ein Lasern beginnt. Wenn die physikalische Länge der Resonatorkavität zunimmt, sind größere Mengen an Pumpenergie erforderlich, um die notwendige Inversionsdichte zum Lasern zu erzeugen. Zusätzlich zu einem nachteiligen Aufnehmen von mehr Energie, um den Mikrolaser zu pumpen, erzeugen die erhöhten Pumpanforderungen eine Anzahl anderer Probleme, wie etwa die Erzeugung von wesentlich mehr Wärme innerhalb des Mikrolasers, die geeignet abgeführt werden muss, um einen kontinuierlichen Betrieb des Mikrolasers zuzulassen. Unter bestimmten Umständen kann die innerhalb des Mikrolasers erzeugte Wärme auch die thermische Kapazität der Wärme senken oder eine andere Wärmeabführvorrichtung überschreite, wodurch potentiell ein schwerwiegender Fehler des Mikrolasers herbeigeführt wird.
  • Da die Pulsbreite und entsprechend die Pulsenergie und mittlere Leistung der Pulse, die von einer Mikrolaserkavität ausgegeben werden, proportional zu der Länge der Resonatorkavität sind, grenzen die voran stehenden Bespiele praktischer Einschränkungen bezüglich der Länge der Resonatorkavität in nachteiliger Weise auch die Pulsbreite und die entsprechende Pulsenergie und mittlere Leistung der Pulse, die von herkömmlichen Mikrolasern ausgegeben werden. Jedoch erfordern manche moderne elektrooptische Anwendungen Mikrolaser, die Pulse emittieren, die größere Pulsbreiten, wie etwa Pulsbreiten von größer als 1 Nanosekunde und unter bestimmten Umständen bis zu 10 Nanosekunden aufweisen, wie auch Pulse, die eine größere Pulsenergie, wie etwa zwischen 10 μJ und ungefähr 100 μJ und eine größere mittlere Leistung, wie etwa zwischen 0,1 Watt und 1 Watt aufweisen. Als Folge der voran stehenden Beschränkungen bezüglich der Länge der Resonatorkavität und der entsprechenden Beschränkungen bezüglich der Pulsbreiten, der Pulsenergie und der mittleren Leistung der Pulse, die von den herkömmlichen Mikrolasern ausgegeben werden, scheinen herkömmliche Mikrolaser nicht in der Lage zu sein, diese erhöhten Anforderungen zu erfüllen.
  • ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
  • Deswegen wird gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ein Mikrolaser bereitgestellt, der in der Lage ist, ein Zick-Zack-Resonanzmuster im Ansprechen auf ein Seitenpumpen des aktiven Verstärkungsmediums zu unterstützen, um somit effektiv die Mikroresonatorkavität zu verlängern, ohne dass die Mikroresonatorkavität physikalisch verlängert werden muss. Als solche können die Mikrolaser dieser Ausführungsform Pulse erzeugen, die größere Pulsbreiten und entsprechend größere Pulsenergien und mittlere Leistungspegel als die Pulse aufweisen, die von herkömmlichen Mikrolasern einer ähnlichen Abmessung bereitgestellt werden. Ein entsprechendes Herstellungsverfahren wird auch gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung bereitgestellt, welches zulässt, dass eine Mehrzahl von seitengepumpten, Q-geschalteten Mikrolasern auf eine effiziente und wiederholbare Weise hergestellt wird.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung, wie sie in Anspruch 1 definiert ist, schließt der Mikrolaser einen Mikroresonator ein, der ein aktives Verstärkungsmedium und einen Q-Schalter (Güteschalter), wie etwa einen passiven Q-Schalter aufweist. Der Mikroresonator verläuft längs zwischen gegenüberliegenden Endflächen und weist eine erste Seitenfläche auf, die zwischen den gegenüberliegenden Endflächen verläuft. Der Mikrolaser schließt auch erste und zweite reflektierende Flächen ein, die nahe jeweiliger der gegenüberliegenden Endflächen angeordnet sind, um eine Mikroresonatorkavität dazwischen zu definieren. Während die ersten und zweiten reflektierenden Flächen auf entsprechende der gegenüberliegenden Endflächen der Mikroresonatoren beschichtet werden können, können die ersten und zweiten reflektierenden Flächen auch durch Spiegel gebildet werden, die von jeweiligen der gegenüberliegenden Endflächen beabstandet sind. Der Mikrolaser kann ferner eine Pumpquelle zum Einführen von Pumpsignalen in das aktive Verstärkungsmedium über die erste Seitenfläche des Mikroresonators einschließen, wobei der Mikroresonator derart ist, dass das Zick-Zack-Resonanzmuster innerhalb der Mikroresonatorkavität eingerichtet ist.
  • In einer vorteilhaften Ausführungsform sind die gegenüberliegenden Endflächen jeweils unter einem nicht-orthogonalen Winkel α, wie etwa zwischen 30° und ungefähr 35° relativ zu einer Linie senkrecht zu einer Längsachse angeordnet, die durch die Mikroresonatorkavität definiert ist und zwischen den gegenüberliegenden Endflächen verläuft. In einer Ausführungsform sind die gegenüberliegenden Endflächen jeweils unter dem gleichen nicht-orthogonalen Winkel α relativ zu der Längsachse angeordnet, derart, dass die gegenüberliegenden Endflächen parallel sind. In einer weiteren Ausführungsform sind die gegenüberliegenden Endflächen in entgegen gesetzten Richtungen um den gleichen nicht-orthogonalen Winkel α relativ zu der Längsachse orientiert. Als Folge der nicht-orthogonalen Beziehung der gegenüberliegenden Endflächen zu der Längsachse, die durch die Mikroresonatorkavität definiert ist, ist der Mikrolaser jedweder Ausführungsform in der Lage, das Zick-Zack-Resonanzmuster im Ansprechen auf das Seitenpumpen des aktiven Verstärkungsmediums über die erste Seitenfläche des Mikroresonators zu unterstützen.
  • Durch ein Unterstützen des Zick-Zack-Resonanzmusters wird die effektive Länge der Mikroresonatorkavität relativ zu herkömmlichen Mikrolasern, die im Wesentlichen die gleiche physikalische Abmessung aufweisen, erhöht. In dieser Hinsicht ist die effektive Länge der Mikroresonatorkavität der vorliegenden Erfindung die Länge des Zick-Zack-Resonanzpfads, der durch den Mikrolaser eingerichtet ist, welcher signifikant länger als die linearen Resonanzpfade ist, die durch herkömmliche Mikrolaser eingerichtet sind, welche parallel zu der Längsachse der Resonatorkavität verlaufen. Als solches kann der Mikrolaser der vorliegenden Erfindung Pulse emittieren, die eine längere Pulsbreite und entsprechend größere Pulsenergien und mittlere Leistungspegel aufweisen als die Pulse, die von herkömmlichen Mikrolasern der gleichen physikalischen Abmessung emittiert werden.
  • Um es zuzulassen, dass die Pumpsignale von dem aktiven Verstärkungsmedium aufgenommen werden, ohne von der ersten Seitenfläche reflektiert zu werden, kann der Mikrolaser eine An tireflektionsbeschichtung auf der ersten Seitenfläche einschließen, um es zuzulassen, dass Pumpsignale, die einen vorbestimmten Bereich von Wellenlängen aufweisen, von dem aktiven Verstärkungsmedium aufgenommen werden. Zusätzlich zu der ersten Seitenfläche schließt der Mikroresonator im Allgemeinen eine zweite Seitenfläche dagegen ein, die gegenüberliegend ist zu der ersten Seitenfläche und die zwischen den gegenüberliegenden Endflächen verläuft. Der Mikrolaser dieser Ausführungsform kann ferner eine Reflektanzbeschichtung auf der zweiten Seitenfläche zum Reflektieren der Pumpsignale einschließen, um dadurch sicherzustellen, dass die Pumpsignale, die in das aktive Verstärkungsmedium eingetreten sind, innerhalb des aktiven Verstärkungsmediums verbleiben. In einer Ausführungsform schließt der Mikroresonator ferner dritte und vierte gegenüberliegende Seitenflächen ein, die zwischen den gegenüberliegenden Endflächen und zwischen den ersten und zweiten Seitenflächen verlaufen. Um ferner eine Resonanz innerhalb der Mikroresonatorkavität zu erleichtern, können die dritten und vierten Seitenflächen aufgeraut sein, wie etwa durch ein Schleifen, um dadurch Licht zu diffundieren.
  • Um es zuzulassen, dass der Mikrolaser Signale einer vorbestimmten Laserwellenlänge über eine der gegenüberliegenden Endflächen emittiert, ist die erste reflektierende Fläche vorzugsweise hoch reflektierend für Lasersignale, die die vorbestimmte Laserwellenlänge aufweisen. Im Gegensatz dazu ist die zweite reflektierende Fläche vorzugsweise nur teilweise reflektierend für Lasersignale, die die vorbestimmte Laserwellenlänge aufweisen. Als solches kann der Mikrolaser Laserpulse, die vorbestimmte Laserwellenlängen aufweisen, über die zweite reflektierende Fläche emittieren.
  • In einer Ausführungsform schließt der Mikrolaser auch eine Wärmesenke, auf welcher der Mikroresonator angebracht ist, und ein Gehäuse ein, in welches der Mikroresonator und die Pumpquelle so angeordnet sind. In dieser Ausführungsform schließt das Gehäuse ein Fenster ein, durch welches Lasersignale, die von dem Mikroresonator erzeugt werden, emittiert werden. Um den Mikroresonator etwa vor schädlichen Umgebungsbedingungen zu schützen, kann der Mikrolaser ferner ein weiteres Fenster einschließen, das innerhalb des Gehäuses angeordnet ist, um die Pumpquelle von dem Mikroresonator zu trennen, derart, dass der Mikroresonator in einem Teil des Gehäuses angeordnet ist, das versiegelt werden kann.
  • Gemäß der vorliegenden Erfindung, wie sie in Anspruch 28 definiert ist, ist ein Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Seitenpumpen, passiv Q-geschalteten Mikrolasern bereitgestellt. Dieses Verfahren stellt zunächst eine Schicht eines passiven Q-Schaltermaterials bereit. Danach wird das aktive Verstärkungsmedium etwa durch eine Flüssigphasenepitaxy auf der Schicht des passiven Q-Schaltermaterials aufgewachsen, um eine Verbundstruktur zu bilden, die gegenüberliegende Hauptflächen aufweist. Während das aktive Verstärkungsmedium und das passive Q-Schaltermaterial aus einer Vielfalt von Materialien gebildet werden können, wächst das Verfahren einer vorteilhaften Ausführungsform neodym-dotiertes Yttriumaluminiumgranat (YAG) auf einer Schicht eines mit vierwertigem Chrom dotierten YAG auf, das als das passive Q-Schaltermaterial dient.
  • Die resultierende Verbundstruktur wird dann unter einem nicht-orthogonalen Winkel α relativ zu den gegenüberliegenden Hauptflächen geschnitten, um dadurch eine Mehrzahl von passiv Q-geschalteten Mikrolasern zu bilden. Durch ein Schneiden unter einem nicht-orthogonalen Winkel α relativ zu den gegenüberliegenden Hauptflächen definiert jeder passiv Q-geschaltete Mikrolaser eine Längsachse und weist gegenüberliegende Endflächen auf, die unter dem gleichen nicht-orthogonalen Winkel α bezüglich der Längsachse angeordnet sind. Als solches können eine Mehrzahl von seitengepumpten passiv Q-geschalteten Mikrolasern gemäß dieser Ausführungsform der vorliegenden Erfindung auf eine effiziente und wiederholbare Weise gebildet werden.
  • In einer vorteilhaften Ausführungsform ist die Verbundstruktur in eine Mehrzahl von Stäben vor einem Schneiden der Verbundstruktur unter dem nicht-orthogonalen Winkel α geteilt. In dieser Ausführungsform wird jede jeweilige Stange danach unter dem nicht-orthogonalen Winkel α relativ zu den gegenüberliegenden Endflächen geschnitten, um die Mehrzahl von passiv Q-geschalteten Mikrolasern zu bilden. Nach einem Schneiden der Verbundstruktur unter dem nicht-orthogonalen Winkel α kann die erste Seitenfläche jedes Mikrolasers mit der Antireflexionsbeschichtung beschichtet werden, um es zuzulassen, dass Pumpsignale, die einen vorbestimmten Bereich von Wellenlängen aufweisen, von dem aktiven Verstärkungsmedium aufgenommen werden, ohne von der ersten Seitenfläche reflektiert zu werden. Zusätzlich kann die zweite Seitenfläche jedes Mikrolasers gegenüberliegend der ersten Seitenfläche mit einer Reflektanzbeschichtung zum inneren Reflektieren der Pumpsignale beschichtet werden. Außerdem können die dritten und vierten gegenüberliegenden Seitenflächen jedes Mikrolasers aufgeraut werden, wie etwa durch ein Feinschleifen, um Licht zu diffundieren.
  • Zusätzlich können die gegenüberliegenden Enden des Mikrolasers mit ersten und zweiten reflektierenden Flächen beschichtet werden, typischerweise nach einem Schneiden der Verbundstruktur unter dem nicht-orthogonalen Winkel α. In dieser Hinsicht ist die erste reflektierende Fläche hoch reflektierend für Signale, die die vorbestimmte Laserwellenlänge aufweisen, während die zweite reflektierende Fläche nur teilweise reflektierend für Signale ist, die die vorbestimmte Laserwellenlänge aufweisen. Als solches werden die resultierenden Mikrolaser in vorteilhafter Weise in der Lage sein, ein Zick-Zack-Resonanzmuster zu unterstützen und Pulse der vorbestimmten Laserwellenlänge über die zweite reflektierende Fläche steuerbar zu emittieren.
  • KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
  • In den Zeichnungen zeigen:
  • 1 eine Seitenaufrissansicht eines Mikrolasers gemäß einer vorteilhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 2 eine Seitenaufrissansicht eines Mikrolasers gemäß einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
  • 3 eine Seitenaufrissansicht eines Mikrolasers gemäß einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, bei welcher der Mikroresonator und die Pumpquelle innerhalb des Gehäuses angeordnet sind, und bei welcher ein Teil des Gehäuses entfernt worden ist, um es zuzulassen, dass innere Teile des Gehäuses dargestellt werden;
  • 4 eine perspektivische Ansicht einer Verbundstruktur, die aus einem passiven Q-Schaltermaterial und einem aktiven Verstärkungsmedium besteht, die gemäß einem Verfahren einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung hergestellt ist;
  • 5 eine ebene Ansicht, die die Verbundstruktur der 3 geteilt in eine Mehrzahl von Stangen veranschaulicht, gemäß dem Verfahren einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; und
  • 6 eine ebene Ansicht, die eine Mehrzahl von Stangen veranschaulicht, die unter einem nicht-orthogonalen Winkel α relativ zu den gegenüberliegenden Endflächen geschnitten sind, gemäß dem Verfahren einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
  • DETAILLIERTE BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
  • Die vorliegende Erfindung wird nun detaillierter nachstehend unter Bezugnahme auf die zugehörigen Zeichnungen beschrieben werden, in welchen bevorzugte Ausführungsformen der Erfindung gezeigt sind. Diese Erfindung kann jedoch auf viele unterschiedliche Weisen verwirklicht werden und sollte nicht so ausgelegt werden, dass sie auf die hierin offenbarten Ausführungsformen beschränkt ist; vielmehr sind diese Ausführungsformen bereitgestellt, so dass diese Offenbarung gründlich und vollständig ist, und den Umfang der Erfindung für Fachleute vollständig übermittelt. Gleiche Bezugszeichen beziehen sich durchgehend auf gleiche Elemente.
  • Unter Bezugnahme auf 1 ist ein Mikrolaser 10 gemäß einer vorteilhaften Ausführungsform der vorliegenden Erfindung veranschaulicht. Der Mikrolaser schließt einen Mikroresonator, der ein aktives Verstärkungsmedium 12 und einen Q-Schalter 14 aufweist, wie etwa einen passiven Q-Schalter, unmittelbar neben dem aktiven Verstärkungsmedium ein. Während der Mikroresonator einer vorteilhaften Ausführungsform durch ein epitaktisches Aufwachsen des aktiven Verstärkungsmediums auf dem Q-Schalter hergestellt ist, wie untenstehend beschrieben, kann der Mikroresonator auf andere Weisen hergestellt werden. Beispielsweise können das aktive Verstärkungsmedium und der Q-Schalter durch eine Diffusionsbondierung oder durch einen optischen Kontakt verbunden werden, bei welchen das aktive Verstärkungsmedium und der Q-Schalter durch kohärente Kräfte, wie etwa Van-der-Waals-Kräfte angezogen werden. Um das aktive Verstärkungsmedium und den Q-Schalter durch ein Diffusionsgrundieren oder einen optischen Kontakt sicher zu verbinden, müssen die angrenzenden Flächen des aktiven Verstärkungsmediums und des Q-Schalters extrem rein und flach sein, wie etwa innerhalb 1/20 einer Referenzwellenlänge, wie etwa 633 Nanometer, in einer beispielhaften Ausführungsform.
  • Sowohl der Q-Schalter 14 als auch das aktive Verstärkungsmedium 12 sind aus einem geeignet dotierten Host-Material gebildet. In typischer Weise ist das Host-Material Yttriumaluminiumgranat (YAG), obwohl Materialien, wie etwa Yttriumvanadat (YVO4) und Yttriumlithiumfluorid (YLF) eingesetzt werden können. Zusätzlich ist, während eine Vielfalt von Dotiermitteln benutzt werden können, das aktive Verstärkungsmedium in typischer Weise mit Neodym (Nd) dotiert, und der sättigbare Absorber ist typischerweise mit vierwertigem Chrom dotiert. In einer vorteilhaften Ausführungsform ist das aktive Verstärkungsmedium beispielsweise aus YAG gebildet, das mit zwischen ungefähr 2 und ungefähr 3 Atomprozent Nd dotiert ist. In dieser Ausführungsform ist der Q-Schalter oder der sättigbare Absor ber auch aus YAG gebildet und ist mit vierwertigem Chrom dotiert, um somit eine optische Dichte von 0,03 bis 0,1 aufzuweisen. Wie jedoch erkannt werden wird, können das aktive Verstärkungsmedium und der sättigbare Absorber mit unterschiedlichen Atomprozenten und unterschiedlichen Typen von Dotiermitteln dotiert werden, ohne von dem Grundgedanken und Umfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen.
  • Ungeachtet der Materialauswahl dient der sättigbare Absorber als ein Q-Schalter, um den Einsatz eines Laserns zu verhindern, bis die Inversionsdichte innerhalb des Mikroresonators ausreichend hoch ist, d. h. oberhalb einer vorbestimmten Schwelle. Sobald das Lasern beginnt, wird der Mikroresonator jedoch eine Reihe von Pulsen einer vorbestimmten Wellenlänge erzeugen, d. h. der Laserwellenlänge, welche eine vorbestimmte Pulsbreite aufweisen, obschon eine längere Pulsbreite als die Laserpulse, die von herkömmlichen Mikrolasern erzeugt werden.
  • Der Mikroresonator verläuft längs zwischen gegenüberliegenden Endflächen 16. In der vorteilhaften Ausführungsform, die hierin veranschaulicht ist, ist das aktive Verstärkungsmedium 12 nahe einer der gegenüberliegenden Endflächen, und der Q-Schalter 14 ist nahe der anderen Endfläche. Jedoch können das aktive Verstärkungsmedium und der Q-Schalter beide längs zwischen den gegenüberliegenden Endflächen verlaufen, wie in der US-Patentanmeldung Nr. 09/337,716 mit dem Titel Side Pumped, Q-Switched Mikrolaser beschrieben. Der Mikrolaser 10 schließt auch erste und zweite reflektierende Flächen 18, 20 ein, die nahe jeweiliger der gegenüberliegenden Endflächen angeordnet sind, um eine Mikroresonatorkavität dazwischen zu definieren. Wie in 1 gezeigt, können die ersten und zweiten reflektierenden Flächen aus einer dielektrischen Mehrlagenschicht beschicht bestehen, die auf die gegenüberliegenden Endflächen abgeschieden ist. Alternativ können die ersten und zweiten reflektierenden Endflächen durch erste und zweite dichroitische Spiegel gebildet werden, die nahe, aber geringfügig beabstandet, von jeweiligen der gegenüberliegenden Endflächen positioniert sind, wie in 2 gezeigt.
  • In jeder Ausführungsform weist die erste reflektierende Fläche 18 nahe der Endfläche 16 des Mikroresonators, die durch das aktive Verstärkungsmedium 12 definiert ist, eine hohe Reflektivität, wie etwa eine Reflektivität größer als 99,5% für Signale auf, die die vorbestimmte Laserwellenlänge, wie etwa 1,064 Nanometer für einen Mikrolaser aufweisen, der ein aktives Verstärkungsmedium aufweist, das aus Nd-dotiertem YAG gebildet ist. Zusätzlich weist die zweite reflektierende Fläche 20, die nahe der Endfläche des Mikroresonators angeordnet ist, die durch den passiven Q-Schalter 14 definiert ist, einen Teilreflektor, der typischerweise eine Reflektivität von zwischen 40% und 90% für Signale aufweist, die die vorbestimmten Laserwellenlängen aufweisen. Siehe auch das US-Patent Nr. 5,394,413 , das weiter ein Paar von Spiegeln beschreibt, die die Resonatorkavität eines Mikrolasers definieren.
  • Sobald das aktive Verstärkungsmedium 12 derart gepumpt wird, dass die Inversionsdichte innerhalb des Mikroresonators oberhalb der vorbestimmten Schwelle ist, wird es der passive Q-Schalter 14 zulassen, dass eine Reihe von Pulsen emittiert wird. Als Folge der Teilreflektivität der zweiten reflektierenden Fläche 20 werden die Reihe von Pulsen dann durch die zweite reflektierende Fläche emittiert werden.
  • Der Mikrolaser 10 schließt auch eine Pumpquelle 22 zum Pumpen des aktiven Verstärkungsmediums 12 mit Pumpsignalen ein. Im Gegensatz zu herkömmlichen endgepumpten Mikrolasern ist der Mikrolaser der vorliegenden Erfindung seitengepumpt. In dieser Hinsicht weist der Mikroresonator eine erste Seitenfläche 24 auf, die zwischen gegenüberliegenden Endflächen 16 verläuft. Durch ein Positionieren der Pumpquelle derart, dass die Pumpsignale über die zweite Seitenfläche des Mikroresonators zugeführt werden, wird das aktive Verstärkungsmedium effektiv seitengepumpt. Während der Mikrolaser der vorliegenden Erfindung in typischer Weise über die erste Seitenfläche gepumpt wird, kann der Mikrolaser stattdessen über zwei oder mehrere Seitenflächen gepumpt werden, wie etwa die gegenüberliegenden ersten und zweiten Seitenflächen, falls erwünscht.
  • Obwohl die Wellenlänge der Pumpsignale auf spezifische Materialien maßgeschneidert werden kann, die das aktive Verstärkungsmedium 12 umfassen, wird ein aktives Verstärkungsmedium, das aus Nd-dotiertem YAG besteht, in typischer Weise mit Pumpsignalen gepumpt, die eine Wellenlänge von 808 +/– 3 Nanometer aufweisen. Um es zuzulassen, dass die Pumpsignale von dem aktiven Verstärkungsmedium aufgenommen werden, ohne von der ersten Seitenfläche 24 reflektiert zu werden, schließt der Mikrolaser im Allgemeinen eine Antireflexionsbeschichtung 26 ein, die auf die erste Seitenfläche abgeschieden ist, um es zuzulassen, dass Signale, die die Wellenlänge der Pumpsignale aufweisen, in die Mikroresonatorkavität mit geringer, falls überhaupt einer Reflexion, eintreten.
  • Während der Mikrolaser 10 eine Vielfalt von Pumpquellen 22 einschließen kann, benutzt der Mikrolaser einer vorteilhaften Ausführungsform eine oder mehrere lineare Laserdioden-Pumparrays, die eine kumulative Länge aufweisen, die nicht größer als und typischerweise etwas kürzer als die Länge des aktiven Verstärkungsmediums 12 ist, gemessen entlang seiner Längsachse 28. Durch ein Benutzen eines Laserdioden-Pumparrays wird die Energie, die über das Pumpsignal zugeführt wird, drastisch relativ zu der Energie erhöht, die von den Pumpsignalen einer Einzelstreifen-Laserdiode bereitgestellt wird, die typischerweise benutzt wird, um herkömmliche Mikrolaser zu end-pumpen. Beispielsweise stellt ein lineares Laserdiodenarray, das eine Länge von ungefähr 1 cm aufweist, im Allgemeinen Pumpsignale bereit, die eine durchschnittliche Pumpleistung von 15–40 Watt aufweisen, verglichen mit den 1–3 Watt einer herkömmlichen Pumpleistung, die von den Pumpsignalen einer Einzelstreifen-Laserdiode bereitgestellt wird.
  • Als Folge des Seitenpumpens und der gewinkelten Konfiguration der Endflächen 16 des Mikroresonators, wie obenstehend beschrieben, ist das Resonanzmuster, das durch den Mikroresonator eingerichtet wird, nicht parallel zu der Längsachse 24, wie es bei herkömmlichen endgepumpten Mikrolasern eingerichtet wird. Stattdessen ist das Resonanzmuster, das von dem Mikroresonator der vorliegenden Erfindung eingerichtet wird, ein Zick-Zack-Resonanzmuster, wie in gestrichelten Linien in den 1 und 2 gezeigt. Um das Zick-Zack-Resonanzmuster zu unterstützen und um einen unerwünschten Verlust der Pumpsignale zu verhindern, ist eine zweite Seitenfläche 30 des Mikroresonators gegenüberliegend der ersten Seitenfläche 24, durch welche die Pumpsignale aufgenommen werden, vorzugsweise mit einer Reflektanzbeschichtung 22 beschichtet, die eine hohe Reflektivität, wie etwa eine Reflektivität größer als 99,5% für Signale aufweist, die die Wellenlänge der Pumpsignale aufweisen. In der Ausführungsform, bei welcher die Pumpquelle Pumpsignale zuführt, die eine Wellenlänge von 808 +/– 3 Nanometer aufweisen, ist die zweite Seitenfläche des Mikroresonators vorzugsweise mit einer Reflektanzbeschichtung beschichtet, die eine hohe Reflektivität für Signale aufweist, die eine Wellenlänge von 808 +/– 3 Nanometer aufweisen. Während die Reflektanzbeschichtung, die auf der zweiten Seitenfläche abgeschieden ist, und die Antireflexionsbeschichtung 26, die auf der ersten Seitenfläche abgeschieden ist, auf eine Vielfalt von Weisen gebildet werden können, werden die Reflektanzbeschichtung und die Antireflexionsbeschichtung in typischer Weise durch die Abscheidung einer Mehrzahl dielektrischer Schichten gebildet, die jeweilige Brechungsindizes aufweisen, die maßgeschneidert sind, um die geeigneten Reflexionseigenschaften bereitzustellen, wie es Fachleuten bekannt ist.
  • Da der Mikroresonator in typischer Weise eine längliche Stange ist, die einen im Allgemeinen rechteckigen Querschnitt und gewinkelte Endflächen 16 aufweist, schließt der Mikroresonator in typischer Weise ferner dritte und vierte Seitenflächen 34 ein, die zwischen den gegenüberliegenden Endflächen und zwischen den ersten und zweiten gegenüberliegenden Seitenflächen 24, 30 verlaufen. In den 1 und 2 ist die dritte Seitenfläche beispielsweise zu sehen, während die vierte Seitenfläche entfernt von dem Betrachter gegenübersteht und deswegen nicht zu sehen ist. Um zu verhindern, dass viel, falls überhaupt, irgendein Licht in die Mikroresonatorkavität über die dritten und vierten Seitenflächen eintritt oder daraus entweicht, sind die dritten und vierten Seitenflächen in typi scher Weise fein geschliffen oder anderweitig aufgeraut, um somit Licht zu diffundieren.
  • Um das Zick-Zack-Resonanzmuster, das in der Mikroresonatorkavität eingerichtet wird, zu unterstützen, sind die gegenüberliegenden Endflächen 16 des Mikroresonators jeweils vorzugsweise unter einem nicht-orthogonalen Winkel α relativ zu der Längsachse 28 angeordnet, die durch die Mikroresonatorkavität definiert ist. Während die gegenüberliegenden Endflächen unter einer Vielzahl von nicht-orthogonalen Winkeln α relativ zu der Längsachse angeordnet werden können, sind die gegenüberliegenden Endflächen in typischer Weise unter einem Winkel α angeordnet, der zwischen 30° und ungefähr 35° relativ zu einer Linie senkrecht zu der Längsachse ist, und noch bevorzugter unter einem Winkel von ungefähr 30,9°. In typischer Weise ist der Winkel α definiert, gleich
    Figure 00150001
    definiert, wobei n0 der Brechungsindex der Umgebung, wie etwa 1,0 für Luft ist; und nr der Brechungsindex des aktiven Verstärkungsmediums 12 ist.
  • Da das Resonanzmuster, das von der Mikroresonatorkavität eingerichtet wird, durch die totale interne Reflexion (TIR, total internal reflection) der Signale erzeugt wird, die wiederum durch die Brechungsindizes der jeweiligen Materialien bestimmt wird, kann die Beziehung zwischen der Dicke T, der Mikroresonatorkavität, gemessen zwischen den ersten und zweiten gegenüberliegenden Seitenflächen 24, 30, der Länge L der Mikroresonatorkavität, gemessen von Spitze zu Spitze, des Winkels α, der durch die gegenüberliegenden Endflächen relativ zu einer Linie senkrecht zu der Längsachse der Mikroresonatorkavität definiert ist, und der Anzahl n von Reflexionen oder Sprüngen der Signale von den Seitenflächen der Mikroresonatorkavität vor einer Emission über die zweite reflektierende Fläche 20 durch die folgende Gleichung definiert werden:
    Figure 00150002
  • Zusätzlich ist die Länge jeweils der ersten und zweiten Seiten der Mikroresonatorkavität, d. h. die Basislänge, definiert, gleich NT/tanα zu sein.
  • Wie in 1 gezeigt, können die gegenüberliegenden Endflächen 16 jeweils unter dem gleichen nicht-orthogonalen Winkel α relativ zu der Längsachse 28, die durch die Mikroresonatorkavität definiert ist, angeordnet werden, derart, dass die gegenüberliegenden Endflächen parallel sind. Alternativ können die gegenüberliegenden Endflächen in entgegen gesetzten Richtungen um denselben nicht-orthogonalen Winkel α zu der Längsachse orientiert sein, die durch die Mikroresonatorkavität definiert ist, wie in 1 gezeigt. In jeder Ausführungsform unterstützt die resultierende Mikroresonatorkavität das Zick-Zack-Resonanzmuster, wie gezeigt.
  • Durch ein Unterstützen eines Zick-Zack-Resonanzmusters innerhalb der Mikroresonatorkavität wird die effektive Länge des Resonanzmusters signifikant länger als die physikalische Länge der Mikroresonatorkavität, gemessen entlang der Längsachse 28. In dieser Hinsicht ist die effektive Länge des Resonanzmusters definiert durch den Pfad der Signale, wenn die Signale abwechselnd von den gegenüberliegenden Seitenflächen des Mikroresonators weg springen. Für einen Mikrolaser 10, der derart ausgelegt ist, dass die Signale viermal von den gegenüberliegenden Endflächen des Mikroresonators reflektieren oder weg springen, d. h. N = 4, ist die effektive Länge des Zick-Zack-Resonanzmusters ungefähr drei- oder viermal länger als die physikalische Länge der Mikroresonatorkavität, gemessen entlang der Längsachse. Da die Länge des Resonanzmusters oder die physikalische Länge der Resonatorkavität für herkömmliche endgepumpte Mikrolaser identisch sind, stellt der Mikrolaser der vorliegenden Erfindung in vorteilhafter Weise ein viel längeres Resonanzmuster bereit, ohne dass es erforderlich ist, dass physikalische Dimensionen des Mikroresonators erhöht werden.
  • Als ein Ergebnis des verlängerten Resonanzmusters wird die Pulsbreite oder Pulsdauer der Pulse, die von dem Mikrolaser 10 ausgegeben werden, relativ zu der Pulsbreite der Pulse erhöht, die von herkömmlichen Mikrolasern der gleichen Abmessung ausgegeben werden, beispielsweise wird erwartet, dass die Pulse, die von dem Mikrolaser der vorliegenden Erfindung ausgegeben werden, eine Pulsbreite von zwischen 1 und 10 Nanosekunden, und noch typischer zwischen 2 und 5 Nanosekunden aufweisen, verglichen mit den Pulsen, die von herkömmlichen endgepumpten Mikrolasern der gleichen Abmessung ausgegeben werden, die Subnanosekunden-Pulsbreiten aufweisen. Zusätzlich sollte die Energie, die durch die Pulse geliefert wird, die von dem Mikrolaser der vorliegenden Erfindung ausgegeben werden, signifikant größer als die Energie sein, die durch die Pulse geliefert wird, die von herkömmlichen endgepumpten Mikrolasern der gleichen Abmessung ausgegeben werden. In dieser Hinsicht wird erwartet, dass Pulse, die eine Energie von bis zu ungefähr 100 μJ aufweisen, von dem Mikrolaser der vorliegenden Erfindung ausgegeben werden, im Vergleich zu Pulsenergien von weniger als ungefähr 35 μJ, die von den Pulsen bereitgestellt werden, die von herkömmlichen endgepumpten Mikrolasern der gleichen Abmessung ausgegeben werden. Dementsprechend wird erwartet, dass die Pulse, die von dem Mikrolaser der vorliegenden Erfindung ausgegeben werden, viel größere mittlere Leistungen, wie etwa 0,1 Watt bis 1 Watt, als die mittlere Leistung der herkömmlichen endgepumpten Mikrolaser aufweisen, die typischerweise geringer als 0,1 Watt ist.
  • Während der Mikrolaser 10 der vorliegenden Erfindung auf eine Vielfalt von Weisen verpackt werden kann, ist ein verpackter Mikrolaser gemäß einer Ausführungsform in 3 veranschaulicht. Wie gezeigt, schließt der Mikrolaser ferner eine Wärmesenke 35 ein, auf welcher der Mikroresonator angebracht ist. Obwohl eine Vielzahl von aktiven und passiven Wärmesenken benutzt werden können, ist die Wärmesenke einer vorteilhaften Ausführungsform eine sauerstofffreie Kupferwärmesenke einer hohen Leitfähigkeit. Ungeachtet des Typs der Wärmesenke ist der Mikroresonator vorzugsweise an die Wärmesenke mittels eines thermisch angepassten Epoxids, wie etwa einem Aluminiumoxid-gefüllten oder einem Silber-gefüllten Epoxid, bondiert.
  • Der Mikrolaser 10 dieser Ausführungsform schließt auch ein Gehäuse 36 ein, in welchem der Mikroresonator und die Pumpquelle 22 angeordnet sind. Während das Gehäuse aus einer Vielfalt von Materialien bestehen kann, kann das Gehäuse aus einem thermisch leitfähigen Material bestehen, und besteht in bestimmten Ausführungsformen aus dem gleichen Material wie die Wärmesenke, wie etwa sauerstofffreiem Kupfer einer hohen Leitfähigkeit, um die Übertragung der thermischen Energie auf die Wärmesenke zur Abfuhr zu erleichtern.
  • Wie gezeigt, schließt das Gehäuse 36 ein Fenster 38 ein, das mit der zweiten reflektierenden Fläche 20, durch welche Pulse von dem Mikroresonator ausgegeben werden, ausgerichtet ist und in typischer Weise in der Nähe derselben ist. Das Fenster ist ausgelegt für Signale, die die vorbestimmte Laserwellenlänge des Mikroresonators aufweisen, transmittierend zu sein. Als solches werden die Pulse, die von dem Mikroresonator ausgegeben werden, durch das Fenster mit geringer, falls überhaupt irgendeiner Abschwächung, durchlaufen. Während das Fenster rauf eine Vielfalt von Weisen aufgebaut werden kann, besteht das Fenster einer vorteilhaften Ausführungsform aus Saphir und ist beschichtet mit einer Antireflexionsbeschichtung, die verhindert, dass wenige, falls überhaupt irgendwelche der Signale, die die vorbestimmte Laserwellenlänge aufweisen, reflektiert werden. Wie obenstehend beschrieben, ist die Antireflexionsbeschichtung in typischer Weise aus einer Mehrzahl von dielektrischen Schichten gebildet, die maßgeschneidert sind, dielektrische Eigenschaften aufzuweisen, die eine Reflexion von Signalen, die die vorbestimmte Laserwellenlänge aufweisen, beschränken, wenn nicht verhindern. Obwohl es für die Verwirklichung der vorliegenden Erfindung nicht notwendig ist, kann der Mikrolaser 10 einen teilweise reflektierenden Spiegel (nicht gezeigt) zum Abteilen eines kleinen Teils jedes Ausgangspulses zu einem Leistungsmonitor, wie etwa einem Fotodetektor, einschließen, der die Ausgangspulse überwacht, um somit eine Anzeige bereitzustellen, ob der Mikrolaser fehl geht, richtig zu funktionieren.
  • Wie in 3 gezeigt, ist das Gehäuse 36 ausgelegt, die Pumpquelle 22 in der Nähe der ersten Seitenfläche 24 der Mikroresonatorkavität aufzunehmen. Obwohl die Pumpquelle auf eine Anzahl unterschiedlicher Weisen angebracht werden kann, beschließt das Gehäuse einer Ausführungsform einen Deckel 37 ein, in welchem die Pumpquelle angebracht ist, wie etwa mit Epoxid. Durch ein Befestigen des Deckels an dem Rest des Gehäuses kann die Pumpquelle geeignet zu dem aktiven Verstärkungsmedium 12 ausgerichtet werden. Wie auch in 3 gezeigt ist, kann das Gehäuse ein Fenster 40 einschließen, das die Pumpquelle von dem Mikroresonator trennt, derart, dass der Teil des Gehäuses, in welchem der Mikroresonator liegt, effektiv versiegelt werden kann, wodurch der Mikroresonator vor Umgebungs- oder anderen schädlichen Bedingungen geschützt wird. Um es zuzulassen, dass die Pumpquelle effektiv Pumpsignale in das aktive Verstärkungsmedium 12 liefert, ist das Fenster, das die Pumpquelle von dem Mikroresonator trennt, jedoch ausgelegt, für Signale, die die Wellenlänge der Pumpsignale aufweisen, transmittierend zu sein. Beispielsweise kann das Fenster ein Saphirfenster sein, das mit einer Mehrzahl von dielektrischen Schichten beschichtet ist, die jeweilige Brechungsindizes aufweisen, die maßgeschneidert sind, um somit wenige, wenn überhaupt irgendwelche, Signale zu reflektieren, die die Wellenlänge der Pumpsignale, wie etwa 808 +/– 3 Nanometer in einer Ausführungsform aufweisen.
  • Wie Fachleuten offensichtlich ist, ist der Mikrolaser 10 der vorliegenden Erfindung äußerst vorteilhaft in seiner Fähigkeit, Pulse zu liefern, die längere Pulsbreiten und größere Pulsenergien aufweisen als die Pulse, die von herkömmlichen endgepumpten Mikrolasern von im Wesentlichen der gleichen Abmessung geliefert werden. Als solches ist der Mikrolaser der vorliegenden Erfindung für eine Vielfalt von Anwendungen einschließlich Markieren, Mikrobearbeiten, LIDAR und anderen Vermessungsanwendungen vorteilhaft.
  • Wie obenstehend beschrieben, kann der Mikroresonator auf eine Vielfalt von Weisen hergestellt werden, einschließlich einem epitaktischen Aufwachsen entweder des aktiven Verstärkungsme diums 12 oder des passiven Q-Schaltermaterials 14 aufeinander, eines Diffusionsbondierens des aktiven Verstärkungsmediums und des passiven Q-Schalters oder eines Verbindens des aktiven Verstärkungsmediums und des passiven Q-Schalters durch einen optischen Kontakt. In einer besonders vorteilhaften Ausführungsform wird das aktive Verstärkungsmedium etwa durch Flüssigphasenepitaxy auf dem passiven Q-Schaltermaterial aufgewachsen. Als solches kann der Atom-Prozentsatz des Dotiermittels in dem aktiven Verstärkungsmedium signifikant größer sein als der Atom-Prozentsatz des Dotiermittels in einem vergleichbaren aktiven Verstärkungsmedium, das gemäß Czochralski-Techniken aufgewachsen ist. Beispielsweise kann das aktive Verstärkungsmedium aus Nd-dotiertem YAG, das epitaktisch auf einer Schicht aus mit vierwertigem chromdotierten YAG aufgewachsen ist, die als das passive Q-Schaltermaterial dient, einen Atom-Prozentsatz von Nd aufweisen, der zwischen ungefähr 2 Atomprozent und 3 Atomprozent liegt, im Vergleich zu Nd-dotiertem YAG, das einen Atom-Prozentsatz von Nd von 0,8% bis 1,4% aufweist, wenn es durch eine herkömmliche Czochralski-Technik aufgewachsen ist.
  • Gemäß dieser vorteilhaften Herstellungstechnik wird eine Schicht eines passiven Q-Schaltermaterials 14, wie etwa eines mit vierwertigem Chrom dotierten YAG anfangs bereitgestellt. Obwohl die Schicht des passiven Q-Schaltermaterials in einer Vielfalt von Formen bereitgestellt werden kann, wird die Schicht des passiven Q-Schaltermaterials in typischer Weise als ein relativ dünner Wafer bereitgestellt, der in einer Ausführungsform eine Dicke von ungefähr 500 Mikron aufweist. Das aktive Verstärkungsmedium 14 wird dann vorzugsweise durch Flüssigphasenepitaxy auf die Schicht des Q-Schaltermaterials aufgewachsen, um die in 4 gezeigte Verbundstruktur 42 zu bilden, die gegenüberliegende Hauptflächen 44 aufweist. Während das aktive Verstärkungsmedium so aufgewachsen werden kann, eine Vielfalt von Dicken aufzuweisen, liegt die Dicke des aktiven Verstärkungsmediums in typischer Weise zwischen ungefähr 2 und 4 Millimeter, und in einer Ausführungsform beträgt sie 2,2 Millimeter.
  • In der veranschaulichten Ausführungsform wird die Verbundstruktur 42 dann in eine Mehrzahl von in Längsrichtung verlaufenden Stangen 46 geschnitten. Siehe 5. Während die Verbundstruktur auf eine Vielfalt von Weisen geschnitten werden kann, ohne von dem Grundgedanken und dem Umfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen, wird die Verbundstruktur in typischer Weise auf einer Glasplatte mit einer Schicht aus Wachs befestigt. Zusätzlich wird die freigelegte Hauptfläche 44 der Verbundstruktur, die gegenüberliegend der Glasplatte ist, in typischer Weise auch mit Wachs beschichtet, um ein Zerbrechen der Verbundstruktur während des Schneidebetriebs zu verhindern. Nach einem Platzieren der Glasplatte auf einer Vakuumspanneinrichtung wird die Verbundstruktur in eine Mehrzahl von Stangen mit eine Diamantspitzen-Säge geschnitten. Während die Stangen eine Vielfalt von Dicken aufweisen können, weisen die Stangen einer Ausführungsform eine in 5 mit t bezeichnete Dicke von ungefähr 1,2 Millimeter auf. Nach einem Entfernen des Wachses wird jede Stange auf ihre Seite gelegt und an einer weiteren Glasplatte 50 mit einem optischen Kleber, wie etwa Norland optischer Kleber Grad 65, wie in 6 gezeigt, gefestigt. Nach einem Platzieren der Glasplatte auf einer Vakuumspanneinrichtung werden die Stangen unter einem nicht-orthogonalen Winkel α relativ zu den gegenüberliegenden Hauptflächen geschnitten, um dadurch eine Mehrzahl von passiv Q-geschalteten Mikrolasern 10 zu bilden. Während die Stangen unter einer Vielfalt von Winkeln geschnitten werden können, wie obenstehend beschrieben, liegt der nicht-orthogonale Winkel α in typischer Weise zwischen ungefähr 30° und 35°, und beträgt in typischer Weise ungefähr 30,9°.
  • Nach einem Entfernen des optischen Klebers kann die erste Seitenfläche 24 jedes resultierenden Mikrolasers 10 mit einer Antireflexionsbeschichtung 26 beschichtet werden, um es zuzulassen, dass Signale, die die Wellenlänge der Pumpsignale aufweisen, von dem aktiven Verstärkungsmedium 12 aufgenommen werden, ohne von der ersten Seitenfläche reflektiert zu werden, wie obenstehend beschrieben. Zusätzlich kann die zweite Seitenfläche 30 jedes resultierenden Mikrolasers, gegenüberliegend der ersten Seitenfläche, auch mit einer Reflektanzbeschichtung 32 zum Reflektieren von Signalen, die die Wellenlänge der Pumpsignale aufweisen, beschichtet werden. Obwohl die Antireflexionsbeschichtung und die Reflektanzbeschichtung auf eine Vielfalt von Weisen gebildet werden können, werden diese Beschichtungen in typischer Weise durch ein Abscheiden einer Reihe von dielektrischen Schichten auf jeweiligen Seitenflächen gebildet, wie es Fachleuten bekannt ist. Zusätzlich können die dritten und vierten gegenüberliegenden Seitenflächen des jeweiligen Mikrolasers aufgeraut werden, wie etwa durch ein Feinschleifen der dritten und vierten gegenüberliegenden Seitenflächen 34, um dadurch Licht zu diffundieren.
  • In der Ausführungsform, bei welcher die ersten und zweiten reflektierenden Flächen 18, 20, die die gegenüberliegenden Enden der Mikroresonatorkavität definieren, auf den gegenüberliegenden Endflächen 16 des Mikroresonators beschichtet sind, umfasst das Verfahren dieser vorteilhaften Ausführungsform auch ein Abscheiden der ersten reflektierenden Fläche, die in hohem Maße reflektierend für Signale ist, die die vorbestimmte Laserwellenlänge aufweisen, auf einer Endfläche 16 des Mikroresonators und ein Abscheiden der zweiten reflektierenden Fläche, die nur teilweise reflektierend für Signale ist, die die vorbestimmte Laserwellenlänge aufweisen, auf der anderen Endfläche, derart, dass die resultierenden Mikrolaser in der Lage sind, Signale der vorbestimmten Laserwellenlänge über die zweite reflektierende Fläche zu emittieren. Wie obenstehend beschrieben, wird die erste hoch-reflektierende Fläche in typischer Weise auf der Endfläche nahe dem aktiven Verstärkungsmedium 12 abgeschieden, und die zweite teilweise reflektierende Fläche wird in typischer Weise auf der anderen Endfläche in der Nähe des passiven Q-Schalters 14 abgeschieden. Wie obenstehend beschrieben, werden die ersten und zweiten reflektierenden Flächen in typischer Weise durch ein Abscheiden einer Reihe von dielektrischen Schichten auf den gegenüberliegenden Endflächen des Mikroresonators gebildet, die jeweilige Brechungsindizes aufweisen, die maßgeschneidert sind, um die geeigneten Reflektivitätseigenschaften bereitzustellen, in einer Weise, wie sie Fachleuten bekannt ist. Jedoch können die ersten und zweiten reflektierenden Flächen gemäß anderer Techni ken gebildet werden, ohne von dem Grundgedanken und Umfang der vorliegenden Erfindung abzuweichen. Während die gegenüberliegenden Endflächen des Mikrolasers vor einem Schneiden der Verbundstruktur 42 in eine Anzahl von Stangen 46 beschichtet werden können, werden die gegenüberliegenden Endflächen des Mikrolasers in typischer Weise beschichtet, nachdem die einzelnen Mikrolaser gebildet worden sind.
  • Durch ein Aufbauen des Mikrolasers 10 gemäß dem voranstehenden Verfahren kann das aktive Verstärkungsmedium 12 stärker dotiert werden als die aktiven Verstärkungsmedien bestimmter herkömmlicher Mikrolaser, die gemäß einer Czochralski-Technik aufgewachsen sind. Als solches können die Ausgangspulse, die von dem resultierenden Mikrolaser bereitgestellt werden, Pulsenergien und Leistungspegel aufweisen, die noch weiter relativ zu den Ausgangspulsen, die von herkömmlichen Mikrolasern bereitgestellt werden, erhöht sind. Wie im Detail obenstehend beschrieben, sind die Mikrolaser der vorliegenden Erfindung, die gemäß dem voran stehenden Verfahren hergestellt sind, oder die auf andere Weisen hergestellt sind, wie etwa durch ein Diffusionsbondieren, insbesondere auch vorteilhaft, da die Mikrolaser Ausgangspulse bereitstellen, die eine größere Pulsbreite oder Pulsdauer und größere Pulsenergien und mittlere Leistungspegel aufweisen, als Folge des Seitenpumpens des Mikrolasers und des Zick-Zack-Resonanzmusters, das durch den Mikroresonator unterstützt wird, im Vergleich zu herkömmlichen endgepumpten Mikrolasern von im Wesentlichen der gleichen physikalischen Abmessung. Als solches ist der resultierende Mikrolaser der vorliegenden Erfindung insbesondere vorteilhaft für eine breite Vielfalt von Anwendungen, welche Ausgangspulse erfordern, die erhöhte Energiepegel, mittlere Leistungspegel und Pulsdauern aufweisen.
  • Viele Modifikationen und andere Ausführungsformen der Erfindung werden Fachleute ersinnen auf dem Gebiet, zu welchem die Erfindung gehört, indem Nutzen gezogen wird aus den Lehren, die in den voran stehenden Beschreibungen und den zugehörigen Zeichnungen dargestellt sind. Es ist deswegen zu verstehen, dass die Erfindung nicht auf die spezifischen offenbarten Aus führungsformen beschränkt ist, und dass vorgesehen ist, dass Modifikationen und andere Ausführungsformen in den Umfang der angehängten Ansprüche eingeschlossen sind. Obwohl spezifische Ausdrücke hierin gebraucht werden, werden sie nur in einem generischen und deskriptiven Sinn und nicht zum Zweck einer Beschränkung verwendet.

Claims (37)

  1. Mikrolaser (10), umfassend: einen Mikroresonator, der ein aktives Verstärkungsmedium (12) und einen passiven Q-Schalter (14) umfasst, der unmittelbar neben dem aktiven Verstärkungsmedium angeordnet ist, wobei der Mikroresonator in Längsrichtung zwischen gegenüberliegenden Endflächen (16) verläuft, wobei der Mikroresonator weiter eine erste Seitenfläche (24) aufweist, die zwischen den gegenüberliegenden Endflächen verläuft; erste und zweite reflektierende Flächen (18, 20), die nahe jeweiliger der gegenüberliegenden Endflächen angeordnet sind, um eine Mikroresonator-Kavität dazwischen zu definieren; und eine Pumpquelle (22) zum Einführen von Pumpsignalen in das aktive Verstärkungsmedium über die erste Seitenfläche des Mikroresonators, wobei der Mikroresonator derart ausgelegt ist, dass ein Zick-Zack-Resonanzmuster innerhalb der Mikroresonator-Kavität eingerichtet ist.
  2. Mikrolaser nach Anspruch 1, wobei der passive Q-Schalter neben einer der gegenüberliegenden Endflächen des Mikroresonators ist.
  3. Mikrolaser nach Anspruch 1, wobei die Pumpquelle Pumpsignale einführt, die eine Wellenlänge innerhalb eines vorbestimmten Bereichs von Wellenlängen aufweisen, und wobei der Mikrolaser ferner eine Antireflexionsbeschichtung (26) auf der ersten Seitenfläche umfasst, um zuzulassen, dass die Pumpsignale von dem aktiven Verstärkungsmedium aufgenommen werden, ohne von der ersten Seitenfläche reflektiert zu werden.
  4. Mikrolaser nach Anspruch 3, wobei der Mikroresonator ferner eine zweite Seitenfläche (30) gegenüberliegend der ersten Seitenfläche umfasst, und welche zwischen den gegenüberliegenden Endflächen verläuft, und wobei der Mikrolaser ferner eine Reflektanzbeschichtung (22) auf der zweiten Seitenfläche zum Reflektieren der Pumpsignale umfasst.
  5. Mikrolaser nach Anspruch 4, wobei der Mikroresonator ferner dritte und vierte gegenüberliegende Seitenflächen (34) umfasst, die zwischen den gegenüberliegenden Endflächen und zwischen den ersten und zweiten Seitenflächen verlaufen, und wobei die dritten und vierten Seitenflächen aufgeraut sind, um somit Licht zu diffundieren.
  6. Mikrolaser nach Anspruch 1, wobei der Mikroresonator ausgelegt ist, Lasersignale einer vorbestimmten Wellenlänge zu erzeugen, und wobei die erste reflektierende Fläche in hohem Maße reflektierend für Lasersignale ist, die die vorbestimmte Wellenlänge aufweisen, währen die zweite reflektierende Fläche teilweise reflektierend für Lasersignale ist, die die vorbestimmte Wellenlänge aufweisen, wodurch zugelassen wird, dass Lasersignale von dem Mikrolaser über die zweite reflektierende Fläche emittiert werden.
  7. Mikrolaser nach Anspruch 1, wobei die gegenüberliegenden Endflächen jeweils unter einem nicht-orthogonalen Winkel α relativ zu einer Längsachse angeordnet sind, die durch die Mikrolaser-Kavität definiert ist.
  8. Mikrolaser nach Anspruch 7, wobei die gegenüberliegenden Endflächen jeweils unter dem gleichen nicht-orthogonalen Winkel α relativ zu der Längsachse angeordnet sind, die durch die Mikroresonator-Kavität definiert ist, derart, dass die gegenüberliegenden Endflächen parallel sind.
  9. Mikrolaser nach Anspruch 7, wobei die gegenüberliegenden Endflächen in entgegengesetzten Richtungen um den gleichen nicht-orthogonalen Winkel α relativ zu der Längsachse orientiert sind, die durch die Mikroresonator-Kavität definiert ist.
  10. Mikrolaser nach Anspruch 7, wobei die gegenüberliegenden Endflächen jeweils unter einem Winkel α angeordnet sind, der zwischen ungefähr 30° und ungefähr 35° relativ zu einer Linie senkrecht zu der Längsachse ist, die durch die Mikroresonator-Kavität definiert ist.
  11. Mikrolaser nach Anspruch 1, ferner umfassend: eine Wärmesenke (35), auf welcher der Mikroresonator angebracht ist; und ein Gehäuse (36), in welchem der Mikroresonator und die Pumpquelle angeordnet sind, wobei das Gehäuse ein erstes Fenster (38) umfasst, durch welches Lasersignale, die von dem Mikroresonator erzeugt werden, emittiert werden.
  12. Mikrolaser nach Anspruch 11, ferner umfassend ein Fenster (40), das innerhalb des Gehäuses angeordnet ist, zum Trennen der Pumpquelle von dem Mikroresonator derart, dass der Mikroresonator in einem versiegelten Abschnitt des Gehäuses angeordnet ist.
  13. Mikrolaser nach Anspruch 1, wobei der Mikroresonator monolithisch ist.
  14. Mikrolaser nach Anspruch 1, wobei das aktive Verstärkungsmedium aus Neodym-dotiertem Yttrium-Aluminium-Granat (YAG) besteht und wobei der passive Q-Schalter aus mit vierwertigem Chrom dotiertem YAG besteht.
  15. Mikrolaser, umfassend: einen Mikroresonator, der ein aktives Verstärkungsmedium und einen passiven Q-Schalter umfasst, der unmittelbar ne ben dem aktiven Verstärkungsmedium angeordnet ist, wobei der Mikroresonator in Längsrichtung zwischen gegenüberliegenden Endflächen verläuft, wobei der Mikroresonator weiter eine erste Seitenfläche aufweist, die zwischen den gegenüberliegenden Endflächen verläuft; und erste und zweite reflektierende Flächen, die nahe jeweiliger der gegenüberliegenden Endflächen angeordnet sind, um eine Mikroresonator-Kavität dazwischen zu definieren, wobei die Mikroresonator-Kavität eine Längsachse (28) definiert, die zwischen den gegenüberliegenden Endflächen verläuft, wobei die gegenüberliegenden Endflächen jeweils unter einem nicht-orthogonalen Winkel α relativ zu der Längsachse angeordnet sind, die durch die Mikroresonator-Kavität definiert ist, derart, dass der Mikrolaser in der Lage ist, ein Zick-Zack-Resonanzmuster im Ansprechen auf ein Seitenpumpen des aktiven Verstärkungsmediums über die erste Seitenfläche des Mikroresonators zu unterstützen.
  16. Mikrolaser nach Anspruch 15, wobei der passive Q-Schalter neben einer der gegenüberliegenden Endflächen des Mikroresonators ist.
  17. Mikrolaser nach Anspruch 15, wobei die gegenüberliegenden Endflächen jeweils unter dem gleichen nicht-orthogonalen Winkel α relativ zu der Längsachse angeordnet sind, die durch die Mikroresonator-Kavität definiert ist, derart, dass die gegenüberliegenden Endflächen parallel sind.
  18. Mikrolaser nach Anspruch 15, wobei die gegenüberliegenden Endflächen in entgegengesetzten Richtungen um den gleichen nicht-orthogonalen Winkel α relativ zu der Längsachse orientiert sind, die durch die Mikroresonator-Kavität definiert ist.
  19. Mikrolaser nach Anspruch 15, wobei die gegenüberliegenden Endflächen jeweils unter einem Winkel α angeordnet sind, der zwischen ungefähr 30° und ungefähr 35° relativ zu einer Linie senkrecht zu der Längsachse ist, die durch die Mikroresonator-Kavität definiert ist.
  20. Mikrolaser nach Anspruch 15, ferner umfassend eine Antireflektionsbeschichtung auf der ersten Seitenfläche, um es zuzulassen, dass Pumpsignale innerhalb eines vorbestimmten Bereichs von Wellenlängen von dem aktiven Verstärkungsmedium aufgenommen werden, ohne von der ersten Seitenfläche reflektiert zu werden.
  21. Mikrolaser nach Anspruch 20, wobei der Mikroresonator ferner eine zweite Seitenfläche gegenüberliegend der ersten Seitenfläche umfasst, und welche zwischen den gegenüberliegenden Endflächen verläuft, und wobei der Mikrolaser ferner eine Reflektanzbeschichtung auf der zweiten Seitenfläche zum Reflektieren der Pumpsignale umfasst.
  22. Mikrolaser nach Anspruch 21, wobei der Mikroresonator ferner dritte und vierte gegenüberliegende Seitenflächen umfasst, die zwischen den gegenüberliegenden Endflächen und zwischen den ersten und zweiten Seitenflächen verlaufen, und wobei die dritten und vierten Seitenflächen aufgeraut sind, um somit Licht zu diffundieren.
  23. Mikrolaser nach Anspruch 15, wobei der Mikroresonator ausgelegt ist, Lasersignale einer vorbestimmten Wellenlänge zu erzeugen, und wobei die erste reflektierende Fläche hochreflektierend für Lasersignale ist, die die vorbestimmte Wellenlänge aufweisen, während die zweite reflektierende Fläche teilweise reflektierend für Lasersignale ist, die die vorbestimmte Wellenlänge aufweisen, wodurch zugelassen wird, dass Lasersignale von dem Mikrolaser über die zweite reflektierende Fläche emittiert werden.
  24. Mikrolaser nach Anspruch 15, wobei die ersten und zweiten reflektierenden Flächen auf jeweilige der gegenüberliegenden Endflächen des Mikroresonators beschichtet sind.
  25. Mikrolaser nach Anspruch 15, wobei die ersten und zweiten reflektierenden Flächen von jeweiligen der gegenüberliegenden Endflächen des Mikroresonators beabstandet sind.
  26. Mikrolaser nach Anspruch 15, wobei der Mikroresonator monolithisch ist.
  27. Mikrolaser nach Anspruch 15, wobei das aktive Verstärkungsmedium aus Neodym-dotiertem Yttrium-Aluminium-Granat (YAG) besteht, und wobei der passive Q-Schalter aus mit vierwertigem Chrom dotiertem YAG besteht.
  28. Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von Q-geschalteten Mikrolasern, umfassend: Bereitstellen einer Schicht eines Q-Schaltermaterials; Aufwachsen eines aktiven Verstärkungsmediums auf der Schicht des Q-Schaltermaterials, um dadurch eine Verbundstruktur zu bilden, die gegenüberliegende Hauptflächen aufweist; und Schneiden der Verbundstruktur unter einem nicht-orthogonalen Winkel α relativ zu den gegenüberliegenden Hauptflächen, um dadurch die Mehrzahl von Q-geschalteten Mikrolasern zu bilden, wobei jeder Q-geschaltete Mikrolaser eine Längsachse definiert und gegenüberliegende Endflächen aufweist, die unter dem nicht-orthogonalen Winkel α bezüglich der Längsachse angeordnet sind.
  29. Verfahren nach Anspruch 28, wobei der Aufwachsschritt ein Aufwachsen des aktiven Verstärkungsmediums auf der Schicht des Q-Schaltermaterials durch Flüssigphasenepitaxie umfasst.
  30. Verfahren nach Anspruch 28, ferner umfassend ein Teilen der Verbundstruktur in eine Mehrzahl von Stäben, und wobei der Schneideschritt ein Schneiden eines jeweiligen Stabs der Verbundstruktur unter dem nicht-orthogonalen Winkel α relativ zu den gegenüberliegenden Hauptflächen umfasst, um dadurch die Mehrzahl von Q-geschalteten Mikrolasern zu bilden.
  31. Verfahren nach Anspruch 28, wobei der Schneideschritt ein Schneiden der Verbundstruktur unter einem Winkel α umfasst, der zwischen ungefähr 30° und ungefähr 35° relativ zu den gegenüberliegenden Hauptflächen ist.
  32. Verfahren nach Anspruch 28, ferner umfassend ein Beschichten einer ersten Seitenfläche eines jeweiligen Mikrolasers mit einer Antireflektionsbeschichtung, um es zuzulassen, dass Pumpsignale innerhalb eines vorbestimmten Bereichs von Wellenlängen von dem aktiven Verstärkungsmedium aufgenommen werden, ohne von der ersten Seitenfläche reflektiert zu werden, wobei der Beschichtungsschritt dem Schneideschritt folgt.
  33. Verfahren nach Anspruch 32, ferner umfassend ein Beschichten einer zweiten Seitenfläche des jeweiligen Mikrolasers gegenüberliegend der ersten Seitenfläche mit einer Reflektanzbeschichtung zum Reflektieren der Pumpsignale, wobei der Beschichtungsschritt dem Schneideschritt folgt.
  34. Verfahren nach Anspruch 33, ferner umfassend ein Aufrauen dritter und vierter gegenüberliegender Seitenflächen des jeweiligen Mikrolasers, um somit Licht zu diffundieren, wobei der Aufrauungsschritt dem Schneideschritt folgt.
  35. Verfahren nach Anspruch 28, ferner umfassend ein Beschichten der gegenüberliegenden Endflächen des Mikrolasers mit ersten und zweiten reflektierenden Flächen jeweils folgend auf den Schneideschritt, wobei die erste reflektierende Fläche hochreflektierend für Lasersignale ist, die eine vorbestimmte Wellenlänge aufweisen, während die zweite reflektierende Fläche teilweise reflektierend für Lasersignale ist, die die vorbestimmte Wellenlänge aufweisen, derart, dass der resultierende Mikrolaser in der Lage ist, Lasersignale der vorbestimmten Wellenlänge über die zweite reflektierende Fläche zu emittieren.
  36. Verfahren nach Anspruch 35, wobei das Beschichten einer Endfläche des Mikrolasers mit der ersten reflektierenden Fläche ein Beschichten der Endfläche des Mikrolasers, die durch das aktive Verstärkungsmedium gebildet ist, mit der ersten reflektierenden Fläche umfasst, und wobei das Beschichten der anderen Endfläche des Mikrolasers mit der zweiten reflektierenden Fläche ein Beschichten der Endfläche des Mikrolasers, die durch das Q-Schaltermaterial gebildet ist, mit der zweiten reflektierenden Fläche umfasst.
  37. Verfahren nach Anspruch 28, wobei der Bereitstellungsschritt ein Bereitstellen einer Schicht eines mit vierwertigem Chrom dotierten Yttrium-Aluminium-Granats (YAG) umfasst, und wobei der Aufwachsschritt ein Aufwachsen von Neodym-dotiertem YAG auf der Schicht des mit vierwertigem Chrom dotierten YAG umfasst.
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