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Hintergrund
der Erfindung
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Gebiet der
Erfindung
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Die
vorliegende Erfindung betriftt im Allgemeinen die Herstellung von
Magnetkopfen und im Besonderen die Herstellung eines schmalen zweiten Polabschnitts
(P2) für
derartige Magnetköpfe.
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Beschreibung
des Stands der Technik
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Festplattenlaufwerke
umfassen eine oder mehrere Magnetplatten, auf die durch Magnetköpfe Daten
geschrieben werden. Die fortlaufenden Anstrengungen, die auf der
Platte gespeicherte Datenmenge zu erhöhen, konzentrieren sich notwendigerweise
auf die Erhöhung
der Datenspeicher-Flächendichte
der Platte, also der Anzahl an Datenbits, die in einem gegebenen
Bereich der Plattenoberfläche
gespeichert werden.
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Wie
für Fachleute
auf dem Gebiet ersichtlich, ist die Erhöhung der Anzahl an Datenspuren
pro Zoll (TPI), die auf die Plattenoberfläche geschrieben werden, eine
Möglichkeit,
die Datenspeicher-Flächendichte
einer Festplatte 12 zu erhöhen. Zur Erhöhung der
Spurdichte ist das Schreiben schmalerer Datenspuren erforderlich
und derartige schmalere Datenspuren werden durch Verringerung der
Breite der P2-Polspitze
erzielt, da die Breite der P2-Polspitze im Allgemeinen die Breite
der von einem Magnetkopf geschriebenen Datenspuren bestimmt. Das
herkömmliche
P2-Polspitzen-Herstellungsverfahren
beinhaltet die Verwendung photolithographischer Verfahren zur Erzeugung
einer schmalen P2-Polspitzenvertiefung, gefolgt vom Aufplattieren
der P2-Polspitze vom Boden der Vertiefung bis zu deren Spitze. In diesem
photolithographischen Herstellungsverfahren entspricht die Breite
der P2-Polspitze der Breite der P2-Polspitzenvertiefung.
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JP-A-2000-207709
offenbart ein Verfahren zur Fertigung eines Magnetkopfs, in dem
ein Lesekopf auf einem Substrat abgeschieden wird und ein erster
Pol auf dem End kopf ausgebildet wird. Eine Schreibspaltschicht wird
dann im ersten Pol eingehaust und ein nichtleitender Photoresist
wird auf der Schreibspaltschicht ausgebildet, wobei sich eine Seitenwand
des Photoresists nahe der Position des zweiten Pols befindet. Danach
wird eine Induktionsspule nahe dem zweiten Pol ausgebildet und ein
dritter Pol wird über
der Spule ausgebildet, die mit dem zweiten Pol magnetisch verbunden
ist. Dann wird eine Einkapselungsschicht ausgebildet. Somit entspricht
dieses Dokument dem Oberbegriff von Anspruch 1.
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In
der JP-A-2000-207709 wird der zweite Pol durch Sputtern einer Magnetschicht
auf der Seitenwand des Photoresists und Abtragungen der Magnetschicht
bis zum Erhalt der gewünschten
Polspitzenbreite ausgebildet.
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JP-A-2001-023117
offenbart ebenfalls die Herstellung eines Magnetkopfs und schlägt vor,
dass der zweite Magnetpol so ausgebildet wird, dass durch die Schreibspaltschicht
in den ersten Pol geschnitten wird.
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Gemäß der vorliegenden
Erfindung wird hierin ein Verfahren zur Herstellung eines Magnetkopfs
bereitgestellt, umfassend folgende Schritte:
Herstellung eines
Lesekopfs auf einem Substrat;
Herstellung eines P1-Pols auf
dem Lesekopf;
Herstellung einer Schreibspaltschicht auf dem P1-Pol;
Herstellung
eines Stücks
aus einem Material, das aus einem nicht leitfähigen Material gebildet ist,
auf der Schreibspaltschicht, wobei das Materialstück eine
Seitenwand aufweist, die nahe einer P2-Polspitzenposition vorliegt;
Herstellung
einer P2-Polspitze;
Herstellung einer Induktionsspule nahe
der P2-Polspitze;
Herstellung eines P3-Pols über der
Induktionsspule in magnetischer Verbindung mit der P2-Polspitze; und
Herstellung
einer Einkapselungsschicht über
dem P3-Pol; worin
das Verfahren ferner folgende Schritte umfasst:
Herstellung
einer Keimschicht auf der Seitenwand unter Verwendung einer Sputterabscheidungs-Technik;
Herstellung
einer zweiten Schicht aus einem nicht leitfähigen Material auf der Keimschicht
und einer Vertiefung in der zweiten Schicht; und
Elektroplattieren
des P2-Polspitzenmaterials auf der Keimschicht, wodurch die P2-Polspitze hergestellt wird,
wobei die P2-Polspitze in einer Breite W ausgebildet wird, die aus
einer Dicke des Keimschichtmaterials und einer Dicke des Elektroplattierungsmaterials
besteht;
wobei die P2-Polspitze in einer P2-Polspitzenvertiefung
hergestellt wird, die eine größere Breite
als die Breite W der P2-Polspitze aufweist; und
wobei das Materialstück aus der
Schreibspaltschicht entfernt wird, im Anschluss an das Elektroplattieren des
P2-Polspitzenmaterials und wobei der P1-Pol in einem Ionenätz-Schritt
genutet wird.
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Es
ist daher wichtig, dass die P2-Polspitze aus Elektroplattierungsmaterial,
anstatt wie nach bekanntem Stand der Technik vom Boden der Vertiefung
aus, von der Seitenwand nach außen
innerhalb der Vertiefung hergestellt wird. Daraus ergibt sich, dass
die Breite der P2-Polspitze durch die Menge des auf der Seitenwand
abgeschiedenen Polspitzenmaterials bestimmt wird, statt durch die
Breite der P2-Polspitzenvertiefung.
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Die
P2-Polspitzenvertiefung umfasst einen Seitenabschnitt, der aus der
Keimschicht besteht, welche auf der Seitenwand des Materialstücks abgeschieden
wurde, und einen zweiten Abschnitt, welcher aus dem auf der Keimschicht
elektroplattierten Polspitzenmaterial besteht. Die Breite dar P2-Polspitzen
wird daher durch die Elektroplattierungsparameter bestimmt, statt
durch die Breite der photolithographischen P2-Polspitzenvertiefung, in der die P2-Polspitze
hergestellt wird.
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Die
vorliegende Erfindung ermöglicht
daher, dass die P2-Polspitze über
eine schmale Breite verfügt.
Eine derartige P2-Polspitze weist daher Vorteile in Bezug auf das
Schreiben schmaler Datenspuren auf einer Magnetfestplatte auf. Dies
ermöglicht,
dass Magnetfestplatten mit erhöhten
Datenspeicher-Flächendichten
erzeugt werden.
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Ein
weiterer Vorteil des Verfahrens zur Herstellung eines Magnetkopfs
der vorliegenden Erfindung ist, dass ein hohes Längen- und Seitenverhältnis der
P2-Polspitze einfacher herzustellen ist.
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Ein
anderes Ziel des Verfahrens zur Herstellung eines Magnetkopfs der
vorliegenden Erfindung ist, dass es eine schmale P2-Polspitze umfasst,
welche mithilfe photolithographischer Techniken und Elektroplattierungsverfahren
hergestellt wird, in denen die P2-Polspitze von einer Seite der
P2-Polspitzenvertiefung plattiert wird.
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Diese
und andere Merkmale und Vorteile der vorliegenden Erfindung sind
für Fachleute
auf diesem Gebiet selbstverständlich
nach der Lektüre
der folgenden, detaillierten Beschreibung, die auf einige Figuren
der Zeichnungen Bezug nimmt, ersichtlich.
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In den Zeichnungen
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1 ist
eine Draufsicht auf ein Festplattenlaufwerk der vorliegenden Erfindung,
welche einen Magnetkopf der vorliegenden Erfindung darin beinhaltet;
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2 ist
eine Draufsicht auf einen Abschnitt eines Wafersubstrats, welches
einen ersten Schritt im Herstellungsablauf des Magnetkopfes der
vorliegenden Erfindung darstellt;
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3 ist
ein Seitenquerschnitt der in 2 abgebildeten
Vorrichtung entlang den Linien 3-3 von 2;
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4 ist
eine Draufsicht auf einen weiteren Herstellungsschritt des Magnetkopfes
der vorliegenden Erfindung;
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5 ist
ein Seitenquerschnitt des in 5 abgebildeten
Herstellungsschritts, der im Allgemeinen entlang den Linien 5-5
von 4 dargestellt wird;
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6 ist
eine Draufsicht auf einen weiteren Herstellungsschritt des Magnetkopfs
der vorliegenden Erfindung;
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7 ist
eine Seitenansicht des in 6 abgebildeten
Herstellungsschritts entlang den Linien 7-7 von 6;
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8 ist
eine Draufsicht auf einen weiteren Herstellungsschritt des Magnetkopfs
der vorliegenden Erfindung;
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9 ist
eine Seitenansicht des in 8 abgebildeten
Herstellungsschritts entlang den Linien 9-9 von 8;
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10 ist
eine Draufsicht auf einen weiteren Herstellungsschritt des Magnetkopfs
der vorliegenden Erfindung;
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11 ist
ein Seitenquerschnitt des in 10 abgebildeten
Herstellungsschritts entlang den Linien 11-11 von 10;
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12 ist
eine Draufsicht auf einen weiteren Herstellungsschritt des Magnetkopfs
der vorliegenden Erfindung;
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13 ist
ein Seitenquerschnitt des in 12 abgebildeten
Herstellungsschritts entlang den Linien 13-13 von 12;
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14 ist
ein Seitenquerschnitt eines weiteren Herstellungsschritts des Magnetkopfs
der vorliegenden Erfindung entlang den Linien 13-13 von 12;
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15 ist
ein Seitenquerschnitt eines weiteren Herstellungsschritts des Magnetkopfs
der vorliegenden Erfindung entlang den Linien 13-13 von 12;
und
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16 ist
ein Seitenquerschnitt noch eines weiteren Herstellungsschritts des
Magnetkopfs der vorliegenden Erfindung entlang den Linien 13-13
von 12.
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Detaillierte
Beschreibung der bevorzugten Ausführungsformen
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1 ist
eine Draufsicht, welche bedeutende Komponenten eines Festplattenlaufwerks
darstellt, welches den Magnetkopf der vorliegenden Erfindung umfasst.
Das Festplattenlaufwerk 10 umfasst eine Magnetmedium-Festplatte 12,
die drehbar auf einer mit einem Motor bereitgestellten Spindel 14 angebracht
ist. Ein Aktuatorarm 16 ist drehbar im Inneren des Festplattenlaufwerks 10 mit
einem Magnetkopf 20 der vorliegenden Erfindung angebracht,
welcher auf einem distalen Ende 22 des Aktuatorarms 16 angeordnet
ist. Ein typisches Festplattenlaufwerk 10 kann eine Vielzahl
an Platten, die drehbar auf der Spindel 14 angebracht sind
und eine Vielzahl an Aktuatorarmen 16 mit einem auf dem
distalen Ende 22 der Akatuatorarme angebrachten Magnetkopf 20 umfassen.
Wie für
Fachleute auf diesem Gebiet ersichtlich, dreht sich, wenn das Festplattenlaufwerk 10 in Betrieb
ist, die Festplatte 12 auf der Spindel 14 und der
Magnetkopf 20 dient als luftgelagertes Gleitstück, das
zur Bewegung oberhalb der Oberfläche
der sich drehenden Platte angepasst ist. Das Gleitstück umfasst
eine Substratbasis, auf der die verschiedenen, den Magnetkopf bildenden Strukturen
hergestellt werden. Solche Köpfe
werden in großen
Mengen auf einem Wafersubstrat hergestellt und danach in einzelne
Magnetköpfe 20 geschnitten.
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Wie
Fachleuten auf dem Gebiet bekannt, umfassen die Herstellungsschritte
eines Magnetkopfes im Allgemeinen die Abscheidung und die Strukturierung
verschiedener Dünnfilmschichten,
um einen Lesekopf zu erzeugen, gefolgt von der weiteren Abscheidung
und Strukturierung verschiedener Dünnfilmschichten auf dem Lesekopf,
um einen Schreibkopf herzustellen. Die vorliegende Erfindung betrifft die
Herstellung eines Schreibkopfs und daher kann ein Magnetkopf der
vorliegenden Erfindung die meisten, wenn nicht alle, der verschiedenen
Lesekopfkonfigurationen umfassen, die Fachleuten auf dem Gebiet
bekannt sind. Eine detaillierte Beschreibung des Herstellungsverfahrens
der vorliegenden Erfindung kann daher an einem Punkt des Herstellungsverfahrens
des Magnetkopfs beginnen, an dem ein Lesekopf auf einem Wafersubstrat
erzeugt wurde, gefolgt von der Herstellung eines P1-Magnetpols und
einer Schreibspaltschicht. Solche Strukturen sind Fachleuten auf
dem Gebiet bekannt und eine detaillierte Beschreibung derselben
ist daher nicht notwendig, um eine detaillierte Beschreibung der
vorliegenden Erfindung darzulegen.
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Die 2 und 3 stellen
die ersten Schritte in der Herstellung einer P2-Polspitze des Magnetkopfs 20 der
vorliegenden Erfindung dar, worin 2 eine Draufsicht
und 3 eine Seitenquerschnittsansicht entlang den Linien
3-3 von 2 ist. Wie in den 2 und 3 abgebildet,
ist das Herstellungsverfahren bis zu dem Punkt der Herstellung eines
ersten Pols (P1) 30 auf der Isolierschicht (nicht abgebildet)
durchgeführt
worden, gefolgt von der Abscheidung einer Schreibspaltschicht 34 auf
dem P1-Pol 30.
Wie oben erläutert,
ist Fachleuten auf dem Gebiet die Herstellung eines Magnetkopfs
bis zu diesem Punkt wohlbekannt. Nach der Abscheidung der Schreibspaltschicht 34 erfolgt
die Herstellung eines Stücks
nichtleitfähigen
Materials 40 auf der Schreibspaltschicht. Das Materialstück 40 kann
auf verschiedene Arten erzeugt werden, wie etwa durch Abscheidung
eines Photoresists und photolithographischer Strukturierung und
der Entfernung von Abschnitten des Photoresists, so dass das Materialstück zurückbleibt.
Die wichtigen Merkmale des Materialstücks sind, dass dessen Höhe h der
gewünschten
Höhe der P2-Polspitze
entsprechen sollte, dass dessen Dicke t der gewünschten Dicke der P2-Polspitze
entsprechen sollte, dass das Stück 40 so
positioniert sein sollte, dass dessen Seitenwand 44 genau
oberhalb der P1-Polspitze an der gewünschten Position der P2-Polspitze
platziert wird und dass die Seitenwand 44 glatt und senkrecht
sein sollte. Danach wird, wie in den 2 und 3 zu
sehen, eine Keimschicht 50 zum Elektroplattieren der P2-Polspitze über der Oberfläche des
Wafers abgeschieden, welche bedeutsamerweise einen Keimschichtabschnitt 54 beinhaltet,
der zur Abdeckung der Seitenwand 44 abgeschieden ist. Die
Keimschicht 50 besteht vorzugsweise aus demselben Material
wie die Polspitze, wie etwa NiFe, und wird unter Verwendung einer
herkömmlichen
Sputterabscheidungs-Technik abgeschieden.
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Ein
weiterer Schritt in der Herstellung des Magnetkopfs der vorliegenden
Erfindung ist in den 4 und 5 dargestellt,
worin 4 eine Draufsicht und 5 eine Seitenquerschnittsansicht
entlang den Linien 5-5 von 4 ist. Wie
in den 4 und 5 dargestellt, folgt auf die
Abscheidung der Keimschicht die Abscheidung einer Photoresistschicht 60 oberhalb
der Keimschicht 50 und über
der Oberfläche
des Wafers. Danach wird unter Verwendung photolithographischer Verfahren
eine P2-Polspitzenvertiefung 64 photolithographisch
in der Photoresistschicht 60 ausgebildet. Bedeutsamerweise
ist die P2-Polspitzenvertiefung 64 so angeordnet, dass die
auf der Seitenwand 44 abgeschiedene Keimschicht 54 freiliegt.
Die Breite r der P2-Polspitzenvertiefung 64 ist
so gewählt,
dass diese eine ausreichende Breite zur Ermöglichung ungehinderter Elektroplattierung
der P2-Polspitze im Inneren der Vertiefung 64 aufweist,
wie als Nächstes
mithilfe der 6 und 7 beschrieben
wird, worin 6 eine Draufsicht auf den Elektroplattierungsschritt
und 7 eine Seitenquerschnittsansicht entlang den Linien 7-7
von 6 ist.
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Wie
in den 6 und 7 zu sehen, wird daraufhin das
P2-Polspitzenmaterial 70 auf der freiliegenden Keimschicht 50 unter
Verwendung herkömmlicher
Elektroplattierungsverfahren, wie Fachleuten auf dem Gebiet bekannt,
abgeschieden. Es ist wichtig, dass das P2-Polspitzenmaterial 70 außerhalb
des auf der Seitenwand 44 abgeschiedenen Keimschichtabschnitts 54 elektroplattiert
wird. Das bedeutet, dass die kritische Breitendimension der P2-Polspitze
nun durch die in Bezug zur Dicke der elektroplattierten Schicht
stehenden Elektroplattierungsparameter bestimmt wird, wie hierin
weiter unten näher
beschrieben wird. Die Breite der P2-Polspitze wird daher nicht durch
die Breite der P2-Polspitzenvertiefung bestimmt, wie dies im bekannten Stand
der Technik der Fall ist. Als Resultat daraus sind die mit Eingrenzungen
des Längen-
und Seitenverhältnisses
der P2-Polspitzenvertiefung im photolithographischen Verfahren in
Bezug stehenden Probleme nach bekanntem Stand der Technik nicht
mehr länger
von Bedeutung.
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Nach
dem Elektroplattierungsschritt wird der Photoresist 60,
vorzugsweise unter Verwendung eines nasschemischen Verfahrens, entfernt
und 8 stellt eine Draufsicht auf die nach der Photoresistentfernung
vorhandene Vorrichtung dar und 9 ist eine
Seitenquerschnittsansicht entlang den Linien 9-9 von 8,
welche gleichfalls die nach der Photoresistentfernung vorliegende
Vorrichtung abbildet. In einem darauffolgenden Schritt wird, wie
in den 8 und 9 zu sehen, die Keimschicht 50 vorzugsweise
unter Verwendung eines Ionenstrahlätz-Schritts, üblicherweise
Argon, entfernt, wie Fachleuten auf dem Gebiet bekannt. 10 ist
eine Draufsicht auf die nach der Entfernung der Keimschicht vorhandenen
Vorrichtung und 11 ist eine Seitenquerschnittsansicht
entlang der Linie 11-11 von 10, welche
die nach der Entfernung der Keimschicht vorliegende Vorrichtung
im Ionenätz-Schritt
darstellt. Unter Bezugnahme auf die 8, 9, 10 und 11 und
wie aus einem Vergleich der 9 und 11 besonders
gut erkennbar ist, wird der Ionenätz-Schritt für die Dauer
einer ausreichenden Zeitperiode durchgeführt, um den oberen, darüber gelagerten
Abschnitt 74 des elektroplattierten Polspitzenmaterials
und den unteren, darüber
gelagerten Abschnitt 78 des P2-Polspitzenmaterials zu entfernen,
so dass der verbleibende Abschnitt der P2-Polspitze 80 Abschnitte
der auf der Seitenwand 44 abgeschiedenen Keimschicht 54 und
das auf der Keimschicht 54 elektroplattierte P2-Polspitzenmaterial 88 umfasst.
Danach wird, wie in den 10 und 11 zu
sehen, das Resiststück 40 in
einem weiteren nasschemischen Verfahren entfernt, so dass nur die
P2-Polspitzenstruktur 80 auf der Schreibspaltoberfläche 34 zurückbleibt.
Nun ist deutlich erkennbar, dass die Breite W der P2-Polspitze 80 die
Dicke der auf der Seitenwand 44 abgeschiedenen Keimschicht 54 und
die Dicke des auf der Seitenwand-Keimschicht 54 elektroplattierten
Polspitzenmaterials 88 umfasst. Ferner er folgte, wie oben
angedeutet, die Bestimmung der Breite W der P2-Polspitze im Elektroplattierungsvorgang
durch die Auswahl der entsprechenden Parameter des Elektroplattierungsverfahrens,
anstatt durch die Breite der P2-Polspitzen-Plattierungsvertiefung 64.
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Wenn
die P2-Polspitze 80 auf der Waferoberfläche, wie in den 10 und 11 zu
sehen, hergestellt wurde, kann nun vorteilhafterweise ein P1-Einkerbungsvorgang
durchgeführt
werden. Wie für
Fachleute auf dem Gebiet ersichtlich, wird eine strukturierte Ionenätz-Maske
auf dem Wafersubstrat hergestellt, so dass die P2-Polspitze 80 und
daran angrenzende Abschnitte der Schreibspaltschicht zur Bearbeitung
mit einem Ionenätzstrahl
freiliegen. Wie in den 10 und 11 zu
sehen, wird die Ionenätzung
zum Entfernen von Abschnitten der an die P2-Polspitze 80 angrenzenden
Schreibspaltschicht 34 und zum Ätzen einer Nut 92 in
den P1-Pol 30 durchgeführt.
Wie Fachleuten auf dem Gebiet bekannt, verringert eine P1-Pol-Nutung
vorteilhafterweise die Nebeneffekte beim Schreiben eines Magnetkopfs.
Wenn eine Nutung des P1-Pols nicht gewünscht ist, kann das Materialstück 40 auf
der Schreibspaltschicht 34 zum Stützen der P2-Polspitze 80 verbleiben
und es kann mit der Herstellung der Induktionsspule (im Folgenden
beschrieben) begonnen werden.
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Wie
als Nächstes
in den 12 bis 16 dargestellt,
werden danach Herstellungsschritte zur Fertigstellung der Herstellung
des Magnetkopfes durchgeführt,
wie sie Fachleuten auf dem Gebiet bekannt sind. Daher wird, wie
in den 12 und 13 dargestellt,
worin 12 eine Draufsicht auf den Kopf
und 13 ein Seitenquerschnitt entlang den Linien 13-13
von 12 ist, eine Induktionsspule auf der Waferoberfläche durch
photolithographische Verfahren hergestellt, um eine Induktionsspulenvertiefung 100 im
Inneren einer Isolierschicht 104 zu erzeugen, gefolgt von
Elektroplattierungsverfahren zur Elektroplattierung der Induktionsspule 108,
welche üblicherweise
aus Kupfer besteht, in die Induktionsspulenvertiefung 100 hinein.
Wie in 12 zu sehen, befindet sich daher
die Induktionsspulenvertiefung direkt oberhalb der zuvor erzeugten
P2-Polspitze 80. Als Alternative dazu, kann, wie Fachleuten
auf dem Gebiet bekannt ist, eine Induktionsspule unter Verwendung
einer geeigneten dielektrischen Materialschicht und eines reaktiven
Ionenätz-Vorgangs
zur Erzeugung der Induktionsspulenvertiefung hergestellt werden,
gefolgt von der Elektroplattierung der Induktionsspulenvertiefung
darin. Wie dann in 14 abgebildet, wird ein chemisch-mechanisches Polieren
(CMP) zum Entfernen überschüssigen Induktionspulenmaterials
und zum Erhalt einer planaren Oberfläche 112 auf dem Wafer
durchgeführt.
Bezeichnenderweise wird die Isolierschicht 116 nicht auf
der oberen Oberfläche
der P2-Polspitze 80 abgeschieden. Als Nächstes wird in 15 ein
weiteres Magnetopolstück 120 (manchmal
auch als P2-Poljoch oder als P3-Pol bezeichnet) auf der Oberfläche der
Isolierschicht und in magnetischer Verbindung mit der P2-Polspitze 80 hergestellt.
Der P3-Pol 120 wird vorzugsweise unter Verwendung photolithographischer
und elektroplattierender Verfahren hergestellt, die Fachleuten auf
dem Gebiet wohlbekannt sind. Wie in 15 zu
sehen, wird der P3-Pol vorzugsweise auf der P2-Polspitze erzeugt,
so dass ein Spalt 124 zwischen der Endoberfläche 132 der P2-Polspitze 80 bereitgestellt
wird. Wenn die Herstellungsschritte des Waferlevels beendet sind,
wird der Wafer zur Erzeugung von Magnetkopfreihen geschnitten. Wie
in 16 abgebildet, wird dann die Luftlagerfläche (ABS) 148 hergestellt,
so dass der Spalt 124 weiter besteht. Danach werden weitere Herstellungsschritte
des Magnetkopfs durchgeführt, wie
sie Fachleuten auf dem Gebiet bekannt sind, und die Einkapselungsschicht 140 wird
schließlich
auf der Vorrichtung erzeugt. Ferner werden dann Herstellungsschritte,
wie sie Fachleuten auf dem Gebiet wohlbekannt sind, durchgeführt, um
die Herstellung des Magnetkopfs 20 der vorliegenden Erfindung
fertigzustellen.
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Es
ist daher ersichtlich, dass es ein wichtiges Merkmal der vorliegenden
Erfindung ist, dass die Breite W der P2-Polspitze 80 während des
Elektroplattierungsschritts durch die Abscheidung des P2-Polspitzenmaterials 88 auf
der Seitenwand-Keimschicht 54 bestimmt
wird. Daher wird durch die gegenständliche Erfindung eine P2-Polspitze 80 erzeugt,
worin die Breite W durch die Dicke der Seitenwand-Keimschicht 54 plus
der Dicke der darauf elektroplattierten Materialschicht 88 bestimmt
wird. Eine P2-Polspitze 80 der vorliegenden Erfindung kann beispielsweise
erzeugt werden, worin die Dicke der Seitenwand-Keimschicht etwa
50 Å bis
500 Å und
die Dicke des Elektroplattierungsmaterials etwa 100 Å bis etwa
5000 Å beträgt, so dass
die Breite W der P2-Polspitze ungefähr 150 Å bis 5500 Å ist. In der bevor zugten Ausführungsform
weist die Dicke der Keimschicht etwa 250 Å und die Dicke des Elektroplattierungsmaterials
ungefähr
1500 Å auf,
so dass die Breite W der P2-Polspitze
etwa 1750 Å beträgt. Die
Dickendimension t der P2-Polspitze 80 wird durch die Dicke
t der abgeschiedenen Seitenwand geregelt, wobei während der
Nutung des P1-Pols, wenn diese durchgeführt wird, wenig Material von
der Spitze der P2-Polspitze
entfernt wird. Wie für
Fachleute auf dem Gebiet verständlich,
wird daher die Breite W der P2-Polspitze 80 der vorliegenden
Erfindung durch den Elektroplattierungsschritt des Magnetkopfs geregelt
und nicht durch die Probleme aufgrund des photolithographischen
Längen-
und Seitenverhältnisses,
welche im bekannten Stand der Technik auftretenden. Die Probleme
der P2-Polspitzenherstellung nach bekanntem Stand der Technik, welche
in Bezug auf das Längen-
und Seitenverhältnis
einer anhand photolithographischer Verfahren erzeugten P2-Polspitzenvertiefung
auftreten, konnten somit überwunden
werden.
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Während die
vorliegende Erfindung hinsichtlich bestimmter, bevorzugter Ausführungsformen
beschrieben und dargestellt wurde, ist es ersichtlich, dass Fachleute
auf dem Gebiet bestimmte Abänderungen
und Modifikationen vornehmen sowie Form und Details weiterentwickeln
können.