DE69133564T2 - Vakuumbehandlungsvorrichtung und Arbeitsverfahren dafür - Google Patents
Vakuumbehandlungsvorrichtung und Arbeitsverfahren dafür Download PDFInfo
- Publication number
- DE69133564T2 DE69133564T2 DE69133564T DE69133564T DE69133564T2 DE 69133564 T2 DE69133564 T2 DE 69133564T2 DE 69133564 T DE69133564 T DE 69133564T DE 69133564 T DE69133564 T DE 69133564T DE 69133564 T2 DE69133564 T2 DE 69133564T2
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- substrates
- cassette
- chamber
- vacuum
- dummy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67748—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J3/00—Processes of utilising sub-atmospheric or super-atmospheric pressure to effect chemical or physical change of matter; Apparatus therefor
- B01J3/006—Processes utilising sub-atmospheric pressure; Apparatus therefor
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/315—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
- B41J2/32—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
- B41J2/35—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads providing current or voltage to the thermal head
- B41J2/355—Control circuits for heating-element selection
- B41J2/36—Print density control
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B41—PRINTING; LINING MACHINES; TYPEWRITERS; STAMPS
- B41J—TYPEWRITERS; SELECTIVE PRINTING MECHANISMS, i.e. MECHANISMS PRINTING OTHERWISE THAN FROM A FORME; CORRECTION OF TYPOGRAPHICAL ERRORS
- B41J2/00—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed
- B41J2/315—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material
- B41J2/32—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads
- B41J2/35—Typewriters or selective printing mechanisms characterised by the printing or marking process for which they are designed characterised by selective application of heat to a heat sensitive printing or impression-transfer material using thermal heads providing current or voltage to the thermal head
- B41J2/355—Control circuits for heating-element selection
- B41J2/36—Print density control
- B41J2/365—Print density control by compensation for variation in temperature
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
- H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
- H01L21/67167—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers surrounding a central transfer chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
- H01L21/67253—Process monitoring, e.g. flow or thickness monitoring
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67703—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
- H01L21/67736—Loading to or unloading from a conveyor
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S134/00—Cleaning and liquid contact with solids
- Y10S134/902—Semiconductor wafer
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S414/00—Material or article handling
- Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
- Y10S414/137—Associated with semiconductor wafer handling including means for charging or discharging wafer cassette
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S414/00—Material or article handling
- Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
- Y10S414/139—Associated with semiconductor wafer handling including wafer charging or discharging means for vacuum chamber
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S414/00—Material or article handling
- Y10S414/135—Associated with semiconductor wafer handling
- Y10S414/14—Wafer cassette transporting
Description
- HINTERGRUND DER ERFINDUNG
- Gebiet der Erfindung
- Die Erfindung betrifft eine Vakuumbehandlungsvorrichtung und ein Arbeitsverfahren dafür zum Betreiben einer Vakuumbearbeitungsvorrichtung. Genauer gesagt, betrifft die Erfindung eine Vakuumbearbeitungsvorrichtung mit Vakuumbearbeitungskammern, deren Inneres gereinigt werden muss, und ein Betriebsverfahren dieser Vorrichtung.
- Beschreibung des Stands der Technik
- In einer Vakuumbearbeitungsvorrichtung wie einer Trockenätzvorrichtung, einer CVD-Vorrichtung oder einer Sputtervorrichtung wird eine vorbestimmte Anzahl zu behandelnder Substrate als eine Einheit (die im Allgemeinen als "Los" bezeichnet wird) in einer Substratkassette gespeichert und in die Vorrichtung geladen. Die Substrate werden nach der Bearbeitung in ähnlicher Weise in derselben Einheit in der Substratkassette gespeichert und entnommen. Dies ist ein normales Verfahren zum Betreiben dieser Vorrichtungen zum Verbessern der Produktivität.
- Bei derartigen Vakuumbearbeitungsvorrichtungen, wie sie oben beschrieben sind, insbesondere bei einer Vorrichtung unter Verwendung einer Reaktion durch ein aktives Gas, wie typischerweise einer Trockenätzvorrichtung und einer CVD-Vorrichtung, haften Reaktionsprodukte mit fortschreitender Bearbeitung an einer Vakuumbearbeitungskammer an und werden dort abgelagert. Aus diesem Grund treten Probleme wie eine Beeinträchtigung der Vakuumfunktion, eine Zunahme kleinster Teilchen und ein Abfall der Pegel optischer Überwachungssignale auf. Um diese Probleme zu lösen, wird herkömmlicherweise das Innere der Vakuumbearbeitungskammern periodisch gereinigt. Zu Reinigungsvorgängen gehören die sogenannte "Nassreinigung", bei der es sich um ein Abwischen der anhaftenden Substanzen unter Verwendung eines organischen Lösungsmittels usw. handelt, und die sogenannte "Trockenreinigung", bei dem ein aktives Gas oder ein Plasma dazu verwendet wird, anhaftende Substanzen zu zersetzen. Trockenreinigung ist aus dem Gesichtspunkt des Arbeitsfaktors und der Effizienz überlegen. Diese Merkmale der Trockenreinigung wurden mit fortschreitender Automatisierung von Produktionslinien wesentlich.
- Ein Beispiel für Vakuumbearbeitungsvorrichtungen mit einer derartigen Trockenreinigungsfunktion ist in der japanischen Gebrauchsoffenlegung Nr. 127125/1988 offenbart. Diese Vorrichtung verfügt über eine Vor-Vakuumkammer zum Einführen zu behandelnder Wafer in eine Bearbeitungskammer von einer Atmosphärenseite zu einer Vakuumseite, die angrenzend an die Bearbeitungskammer vorhanden ist, durch eine Schleuse. In die Vor-Vakuumkammer wird ein Dummy-Wafer geladen, und dieser wird durch eine spezielle Fördereinrichtung in die Bearbeitungskammer transferiert, bevor diese der Trockenreinigung unterzogen wird, und der Dummy-Wafer wird durch die Fördereinrichtung zur Vor-Vakuumkammer zurücktransportiert, nachdem die Trockenreinigung abgeschlossen ist.
- EP-A-308274 beschreibt eine Vakuumbearbeitungsvorrichtung zur Sputter-Beschichtung, in der Kassetten mit zu bearbeitenden Wafern in einer kontrollierten Atmosphäre gehalten werden. Eine Waferhandhabungsanordnung transferiert die Wafer zu einer Lade-Schleusenkammer, von wo sie durch einen Greifarm in eine Vakuumbearbeitungskammer für mehrere Verarbeitungsmodule transferiert werden. Nach der Bearbeitung werden die Wafer in eine Entlade-Schleusenkammer transferiert.
- ZUSAMMENFASSUNG DER ERFINDUNG
- Bei der oben beschriebenen bekannten Technik sind keine erheblichen Überlegungen zur Struktur der Vakuumbearbeitungsvorrichtung angestellt. Die Vor-Vakuumkammer zum Speichern der Dummy-Wafer muss über ein großes Fassungsvermögen verfügen, und die spezielle Fördereinrichtung ist zum Transferieren der Dummy-Wafer erforderlich, weswegen die Struktur der Vorrichtung kompliziert ist.
- Zur Plasmareinigung verwendete Dummy-Wafer werden erneut zur Vor-Vakuumkammer zurücktransportiert, und sie warten dort. In diesem Fall haften Reaktionsprodukte, wie sie während der Plasmareinigung erzeugt werden, und zur Plasmareinigung verwendetes Restgas an den verwendeten Dummy-Wafern an. Anschließend wird die normale Bearbeitung für Wafer wieder aufgenommen. Daher existieren die verwendeten Dummy-Wafer und nicht bearbeitete Wafer gemischt innerhalb der Vor-Vakuumkammer, und dieser Zustand ist aus dem Gesichtspunkt einer Verunreinigung der nicht bearbeiteten Wafer nicht wünschenswert.
- Durch die Erfindung ist eine Vakuumbearbeitungsvorrichtung geschaffen, die die oben beschriebenen Probleme löst, einfach aufgebaut ist und das eine Verunreinigung nicht bearbeiteter Substrate verhindern kann und eine hohe Produktionsausbeute erzielt.
- Erfindungsgemäß wird eine durch den Anspruch 1 definierte Vakuumbearbeitungsvorrichtung geschaffen.
- Ferner wird ein durch den Anspruch 2 definiertes Betriebsverfahren einer Vakuumbearbeitungsvorrichtung geschaffen.
- KURZE BESCHREIBUNG DER ZEICHNUNGEN
-
1 ist eine Draufsicht einer Trockenätzvorrichtung, als Ausführungsform einer Vakuumbearbeitungsvorrichtung gemäß der Erfindung; und -
2 ist ein Vertikalschnitt entlang einer Linie 1-1 in der1 . - BESCHREIBUNG DER BEVORZUGTEN AUSFÜHRUNGSFORMEN
- Wenn zu bearbeitende Substrate in einer Vakuumbearbeitungsvorrichtung bearbeitet werden, haften Reaktionsprodukte an Vakuumbearbeitungskammern an und werden in diesen abgeschieden. Die in den Vakuumbearbeitungskammern anhaftenden und abgeschiedenen Reaktionsprodukte werden dadurch beseitigt, dass Dummy-Wafer im Inneren der Vakuumbearbeitungskammern angebracht werden und eine Trockenreinigung ausgeführt wird. Um eine Trockenreinigung auszuführen, werden die Zeitabfolgen für die Trockenreinigung der Vakuumbearbeitungskammern bestimmt, und während oder nach der Bearbeitung einer vorbestimmten Anzahl zu bearbeitender Substrate werden Dummy-Substrate durch eine Substratfördereinrichtung von einer an der Luftatmosphäre angeordneten Dummy-Substrat-Speichereinrichtung gemeinsam mit einer Bearbeitungssubstrat-Speichereinrichtung transportiert und dann innerhalb der Vakuumbearbeitungskammern angeordnet. Nachdem die Dummy-Substrate auf diese Weise angeordnet wurden, wird innerhalb der Vakuumbearbeitungskammer ein Plasma erzeugt, um innerhalb derselben eine Trockenreinigung auszuführen. Nachdem die Trockenreinigung im Inneren der Vakuumbearbeitungskammern abgeschlossen ist, werden die Dummy-Substrate von den Vakuumbearbeitungskammern durch die Substratfördereinrichtung zur Dummy-Substrat-Speichereinrichtung zurückgeliefert. Auf diese Weise werden eine Vor-Vakuumkammer und ein spezieller Transportmechanismus, wie sie beide bei bekannten Techniken erforderlich sind, überflüssig, und die Vorrichtungsstruktur wird einfacher. Die für die Trockenreinigung verwendeten Dummy-Substrate und die zu bearbeitenden Substrate sind nicht gemeinsam in derselben Kammer vorhanden, so dass eine Verunreinigung zu bearbeitender Substrate durch feinste Teilchen und Restgas verhindert ist und eine hohe Produktionsausbeute erzielt werden kann.
- Nachfolgend wird unter Bezugnahme auf die
1 und2 ein die Erfindung realisierendes Ausführungsbeispiel erläutert. - Die
1 und2 zeigen eine erfindungsgemäße Vakuumbearbeitungsvorrichtung, die in diesem Fall eine Trockenätzvorrichtung zum Ätzen von Wafern, d.h. von durch ein Plasma zu bearbeitenden Substraten, ist. - Kassettentische
2a bis2c sind an solchen Positionen angeordnet, in diesem Fall L-förmig, dass sie in die Vorrichtung geladen und aus ihr entladen werden können, ohne ihre Positionen und Stellungen zu ändern. Anders gesagt, sind die Kassetten1a bis1c immer an vorbestimmten Positionen auf einer im Wesentlichen horizontalen Ebene fixiert, während die Kassettentische2a und2b angrenzend an eine der Seiten der L-Form und parallel zueinander angeordnet sind. Der Kassettentisch2c ist an der anderen Seite der L-Form angeordnet. Die Kassettentische1a und1b dienen zum Speichern nicht bearbeiteter Wafer und zum Wiederaufnehmen der bearbeiteten Wafer. Sie können mehrere (im Allgemeinen25 ) Wafer20 als zu behandelnde Substrate aufnehmen. Die Kassette1c dient in diesem Fall zum Speichern der Dummy-Wafer zum Ausführen einer Trockenreinigung unter Verwendung eines Plasmas (nachfolgend als "Plasmareinigung" bezeichnet) und zum Wiederaufnehmen der Dummy-Wafer nach der Plasmareinigung. Sie kann mehrere (im Allgemeinen25 ) Dummy-Wafer30 speichern. - Eine Lade-Schleusenkammer
5 und eine Entlade-Schleusenkammer6 sind so angeordnet, dass sie den Kassettentischen2a und2b zugewandt sind, und zwischen den Kassettentischen2a ,2b und der Lade-Schleusenkammer5 sowie der Entlade-Schleusenkammer6 ist eine Fördereinrichtung13 angeordnet. Die Lade-Schleusenkammer5 ist mit einer Abpumpvorrichtung3 und einer Gaseinlassvorrichtung4 versehen, und sie kann unbearbeitete Wafer durch einen Schleusenschieber12a in die Vakuumvorrichtung laden. Die Entlade-Schleusenkammer6 ist in ähnlicher Weise mit der Abpumpvorrichtung3 und der Gaseinlassvorrichtung4 versehen, und sie kann bearbeitete Wafer durch einen Schleusenschieber12d zur Atmosphäre entnehmen. Die Fördereinrichtung13 ist mit einem Roboter mit X-, Y-, Z- und θ-Achsen versehen, und sie arbeitet so, dass sie die Wafer20 zwischen den Kassetten1a ,1b und der Lade-Schleusenkammer5 sowie der Entlade-Schleusenkammer6 und außerdem die Dummy-Wafer25 zwischen der Kassette1c und der Lade-Schleusenkammer5 sowie der Entlade-Schleusenkammer6 transportiert und aufnimmt. - Die Lade-Schleusenkammer
5 und die Entlade-Schleusenkammer6 sind über die Schleusenschieber12b und12c mit einer Transferkammer16 verbunden. Die Transferkammer16 ist in diesem Fall rechteckig, und an den drei Seitenwänden derselben sind über Schleusenschieber15a ,15b bzw.15c Ätzkammern11a ,11b bzw.11c angeordnet. Innerhalb der Transferkammer16 ist eine Fördereinrichtung14 angeordnet, die die Wafer20 oder die Dummy-Wafer30 von der Lade-Schleusenkammer5 zu den Ätzkammern11a ,11b ,11c liefern kann, und die sie von diesen zur Entlade-Schleusenkammer6 liefern kann. Die Transferkammer16 ist mit einer Abpumpvorrichtung17 versehen, die ein unabhängiges Abpumpen ausführen kann. - Die Ätzkammern
11a ,11b ,11c verfügen über dieselbe Struktur, und sie können dieselbe Bearbeitung ausführen. Nun erfolgt beispielhaft eine Erläuterung zur Ätzkammer11b . Die Ätzkammer11b verfügt über einen Probentisch8b , auf dem die Wafer20 platzierbar sind, und eine Entladungskammer ist so vorhanden, dass sie einen Entladungsabschnitt7b über dem Probentisch8b bildet. Die Ätzkammer11b verfügt über eine Gaseinlassvorrichtung10b zum Einlassen eines Bearbeitungsgases in den Entladungsabschnitt7b und eine Abpumpvorrichtung9b zum Absenken des Innendrucks in der Ätzkammer11b auf einen vorbestimmten Druck. Die Ätzkammer11b verfügt ferner über eine Erzeugungseinrichtung zum Erzeugen einer Mikrowelle und eines Magnetfelds zum Wandeln von Bearbeitungsgas im Entladungsabschnitt7b in Plasma. - In einem oberen Teil der Ätzkammer ist ein Sensor
18 zum Messen der Intensität von Plasmalicht angebracht. Der Messwert des Sensors18 wird in eine Steuerungseinheit19 eingegeben. Die Steuerungseinheit19 vergleicht den Messwert vom Sensor18 mit einem vorbestimmten Wert, und sie ermittelt den Zeitpunkt für die Reinigung im inneren der Ätzkammer. Die Steuerungseinheit19 steuert die Fördereinrichtungen13 und14 zum Kontrollieren des Transfers der Dummy-Wafer30 zwischen der Kassette1c und den Ätzkammern11a bis11c . - In der Vakuumbearbeitungsvorrichtung mit der oben beschriebenen Konstruktion werden als Erstes die nicht bearbeitete Wafer speichernden Kassetten
1a ,1b durch einen linearen Transferroboter, der auf Grundlage der von einer Hoststeuervorrichtung gelieferten Daten, oder durch eine Bediener arbeitet, auf den Kassettentischen2a ,2b platziert. Andererseits wird die die Dummy-Wafer speichernde Kassette1c auf dem Kassettentisch2c platziert. Die Vakuumbearbeitungsvorrichtung führt die Waferbearbeitung oder die Plasmareinigung auf Grundlage einer von ihr selbst ausgeführten Erkennung der Produktionsdaten, wie sie an den Kassetten1a bis1c vorhanden sind, der von der Hoststeuervorrichtung gelieferten Daten oder des durch einen Bediener eingegebenen Befehls aus. - Beispielsweise werden die Wafer
20 sequentiell der Reihe nach von oben her durch die Fördereinrichtungen13 und14 in die Ätzkammern11a ,11b ,11c geladen, und sie werden geätzt. Die geätzten Wafer werden durch die Fördereinrichtungen14 und13 an ihren ur sprünglichen Positionen im Inneren der Kassette1a gespeichert. In diesem Fall werden, ab dem Beginn bis zum Ende des Vorgangs, ohne dass die Position und die Stellung der Kassetten geändert würden, die unbearbeiteten Wafer den Kassetten entnommen, und sie werden an ihre ursprünglichen Positionen zurückgeliefert, an denen sie gespeichert werden, und sie werden dort gespeichert. Auf diese Weise kann die Vorrichtung leicht der Automatisierung der Produktionslinie gerecht werden, eine Verschmutzung der Wafer durch kleinste Teilchen kann verringert werden, und so können eine hohe Herstelleffizienz und eine hohe Herstellausbeute bewerkstelligt werden. - Wenn das Ätzen wiederholt wird, haften die Reaktionsprodukte an der Innenwand der Ätzkammern
11a bis11c an und werden dort abgelagert. Daher muss der ursprüngliche Zustand dadurch wiederhergestellt werden, dass die anhaftenden Substanzen durch Plasmareinigen entfernt werden. Die Steuerungseinheit19 beurteilt den Zeitpunkt dieser Plasmareinigung. In diesem Fall ist in jeder der Ätzkammern11a bis11c ein Abschnitt vorhanden, durch den das Plasmalicht läuft. Der Sensor18 misst die Intensität des durch diesen Abschnitt laufenden Plasmalichts, und wenn der Messwert einen vorbestimmten Wert erreicht, wird beurteilt, dass der Startzeitpunkt für die Plasmareinigung vorliegt. Alternativ kann der Zeitpunkt für die Plasmareinigung dadurch beurteilt werden, dass durch die Steuerungseinheit19 die Anzahl der in jeder Ätzkammer bearbeiteten Wafer gezählt wird und der Zeitpunkt beurteilt wird, zu dem dieser Wert einen vorbestimmten Wert erreicht. Der tatsächliche Zeitpunkt der auszuführenden Plasmareinigung kann während der Bearbeitung einer vorbestimmten Anzahl von Wafern in der Kassette1a oder1b , nach Abschluss der Bearbeitung aller Wafer20 in einer Kassette und vor der Bearbeitung von Wafern in der nächsten Kassette liegen. - Plasmareinigung wird mit der folgenden Abfolge ausgeführt. In diesem Fall erfolgt die Erläuterung für den Fall, dass die Ätzkammern
11a bis11c einer Plasmareinigung unter Verwendung von drei Dummy-Wafern30 unter den in der Kassette1c gespeicherten Dummy-Wafern30 (in diesem Fall sind 25 Dummy-Wafer gespeichert) zu unterziehen sind. - Dummy-Wafer
30 , die in der Kassette1c gespeichert sind und noch nicht verwendet wurden, oder die verwendet werden können, da die Benutzungshäufigkeit zur Plasmareinigung unter einer vorbestimmten Zahl liegt, werden durch die Fördereinrichtung13 herausgezogen. Dabei können an beliebigen Positionen in der Kassette1c gespeicherte Dummy-Wafer30 verwendet werden, jedoch werden im vorliegenden Fall die Positionsnummern der Dummy-Wafer in der Kassette und ihre Benutzungshäufigkeiten in der Steuerungseinheit19 abgespeichert, und demgemäß werden vorzugsweise Dummy-Wafer mit kleineren Be nutzungshäufigkeiten herausgezogen. Dann wird ein Dummy-Wafer30 durch die Fördereinrichtung13 durch den Schleusenschieber12a auf dieselbe Weise wie beim Transfer beim Ätzen von Wafern20 in die Lade-Schleusenkammer5 geladen, die auf der der Kassette1a gegenüberliegenden Seite angeordnet ist. Nachdem den Schleusenschieber12a geschlossen wurde, wird die Lade-Schleusenkammer5 durch die Vakuumabpumpvorrichtung3 auf einen vorbestimmten Druck evakuiert, und dann werden die Schleusenschieber5b und15a geöffnet. Der Dummy-Wafer30 wird durch die Fördereinrichtung14 von der Lade-Schleusenkammer5 durch die Transferkammer16 zur Ätzkammer11a transferiert, und er wird auf dem Probentisch8a platziert. Nachdem der Schleusenschieber15a geschlossen wurde, wird in der Ätzkammer11a , in der der Dummy-Wafer30 angeordnet ist, eine Plasmareinigung unter vorbestimmten Bedingungen ausgeführt. - Inzwischen werden die Schleusenschieber
12a ,12b geschlossen und der Druck in der Lade-Schleusenkammer5 wird durch die Gaseinlassvorrichtung4 auf den Atmosphärendruck zurückgebracht. Als Nächstes wird der Schleusenschieber12a geöffnet, und der zweite Dummy-Wafer30 wird durch die Fördereinrichtung13 auf dieselbe Weise wie der erste Dummy-Wafer30 in die Lade-Schleusenkammer5 geladen, und durch die Abpumpvorrichtung3 erfolgt erneut ein Abpumpen auf einen vorbestimmten Druck, nachdem der Schleusenschieber12a geschlossen wurde. Danach werden die Schleusenschieber12b und15b geöffnet, und der zweite Dummy-Wafer30 wird durch die Fördereinrichtung13 von der Lade-Schleusenkammer5 durch die Transferkammer16 zur Ätzkammer11b transferiert. Nach dem Schließen des Schleusenschiebers15b wird die Plasmareinigung gestartet. - Inzwischen wird der dritte Dummy-Wafer
30 auf dieselbe Weise wie der zweite Dummy-Wafer30 in die Ätzkammer11c transferiert, und es wird eine Plasmareinigung ausgeführt. - Nachdem die Plasmareinigung in der Ätzkammer
11a abgeschlossen ist, in der der erste Dummy-Wafer30 platziert ist, werden die Schleusenschieber15a und12c geöffnet. Der verwendete Dummy-Wafer30 wird durch die Fördereinrichtung14 von der Ätzkammer11a zur Entlade-Schleusenkammer6 transferiert. Dann wird der Schleusenschieber12c geschlossen. Nachdem der Druck in der Entlade-Schleusenkammer6 durch die Gaseinlassvorrichtung4 auf den Atmosphärendruck zurückgebracht wurde, wird der Schleusenschieber12d geöffnet. Der zur Entlade-Schleusenkammer6 transferierte, benutzte Dummy-Wafer30 wird mittels der Fördereinrichtung13 durch den Schleusenschieber12d an die Luft entnommen, und er wird an seine ursprüngliche Position in der Kassette1c , an der er zu Beginn gespeichert war, zurückgebracht. - Wenn die Plasmareinigung der Ätzkammern
11b und11c abgeschlossen ist, werden der zweite und der dritte Dummy-Wafer30 an ihre ursprünglichen Positionen in der Kassette1c zurückgebracht. - Auf diese Weise werden die verwendeten Dummy-Wafer
30 an ihre ursprünglichen Positionen in der Kassette1c zurückgebracht, und sie sind immer in der Kassette1c aufgestapelt. Wenn alle Dummy-Wafer30 in der Kassette1c zur Plasmareinigung verwendet wurden, oder wenn die Benutzungshäufigkeiten der Wafer30 nach wiederholter Benutzung die vorbestimmten Zahlen erreichen, werden die Dummy-Wafer30 insgesamt mit der Kassette1c ersetzt. Der Zeitpunkt für diesen Austausch der Kassette wird durch die Steuerungseinheit19 verwaltet, und der Austausch wird der Hoststeuerungsvorrichtung zum Steuern des linearen Transferroboters oder an den Bediener angewiesen. - Obwohl die obige Erläuterung den Fall behandelt, dass die Ätzkammern
11a bis11c unter Verwendung von drei Dummy-Wafern30 unter den Dummy-Wafern30 in der Kassette1c kontinuierlich durch Plasma gereinigt werden, können auch andere Bearbeitungsverfahren verwendet werden. - Beispielsweise werden die Ätzkammern
11a bis11c unter Verwendung eines Dummy-Wafers30 sequentiell durch Plasma gereinigt. Bei einer derartigen Plasmareinigung können unbearbeitete Wafer20 in anderen Ätzkammern als derjenigen, die der Plasmareinigung unterzogen wird, geätzt werden, und so kann die Plasmareinigung ausgeführt werden, ohne das Ätzen zu unterbrechen. - Wenn die Bearbeitungskammern verschieden sind, wenn beispielsweise eine Ätzkammer, eine Nachbearbeitungskammer und eine Filmbildungskammer vorliegen, und wenn Wafer sequentiell bearbeitet werden, während sie durch jede dieser Bearbeitungskammern laufen, kann jede derselben der Plasmareinigung dadurch in geeigneter Weise unterzogen werden, dass Dummy-Wafer
30 während der Bearbeitung der Wafer20 , die in der Kassette1a oder2a gespeichert sind und sequentiell herausgezogen und zugeführt werden, dadurch geliefert werden, dass sie einfach die Bearbeitungskammern durchlaufen, für die keine Plasmareinigung erforderlich ist, wobei die Plasmareinigung nur dann ausgeführt wird, wenn die Dummy-Wafer30 diejenigen Bearbeitungskammern erreichen, die eine Plasmareinigung benötigen. - Gemäß dem oben beschriebenen Ausführungsbeispiel werden die die Dummy-Wafer speichernde Kassette und die die zu bearbeitenden Wafer speichernden Kassetten gemeinsam an Luft angeordnet, die Dummy-Wafer werden von der Kassette durch dieselbe Fördereinrichtung wie diejenige zum Transferieren der Wafer in die Vorrichtung geladen, wenn ein Reinigungsvorgang auszuführen ist, und die verwendeten Dummy-Wafer werden an ihre ursprünglichen Positionen in der Kassette zurückgebracht. Auf diese Weise muss kein Mechanismus zum ausschließlichen Ausführen einer Plasmareinigung vorhanden sein, und die Konstruktion der Vorrichtung kann vereinfacht werden. Es ist nicht erforderlich, die Plasmareinigung als spezielle Bearbeitungsabfolge auszuführen, sondern sie kann in eine normale Ätzbearbeitung eingeschlossen werden und effizient in einer Reihe von Vorgängen ausgeführt werden.
- Die zur Plasmareinigung verwendeten Dummy-Wafer werden an ihre ursprünglichen Positionen in der an der Luft platzierten Kassette zurückgebracht. Demgemäß existieren keine verwendeten Dummy-Wafer und Wafer vor und nach der Bearbeitung gemischt in der Vakuumkammer, so dass keine Verunreinigung von Wafern durch kleinste Teilchen und Restgas auftritt, abweichend von herkömmlichen Vorrichtungen.
- Die verwendeten Dummy-Wafer werden an ihre ursprünglichen Positionen in der Kassette zurückgebracht, und ihre Benutzungshäufigkeiten werden verwaltet. Demgemäß ist es möglich, ein Verwechseln benutzter Dummy-Wafer mit unbenutzten Dummy-Wafern sowie eine Verwechslung von Dummy-Wafern mit kleinen Benutzungshäufigkeiten mit solchen mit großen Benutzungshäufigkeiten zu verhindern. Aus diesen Gründen können die Dummy-Wafer auf effektive Weise ohne jedes Problem verwendet werden, wenn eine Plasmareinigung ausgeführt wird.
- Ferner kann die erfindungsgemäße Vorrichtung über mehrere Bearbeitungskammern verfügen, und sie kann Wafer und Dummy-Wafer mit derselben Fördereinrichtung transferieren. Da eine Plasmareinigung durch Verwalten des Reinigungszeitpunkts jeder Bearbeitungskammer durch die Steuerungseinheit ausgeführt werden kann, kann der Reinigungszyklus wahlfrei eingestellt werden, eine Trockenreinigung kann ohne Unterbrechung des Bearbeitungsablaufs ausgeführt werden, die Bearbeitung kann effizient erfolgen, und die Produktivität kann verbessert werden.
- Wie oben beschrieben, existieren erfindungsgemäße Effekte dahingehend, dass der Aufbau der Vorrichtung einfach ist, die zu bearbeitenden Substrate frei von Verschmutzung sind und die Produktionsausbeute hoch ist.
Claims (2)
- Vakuumbearbeitungsgerät mit: einem ersten Kassettentisch (
2a ,2b ) zum Halten einer ersten Kassette (1a ,1b ), in der die zu bearbeitenden Substrate (20 ) gelagert sind, in Luft; einem zweiten Kassettentisch (2c ) zum Halten einer zweiten Kassette (1c ), in der Dummy-Substrate (30 ) gelagert sind, in Luft; mehreren Vakuumbearbeitungskammern (11a ,1b ,11c ), die jeweils einen Probentisch (8a ,8b ,8c ) aufweisen, auf den während der Bearbeitung eines der Substrate (20 ) oder der Dummy-Substrate (30 ) gelegt wird; einer Lade-Schleusenkammer (5 ), einer Entlade-Schleusenkammer (6 ) und einer Abpumpeinrichtung (3 ) dafür; einer Vakuumtransferkammer (16 ) und einer Abpumpeinrichtung (17 ) dafür; einer ersten Fördereinrichtung (13 ), um die Substrate (20 ) und die Dummy-Substrate (30 ) nacheinander zwischen den ersten und zweiten Kassetten (1a ,1b ,1c ) und den Lade- und Entlade-Schleusenkammern (5 ,6 ) zu transferieren; einer zweiten Fördereinrichtung (14 ) in der Vakuumtransferkammer (16 ), um die Substrate (20 ) und die Dummy-Substrate (30 ) zwischen den Lade- und Entlade-Schleusenkammern (5 ,6 ) und den Vakuumbearbeitungskammern (11a ,11b ,11c ) zu transferieren, und einer Steuereinrichtung (19 ), die dazu ausgelegt ist, die erste Fördereinrichtung (13 ) und die zweite Fördereinrichtung (14 ) so zu steuern, dass sie die zu bearbeitenden Substrate (20 ) nacheinander von der ersten Kassette über die Lade-Schleusenkammer (5 ) und die Vakuumtransferkammer (16 ) zu den Vakuumbearbeitungskammern transferieren, sowie von den Vakuumbearbeitungskammern über die Vakuumtransferkammer und die Entlade-Schleusenkammer (6 ) zu der ersten Kassette, und die Dummy-Substrate (30 ) nacheinander von der zweiten Kassette (1c ) über die Lade-Schleusenkammer (5 ) und die Vakuumtransferkammer (16 ) zu den Vakuumbearbeitungskammern (11a ,11b ,11c ) transferieren, sowie von den Vakuumbearbeitungskammern über die Vakuumtransferkammer und die Entlade-Schleusenkammer (6 ) zu der zweiten Kassette, bevor und nachdem die Vakuumbearbeitungskammern trockengereinigt wurden; wobei die erste Fördereinrichtung (13 ) vor der Lade-Schleusenkammer (5 ) und der Entlade-Schleusenkammer (6 ) angeordnet ist; die Lade-Schleusenkammer (5 ) und die Entlade-Schleusenkammer (6 ) Seite an Seite angeordnet und über zugehörige Schleusenschieber (12b ,12c ) an die Vakuumtransferkammer (16 ) angeschlossen sind; und die Vakuumbearbeitungskammern (11a ,11b ,11c ) an den Seitenwänden der Vakuumtransferkammer (16 ) angeordnet und über zugehörige Schleusenschieber (15a ,15b ,15c ) an die Vakuumtransferkammer (16 ) angeschlossen sind; und wobei die Steuereinrichtung (19 ) dazu ausgelegt ist, (i) die Positionen der Dummy-Substrate (30 ) in der zweiten Kassette (1c ) zu speichern, (ii) die Anzahl der Verwendungen der Dummy-Substrate (30 ) zu speichern, (iii) die Ersetzungsdauer der Dummy-Substrate (30 ) insgesamt zusammen mit der zweiten Kassette (1c ) zu verwalten, (iv) die in Bearbeitung befindlichen Substrate (20 ) und die Dummy-Substrate (30 ) an ihre ursprünglichen Positionen in den Kassetten zurückzugeben, und (v) die Zeit für das Trockenreinigen zu beurteilen; wobei die Steuereinrichtung (19 ) dazu ausgelegt ist, die erste Fördereinrichtung (13 ) und die zweite Fördereinrichtung (14 ) so zu steuern, dass die zu bearbeitenden Substrate (20 ) und die Dummy-Substrate (30 ) in keiner der Kammern miteinander koexistieren. - Verfahren zum Betreiben eines Vakuumbearbeitungsgeräts mit: einem ersten Kassettentisch (
2a ,2b ) zum Halten einer ersten Kassette (1a ,1b ), in der die zu bearbeitenden Substrate (20 ) gelagert sind, in Luft; einem zweiten Kassettentisch (2c ) zum Halten einer zweiten Kassette (1c ), in der Dummy-Substrate (30 ) gelagert sind, in Luft; mehreren Vakuumbearbeitungskammern (11a ,11b ,11c ), die jeweils einen Probentisch (8a ,8b ,8c ) aufweisen, auf den während der Bearbeitung eines der Substrate (20 ) oder der Dummy-Substrate (30 ) gelegt wird; einer Lade-Schleusenkammer (5 ), einer Entlade-Schleusenkammer (6 ) und einer Abpumpeinrichtung (3 ) dafür; einer Vakuumtransferkammer (16 ) mit einer Abpumpeinrichtung (17 ); einer ersten Fördereinrichtung (13 ), um die Substrate (20 ) und die Dummy-Substrate (30 ) nacheinander zwischen den ersten und zweiten Kassetten (1a ,1b ,1c ) und den Lade- und Entlade-Schleusenkammern (5 ,6 ) zu transferieren; einer zweiten Fördereinrichtung (14 ) in der Vakuumtransferkammer (16 ), um die Substrate (20 ) und die Dummy-Substrate (30 ) zwischen den Lade- und Entlade-Schleusenkammern (5 ,6 ) und den Vakuumbearbeitungskammern (11a ,11b ,11c ) zu transferieren, und wobei die erste Fördereinrichtung (13 ) vor der Lade-Schleusenkammer (5 ) und der Entlade-Schleusenkammer (6 ) angeordnet ist; die Lade-Schleusenkammer (5 ) und die Entlade-Schleusenkammer (6 ) Seite an Seite angeordnet und über zugehörige Schleusenschieber (12b ,12c ) an die Vakuumtransferkammer (16 ) angeschlossen sind; und die Vakuumbearbeitungskammern (11a ,11b ,11c ) an den Seitenwänden der Vakuumtransferkammer (16 ) angeordnet und über zugehörige Schleusenschieber (15a ,15b ,15c ) an die Vakuumtransferkammer (16 ) angeschlossen sind, wobei in dem Verfahren: (i) die zu bearbeitenden Substrate (20 ) in den Vakuumbearbeitungskammern (11a ,11b ,11c ) bearbeitet werden, (ii) die Vakuumbearbeitungskammern (11a ,11b ,11c ) trockengereinigt werden, (iii) die erste und die zweite Fördereinrichtung (13 ,14 ) so betrieben werden, dass die zu bearbeitenden Substrate (20 ) nacheinander von der ersten Kassette (1a ,1b ) über die Lade-Schleusenkammer und die Vakuumtransferkammer zu den Vakuumbearbeitungskammern (11a ,11b ,11c ) transferiert werden, sowie von den Vakuumbearbeitungskammern über die Vakuumtransferkammer und die Entlade-Schleusenkammer zu der ersten Kassette, und, vor und nach der Trockenreinigung, die Dummy-Substrate (30 ) nacheinander von der zweiten Kassette (1c ) über die Lade-Schleusenkammer (5 ) und die Vakuumtransferkammer (16 ) zu den Vakuumbearbeitungskammern (11a ,11b ,11c ) transferiert werden, sowie von den Vakuumbearbeitungskammern über die Vakuumtransferkammer und die Entlade-Schleusenkammer zu der zweiten Kassette, wobei dafür gesorgt wird, dass die zu bearbeitenden Substrate (20 ) und die Dummy-Substrate (30 ) in keiner der Kammern miteinander koexistieren; wobei die Vorrichtung ferner eine Steuereinrichtung (19 ) aufweist, die dazu ausgelegt ist, (i) die Positionen der Dummy-Substrate (30 ) in der zweiten Kassette (1c ) zu speichern, (ii) die Anzahl der Verwendungen der Dummy-Substrate (30 ) zu speichern, (iii) die Ersetzungsdauer der Dummy-Substrate (30 ) insgesamt zusammen mit der zweiten Kassette (1c ) zu verwalten, (iv) die in Bearbeitung befindlichen Substrate (20 ) und die Dummy-Substrate (30 ) an ihre ursprünglichen Positionen in den Kassetten zurückzugeben, (v) die Zeit für das Trockenreinigen zu beurteilen, und (vi) die erste Fördereinrichtung (13 ) und die zweite Fördereinrichtung (14 ) so zu steuern, dass die zu bearbeitenden Substrate (20 ) und die Dummy-Substrate (30 ) in keiner der Kammern miteinander koexistieren.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2225321A JP2644912B2 (ja) | 1990-08-29 | 1990-08-29 | 真空処理装置及びその運転方法 |
JP22532190 | 1990-08-29 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE69133564D1 DE69133564D1 (de) | 2007-04-12 |
DE69133564T2 true DE69133564T2 (de) | 2007-12-06 |
Family
ID=16827524
Family Applications (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69128861T Expired - Fee Related DE69128861T3 (de) | 1990-08-29 | 1991-08-19 | Vakuumsbehandlungsvorrichtung und Reinigungsverfahren dafür |
DE69133567T Expired - Lifetime DE69133567T2 (de) | 1990-08-29 | 1991-08-19 | Vakuumbehandlungsvorrichtung und Arbeitsverfahren dafür |
DE69133254T Expired - Fee Related DE69133254T2 (de) | 1990-08-29 | 1991-08-19 | Arbeitsverfahren für Vakuumbehandlungsvorrichtung |
DE69133564T Expired - Lifetime DE69133564T2 (de) | 1990-08-29 | 1991-08-19 | Vakuumbehandlungsvorrichtung und Arbeitsverfahren dafür |
DE69133535T Expired - Lifetime DE69133535T2 (de) | 1990-08-29 | 1991-08-19 | Arbeitsverfahren für Vakuumbehandlungsvorrichtung |
Family Applications Before (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69128861T Expired - Fee Related DE69128861T3 (de) | 1990-08-29 | 1991-08-19 | Vakuumsbehandlungsvorrichtung und Reinigungsverfahren dafür |
DE69133567T Expired - Lifetime DE69133567T2 (de) | 1990-08-29 | 1991-08-19 | Vakuumbehandlungsvorrichtung und Arbeitsverfahren dafür |
DE69133254T Expired - Fee Related DE69133254T2 (de) | 1990-08-29 | 1991-08-19 | Arbeitsverfahren für Vakuumbehandlungsvorrichtung |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE69133535T Expired - Lifetime DE69133535T2 (de) | 1990-08-29 | 1991-08-19 | Arbeitsverfahren für Vakuumbehandlungsvorrichtung |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (47) | US5314509A (de) |
EP (5) | EP1076354B1 (de) |
JP (1) | JP2644912B2 (de) |
KR (1) | KR0184682B1 (de) |
DE (5) | DE69128861T3 (de) |
Families Citing this family (154)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2644912B2 (ja) * | 1990-08-29 | 1997-08-25 | 株式会社日立製作所 | 真空処理装置及びその運転方法 |
US5685684A (en) * | 1990-11-26 | 1997-11-11 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing system |
US5630434A (en) * | 1991-11-05 | 1997-05-20 | Gray; Donald J. | Filter regeneration system |
US5240507A (en) * | 1991-11-05 | 1993-08-31 | Gray Donald J | Cleaning method and system |
US5702535A (en) * | 1991-11-05 | 1997-12-30 | Gebhard-Gray Associates | Dry cleaning and degreasing system |
US5534072A (en) * | 1992-06-24 | 1996-07-09 | Anelva Corporation | Integrated module multi-chamber CVD processing system and its method for processing subtrates |
US5746008A (en) * | 1992-07-29 | 1998-05-05 | Shinko Electric Co., Ltd. | Electronic substrate processing system using portable closed containers |
EP1448029A3 (de) * | 1992-08-14 | 2010-01-27 | Hamamatsu Photonics K.K. | Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von gasförmigen Ionen unter Verwendung von Röntgenstrahlen und deren Anwendung in verschiedenen Geräten und Strukturen |
WO1994014191A1 (fr) * | 1992-12-14 | 1994-06-23 | Ebara Corporation | Dispositif de transfert de galette |
JPH0712458A (ja) * | 1993-06-23 | 1995-01-17 | Murata Mfg Co Ltd | 部品乾燥機 |
US6090706A (en) * | 1993-06-28 | 2000-07-18 | Applied Materials, Inc. | Preconditioning process for treating deposition chamber prior to deposition of tungsten silicide coating on active substrates therein |
JP3158264B2 (ja) * | 1993-08-11 | 2001-04-23 | 東京エレクトロン株式会社 | ガス処理装置 |
US5565034A (en) * | 1993-10-29 | 1996-10-15 | Tokyo Electron Limited | Apparatus for processing substrates having a film formed on a surface of the substrate |
JP2900788B2 (ja) * | 1994-03-22 | 1999-06-02 | 信越半導体株式会社 | 枚葉式ウェーハ処理装置 |
US6712577B2 (en) * | 1994-04-28 | 2004-03-30 | Semitool, Inc. | Automated semiconductor processing system |
JPH0817894A (ja) * | 1994-06-27 | 1996-01-19 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板表面処理装置 |
FR2733036B1 (fr) * | 1995-04-14 | 1997-07-04 | Unir | Dispositif de protection anti-contamination rapprochee |
US6363164B1 (en) | 1996-05-13 | 2002-03-26 | Cummins-Allison Corp. | Automated document processing system using full image scanning |
US6283130B1 (en) * | 1995-05-30 | 2001-09-04 | Anelva Corporation | Plasma cleaning method and placement area protector used in the method |
US6672819B1 (en) | 1995-07-19 | 2004-01-06 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing apparatus and semiconductor manufacturing line using the same |
JPH0936198A (ja) | 1995-07-19 | 1997-02-07 | Hitachi Ltd | 真空処理装置およびそれを用いた半導体製造ライン |
KR100244041B1 (ko) * | 1995-08-05 | 2000-02-01 | 엔도 마코토 | 기판처리장치 |
US6481956B1 (en) * | 1995-10-27 | 2002-11-19 | Brooks Automation Inc. | Method of transferring substrates with two different substrate holding end effectors |
WO1997034742A1 (fr) * | 1996-03-18 | 1997-09-25 | Komatsu Ltd. | Dispositif de commande d'un systeme de transport de pieces |
US5779799A (en) * | 1996-06-21 | 1998-07-14 | Micron Technology, Inc. | Substrate coating apparatus |
JPH1022358A (ja) * | 1996-06-28 | 1998-01-23 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理装置 |
US5713138A (en) * | 1996-08-23 | 1998-02-03 | Research, Incorporated | Coating dryer system |
US6714832B1 (en) | 1996-09-11 | 2004-03-30 | Hitachi, Ltd. | Operating method of vacuum processing system and vacuum processing system |
KR100234060B1 (ko) * | 1996-12-04 | 1999-12-15 | 구자홍 | 음극선관용 스프링 구조 |
US6009890A (en) * | 1997-01-21 | 2000-01-04 | Tokyo Electron Limited | Substrate transporting and processing system |
IT1290911B1 (it) * | 1997-02-03 | 1998-12-14 | Siv Soc Italiana Vetro | Procedimento e dispositivo per l'alimentazione di impianti da vuoto atti al deposito di rivestimenti superficiali su substrati. |
US6138695A (en) * | 1997-03-07 | 2000-10-31 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Substrate processing apparatus |
US5922136A (en) * | 1997-03-28 | 1999-07-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Post-CMP cleaner apparatus and method |
US6059507A (en) * | 1997-04-21 | 2000-05-09 | Brooks Automation, Inc. | Substrate processing apparatus with small batch load lock |
JP3850952B2 (ja) * | 1997-05-15 | 2006-11-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板搬送装置及び基板搬送方法 |
JP3850951B2 (ja) * | 1997-05-15 | 2006-11-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板搬送装置及び基板搬送方法 |
JP3737604B2 (ja) * | 1997-06-03 | 2006-01-18 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
US5882413A (en) * | 1997-07-11 | 1999-03-16 | Brooks Automation, Inc. | Substrate processing apparatus having a substrate transport with a front end extension and an internal substrate buffer |
US6139245A (en) * | 1997-07-11 | 2000-10-31 | Brooks Automation Inc. | Robot arm relocation system |
KR19990010200A (ko) * | 1997-07-15 | 1999-02-05 | 윤종용 | 감압식 건조 장치를 이용하는 반도체장치 건조방법 |
US6034000A (en) * | 1997-07-28 | 2000-03-07 | Applied Materials, Inc. | Multiple loadlock system |
US5974689A (en) * | 1997-09-23 | 1999-11-02 | Gary W. Farrell | Chemical drying and cleaning system |
DE19756830A1 (de) * | 1997-12-19 | 1999-07-01 | Wacker Chemie Gmbh | Vakuumtechnisches Trocknen von Halbleiterbruch |
US6026589A (en) * | 1998-02-02 | 2000-02-22 | Silicon Valley Group, Thermal Systems Llc | Wafer carrier and semiconductor apparatus for processing a semiconductor substrate |
WO1999052141A1 (fr) * | 1998-04-02 | 1999-10-14 | Nikon Corporation | Procede et dispositif de traitements de plaquettes, et procede et appareil d'exposition |
KR100265287B1 (ko) * | 1998-04-21 | 2000-10-02 | 윤종용 | 반도체소자 제조용 식각설비의 멀티챔버 시스템 |
US6079927A (en) * | 1998-04-22 | 2000-06-27 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Automated wafer buffer for use with wafer processing equipment |
US6246473B1 (en) | 1998-04-23 | 2001-06-12 | Sandia Corporation | Method and apparatus for monitoring plasma processing operations |
NL1009171C2 (nl) * | 1998-05-14 | 1999-12-10 | Asm Int | Waferrek voorzien van een gasverdeelinrichting. |
KR20010043705A (ko) * | 1998-05-18 | 2001-05-25 | 조셉 제이. 스위니 | 워크 스테이션간에 웨이퍼당 이송을 위한 웨이퍼 버퍼스테이션과 방법 |
US6151796A (en) * | 1998-06-04 | 2000-11-28 | Kem-Tec Japan Co., Ltd. | Substrate drying device, drying method and substrate dried by the same |
US6217272B1 (en) | 1998-10-01 | 2001-04-17 | Applied Science And Technology, Inc. | In-line sputter deposition system |
JP2000306978A (ja) * | 1999-02-15 | 2000-11-02 | Kokusai Electric Co Ltd | 基板処理装置、基板搬送装置、および基板処理方法 |
JP3959200B2 (ja) * | 1999-03-19 | 2007-08-15 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造装置 |
US6251195B1 (en) * | 1999-07-12 | 2001-06-26 | Fsi International, Inc. | Method for transferring a microelectronic device to and from a processing chamber |
KR100537921B1 (ko) * | 1999-08-24 | 2005-12-21 | 니시카와고무고교가부시키가이샤 | 리테이너가 없는 웨더스트립 |
JP2001093791A (ja) * | 1999-09-20 | 2001-04-06 | Hitachi Ltd | 真空処理装置の運転方法及びウエハの処理方法 |
JP2001127044A (ja) | 1999-10-29 | 2001-05-11 | Hitachi Ltd | 真空処理装置および真空処理システム |
US6364592B1 (en) * | 1999-12-01 | 2002-04-02 | Brooks Automation, Inc. | Small footprint carrier front end loader |
US6949143B1 (en) * | 1999-12-15 | 2005-09-27 | Applied Materials, Inc. | Dual substrate loadlock process equipment |
JP2001308003A (ja) * | 2000-02-15 | 2001-11-02 | Nikon Corp | 露光方法及び装置、並びにデバイス製造方法 |
US6698991B1 (en) * | 2000-03-02 | 2004-03-02 | Applied Materials, Inc. | Fabrication system with extensible equipment sets |
JP2002043229A (ja) * | 2000-07-25 | 2002-02-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体製造装置 |
US6821912B2 (en) | 2000-07-27 | 2004-11-23 | Nexx Systems Packaging, Llc | Substrate processing pallet and related substrate processing method and machine |
US6530733B2 (en) | 2000-07-27 | 2003-03-11 | Nexx Systems Packaging, Llc | Substrate processing pallet and related substrate processing method and machine |
US6682288B2 (en) | 2000-07-27 | 2004-01-27 | Nexx Systems Packaging, Llc | Substrate processing pallet and related substrate processing method and machine |
US6745783B2 (en) * | 2000-08-01 | 2004-06-08 | Tokyo Electron Limited | Cleaning processing method and cleaning processing apparatus |
KR20070037517A (ko) * | 2000-09-15 | 2007-04-04 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 처리 장비용 더블 이중 슬롯 로드록 |
AU2002230793A1 (en) * | 2000-10-31 | 2002-05-15 | Applied Materials, Inc. | Method and apparatus for cleaning a deposition chamber |
KR100408604B1 (ko) * | 2000-12-07 | 2003-12-06 | 주식회사제4기한국 | 대기압 플라즈마를 이용한 정밀세정과 표면개질방법 및 그장치 |
GB2370411B (en) * | 2000-12-20 | 2003-08-13 | Hanmi Co Ltd | Handler system for cutting a semiconductor package device |
US6852242B2 (en) * | 2001-02-23 | 2005-02-08 | Zhi-Wen Sun | Cleaning of multicompositional etchant residues |
US6635144B2 (en) | 2001-04-11 | 2003-10-21 | Applied Materials, Inc | Apparatus and method for detecting an end point of chamber cleaning in semiconductor equipment |
JP4731755B2 (ja) * | 2001-07-26 | 2011-07-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 移載装置の制御方法および熱処理方法並びに熱処理装置 |
US6817823B2 (en) * | 2001-09-11 | 2004-11-16 | Marian Corporation | Method, device and system for semiconductor wafer transfer |
US20030053892A1 (en) * | 2001-09-17 | 2003-03-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Loadport equipped with automatic height adjustment means and method for operating |
US7316966B2 (en) * | 2001-09-21 | 2008-01-08 | Applied Materials, Inc. | Method for transferring substrates in a load lock chamber |
US7260704B2 (en) * | 2001-11-30 | 2007-08-21 | Intel Corporation | Method and apparatus for reinforcing a prefetch chain |
JP4025069B2 (ja) * | 2001-12-28 | 2007-12-19 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
US6899507B2 (en) * | 2002-02-08 | 2005-05-31 | Asm Japan K.K. | Semiconductor processing apparatus comprising chamber partitioned into reaction and transfer sections |
JP3887570B2 (ja) * | 2002-02-18 | 2007-02-28 | 協和化工株式会社 | 高速乾燥装置 |
JP3862596B2 (ja) * | 2002-05-01 | 2006-12-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法 |
EP1506570A1 (de) * | 2002-05-21 | 2005-02-16 | ASM America, Inc. | Reduzierte kreuz-contamination zwischen den kammern eines halbleiterverarbeitungsgerätes |
JP2004071611A (ja) * | 2002-08-01 | 2004-03-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電子部品装着装置および電子部品装着方法 |
JP4219799B2 (ja) * | 2003-02-26 | 2009-02-04 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板処理装置 |
JP3674864B2 (ja) * | 2003-03-25 | 2005-07-27 | 忠素 玉井 | 真空処理装置 |
US20060156627A1 (en) * | 2003-06-27 | 2006-07-20 | Ultracell Corporation | Fuel processor for use with portable fuel cells |
KR100500169B1 (ko) * | 2003-07-02 | 2005-07-07 | 주식회사 디엠에스 | 도킹형 기판 이송 및 처리 시스템과, 그를 이용한 이송 및 처리 방법 |
US7313262B2 (en) * | 2003-08-06 | 2007-12-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Apparatus for visualization of process chamber conditions |
US7276210B2 (en) * | 2003-08-20 | 2007-10-02 | Petroleo Brasileiro S.A. -Petrobras | Stripping apparatus and process |
JP2005101584A (ja) * | 2003-08-28 | 2005-04-14 | Suss Microtec Test Systems Gmbh | 基板を検査する装置 |
US7207766B2 (en) * | 2003-10-20 | 2007-04-24 | Applied Materials, Inc. | Load lock chamber for large area substrate processing system |
JP2005167083A (ja) * | 2003-12-04 | 2005-06-23 | Daifuku Co Ltd | ガラス基板用の搬送設備 |
JP4435610B2 (ja) * | 2004-03-23 | 2010-03-24 | パナソニック株式会社 | ダミー基板 |
JP4128973B2 (ja) * | 2004-03-30 | 2008-07-30 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 真空処理装置及び真空処理方法 |
US7497414B2 (en) * | 2004-06-14 | 2009-03-03 | Applied Materials, Inc. | Curved slit valve door with flexible coupling |
EP1621284A1 (de) * | 2004-07-15 | 2006-02-01 | Maschinenfabrik Berthold Hermle Aktiengesellschaft | Werkstückwechsler für Bearbeitungsmaschinen |
ATE388787T1 (de) * | 2004-07-15 | 2008-03-15 | Hermle Berthold Maschf Ag | Bearbeitungsmaschine mit werkstückwechsler |
US8000837B2 (en) | 2004-10-05 | 2011-08-16 | J&L Group International, Llc | Programmable load forming system, components thereof, and methods of use |
US7771563B2 (en) | 2004-11-18 | 2010-08-10 | Sumitomo Precision Products Co., Ltd. | Systems and methods for achieving isothermal batch processing of substrates used for the production of micro-electro-mechanical-systems |
JP3960332B2 (ja) * | 2004-11-29 | 2007-08-15 | セイコーエプソン株式会社 | 減圧乾燥装置 |
JP2006179528A (ja) * | 2004-12-20 | 2006-07-06 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置の検査方法及び検査プログラム |
US20070006936A1 (en) * | 2005-07-07 | 2007-01-11 | Applied Materials, Inc. | Load lock chamber with substrate temperature regulation |
KR101255718B1 (ko) * | 2005-11-07 | 2013-04-17 | 주성엔지니어링(주) | 기판처리시스템 및 이를 이용한 기판처리방법 |
US8125610B2 (en) | 2005-12-02 | 2012-02-28 | ASML Metherlands B.V. | Method for preventing or reducing contamination of an immersion type projection apparatus and an immersion type lithographic apparatus |
US7845891B2 (en) * | 2006-01-13 | 2010-12-07 | Applied Materials, Inc. | Decoupled chamber body |
US7665951B2 (en) * | 2006-06-02 | 2010-02-23 | Applied Materials, Inc. | Multiple slot load lock chamber and method of operation |
US7845618B2 (en) | 2006-06-28 | 2010-12-07 | Applied Materials, Inc. | Valve door with ball coupling |
US20080003377A1 (en) * | 2006-06-30 | 2008-01-03 | The Board Of Regents Of The Nevada System Of Higher Ed. On Behalf Of The Unlv | Transparent vacuum system |
JP2008027937A (ja) * | 2006-07-18 | 2008-02-07 | Hitachi High-Technologies Corp | 真空処理装置 |
US8124907B2 (en) * | 2006-08-04 | 2012-02-28 | Applied Materials, Inc. | Load lock chamber with decoupled slit valve door seal compartment |
US7740437B2 (en) | 2006-09-22 | 2010-06-22 | Asm International N.V. | Processing system with increased cassette storage capacity |
US20080206022A1 (en) * | 2007-02-27 | 2008-08-28 | Smith John M | Mult-axis robot arms in substrate vacuum processing tool |
US20080206036A1 (en) * | 2007-02-27 | 2008-08-28 | Smith John M | Magnetic media processing tool with storage bays and multi-axis robot arms |
US7585142B2 (en) * | 2007-03-16 | 2009-09-08 | Asm America, Inc. | Substrate handling chamber with movable substrate carrier loading platform |
JP5065167B2 (ja) * | 2007-09-20 | 2012-10-31 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板の処理方法及び基板の処理システム |
US8118946B2 (en) | 2007-11-30 | 2012-02-21 | Wesley George Lau | Cleaning process residues from substrate processing chamber components |
EP2313873A1 (de) * | 2008-07-11 | 2011-04-27 | MEI, Inc. | Automatisiertes system zum umgang mit dokumenten |
DE102009018700B4 (de) * | 2008-09-01 | 2020-02-13 | Singulus Technologies Ag | Beschichtungsanlage und Verfahren zum Beschichten |
WO2010041562A1 (ja) * | 2008-10-07 | 2010-04-15 | 川崎重工業株式会社 | 基板搬送ロボットおよびシステム |
US7972961B2 (en) * | 2008-10-09 | 2011-07-05 | Asm Japan K.K. | Purge step-controlled sequence of processing semiconductor wafers |
JP5139253B2 (ja) * | 2008-12-18 | 2013-02-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空処理装置及び真空搬送装置 |
US8216380B2 (en) | 2009-01-08 | 2012-07-10 | Asm America, Inc. | Gap maintenance for opening to process chamber |
US8287648B2 (en) | 2009-02-09 | 2012-10-16 | Asm America, Inc. | Method and apparatus for minimizing contamination in semiconductor processing chamber |
US8749053B2 (en) | 2009-06-23 | 2014-06-10 | Intevac, Inc. | Plasma grid implant system for use in solar cell fabrications |
JP2011009362A (ja) * | 2009-06-24 | 2011-01-13 | Tokyo Electron Ltd | インプリントシステム、インプリント方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 |
JP5060517B2 (ja) * | 2009-06-24 | 2012-10-31 | 東京エレクトロン株式会社 | インプリントシステム |
JP5423227B2 (ja) | 2009-08-11 | 2014-02-19 | 富士ゼロックス株式会社 | 画像形成装置及びプログラム |
DE112010003863T5 (de) * | 2009-09-30 | 2013-01-03 | Cummins Inc. | Vorgehensweisen zur Erhöhung der Regenerationsfähigkeit einer Nachbehandlung |
CN102834905B (zh) * | 2010-02-09 | 2016-05-11 | 因特瓦克公司 | 太阳能电池制造中使用的可调阴影掩模组件 |
US20120288355A1 (en) * | 2011-05-11 | 2012-11-15 | Ming-Teng Hsieh | Method for storing wafers |
US10096461B2 (en) | 2011-06-23 | 2018-10-09 | Brooks Automation Germany, GmbH | Semiconductor cleaner systems and methods |
US8728587B2 (en) * | 2011-06-24 | 2014-05-20 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Closed loop process control of plasma processed materials |
MY175007A (en) | 2011-11-08 | 2020-06-02 | Intevac Inc | Substrate processing system and method |
CN103930984B (zh) * | 2011-11-23 | 2016-09-21 | 日本电产三协株式会社 | 工件搬运系统 |
JP5516610B2 (ja) * | 2012-01-19 | 2014-06-11 | 株式会社安川電機 | ロボット、ロボットハンドおよびロボットハンドの保持位置調整方法 |
DE102012100929A1 (de) * | 2012-02-06 | 2013-08-08 | Roth & Rau Ag | Substratbearbeitungsanlage |
TW201344836A (zh) * | 2012-04-26 | 2013-11-01 | Applied Materials Inc | 降低粒子生成的蒸汽乾燥裝置模組 |
TWI570745B (zh) | 2012-12-19 | 2017-02-11 | 因特瓦克公司 | 用於電漿離子植入之柵極 |
WO2014143846A1 (en) * | 2013-03-15 | 2014-09-18 | Applied Materials, Inc | Multi-position batch load lock apparatus and systems and methods including same |
JP6105436B2 (ja) * | 2013-08-09 | 2017-03-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理システム |
CN103611702B (zh) * | 2013-09-07 | 2016-03-30 | 国家电网公司 | 一种可拆式超声波清洗装置的使用方法 |
CN103611703B (zh) * | 2013-09-07 | 2016-03-30 | 国家电网公司 | 一种组合式超声波清洗装置的使用方法 |
WO2015057959A1 (en) * | 2013-10-18 | 2015-04-23 | Brooks Automation, Inc. | Processing apparatus |
CN104752152B (zh) * | 2013-12-29 | 2018-07-06 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 一种沟槽刻蚀方法及刻蚀装置 |
KR101575129B1 (ko) * | 2014-01-13 | 2015-12-08 | 피에스케이 주식회사 | 기판 이송 장치 및 방법, 그리고 기판 처리 장치 |
CN103817470B (zh) * | 2014-02-13 | 2016-08-17 | 潍柴重机股份有限公司 | 一种油底壳螺塞支座焊机 |
WO2018197008A1 (en) * | 2017-04-28 | 2018-11-01 | Applied Materials, Inc. | Method for cleaning a vacuum system used in the manufacture of oled devices, method for vacuum deposition on a substrate to manufacture oled devices, and apparatus for vacuum deposition on a substrate to manufacture oled devices |
CN107102536B (zh) * | 2017-05-12 | 2020-08-21 | 芜湖乐佳自动化机械有限公司 | 一种变电柜防尘自动控制系统 |
US10872804B2 (en) | 2017-11-03 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for isolating a reaction chamber from a loading chamber resulting in reduced contamination |
US10872803B2 (en) | 2017-11-03 | 2020-12-22 | Asm Ip Holding B.V. | Apparatus and methods for isolating a reaction chamber from a loading chamber resulting in reduced contamination |
US11121014B2 (en) | 2018-06-05 | 2021-09-14 | Asm Ip Holding B.V. | Dummy wafer storage cassette |
US11183409B2 (en) * | 2018-08-28 | 2021-11-23 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. | System for a semiconductor fabrication facility and method for operating the same |
CN113035749A (zh) * | 2021-03-02 | 2021-06-25 | 北京北方华创微电子装备有限公司 | 半导体工艺腔室的清洗控制方法及半导体工艺腔室 |
Family Cites Families (156)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US536897A (en) * | 1895-04-02 | Reversing-gear for steam-engines | ||
US904153A (en) * | 1907-09-27 | 1908-11-17 | Ludwig Scheib Sr | Central-buffer claw-coupling. |
US3652444A (en) * | 1969-10-24 | 1972-03-28 | Ibm | Continuous vacuum process apparatus |
US3981791A (en) * | 1975-03-10 | 1976-09-21 | Signetics Corporation | Vacuum sputtering apparatus |
US4138306A (en) * | 1976-08-31 | 1979-02-06 | Tokyo Shibaura Electric Co., Ltd. | Apparatus for the treatment of semiconductors |
US4226897A (en) * | 1977-12-05 | 1980-10-07 | Plasma Physics Corporation | Method of forming semiconducting materials and barriers |
US4313815A (en) * | 1978-04-07 | 1982-02-02 | Varian Associates, Inc. | Sputter-coating system, and vaccuum valve, transport, and sputter source array arrangements therefor |
DE2940064A1 (de) * | 1979-10-03 | 1981-04-16 | Leybold-Heraeus GmbH, 5000 Köln | Vakuumaufdampfanlage mir einer ventilkammer, einer bedampfungskammer und einer verdampferkammer |
JPS5681533U (de) * | 1979-11-27 | 1981-07-01 | ||
US4311427A (en) * | 1979-12-21 | 1982-01-19 | Varian Associates, Inc. | Wafer transfer system |
US4313783A (en) * | 1980-05-19 | 1982-02-02 | Branson International Plasma Corporation | Computer controlled system for processing semiconductor wafers |
FR2486006A1 (fr) | 1980-07-07 | 1982-01-08 | Jeumont Schneider | Boucle induisant un courant dans les deux rails d'une voie ferree |
JPS5729577A (en) * | 1980-07-30 | 1982-02-17 | Anelva Corp | Automatic continuous sputtering apparatus |
JPS5893321A (ja) | 1981-11-30 | 1983-06-03 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置製造装置 |
JPS5895636A (ja) | 1981-11-30 | 1983-06-07 | イビデン株式会社 | 耐熱弾性シ−ト状物とその製造方法 |
JPS5892921A (ja) | 1981-11-30 | 1983-06-02 | Fujitsu Ltd | 赤外線検知装置の組立方法 |
US4457661A (en) * | 1981-12-07 | 1984-07-03 | Applied Materials, Inc. | Wafer loading apparatus |
JPS58108641A (ja) | 1981-12-21 | 1983-06-28 | Hitachi Ltd | ウエハ自動交換装置 |
US4634331A (en) * | 1982-05-24 | 1987-01-06 | Varian Associates, Inc. | Wafer transfer system |
US4449885A (en) * | 1982-05-24 | 1984-05-22 | Varian Associates, Inc. | Wafer transfer system |
JPS58220917A (ja) | 1982-06-18 | 1983-12-22 | ジヨ−ジ・ブラウン | 液体冷却装置に使用するサ−モスタツト |
JPS5994435A (ja) | 1982-11-20 | 1984-05-31 | Tokuda Seisakusho Ltd | 真空処理装置 |
US4576698A (en) * | 1983-06-30 | 1986-03-18 | International Business Machines Corporation | Plasma etch cleaning in low pressure chemical vapor deposition systems |
JPS6037129A (ja) * | 1983-08-10 | 1985-02-26 | Hitachi Ltd | 半導体製造装置 |
JPS6052575A (ja) | 1983-09-01 | 1985-03-25 | Nitto Electric Ind Co Ltd | フイルム類の連続真空処理装置 |
JPS6052574A (ja) | 1983-09-02 | 1985-03-25 | Hitachi Ltd | 連続スパツタ装置 |
JPH06105742B2 (ja) * | 1983-11-28 | 1994-12-21 | 株式会社日立製作所 | 真空処理方法及び装置 |
US5259881A (en) * | 1991-05-17 | 1993-11-09 | Materials Research Corporation | Wafer processing cluster tool batch preheating and degassing apparatus |
JPS60203265A (ja) * | 1984-03-28 | 1985-10-14 | ダイセル化学工業株式会社 | 抗血液凝固性高分子材料 |
US4534314A (en) * | 1984-05-10 | 1985-08-13 | Varian Associates, Inc. | Load lock pumping mechanism |
JPS60246635A (ja) * | 1984-05-22 | 1985-12-06 | Anelva Corp | 自動基板処理装置 |
JPS61105853A (ja) * | 1984-10-30 | 1986-05-23 | Anelva Corp | オ−トロ−ダ− |
US4562240A (en) | 1984-12-20 | 1985-12-31 | Ashland Oil, Inc. | Bicyclic amide acetal/polyol/polyisocyanate polymers |
EP0189279B1 (de) * | 1985-01-22 | 1991-10-09 | Applied Materials, Inc. | Halbleiter-Bearbeitungseinrichtung |
JPS61173445A (ja) | 1985-01-28 | 1986-08-05 | Tokyo Erekutoron Kk | ウエハの真空処理装置 |
JPS61250185A (ja) * | 1985-04-25 | 1986-11-07 | Anelva Corp | 真空処理装置のクリ−ニング方法 |
JPS628801A (ja) | 1985-07-06 | 1987-01-16 | Toyo Tire & Rubber Co Ltd | 重荷重ラジアルタイヤ |
US4649629A (en) * | 1985-07-29 | 1987-03-17 | Thomson Components - Mostek Corp. | Method of late programming a read only memory |
JPS6244571A (ja) * | 1985-08-20 | 1987-02-26 | Toshiba Mach Co Ltd | イオン注入装置 |
JPS6250463A (ja) * | 1985-08-30 | 1987-03-05 | Hitachi Ltd | 連続スパツタ装置 |
JPS6289881A (ja) * | 1985-10-16 | 1987-04-24 | Hitachi Ltd | スパツタ装置 |
US5298393A (en) * | 1985-11-21 | 1994-03-29 | Teijin Limited | Monoclonal antibody for human acid-glutathione S-transferase and process for preparation thereof |
JPS62132321A (ja) | 1985-12-04 | 1987-06-15 | Anelva Corp | ドライエツチング装置 |
JPH0613751B2 (ja) * | 1986-03-07 | 1994-02-23 | 株式会社日立製作所 | 連続スパッタ装置 |
JPS62216315A (ja) | 1986-03-18 | 1987-09-22 | Toshiba Mach Co Ltd | 半導体処理装置 |
US4915564A (en) * | 1986-04-04 | 1990-04-10 | Materials Research Corporation | Method and apparatus for handling and processing wafer-like materials |
US4909695A (en) * | 1986-04-04 | 1990-03-20 | Materials Research Corporation | Method and apparatus for handling and processing wafer-like materials |
US4705951A (en) * | 1986-04-17 | 1987-11-10 | Varian Associates, Inc. | Wafer processing system |
US6103055A (en) * | 1986-04-18 | 2000-08-15 | Applied Materials, Inc. | System for processing substrates |
CA1331163C (en) * | 1986-04-18 | 1994-08-02 | Applied Materials, Inc. | Multiple-processing and contamination-free plasma etching system |
WO1987006561A1 (en) | 1986-04-28 | 1987-11-05 | Varian Associates, Inc. | Modular semiconductor wafer transport and processing system |
US4917556A (en) * | 1986-04-28 | 1990-04-17 | Varian Associates, Inc. | Modular wafer transport and processing system |
US4836733A (en) * | 1986-04-28 | 1989-06-06 | Varian Associates, Inc. | Wafer transfer system |
US4670126A (en) * | 1986-04-28 | 1987-06-02 | Varian Associates, Inc. | Sputter module for modular wafer processing system |
US4715764A (en) * | 1986-04-28 | 1987-12-29 | Varian Associates, Inc. | Gate valve for wafer processing system |
US4924890A (en) * | 1986-05-16 | 1990-05-15 | Eastman Kodak Company | Method and apparatus for cleaning semiconductor wafers |
WO1987007309A1 (en) * | 1986-05-19 | 1987-12-03 | Novellus Systems, Inc. | Deposition apparatus with automatic cleaning means and method of use |
US4866507A (en) | 1986-05-19 | 1989-09-12 | International Business Machines Corporation | Module for packaging semiconductor integrated circuit chips on a base substrate |
JPS636582A (ja) * | 1986-06-26 | 1988-01-12 | Mita Ind Co Ltd | 現像装置 |
JPS6357734A (ja) | 1986-08-28 | 1988-03-12 | Mitsubishi Heavy Ind Ltd | 繊維強化金属およびその製造法 |
US4904153A (en) * | 1986-11-20 | 1990-02-27 | Shimizu Construction Co., Ltd. | Transporting robot for semiconductor wafers |
JPS63131123A (ja) | 1986-11-20 | 1988-06-03 | Fujitsu Ltd | 光学式読取装置 |
JPS63133521A (ja) | 1986-11-25 | 1988-06-06 | Kokusai Electric Co Ltd | 半導体基板の熱処理装置 |
JPH0660397B2 (ja) * | 1986-12-15 | 1994-08-10 | 日本真空技術株式会社 | 真空槽内における基板交換装置 |
US5292393A (en) * | 1986-12-19 | 1994-03-08 | Applied Materials, Inc. | Multichamber integrated process system |
US4951601A (en) * | 1986-12-19 | 1990-08-28 | Applied Materials, Inc. | Multi-chamber integrated process system |
US5215619A (en) * | 1986-12-19 | 1993-06-01 | Applied Materials, Inc. | Magnetic field-enhanced plasma etch reactor |
JPS63127125U (de) * | 1987-02-12 | 1988-08-19 | ||
JPS63244619A (ja) * | 1987-03-30 | 1988-10-12 | Sumitomo Metal Ind Ltd | プラズマ装置 |
US5169407A (en) * | 1987-03-31 | 1992-12-08 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of determining end of cleaning of semiconductor manufacturing apparatus |
JPH0691952B2 (ja) * | 1987-04-17 | 1994-11-16 | 株式会社日立製作所 | 真空装置 |
JPS646582A (en) * | 1987-06-30 | 1989-01-11 | Tokyo Gas Co Ltd | Shutoff valve unit with nozzle |
JP2513588B2 (ja) * | 1987-07-01 | 1996-07-03 | 本田技研工業株式会社 | 内燃エンジンの燃料供給制御装置 |
JPS6411320A (en) * | 1987-07-06 | 1989-01-13 | Toshiba Corp | Photo-cvd device |
US4835453A (en) * | 1987-07-07 | 1989-05-30 | U.S. Philips Corp. | Battery-powered device |
JPH0636582Y2 (ja) | 1987-07-10 | 1994-09-21 | 株式会社日立製作所 | エッチング装置 |
US4836905A (en) * | 1987-07-16 | 1989-06-06 | Texas Instruments Incorporated | Processing apparatus |
JPS6431970A (en) * | 1987-07-28 | 1989-02-02 | Tokuda Seisakusho | Vacuum treatment equipment |
JPS6431971A (en) * | 1987-07-28 | 1989-02-02 | Tokuda Seisakusho | Vacuum treatment device |
JPS6436042A (en) | 1987-07-31 | 1989-02-07 | Kokusai Electric Co Ltd | Method and device for wafer handling in semiconductor manufacturing apparatus |
DE3827343A1 (de) * | 1988-08-12 | 1990-02-15 | Leybold Ag | Vorrichtung nach dem karussel-prinzip zum beschichten von substraten |
JPH0217636Y2 (de) | 1987-08-27 | 1990-05-17 | ||
US4851101A (en) * | 1987-09-18 | 1989-07-25 | Varian Associates, Inc. | Sputter module for modular wafer processing machine |
US4903937A (en) * | 1987-09-24 | 1990-02-27 | Varian Associates, Inc. | Isolation valve for vacuum and non-vacuum application |
JP2868767B2 (ja) | 1987-11-04 | 1999-03-10 | 富士電機株式会社 | 半導体ウエハ処理装置 |
JPH0652721B2 (ja) * | 1987-11-20 | 1994-07-06 | 富士電機株式会社 | 半導体ウエハ処理装置 |
JP2610918B2 (ja) | 1987-12-25 | 1997-05-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の処理方法及び処理装置 |
US5225036A (en) * | 1988-03-28 | 1993-07-06 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method of manufacturing semiconductor device |
JP2628335B2 (ja) * | 1988-03-31 | 1997-07-09 | テル・バリアン株式会社 | マルチチャンバ型cvd装置 |
JPH01258438A (ja) | 1988-04-08 | 1989-10-16 | Fujitsu Ltd | 物品情報管理方式 |
JPH0610357B2 (ja) * | 1988-05-25 | 1994-02-09 | 株式会社日立製作所 | プラズマ処理装置 |
JP2615860B2 (ja) * | 1988-06-09 | 1997-06-04 | 富士電機株式会社 | 半導体ウエハ処理装置 |
JPH01316957A (ja) | 1988-06-15 | 1989-12-21 | Nec Corp | 枚葉式処理装置 |
JPH07118208B2 (ja) | 1988-06-28 | 1995-12-18 | 株式会社小糸製作所 | 自動車用前照灯 |
US4857160A (en) * | 1988-07-25 | 1989-08-15 | Oerlikon-Buhrle U.S.A. Inc. | High vacuum processing system and method |
US4914556A (en) | 1988-07-26 | 1990-04-03 | Morpheus Lights, Inc. | Spectral filter module |
JPH0226229U (de) * | 1988-08-05 | 1990-02-21 | ||
JPH0744315Y2 (ja) * | 1988-08-16 | 1995-10-11 | シンガー日鋼株式会社 | ミシンの後側ベルトガード |
JPH0252449A (ja) | 1988-08-16 | 1990-02-22 | Teru Barian Kk | 基板のロード・アンロード方法 |
JPH0265252A (ja) * | 1988-08-31 | 1990-03-05 | Nec Kyushu Ltd | 半導体製造装置 |
JP2545591B2 (ja) * | 1988-09-30 | 1996-10-23 | 国際電気株式会社 | ウェーハ処理装置 |
JP2690971B2 (ja) * | 1988-10-14 | 1997-12-17 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理方法 |
US5536128A (en) | 1988-10-21 | 1996-07-16 | Hitachi, Ltd. | Method and apparatus for carrying a variety of products |
US4923584A (en) | 1988-10-31 | 1990-05-08 | Eaton Corporation | Sealing apparatus for a vacuum processing system |
EP0367423A3 (de) * | 1988-10-31 | 1991-01-09 | Eaton Corporation | Vakuumablagerungsvorrichtung |
JPH02224242A (ja) | 1988-11-21 | 1990-09-06 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体基板処理装置 |
JPH02178946A (ja) | 1988-12-29 | 1990-07-11 | Tokyo Electron Ltd | 半導体製造装置 |
JPH07105357B2 (ja) * | 1989-01-28 | 1995-11-13 | 国際電気株式会社 | 縦型cvd拡散装置に於けるウェーハ移載方法及び装置 |
DE3903607A1 (de) * | 1989-02-08 | 1990-08-09 | Leybold Ag | Vorrichtung zum reinigen, pruefen und einordnen von werkstuecken |
US5014217A (en) * | 1989-02-09 | 1991-05-07 | S C Technology, Inc. | Apparatus and method for automatically identifying chemical species within a plasma reactor environment |
JP2853143B2 (ja) | 1989-02-25 | 1999-02-03 | ソニー株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP2528962B2 (ja) * | 1989-02-27 | 1996-08-28 | 株式会社日立製作所 | 試料処理方法及び装置 |
JPH0793348B2 (ja) | 1989-05-19 | 1995-10-09 | アプライド マテリアルズ インコーポレーテッド | 多重チャンバ真空式処理装置及び多重チャンバ真空式半導体ウェーハ処理装置 |
US5186718A (en) | 1989-05-19 | 1993-02-16 | Applied Materials, Inc. | Staged-vacuum wafer processing system and method |
EP0809283A3 (de) * | 1989-08-28 | 1998-02-25 | Hitachi, Ltd. | Verfahren zur Behandlung von Scheiben |
JP2862956B2 (ja) * | 1990-05-28 | 1999-03-03 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板搬送装置 |
JPH0482841A (ja) | 1990-07-23 | 1992-03-16 | Arakawa Chem Ind Co Ltd | 低分子量芳香族炭化水素化合物の水素化方法 |
JP2644912B2 (ja) * | 1990-08-29 | 1997-08-25 | 株式会社日立製作所 | 真空処理装置及びその運転方法 |
US5436848A (en) | 1990-09-03 | 1995-07-25 | Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. | Method of and device for transporting semiconductor substrate in semiconductor processing system |
US5685684A (en) * | 1990-11-26 | 1997-11-11 | Hitachi, Ltd. | Vacuum processing system |
JP2595132B2 (ja) * | 1990-11-26 | 1997-03-26 | 株式会社日立製作所 | 真空処理装置 |
US5286296A (en) * | 1991-01-10 | 1994-02-15 | Sony Corporation | Multi-chamber wafer process equipment having plural, physically communicating transfer means |
JPH05275511A (ja) * | 1991-03-01 | 1993-10-22 | Tokyo Electron Ltd | 被処理体の移載システム及び処理装置 |
JP2579851B2 (ja) | 1991-06-21 | 1997-02-12 | 太陽化学株式会社 | 食品用日持ち向上剤 |
JP2751975B2 (ja) * | 1991-12-20 | 1998-05-18 | 株式会社日立製作所 | 半導体処理装置のロードロック室 |
US5766360A (en) * | 1992-03-27 | 1998-06-16 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Substrate processing apparatus and substrate processing method |
US5351415A (en) * | 1992-05-18 | 1994-10-04 | Convey, Inc. | Method and apparatus for maintaining clean articles |
US5252178A (en) * | 1992-06-24 | 1993-10-12 | Texas Instruments Incorporated | Multi-zone plasma processing method and apparatus |
JPH0636582A (ja) * | 1992-07-21 | 1994-02-10 | Oki Micro Design Miyazaki:Kk | 読み出し回路 |
JP3139155B2 (ja) * | 1992-07-29 | 2001-02-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空処理装置 |
US5382541A (en) * | 1992-08-26 | 1995-01-17 | Harris Corporation | Method for forming recessed oxide isolation containing deep and shallow trenches |
CH686445A5 (de) * | 1992-10-06 | 1996-03-29 | Balzers Hochvakuum | Kammer und Kammerkombination fuer eine Vakuumanlage und Verfahren zum Durchreichen mindestens eines Werkstueckes. |
US6022458A (en) * | 1992-12-07 | 2000-02-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of production of a semiconductor substrate |
KR970011065B1 (ko) * | 1992-12-21 | 1997-07-05 | 다이닛뽕 스크린 세이조오 가부시키가이샤 | 기판처리장치와 기판처리장치에 있어서 기판교환장치 및 기판교환방법 |
US5295777A (en) * | 1992-12-23 | 1994-03-22 | Materials Research Corporation | Wafer transport module with rotatable and horizontally extendable wafer holder |
JP3218488B2 (ja) * | 1993-03-16 | 2001-10-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
KR100221983B1 (ko) * | 1993-04-13 | 1999-09-15 | 히가시 데쓰로 | 처리장치 |
US5647945A (en) * | 1993-08-25 | 1997-07-15 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus |
US5616208A (en) * | 1993-09-17 | 1997-04-01 | Tokyo Electron Limited | Vacuum processing apparatus, vacuum processing method, and method for cleaning the vacuum processing apparatus |
US5452166A (en) * | 1993-10-01 | 1995-09-19 | Applied Magnetics Corporation | Thin film magnetic recording head for minimizing undershoots and a method for manufacturing the same |
ES2115837T3 (es) | 1993-10-21 | 1998-07-01 | Asea Brown Boveri | Parrilla para una instalacion de combustion. |
US5934856A (en) * | 1994-05-23 | 1999-08-10 | Tokyo Electron Limited | Multi-chamber treatment system |
JP3471916B2 (ja) | 1994-09-28 | 2003-12-02 | サッポロホールディングス株式会社 | 組換えβ−アミラーゼ |
US5504347A (en) * | 1994-10-17 | 1996-04-02 | Texas Instruments Incorporated | Lateral resonant tunneling device having gate electrode aligned with tunneling barriers |
TW297919B (de) * | 1995-03-06 | 1997-02-11 | Motorola Inc | |
JP2861885B2 (ja) | 1995-09-19 | 1999-02-24 | ヤマハ株式会社 | 効果付与アダプタ |
DE19546826C1 (de) * | 1995-12-15 | 1997-04-03 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren und Einrichtung zur Vorbehandlung von Substraten |
US5746565A (en) * | 1996-01-22 | 1998-05-05 | Integrated Solutions, Inc. | Robotic wafer handler |
US5944940A (en) * | 1996-07-09 | 1999-08-31 | Gamma Precision Technology, Inc. | Wafer transfer system and method of using the same |
US6152070A (en) * | 1996-11-18 | 2000-11-28 | Applied Materials, Inc. | Tandem process chamber |
JPH11135600A (ja) * | 1997-08-25 | 1999-05-21 | Shibaura Mechatronics Corp | ロボット装置および処理装置 |
US6235634B1 (en) * | 1997-10-08 | 2001-05-22 | Applied Komatsu Technology, Inc. | Modular substrate processing system |
US5970908A (en) * | 1997-12-13 | 1999-10-26 | Compuvac Systems, Inc. | Apparatus and improved polymerization gun for coating objects by vacuum deposit |
KR100257903B1 (ko) * | 1997-12-30 | 2000-08-01 | 윤종용 | 인시튜 모니터링가능한 플라즈마 식각장치, 그 인시튜 모니터링방법, 플라즈마 식각챔버내의 잔류물 제거를 위한 인시튜 세정방법 |
US6059567A (en) * | 1998-02-10 | 2000-05-09 | Silicon Valley Group, Inc. | Semiconductor thermal processor with recirculating heater exhaust cooling system |
US6277235B1 (en) * | 1998-08-11 | 2001-08-21 | Novellus Systems, Inc. | In situ plasma clean gas injection |
-
1990
- 1990-08-29 JP JP2225321A patent/JP2644912B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1991
- 1991-08-19 DE DE69128861T patent/DE69128861T3/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-08-19 DE DE69133567T patent/DE69133567T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1991-08-19 EP EP00121402A patent/EP1076354B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1991-08-19 EP EP00121401A patent/EP1079418B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1991-08-19 EP EP98106162A patent/EP0856875B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1991-08-19 DE DE69133254T patent/DE69133254T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1991-08-19 DE DE69133564T patent/DE69133564T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1991-08-19 EP EP97111628A patent/EP0805481B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1991-08-19 EP EP91307625A patent/EP0475604B2/de not_active Expired - Lifetime
- 1991-08-19 DE DE69133535T patent/DE69133535T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1991-08-29 KR KR1019910014984A patent/KR0184682B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1991-08-29 US US07/751,951 patent/US5314509A/en not_active Expired - Lifetime
-
1993
- 1993-07-26 US US08/096,256 patent/US5349762A/en not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-09-09 US US08/302,443 patent/US5457896A/en not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-05-17 US US08/443,039 patent/US5553396A/en not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-01-30 US US08/593,870 patent/US5661913A/en not_active Expired - Lifetime
-
1997
- 1997-06-26 US US08/882,731 patent/US5784799A/en not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-04-16 US US09/061,062 patent/US5950330A/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-10-23 US US09/177,495 patent/US6012235A/en not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-01-15 US US09/231,451 patent/US6055740A/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-09-03 US US09/389,461 patent/US6112431A/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-09-07 US US09/390,681 patent/US6070341A/en not_active Ceased
- 1999-09-07 US US09/390,684 patent/US6044576A/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-12-16 US US09/461,432 patent/US6330755B1/en not_active Ceased
- 1999-12-16 US US09/461,433 patent/US6108929A/en not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-04-19 US US09/552,572 patent/US6301801B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-07-12 US US09/614,770 patent/US6263588B1/en not_active Ceased
- 2000-07-12 US US09/614,764 patent/US6330756B1/en not_active Ceased
- 2000-11-29 US US09/725,257 patent/US6314658B2/en not_active Ceased
-
2001
- 2001-01-22 US US09/765,379 patent/US6301802B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-01-23 US US09/766,976 patent/US6467186B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-01-23 US US09/766,597 patent/US6625899B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-01-23 US US09/766,975 patent/US6655044B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-01-23 US US09/766,587 patent/US6487793B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-01-24 US US09/767,834 patent/US6332280B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-01-24 US US09/767,837 patent/US6470596B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-02-12 US US09/780,427 patent/US6463676B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-02-12 US US09/780,394 patent/US6460270B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-02-12 US US09/780,444 patent/US6588121B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-02-13 US US09/781,295 patent/US6662465B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-02-13 US US09/781,297 patent/US6473989B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-02-13 US US09/781,298 patent/US6484414B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-02-13 US US09/781,317 patent/US6457253B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-02-13 US US09/781,452 patent/US6634116B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-02-13 US US09/781,270 patent/US6446353B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-02-13 US US09/781,296 patent/US6505415B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-02-13 US US09/781,293 patent/US6499229B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-02-14 US US09/782,192 patent/US6467187B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-02-14 US US09/782,193 patent/US6484415B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-02-14 US US09/782,194 patent/US6463678B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-02-14 US US09/782,196 patent/US6487791B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-02-14 US US09/782,197 patent/US6490810B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-02-14 US US09/782,195 patent/US6487794B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-10-14 US US10/683,067 patent/US6886272B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-10-14 US US10/682,901 patent/US6880264B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-03-10 US US10/796,207 patent/US6904699B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-03-10 US US10/796,195 patent/US6968630B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2005
- 2005-08-16 US US11/204,171 patent/US7367135B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE69133564T2 (de) | Vakuumbehandlungsvorrichtung und Arbeitsverfahren dafür | |
DE69633487T2 (de) | Vakuumbehandlungsvorrichtung und Halbleiter-Fertigungslinie die diese verwendet | |
DE60214763T2 (de) | Waferhandhabungsvorrichtung und verfahren dafür | |
DE69830905T2 (de) | Vorrichtung zur behandlung von einzelnen halbleiterscheiben mit mehreren schleusenkammern und verfahren zum beladen und entladen | |
DE69838273T2 (de) | Verfahren zum Reinigen und Trocknen von zu verarbeitenden Objekte | |
DE3047513C2 (de) | ||
DE69934668T2 (de) | Schleusenkammer für zwei wafer für eine waferverarbeitungsvorrichtung und be- und entladeverfahren dafür | |
DE3909669C2 (de) | ||
DE102004010688B4 (de) | Bearbeitungseinrichtung, Bearbeitungsverfahren, Drucksteuerverfahren, Transportverfahren, und Transporteinrichtung | |
DE60131511T2 (de) | Halbleiterverarbeitungsmodul und Vorrichtung | |
DE19982566B4 (de) | Einrichtung und Verfahren zum Bearbeiten eines Substrats | |
DE69937554T2 (de) | Synchron gemultiplexte architektur für vakuumverfahren mit einem überschuss nahenull | |
DE19906805A1 (de) | Vorrichtung und Verfahren zum Transportieren von zu bearbeitenden Substraten | |
DE4230808A1 (de) | System zur handhabung und verarbeitung eines substrats | |
CH698528B1 (de) | Schiebereinrichtung eines Vakuumprozesssystems. | |
DE3425267A1 (de) | System zum transportieren und behandeln von duennen substraten wie platten oder wafer | |
CH673351A5 (de) | ||
DE10353326A1 (de) | Substratverarbeitungsgerät und Verfahren zum Verarbeiten eines Substrats unter Steuerung der Kontaminierung in einem Substrattransfermodul | |
DE3028283A1 (de) | Fertigungssystem | |
DE19901426A1 (de) | Mehrkammersystem einer Ätzeinrichtung zur Herstellung von Halbleiterbauelementen | |
DE19781822B4 (de) | Reinigungsstation zur Verwendung bei einem System zum Reinigen, Spülen und Trocknen von Halbleiterscheiben | |
EP3916764B1 (de) | Substratbearbeitungsanlage | |
DE112020001947T5 (de) | Dampfabscheidungsverfahren und dampfabscheidungsvorrichtung | |
EP1299899B1 (de) | Speichervorrichtung, insbesondere zur zwischenlagerung von test-wafern | |
DE112019006420T5 (de) | Gasphasenabscheidungsvorrichtung |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8364 | No opposition during term of opposition |